JP3637804B2 - 静電リレー - Google Patents

静電リレー Download PDF

Info

Publication number
JP3637804B2
JP3637804B2 JP11237999A JP11237999A JP3637804B2 JP 3637804 B2 JP3637804 B2 JP 3637804B2 JP 11237999 A JP11237999 A JP 11237999A JP 11237999 A JP11237999 A JP 11237999A JP 3637804 B2 JP3637804 B2 JP 3637804B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
movable
movable contact
fixed
contact
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP11237999A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2000306484A (ja
Inventor
浩二 佐野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Omron Corp
Original Assignee
Omron Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Omron Corp filed Critical Omron Corp
Priority to JP11237999A priority Critical patent/JP3637804B2/ja
Publication of JP2000306484A publication Critical patent/JP2000306484A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3637804B2 publication Critical patent/JP3637804B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Micromachines (AREA)
  • Contacts (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、静電引力により可動電極を駆動して接点を開閉する静電リレーに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、静電リレーとして、例えば、図5に示す構成のものがある(特開平3─112032号公報参照)。この静電リレーは、可動電極ブロック200と固定電極ブロック201とで構成されている。可動電極ブロック200は、可動電極部202と、その両側に並設される可動接点部203とを有している。固定電極ブロック201は、固定電極204と、固定接点205とを有している。
そして、両電極202,204間に電圧を印加すると、発生する静電引力により可動電極部202が駆動し、可動接点部203が固定接点205に開閉するようになっている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記静電リレーでは、接点開離力を可動電極部202自身の弾性力により得ている。
【0004】
このため、静電リレーを薄型化すべく、可動電極ブロック200を薄肉に形成した場合、所望の開離力が得られず、接点の粘着が発生しやすくなる。特に、接点には接触抵抗の小さなAuを使用しているので、粘着の問題は顕著となる。接点に白金系材料を使用することも考えられるが、それでは接触抵抗が高くなるばかりか、ブラウンパウダーが発生し、所望の動作特性を維持できない。特に、静電リレーでは、接点圧が小さいため、この問題の回避は困難である。
【0005】
一方、接点に所望の開離力を得るために、可動電極ブロック100を厚肉としたり、別個にエレクトレットや固定電極ブロック101を設けることも考えられるが、いずれの構成であっても薄型化の要請に反することになる。また、可動電極ブロック100を厚肉とした場合、駆動電圧が大きくなる。一方、エレクトレットや固定電極ブロック101を設ける場合、部品点数が増える分、コストアップを招来するという問題もある。
【0006】
そこで、本発明は、薄型で安価に製作可能な上、接点を適切に開放することのできる静電リレーを提供することを課題とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明は、前記課題を解決するための手段として、固定電極に対向配設した可動電極を駆動し、前記固定電極に並設した一対の固定接点に、前記可動電極に形成した可動接点を接離することにより、前記両固定接点を電気的に開閉するようにした静電リレーにおいて、前記可動接点を、一対の弾性支持部を介して両側から弾性支持する可動接点部に形成し、前記可動接点部を湾曲させることにより、前記可動電極が前記固定電極に吸引された際、前記可動接点部が縁部を前記固定接点に当接させた後、弾性変形して平坦な形状となるように構成したものである。
