JP2000323448A - 基板端縁部被膜の除去ユニットおよび除去方法 - Google Patents
基板端縁部被膜の除去ユニットおよび除去方法Info
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- JP2000323448A JP2000323448A JP11133082A JP13308299A JP2000323448A JP 2000323448 A JP2000323448 A JP 2000323448A JP 11133082 A JP11133082 A JP 11133082A JP 13308299 A JP13308299 A JP 13308299A JP 2000323448 A JP2000323448 A JP 2000323448A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 マスク基板のような厚みの厚い基板の端縁部
の被膜を確実に除去する。 【解決手段】 洗浄装置２は、内部に有機溶剤や水など
の洗浄液の供給路５が形成され、また基板Ｗに向かって
上下のエッジ部６，７が突出し、これら上下のエッジ部
６，７間に基板挿入スリット８が形成されている。そし
て、上エッジ部６の突出量は約１ｍｍ、下エッジ部７の
突出量は５〜８ｍｍに設定されている。また、前記基板
挿入スリット８の上端部には前記洗浄液の供給路５につ
ながる洗浄液流出口９が開口している。この洗浄液流出
口９は洗浄装置２に沿ってスリット状に形成され、上下
方向の寸法は約２ｍｍ、前後方向の寸法は約３ｍｍであ
る。
の被膜を確実に除去する。 【解決手段】 洗浄装置２は、内部に有機溶剤や水など
の洗浄液の供給路５が形成され、また基板Ｗに向かって
上下のエッジ部６，７が突出し、これら上下のエッジ部
６，７間に基板挿入スリット８が形成されている。そし
て、上エッジ部６の突出量は約１ｍｍ、下エッジ部７の
突出量は５〜８ｍｍに設定されている。また、前記基板
挿入スリット８の上端部には前記洗浄液の供給路５につ
ながる洗浄液流出口９が開口している。この洗浄液流出
口９は洗浄装置２に沿ってスリット状に形成され、上下
方向の寸法は約２ｍｍ、前後方向の寸法は約３ｍｍであ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は基板端縁部の被膜を
除去する装置とその方法に関する。
除去する装置とその方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】基板上に集積回路を形成する工程の１つ
にレジスト膜を形成する工程が含まれる。斯かるレジス
ト膜は基板を回転させることで滴下したレジスト液を均
一に基板上に拡散塗布するようにしている。このような
塗布方法による場合には、基板の端縁部に厚くレジスト
膜が形成され、このような余分なレジスト膜が形成され
ると、エッチング等の後にレジスト膜を除去する際に端
縁にレジスト膜が残り、このレジスト膜が後工程におい
て微細なパーティクルとなって基板表面に付着し、歩留
まり低下を来す。同様の問題はＳＯＧ膜についてもいえ
る。
にレジスト膜を形成する工程が含まれる。斯かるレジス
ト膜は基板を回転させることで滴下したレジスト液を均
一に基板上に拡散塗布するようにしている。このような
塗布方法による場合には、基板の端縁部に厚くレジスト
膜が形成され、このような余分なレジスト膜が形成され
ると、エッチング等の後にレジスト膜を除去する際に端
縁にレジスト膜が残り、このレジスト膜が後工程におい
て微細なパーティクルとなって基板表面に付着し、歩留
まり低下を来す。同様の問題はＳＯＧ膜についてもいえ
る。
【０００３】そこで、従来から種々の除去方法と装置が
提案されている。例えば、特開平５−１１４５５５号公
報及び特開平５−１７５１１７号公報に開示される除去
方法は、基板の端縁に沿って剥離液（洗浄液）を噴出す
るノズルを移動させるようにし、特開平５−２００３５
０号公報に開示される除去方法は、回転する基板の下方
に剥離液を噴出するノズルを配置し、基板裏面から除去
するようにし、特開平５−１６６７２０号公報に開示さ
れる除去方法は、上部に薬液（剥離液）滴下口とガス供
