JP2000164105A - マイクロマシン、マイクロアクチュエータ及びマイクロリレー - Google Patents
マイクロマシン、マイクロアクチュエータ及びマイクロリレーInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 消費電力が少なく、ラッチング構造を簡単か
つ確実に得る。 【解決手段】 所定間隔で設けた支持部１４に架設さ
れ、２つの位置に座屈変形してその形状を保持する座屈
部１５を設ける。
つ確実に得る。 【解決手段】 所定間隔で設けた支持部１４に架設さ
れ、２つの位置に座屈変形してその形状を保持する座屈
部１５を設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロマシン、
このマイクロマシンを用いたマイクロアクチュエータ及
びこのマイクロアクチュエータを用いたマイクロリレー
に関するものである。
このマイクロマシンを用いたマイクロアクチュエータ及
びこのマイクロアクチュエータを用いたマイクロリレー
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、マイクロマシニング技術を用い
て形成されるマイクロマシンでは、その駆動部を静電引
力等の外力を作用させることなくその位置に維持する、
いわゆる自己保持（ラッチング）可能な位置が１つの位
置のみである。
て形成されるマイクロマシンでは、その駆動部を静電引
力等の外力を作用させることなくその位置に維持する、
いわゆる自己保持（ラッチング）可能な位置が１つの位
置のみである。
【０００３】例えば、前記マイクロマシンを静電アクチ
ュエータに適用する場合、固定電極と可動電極との間に
静電引力を発生させることにより駆動するが、可動電極
を駆動位置に保持するために両電極間に電圧を印加した
状態を維持する必要がある。このため、消費電力が大き
くなるという問題がある。
ュエータに適用する場合、固定電極と可動電極との間に
静電引力を発生させることにより駆動するが、可動電極
を駆動位置に保持するために両電極間に電圧を印加した
状態を維持する必要がある。このため、消費電力が大き
くなるという問題がある。
【０００４】これに対し、特開平７─２７２６１０号公
報に開示の静電マイクロリレーでは、固定電極又は可動
電極の少なくともいずれか一方に、帯電分布差を有する
エレクトレットを設けることにより、可動基板を２つの
位置に自己保持可能としている。
報に開示の静電マイクロリレーでは、固定電極又は可動
電極の少なくともいずれか一方に、帯電分布差を有する
エレクトレットを設けることにより、可動基板を２つの
位置に自己保持可能としている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、帯電分
布差を有するエレクトレットは、特殊な材料を使用し、
特殊な形成プロセスにより形成する必要があるため、コ
ストアップを招来し、量産化が困難である。また、大き
な駆動力を得ようとすれば、消費電力が大きくなり、消
費電力を抑制しようとすれば、駆動力が小さくなるとい
う問題もある。
布差を有するエレクトレットは、特殊な材料を使用し、
特殊な形成プロセスにより形成する必要があるため、コ
ストアップを招来し、量産化が困難である。また、大き
な駆動力を得ようとすれば、消費電力が大きくなり、消
費電力を抑制しようとすれば、駆動力が小さくなるとい
う問題もある。
【０００６】そこで、本発明は、消費電力が少なく、ラ
ッチング構造を簡単かつ確実に得ることのできるマイク
ロマシン、マイクロアクチュエータ及びマイクロリレー
を提供することを課題とする。
ッチング構造を簡単かつ確実に得ることのできるマイク
ロマシン、マイクロアクチュエータ及びマイクロリレー
を提供することを課題とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記課題を解
決するための手段として、マイクロマシンを、所定間隔
で設けた支持部に架設され、２つの位置に座屈変形して
その形状を保持する座屈部を備えた構成としたものであ
る。
決するための手段として、マイクロマシンを、所定間隔
