JP2000321327A - 半導体装置の検査装置及び半導体装置の検査方法 - Google Patents
半導体装置の検査装置及び半導体装置の検査方法Info
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 被検査半導体装置のハンドラー装置に対する
検査精度の向上、分類操作の正確性の向上が可能な半導
体装置の検査装置を提供する。 【解決手段】 基準サンプル４を測定部60に設けられた
複数のＤＵＴ部12のそれぞれに搭載する基準サンプル順
次搭載手段５、基準サンプル４の所定のテスト項目を記
憶する第１の記憶手段６、基準サンプル４についてテス
ト項目を測定し、結果を記憶する第２の記憶手段７、基
準サンプル４の測定値と基準サンプル４のテスト項目と
を比較してその差分値を演算し、補正値を決定する差分
値演算手段８、各ＤＵＴ部12で被検査半導体装置３のそ
れぞれに付いて、検査処理を実行し、各被検査半導体装
置３に付いてのテスト項目を求める検査手段60及び検査
結果に対して補正値を適用して補正測定値を演算し、被
検査半導体装置３を所定のカテゴリーに分類するソーテ
ィング手段90とからなる。
検査精度の向上、分類操作の正確性の向上が可能な半導
体装置の検査装置を提供する。 【解決手段】 基準サンプル４を測定部60に設けられた
複数のＤＵＴ部12のそれぞれに搭載する基準サンプル順
次搭載手段５、基準サンプル４の所定のテスト項目を記
憶する第１の記憶手段６、基準サンプル４についてテス
ト項目を測定し、結果を記憶する第２の記憶手段７、基
準サンプル４の測定値と基準サンプル４のテスト項目と
を比較してその差分値を演算し、補正値を決定する差分
値演算手段８、各ＤＵＴ部12で被検査半導体装置３のそ
れぞれに付いて、検査処理を実行し、各被検査半導体装
置３に付いてのテスト項目を求める検査手段60及び検査
結果に対して補正値を適用して補正測定値を演算し、被
検査半導体装置３を所定のカテゴリーに分類するソーテ
ィング手段90とからなる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の検査
装置及び半導体装置の検査方法に関するものであり、特
に詳しくは、ハンドラー装置の測定部のＤＵＴに於て、
複数個の半導体装置を同時に所定の検査、測定処理を行
い、被検査半導体装置の品質を分類仕分けする半導体装
置の検査装置及び半導体装置の検査方法に関するもので
ある。
装置及び半導体装置の検査方法に関するものであり、特
に詳しくは、ハンドラー装置の測定部のＤＵＴに於て、
複数個の半導体装置を同時に所定の検査、測定処理を行
い、被検査半導体装置の品質を分類仕分けする半導体装
置の検査装置及び半導体装置の検査方法に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】従来から、複数個の被検査半導体装置を
同時に検査して、当該検査結果に応じて、当該複数個の
被検査半導体装置を所定のカテゴリに分類する様に構成
された半導体装置の検査装置であって、ハンドラー内の
トレイを移動させる機能及び所定の特性値を検査する測
定部とを含む半導体装置の検査装置は、例えば、特開平
８−２６２１０２号公報に示されている様に知られてい
る。
同時に検査して、当該検査結果に応じて、当該複数個の
被検査半導体装置を所定のカテゴリに分類する様に構成
された半導体装置の検査装置であって、ハンドラー内の
トレイを移動させる機能及び所定の特性値を検査する測
定部とを含む半導体装置の検査装置は、例えば、特開平
８−２６２１０２号公報に示されている様に知られてい
る。
【０００３】然しながら、従来においては、基準サンプ
ルによる検査装置のデーター収集（以下 コリレーショ
ンという。）は、立ち上げ当初、定期検査、または、異
常発生時に行われていた。
ルによる検査装置のデーター収集（以下 コリレーショ
ンという。）は、立ち上げ当初、定期検査、または、異
常発生時に行われていた。
【０００４】その場合、人が介在しないとデーター収集
できないため、データー収集のための人手、段取り、補
正値の計算、プログラムへの取り込みと、時間と、手間
が、かかり、コリレーション作業は、技術者の負荷とな
っていた。
できないため、データー収集のための人手、段取り、補
正値の計算、プログラムへの取り込みと、時間と、手間
が、かかり、コリレーション作業は、技術者の負荷とな
っていた。
【０００５】特に、当該測定部内に設けられた複数個の
ＤＵＴ部のそれぞれが固有に持っている所定の特性値に
対する検査能力、検査精度には、バラツキが存在するの
で、測定結果に基づく半導体装置の分類、カテゴリー区
分の判定はコリレーションを適切に行わない場合、誤差
を含む事が多く、正確性に欠けるきらいがあった。
ＤＵＴ部のそれぞれが固有に持っている所定の特性値に
対する検査能力、検査精度には、バラツキが存在するの
で、測定結果に基づく半導体装置の分類、カテゴリー区
分の判定はコリレーションを適切に行わない場合、誤差
を含む事が多く、正確性に欠けるきらいがあった。
【０００６】尚、上記特開平８−２６２１０２号公報に
於いては、特に、１回目の測定で不良品と判断された半
導体装置を再測定する様にした技術が開示されている
が、複数個のＤＵＴ部間の測定精度のバラツキを考慮し
たコリレーションの自動測定方法に関しては開示がな
い。
於いては、特に、１回目の測定で不良品と判断された半
導体装置を再測定する様にした技術が開示されている
が、複数個のＤＵＴ部間の測定精度のバラツキを考慮し
たコリレーションの自動測定方法に関しては開示がな
い。
【０００７】又、特開昭６３−６４３３５号公報には、
当該ハンドラに於て、供給されてくるＩＣパッケージと
テストコネクタとの位置合わせを画像処理技術を応用し
て効率良く実行する様に構成されたものであるが、各Ｄ
ＵＴ部に於ける測定精度のバラツキに関しての改良技術
の開示はない。
当該ハンドラに於て、供給されてくるＩＣパッケージと
テストコネクタとの位置合わせを画像処理技術を応用し
て効率良く実行する様に構成されたものであるが、各Ｄ
ＵＴ部に於ける測定精度のバラツキに関しての改良技術
の開示はない。
【０００８】又、特開平８−１４７３６９号公報及び特
開平５−１１０２０号公報には、同一ロットの半導体素
子に付いての測定値を記憶しておき、当該記憶した測定
値情報から、当該ロットに関する半導体素子に対する当
該測定値の基準値を統計的に求め、当該基準値と各々の
測定値とを照合する様にした、半導体装置の検査方法が
記載されているが、各ＤＵＴ部に於ける測定精度のバラ
ツキに関しての改良技術の開示はない。
開平５−１１０２０号公報には、同一ロットの半導体素
子に付いての測定値を記憶しておき、当該記憶した測定
値情報から、当該ロットに関する半導体素子に対する当
該測定値の基準値を統計的に求め、当該基準値と各々の
測定値とを照合する様にした、半導体装置の検査方法が
記載されているが、各ＤＵＴ部に於ける測定精度のバラ
ツキに関しての改良技術の開示はない。
【０００９】更に、特開平８−１８４６４３号公報に
は、前記した特開平８−２６２１０２号公報と同様に、
１回目の測定で不良品と判断された半導体装置を再測定
する様にした技術が開示されているが、複数個のＤＵＴ
部間の測定精度のバラツキを考慮した測定方法に関して
は開示がない。
は、前記した特開平８−２６２１０２号公報と同様に、
１回目の測定で不良品と判断された半導体装置を再測定
する様にした技術が開示されているが、複数個のＤＵＴ
部間の測定精度のバラツキを考慮した測定方法に関して
は開示がない。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、上記した従来技術の欠点を改良し、測定部内に設け
られた複数個のＤＵＴ部のそれぞれの測定能力或いは測
定精度のバラツキを考慮して、所定の特性値に付いての
測定結果に対して、所定の補正値を考慮しながら測定結
果に対して評価を行う方法に於て、被検査半導体素子、
被検査半導体装置に対する検査精度の向上、分類操作の
正確性の向上及び技術工数の低減が可能な半導体装置の
検査装置及び半導体装置の検査方法を提供するものであ
る。
は、上記した従来技術の欠点を改良し、測定部内に設け
られた複数個のＤＵＴ部のそれぞれの測定能力或いは測
定精度のバラツキを考慮して、所定の特性値に付いての
測定結果に対して、所定の補正値を考慮しながら測定結
果に対して評価を行う方法に於て、被検査半導体素子、
被検査半導体装置に対する検査精度の向上、分類操作の
正確性の向上及び技術工数の低減が可能な半導体装置の
検査装置及び半導体装置の検査方法を提供するものであ
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は上記した目的を
達成するため、以下に記載されたような技術構成を採用
するものである。
達成するため、以下に記載されたような技術構成を採用
するものである。
【００１２】即ち、本発明に係る第１の態様としては、
複数個の被検査半導体装置を同時に検査して、当該検査
結果に応じて、当該複数個の被検査半導体装置を所定の
カテゴリに分類する様に構成された半導体装置の検査装