給口を形成し、下方に回収用の吸気口を備えたノズル内
に半導体ウェーハの端縁を臨ませて除去するようにし、
更に特開平６−４５３０２号公報に開示される除去方法
は、半導体ウェーハの端縁の上面及び下面はノズルから
噴出される剥離液で、端縁の厚み方向外端部は回転ブラ
シで除去するようにしている。
提案されている。例えば、特開平５−１１４５５５号公
報及び特開平５−１７５１１７号公報に開示される除去
方法は、基板の端縁に沿って剥離液（洗浄液）を噴出す
るノズルを移動させるようにし、特開平５−２００３５
０号公報に開示される除去方法は、回転する基板の下方
に剥離液を噴出するノズルを配置し、基板裏面から除去
するようにし、特開平５−１６６７２０号公報に開示さ
れる除去方法は、上部に薬液（剥離液）滴下口とガス供
給口を形成し、下方に回収用の吸気口を備えたノズル内
に半導体ウェーハの端縁を臨ませて除去するようにし、
更に特開平６−４５３０２号公報に開示される除去方法
は、半導体ウェーハの端縁の上面及び下面はノズルから
噴出される剥離液で、端縁の厚み方向外端部は回転ブラ
シで除去するようにしている。
【０００４】しかしながら、上述した何れの方法にあっ
ても、剥離液は噴出しっぱなしであり、極めて大量の剥
離液を必要とする。仮りに回収したとしても回収率は悪
く且つ剥離液の品質劣化が大きく、コスト的に不利であ
る。
ても、剥離液は噴出しっぱなしであり、極めて大量の剥
離液を必要とする。仮りに回収したとしても回収率は悪
く且つ剥離液の品質劣化が大きく、コスト的に不利であ
る。
【０００５】そこで、本出願人は特開平８−１０２４３
４号公報に開示される方法（装置）を提案した。この方
法は洗浄液（溶剤）の表面張力を利用して貯留部内に洗
浄液を保持し、この貯留部内に基板の端縁部を挿入して
洗浄を行うようにしたものである。また、特開平８−１
０２４３４号公報に開示される方法（装置）では、同一
箇所に洗浄機能と乾燥機能をもたせている。このよう
に、同一箇所に集約することで、装置の簡略化を図って
いる。
４号公報に開示される方法（装置）を提案した。この方
法は洗浄液（溶剤）の表面張力を利用して貯留部内に洗
浄液を保持し、この貯留部内に基板の端縁部を挿入して
洗浄を行うようにしたものである。また、特開平８−１
０２４３４号公報に開示される方法（装置）では、同一
箇所に洗浄機能と乾燥機能をもたせている。このよう
に、同一箇所に集約することで、装置の簡略化を図って
いる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述した特開平８−１
０２４３４号公報にによれば、大幅に洗浄液の使用量を
減らすことができるが、厚い基板に対しては有効でな
い。即ち、表面張力を利用して貯留部内に洗浄液を滞留
せしめる構造になっているため、基板が厚くなるとそれ
だけ貯留部の開口を大きくしなければならず、表面張力
で保持することができなくなる。因みに、縦横６インチ
のマスク基板では厚さ６．３５ｍｍ、縦横９インチのマ
スク基板では厚さ９ｍｍになる。更に、このような厚基
板に対してはより効率良く側面に付着した洗浄液を乾燥
することが必要になる。
０２４３４号公報にによれば、大幅に洗浄液の使用量を
減らすことができるが、厚い基板に対しては有効でな
い。即ち、表面張力を利用して貯留部内に洗浄液を滞留
せしめる構造になっているため、基板が厚くなるとそれ
だけ貯留部の開口を大きくしなければならず、表面張力
で保持することができなくなる。因みに、縦横６インチ
のマスク基板では厚さ６．３５ｍｍ、縦横９インチのマ
スク基板では厚さ９ｍｍになる。更に、このような厚基
板に対してはより効率良く側面に付着した洗浄液を乾燥
することが必要になる。
【０００７】また、特開平８−１０２４３４号公報で
は、洗浄機構と乾燥機構とを同一箇所に集約しているた
め、互いに悪影響を及ぼしたり、同一箇所において乾燥
ガスの噴出と洗浄液の供給をコントロールしなければな
らないので、最適条件にすることが難しくなる。
は、洗浄機構と乾燥機構とを同一箇所に集約しているた
め、互いに悪影響を及ぼしたり、同一箇所において乾燥
ガスの噴出と洗浄液の供給をコントロールしなければな