で設けた支持部に架設され、２つの位置に座屈変形して
その形状を保持する座屈部を備えた構成としたものであ
る。
【０００８】この構成により、前記座屈部は両端部を支
持部に支持されることにより２箇所のいずれか一方の位
置で変形状態を保持する。そして、座屈部に外力を作用
させたり、座屈部自身を変形させることにより、この座
屈部は残る他方の位置に変形し、その変形状態を保持す
る。つまり、２箇所の自己保持位置を得ることが可能と
なる。
持部に支持されることにより２箇所のいずれか一方の位
置で変形状態を保持する。そして、座屈部に外力を作用
させたり、座屈部自身を変形させることにより、この座
屈部は残る他方の位置に変形し、その変形状態を保持す
る。つまり、２箇所の自己保持位置を得ることが可能と
なる。
【０００９】前記座屈部は、薄板状で、少なくともいず
れか一方の面に薄膜部が形成されることにより、一方の
面側と他方の面側の２つの位置に変形した際、その状態
を保持する構成とすればよい。
れか一方の面に薄膜部が形成されることにより、一方の
面側と他方の面側の２つの位置に変形した際、その状態
を保持する構成とすればよい。
【００１０】前記座屈部は、薄板状で、少なくともいず
れか一方の面に不純物をドーピングすることにより、一
方の面側と他方の面側の２つの位置に変形した際、その
状態を維持する構成としてもよい。
れか一方の面に不純物をドーピングすることにより、一
方の面側と他方の面側の２つの位置に変形した際、その
状態を維持する構成としてもよい。
【００１１】これらの構成により、座屈部自身を変形さ
せて２つの位置に自己保持位置を得ることが可能とな
る。
せて２つの位置に自己保持位置を得ることが可能とな
る。
【００１２】また、本発明は、前記課題を解決するため
の手段として、マイクロアクチュエータを、前記マイク
ロマシンの座屈部に、両面に可動電極を備えた可動基板
を接続すると共に、該可動基板を、所定間隔で配設され
た固定基板の対向面にそれぞれ形成した固定電極の間に
配設した構成としたものである。
の手段として、マイクロアクチュエータを、前記マイク
ロマシンの座屈部に、両面に可動電極を備えた可動基板
を接続すると共に、該可動基板を、所定間隔で配設され
た固定基板の対向面にそれぞれ形成した固定電極の間に
配設した構成としたものである。
【００１３】この構成により、可動電極といずれか一方
の固定電極との間に電圧を印加して静電引力を発生させ
ることにより可動基板を駆動すると、座屈部がいずれか
一方に座屈変形してその位置を維持する。
の固定電極との間に電圧を印加して静電引力を発生させ
ることにより可動基板を駆動すると、座屈部がいずれか
一方に座屈変形してその位置を維持する。
【００１４】また、本発明は、前記課題を解決するため
の手段として、マイクロリレーを、前記マイクロアクチ
ュエータの座屈部に可動接点を設ける一方、前記固定基
板に可動接点に接離可能に対向する固定接点を設けた構
成としたものである。
の手段として、マイクロリレーを、前記マイクロアクチ
ュエータの座屈部に可動接点を設ける一方、前記固定基
板に可動接点に接離可能に対向する固定接点を設けた構
成としたものである。
【００１５】この構成により、座屈部がいずれか一方の
位置に座屈変形すると、可動接点を固定接点に閉成した
状態を保持させることができ、残る他方に座屈変形する
と開放した状態を保持させることができる。
位置に座屈変形すると、可動接点を固定接点に閉成した
状態を保持させることができ、残る他方に座屈変形する
と開放した状態を保持させることができる。
【００１６】前記固定接点を座屈部の両面に配設する一
方、前記固定接点を各固定基板に可動接点に接離可能に
対向配設してもよい。
方、前記固定接点を各固定基板に可動接点に接離可能に
対向配設してもよい。
【００１７】この構成により、座屈部がいずれか一方の
位置に座屈変形することにより、可動接点をいずれか一
方の固定接点に閉成させることができる。
位置に座屈変形することにより、可動接点をいずれか一
方の固定接点に閉成させることができる。
【００１８】前記座屈部を単結晶シリコンで構成する
と、全て半導体プロセス工程で処理できる点で好まし
い。