置の特にハンドラー装置に於いて、予め定められた所定
の特性値を持った基準サンプルを当該測定部に設けられ
た複数のＤＵＴ部のそれぞれに順次に搭載せしめる基準
サンプル順次搭載手段、当該基準サンプルの当該所定の
特性値を記憶しておく第１の記憶手段、当該それぞれの
ＤＵＴ部に於いて、当該基準サンプルについて所定の特
性値を測定し、当該測定結果を記憶する第２の記憶手
段、当該第２の記憶手段に格納された当該各ＤＵＴ部に
於ける当該基準サンプルの測定値と当該第１の記憶手段
に記憶された当該基準サンプルの当該所定の特性値との
差分値を演算し、当該ＤＵＴ部それぞれに於ける補正値
を決定する差分値演算手段、当該各ＤＵＴ部毎に決定さ
れた当該補正値を使用して、当該測定部に於ける複数個
のＤＵＴ部のそれぞれに搭載された被検査半導体装置の
それぞれに付いて、同時に所定の検査処理を実行し、そ
れぞれの半導体装置に付いての当該所定の特性値を求め
る検査手段とから構成されている半導体装置の検査装置
であり、本発明に係る第２の態様としては、複数個の被
検査半導体装置を同時に検査して、当該検査結果に応じ
て、当該複数個の被検査半導体装置を所定のカテゴリに
分類する様に構成された半導体装置の検査装置の特にハ
ンドラー装置に於いて、当該測定部に設けられている複
数個のＤＵＴ部のそれぞれが持つ、所定の特性値に関す
る測定値に対する固有の検出能力のバラツキを、当該複
数個のＤＵＴ部間で補正する為に、当該複数個のＤＵＴ
部のそれぞれに予め定められた所定の特性値を持った基
準サンプルを順次に搭載せしめて、当該所定の測定を行
った後、当該基準サンプルの持つ当該所定の特性値に関
する予め定められた基準値と、当該測定された当該特性
値に関する測定値との差分値から、当該各ＤＵＴ部毎の
所定の特性値に関する測定値に対する補正値を決定する
様に構成された半導体装置の検査方法である。
複数個の被検査半導体装置を同時に検査して、当該検査
結果に応じて、当該複数個の被検査半導体装置を所定の
カテゴリに分類する様に構成された半導体装置の検査装
置の特にハンドラー装置に於いて、予め定められた所定
の特性値を持った基準サンプルを当該測定部に設けられ
た複数のＤＵＴ部のそれぞれに順次に搭載せしめる基準
サンプル順次搭載手段、当該基準サンプルの当該所定の
特性値を記憶しておく第１の記憶手段、当該それぞれの
ＤＵＴ部に於いて、当該基準サンプルについて所定の特
性値を測定し、当該測定結果を記憶する第２の記憶手
段、当該第２の記憶手段に格納された当該各ＤＵＴ部に
於ける当該基準サンプルの測定値と当該第１の記憶手段
に記憶された当該基準サンプルの当該所定の特性値との
差分値を演算し、当該ＤＵＴ部それぞれに於ける補正値
を決定する差分値演算手段、当該各ＤＵＴ部毎に決定さ
れた当該補正値を使用して、当該測定部に於ける複数個
のＤＵＴ部のそれぞれに搭載された被検査半導体装置の
それぞれに付いて、同時に所定の検査処理を実行し、そ
れぞれの半導体装置に付いての当該所定の特性値を求め
る検査手段とから構成されている半導体装置の検査装置
であり、本発明に係る第２の態様としては、複数個の被
検査半導体装置を同時に検査して、当該検査結果に応じ
て、当該複数個の被検査半導体装置を所定のカテゴリに
分類する様に構成された半導体装置の検査装置の特にハ
ンドラー装置に於いて、当該測定部に設けられている複
数個のＤＵＴ部のそれぞれが持つ、所定の特性値に関す
る測定値に対する固有の検出能力のバラツキを、当該複
数個のＤＵＴ部間で補正する為に、当該複数個のＤＵＴ
部のそれぞれに予め定められた所定の特性値を持った基
準サンプルを順次に搭載せしめて、当該所定の測定を行
った後、当該基準サンプルの持つ当該所定の特性値に関
する予め定められた基準値と、当該測定された当該特性
値に関する測定値との差分値から、当該各ＤＵＴ部毎の
所定の特性値に関する測定値に対する補正値を決定する
様に構成された半導体装置の検査方法である。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明に係る当該半導体装置の検
査装置及び半導体装置の検査方法は、上記した様な技術
構成を採用しているので、半導体装置の検査装置におい
て、特に複数ＤＵＴを有するハンドラーにおいて、あら
かじめ基準データーを有する半導体製造装置を、ハンド
ラー内に格納しておき定期的に、基準サンプルを、ＤＵ
Ｔ間で移動させデーター収集を行い、ＤＵＴの補正値と
して、使用する。
査装置及び半導体装置の検査方法は、上記した様な技術
構成を採用しているので、半導体装置の検査装置におい
て、特に複数ＤＵＴを有するハンドラーにおいて、あら
かじめ基準データーを有する半導体製造装置を、ハンド
ラー内に格納しておき定期的に、基準サンプルを、ＤＵ
Ｔ間で移動させデーター収集を行い、ＤＵＴの補正値と
して、使用する。
【００１４】その結果、本発明に於いては、あらかじめ
入力した頻度にて 当該補正値を周期的に自動測定する
ため、技術者の作業軽減が期待でき、かつ、自動測定の
ため、頻度を調整することにより、頻度を適正化するの
が従来より容易となり、補正値が、適正化されていない
ために起こる不良品の流出又は、歩留まり低下等の危険
性を低減することが可能になる。
入力した頻度にて 当該補正値を周期的に自動測定する
ため、技術者の作業軽減が期待でき、かつ、自動測定の
ため、頻度を調整することにより、頻度を適正化するの
が従来より容易となり、補正値が、適正化されていない
ために起こる不良品の流出又は、歩留まり低下等の危険
性を低減することが可能になる。
【００１５】
【実施例】以下に、本発明に係る半導体装置の検査装置
及び半導体装置の検査方法に関する具体例を実施例の形
で、図面を参照しながら詳細に説明する。
及び半導体装置の検査方法に関する具体例を実施例の形
で、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１６】即ち、図１は、本発明に係る当該半導体装
置の検査装置のハンドラー装置１００の一具体例の構成
の概要を示すブロックダイアグラムであって、図中、複
数個の被検査半導体装置が納まるポケット１を含むトレ
イ２を使用し、当該トレイ２の各ポケット部１に、それ
ぞれに被検査半導体装置３をそれぞれ搭載した後、所定
のルートに沿って、当該トレイ２を測定部入口まで移動
し、その後、複数の被検査装置を測定部の複数のＤＵＴ
に、移動させる事によって、複数個の被検査半導体装置
３を同時に検査して、当該検査結果に応じて、当該複数
個の被検査半導体装置３を所定の良品カテゴリ、及び不
良品カテゴリに分類する様に構成された被検査装置セッ
ト部５０及び測定部６０、被検査装置取り出し部９０と
を含む半導体装置の検査装置のハンドラー装置１００に
於いて、当該半導体装置のハンドラー装置１００には、
当該トレイ２に設けられている複数個のポケット部１の
それぞれの予め定められた所定の特性値に対する測定結
果の精度或いは感度を測定し、検出結果に対する補正を
行う為に当該精度或いは感度に対する補正値を求める補
正値設定手段７０が設けられており、当該補正値設定手
段７０に於いては、予め定められた所定の特性値を持っ
た基準サンプル４を測定部６０に設けられた複数のＤＵ
Ｔ部１２のそれぞれに順次に搭載せしめる基準サンプル
順次搭載手段５、当該基準サンプル４の当該所定の特性
値を予め測定しておき、その結果を記憶しておく第１の
記憶手段６、当該それぞれのＤＵＴ部１２に於いて、当
該基準サンプル４について所定の特性値を測定し、当該
測定結果を記憶する第２の記憶手段７、当該第２の記憶
手段７に格納された当該各ＤＵＴ部１２に於ける当該基
準サンプル４の測定値と当該第１の記憶手段６に記憶さ
れた当該基準サンプル４の当該所定の特性値とを比較し
てその差分値を演算し、当該ＤＵＴ部１２それぞれに於
ける補正値を決定する差分値演算手段８、当該各ＤＵＴ
部毎に決定された当該補正値を記憶しておく第３の記憶
手段９、複数個のＤＵＴ部１２のそれぞれに搭載された
被検査半導体装置３のそれぞれに付いて、同時に図３に
於ける測定リミット演算モードにて決定した測定リミッ
ト値を取り込んだ測定プログラムによる所定の検査処理
を当該テスト領域６０に於て実行し、当該演算結果に応
じて当該被検査半導体装置３を所定のカテゴリーにそれ
ぞれ分類するソーティング手段９０とから構成されてい
る半導体装置のハンドラー装置１００が示されている。
置の検査装置のハンドラー装置１００の一具体例の構成
の概要を示すブロックダイアグラムであって、図中、複
数個の被検査半導体装置が納まるポケット１を含むトレ
イ２を使用し、当該トレイ２の各ポケット部１に、それ
ぞれに被検査半導体装置３をそれぞれ搭載した後、所定
のルートに沿って、当該トレイ２を測定部入口まで移動
し、その後、複数の被検査装置を測定部の複数のＤＵＴ
に、移動させる事によって、複数個の被検査半導体装置
３を同時に検査して、当該検査結果に応じて、当該複数
個の被検査半導体装置３を所定の良品カテゴリ、及び不
良品カテゴリに分類する様に構成された被検査装置セッ
ト部５０及び測定部６０、被検査装置取り出し部９０と
を含む半導体装置の検査装置のハンドラー装置１００に
於いて、当該半導体装置のハンドラー装置１００には、
