JP2004312710A - 機械共振器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】機械的共振振動を行う振動体1と、振動体1に近接して位置する電極2とを有し、電極2の表面形状が振動体1の共振モードで変形したときの形状となるように機械共振器を構成することで、単位振動変位量あたりの静電容量変化を大きくし、効率よく電気→機械変換または機械→電気変換を行う機械共振器を実現することができる。
【選択図】図1
Description
Frank D.Bannon III, John R.Clark, and Clark T.-C.Nguyen, "High-Q HF Microelectromechanical Filters," IEEE Journal of Solid-State Circuits, Vol. 35, No.4, pp.512-526, April 2000
状と、振動体が共振モードで変形したときの形状とが同一であることを特徴とするものである。これにより、この振動体に対する静電容量を最大限まで増やすことができるので、共振振動を行う振動体の単位変位量あたりの容量変化を大きくし、電気信号を効率よく機械振動に変換する構造、または機械振動を効率よく電気信号に変換することができる。
振動体が前記電極に吸い付くことで第1接点電極と第2接点電極とが接触固定されることができるので、これを利用したスイッチング機能を実現できるものである。
図1は、本発明の実施の形態1にかかる機械共振器の概要図である。
C/Δy|=4.7×10-8[F/m]までさらに改善された。
1次の共振モードで励振する場合、電極22の表面形状は次式のように設定する。
図6は図1の構造の機械共振器を機械→電気変換器に利用した例である。
が得られる。図2と同様にd=0.1μm、εr=1、δmax=1μm、L=40μm、W=20μmとすると、図4ですでに示したとおり本発明の構造を採用した方が図3に示した従来の平行平板構造よりも大きな|ΔC/Δy|が得られる。これより、本実施の形態の機械→電気変換器は微弱な振動を効率よく電気信号に変換することができる。
図7は本実施の形態に係る機械共振器を用いた機械振動フィルタの構造図である。
図10は、電気→機械変換器と機械→電気変換器とを個別に有する図18のフィルタ構造とは異なり、1つの振動体で両方の機能を実現させる機械共振器構造を有する機械振動フィルタである。具体的には、本実施の形態は実施の形態1の図2に示した電気→機械変換器と、実施の形態2の図6に示した機械→電気変換器との双方に共通する構造を共有している。この構造は構成が簡易であることを特長とするが、入力信号viにより励振された振動体1の変位に伴う容量変化に起因して発生する交流電流以外にも、定常的なコンデンサ容量を介して漏洩する不要交流電流が発生する。すなわち、図4において交流動作点を例えばy=0とした場合、y=0における容量が大きいと、励振に起因しない不要交流電流も流れてしまい、フィルタの機能は低下する。従って、|ΔC/Δy|は大きいことが望ましいことは実施の形態1、2で述べてきた通りであるが、可能な限りCの値は低減する必要がある。
また、高抵抗シリコン基板10上に絶縁膜としてシリコン酸化膜およびシリコン窒化膜を形成したが、基板の抵抗が十分高い場合、これら絶縁性膜の形成を省略しても良い。
本実施の形態は、実施の形態4と同じ目的で、不要に発生する交流電流を抑制するために機械共振器のコンデンサ容量の低減を図る方法に関する。図12は本実施の形態に係る機械共振器の構造図である。
本実施の形態は、振動体の振動変位yと静電容量Cの関係の非線形性を改善する方法に関する。すなわち、図4に示したyとCの関係を見ると、図3に示した従来の平行平板構造に比べて、図2や図6の共振モードでの波形状を有する電極を用いることで、機械・電
気変換効率の指標である|ΔC/Δy|は改善されたが、振動体のマイナス側変位、すなわち振動体が電極側に近接したときの非線形性が顕著になる。従って(数5)、(数6)の中でΔC/Δyを定数と考えることが難しくなり、電圧と力、変位と電流間の関係は非線形の複雑な挙動をとる。
本実施の形態は、電極表面形状を共振モードでの波形とすることにより、入力電圧が低電圧でも振動体の大きな振幅が得られることを利用したスイッチ構造に関する。
電力を加えた場合のQ値倍にも及ぶため、振動体1は容易に絶縁層3a近傍まで到達し、その後はバイアス電圧Vbにより振動体1は電極2へ静電吸着される。なお、本実施の形態では、Q値をあげる目的で、ケース内に収納して雰囲気を真空に封止し、空気の粘性による振動体への減衰効果を極力排除した。
図17は、本発明に係るスイッチの電極2上の絶縁層3の詳細図であり、粒径1μmのフッ素樹脂粒子5を無電解メッキ膜6とともに単層で電極上に形成させた状態を示している。このように粒径の揃った樹脂粒子を単層で形成することにより、絶縁層厚を一定に保ち、かつフッ素樹脂の潤滑性により振動体がフッ素樹脂粒子5に接触してもstictionと呼ばれる制御不能な吸着力を減少させることができる。
2 電極
3、3a、3b 絶縁層
4a、4b 接点
5 フッ素樹脂粒子
6 無電解メッキ膜
7 固定端
10 基板
11 犠牲層
12 アルミニウム
13、13a、13b 振動体
14 電極
21 片持ち梁型振動体
22、22a、22b 電極
23 絶縁層
15 微細穴
16 アンカー
101、102 両持ち梁型振動体
103 結合梁
104 入力線路
105 出力線路
121 電極の両端からΔLの長さ部分
141 電極の中心からΔLの絶縁体の部分
Claims (18)
- 機械的共振振動を行う振動体と、
前記振動体が共振振動時に近接し、かつ前記共振振動の振幅方向に湾曲して配置された電極と、