と、全て半導体プロセス工程で処理できる点で好まし
い。
【００１９】前記支持部を絶縁性基板で構成すると、単
結晶シリコンからなる座屈部と陽極接合で一体化できる
点で好ましい。
結晶シリコンからなる座屈部と陽極接合で一体化できる
点で好ましい。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る実施形態を添
付図面に従って説明する。
付図面に従って説明する。
【００２１】図１は、本実施形態に係るマイクロリレー
の斜視図である。このマイクロリレーは、大略、第一固
定基板１と第二固定基板２の間にマイクロマシンである
シリコン可動部３と可動電極４を配設した構成である。
の斜視図である。このマイクロリレーは、大略、第一固
定基板１と第二固定基板２の間にマイクロマシンである
シリコン可動部３と可動電極４を配設した構成である。
【００２２】第一固定基板１は、ガラス等の第一絶縁性
基板５の上面に第一固定電極６及び固定接点７ａ，７ｂ
をそれぞれ形成したものである。第一固定電極６の表面
は第一絶縁膜８で覆われている。第一固定電極６及び固
定接点７ａ，７ｂは、配線パターン９ａ及び９ｂ，９ｃ
を介して接続パッド１０ａ及び１０ｂ，１０ｃにそれぞ
れ接続されている。なお、接続パッド１０ｄ，１０ｅは
配線パターン９ｄ，９ｅを介して後述する支持部１４
ｄ，１４ｅにそれぞれ延びている。
基板５の上面に第一固定電極６及び固定接点７ａ，７ｂ
をそれぞれ形成したものである。第一固定電極６の表面
は第一絶縁膜８で覆われている。第一固定電極６及び固
定接点７ａ，７ｂは、配線パターン９ａ及び９ｂ，９ｃ
を介して接続パッド１０ａ及び１０ｂ，１０ｃにそれぞ
れ接続されている。なお、接続パッド１０ｄ，１０ｅは
配線パターン９ｄ，９ｅを介して後述する支持部１４
ｄ，１４ｅにそれぞれ延びている。
【００２３】 第二固定基板２は、前記第一固定基板１
と同様、ガラス等の第二絶縁性基板１１に第二固定電極
１２を形成したものである。第二固定電極１２の表面は
第二絶縁膜１３で覆われると共に、図２に示すように、
配線パターン２ａを介して後述する支持部１４ｄに延
び、前記配線パターン９ｄを介して接続パッド１０ｄに
接続されている。
と同様、ガラス等の第二絶縁性基板１１に第二固定電極
１２を形成したものである。第二固定電極１２の表面は
第二絶縁膜１３で覆われると共に、図２に示すように、
配線パターン２ａを介して後述する支持部１４ｄに延
び、前記配線パターン９ｄを介して接続パッド１０ｄに
接続されている。
【００２４】なお、前記各固定基板１，２はガラス等に
限らず、少なくとも上面を絶縁膜で被覆した単結晶シリ
コン基板で形成してもよい。
限らず、少なくとも上面を絶縁膜で被覆した単結晶シリ
コン基板で形成してもよい。
【００２５】シリコン可動部３は、前記第一固定基板１
に所定間隔で設けられる支持部１４ｄ，１４ｅの間に座
屈部１５を架設したものである。座屈部１５は、薄板状
で、下面にはＬＴＯ（Low Temperature Oxide）層１６
が形成されることにより薄膜応力が発生するようになっ
ている。これにより、座屈部１５は、支持部１４ｄ，１
４ｅの間で水平状態にはなく、上方又は下方のいずれか
一方に膨出した状態を維持する、いわゆるラッチング構
造となる。また、前記座屈部１５の下面中央部には前記
ＬＴＯ層１６を介して可動接点１７が設けられている。
なお、ＬＴＯ層１６は、座屈部１５の上下面のいずれに
形成してもよい。
に所定間隔で設けられる支持部１４ｄ，１４ｅの間に座
屈部１５を架設したものである。座屈部１５は、薄板状
で、下面にはＬＴＯ（Low Temperature Oxide）層１６
が形成されることにより薄膜応力が発生するようになっ
ている。これにより、座屈部１５は、支持部１４ｄ，１
４ｅの間で水平状態にはなく、上方又は下方のいずれか
一方に膨出した状態を維持する、いわゆるラッチング構
造となる。また、前記座屈部１５の下面中央部には前記
ＬＴＯ層１６を介して可動接点１７が設けられている。
なお、ＬＴＯ層１６は、座屈部１５の上下面のいずれに
形成してもよい。
【００２６】可動電極４は、シリコンを矩形板状とした
もので、前記座屈部１５の中央部側縁から延設した細首