当該トレイ２に設けられている複数個のポケット部１の
それぞれの予め定められた所定の特性値に対する測定結
果の精度或いは感度を測定し、検出結果に対する補正を
行う為に当該精度或いは感度に対する補正値を求める補
正値設定手段７０が設けられており、当該補正値設定手
段７０に於いては、予め定められた所定の特性値を持っ
た基準サンプル４を測定部６０に設けられた複数のＤＵ
Ｔ部１２のそれぞれに順次に搭載せしめる基準サンプル
順次搭載手段５、当該基準サンプル４の当該所定の特性
値を予め測定しておき、その結果を記憶しておく第１の
記憶手段６、当該それぞれのＤＵＴ部１２に於いて、当
該基準サンプル４について所定の特性値を測定し、当該
測定結果を記憶する第２の記憶手段７、当該第２の記憶
手段７に格納された当該各ＤＵＴ部１２に於ける当該基
準サンプル４の測定値と当該第１の記憶手段６に記憶さ
れた当該基準サンプル４の当該所定の特性値とを比較し
てその差分値を演算し、当該ＤＵＴ部１２それぞれに於
ける補正値を決定する差分値演算手段８、当該各ＤＵＴ
部毎に決定された当該補正値を記憶しておく第３の記憶
手段９、複数個のＤＵＴ部１２のそれぞれに搭載された
被検査半導体装置３のそれぞれに付いて、同時に図３に
於ける測定リミット演算モードにて決定した測定リミッ
ト値を取り込んだ測定プログラムによる所定の検査処理
を当該テスト領域６０に於て実行し、当該演算結果に応
じて当該被検査半導体装置３を所定のカテゴリーにそれ
ぞれ分類するソーティング手段９０とから構成されてい
る半導体装置のハンドラー装置１００が示されている。
【００１７】上記具体例に於いては、当該それぞれのＤ
ＵＴ部１２に対して当該ＤＵＴ部１２に於ける測定精度
に対する補正値を算出し、それぞれのＤＵＴ部１２で測
定された所定の特性値に関する出力に対して、それぞれ
当該補正値を適用して当該特性値出力に対して修正され
た特性値の出力を使用するものであるが、本発明に於け
る他の具体例に於いては、例えば、当該測定部６０内の
各ＤＵＴ部１２毎に決定された当該補正値から、当該測
定部６０内の全てのＤＵＴ部１２に共通の補正値を求め
る共通補正値演算手段１０が更に設けられており、当該
共通の補正値を使用して、当該測定部６０に於ける複数
個のＤＵＴ部１２のそれぞれに搭載された被検査半導体
装置３のそれぞれに付いて、同時に所定の検査処理を実
行し、その際、図３に於ける測定リミット演算モードに
て決定した測定リミット値に於て、測定部６０の複数の
ＤＵＴ共通の補正値にて求めた測定リミット値を取り込
んだ測定プログラムによる所定の検査処理を行う様に構
成されたものであってもよい。
ＵＴ部１２に対して当該ＤＵＴ部１２に於ける測定精度
に対する補正値を算出し、それぞれのＤＵＴ部１２で測
定された所定の特性値に関する出力に対して、それぞれ
当該補正値を適用して当該特性値出力に対して修正され
た特性値の出力を使用するものであるが、本発明に於け
る他の具体例に於いては、例えば、当該測定部６０内の
各ＤＵＴ部１２毎に決定された当該補正値から、当該測
定部６０内の全てのＤＵＴ部１２に共通の補正値を求め
る共通補正値演算手段１０が更に設けられており、当該
共通の補正値を使用して、当該測定部６０に於ける複数
個のＤＵＴ部１２のそれぞれに搭載された被検査半導体
装置３のそれぞれに付いて、同時に所定の検査処理を実
行し、その際、図３に於ける測定リミット演算モードに
て決定した測定リミット値に於て、測定部６０の複数の
ＤＵＴ共通の補正値にて求めた測定リミット値を取り込
んだ測定プログラムによる所定の検査処理を行う様に構
成されたものであってもよい。
【００１８】当該共通の補正値は、適宜の第４の記憶手
段１１に記憶させておく事が望ましい。
段１１に記憶させておく事が望ましい。
【００１９】当該第３の記憶手段９に記憶された補正値
の情報、或いは当該第４の記憶手段１１に記憶された当
該共通の補正値は、それぞれ当該半導体装置の検査装置
のハンドラー装置１００の全体の作動を制御する中央演
算手段１１０に必要に応じて伝達される。
の情報、或いは当該第４の記憶手段１１に記憶された当
該共通の補正値は、それぞれ当該半導体装置の検査装置
のハンドラー装置１００の全体の作動を制御する中央演
算手段１１０に必要に応じて伝達される。
【００２０】尚、本具体例に於ける当該共通の補正値を
求める場合の基本的な技術思想としては、例えば、当該
測定部６０に設けられた複数個のＤＵＴ部１２に対する
共通の補正値を求めるに際し、当該全てのＤＵＴ部１２
に於ける特定の特性値の内で、当該測定結果を当該基準
データとの差分値から得られた各補正値から、当該補正
値が最もルーズに見える補正値を当該共通の補正値とし
て選定するものである。
求める場合の基本的な技術思想としては、例えば、当該
測定部６０に設けられた複数個のＤＵＴ部１２に対する
共通の補正値を求めるに際し、当該全てのＤＵＴ部１２
に於ける特定の特性値の内で、当該測定結果を当該基準
データとの差分値から得られた各補正値から、当該補正
値が最もルーズに見える補正値を当該共通の補正値とし
て選定するものである。
【００２１】一方、本具体例に於いては、当該測定部６
０に於ける複数個の当該ＤＵＴ部１２に関する当該補正
値の演算操作を所定の頻度で繰り返す様に構成されてい
る事が望ましい。
０に於ける複数個の当該ＤＵＴ部１２に関する当該補正
値の演算操作を所定の頻度で繰り返す様に構成されてい
る事が望ましい。
【００２２】つまり、本具体例に於て、当該測定部６０
に付いては、時系列的に当該各ＤＵＴ部１２に於ける所
定の特性値に対する検出精度は、測定を繰り返す事で、
例えば、測定部６０に於ける測定ＤＵＴ１２を構成する
ソケットと被検査装置とが電気的に接触するソケット部
分の金属部分が酸化等により抵抗分が生じた場合、補正
値トして古いデータを使用していた場合、測定誤差とし
て検査結果に影響する事が知られている。従って、当該
補正値も時間経過に合わせて、当該補正値を調整する事
が望ましい。
に付いては、時系列的に当該各ＤＵＴ部１２に於ける所
定の特性値に対する検出精度は、測定を繰り返す事で、
例えば、測定部６０に於ける測定ＤＵＴ１２を構成する
ソケットと被検査装置とが電気的に接触するソケット部
分の金属部分が酸化等により抵抗分が生じた場合、補正
値トして古いデータを使用していた場合、測定誤差とし
て検査結果に影響する事が知られている。従って、当該
補正値も時間経過に合わせて、当該補正値を調整する事
が望ましい。
【００２３】従って、本発明に於いては、例えば測定部
６０に関して、１週間おき、１０日おき、１か月おき等
の適宜に選択された頻度条件を採用して当該補正値を常
に最適な状態にする事が好ましい。
６０に関して、１週間おき、１０日おき、１か月おき等
の適宜に選択された頻度条件を採用して当該補正値を常
に最適な状態にする事が好ましい。
【００２４】係る補正値の調整操作に際しては、例えば
頻度設定制御手段１５を設け、当該頻度設定制御手段１
５に、予め定められた適宜の頻度情報を入力する事によ
って実行する事が可能である。
頻度設定制御手段１５を設け、当該頻度設定制御手段１
５に、予め定められた適宜の頻度情報を入力する事によ
って実行する事が可能である。
【００２５】又、本具体例の別の実施例に於いては、最
初の当該補正値の演算操作が完了後、当該頻度設定制御
手段１５により、新たに当該補正値を求める場合には、
当該基準サンプル順次搭載手段５は、当該基準サンプル
４を当該測定部６０に於ける複数個の当該ＤＵＴ部１２
の内、予め定められた所定の部位のＤＵＴ部１２’のみ
に、順次搭載し、当該基準サンプル４を搭載した当該Ｄ
ＵＴ部１２於ける補正値を求める様に構成されている事
も望ましい。
初の当該補正値の演算操作が完了後、当該頻度設定制御
手段１５により、新たに当該補正値を求める場合には、
当該基準サンプル順次搭載手段５は、当該基準サンプル
４を当該測定部６０に於ける複数個の当該ＤＵＴ部１２
の内、予め定められた所定の部位のＤＵＴ部１２’のみ
に、順次搭載し、当該基準サンプル４を搭載した当該Ｄ
ＵＴ部１２於ける補正値を求める様に構成されている事
も望ましい。
【００２６】又、本具体例のその他の実施例に於ける当
該基準サンプル順次搭載手段５は、予め定め用意された
所定の特性値を持った複数個の基準サンプル４、４’
を、当該測定部６０に於ける複数個の当該ＤＵＴ部１２
の全部若しくは、予め定められた所定の部位１２’のみ
に、順次移動搭載せしめ、それぞれのＤＵＴ部１２に関
する当該補正値を当該複数個の基準サンプル４、４’を
使用して求める様に構成されている事も望ましい。
該基準サンプル順次搭載手段５は、予め定め用意された
所定の特性値を持った複数個の基準サンプル４、４’
を、当該測定部６０に於ける複数個の当該ＤＵＴ部１２
の全部若しくは、予め定められた所定の部位１２’のみ
に、順次移動搭載せしめ、それぞれのＤＵＴ部１２に関
する当該補正値を当該複数個の基準サンプル４、４’を
使用して求める様に構成されている事も望ましい。
【００２７】係る操作を実行するに際しては、当該基準
サンプル４を当該基準サンプル順次搭載手段５により、
予め定められた所定の部位のＤＵＴ部１２’のみに、順
次搭載する場合には、当該ＤＵＴ部１２に於ける予め定