を有する機械共振器。 - 前記湾曲した電極の表面形状と、前記振動体が共振モードで変形したときの形状とが同一であることを特徴とする請求項1に記載の機械共振器。
- 前記振動体と対向する前記電極の表面積は前記振動体の表面積よりも小さいことを特徴とする請求項1あるいは2に記載の機械共振器。
- 共振時に振幅が最大になる前記振動体の部分およびその近傍と対向する位置には前記電極を配しないことを特徴とする請求項3に記載の機械共振器。
- 前記振動体の端部に対向する位置には前記電極を配しないことを特徴とする請求項3に記載の機械共振器。
- 機械的共振振動を行う振動体と、
前記振動体と近接し、同じ共振周波数の共振モードで振動する電極と、
を有する機械共振器。 - 前記振動体と前記電極とに接続され、それらの間に静電界を発生する
バイアス電源をさらに有し、
前記振動体と前記電極との間に共振周波数の電圧変化を受けたときに、前記振動体が共振振動する請求項1乃至6のいずれかに記載の機械共振器。 - 前記電極と前記振動体との間の電圧変化から信号を検出する検出部をさらに有し、
前記振動体が振動したときの前記振動体と前記電極との間の静電容量変化により、前記検出部が振動から電気信号に変換された信号を検出することを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載の機械共振器。 - 前記電極と前記振動体の対向面の少なくとも一方に絶縁層を設けたことを特徴とする請求項1乃至8のいずれかに記載の機械共振器。
- 前記絶縁層は、絶縁性及び潤滑性を有する高分子粒子であることを特徴とする請求項9記載の機械共振器。
- 前記電極と対向する前記振動体の表面に前記振動体から絶縁して配置された第1接点電極と、
前記第1接点電極と嵌合するように前記電極から絶縁して配置された第2電極と、
をさらに有することを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の機械共振器。 - 前記振動体と前記電極とに接続され、それらの間に静電界を発生するバイアス電源をさらに有し、
前記振動体と前記電極との間に電圧変化を受けたとき、前記振動体が共振振動し、前記第1接点電極が前記第2接点電極に接近した時点で前記バイアス電源の電圧により静電吸着することを特徴とする請求項11に記載の機械共振器。 - 請求項7あるいは8に記載の機械共振器を、複数個、電気的に並列に配置したことを特徴とする機械共振器。
- 請求項7あるいは8に記載の機械共振器を、複数個、電気的に直列に配置したことを特徴とする機械共振器。
- 請求項1乃至14のいずれかに記載の機械共振器を、雰囲気を真空に封止したケース内に収納したことを特徴とする機械共振器。
- 請求項1乃至10のいずれかに記載の機械共振器を用いたことを特徴とするフィルタ。
- 請求項11あるいは12に記載の機械共振器を用いたことを特徴とするスイッチ。
- 請求項1乃至15のいずれかに記載の機械共振器を用いた電気回路。
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Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006203577A (ja) * | 2005-01-20 | 2006-08-03 | Sony Corp | 微小振動子、半導体装置及び通信装置 |
JP2006203578A (ja) * | 2005-01-20 | 2006-08-03 | Sony Corp | 微小共振器及び通信装置 |
EP1788703A2 (en) * | 2005-11-17 | 2007-05-23 | Seiko Epson Corporation | Micro-electro-mechanical-system (MEMS) resonator and manufacturing method thereof |
WO2008044720A1 (fr) * | 2006-10-13 | 2008-04-17 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Résonateur micromécanique |
JP2008206140A (ja) * | 2007-01-23 | 2008-09-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電気機械共振器及びその製造方法 |
JP2010124024A (ja) * | 2008-11-17 | 2010-06-03 | Casio Computer Co Ltd | アンテナ装置、受信装置および電波時計 |
JP2010135980A (ja) * | 2008-12-03 | 2010-06-17 | Casio Computer Co Ltd | アンテナ装置、受信装置および電波時計 |
JP2010141492A (ja) * | 2008-12-10 | 2010-06-24 | Casio Computer Co Ltd | アンテナ装置、受信装置および電波時計 |
JP4838149B2 (ja) * | 2005-01-13 | 2011-12-14 | パナソニック株式会社 | 捩り共振器およびこれを用いたフィルタ |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8450902B2 (en) * | 2006-08-28 | 2013-05-28 | Xerox Corporation | Electrostatic actuator device having multiple gap heights |