【0008】
この構成により、静電引力で可動電極が駆動し、接点が閉成する前に、可動電極の一部が固定電極に当接する。この場合、湾曲させることにより増大した弾性力が、固定電極から可動電極を離間させる力として作用するが、基板同士が接近することにより十分な静電引力が得られるので、接点閉成の妨げとなることはない。そして、印加電圧を除去すれば、湾曲により増大した弾性力が、固定電極から可動電極を離間させる力として作用し、接点の開放を適切に行わせる。
【0009】
前記可動接点部の湾曲は、当該可動接点部の表面に形成した絶縁膜や可動接点の膜応力により得ることができ、特別な加工工程の追加は不要である。
【0010】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る実施形態を添付図面に従って説明する。
【0011】
図1及び図2は、本実施形態に係る静電リレーを示す。この静電リレーは、固定基板1と可動基板2とを備える。
【0012】
固定基板1は、図1(b)に示すように、ガラス基板3の上面に、スパッタリング、蒸着、メッキ、スクリーン印刷等により信号線4a,4b、固定電極5及びパッド6a,6b,6c,6dを形成したものである。信号線4a,4bは所定間隔で並設され、その一端部は直角方向に屈曲する固定接点7a,7b、他端部はパッド6a,6bとなっている。固定電極5は、前記両信号線4a,4bを囲むように配設され、前記パッド6cに接続されている。また、固定電極5の表面は絶縁膜8によって被覆されている。なお、パッド6dは、後述する可動電極部10に電気接続され、又、各パッド6a,6b,6c,6dには図示しない引出線が接続されるようになっている。
【0013】
可動基板2は、図1(a)に示すように、シリコン基板にエッチング等の加工を施すことにより、第一弾性支持部9a,9bを介して可動電極部10を弾性支持し、その中央部に第二弾性支持部11a,11bを介して可動接点部12を弾性支持する構成としたものである。第一弾性支持部9a,9bの自由端は、前記固定基板1に接合されるアンカ13a,13bとなっている。一方のアンカ13bは、前記固定基板1のパッド6dに接続される。可動電極部10は、前記信号線4a,4bに対応する部分に切除部14が形成されている。可動接点部12は、可動電極部10の切除部14の対向縁から延設した第二弾性支持部11a,11bによって揺動可能に支持されている。第二弾性支持部11a,11bは、前記第一弾性支持部9a,9bよりも大きな弾性力を有している。可動接点部12の下面には絶縁膜15を介して可動接点16が設けられ、上方に向かって湾曲している(図4(b)参照)。そして、この湾曲形状により、所望の接点開離力が得られるようになっている。
【0014】
続いて、前記静電リレーの製造方法について説明する。
【0015】
まず、図3(a)に示すパイレックス等のガラス基板3に図3(b)に示すように固定電極5、固定接点7a,7bを形成する。また同時に、信号線4a,4b、及び、パッド6a,6b,6c,6dをそれぞれ形成する。そして、前記固定電極5に絶縁膜8を形成することにより、図3(c)に示す固定基板1を完成する。
【0016】
なお、前記絶縁膜8として比誘電率3〜4のシリコン酸化膜あるいは比誘電率7〜8のシリコン窒化膜を用いれば、大きな静電引力が得られ、接触荷重を増加させることができる。
【0017】
一方、図3(d)に示すように、上面側からシリコン層101,酸化シリコン層102及びシリコン層103からなるSOI(silicon-on-insulator)ウェハ100の下面に、接点間ギャップを形成するため、例えば、シリコン酸化膜103をマスクとするTMAHによるウェットエッチングを行い、図3(e)に示すように、下方側に突出するアンカ13を形成する。そして、図3(f)に示すように、絶縁膜15を設けた後、可動接点16を形成する。
【0018】
このとき、絶縁膜15、可動接点16等の厚みや材質を任意に選択し、所望の膜応力を発生させることにより可動接点部12を湾曲させる。例えば、厚さ20μmの可動接点部12では、絶縁膜15の厚さを0.5〜1μmとすればよい。また、可動接点部12をTi、絶縁膜15をPt、可動接点16をAuとし、絶縁膜15(Pt)の厚みを0.5〜1μmとしてもよい。さらに、可動接点16に、硬度の大きい白金系金属(Pt,Ru等)で構成してもよい。
【0019】
次いで、図3(g)に示すように、前記固定基板1に前記SOIウェハ100を陽極接合で接合一体化する。そして、図3(h)に示すように、SOIウェハ100の上面をTMAH,KOH等のアルカリエッチング液で酸化膜である酸化シリコン層102までシンニングする。さらに、フッ素系エッチング液で前記酸化シリコン層102を除去して、図3(i)に示すようにシリコン層103すなわち可動電極部10を露出させる。そして、反応性イオンエッチング法(RIE)等を用いたドライエッチングで型抜きエッチングを行い、切除部14及びスリット2bを形成して第一,第二弾性支持部9a,9b、11a,11bを切り出し、可動基板2を完成する。