部１８に設けられ、図２に示すように、支持部１４ｅか
ら配線パターン９ｅを介して接続パッド１０ｅに接続さ
れている。
もので、前記座屈部１５の中央部側縁から延設した細首
部１８に設けられ、図２に示すように、支持部１４ｅか
ら配線パターン９ｅを介して接続パッド１０ｅに接続さ
れている。
【００２７】続いて、前記構成からなるマイクロリレー
の製造方法を図３ないし図５に従って説明する。但し、
各図は、図２のＡ─Ａ線に対応する位置での断面図であ
る。
の製造方法を図３ないし図５に従って説明する。但し、
各図は、図２のＡ─Ａ線に対応する位置での断面図であ
る。
【００２８】まず、図３（ａ）に示すように、第一絶縁
性基板５に、第一固定電極６、固定接点７ａ，７ｂを形
成する。また同時に、配線パターン９ａ〜９ｅ、及び、
接続パッド１０ａ〜１０ｅをそれぞれ形成する。そし
て、前記第一固定電極６に第一絶縁膜８を形成すること
により第一固定基板１を完成する。一方、図３（ｂ）に
示すように、第二絶縁性基板１１に、第二固定電極１２
を形成し、その表面を第二絶縁膜１３で被覆することに
より第二固定基板２を完成する。なお、前記各絶縁膜
８，１３として比誘電率３〜４のシリコン酸化膜あるい
は比誘電率７〜８のシリコン窒化膜を用いれば、大きな
静電引力が得られ、接触荷重を増加させることができ
る。
性基板５に、第一固定電極６、固定接点７ａ，７ｂを形
成する。また同時に、配線パターン９ａ〜９ｅ、及び、
接続パッド１０ａ〜１０ｅをそれぞれ形成する。そし
て、前記第一固定電極６に第一絶縁膜８を形成すること
により第一固定基板１を完成する。一方、図３（ｂ）に
示すように、第二絶縁性基板１１に、第二固定電極１２
を形成し、その表面を第二絶縁膜１３で被覆することに
より第二固定基板２を完成する。なお、前記各絶縁膜
８，１３として比誘電率３〜４のシリコン酸化膜あるい
は比誘電率７〜８のシリコン窒化膜を用いれば、大きな
静電引力が得られ、接触荷重を増加させることができ
る。
【００２９】また、図３（ｃ）に示すように、ＳＯＩ
（silicon-on-insulator)ウエハ１００（上面側から第
一シリコン層１０１，酸化シリコン層１０２及び第二シ
リコン層１０３で構成される。）の上下面にシリコン酸
化膜１０４，１０５を形成する。そして、第二シリコン
層１０３の下面に形成したシリコン酸化膜１０５をフッ
酸によりパターニングする。続いて、パターニングした
シリコン酸化膜１０５をエッチングマスクとし、ＴＭＡ
Ｈによりウェットエッチングを行う。これにより、第二
シリコン層１０３の下面には、図３（ｄ）に示すよう
に、両端縁部に沿って下方に突出する第一アンカ１０６
及び第二アンカ１０７が形成される。なお、シリコン酸
化膜１０４，１０５はフッ酸により全て除去する。
（silicon-on-insulator)ウエハ１００（上面側から第
一シリコン層１０１，酸化シリコン層１０２及び第二シ
リコン層１０３で構成される。）の上下面にシリコン酸
化膜１０４，１０５を形成する。そして、第二シリコン
層１０３の下面に形成したシリコン酸化膜１０５をフッ
酸によりパターニングする。続いて、パターニングした
シリコン酸化膜１０５をエッチングマスクとし、ＴＭＡ
Ｈによりウェットエッチングを行う。これにより、第二
シリコン層１０３の下面には、図３（ｄ）に示すよう
に、両端縁部に沿って下方に突出する第一アンカ１０６
及び第二アンカ１０７が形成される。なお、シリコン酸
化膜１０４，１０５はフッ酸により全て除去する。
【００３０】次いで、前記第二シリコン層１０３の下面
にＬＴＯ膜１０８を被着してパターニングすることによ
り、前記第二アンカ１０７（１４ｄ，１４ｅ）の中間部
分以外をマスクする。そして、ＴＭＡＨによりウェット
エッチングを行い、前記第二アンカ１０７の中間部分を
約４μｍエッチングする。さらに、エッチングした部分
にＰ（リン）を被着して不純物濃度を上昇させた後、Ｌ
ＴＯ膜１０８にＡｕを蒸着する。そして、このＡｕとＬ
ＴＯ膜１０８とを所望の形状にパターニングすることに
より、図４（ａ）に示すように、厚さ約１μｍの可動接
点１７及びＬＴＯ膜１０８（１６）を形成する。