められた所定の部位のＤＵＴ部１２’は、過去の当該特
性値に関する測定操作に於て、収集された当該ＤＵＴ部
の所定の特性値に関する測定データが、予め定められた
基準値を越えるバラツキを示すＤＵＴ部１２’を指定す
る事が望ましい。
サンプル４を当該基準サンプル順次搭載手段５により、
予め定められた所定の部位のＤＵＴ部１２’のみに、順
次搭載する場合には、当該ＤＵＴ部１２に於ける予め定
められた所定の部位のＤＵＴ部１２’は、過去の当該特
性値に関する測定操作に於て、収集された当該ＤＵＴ部
の所定の特性値に関する測定データが、予め定められた
基準値を越えるバラツキを示すＤＵＴ部１２’を指定す
る事が望ましい。
【００２８】係るＤＵＴ部１２’としては、例えば、当
該測定部６０の端部に相当するＤＵＴ部のケース等が好
ましくは選択される。
該測定部６０の端部に相当するＤＵＴ部のケース等が好
ましくは選択される。
【００２９】つまり、本発明に関わる当該半導体装置の
検査装置のハンドラー装置１００において、特に複数Ｄ
ＵＴ部１２の測定部６０を持つ半導体装置の検査装置の
ハンドラー装置装置１００において、あらかじめ基準デ
ーターを有する基準サンプル４としての半導体製造装置
を、半導体装置の検査装置に於けるハンドラー１００内
に格納しておき、定期的に、当該基準サンプル４を、Ｄ
ＵＴ部間１２で移動させデーター収集を行い、ＤＵＴ部
の補正値として使用するものである。
検査装置のハンドラー装置１００において、特に複数Ｄ
ＵＴ部１２の測定部６０を持つ半導体装置の検査装置の
ハンドラー装置装置１００において、あらかじめ基準デ
ーターを有する基準サンプル４としての半導体製造装置
を、半導体装置の検査装置に於けるハンドラー１００内
に格納しておき、定期的に、当該基準サンプル４を、Ｄ
ＵＴ部間１２で移動させデーター収集を行い、ＤＵＴ部
の補正値として使用するものである。
【００３０】半導体装置の検査装置のハンドラー装置１
００において、図２に示す様に、基準テスターにてあら
かじめ測定した電気的特性データー（基準データー）を
もつ、基準サンプル４を格納するための格納スペースを
有し、上記基準サンプル４初期設定時にあらかじめ入力
した頻度回数に伴って、定期的に図２のように、ハンド
ラー内の当該測定部６０の各ＤＵＴ部１２を移動させる
機能を有し、各ＤＵＴ部１２において基準サンプルの電
気的特性データーを自動収集する機能を有し、自動収集
した基準サンプルの電気的特性データーを、初期設定時
に入力した基準テスターにて測定した電気的特性データ
ー（基準データー）と比較演算する機能を有し、演算後
の補正値を補正値ファイルを作成、記憶する機能を有
し、記憶された補正値データーを通常の測定モード時に
呼び出し、実測値に対して当該補正値を使用して修正さ
れた特性値データを使用して被検査半導体製造装置３を
検査する機能を有する。
００において、図２に示す様に、基準テスターにてあら
かじめ測定した電気的特性データー（基準データー）を
もつ、基準サンプル４を格納するための格納スペースを
有し、上記基準サンプル４初期設定時にあらかじめ入力
した頻度回数に伴って、定期的に図２のように、ハンド
ラー内の当該測定部６０の各ＤＵＴ部１２を移動させる
機能を有し、各ＤＵＴ部１２において基準サンプルの電
気的特性データーを自動収集する機能を有し、自動収集
した基準サンプルの電気的特性データーを、初期設定時
に入力した基準テスターにて測定した電気的特性データ
ー（基準データー）と比較演算する機能を有し、演算後
の補正値を補正値ファイルを作成、記憶する機能を有
し、記憶された補正値データーを通常の測定モード時に
呼び出し、実測値に対して当該補正値を使用して修正さ
れた特性値データを使用して被検査半導体製造装置３を
検査する機能を有する。
【００３１】又、初期設定時に入力した頻度に達した場
合、再び、基準サンプル４による測定リミット値の演算
モードに入る機能を有する。
合、再び、基準サンプル４による測定リミット値の演算
モードに入る機能を有する。
【００３２】つまり、本発明に係る当該半導体装置の検
査装置のハンドラー装置１００の基本的な構成として
は、基準サンプル４を格納する機能をもち、格納した基
準サンプル４を、当該測定部６０の各ＤＵＴ１２に循環
搭載させ、かつ各ＤＵＴ部毎に予め定められた特性値に
付いて測定操作を実行し、当該測定結果をデーターとし
て、ＤＵＴ部１２毎に収集する機能をもち、前記収集し
たデーターを基準サンプルのデーターと比較し、その差
分値を補正値として算出後、各ＤＵＴ部１２に被検査半
導体装置３をそれぞれ搭載せしめて、上記と同様の特性
値検査を実行し、その測定結果に対して、当該補正値を
使用して、修正する様に構成されているものである。
査装置のハンドラー装置１００の基本的な構成として
は、基準サンプル４を格納する機能をもち、格納した基
準サンプル４を、当該測定部６０の各ＤＵＴ１２に循環
搭載させ、かつ各ＤＵＴ部毎に予め定められた特性値に
付いて測定操作を実行し、当該測定結果をデーターとし
て、ＤＵＴ部１２毎に収集する機能をもち、前記収集し
たデーターを基準サンプルのデーターと比較し、その差
分値を補正値として算出後、各ＤＵＴ部１２に被検査半
導体装置３をそれぞれ搭載せしめて、上記と同様の特性
値検査を実行し、その測定結果に対して、当該補正値を
使用して、修正する様に構成されているものである。
【００３３】係る本発明の半導体装置の検査装置のハン
ドラー装置１００に於ける動作手順の一例を図３に示さ
れるフローチャートを参照しながら説明する。
ドラー装置１００に於ける動作手順の一例を図３に示さ
れるフローチャートを参照しながら説明する。
【００３４】先ず、ステップ（５１）に於いては、適宜
の基準テスター（図示せず）を使用して、基準サンプル
４に付いて、予め定められた電気的特性データーに関し
て測定を実行し、その測定データを基準データとして第
１の記憶手段６に格納する。
の基準テスター（図示せず）を使用して、基準サンプル
４に付いて、予め定められた電気的特性データーに関し
て測定を実行し、その測定データを基準データとして第
１の記憶手段６に格納する。
【００３５】その後、頻度設定制御手段１５に測定デー
タ収集操作を実行する周期情報として、例えば１週間お
き、１０日おき、１か月おき等のデータを入力するか、
或いは頻度情報は、操作回数１０回おき、２０回おき、
３０回おき等のデータを入力する。
タ収集操作を実行する周期情報として、例えば１週間お
き、１０日おき、１か月おき等のデータを入力するか、
或いは頻度情報は、操作回数１０回おき、２０回おき、
３０回おき等のデータを入力する。
【００３６】次いで、ステップ（５２）に移行して、当
該基準サンプル４を当該測定部６０の第１のＤＵＴ部１
２−１に搭載し、予め定められた所定の特性値に関し
て、例えば、上記した測定領域６０を使用して測定操作
を実行し、その結果を第２の記憶手段７に格納し、次い
で当該基準サンプル４を当該測定部６０の第２のＤＵＴ
部１２−２に搭載し、同様の測定操作を実行し、その結
果を第２の記憶手段７に格納し、以下、順に当該基準サ
ンプル４を当該測定部６０の第３乃至第８のＤＵＴ部１
２−３〜１２−８のそれぞれに順次に搭載し、それぞれ
のＤＵＴ部に於て同様の測定操作を実行し、その結果を
第２の記憶手段７にそれぞれ格納する。
該基準サンプル４を当該測定部６０の第１のＤＵＴ部１
２−１に搭載し、予め定められた所定の特性値に関し
て、例えば、上記した測定領域６０を使用して測定操作
を実行し、その結果を第２の記憶手段７に格納し、次い
で当該基準サンプル４を当該測定部６０の第２のＤＵＴ
部１２−２に搭載し、同様の測定操作を実行し、その結
果を第２の記憶手段７に格納し、以下、順に当該基準サ
ンプル４を当該測定部６０の第３乃至第８のＤＵＴ部１
２−３〜１２−８のそれぞれに順次に搭載し、それぞれ
のＤＵＴ部に於て同様の測定操作を実行し、その結果を
第２の記憶手段７にそれぞれ格納する。
【００３７】その後ステップ（５３）に移り、当該第１
の記憶手段６に格納されている基準サンプル４に対する
当該所定の特性値に関する基準データと当該第２の記憶
手段７に記憶されている当該個々のＤＵＴ部１２のそれ
ぞれに於て測定された当該所定の特性値データとから当
該ＤＵＴ部１２のそれぞれについて、測定感度或いは測
定精度の誤差を例えば差分値演算手段８に於て演算し、
その値をそれぞれのＤＵＴ部１２の補正値として第３の
記憶手段９に格納する。
の記憶手段６に格納されている基準サンプル４に対する
当該所定の特性値に関する基準データと当該第２の記憶
手段７に記憶されている当該個々のＤＵＴ部１２のそれ
ぞれに於て測定された当該所定の特性値データとから当
該ＤＵＴ部１２のそれぞれについて、測定感度或いは測
定精度の誤差を例えば差分値演算手段８に於て演算し、
その値をそれぞれのＤＵＴ部１２の補正値として第３の
記憶手段９に格納する。
【００３８】本具体例に於いては、当該補正値の演算
は、当該両者の差分値としている。
は、当該両者の差分値としている。
【００３９】続いて、ステップ（５５）に於て、当該補
正値を適宜の記憶手段に格納した後、ステップ（５６）
に移り、当該記憶手段から当該補正値を読み出し、ステ
ップ（５７）に移行する。
正値を適宜の記憶手段に格納した後、ステップ（５６）
に移り、当該記憶手段から当該補正値を読み出し、ステ
ップ（５７）に移行する。
【００４０】ステップ（５７）に於いては、当該測定部
６０のそれぞれのＤＵＴ部１２に複数個の被検査半導体
装置３を同時に搭載し、当該上記した測定領域６０に移
行させて、それぞれのＤＵＴ部１２に於ける当該被検査
半導体装置３をステップ（５３）に於て、計算された補
正値を取り込んだ検査プログラムを使用して検査を実施
する。
６０のそれぞれのＤＵＴ部１２に複数個の被検査半導体
装置３を同時に搭載し、当該上記した測定領域６０に移
行させて、それぞれのＤＵＴ部１２に於ける当該被検査
半導体装置３をステップ（５３）に於て、計算された補
正値を取り込んだ検査プログラムを使用して検査を実施
する。
【００４１】尚、本具体例に於いては、上記ステップ
（５３）の後に、必要によっては、ステップ（５４）に
移行し、ステップ（５３）に於て求められた当該測定部
６０に於ける各ＤＵＴ部１２のそれぞれに対して求めら
れた当該補正値から、当該測定部６０に於ける複数個の
ＤＵＴ部１２に共通の補正値である測定リミット値を求
める事も可能である。
（５３）の後に、必要によっては、ステップ（５４）に
移行し、ステップ（５３）に於て求められた当該測定部
６０に於ける各ＤＵＴ部１２のそれぞれに対して求めら
れた当該補正値から、当該測定部６０に於ける複数個の
ＤＵＴ部１２に共通の補正値である測定リミット値を求
める事も可能である。
【００４２】本具体例に於ける当該共通の補正値として
の当該測定リミット値は、上記した様に、当該測定部６
０に設けられた複数個のＤＵＴ部に対する共通の補正値
を求めるに際し、先ず、個々のＤＵＴ部にて求めた各測
定項目の補正値の内で、各ＤＵＴの持つ補正値入力全の
実の測定結果について全てのＤＵＴ部の中で最もルーズ
に見えるＤＵＴ部の補正値を当該共通の補正値として選
定する事で、不良品を流出させないと言う技術思想に基
づいて決定されるものである。
の当該測定リミット値は、上記した様に、当該測定部６
０に設けられた複数個のＤＵＴ部に対する共通の補正値
を求めるに際し、先ず、個々のＤＵＴ部にて求めた各測
定項目の補正値の内で、各ＤＵＴの持つ補正値入力全の
実の測定結果について全てのＤＵＴ部の中で最もルーズ
に見えるＤＵＴ部の補正値を当該共通の補正値として選
定する事で、不良品を流出させないと言う技術思想に基
づいて決定されるものである。
【００４３】従って、換言するならば、個々のテスト項
目に関する全ＤＵＴ部に対して使用される測定データの
リミット値は、本具体例に於ける当該共通の補正値と見
なされるものである。
目に関する全ＤＵＴ部に対して使用される測定データの
リミット値は、本具体例に於ける当該共通の補正値と見
なされるものである。
【００４４】係る共通の補正値である測定リミット値を
ステップ（５５）に於て、適宜の記憶手段に格納した
後、ステップ（５６）に移り、当該記憶手段から当該測
定リミット値を読み出し、ステップ（５７）に移行する
事も可能である。
ステップ（５５）に於て、適宜の記憶手段に格納した
後、ステップ（５６）に移り、当該記憶手段から当該測
定リミット値を読み出し、ステップ（５７）に移行する
事も可能である。
【００４５】係る場合には、上記したと同様に、ステッ
プ（５７）に於いては、当該測定部６０のそれぞれのＤ
ＵＴ部１２に複数個の被検査半導体装置３を同時に搭載
し、当該上記した測定領域６０に移行させて、それぞれ
のＤＵＴ部１２に於ける当該被検査半導体装置３をステ
ップ（５４）に於て、計算された測定リミット値を取り
込んだ検査プログラムを使用して検査を実施する。
プ（５７）に於いては、当該測定部６０のそれぞれのＤ
ＵＴ部１２に複数個の被検査半導体装置３を同時に搭載
し、当該上記した測定領域６０に移行させて、それぞれ
のＤＵＴ部１２に於ける当該被検査半導体装置３をステ
ップ（５４）に於て、計算された測定リミット値を取り
込んだ検査プログラムを使用して検査を実施する。
【００４６】次いで、ステップ（５８）に移り、ロット
の当該被検査半導体装置の全てのものが検査測定操作を
受けたか否かが判断され、ＹＥＳであれば、ステップ
（６０）に移行し、又、ステップ（５８）でＮＯであれ
ば、次の被検査装置の測定の為にステップ（５７）に戻
り、上記した操作が繰り返される。
の当該被検査半導体装置の全てのものが検査測定操作を
受けたか否かが判断され、ＹＥＳであれば、ステップ
（６０）に移行し、又、ステップ（５８）でＮＯであれ
ば、次の被検査装置の測定の為にステップ（５７）に戻
り、上記した操作が繰り返される。
【００４７】又、ステップ（６０）に於いては、一つの
ロットに付いて被検査装置の測定が終了したと判断され
るが、次いでステップ（６１）に進み、ステップ（１）
で設定された、基準サンプルデータの収集頻度に到達し
ているか否かが判断され、ＮＯであればステップ（５
７）に戻り、上記した各ステップが繰り返され、ＹＥＳ
となれば、ステップ（５２）に戻って、新たに、各ＤＵ
Ｔに付いての補正値或いは測定リミット値を測定する
為、上記した各工程が繰り返される。
ロットに付いて被検査装置の測定が終了したと判断され
るが、次いでステップ（６１）に進み、ステップ（１）
で設定された、基準サンプルデータの収集頻度に到達し
ているか否かが判断され、ＮＯであればステップ（５
７）に戻り、上記した各ステップが繰り返され、ＹＥＳ
となれば、ステップ（５２）に戻って、新たに、各ＤＵ
Ｔに付いての補正値或いは測定リミット値を測定する
為、上記した各工程が繰り返される。
【００４８】本具体例に於いては、上記した様に、あら
かじめ入力した頻度にて、当該補正値若しくは共通の補
正値を周期的に自動測定するため、技術者の作業軽減が
期待でき、かつ、自動測定のため、頻度を調整すること
により、頻度を適正化するのが従来より容易となり、補
正値が、適正化されていないために起こる不良品の流出
又は、歩留まり低下等の危険性を低減することが可能に
なる。
かじめ入力した頻度にて、当該補正値若しくは共通の補
正値を周期的に自動測定するため、技術者の作業軽減が
期待でき、かつ、自動測定のため、頻度を調整すること
により、頻度を適正化するのが従来より容易となり、補
正値が、適正化されていないために起こる不良品の流出
又は、歩留まり低下等の危険性を低減することが可能に
なる。
【００４９】此処で、上記した本具体例に於ける補正値
及び共通の補正値を求める具体例を説明する。
及び共通の補正値を求める具体例を説明する。
【００５０】即ち、上記した本発明に於ける具体例の半
導体装置の検査装置のハンドラー装置１００を使用し
て、所定の半導体装置３を、各々のテスト項目として、
例えば、スタンバイ電流値、電圧マージン（ＭＡＸ）、
電圧マージン（ＭＩＮ）、アクセスタイム、及び周波数
のそれぞれに付いて、４個のＤＵＴ部１２−１から１−
４を有する測定部６０の各測定ＤＵＴ部を使用して、所
定の温度条件下に測定し、予め定められた基準サンプル
の基準データと比較して補正値及び共通の補正値を求め
た結果を以下の表に示す。
導体装置の検査装置のハンドラー装置１００を使用し
て、所定の半導体装置３を、各々のテスト項目として、
例えば、スタンバイ電流値、電圧マージン（ＭＡＸ）、
電圧マージン（ＭＩＮ）、アクセスタイム、及び周波数
のそれぞれに付いて、４個のＤＵＴ部１２−１から１−
４を有する測定部６０の各測定ＤＵＴ部を使用して、所
定の温度条件下に測定し、予め定められた基準サンプル
の基準データと比較して補正値及び共通の補正値を求め
た結果を以下の表に示す。
【００５１】尚、以下の表に於て、真値と表示されてい
る欄は、使用された基準サンプルの基準データである。
る欄は、使用された基準サンプルの基準データである。
【００５２】
【表１】
【００５３】上記表１から明らかな様に、本発明に於い
ては、各ＤＵＴで算出した補正値をそのまま各ＤＵＴに
使用する事も可能であり、又トレイの各ＤＵＴ部に共通
して共通のＤＵＴ部補正値を使用する事も可能である。
ては、各ＤＵＴで算出した補正値をそのまま各ＤＵＴに
使用する事も可能であり、又トレイの各ＤＵＴ部に共通
して共通のＤＵＴ部補正値を使用する事も可能である。
【００５４】本具体例に於いては、当該共通の補正値
は、不良品の流出がない様に各ＤＵＴ部に於ける個別の
テスト項目に関し、基準サンプルの測定データの中で測
定結果が一番見かけ上良く見えるＤＵＴ部の補正値、つ
まり、当該各測定結果に対して、見かけ上、最も甘く見
える真値を、厳しくする方向にある補正値を、その特性
値に対する共通の補正値として採用したものである。
は、不良品の流出がない様に各ＤＵＴ部に於ける個別の
テスト項目に関し、基準サンプルの測定データの中で測
定結果が一番見かけ上良く見えるＤＵＴ部の補正値、つ
まり、当該各測定結果に対して、見かけ上、最も甘く見
える真値を、厳しくする方向にある補正値を、その特性
値に対する共通の補正値として採用したものである。
【００５５】以下に、本発明に係る当該半導体装置の検
査装置及び半導体装置の検査方法の他の具体例に付いて
図４を参照しながら説明する。
査装置及び半導体装置の検査方法の他の具体例に付いて
図４を参照しながら説明する。
【００５６】即ち、図４は、本発明に係る当該半導体装
置の検査装置のハンドラー装置１００に於いて、当該基
準サンプル４を当該測定部６０のＤＵＴ部１２のそれぞ
れに順次に搭載して、当該補正値を求める場合の具体例
説明するものであり、具体的には、補正値或いは共通の
補正値を収集する演算モードの中で、基準サンプル４に
よる各ＤＵＴ部１２からのデーター収集の際、決められ
たＤＵＴ部１２’のみに当該基準サンプル４を搭載し、
当該ＤＵＴ部１２’のみから当該補正値データー収集を
行うものである。
置の検査装置のハンドラー装置１００に於いて、当該基
準サンプル４を当該測定部６０のＤＵＴ部１２のそれぞ
れに順次に搭載して、当該補正値を求める場合の具体例
説明するものであり、具体的には、補正値或いは共通の
補正値を収集する演算モードの中で、基準サンプル４に
よる各ＤＵＴ部１２からのデーター収集の際、決められ
たＤＵＴ部１２’のみに当該基準サンプル４を搭載し、
当該ＤＵＴ部１２’のみから当該補正値データー収集を
行うものである。
【００５７】つまり、本具体例に於いては、ＤＵＴ部１
２’のみの補正値は更新されるが、他のＤＵＴ部１２に
於ける補正値は、更新はされないので、当該共通の補正
値を求める場合には、当該更新された補正値と更新され
ていない補正値とが使用される事になる。
２’のみの補正値は更新されるが、他のＤＵＴ部１２に
於ける補正値は、更新はされないので、当該共通の補正
値を求める場合には、当該更新された補正値と更新され
ていない補正値とが使用される事になる。
【００５８】本具体例に於いては、例えば、当該補正値
が変動しやすいＤＵＴ部が、予め解っている場合、当該
特定のＤＵＴ部１２’のみチェックを行い補正すること
が可能となる。
が変動しやすいＤＵＴ部が、予め解っている場合、当該
特定のＤＵＴ部１２’のみチェックを行い補正すること
が可能となる。
【００５９】本具体例によれば、通常の補正値或いは共
通の補正値を求める場合の演算モードの時間を短縮する
事が可能となる。
通の補正値を求める場合の演算モードの時間を短縮する
事が可能となる。
【００６０】又、本具体例に於て、当該特定のＤＵＴ部
１２’の選定方法としては、特に限定されるものではな
いが、例えば、当該測定部６０の端部に存在するＤＵＴ
部１２を主に選択する事も可能であり、更には、当該各
ＤＵＴ部１２に於ける補正値或いはその履歴を、ハンド
ラー（又は、テスター内）にデーターとして、適宜の記
憶媒体、例えば、メモリー、ファイル等に、記憶させて
おき、過去の補正値との差が、ある一定の差が生じた場
合、そのＤＵＴ部１２’のみを、補正値或いは共通の補
正値である測定リミット値データーの収集の為の演算モ
ードにおいて、補正値決定のためのデーター収集に使用
する事も可能である。
１２’の選定方法としては、特に限定されるものではな
いが、例えば、当該測定部６０の端部に存在するＤＵＴ
部１２を主に選択する事も可能であり、更には、当該各
ＤＵＴ部１２に於ける補正値或いはその履歴を、ハンド
ラー（又は、テスター内）にデーターとして、適宜の記
憶媒体、例えば、メモリー、ファイル等に、記憶させて
おき、過去の補正値との差が、ある一定の差が生じた場
合、そのＤＵＴ部１２’のみを、補正値或いは共通の補
正値である測定リミット値データーの収集の為の演算モ
ードにおいて、補正値決定のためのデーター収集に使用
する事も可能である。
【００６１】図５は、本発明に係る他の具体例を説明す
る図であって、本具体例に於いては、少なくとも２種類
の基準サンプル４、４’を使用するものである。
る図であって、本具体例に於いては、少なくとも２種類
の基準サンプル４、４’を使用するものである。
【００６２】つまり、本具体例に於いては、当該基準サ
ンプル４の個数が、複数個であることを特徴とし、複数
個の基準サンプルを格納できる格納スペースを有し、そ
れぞれの基準サンプル４、４’は、基準サンプルデータ
ーをそれぞれ有し、又当該基準サンプル順次搭載手段５
は、当該複数個の基準サンプル４、４’を各ＤＵＴ部１
２−１から１２−８に、順次同一のシークエンスで循環
させる機能を有するものである。
ンプル４の個数が、複数個であることを特徴とし、複数
個の基準サンプルを格納できる格納スペースを有し、そ
れぞれの基準サンプル４、４’は、基準サンプルデータ
ーをそれぞれ有し、又当該基準サンプル順次搭載手段５
は、当該複数個の基準サンプル４、４’を各ＤＵＴ部１
２−１から１２−８に、順次同一のシークエンスで循環
させる機能を有するものである。
【００６３】本具体例に於いては、当該複数個の基準サ
ンプル４、４’の各ＤＵＴ部１２−１から１２−８のデ
ーターを収集する機能を有し、複数個の基準サンプル
４、４’において、各ＤＵＴ部１２−１から１２−８の
補正値を演算してもとめ、複数個の基準サンプル４、
４’において、もとめた、各ＤＵＴ部１２−１から１２
−８の複数個の補正値を、平均値等の演算処理後、その
ＤＵＴ部の補正値としてをもとめて、各ＤＵＴ部の補正
値とする半導体製造装置の検査装置及び半導体装置の検
査方法である。
ンプル４、４’の各ＤＵＴ部１２−１から１２−８のデ
ーターを収集する機能を有し、複数個の基準サンプル
４、４’において、各ＤＵＴ部１２−１から１２−８の
補正値を演算してもとめ、複数個の基準サンプル４、
４’において、もとめた、各ＤＵＴ部１２−１から１２
−８の複数個の補正値を、平均値等の演算処理後、その
ＤＵＴ部の補正値としてをもとめて、各ＤＵＴ部の補正
値とする半導体製造装置の検査装置及び半導体装置の検
査方法である。
【００６４】又、本発明に於いては、当該所定の特性値
に関して、異なる温度条件下に個別い測定操作を実行
し、その測定値を求める事も可能である。
に関して、異なる温度条件下に個別い測定操作を実行
し、その測定値を求める事も可能である。
【００６５】例えば、本具体例に於いては、複数の温度
において、当該所定の特性値に関して被検査半導体装置
３を測定し、補正値を求めるに際し、当該温度を複数の
温度、例えば、―５度、２５度、９０度で、当該基準サ
ンプルをハンドラー内に格納した状態で各ＤＵＴ部を循
環させ、かつＤＵＴ部１２−１から１２−８毎のデータ
ーとして当該所定の特性値データを測定し、一方、当該
基準サンプル４の当該特性値を測定した温度条件と同一
の複数の温度条件下に、例えば、―５度、２５度、９０
度にて、被検査半導体装置３をハンドラー内の当該測定
部６０のＤＵＴ部１２−１から１２−８のそれぞれに格
納し、同一の条件に於ける当該所定の特性値に付いて測
定を行うものである。
において、当該所定の特性値に関して被検査半導体装置
３を測定し、補正値を求めるに際し、当該温度を複数の
温度、例えば、―５度、２５度、９０度で、当該基準サ
ンプルをハンドラー内に格納した状態で各ＤＵＴ部を循
環させ、かつＤＵＴ部１２−１から１２−８毎のデータ
ーとして当該所定の特性値データを測定し、一方、当該
基準サンプル４の当該特性値を測定した温度条件と同一
の複数の温度条件下に、例えば、―５度、２５度、９０
度にて、被検査半導体装置３をハンドラー内の当該測定
部６０のＤＵＴ部１２−１から１２−８のそれぞれに格
納し、同一の条件に於ける当該所定の特性値に付いて測
定を行うものである。
【００６６】そして、本具体例に於いては、それぞれの
複数の温度条件下に於ける、当該測定データーとして収
集し、収集されたデーターを、同一温度同志の基準サン
プルのデーターと比較、各温度の補正値を算出後、複数
の温度の測定リミット値の補正値としてプログラムに反
映、各測定温度毎に、補正値を演算する機能を有する半
導体製造装置の検査装置である。
複数の温度条件下に於ける、当該測定データーとして収
集し、収集されたデーターを、同一温度同志の基準サン
プルのデーターと比較、各温度の補正値を算出後、複数
の温度の測定リミット値の補正値としてプログラムに反
映、各測定温度毎に、補正値を演算する機能を有する半
導体製造装置の検査装置である。
【００６７】上記した本発明に係る具体例から明らかな
様に、本発明に係る当該半導体装置の検査方法は、基本
的には、以下の様な工程から構成されている。
様に、本発明に係る当該半導体装置の検査方法は、基本
的には、以下の様な工程から構成されている。
【００６８】即ち、複数個の被検査半導体装置を同時に
検査して、当該検査結果に応じて、当該複数個の被検査
半導体装置を所定のカテゴリに分類する様に構成された
被検査装置、取り出し部、被検査装置セット部、及び測
定部とを含む半導体装置の検査装置に於いて、当該測定
部に設けられている複数個のＤＵＴ部のそれぞれが持
つ、所定のテスト項目に関する測定値に対する固有の検
出のバラツキを、当該複数個のＤＵＴ部間で補正する為
に、当該複数個のＤＵＴ部のそれぞれに予め定められた
所定の特性値を持った基準サンプルを順次に搭載せしめ
て、当該所定の測定を行った後、当該基準サンプルの持
つ当該所定の特性値に関する予め定められた基準値と、
当該測定された当該特性値に関する測定値との差分値か
ら、当該各ＤＵＴ部毎の所定の特性値に関する測定値に
対する補正値を決定する様に構成された半導体装置の検
査方法である。
検査して、当該検査結果に応じて、当該複数個の被検査
半導体装置を所定のカテゴリに分類する様に構成された
被検査装置、取り出し部、被検査装置セット部、及び測
定部とを含む半導体装置の検査装置に於いて、当該測定
部に設けられている複数個のＤＵＴ部のそれぞれが持
つ、所定のテスト項目に関する測定値に対する固有の検
出のバラツキを、当該複数個のＤＵＴ部間で補正する為
に、当該複数個のＤＵＴ部のそれぞれに予め定められた
所定の特性値を持った基準サンプルを順次に搭載せしめ
て、当該所定の測定を行った後、当該基準サンプルの持
つ当該所定の特性値に関する予め定められた基準値と、
当該測定された当該特性値に関する測定値との差分値か
ら、当該各ＤＵＴ部毎の所定の特性値に関する測定値に
対する補正値を決定する様に構成された半導体装置の検
査方法である。
【００６９】本発明に係る当該半導体装置の検査方法に
於いては、当該測定部に設けられた当該複数個のＤＵＴ
部のそれぞれに、被検査半導体装置を個別に搭載した
後、当該各半導体装置に対して、所定の条件下で、予め
定められたテスト項目に関する測定を行い、得られた当
該テスト項目に関する測定値に対して、当該ＤＵＴ部毎
の当該補正値を使用して補正した測定リミット値を用い
て当該所定のＤＵＴ部に於ける当該被検査半導体装置の
当該特定のテスト項目を検査する事も望ましい。
於いては、当該測定部に設けられた当該複数個のＤＵＴ
部のそれぞれに、被検査半導体装置を個別に搭載した
後、当該各半導体装置に対して、所定の条件下で、予め
定められたテスト項目に関する測定を行い、得られた当
該テスト項目に関する測定値に対して、当該ＤＵＴ部毎
の当該補正値を使用して補正した測定リミット値を用い
て当該所定のＤＵＴ部に於ける当該被検査半導体装置の
当該特定のテスト項目を検査する事も望ましい。
【００７０】更に、本発明に於ける当該半導体装置の検
査方法に於いては、当該測定部の各ＤＵＴ部毎に決定さ
れた当該補正値から、当該測定部の各ＤＵＴ部に共通の
補正値を求め、当該測定部に於ける複数個のＤＵＴ部の
それぞれに搭載された被検査半導体装置のそれぞれに付
いて、当該共通の補正値を使用して補正したリミット値
を用いて、同時に所定の検査処理を実行し、それぞれの
半導体装置に付いての当該所定のテスト項目を求める検
査手段とから構成されている事も好ましい。
査方法に於いては、当該測定部の各ＤＵＴ部毎に決定さ
れた当該補正値から、当該測定部の各ＤＵＴ部に共通の
補正値を求め、当該測定部に於ける複数個のＤＵＴ部の
それぞれに搭載された被検査半導体装置のそれぞれに付
いて、当該共通の補正値を使用して補正したリミット値
を用いて、同時に所定の検査処理を実行し、それぞれの
半導体装置に付いての当該所定のテスト項目を求める検
査手段とから構成されている事も好ましい。
【００７１】一方、本発明に於ける半導体装置の検査方
法に於いては、当該測定部に設けられた複数個のＤＵＴ
部に対する共通の補正値を求めるに際し、当該全てのＤ
ＵＴ部に於ける特定の特性値の内で、当該測定結果が最
もルーズに見えるＤＵＴ部の補正値を当該共通の補正値
として選定する様に構成する事も好ましい態様である。
法に於いては、当該測定部に設けられた複数個のＤＵＴ
部に対する共通の補正値を求めるに際し、当該全てのＤ
ＵＴ部に於ける特定の特性値の内で、当該測定結果が最
もルーズに見えるＤＵＴ部の補正値を当該共通の補正値
として選定する様に構成する事も好ましい態様である。
【００７２】又、本発明に於ける当該半導体装置の検査
方法に於いては、当該測定部に於ける複数個の当該ＤＵ
Ｔ部に関する当該補正値の演算操作を所定の頻度で繰り
返す様に構成されている事も望ましい。
方法に於いては、当該測定部に於ける複数個の当該ＤＵ
Ｔ部に関する当該補正値の演算操作を所定の頻度で繰り
返す様に構成されている事も望ましい。
【００７３】更に、本発明に係る当該半導体装置の検査
方法に於いては、当該最初の当該補正値の演算操作が完
了後、新たに測定部に於ける各ＤＵＴ部に関して、当該
補正値を求める場合には、当該基準サンプル順次搭載手
段は、当該基準サンプルを当該測定部に於ける複数個の
当該ＤＵＴ部の内、予め定められた所定の部位のＤＵＴ
部のみに、順次搭載し、当該基準サンプルを搭載した当
該ＤＵＴ部に於ける補正値を求める様に構成されている
事も望ましい。
方法に於いては、当該最初の当該補正値の演算操作が完
了後、新たに測定部に於ける各ＤＵＴ部に関して、当該
補正値を求める場合には、当該基準サンプル順次搭載手
段は、当該基準サンプルを当該測定部に於ける複数個の
当該ＤＵＴ部の内、予め定められた所定の部位のＤＵＴ
部のみに、順次搭載し、当該基準サンプルを搭載した当
該ＤＵＴ部に於ける補正値を求める様に構成されている
事も望ましい。
【００７４】更に、本発明に於いては、当該半導体装置
の検査方法は、当該基準サンプルを当該基準サンプル順
次搭載手段により、予め定められた所定の部位のＤＵＴ
部のみに、順次搭載する場合には、当該ＤＵＴ部に於け
る予め定められた所定の部位のＤＵＴ部は、過去の当該
特性値に関する測定操作に於て、収集された当該ＤＵＴ
部の所定の特性値に関する測定データが、予め定められ
た基準値を越えるバラツキを示すＤＵＴ部を選択する様
に構成する事も可能である。
の検査方法は、当該基準サンプルを当該基準サンプル順
次搭載手段により、予め定められた所定の部位のＤＵＴ
部のみに、順次搭載する場合には、当該ＤＵＴ部に於け
る予め定められた所定の部位のＤＵＴ部は、過去の当該
特性値に関する測定操作に於て、収集された当該ＤＵＴ
部の所定の特性値に関する測定データが、予め定められ
た基準値を越えるバラツキを示すＤＵＴ部を選択する様
に構成する事も可能である。
【００７５】係る場合には、当該予め定められた基準値
を越えるバラツキを示すＤＵＴ部は、当該測定部に於け
る端部に位置するＤＵＴ部である事が望ましい。
を越えるバラツキを示すＤＵＴ部は、当該測定部に於け
る端部に位置するＤＵＴ部である事が望ましい。
【００７６】又、本発明に係る当該半導体装置の検査方
法に於いては、予め定め用意された所定の特性値を持っ
た複数個の基準サンプルを、当該測定部に於ける複数個
の当該ＤＵＴ部の全部若しくは、予め定められた所定の
部位のみに、順次移動搭載せしめ、それぞれのＤＵＴ部
に関する当該補正値を当該複数個の基準サンプルを使用
して求める様に構成する事も可能である。
法に於いては、予め定め用意された所定の特性値を持っ
た複数個の基準サンプルを、当該測定部に於ける複数個
の当該ＤＵＴ部の全部若しくは、予め定められた所定の
部位のみに、順次移動搭載せしめ、それぞれのＤＵＴ部
に関する当該補正値を当該複数個の基準サンプルを使用
して求める様に構成する事も可能である。
【００７７】更に、本発明に係る半導体装置の検査方法
に於いては、当該予め定められた所定の部位のＤＵＴ部
に対する当該補正値の更新回数が、その他のＤＵＴ部に
対する当該補正値の更新回数とはことなる様に構成され
ている事も可能である。
に於いては、当該予め定められた所定の部位のＤＵＴ部
に対する当該補正値の更新回数が、その他のＤＵＴ部に
対する当該補正値の更新回数とはことなる様に構成され
ている事も可能である。
【００７８】又、本発明に係る当該半導体装置の検査方
法に於いては、当該測定部に於ける複数個のＤＵＴ部の
それぞれに搭載された被検査半導体装置に対して所定の
特性値を測定するに際して、温度条件を複数の状態に変
化させてそれぞれ測定する様に構成する事も望ましい。
法に於いては、当該測定部に於ける複数個のＤＵＴ部の
それぞれに搭載された被検査半導体装置に対して所定の
特性値を測定するに際して、温度条件を複数の状態に変
化させてそれぞれ測定する様に構成する事も望ましい。
【００７９】
【発明の効果】本発明に係る当該半導体装置の検査装置
及び半導体装置の検査方法は、上記した様な技術構成を
採用しているので、あらかじめ入力した頻度にて、当該
補正値若しくは共通の補正値を周期的に自動測定するた
め、技術者の作業軽減が期待でき、かつ、自動測定のた
め、頻度を調整することにより、頻度を適正化するのが
従来より容易となり、補正値が、適正化されていないた
めに起こる不良品の流出又は、歩留まり低下等の危険性
を低減することが可能になる。
及び半導体装置の検査方法は、上記した様な技術構成を
採用しているので、あらかじめ入力した頻度にて、当該
補正値若しくは共通の補正値を周期的に自動測定するた
め、技術者の作業軽減が期待でき、かつ、自動測定のた
め、頻度を調整することにより、頻度を適正化するのが
従来より容易となり、補正値が、適正化されていないた
めに起こる不良品の流出又は、歩留まり低下等の危険性
を低減することが可能になる。
【図１】図１は、本発明に係る半導体装置の検査装置の
一具体例の構成を説明するブロックダイアグラムであ
る。
一具体例の構成を説明するブロックダイアグラムであ
る。
【図２】図２は、本発明に係る半導体装置の検査装置に
於て、基準サンプルをＤＵＴ部のそれぞれに循環搭載さ
せる場合の一具体例を示す図である。
於て、基準サンプルをＤＵＴ部のそれぞれに循環搭載さ
せる場合の一具体例を示す図である。
【図３】図３は、本発明に係る半導体装置の検査方法の
一具体例に於ける操作手順を説明する為のフローチャー
トである。
一具体例に於ける操作手順を説明する為のフローチャー
トである。
【図４】図４は、本発明に係る半導体装置の検査装置に
於て、基準サンプルをＤＵＴ部のそれぞれに循環搭載さ
せる場合の他の具体例を示す図である。
於て、基準サンプルをＤＵＴ部のそれぞれに循環搭載さ
せる場合の他の具体例を示す図である。
【図５】図５は、本発明に係る半導体装置の検査装置に
於て、基準サンプルをＤＵＴ部のそれぞれに循環搭載さ
せる場合の別の具体例を示す図である。
於て、基準サンプルをＤＵＴ部のそれぞれに循環搭載さ
せる場合の別の具体例を示す図である。
１…ポケット部 ２…トレイ ３…被検査半導体装置 ４…基準サンプル ５…基準サンプル順次搭載手段 ６…第１の記憶手段 ７…第２の記憶手段 ８…差分値演算手段 ９…第３の記憶手段 １０…共通補正値演算手段 １１…第４の記憶手段 １２…測定ＤＵＴ部、ＤＵＴ部 ５０…被検査装置セット部、ハンドラ部 ６０…測定部、テスト領域 ７０…補正値設定手段 ８０…基準サンプル載置台 ９０…ソーティング手段、被検査装置取り出し部 １００…半導体装置の検査装置のハンドラー装置 １１０…中央演算手段
Claims (17)
- 【請求項１】 複数個の被検査半導体装置を同時に検査
して、当該検査結果に応じて、当該複数個の被検査半導
体装置を所定のカテゴリに分類する様に構成された半導
体装置の検査装置におけるハンドラ装置に於いて、予め
定められた所定の特性値を持った基準サンプルを測定部
の複数のＤＵＴ部のそれぞれに順次に搭載せしめる基準
サンプル順次搭載手段、当該基準サンプルの当該所定の
特性値を記憶しておく第１の記憶手段、当該それぞれの
ＤＵＴ部に於いて、当該基準サンプルについて所定の特
性値を測定し、当該測定結果を記憶する第２の記憶手
段、当該第２の記憶手段に格納された当該各ＤＵＴ部に
於ける当該基準サンプルの測定値と当該第１の記憶手段
に記憶された当該基準サンプルの当該所定の特性値との
差分値を演算し、当該ＤＵＴ部それぞれに於ける補正値
を決定する差分値演算手段、当該各ＤＵＴ部毎に決定さ
れた当該補正値を使用して、当該測定部に於ける複数個
のＤＵＴ部のそれぞれに搭載された被検査半導体装置の
それぞれに付いて、同時に所定の検査処理を実行し、そ
れぞれの半導体装置に付いての当該所定の特性値を求め
る検査手段とから構成されている事を特徴とする半導体
装置の検査装置。 - 【請求項２】 当該測定部の各ＤＵＴ部毎に決定された
当該補正値から、当該測定部の各ＤＵＴ部に共通の補正
値を求める共通補正値演算手段が更に設けられており、
当該共通の補正値を使用して、当該測定部に於ける複数
個のＤＵＴ部のそれぞれに搭載された被検査半導体装置
のそれぞれに付いて、同時に所定の検査処理を実行し、
それぞれの半導体装置に付いての当該所定の特性値を求
める検査手段とから構成されている事を特徴とする請求
項１に記載の半導体装置の検査装置。 - 【請求項３】 当該測定部に於ける複数個の当該ＤＵＴ
部に関する当該補正値の演算操作を所定の頻度で繰り返
す様に構成された頻度設定制御手段が更に設けられてい
る事を特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置の
検査装置。 - 【請求項４】 当該頻度設定制御手段により、最初の当
該補正値の演算操作が完了後、新たに当該補正値を求め
る場合には、当該基準サンプル順次搭載手段は、当該基
準サンプルを当該測定部に於ける複数個の当該ＤＵＴ部
の内、予め定められた所定の部位のＤＵＴ部のみに、順
次搭載し、当該基準サンプルを搭載した当該ＤＵＴ部に
於ける補正値を求める様に構成されている事を特徴とす
る請求項１乃至３の何れかに記載の半導体装置の検査装
置。 - 【請求項５】 当該基準サンプル順次搭載手段は、予め
定め用意された所定の特性値を持った複数個の基準サン
プルを、当該測定部に於ける複数個の当該ＤＵＴ部の全
部若しくは、予め定められた所定の部位のみに、順次移
動搭載せしめ、それぞれのＤＵＴ部に関する当該補正値
を当該複数個の基準サンプルを使用して求める様に構成
されている事を特徴とする請求項１乃至４の何れかに記
載の半導体装置の検査装置。 - 【請求項６】 当該基準サンプルを当該基準サンプル順
次搭載手段により、予め定められた所定の部位のＤＵＴ
部のみに、順次搭載する場合には、当該ＤＵＴ部に於け
る予め定められた所定の部位のＤＵＴ部は、過去の当該
特性値に関する測定操作に於て、収集された当該ＤＵＴ
部の所定の特性値に関する測定データが、予め定められ
た基準値を越えるバラツキを示すＤＵＴ部である事を特
徴とする請求項４又は５に記載の半導体装置の検査装
置。 - 【請求項７】 複数個の被検査半導体装置を同時に検査
して、当該検査結果に応じて、当該複数個の被検査半導
体装置を所定のカテゴリに分類する様に構成された半導
体装置の検査装置におけるハンドラ装置に於いて、当該
測定部の複数個のＤＵＴ部のそれぞれが持つ、所定の特
性値に関する測定値に対する固有の検出能力のバラツキ
を、当該複数個のＤＵＴ部間で補正する為に、当該複数
個のＤＵＴ部のそれぞれに予め定められた所定の特性値
を持った基準サンプルを順次に搭載せしめて、当該所定
の測定を行った後、当該基準サンプルの持つ当該所定の
特性値に関する予め定められた基準値と、当該測定され
た当該特性値に関する測定値との差分値から、当該各Ｄ
ＵＴ部毎の所定の特性値に関する測定値に対する補正値
を決定する事を特徴とする半導体装置の検査方法。 - 【請求項８】 当該測定部に設けられた当該複数個のＤ
ＵＴ部のそれぞれに、被検査半導体装置を個別に搭載し
た後、当該各半導体装置に対して、所定の条件下で、予
め定められた特性値に関する測定を行い、得られた当該
特性値に関する測定値に対して、当該ＤＵＴ部毎の当該
補正値を使用して補正処理を行い、当該所定のＤＵＴ部
に於ける当該被検査半導体装置の当該特定の特性値に関
する実測データとする事を特徴とする請求項７に記載の
半導体装置の検査方法。 - 【請求項９】 当該測定部内の各ＤＵＴ部毎に決定され
た当該補正値から、当該測定部内の各ＤＵＴ部に共通の
補正値を求め、当該共通の補正値を使用して、当該測定
部に於ける複数個のＤＵＴ部のそれぞれに搭載された被
検査半導体装置のそれぞれに付いて、同時に所定の検査
処理を実行し、それぞれの半導体装置に付いての当該所
定の特性値を求める検査手段とから構成されている事を
特徴とする請求項７又は８記載の半導体装置の検査方
法。 - 【請求項１０】 当該測定部に設けられた複数個のＤＵ
Ｔ部に対する共通の補正値を求めるに際し、当該全ての
ＤＵＴ部に於ける特定の特性値の内で、当該測定結果が
最もルーズに見える補正値を当該共通の補正値として選
定する事を特徴とする請求項９記載の半導体装置の検査
方法。 - 【請求項１１】 当該測定部に於ける複数個の当該ＤＵ
Ｔ部に関する当該補正値の演算操作を所定の頻度で繰り
返す様に構成された事を特徴とする請求項１又は２に記
載の半導体装置の検査方法。 - 【請求項１２】 当該最初の当該補正値の演算操作が完
了後、新たに測定部に於ける各ＤＵＴ部の当該補正値を
求める場合に関して、当該基準サンプル順次搭載手段
は、当該基準サンプルを当該測定部に於ける複数個の当
該ＤＵＴ部の内、予め定められた所定の部位のＤＵＴ部
のみに、順次搭載し、当該基準サンプルを搭載した当該
ＤＵＴ部に於ける補正値を求める様に構成されている事
を特徴とする請求項７乃至１１の何れかに記載の半導体
装置の検査方法。 - 【請求項１３】 当該基準サンプルを当該基準サンプル
順次搭載手段により、予め定められた所定の部位のＤＵ
Ｔ部のみに、順次搭載する場合には、当該ＤＵＴ部に於
ける予め定められた所定の部位のＤＵＴ部は、過去の当
該特性値に関する測定操作に於て、収集された当該ＤＵ
Ｔ部の所定の特性値に関する測定データが、予め定めら
れた基準値を越えるバラツキを示すＤＵＴ部を選択する
事を特徴とする請求項１２に記載の半導体装置の検査方
法。 - 【請求項１４】 当該予め定められた基準値を越えるバ
ラツキを示すＤＵＴ部は、当該測定部に於ける端部に位
置するＤＵＴ部である事を特徴とする請求項１３記載の
半導体装置の検査方法。 - 【請求項１５】 予め定め用意された所定の特性値を持
った複数個の基準サンプルを、当該測定部に於ける複数
個の当該ＤＵＴ部の全部若しくは、予め定められた所定
の部位のみに、順次移動搭載せしめ、それぞれのＤＵＴ
部に関する当該補正値を当該複数個の基準サンプルを使
用して求める事を特徴とする請求項７乃至１４の何れか
に記載の半導体装置の検査方法。 - 【請求項１６】 当該予め定められた所定の部位のＤＵ
Ｔ部に対する当該補正値の更新回数が、その他のＤＵＴ
部に対する当該補正値の更新回数とはことなる様に構成
されている事を特徴とする請求項１１乃至１５の何れか
に記載の半導体装置の検査方法。 - 【請求項１７】 当該測定部に於ける複数個のＤＵＴ部
のそれぞれに搭載された被検査半導体装置に対して所定
の特性値を測定するに際して、温度条件を複数の状態に
変化させてそれぞれ測定する事を特徴とする請求項７乃
至１６の何れかに記載の半導体装置の検査方法。
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