らないので、最適条件にすることが難しくなる。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決すべく本
発明に係る除去ユニットは、被膜を洗浄液にて除去する
洗浄装置と、この洗浄装置で洗浄された基板端縁部を乾
燥せしめる乾燥装置とから構成され、前記洗浄装置及び
乾燥装置には基板端縁部が隙間をもって挿入される基板
挿入スリットが形成され、前記洗浄装置にあっては基板
挿入スリットの上部に洗浄液流出口が開口し、前記乾燥
装置にあっては基板挿入スリットの上下方向の中間位置
に基板端縁部に対峙する乾燥ガスの噴出口が臨む構成と
した。
発明に係る除去ユニットは、被膜を洗浄液にて除去する
洗浄装置と、この洗浄装置で洗浄された基板端縁部を乾
燥せしめる乾燥装置とから構成され、前記洗浄装置及び
乾燥装置には基板端縁部が隙間をもって挿入される基板
挿入スリットが形成され、前記洗浄装置にあっては基板
挿入スリットの上部に洗浄液流出口が開口し、前記乾燥
装置にあっては基板挿入スリットの上下方向の中間位置
に基板端縁部に対峙する乾燥ガスの噴出口が臨む構成と
した。
【０００９】洗浄液については、基板端縁部の上端か
ら、乾燥ガスについては基板端縁部の端面に供給するこ
とで、厚みの厚い基板であっても被膜を簡単に除去する
ことができる。
ら、乾燥ガスについては基板端縁部の端面に供給するこ
とで、厚みの厚い基板であっても被膜を簡単に除去する
ことができる。
【００１０】また、除去ユニットは基板を着脱自在に保
持する基板保持部と、基板を洗浄装置及び乾燥装置に対
して相対的に進退動せしめる進退機構とを備える構成と
することで、効率よく基板端縁部の被膜を除去できる。
持する基板保持部と、基板を洗浄装置及び乾燥装置に対
して相対的に進退動せしめる進退機構とを備える構成と
することで、効率よく基板端縁部の被膜を除去できる。
【００１１】また、前記洗浄装置の基板挿入スリットを
上下のエッジ部間に形成し、下エッジ部の突出量を上エ
ッジ部の突出量より大きく設定することで、洗浄液を下
エッジ部と基板との隙間を介して排出することができ、
洗浄液の供給から排出までをスムーズに行える。
上下のエッジ部間に形成し、下エッジ部の突出量を上エ
ッジ部の突出量より大きく設定することで、洗浄液を下
エッジ部と基板との隙間を介して排出することができ、
洗浄液の供給から排出までをスムーズに行える。
【００１２】また、前記乾燥装置の乾燥ガスの噴出口の
角度を、基板挿入スリットに挿入された基板の端面直角
に対して端面長手方向に傾斜せしめることが好ましい。
傾斜角としては、３０°〜６０°が適当である。このよ
うに傾斜せしめることで、乾燥ガスの流れに乱流が生じ
にくくなる。
角度を、基板挿入スリットに挿入された基板の端面直角
に対して端面長手方向に傾斜せしめることが好ましい。
傾斜角としては、３０°〜６０°が適当である。このよ
うに傾斜せしめることで、乾燥ガスの流れに乱流が生じ
にくくなる。
【００１３】また、前記乾燥装置の乾燥ガスの噴出口の
上下に吸引通路を形成することによっても、同様に乾燥
ガスの流れに乱流が生じにくくなる。
上下に吸引通路を形成することによっても、同様に乾燥
ガスの流れに乱流が生じにくくなる。
【００１４】本発明は厚い基板、特に厚さ５ｍｍ以上の
マスク基板に有効であり、洗浄装置の基板挿入スリット
に基板を挿入する場合には、基板と上エッジ部との間隔
は約０．３ｍｍとし、基板と下エッジ部との間隔は約
１．０ｍｍとし、また乾燥装置の基板挿入スリットに基
板を挿入する場合には、基板上面と基板挿入スリットと
の間隔、及び基板下面と基板挿入スリットとの間隔は１
〜５ｍｍとする。
マスク基板に有効であり、洗浄装置の基板挿入スリット
に基板を挿入する場合には、基板と上エッジ部との間隔
は約０．３ｍｍとし、基板と下エッジ部との間隔は約
１．０ｍｍとし、また乾燥装置の基板挿入スリットに基
板を挿入する場合には、基板上面と基板挿入スリットと
の間隔、及び基板下面と基板挿入スリットとの間隔は１
〜５ｍｍとする。
【００１５】また、本発明に係る基板端縁部被膜の除去
方法は、表面に被膜が形成された基板の端縁部を洗浄装
置の基板挿入スリットに水平方向から挿入し、洗浄液に
て基板端縁部に付着した被膜を除去した後、被膜が除去
された基板端縁部を乾燥装置の基板挿入スリットに水平
