JPH03214081A - 半導体集積回路のテスト方法 - Google Patents

半導体集積回路のテスト方法

Info

Publication number
JPH03214081A
JPH03214081A JP2009387A JP938790A JPH03214081A JP H03214081 A JPH03214081 A JP H03214081A JP 2009387 A JP2009387 A JP 2009387A JP 938790 A JP938790 A JP 938790A JP H03214081 A JPH03214081 A JP H03214081A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
test
data
workmanship
executed
tests
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2009387A
Other languages
English (en)
Inventor
Takashi Yamamoto
隆司 山本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP2009387A priority Critical patent/JPH03214081A/ja
Publication of JPH03214081A publication Critical patent/JPH03214081A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)
  • Test And Diagnosis Of Digital Computers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は半導体集積回路(以下ICと呼ぶ)をテスト
する工Oテスタ(以下テスタと呼ぶ)に使用されるテス
ト方法に関するものである。
〔従来の技術〕
第2図は従来のL8工用テスタに使用されるテスト方法
を記述したフローチャートである。図において、ステッ
プ1はテスト11ステツプ2はテスト2、・・・、ステ
ップ3Fiテストnで1つの試験項目の中で実行される
h個のテストの実行状態を示す。また、第3図はテスタ
による被測定IC(以下D(ITと呼ぶ)の試験状態を
示すブロック図で、図において、(1)はテxp、(2
)はD(FT、(3)は計測信号、(4)FiOP O
,(5)はGOカウンタ、(6)はNGカウンタである
。試験結果によるD U T (2)のGo(良品)ま
たはNG(不良品)の数置をGOカウンタ(5)及びN
Gカウンタ(6)でカウントする。
次に動作について説明する。第2図のフローチャートに
おいて、Dσで(2)をテストする為のテストプログラ
ムがスタートシ、そのプログラムの記述に従ってテス)
lから順次実行されていく。通常、実行される各テスト
項目において、最初にNG(不Jl)と判定されると、
テストプログラムの実行はそこで終りストップしてしま
う。プログラムに記述された全テスト項目(テス)n)
が総て00(良品)の場合は、プログラムが最後まで実
行されて初めてストップに至る。何れにしても、1つの
DIIT(2)K対し通常は1回だけテストプログラム
が実行され、プログラム中に記述され実行される各テス
ト項目毎に良/不良を判定し、且つ、その全テスト項目
中全て良と判定されたD U ? (2)は良品で有り
、どれか1つ以上のテスト項目で不良と判定された′D
σ!(2)は不良となる。
これらの動作を総ての試験項目をDOTのあるロウ)K
対して実行して、それらの全良品数または全不良品数を
カウントし、或いは不良率を演算してそのロウトの品質
情報として得る事が出来る0〔発明が解決しようとする
1tjI!l)従来のXaのテスト方法は以上のように
構成されていたので、あるD(FT又はあるロウトの品
質情報は、テスト実行後の良品/不良品の結果だけを例
えは不良数又は不良率としてしか得られず、個々のテス
ト項目についてDffTの出来映えを評価したりするに
は不向きであるなどの問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消する丸めになされ
たもので、従来と同じ(DOTのテスト結果の品質情報
を得る事ができるとともに、さらに、実行されている各
テスト項目の任意のテスト項目に対してもDQ丁の出来
映え出来王台としての品質情報を得る様に出来るxOの
テスト方法を得る事を目的とする。
〔H−を解決するための手段〕
この発明に係る20のテスト方法は、そのテスト方法中
で各テスト項目実行時における処理を単にテスト結果の
判定としての良/不良をカウントするだけでなく、その
テスト実行時に得られるデータ(例えけ測定値などのデ
ータ)を加工処理し、その加工処理されたデータを元に
1)UTの出来映えを評価する事が出来るような品質情
報を得られるようにしたものである〇 〔作用〕 この発明におけるXOのテスト方法は、テスト実行時に
おける結果の処理が予め設定したデータ処理ルーチンに
従って行なわれ、必要とする品質情報が得られる。
〔実施例〕
以下、この発明の一実施例を図について説明する0第1
図において、ステップlはテスト11ステツプ3はテス
ト2・・・、ステップ6はテストnの各テスト項目の実
行部分で、データ処理(ステップ2、ステップ4、ステ
ップ6)はそれぞれのテスト実行後のデータ処理ルーチ
ンを表わす0次に動作について説明する0 テストプログラムがスタートした後、テスト11テスト
2、・・・、の順に従ってテストが実行される0この時
、各テストが良品であれは、III後のテストn迄実行
されて行くoこれらの各テスト実行後に、実行結果とし
ての良/不良や測定値などの各データを、各々に応じた
データ処理ルーチンの中で加工処理をして行くo例えは
、このデータ処理ルーチンの中で、NGとなったテスト
項目の測定値を必要な統計的処理を行なう事で、NGと
判定された複数のDOTについてのデータが収集出来て
、ロウト全体としての出来映えが品質情報として得る事
が出来る〇 なお、上記実施例では各テスト項目対応のデータ処理の
場合について示したが、いくつかのテスト項目にま九が
るデータ処理を設けてもよい。また、この実施例では各
テストの結果がNGの時のみの場合データ処理ルーチン
へ行く場合を示したが、各テストの結果がGOの時でも
よい。
〔発明の効果〕
以上のようにこの発明によれけ、各テスト項目対応の品
質情報のデータ処理がテストプログラムの実行時に同時
に行なうので、1)σ!やロウトの出来映えが直ちに得
る事が出来る効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例によるIOのテスト方法を
示す70−チャート、第2図は従来のIOのテスト方法
の70−チャート、第3図はテスタによるDU’l’の
テスト状態のブロック図である。 図において、(1)はテスタ、(2)はn OT s 
(3)は計測信号、(4)は0Ptl、(6)、(6)
l;i各、*GO3び1e数量のカウンタを示す。 手続補正書(自発) 平成 2年 5月2−

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体集積回路を試験するICテスタにおいて、そのソ
    フトウェアたるテストプログラムの中で被測定ICの複
    数のテスト項目の中の任意のテスト項目について、同一
    製造プロセスの複数のDUTの出来映えを評価出来る事
    を目的として、任意のテスト項目毎に不良率やヒストグ
    ラムなどのデータを収集及び加工し、また、所定の管理
    基準値を予め設定しておく事によつてロウト内の電気的
    特性の異常の有無を早期に発見出来る様にした事を特徴
    とする半導体集積回路のテスト方法。
JP2009387A 1990-01-17 1990-01-17 半導体集積回路のテスト方法 Pending JPH03214081A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009387A JPH03214081A (ja) 1990-01-17 1990-01-17 半導体集積回路のテスト方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009387A JPH03214081A (ja) 1990-01-17 1990-01-17 半導体集積回路のテスト方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH03214081A true JPH03214081A (ja) 1991-09-19

Family

ID=11719034

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009387A Pending JPH03214081A (ja) 1990-01-17 1990-01-17 半導体集積回路のテスト方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH03214081A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05143384A (ja) * 1991-11-18 1993-06-11 Sanyo Electric Co Ltd 異常検出装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05143384A (ja) * 1991-11-18 1993-06-11 Sanyo Electric Co Ltd 異常検出装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE19900343A1 (de) Fehleranalyseverfahren und Prozeßsteuerverfahren
US6701204B1 (en) System and method for finding defective tools in a semiconductor fabrication facility
JP2002071575A (ja) 欠陥検査解析方法および欠陥検査解析システム
US20030169064A1 (en) Selective trim and wafer testing of integrated circuits
JPH07176575A (ja) 半導体装置の検査方法及び検査装置
US6539272B1 (en) Electric device inspection method and electric device inspection system
CN111257715B (zh) 一种晶圆测试方法及装置
JPH03214081A (ja) 半導体集積回路のテスト方法
JP2000243794A (ja) 半導体ウエハの解析方法
JP2000321327A (ja) 半導体装置の検査装置及び半導体装置の検査方法
JPS59228726A (ja) 不良解析装置
JP3808575B2 (ja) 歩留まり解析方法及びその装置
JP3973753B2 (ja) 半導体不良解析方法および装置並びに半導体不良解析プログラムを記録した記録媒体
TWI220288B (en) Method of defect control
JP2868462B2 (ja) 半導体集積回路テスト方法およびテスト制御装置
JPH08274139A (ja) 半導体装置の試験方法
JP3307304B2 (ja) 電子デバイス検査システムおよびそれを用いた電子デバイスの製造方法
TWI431706B (zh) 辨識晶圓圖樣式的方法與電腦程式產品
JPH02287241A (ja) 外観検査方法及びその装置並びに製品の製造工程中における異常原因除去方法
JP2001308157A (ja) 不良モードを有するウェハーの自動分類方法
JPH0927531A (ja) 歩留まり統計解析方法および装置
JP2657298B2 (ja) 半導体ウエハの検査方法
JP2004266017A (ja) 半導体ウエハの検査方法
JP2765855B2 (ja) 半導体装置の検査方法
JPS58103151A (ja) 半導体基板の検査方法