JP2001023497A - 静電マイクロリレー - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 二次側配線と可動電極との間に発生する静電
引力を遮蔽し、静電引力による可動電極の誤動作を防止
できる静電マイクロリレーを提供することにある。 【解決手段】 可動電極２３に対向する固定接点２５の
プリント配線１４ａ，１５ａに、絶縁膜１６ａを介して
少なくとも一層の導電性薄膜１６を積層した。
引力を遮蔽し、静電引力による可動電極の誤動作を防止
できる静電マイクロリレーを提供することにある。 【解決手段】 可動電極２３に対向する固定接点２５の
プリント配線１４ａ，１５ａに、絶縁膜１６ａを介して
少なくとも一層の導電性薄膜１６を積層した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、静電引力で可動電
極を駆動し、接点を開閉するマイクロリレーに関する。
極を駆動し、接点を開閉するマイクロリレーに関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、静電マイクロリレーとしては、
例えば、図８ないし図１１に示すものが考えられ、出願
中である。すなわち、対向する固定電極１６および可動
電極２３間に電圧を印加すると、両者間に生じた静電引
力で固定電極１６が絶縁膜２４を介して可動電極２３を
吸引する。そして、固定基板１０の上面に設けた一対の
固定接点１２，１３に、前記可動電極２３の対向面に設
けた可動接点２５を接触させ、電気回路を閉成する。
例えば、図８ないし図１１に示すものが考えられ、出願
中である。すなわち、対向する固定電極１６および可動
電極２３間に電圧を印加すると、両者間に生じた静電引
力で固定電極１６が絶縁膜２４を介して可動電極２３を
吸引する。そして、固定基板１０の上面に設けた一対の
固定接点１２，１３に、前記可動電極２３の対向面に設
けた可動接点２５を接触させ、電気回路を閉成する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記構
成の静電マイクロリレーでは、固定電極１６と可動電極
２３との間の一次側駆動電圧によって静電引力が生じる
だけでなく、固定接点１２，１３の引き出し線であるプ
リント配線１４ａ，１５ａと、可動電極２３との間の二
次側駆動電圧によっても静電引力が生じる。そして、こ
の二次側駆動電圧による静電引力が大きいと、可動電極
２３が誤動作し、電気回路が常時閉成状態になるという
問題点がある。
成の静電マイクロリレーでは、固定電極１６と可動電極
２３との間の一次側駆動電圧によって静電引力が生じる
だけでなく、固定接点１２，１３の引き出し線であるプ
リント配線１４ａ，１５ａと、可動電極２３との間の二
次側駆動電圧によっても静電引力が生じる。そして、こ
の二次側駆動電圧による静電引力が大きいと、可動電極
２３が誤動作し、電気回路が常時閉成状態になるという
問題点がある。
【０００４】本発明は、前記問題点に鑑み、引き出し線
であるプリント配線と可動電極との間に発生する静電引
力を遮蔽し、可動電極の誤動作を防止する静電マイクロ
リレーを提供することを課題とする。
であるプリント配線と可動電極との間に発生する静電引
力を遮蔽し、可動電極の誤動作を防止する静電マイクロ
リレーを提供することを課題とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明にかかる静電マイ
クロリレーは、前記課題を解決するための手段として、
固定基板に設けた固定電極と可動基板に設けた可動電極
とを対向配設し、前記固定電極と可動電極との間に電圧
を印加して生じる静電引力で前記可動電極を駆動し、こ
の可動電極の対向面に設けた可動接点を前記固定接点に
接離し、電気的に開閉する静電マイクロリレーにおい
て、前記可動電極に対向する前記固定接点の二次側配線
の少なくとも一部に、絶縁膜を介して少なくとも一層の