方向から挿入し、乾燥ガスにて基板端縁部を乾燥せしめ
る。
方法は、表面に被膜が形成された基板の端縁部を洗浄装
置の基板挿入スリットに水平方向から挿入し、洗浄液に
て基板端縁部に付着した被膜を除去した後、被膜が除去
された基板端縁部を乾燥装置の基板挿入スリットに水平
方向から挿入し、乾燥ガスにて基板端縁部を乾燥せしめ
る。
【００１６】前記洗浄装置では、洗浄液を基板の端縁部
の上端に向けて供給し、基板の端縁部の下端と基板挿入
スリットを構成する下エッジ部と基板との隙間を介して
洗浄液を排出することが好ましい。
の上端に向けて供給し、基板の端縁部の下端と基板挿入
スリットを構成する下エッジ部と基板との隙間を介して
洗浄液を排出することが好ましい。
【００１７】前記乾燥装置では、乾燥ガスを基板の端縁
部の端面に向けて噴出し、乾燥ガス噴出口の上下に設け
た吸引通路を介して排気することが好ましい。 〔発明の詳細な説明〕
部の端面に向けて噴出し、乾燥ガス噴出口の上下に設け
た吸引通路を介して排気することが好ましい。 〔発明の詳細な説明〕
【００１８】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を添付
図面に基づいて説明する。ここで、図１は本発明に係る
基板端縁部被膜の除去ユニットの全体構成図、図２は除
去ユニットを構成する洗浄装置の断面図、図３は除去ユ
ニットを構成する乾燥装置の断面図、図４は図３のＡ−
Ａ断面図である。
図面に基づいて説明する。ここで、図１は本発明に係る
基板端縁部被膜の除去ユニットの全体構成図、図２は除
去ユニットを構成する洗浄装置の断面図、図３は除去ユ
ニットを構成する乾燥装置の断面図、図４は図３のＡ−
Ａ断面図である。
【００１９】除去ユニットは洗浄ステーションＳ１と乾
燥ステーションＳ２からなり、これらステーションＳ
１，Ｓ２間において、図示しない搬送装置によって基板
Ｗの受け渡しが可能とされている。
燥ステーションＳ２からなり、これらステーションＳ
１，Ｓ２間において、図示しない搬送装置によって基板
Ｗの受け渡しが可能とされている。
【００２０】洗浄ステーションＳ１にはベースプレート
１上に洗浄装置２と基板保持部３が設けられ、レールＲ
を介して洗浄装置２が基板保持部３に対して相対的に進
退可能とされている。そして、基板保持部３は上面を吸
着テーブル４とし、基板Ｗを水平状態で保持するととも
にモータにて回転可能とされる。因みに、吸着テーブル
３は９０°毎に回転する。その回転速度は塗布装置に比
べると大幅に低い。
１上に洗浄装置２と基板保持部３が設けられ、レールＲ
を介して洗浄装置２が基板保持部３に対して相対的に進
退可能とされている。そして、基板保持部３は上面を吸
着テーブル４とし、基板Ｗを水平状態で保持するととも
にモータにて回転可能とされる。因みに、吸着テーブル
３は９０°毎に回転する。その回転速度は塗布装置に比
べると大幅に低い。
【００２１】また、洗浄装置２は図２に示すように、内
部に有機溶剤や水などの洗浄液の供給路５が形成され、
また基板Ｗに向かって上下のエッジ部６，７が突出し、
これら上下のエッジ部６，７間に基板挿入スリット８が
形成されている。そして、上エッジ部６の突出量は約１
ｍｍ、下エッジ部７の突出量は５〜８ｍｍに設定されて
いる。
部に有機溶剤や水などの洗浄液の供給路５が形成され、
また基板Ｗに向かって上下のエッジ部６，７が突出し、
これら上下のエッジ部６，７間に基板挿入スリット８が
形成されている。そして、上エッジ部６の突出量は約１
ｍｍ、下エッジ部７の突出量は５〜８ｍｍに設定されて
いる。
【００２２】また、前記基板挿入スリット８の上端部に
は前記洗浄液の供給路５につながる洗浄液流出口９が開
口している。この洗浄液流出口９は洗浄装置２に沿って
スリット状に形成され、上下方向の寸法は約２ｍｍ、前
後方向（図２の左右方向）の寸法は約３ｍｍである。
は前記洗浄液の供給路５につながる洗浄液流出口９が開
口している。この洗浄液流出口９は洗浄装置２に沿って
スリット状に形成され、上下方向の寸法は約２ｍｍ、前
後方向（図２の左右方向）の寸法は約３ｍｍである。
【００２３】一方、乾燥ステーションＳ２にはベースプ
レート１０上に乾燥装置１１と前記と同様の基板保持部
３が設けられ、レールＲを介して乾燥装置１１が基板保