US7544531B1 (en) | 2007-03-13 | 2009-06-09 | Sitime Inc. | Ground strap for suppressing stiction during MEMS fabrication |
CN100434882C (zh) * | 2007-11-20 | 2008-11-19 | 东南大学 | 静电激励谐振器电容拾振结构 |
JP2011004250A (ja) * | 2009-06-19 | 2011-01-06 | Sony Corp | 共振器およびその製造方法、発振器ならびに電子機器 |
US8928435B2 (en) | 2010-06-29 | 2015-01-06 | International Business Machines Corporation | Electromechanical switch device and method of operating the same |
FR2977747B1 (fr) * | 2011-07-08 | 2013-08-23 | Centre Nat Rech Scient | Resonateur a ondes de volume exploitant l'excitation/detection de la vibration |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3634787A (en) * | 1968-01-23 | 1972-01-11 | Westinghouse Electric Corp | Electromechanical tuning apparatus particularly for microelectronic components |
JPH10312734A (ja) * | 1997-05-15 | 1998-11-24 | Nec Corp | 静電マイクロリレー |
JP2000311572A (ja) * | 1999-04-27 | 2000-11-07 | Omron Corp | 静電リレー |
JP2000348593A (ja) * | 1999-06-04 | 2000-12-15 | Omron Corp | マイクロリレー |
JP2001502247A (ja) * | 1996-02-10 | 2001-02-20 | フラウンホーファー―ゲゼルシャフト、ツール、フェルデルング、デァ、アンゲヴァンテン、フォルシュング、アインゲトラーゲネル、フェライン | 膜連結による双安定マイクロアクチュエータ |
WO2002017482A2 (en) * | 2000-08-24 | 2002-02-28 | The Regents Of The University Of Michigan | Micromechanical resonator and filter using the same |
JP2002535865A (ja) * | 1999-01-14 | 2002-10-22 | ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ ミシガン | 動作周波数を有するマイクロメカニカル共振器を含むデバイス及び動作周波数を拡張する方法 |
US20030052742A1 (en) * | 2001-08-31 | 2003-03-20 | Feng Niu | High Q factor MEMS resonators |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FI108583B (fi) | 1998-06-02 | 2002-02-15 | Nokia Corp | Resonaattorirakenteita |
JP3436725B2 (ja) | 1999-10-01 | 2003-08-18 | 日本碍子株式会社 | 圧電/電歪デバイス及びその製造方法 |
WO2001033711A1 (en) * | 1999-11-02 | 2001-05-10 | Eta Sa Fabriques D'ebauches | Time base comprising an integrated micromechanical ring resonator |
DE10013424A1 (de) | 2000-03-17 | 2001-09-20 | Bosch Gmbh Robert | Filter für elektrische Signale |
WO2004013893A2 (en) * | 2002-08-01 | 2004-02-12 | Georgia Tech Research Corporation | Piezo electric on seminconductor on- insulator resonator |
-
2004
- 2004-03-16 JP JP2004074288A patent/JP4513366B2/ja not_active Expired - Fee Related
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- 2004-03-24 US US10/538,319 patent/US7453332B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3634787A (en) * | 1968-01-23 | 1972-01-11 | Westinghouse Electric Corp | Electromechanical tuning apparatus particularly for microelectronic components |