導電性薄膜を積層した構成としてある。
クロリレーは、前記課題を解決するための手段として、
固定基板に設けた固定電極と可動基板に設けた可動電極
とを対向配設し、前記固定電極と可動電極との間に電圧
を印加して生じる静電引力で前記可動電極を駆動し、こ
の可動電極の対向面に設けた可動接点を前記固定接点に
接離し、電気的に開閉する静電マイクロリレーにおい
て、前記可動電極に対向する前記固定接点の二次側配線
の少なくとも一部に、絶縁膜を介して少なくとも一層の
導電性薄膜を積層した構成としてある。
【０００６】この構成により、可動電極と二次側配線と
の間に位置する導電性薄膜が、両者を遮蔽することにな
る。
の間に位置する導電性薄膜が、両者を遮蔽することにな
る。
【０００７】さらに、前記導電性薄膜は、前記固定電
極、あるいは、前記可動電極に接続してもよい。また、
前記導電性薄膜は、浮遊電極であってもよい。
極、あるいは、前記可動電極に接続してもよい。また、
前記導電性薄膜は、浮遊電極であってもよい。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る実施形態を図
１ないし図７の添付図面に従って説明する。
１ないし図７の添付図面に従って説明する。
【０００９】図１ないし図５は、本発明の第１実施形態
に係る静電マイクロリレーを示す。この静電マイクロリ
レーは、ガラス基板１１からなる固定基板１０の上面に
可動基板２０を対向させて一体化したものである。
に係る静電マイクロリレーを示す。この静電マイクロリ
レーは、ガラス基板１１からなる固定基板１０の上面に
可動基板２０を対向させて一体化したものである。
【００１０】前記固定基板１０には、ガラス基板１１の
上面に一対の固定接点１２，１３を並設してある。この
固定接点１２，１３は、プリント配線１４ａ，１５ａを
介し、前記ガラス基板１１の上面縁部に設けた接続パッ
ド１４，１５にそれぞれ接続されている。さらに、前記
ガラス基板１１の上面には、略方形の固定電極２３が形
成されている。この固定電極１６は、その中央部に方形
の開口部を設け、前記固定接点１２，１３を露出させて
いるとともに、絶縁膜１６ａ（図１）を介して前記プリ
ント配線１４ａ，１５ａに積層されている。
上面に一対の固定接点１２，１３を並設してある。この
固定接点１２，１３は、プリント配線１４ａ，１５ａを
介し、前記ガラス基板１１の上面縁部に設けた接続パッ
ド１４，１５にそれぞれ接続されている。さらに、前記
ガラス基板１１の上面には、略方形の固定電極２３が形
成されている。この固定電極１６は、その中央部に方形
の開口部を設け、前記固定接点１２，１３を露出させて
いるとともに、絶縁膜１６ａ（図１）を介して前記プリ
ント配線１４ａ，１５ａに積層されている。
【００１１】前記可動基板２０は、前記固定基板１０の
上面縁部に立設可能な枠形のアンカ２１と、このアンカ
２１の内側縁部から側方に延在する４本の薄板梁部２２
に支持された可動電極２３とからなるものである。そし
て、前記薄板梁部２２の下面に絶縁膜２４が形成されて
いる。さらに、前記可動電極２３の下面中央に絶縁膜２
４を介して可動接点２５が形成されている。
上面縁部に立設可能な枠形のアンカ２１と、このアンカ
２１の内側縁部から側方に延在する４本の薄板梁部２２
に支持された可動電極２３とからなるものである。そし
て、前記薄板梁部２２の下面に絶縁膜２４が形成されて
いる。さらに、前記可動電極２３の下面中央に絶縁膜２
４を介して可動接点２５が形成されている。
【００１２】前記アンカ２１は、図３に示すように、そ
の一辺の下面に、固定基板１０の上面に設けた後述する
プリント配線１７ａとの重なりを避けるための切り欠き
部２１ａ、および、プリント配線１４ａ，１５ａとの重
なりを避けるための切り欠き部２１bが設けられてい
る。さらに、後述するプリント配線１８ａに接続するた
めの接続部２１ｃを形成してある。
の一辺の下面に、固定基板１０の上面に設けた後述する
プリント配線１７ａとの重なりを避けるための切り欠き
部２１ａ、および、プリント配線１４ａ，１５ａとの重
なりを避けるための切り欠き部２１bが設けられてい
る。さらに、後述するプリント配線１８ａに接続するた
めの接続部２１ｃを形成してある。
【００１３】次に、前記構成からなる静電マイクロリレ
ーの製造方法を説明する。まず、図５（ａ）に示すパイ
レックス等のガラス基板１１にスパッタリングを行い、
１０００／３００００ÅのＣｒ／Ａｕの薄膜を形成す
る。そして、写真工程およびメタルエッチングを行うこ
とにより、図５（ｂ）に示すように一対の固定接点１
２，１３、接続パッド１４，１５、および、プリント配
線１４ａ，１５ａをそれぞれ形成する。そして、１００
０Åの酸化膜をスパッタリングし、絶縁膜１６ａをパタ
ーニングする。さらに、１０００ÅのＣｒ薄膜をスパッ
タリングし、固定電極１６（浮遊電極を含む）をメタル
エッチングで形成する。これによりに、絶縁膜１６ａ、
固定電極１６を形成できるととともに、接続パッド１
７，１８、プリント配線１７ａ，１８ａをそれぞれ形成
でき、図５（ｃ）に示す固定基板１０が完成する。
ーの製造方法を説明する。まず、図５（ａ）に示すパイ
レックス等のガラス基板１１にスパッタリングを行い、
１０００／３００００ÅのＣｒ／Ａｕの薄膜を形成す
る。そして、写真工程およびメタルエッチングを行うこ
とにより、図５（ｂ）に示すように一対の固定接点１
２，１３、接続パッド１４，１５、および、プリント配
線１４ａ，１５ａをそれぞれ形成する。そして、１００
０Åの酸化膜をスパッタリングし、絶縁膜１６ａをパタ
ーニングする。さらに、１０００ÅのＣｒ薄膜をスパッ
タリングし、固定電極１６（浮遊電極を含む）をメタル
エッチングで形成する。これによりに、絶縁膜１６ａ、
固定電極１６を形成できるととともに、接続パッド１
７，１８、プリント配線１７ａ，１８ａをそれぞれ形成
でき、図５（ｃ）に示す固定基板１０が完成する。
【００１４】なお、前記絶縁膜１６ａとして比誘電率３
〜４のシリコン酸化膜あるいは比誘電率７〜８のシリコ
ン窒化膜を用いれば、大きな静電引力が得られ、接触荷
重を増加させることができる。
〜４のシリコン酸化膜あるいは比誘電率７〜８のシリコ
ン窒化膜を用いれば、大きな静電引力が得られ、接触荷
重を増加させることができる。
【００１５】一方、図５（ｄ）に示すように、上面側か
らシリコン層１０１，酸化シリコン層１０２及びシリコ
ン層１０３からなるＳＯＩウエハ１００の下面に、接点
間ギャップを形成するため、例えば、１０００Åの熱酸
化膜を形成する。そして、この熱酸化膜にパターンニン
グを行い、シリコンエッチングのマスクとする。つい
で、このマスクを利用し、温度７０℃のＴＭＡＨによる
異方性エッチングで５．０μｍのキャビティを形成し、
図５（ｅ）に示すように、下方側に突出するアンカ２
１、切り欠き部２１ａ，２１ｂを形成する。この際、異
方性エッチングを2段階で実施し、３．０μｍのキャビ
ティーからなる接続部２１ｃを形成する。その後、前記
熱酸化膜をフッ酸で全面除去する。そして、１０００Å
の窒化膜を形成し、写真工程を経て前記窒化膜をエッチ
ングし、絶縁膜２４を形成する。さらに、スパッタリン
グで１０００／１００００ÅのＣｒ／Ａｕ薄膜を形成
し、写真工程でメタルエッチングを行い、可動接点２５
を形成する（図５（ｆ））。
らシリコン層１０１，酸化シリコン層１０２及びシリコ
ン層１０３からなるＳＯＩウエハ１００の下面に、接点
間ギャップを形成するため、例えば、１０００Åの熱酸
化膜を形成する。そして、この熱酸化膜にパターンニン
グを行い、シリコンエッチングのマスクとする。つい
で、このマスクを利用し、温度７０℃のＴＭＡＨによる
異方性エッチングで５．０μｍのキャビティを形成し、
図５（ｅ）に示すように、下方側に突出するアンカ２
１、切り欠き部２１ａ，２１ｂを形成する。この際、異
方性エッチングを2段階で実施し、３．０μｍのキャビ
ティーからなる接続部２１ｃを形成する。その後、前記
熱酸化膜をフッ酸で全面除去する。そして、１０００Å
の窒化膜を形成し、写真工程を経て前記窒化膜をエッチ
ングし、絶縁膜２４を形成する。さらに、スパッタリン
グで１０００／１００００ÅのＣｒ／Ａｕ薄膜を形成
し、写真工程でメタルエッチングを行い、可動接点２５
を形成する（図５（ｆ））。
【００１６】次いで、図５（ｇ）に示すように、前記固
定基板１０に前記ＳＯＩウエハ１００を温度４００℃、
電圧４００Ｖ、処理時間３０分の陽極接合で接合一体化
する。そして、図５（ｈ）に示すように、ＳＯＩウエハ
１００の上面をＴＭＡＨ，ＫＯＨ等のアルカリエッチン
グ液で酸化シリコン層１０２までエッチングして薄くす
る。さらに、フッ素系エッチング液で前記酸化シリコン
層１０２を除去して、シリコン層１０３、すなわち、可
動電極２３を露出させる。そして、写真工程でレジスト
マスクを形成し、ドライエッチングで可動電極２３およ
び薄板梁部２２を型抜きすると同時に、ワイヤボンディ
ングパッド１４，１５，１７，１８上のシリコンを除去
する（図５（ｉ））。そして、マスクとして用いたレジ
ストを酸素アッシングで除去する。最後に、得られたウ
ェハをダイシングすることにより、本発明に係る静電マ
イクロリレーが完成する。
定基板１０に前記ＳＯＩウエハ１００を温度４００℃、
電圧４００Ｖ、処理時間３０分の陽極接合で接合一体化
する。そして、図５（ｈ）に示すように、ＳＯＩウエハ
１００の上面をＴＭＡＨ，ＫＯＨ等のアルカリエッチン
グ液で酸化シリコン層１０２までエッチングして薄くす
る。さらに、フッ素系エッチング液で前記酸化シリコン
層１０２を除去して、シリコン層１０３、すなわち、可
動電極２３を露出させる。そして、写真工程でレジスト
マスクを形成し、ドライエッチングで可動電極２３およ
び薄板梁部２２を型抜きすると同時に、ワイヤボンディ
ングパッド１４，１５，１７，１８上のシリコンを除去
する（図５（ｉ））。そして、マスクとして用いたレジ
ストを酸素アッシングで除去する。最後に、得られたウ
ェハをダイシングすることにより、本発明に係る静電マ
イクロリレーが完成する。
【００１７】なお、固定基板１０はガラス基板１１に限
らず、少なくとも上面を絶縁膜で被覆した単結晶シリコ
ン基板で形成してもよい。
らず、少なくとも上面を絶縁膜で被覆した単結晶シリコ
ン基板で形成してもよい。
【００１８】前記実施形態では、可動基板２０全体をシ
リコンウェハ単体で形成すると共に、左右点対称，断面
線対称となるように形成されている。このため、可動電
極２５に反りや捩りが生じにくい。したがって、動作不
能，動作特性のバラツキを効果的に防止できると共に、
円滑な動作特性を確保可能となる。
リコンウェハ単体で形成すると共に、左右点対称，断面
線対称となるように形成されている。このため、可動電
極２５に反りや捩りが生じにくい。したがって、動作不
能，動作特性のバラツキを効果的に防止できると共に、
円滑な動作特性を確保可能となる。
【００１９】次に、前記構成からなる静電マイクロリレ
ーの動作を説明する。まず、固定電極１６および可動電
極２３間に電圧を印加していない場合、図１に示すよう
に、固定電極１６と可動電極２３とは平行状態を維持
し、可動接点２５は固定接点１２，１３から開離してい
る。
ーの動作を説明する。まず、固定電極１６および可動電
極２３間に電圧を印加していない場合、図１に示すよう
に、固定電極１６と可動電極２３とは平行状態を維持
し、可動接点２５は固定接点１２，１３から開離してい
る。
【００２０】次に、可動電極１６および固定電極２３間
に電圧を印加すると、電極１６，２３間に生じた静電引
力により、可動電極２３が固定電極１６に吸引される。
このため、薄板梁部２２が撓み、可動電極２３が固定電
極１６に接近する。この結果、間隙が狭まるので、可動
電極２３が固定電極１６により一層強い静電引力で吸引
される。そして、可動接点２５が固定接点１２，１３に
当接した後、可動電極２３が絶縁膜２４を介して固定電