持部３に対して相対的に進退可能とされている。そし
て、乾燥装置１１は図３に示すように、基板挿入スリッ
ト１２が形成され、内部にはノズル１３が配置され、こ
のノズル１３には前記基板挿入スリット１２内にあって
基板の端面に向けて乾燥ガスを噴出せしめる噴出口１４
が形成されている。この噴出口１４は図４に示すよう
に、基板Ｗの端面直角に対して端面長手方向に３０°〜
６０°傾斜している。
レート１０上に乾燥装置１１と前記と同様の基板保持部
３が設けられ、レールＲを介して乾燥装置１１が基板保
持部３に対して相対的に進退可能とされている。そし
て、乾燥装置１１は図３に示すように、基板挿入スリッ
ト１２が形成され、内部にはノズル１３が配置され、こ
のノズル１３には前記基板挿入スリット１２内にあって
基板の端面に向けて乾燥ガスを噴出せしめる噴出口１４
が形成されている。この噴出口１４は図４に示すよう
に、基板Ｗの端面直角に対して端面長手方向に３０°〜
６０°傾斜している。
【００２４】また、基板挿入スリット１２の上下のエッ
ジ部にも基板端縁部に向けて乾燥ガスを噴出せしめる噴
出口１５，１６を設けると、乾燥効率を高めることがで
きる。このときの噴出口の傾きは基板表面から端縁部に
向けて４５°〜６０°の傾斜が好ましい。
ジ部にも基板端縁部に向けて乾燥ガスを噴出せしめる噴
出口１５，１６を設けると、乾燥効率を高めることがで
きる。このときの噴出口の傾きは基板表面から端縁部に
向けて４５°〜６０°の傾斜が好ましい。
【００２５】更にまた、ノズル１３を囲むように上下に
吸引通路１７，１７が設けられ、これら吸引通路１７，
１７は吸引装置につながる後部（図３の右側）において
合流している。
吸引通路１７，１７が設けられ、これら吸引通路１７，
１７は吸引装置につながる後部（図３の右側）において
合流している。
【００２６】以上において、基板端縁部に付着した被膜
を除去するには、表面に被膜が形成された基板Ｗを洗浄
ステーションＳ１の基板保持部３に固定し、基板Ｗの端
縁部と基板挿入スリット８とが平行になるようにし、次
いで、洗浄装置２を基板Ｗ側に向けて移動し、基板Ｗの
端縁部を洗浄装置２の基板挿入スリット８に水平方向か
ら挿入する。挿入の際の隙間は、例えば、基板Ｗの上面
と上エッジ部６との隙間が約０．３ｍｍ、基板Ｗの下面
と下エッジ部６との隙間が約１．０ｍｍとなるようにす
る。
を除去するには、表面に被膜が形成された基板Ｗを洗浄
ステーションＳ１の基板保持部３に固定し、基板Ｗの端
縁部と基板挿入スリット８とが平行になるようにし、次
いで、洗浄装置２を基板Ｗ側に向けて移動し、基板Ｗの
端縁部を洗浄装置２の基板挿入スリット８に水平方向か
ら挿入する。挿入の際の隙間は、例えば、基板Ｗの上面
と上エッジ部６との隙間が約０．３ｍｍ、基板Ｗの下面
と下エッジ部６との隙間が約１．０ｍｍとなるようにす
る。
【００２７】そして、基板挿入スリット８に挿入された
基板Ｗの端縁部の上端に向けて、洗浄液流出口９から洗
浄液を供給する。すると、基板Ｗの上面と上エッジ部６
との隙間は約０．３ｍｍと狭いため、基板Ｗの上面と上
エッジ部６との隙間から基板上に漏れ出ることは少な
く、殆んどが基板Ｗの下面と下エッジ部６との隙間を介
して排出される。したがって、洗浄液を有効に利用して
基板Ｗの端縁部の全体を洗浄することができる。
基板Ｗの端縁部の上端に向けて、洗浄液流出口９から洗
浄液を供給する。すると、基板Ｗの上面と上エッジ部６
との隙間は約０．３ｍｍと狭いため、基板Ｗの上面と上
エッジ部６との隙間から基板上に漏れ出ることは少な
く、殆んどが基板Ｗの下面と下エッジ部６との隙間を介
して排出される。したがって、洗浄液を有効に利用して
基板Ｗの端縁部の全体を洗浄することができる。
【００２８】以上の如くして、基板Ｗの一辺の洗浄が終
了したら、洗浄装置２を後退させ、基板挿入スリット８
から洗浄が終了した基板Ｗの端縁部を引き抜く。そし
て、基板保持部３に基板を保持したまま、基板保持部３
にて基板Ｗを９０°水平面内で回転せしめ、未洗浄の端
縁部を洗浄装置２に対向し、前記と同様の操作を繰り返
し、全ての端縁部の洗浄を行う。なお、洗浄装置２は、
１対用意し、基板の対向する辺を同時に洗浄すると効率
が倍よくなる。
了したら、洗浄装置２を後退させ、基板挿入スリット８
から洗浄が終了した基板Ｗの端縁部を引き抜く。そし
て、基板保持部３に基板を保持したまま、基板保持部３
にて基板Ｗを９０°水平面内で回転せしめ、未洗浄の端
縁部を洗浄装置２に対向し、前記と同様の操作を繰り返
し、全ての端縁部の洗浄を行う。なお、洗浄装置２は、
１対用意し、基板の対向する辺を同時に洗浄すると効率
が倍よくなる。
【００２９】このようにして、洗浄ステーションＳ１で
の操作が終了したならば、図示しない搬送装置にて基板
Ｗを乾燥ステーションＳ２の基板保持部３に保持せしめ
る。この後は、前記洗浄ステーションＳ１と同一の要領
で、基板Ｗの各端縁部の乾燥を行う。
の操作が終了したならば、図示しない搬送装置にて基板
Ｗを乾燥ステーションＳ２の基板保持部３に保持せしめ
る。この後は、前記洗浄ステーションＳ１と同一の要領
で、基板Ｗの各端縁部の乾燥を行う。
【００３０】図示例では、矩形状のマスク基板について
説明したが、本発明は一般的な厚さのガラス基板にも適
用でき、また基板の形状としては半導体ウェーハの如き
円形でもよい。更に、図示例にあっては洗浄装置と乾燥
装置とを完全に分離した構成としたが、１つのステーシ
ョンに洗浄装置と乾燥装置とを配置してもよい。このよ
うにすれば、基板保持部を共通化することができる。
説明したが、本発明は一般的な厚さのガラス基板にも適
用でき、また基板の形状としては半導体ウェーハの如き
円形でもよい。更に、図示例にあっては洗浄装置と乾燥
装置とを完全に分離した構成としたが、１つのステーシ
ョンに洗浄装置と乾燥装置とを配置してもよい。このよ
うにすれば、基板保持部を共通化することができる。
【００３１】また、通常このようなマスク基板上に形成
されるホトレジスト膜としては、その構造中にアクリル
単位を少なくとも１個有する組成物が一般的である。こ
のようなホトレジスト組成物としては、例えばＺＥＰシ
リーズ（日本ゼオン社製）、ＥＢＲシリーズ（東レ社
製）等が市販されている。このようなホトレジスト膜を
除去するための洗浄液としては、ジメチルアセトアミ
ド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、エチレングリコール
モノメチルエーテルアセテート、アニソール、３−メト
キシ−１−ブタノール、γ−ブチロラクトン、イソプロ
ピルアルコール及びベンジルアルコール等の有機溶媒か
ら選ばれる少なくとも１種が好適に用いられる。この中
でも、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリ
ドン、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテー
ト、アニソール、３−メトキシ−１−ブタノール等が洗
浄性能を考慮すると最も好適である。さらに特定の組み
合わせとして、上記有機溶媒の中でアニソール及び３−
メトキシ−１−ブタノールの混合溶液が好ましく用いら
れる。これらの有機溶媒の配合比としては、アニソー
ル：３−メトキシ−１−ブタノール＝３：７〜７：３の
範囲にある混合溶媒が特に好ましい。
されるホトレジスト膜としては、その構造中にアクリル
単位を少なくとも１個有する組成物が一般的である。こ
のようなホトレジスト組成物としては、例えばＺＥＰシ
リーズ（日本ゼオン社製）、ＥＢＲシリーズ（東レ社
製）等が市販されている。このようなホトレジスト膜を
除去するための洗浄液としては、ジメチルアセトアミ
ド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、エチレングリコール
モノメチルエーテルアセテート、アニソール、３−メト
キシ−１−ブタノール、γ−ブチロラクトン、イソプロ
ピルアルコール及びベンジルアルコール等の有機溶媒か
ら選ばれる少なくとも１種が好適に用いられる。この中
でも、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリ
ドン、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテー
ト、アニソール、３−メトキシ−１−ブタノール等が洗
浄性能を考慮すると最も好適である。さらに特定の組み
合わせとして、上記有機溶媒の中でアニソール及び３−
メトキシ−１−ブタノールの混合溶液が好ましく用いら
れる。これらの有機溶媒の配合比としては、アニソー
ル：３−メトキシ−１−ブタノール＝３：７〜７：３の
範囲にある混合溶媒が特に好ましい。
【００３２】
【発明の効果】以上に説明したように本発明によれば、
洗浄装置と乾燥装置とを別々にしたので、設計が無理な
く行え、マスク基板のような厚みの厚い基板であっても
被膜を簡単に除去することができる。
洗浄装置と乾燥装置とを別々にしたので、設計が無理な
く行え、マスク基板のような厚みの厚い基板であっても
被膜を簡単に除去することができる。
【００３３】特に、洗浄装置の基板挿入スリットを上下
のエッジ部間に形成し、下エッジ部の突出量を上エッジ
部の突出量を大きく設定することで、洗浄液を下エッジ
部と基板との隙間を介して排出することができ、洗浄液
の供給から排出までをスムーズに行える。
のエッジ部間に形成し、下エッジ部の突出量を上エッジ
部の突出量を大きく設定することで、洗浄液を下エッジ
部と基板との隙間を介して排出することができ、洗浄液
の供給から排出までをスムーズに行える。
【００３４】また、前記乾燥装置の乾燥ガスの噴出口の
角度を、基板挿入スリットに挿入された基板の端面に対
して３０°〜６０°程度傾斜せしめたり、ノズルの上下
に吸引通路を形成することによって乾燥ガスの流れに乱
流が生じにくくなる。
角度を、基板挿入スリットに挿入された基板の端面に対
して３０°〜６０°程度傾斜せしめたり、ノズルの上下
に吸引通路を形成することによって乾燥ガスの流れに乱
流が生じにくくなる。
【図１】本発明に係る基板端縁部被膜の除去ユニットの
全体構成図
全体構成図
【図２】除去ユニットを構成する洗浄装置の断面図
【図３】除去ユニットを構成する乾燥装置の断面図
【図４】図３のＡ−Ａ断面図
１…ベースプレート、２…洗浄装置、３…基板保持部、
４…吸着テーブル、５…洗浄液の供給路、６…上エッジ
部、７…下エッジ部、８…基板挿入スリット、９…洗浄
液流出口、１０…ベースプレート、１１…乾燥装置、１
２…基板挿入スリット、１３…、１４…乾燥ガス噴出
口、１５…吸引通路、Ｓ１…洗浄ステーション、Ｓ２…
乾燥ステーション、Ｗ…基板。
４…吸着テーブル、５…洗浄液の供給路、６…上エッジ
部、７…下エッジ部、８…基板挿入スリット、９…洗浄
液流出口、１０…ベースプレート、１１…乾燥装置、１
２…基板挿入スリット、１３…、１４…乾燥ガス噴出
口、１５…吸引通路、Ｓ１…洗浄ステーション、Ｓ２…
乾燥ステーション、Ｗ…基板。
Claims (9)
- 【請求項１】 基板端縁部に付着した被膜の除去ユニッ
トであって、この除去ユニットは被膜を洗浄液にて除去
する洗浄装置と、この洗浄装置で洗浄された基板端縁部
を乾燥せしめる乾燥装置とから構成され、前記洗浄装置
及び乾燥装置には基板端縁部が隙間をもって挿入される
基板挿入スリットが形成され、前記洗浄装置にあっては
基板挿入スリットの上部に洗浄液流出口が開口し、前記
乾燥装置にあっては基板挿入スリットの上下方向の中間
位置に基板端縁部に対峙する乾燥ガスの噴出口が臨んで
いることを特徴とする基板端縁部被膜の除去ユニット。 - 【請求項２】 請求項１に記載の除去ユニットにおい
て、この除去ユニットは基板を着脱自在に保持する基板
保持部と、基板を洗浄装置及び乾燥装置に対して相対的
に進退動せしめる進退機構とを備えることを特徴とする
基板端縁部被膜の除去ユニット。 - 【請求項３】 請求項１または請求項２のいずれか一項
に記載の基板端縁部被膜の除去ユニットにおいて、前記
洗浄装置の基板挿入スリットは上下のエッジ部間に形成
され、下エッジ部の突出量を上エッジ部の突出量より大
きく設定していることを特徴とする基板端縁部被膜の除
去ユニット。 - 【請求項４】 請求項１または請求項２のいずれか一項
に記載の基板端縁部被膜の除去ユニットにおいて、前記
乾燥装置の乾燥ガスの噴出口の角度は、基板挿入スリッ
トに挿入された基板の端面直角に対して端面長手方向に
傾斜していることを特徴とする基板端縁部被膜の除去ユ
ニット。 - 【請求項５】 請求項１または請求項２のいずれか一項
に記載の基板端縁部被膜の除去ユニットにおいて、前記
乾燥装置の乾燥ガスの噴出口の上下に吸引通路を形成し