にＬＴＯ膜１０８を被着してパターニングすることによ
り、前記第二アンカ１０７（１４ｄ，１４ｅ）の中間部
分以外をマスクする。そして、ＴＭＡＨによりウェット
エッチングを行い、前記第二アンカ１０７の中間部分を
約４μｍエッチングする。さらに、エッチングした部分
にＰ（リン）を被着して不純物濃度を上昇させた後、Ｌ
ＴＯ膜１０８にＡｕを蒸着する。そして、このＡｕとＬ
ＴＯ膜１０８とを所望の形状にパターニングすることに
より、図４（ａ）に示すように、厚さ約１μｍの可動接
点１７及びＬＴＯ膜１０８（１６）を形成する。
【００３１】その後、図４（ｂ）に示すように、前記固
定基板に前記ＳＯＩウエハ１００の各アンカ１０６，１
０７を陽極接合により一体化する。この陽極接合は、４
００℃の雰囲気中で、４００Ｖの電圧を印加することに
より行う。そして、図４（ｃ）に示すように、ＳＯＩウ
エハ１００の上面を９５℃のＫＯＨ（水酸化カリウム）
のエッチング液で酸化シリコン層１０２までエッチング
して薄くする。さらに、図５（ａ）に示すように、前記
酸化シリコン層１０２をパターニングし、４０℃のＴＭ
ＡＨで６μｍエッチングすることにより支持部１４を形
成し、図５（ｂ）に示すように、シリコン層１０３の余
分な部分をドライエッチングで除去することにより可動
電極４を完成する。
定基板に前記ＳＯＩウエハ１００の各アンカ１０６，１
０７を陽極接合により一体化する。この陽極接合は、４
００℃の雰囲気中で、４００Ｖの電圧を印加することに
より行う。そして、図４（ｃ）に示すように、ＳＯＩウ
エハ１００の上面を９５℃のＫＯＨ（水酸化カリウム）
のエッチング液で酸化シリコン層１０２までエッチング
して薄くする。さらに、図５（ａ）に示すように、前記
酸化シリコン層１０２をパターニングし、４０℃のＴＭ
ＡＨで６μｍエッチングすることにより支持部１４を形
成し、図５（ｂ）に示すように、シリコン層１０３の余
分な部分をドライエッチングで除去することにより可動
電極４を完成する。
【００３２】最後に、図５（ｃ）に示すように、前記可
動電極４の第一アンカ１０６及び第二アンカ１０７に第
二固定基板２を陽極接合し、ダイシングすることでマイ
クロリレーを完成する。
動電極４の第一アンカ１０６及び第二アンカ１０７に第
二固定基板２を陽極接合し、ダイシングすることでマイ
クロリレーを完成する。
【００３３】次に、前記構成からなるマイクロリレーの
動作を図６に従って説明する。
動作を図６に従って説明する。
【００３４】各電極４，６又は４，１２間に電圧を印加
していない場合、座屈部１５は上方又は下方のいずれか
一方に膨出している。これにより、可動接点１７は、固
定接点７と開放又は閉成した状態に維持される。図６
（ａ）では、座屈部１５が下方に膨出し、可動接点１７
が固定接点７に閉成した状態を示している。なお、可動
電極４は、座屈部１５が上方に膨出した場合には、応力
あるいは突起を設けることにより自由端部側を下方に傾
かせてもよい（図６（ｃ）参照）。
していない場合、座屈部１５は上方又は下方のいずれか
一方に膨出している。これにより、可動接点１７は、固
定接点７と開放又は閉成した状態に維持される。図６
（ａ）では、座屈部１５が下方に膨出し、可動接点１７
が固定接点７に閉成した状態を示している。なお、可動
電極４は、座屈部１５が上方に膨出した場合には、応力
あるいは突起を設けることにより自由端部側を下方に傾
かせてもよい（図６（ｃ）参照）。
【００３５】ここで、座屈部１５の膨出側とは反対側で
対向する電極４，１２又は４，６間に電圧を印加し、両
電極４，１２又４，６間に静電引力を発生させると、可
動電極４は第二固定電極１２又は第一固定電極４に吸引
される。図６（ｂ）では、電極４，１２間に電圧を印加
して静電引力を発生させることにより、可動電極４を第
二固定電極１２に吸引させた状態を示している。これに
より、座屈部１５の膨出方向が変更され、可動接点１７
は、固定接点７に開放又は閉成する。そして、印加した
電圧を除去しても、前記座屈部１５のＬＴＯ膜１６によ
って変形（膨出）状態を維持されるので、接点の開閉状
態が切り替わることはない。
対向する電極４，１２又は４，６間に電圧を印加し、両
電極４，１２又４，６間に静電引力を発生させると、可