JP2001502247A (ja) * | 1996-02-10 | 2001-02-20 | フラウンホーファー―ゲゼルシャフト、ツール、フェルデルング、デァ、アンゲヴァンテン、フォルシュング、アインゲトラーゲネル、フェライン | 膜連結による双安定マイクロアクチュエータ |
JPH10312734A (ja) * | 1997-05-15 | 1998-11-24 | Nec Corp | 静電マイクロリレー |
JP2002535865A (ja) * | 1999-01-14 | 2002-10-22 | ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ ミシガン | 動作周波数を有するマイクロメカニカル共振器を含むデバイス及び動作周波数を拡張する方法 |
JP2000311572A (ja) * | 1999-04-27 | 2000-11-07 | Omron Corp | 静電リレー |
JP2000348593A (ja) * | 1999-06-04 | 2000-12-15 | Omron Corp | マイクロリレー |
WO2002017482A2 (en) * | 2000-08-24 | 2002-02-28 | The Regents Of The University Of Michigan | Micromechanical resonator and filter using the same |
JP2004507921A (ja) * | 2000-08-24 | 2004-03-11 | ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ ミシガン | マイクロメカニカル共振装置及びそれを使用するマイクロメカニカル装置 |
US20030052742A1 (en) * | 2001-08-31 | 2003-03-20 | Feng Niu | High Q factor MEMS resonators |
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4838149B2 (ja) * | 2005-01-13 | 2011-12-14 | パナソニック株式会社 | 捩り共振器およびこれを用いたフィルタ |
JP4635619B2 (ja) * | 2005-01-20 | 2011-02-23 | ソニー株式会社 | 微小共振器及び通信装置 |
JP2006203578A (ja) * | 2005-01-20 | 2006-08-03 | Sony Corp | 微小共振器及び通信装置 |
JP2006203577A (ja) * | 2005-01-20 | 2006-08-03 | Sony Corp | 微小振動子、半導体装置及び通信装置 |
JP4604730B2 (ja) * | 2005-01-20 | 2011-01-05 | ソニー株式会社 | 微小振動子、半導体装置及び通信装置 |
EP1788703A2 (en) * | 2005-11-17 | 2007-05-23 | Seiko Epson Corporation | Micro-electro-mechanical-system (MEMS) resonator and manufacturing method thereof |
EP1788703A3 (en) * | 2005-11-17 | 2012-12-05 | Seiko Epson Corporation | Micro-electro-mechanical-system (MEMS) resonator and manufacturing method thereof |
WO2008044720A1 (fr) * | 2006-10-13 | 2008-04-17 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Résonateur micromécanique |
JP2008099042A (ja) * | 2006-10-13 | 2008-04-24 | Ritsumeikan | マイクロメカニカル共振器 |
JP2008206140A (ja) * | 2007-01-23 | 2008-09-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電気機械共振器及びその製造方法 |
JP4645727B2 (ja) * | 2008-11-17 | 2011-03-09 | カシオ計算機株式会社 | アンテナ装置、受信装置および電波時計 |
JP2010124024A (ja) * | 2008-11-17 | 2010-06-03 | Casio Computer Co Ltd | アンテナ装置、受信装置および電波時計 |
JP4645730B2 (ja) * | 2008-12-03 | 2011-03-09 | カシオ計算機株式会社 | アンテナ装置、受信装置および電波時計 |
JP2010135980A (ja) * | 2008-12-03 | 2010-06-17 | Casio Computer Co Ltd | アンテナ装置、受信装置および電波時計 |
JP4645732B2 (ja) * | 2008-12-10 | 2011-03-09 | カシオ計算機株式会社 | アンテナ装置、受信装置および電波時計 |
JP2010141492A (ja) * | 2008-12-10 | 2010-06-24 | Casio Computer Co Ltd | アンテナ装置、受信装置および電波時計 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
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