たことを特徴とする基板端縁部被膜の除去ユニット。 - 【請求項６】 請求項１乃至請求項５のいずれか一項に
記載の基板端縁部被膜の除去ユニットにおいて、前記基
板は厚みが５ｍｍ以上のマスク基板であることを特徴と
する基板端縁部被膜の除去ユニット。 - 【請求項７】 表面に被膜が形成された基板の端縁部を
洗浄装置の基板挿入スリットに水平方向から挿入し、洗
浄液にて基板端縁部に付着した被膜を除去した後、被膜
が除去された基板端縁部を乾燥装置の基板挿入スリット
に水平方向から挿入し、乾燥ガスにて基板端縁部を乾燥
せしめることを特徴とする基板端縁部被膜の除去方法。 - 【請求項８】 請求項７に記載の基板端縁部被膜の除去
方法において、前記洗浄装置では、洗浄液を基板の端縁
部の上端に向けて供給し、基板の端縁部の下端と基板挿
入スリットを構成する下エッジ部と基板との隙間を介し
て洗浄液を排出することを特徴とする基板端縁部被膜の
除去方法。 - 【請求項９】 請求項７に記載の基板端縁部被膜の除去
方法において、前記乾燥装置では、乾燥ガスを基板の端
縁部の端面に向けて噴出し、乾燥ガス噴出口の上下に設
けた吸引通路を介して排気することを特徴とする基板端
縁部被膜の除去方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13308299A JP3559988B2 (ja) | 1999-05-13 | 1999-05-13 | 基板端縁部被膜の除去ユニットおよび除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13308299A JP3559988B2 (ja) | 1999-05-13 | 1999-05-13 | 基板端縁部被膜の除去ユニットおよび除去方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000323448A true JP2000323448A (ja) | 2000-11-24 |
| JP3559988B2 JP3559988B2 (ja) | 2004-09-02 |
Family
ID=15096439
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13308299A Expired - Fee Related JP3559988B2 (ja) | 1999-05-13 | 1999-05-13 | 基板端縁部被膜の除去ユニットおよび除去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3559988B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011050891A (ja) * | 2009-09-03 | 2011-03-17 | Takushoo:Kk | 除塵装置 |
| JP2017070878A (ja) * | 2015-10-05 | 2017-04-13 | 有限会社タクショー | 除塵装置 |
| JP2018083196A (ja) * | 2018-01-29 | 2018-05-31 | 有限会社タクショー | 除塵装置 |
-
1999
- 1999-05-13 JP JP13308299A patent/JP3559988B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011050891A (ja) * | 2009-09-03 | 2011-03-17 | Takushoo:Kk | 除塵装置 |
| JP2017070878A (ja) * | 2015-10-05 | 2017-04-13 | 有限会社タクショー | 除塵装置 |
| JP2018083196A (ja) * | 2018-01-29 | 2018-05-31 | 有限会社タクショー | 除塵装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3559988B2 (ja) | 2004-09-02 |
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