動電極４は第二固定電極１２又は第一固定電極４に吸引
される。図６（ｂ）では、電極４，１２間に電圧を印加
して静電引力を発生させることにより、可動電極４を第
二固定電極１２に吸引させた状態を示している。これに
より、座屈部１５の膨出方向が変更され、可動接点１７
は、固定接点７に開放又は閉成する。そして、印加した
電圧を除去しても、前記座屈部１５のＬＴＯ膜１６によ
って変形（膨出）状態を維持されるので、接点の開閉状
態が切り替わることはない。
【００３６】なお、前記実施形態では、可動接点１７を
座屈部１５の下方にのみ設けた場合について説明した
が、上方のみ、あるいは、上下両方に設け、第二固定基
板２に第二固定接点を設けるように構成してもよいこと
は勿論である。
座屈部１５の下方にのみ設けた場合について説明した
が、上方のみ、あるいは、上下両方に設け、第二固定基
板２に第二固定接点を設けるように構成してもよいこと
は勿論である。
【００３７】また、前記実施形態では、シリコン可動部
３をマイクロリレーに適用する場合について説明した
が、マイクロアクチュエータに適用することもできる。
例えば、前記可動電極４の一方の面を鏡面とすることに
より、光の伝播方向を変更する手段として利用すること
が可能である。
３をマイクロリレーに適用する場合について説明した
が、マイクロアクチュエータに適用することもできる。
例えば、前記可動電極４の一方の面を鏡面とすることに
より、光の伝播方向を変更する手段として利用すること
が可能である。
【００３８】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
に係るマイクロマシンによれば、２つの位置に座屈変形
してその形状を保持する座屈部を備えたので、従来実現
不可能あるいはコスト等の面で問題のあったラッチング
構造を安価かつ確実に得ることができる。
に係るマイクロマシンによれば、２つの位置に座屈変形
してその形状を保持する座屈部を備えたので、従来実現
不可能あるいはコスト等の面で問題のあったラッチング
構造を安価かつ確実に得ることができる。
【００３９】また、本発明に係るマイクロアクチュエー
タによれば、座屈部に、両面に可動電極を備えた可動基
板を接続すると共に、該可動基板を、所定間隔で配設さ
れた固定基板の対向面にそれぞれ形成した固定電極の間
に配設したので、簡単に形成できると共に、消費電力を
抑制することが可能である。
タによれば、座屈部に、両面に可動電極を備えた可動基
板を接続すると共に、該可動基板を、所定間隔で配設さ
れた固定基板の対向面にそれぞれ形成した固定電極の間
に配設したので、簡単に形成できると共に、消費電力を
抑制することが可能である。
【００４０】さらに、本発明に係るマイクロリレーによ
れば、ラッチングタイプであっても低消費電力とするこ
とができる。また、接点接触圧が大きくなり、振動や衝
撃に強いだけでなく、接点間に発生する静電引力による
誤動作を防止可能とすることができる。しかも、高周波
特性に優れ、機械的疲労が少ない上、安定した動作を得
ることができる。
れば、ラッチングタイプであっても低消費電力とするこ
とができる。また、接点接触圧が大きくなり、振動や衝
撃に強いだけでなく、接点間に発生する静電引力による
誤動作を防止可能とすることができる。しかも、高周波
特性に優れ、機械的疲労が少ない上、安定した動作を得
ることができる。
【図１】 本実施形態に係るマイクロリレーの斜視図で
ある。
ある。
【図２】 図１の第二固定基板を除いた状態を示す平面
図である。
図である。
【図３】 図１のマイクロリレーの製造プロセスを示す
断面図である。
断面図である。
【図４】 図１のマイクロリレーの製造プロセスを示す
断面図である。
断面図である。
【図５】 図１のマイクロリレーの製造プロセスを示す
断面図である。
断面図である。
【図６】 図１のマイクロリレーの動作状態を示す断面
図である。
図である。
１…第一固定基板 ２…第二固定基板 ３…シリコン可動部（マイクロマシン） ４…可動電極 ６…第一固定電極 ７ａ，７ｂ…固定接点 ８…第一絶縁膜 １２…第二固定電極 １３…第二絶縁膜 １４…支持部 １５…座屈部 １６…ＬＴＯ膜 １７…可動接点
