JP2000340859A5 - - Google Patents
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Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32403799A JP4572434B2 (ja) | 1999-03-23 | 1999-11-15 | 磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果型ヘッド、及びメモリ−素子 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11-77384 | 1999-03-23 | ||
| JP7738499 | 1999-03-23 | ||
| JP32403799A JP4572434B2 (ja) | 1999-03-23 | 1999-11-15 | 磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果型ヘッド、及びメモリ−素子 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000340859A JP2000340859A (ja) | 2000-12-08 |
| JP2000340859A5 true JP2000340859A5 (enExample) | 2006-11-09 |
| JP4572434B2 JP4572434B2 (ja) | 2010-11-04 |
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ID=26418478
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32403799A Expired - Fee Related JP4572434B2 (ja) | 1999-03-23 | 1999-11-15 | 磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果型ヘッド、及びメモリ−素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4572434B2 (enExample) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002099906A1 (en) * | 2001-06-04 | 2002-12-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetoresistance element and magnetoresistance storage element and magnetic memory |
| JP2003031867A (ja) | 2001-07-17 | 2003-01-31 | Hitachi Ltd | 酸化物磁性層と金属磁性膜を積層した磁気抵抗効果素子 |
| FR2830971B1 (fr) * | 2001-10-12 | 2004-03-12 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif magnetoresistif a vanne de spin a performances ameliorees |
| US7477490B2 (en) * | 2004-06-30 | 2009-01-13 | Seagate Technology Llc | Single sensor element that is naturally differentiated |
| JP6553857B2 (ja) * | 2014-09-18 | 2019-07-31 | 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. | 磁気トンネル接合素子及び磁気ランダムアクセスメモリ |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69407158T2 (de) * | 1993-10-06 | 1998-05-28 | Koninkl Philips Electronics Nv | Magnetoresistive anordnung und diese verwendender magnetkopf |
| JPH1041561A (ja) * | 1996-07-25 | 1998-02-13 | Sanyo Electric Co Ltd | 磁気抵抗効果素子 |
| JP2924825B2 (ja) * | 1996-10-31 | 1999-07-26 | 日本電気株式会社 | 磁気抵抗効果素子及びこれを用いた磁気抵抗効果センサ |
| JP3601690B2 (ja) * | 1999-03-02 | 2004-12-15 | 松下電器産業株式会社 | 磁気抵抗効果素子とその製造方法、磁気抵抗効果型ヘッド、磁気記録装置、磁気抵抗効果メモリ素子 |
| US6556390B1 (en) * | 1999-10-28 | 2003-04-29 | Seagate Technology Llc | Spin valve sensors with an oxide layer utilizing electron specular scattering effect |
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1999
- 1999-11-15 JP JP32403799A patent/JP4572434B2/ja not_active Expired - Fee Related
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