【0020】
なお、固定基板1はガラス基板3に限らず、少なくとも上面を絶縁膜で被覆した単結晶シリコン基板で形成してもよい。
【0021】
次に、前記構成からなる静電マイクロリレーの動作について図4の模式図を参照して説明する。
【0022】
両電極5,10間に電圧を印加せず、静電引力を発生させていない状態では、図4(a)に示すように、第一弾性支持部9a,9bは弾性変形せず、アンカ13a,13b(図1参照)から水平に延びた状態を維持するので、可動基板2は固定基板1と所定間隔で対向する。したがって、可動接点16は、図4(b)に示すように、両固定接点7a,7bから開離し、湾曲した形状を維持する。
【0023】
ここで、両電極5,10間に電圧を印加して静電引力を発生させると、図4(c)に示すように、第一弾性支持部9a,9bが弾性変形し、可動基板2が固定基板1に接近する。これにより、まず、図4(d)に示すように、湾曲した可動接点部12の縁部が固定接点7a,7bに当接する。
【0024】
そして、図4(e)に示すように、第一弾性支持部9a,9bに加えて第二弾性支持部11a,11bが撓み、可動電極部10が固定電極5に吸着される。そして、可動接点16は、その周囲の可動電極部10が固定電極5に吸着されることにより、第二弾性支持部11a,11bを介して固定接点7a,7bに押し付けられる。この結果、図4(f)に示すように、可動接点部12が平坦となり、可動接点16は固定接点7a,7bに面接触して閉成する。このため、片当たりが発生せず、接触信頼性が向上する。
【0025】
このとき、第一、第二弾性支持部9a.9b、11a,11bが可動電極部10を上方に引張る力をFs1,Fs2、絶縁膜8を介した可動電極部10と固定電極5との間の静電引力をFe、絶縁膜8の表面からの抗力をFnとすると下記の関係がある。そして、第一、第二弾性支持部9a,9b、11a,11bのバネ係数、可動電極部10と固定電極5との初期ギャップ、接点の厚み等を設計することにより、Fn、Fs1を小さくし、Fs2、すなわち接触荷重の(理想モデルからの)低下を抑えることが可能である。
【0026】
【数1】
Fe= Fs1+Fs2+Fn
【0027】
その後、両電極5,10間の印加電圧を除去すると、第一、第二弾性支持部9a,9b、11a,11bの弾性力のみならず、可動接点部12の変形に伴う弾性力をも接点開離力として作用させることができる。したがって、たとえ接点間に粘着や溶着等が発生していても、確実に開離させることが可能となる。そして、接点開離後、可動基板2は第一弾性支持部9a,9bの弾性力によって元の位置に復帰する。
【0028】
このように、前記実施形態では、可動接点部12を湾曲させたので、接点開離力を大幅に増大させることができ、印加電圧除去時の可動基板2の動作をスムーズに行わせることが可能となる。また、接点開閉時に、可動接点部12自身が湾曲形状と平坦形状とに変形することにより、可動接点16が固定接点7a,7bに摺接するので、いわゆるワイピング効果が得られ、接点表面は常に良好な状態に維持可能となる。
【0029】
また、可動基板2全体をシリコンウェハ単体で形成すると共に、左右点対称となるように形成されている。このため、可動電極部10に反りや捩りが生じにくい。したがって、動作不能,動作特性のバラツキを効果的に防止できると共に、円滑な動作特性を確保可能となる。
【0030】
なお、前記実施形態の可動電極部10の構成は、他の静電リレーにも適用することができる。例えば、図5に示す特開平3─112032号公報に記載の静電リレーに適用する場合、可動電極部202又は可動接点部203の少なくともいずれか一方を湾曲させるようにすればよい。
【0031】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明に係る静電リレーによれば、可動接点部を湾曲させることにより、その縁部が固定接点に当接した後、全体が弾性変形するようにしたので、湾曲により増大させた弾性力を固定電極から可動電極を離間させる力として作用させることができる。これにより、接点を適切に開放させることが可能となる。
【0032】
特に、可動接点部の湾曲は、当該可動電極の表面に形成した絶縁膜や可動接点の膜応力により得るようにしたので、特別な加工工程の追加は不要となり、安価に製作することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本実施形態に係る静電リレーの分解斜視図である。
【図2】 図1に示す静電リレーの平面図である。
【図3】 図1に示す静電リレーの加工工程を示す断面図(図2のA─A線断面のもの)である。
【図4】 図1に示す静電リレーの動作を示す模式図である。
【図5】 従来例に係る静電リレーの分解斜視図である。
【符号の説明】
1…固定基板
2…可動基板
5…固定電極
7a,7b…固定接点
9a,9b…第一弾性支持部
10…可動電極部
11a,11b…第二弾性支持部
12…可動接点部
15…絶縁膜
16…可動接点