極１６に吸着する。このため、可動接点２５が固定接点
１２，１３に押し付けられ、所望の接点圧が得られる。
に電圧を印加すると、電極１６，２３間に生じた静電引
力により、可動電極２３が固定電極１６に吸引される。
このため、薄板梁部２２が撓み、可動電極２３が固定電
極１６に接近する。この結果、間隙が狭まるので、可動
電極２３が固定電極１６により一層強い静電引力で吸引
される。そして、可動接点２５が固定接点１２，１３に
当接した後、可動電極２３が絶縁膜２４を介して固定電
極１６に吸着する。このため、可動接点２５が固定接点
１２，１３に押し付けられ、所望の接点圧が得られる。
【００２１】そして、前述の電圧の印加を停止すると、
薄板梁部２２のバネ力により、可動電極２３が固定電極
１６から離れ、可動接点２５が固定接点１２，１３から
開離した後、可動電極２３が元の状態に復帰する。
薄板梁部２２のバネ力により、可動電極２３が固定電極
１６から離れ、可動接点２５が固定接点１２，１３から
開離した後、可動電極２３が元の状態に復帰する。
【００２２】本実施形態によれば、絶縁膜１６ａの上方
に位置する固定電極１６の一部が、残る他の固定電極１
６と導通し、固定電極として機能するので、先行例より
も大きな静電引力が得られるという利点がある。
に位置する固定電極１６の一部が、残る他の固定電極１
６と導通し、固定電極として機能するので、先行例より
も大きな静電引力が得られるという利点がある。
【００２３】第２実施形態は、図６に示すように、プリ
ント配線１４ａ，１５ａの上面に、絶縁膜（図示せず）
を介し、固定電極１６と別体の導電性薄膜からなる浮遊
電極１９を設けた場合である。前記浮遊電極１９は電気
的に全く独立している。このため、容量カップリングを
無くすことができ、高周波特性が向上するという利点が
ある。他は前述の第１実施形態と同様であるので，説明
を省略する。
ント配線１４ａ，１５ａの上面に、絶縁膜（図示せず）
を介し、固定電極１６と別体の導電性薄膜からなる浮遊
電極１９を設けた場合である。前記浮遊電極１９は電気
的に全く独立している。このため、容量カップリングを
無くすことができ、高周波特性が向上するという利点が
ある。他は前述の第１実施形態と同様であるので，説明
を省略する。
【００２４】第３実施形態は、図７に示すように、プリ
ント配線１４ａ，１５ａの上面全体を、絶縁膜（図示せ
ず）を介し、導電性薄膜からなる浮遊電極１９で被覆し
た場合である。この浮遊電極１９は、プリント配線１９
ａ，１８ａを介して接続パッド１８に接続されている。
このため、浮遊電極１９は可動電極２３と同電位とな
り、プリント配線１４ａ，１５ａと可動電極２３との間
における静電引力の発生を防止する。この結果、２次側
駆動電圧が大きくなっても、可動電極２３の誤動作を確
実に防止できるという利点がある。
ント配線１４ａ，１５ａの上面全体を、絶縁膜（図示せ
ず）を介し、導電性薄膜からなる浮遊電極１９で被覆し
た場合である。この浮遊電極１９は、プリント配線１９
ａ，１８ａを介して接続パッド１８に接続されている。
このため、浮遊電極１９は可動電極２３と同電位とな
り、プリント配線１４ａ，１５ａと可動電極２３との間
における静電引力の発生を防止する。この結果、２次側
駆動電圧が大きくなっても、可動電極２３の誤動作を確
実に防止できるという利点がある。
【００２５】また、前記実施形態では、可動基板を４本
の第１薄板梁部で支持するようにしたが、３本あるいは
２本の第１薄板梁部で支持するようにしてもよい。これ
により、面積効率の良い静電マイクロリレーを得ること
が可能となる。
の第１薄板梁部で支持するようにしたが、３本あるいは
２本の第１薄板梁部で支持するようにしてもよい。これ
により、面積効率の良い静電マイクロリレーを得ること
が可能となる。
【００２６】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の請求項１に係る静電マイクロリレーによれば、二次側
配線と可動電極との間に絶縁膜を介して導電性薄膜を形
成し、両者を遮蔽している。このため、二次側駆動電圧
による静電引力を抑制でき、可動電極の誤動作を防止で
きる。
の請求項１に係る静電マイクロリレーによれば、二次側
配線と可動電極との間に絶縁膜を介して導電性薄膜を形
成し、両者を遮蔽している。このため、二次側駆動電圧
による静電引力を抑制でき、可動電極の誤動作を防止で
きる。
【００２７】請求項２によれば、前記導電性薄膜を固定
電極に接続してあるので、固定電極と可動電極との対向
面積が増大する。このため、より大きな静電引力が得ら
れ、駆動電圧を低減できる。
電極に接続してあるので、固定電極と可動電極との対向
面積が増大する。このため、より大きな静電引力が得ら
れ、駆動電圧を低減できる。
【００２８】請求項３によれば、可動電極と固定電極と
を、浮遊電極である導電性薄膜で完全に分離してある。
このため、両者間の容量カップリングを無くすことがで
き、高周波特性が向上する。
を、浮遊電極である導電性薄膜で完全に分離してある。
このため、両者間の容量カップリングを無くすことがで
き、高周波特性が向上する。
【００２９】請求項４によれば、二次側配線上に設けた
導電性薄膜を可動電極に電気接続して同電位としてあ
る。このため、二次側駆動電圧による静電引力を完全に
無くすことができ、誤動作を防止できるという効果があ
る。
導電性薄膜を可動電極に電気接続して同電位としてあ
る。このため、二次側駆動電圧による静電引力を完全に
無くすことができ、誤動作を防止できるという効果があ
る。
【図１】 本発明の第１実施形態に係る静電マイクロリ
レーの断面図である。
レーの断面図である。
【図２】 本発明の第１実施形態に係る静電マイクロリ
レーの平面図である。
レーの平面図である。
【図３】 図２に示した可動基板の底面図である。
【図４】 図２に示した固定基板の平面図である。
【図５】 本実施形態にかかる静電マイクロリレーの製
造工程を説明するための工程図である。
造工程を説明するための工程図である。
【図６】 本発明の第２実施形態にかかる固定基板の平
面図である。
面図である。
【図７】 本発明の第３実施形態にかかる固定基板の平
面図である。
面図である。
【図８】 先行例に係る静電マイクロリレーの断面図で
ある。
ある。
【図９】 先行例に係る静電マイクロリレーの平面図で
ある。
ある。
【図１０】 図９に示した可動基板の底面図である。
【図１１】 図９に示した固定基板の平面図である。
１０…固定基板 １１…ガラス基板 １２，１３…固定接点 １４，１５，１７，１８…接続パッド １４ａ，１５ａ，１７ａ，１８ａ…プリント配線（二次
側配線） １６…固定電極 １６ａ…絶縁膜 １９…浮遊電極 ２０…可動基板 ２１…アンカ ２１ａ，２１ｂ…切り欠き部 ２１ｃ…接続部 ２２…薄板梁部 ２３…可動電極 ２４…絶縁膜 ２５…可動接点
側配線） １６…固定電極 １６ａ…絶縁膜 １９…浮遊電極 ２０…可動基板 ２１…アンカ ２１ａ，２１ｂ…切り欠き部 ２１ｃ…接続部 ２２…薄板梁部 ２３…可動電極 ２４…絶縁膜 ２５…可動接点
Claims (4)
- 【請求項１】 固定基板に設けた固定電極と可動基板に
設けた可動電極とを対向配設し、前記固定電極と可動電
極との間に電圧を印加して生じる静電引力で前記可動電
極を駆動し、この可動電極の対向面に設けた可動接点を
前記固定接点に接離し、電気的に開閉する静電マイクロ
リレーにおいて、 前記可動電極に対向する前記固定接点の二次側配線の少
なくとも一部に、絶縁膜を介して少なくとも一層の導電
性薄膜を積層したことを特徴とする静電マイクロリレ
ー。 - 【請求項２】 前記導電性薄膜を、前記固定電極に電気
接続したことを特徴とする請求項１に記載の静電マイク
ロリレー。 - 【請求項３】 前記導電性薄膜を、浮遊電極としたこと
を特徴とする請求項１に記載の静電マイクロリレー。 - 【請求項４】 前記導電性薄膜を、前記可動電極に電気
接続したことを特徴とする請求項１に記載の静電マイク
ロリレー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11194448A JP2001023497A (ja) | 1999-07-08 | 1999-07-08 | 静電マイクロリレー |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11194448A JP2001023497A (ja) | 1999-07-08 | 1999-07-08 | 静電マイクロリレー |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001023497A true JP2001023497A (ja) | 2001-01-26 |
Family
ID=16324750
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11194448A Pending JP2001023497A (ja) | 1999-07-08 | 1999-07-08 | 静電マイクロリレー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001023497A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004024618A1 (ja) * | 2002-09-13 | 2004-03-25 | Advantest Corporation | マイクロデバイス及び製造方法 |
| US7477003B2 (en) | 2004-09-01 | 2009-01-13 | Advantest Corporation | Bimorph element, bimorph switch, mirror element, and method for manufacturing these |
| US7554136B2 (en) | 2002-09-13 | 2009-06-30 | Advantest Corporation | Micro-switch device and method for manufacturing the same |
| US7671397B2 (en) | 2005-05-10 | 2010-03-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Switching element |
-
1999
- 1999-07-08 JP JP11194448A patent/JP2001023497A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004024618A1 (ja) * | 2002-09-13 | 2004-03-25 | Advantest Corporation | マイクロデバイス及び製造方法 |
| US7554136B2 (en) | 2002-09-13 | 2009-06-30 | Advantest Corporation | Micro-switch device and method for manufacturing the same |
| US7477003B2 (en) | 2004-09-01 | 2009-01-13 | Advantest Corporation | Bimorph element, bimorph switch, mirror element, and method for manufacturing these |
| US7671397B2 (en) | 2005-05-10 | 2010-03-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Switching element |
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