Claims (8)
- 【請求項１】 所定間隔で設けた支持部に架設され、２
つの位置に座屈変形してその形状を保持する座屈部を備
えたことを特徴とするマイクロマシン。 - 【請求項２】 前記座屈部は、薄板状で、少なくともい
ずれか一方の面に薄膜部が形成されることにより、一方
の面側と他方の面側の２つの位置に変形した際、その状
態を保持する構成であることを特徴とする請求項１に記
載のマイクロマシン。 - 【請求項３】 前記座屈部は、薄板状で、少なくともい
ずれか一方の面に不純物をドーピングすることにより、
一方の面側と他方の面側の２つの位置に変形した際、そ
の状態を維持する構成であることを特徴とする請求項１
に記載のマイクロマシン。 - 【請求項４】 請求項１ないし３のいずれか１項に記載
のマイクロマシンの座屈部に、両面に可動電極を備えた
可動基板を接続すると共に、該可動基板を、所定間隔で
配設された固定基板の対向面にそれぞれ形成した固定電
極の間に配設したことを特徴とするマイクロアクチュエ
ータ。 - 【請求項５】 前記請求項４に記載のマイクロアクチュ
エータの座屈部に可動接点を設ける一方、前記固定基板
に可動接点に接離可能に対向する固定接点を設けたこと
を特徴とするマイクロリレー。 - 【請求項６】 前記請求項４に記載のマイクロアクチュ
エータの座屈部の両面に可動接点を設ける一方、前記各
固定基板に可動接点に接離可能に対向する固定接点を設
けたことを特徴とするマイクロリレー。 - 【請求項７】 前記座屈部を単結晶シリコンで構成した
ことを特徴とする請求項５又は６に記載のマイクロリレ
ー。 - 【請求項８】 前記支持部を絶縁性基板で構成したこと
を特徴とする請求項７に記載のマイクロリレー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10333889A JP2000164105A (ja) | 1998-11-25 | 1998-11-25 | マイクロマシン、マイクロアクチュエータ及びマイクロリレー |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10333889A JP2000164105A (ja) | 1998-11-25 | 1998-11-25 | マイクロマシン、マイクロアクチュエータ及びマイクロリレー |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000164105A true JP2000164105A (ja) | 2000-06-16 |
Family
ID=18271097
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10333889A Pending JP2000164105A (ja) | 1998-11-25 | 1998-11-25 | マイクロマシン、マイクロアクチュエータ及びマイクロリレー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000164105A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002156592A (ja) * | 2000-09-28 | 2002-05-31 | Xerox Corp | シリコン基板上の光スイッチを製造する方法 |
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-
1998
- 1998-11-25 JP JP10333889A patent/JP2000164105A/ja active Pending
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| US7843023B2 (en) | 2004-10-22 | 2010-11-30 | Panasonic Corporation | Electromechanical switch |
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