Claims (3)

  1. 固定電極に対向配設した可動電極を駆動し、前記固定電極に並設した一対の固定接点に、前記可動電極に形成した可動接点を接離することにより、前記両固定接点を電気的に開閉するようにした静電リレーにおいて、
    前記可動接点を、一対の弾性支持部を介して両側から弾性支持する可動接点部に形成し、
    前記可動接点部を湾曲させることにより、前記可動電極が前記固定電極に吸引された際、前記可動接点部が縁部を前記固定接点に当接させた後、弾性変形して平坦な形状となるように構成したことを特徴とする静電リレー。
  2. 前記可動接点部の湾曲は、当該可動接点部の表面に形成した絶縁膜の膜応力により得たことを特徴とする請求項1に記載の静電リレー。
  3. 前記可動接点部の湾曲は、当該可動接点部の表面に形成した可動接点の膜応力により得たことを特徴とする請求項1又は2に記載の静電リレー。
JP11237999A 1999-04-20 1999-04-20 静電リレー Expired - Fee Related JP3637804B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11237999A JP3637804B2 (ja) 1999-04-20 1999-04-20 静電リレー

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11237999A JP3637804B2 (ja) 1999-04-20 1999-04-20 静電リレー

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2000306484A JP2000306484A (ja) 2000-11-02
JP3637804B2 true JP3637804B2 (ja) 2005-04-13

Family

ID=14585214

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11237999A Expired - Fee Related JP3637804B2 (ja) 1999-04-20 1999-04-20 静電リレー

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3637804B2 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1807855B1 (en) * 2004-10-27 2015-09-09 Epcos Ag Electronic device

Also Published As

Publication number Publication date
JP2000306484A (ja) 2000-11-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3796988B2 (ja) 静電マイクロリレー
WO2010122953A1 (ja) Mems素子およびその製造方法
US7755459B2 (en) Micro-switching device and method of manufacturing the same
WO1999021204A1 (fr) Micro-relais electrostatique
JP3493974B2 (ja) 静電マイクロリレー
US6734513B2 (en) Semiconductor device and microrelay
JP3669207B2 (ja) マイクロリレー
JP5257383B2 (ja) スイッチ及びその製造方法並びにリレー
JP3637804B2 (ja) 静電リレー
JP3651404B2 (ja) 静電マイクロリレー、並びに、該静電マイクロリレーを利用した無線装置及び計測装置
JP4144717B2 (ja) 静電リレー
JP3852224B2 (ja) 静電マイクロリレー
JP3368304B2 (ja) 静電マイクロリレー
JP3139413B2 (ja) 静電マイクロリレー
JP2000311572A (ja) 静電リレー
JP2001014997A (ja) 静電リレー
JP3637805B2 (ja) マイクロリレーの製造方法
JPH0714483A (ja) マイクロバイメタルリレーおよびその製造方法
JP3852479B2 (ja) 静電マイクロリレー
US11716907B2 (en) Electromechanical microsystem comprising an active element having a structured core layer
JPWO2012073829A1 (ja) バルク弾性波共振子
JP2000243202A (ja) マイクロリレー
JP2004281412A (ja) 静電マイクロリレー
JP2001023497A (ja) 静電マイクロリレー
JP4124428B2 (ja) マイクロリレー

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20040712

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20040727

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040924

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20041221

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20050103

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090121

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090121

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100121

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100121

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110121

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110121

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120121

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130121

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140121

Year of fee payment: 9

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees