JP2765855B2 - 半導体装置の検査方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置の検査方法に関し、特に半導体ウ
エハ上の半導体装置の不良を救済しながら検査する方法
に関する。

〔従来の技術〕

従来、半導体装置の検査工程では、複数個の半導体装
置が規則正しく配列されている半導体ウェハ上の半導体
装置を検査し、救済できる半導体装置に救済処置を実施
することが行われている。この場合、予め設定された検
査項目で全ての半導体装置を検査し、この検査から夫々
の検査項目での不良箇所情報（ウェハ上での半導体装置
の位置及び半導体装置上の不良箇所の位置）を収集す
る。そして、これらの不良箇所の情報に基づいて、救済
可能な不良箇所を有する半導体装置の情報をトリーマと
呼ばれる救済装置へ転送し、このトリーマにおいて、例
えばレーザで配線を切断して予め準備しておいた冗長回
路に切り替える等の救済処置を実施する。また、この救
済が施された半導体ウェハ上の半導体装置は、再度全検
査項目について検査が実施され、未だに不良箇所が存在
する半導体装置には不良品のマーキングがされて次工程
に送られる。

〔発明が解決しようとする課題〕

上述した従来の検査方法では、実際には最終の全検査
項目を検査したときに、救済のときに予め設定された検
査項目以外の検査項目で不良が発見されることが極めて
多い。この場合、発見された不良箇所は本来救済可能で
はあっても、この段階では最早その救済を行うことがで
きないため、みすみす不良として廃棄することになり、
製造歩留りが低下される原因となっている。

これに対しては、予め設定する検査項目の数を増やす
ことが考えられるが、この対策では検査項目の増加に比
例して検査時間が増大され、製造効率が低下されること
になる。

本発明は検査時間を短縮するとともに製造歩留りを向
上することができる半導体装置の検査方法を提供するこ
とを目的としている。

〔課題を解決するための手段〕

本発明の半導体装置の検査方法は、予め設定された枚
数の半導体ウェハ又は個数の半導体装置に対して全ての
項目について検査を行う工程と、この検査結果から不良
率の高い検査項目を得てそのうちの救済可能な検査項目
を選択し、この選択された検査項目について全ての半導
体装置に対して検査を行う工程と、この選択された検査
の後に不良を有する半導体装置を救済する工程と、その
後全ての半導体装置に対して全項目の検査を行う工程と
を含んでいる。

〔作用〕

上述した方法では、設定された数の半導体装置につい
ての全項目検査を先行することにより、不良率の順位を
把握することができ、これから救済情報を収集するのに
好適な検査項目を選択し、不適切な項目検査を削除した
検査を行うことが可能となる。また、この救済情報に基
づいて半導体装置を救済することにより、最終検査にお
ける半導体装置の不良の発生を低減することができる。

〔実施例〕

次に、本発明を図面を参照して説明する。

第１図は本発明の検査方法の概念構成図である。図に
おいて、１は検査される多数枚の半導体ウェハ２の集合
からなる検査ロット、３は半導体ウェハ２に形成した半
導体装置に対して検査を行う検査装置、４は半導体装置
に生じている不良箇所の救済を行うトリーマである。

ここで、本実施例では、先ず検査装置３に予め全検査
項目の検査をする半導体ウェハの枚数ｎを入力してお
り、検査ロット１中の半導体ウェハ２に対して、この入
力された枚数ｎだけ全検査項目について検査を行う。

次いで、この全検査項目を実行した後に、検査装置３
では各検査項目における不良率を計算し、各検査項目の
不良率の順位付けを行う。そして、この不良率の順位と
救済可能な不良とを考慮し、これから救済情報を収集す
る検査項目を決定する。

以降は、検査装置３でこの救済情報に対する検査項目
のみで検査ロット１の半導体ウェハ２の全てに対して検
査を行い、不良救済情報を収集する。

しかる上で、この救済情報をもとにトリーマ４で半導
体ウェハ２の不良箇所に対して救済処置を実施する。そ
の後、検査装置３において再度全ての半導体ウェハ２に
対して全検査項目の検査を実施し、この段階でも不良箇
所が存在する半導体装置に対して不良マーキングを施
し、検査を終了する。

この方法によれば、ｎ枚の半導体ウェハについての全
項目検査を先行して行うことにより、該半導体ウェハが
含まれる検査ロット１における不良率の順位を把握する
ことができる。このため、この検査項目の不良率から救
済情報を収集する項目を適切に選択でき、不適切な項目
検査を削除して救済情報の収集時間の短縮を図ることが
可能となる。また、この救済情報に基づいて救済可能な
半導体装置を救済しておけば、最終検査における半導体
装置の不良の発生は極めて少ないものになり、製造歩留
りを向上することも可能となる。

ここで、本発明方法は、第２図に示すように、検査装
置３に予め設定する半導体ウェハの検査枚数を、半導体
装置の個数として設定しておくこともできる。即ち、こ
の例では始めに設定された数ｍだけの半導体装置に対し
て全検査項目を検査し、この設定個数を検査した時点
で、前記実施例と同様に不良率を求め、かつ救済情報の
検査項目を設定し、選択された検査を行う方法が適用さ
れることになる。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明は、設定された数の半導体
装置についての全項目検査を先行することにより、該半
導体装置のロットにおける不良状態を把握することがで
き、これから救済情報を収集するのに好適な検査項目を
選択して検査を行うことができ、検査時間の短縮を図る
ことができる。また、この救済情報に基づいて半導体装
置を救済することにより、最終検査における半導体装置
の不良の発生を低減し、製造歩留りを向上することがで
きる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の検査方法の第１実施例の概念構成図、
第２図は本発明の第２実施例の概念構成図である。 １……検査ロット、２……半導体ウェハ、３……検査装
置、４……トリーマ。

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】半導体ウエハ上に形成された半導体装置を
   検査しかつ不良の救済を行う検査工程において、検査対
   象となる半導体装置のうち、予め設定された半導体ウエ
   ハ枚数又は半導体個数に対して救済不可能な検査項目と
   救済可能な検査項目について検査を行う工程と、この検
   査結果から不良率の高い救済可能な検査項目を選択し、
   この選択された検査項目について前記検査対象となる半
   導体装置に対して検査を行う工程と、この選択された検
   査の後に不良を有する半導体装置を救済する工程と、そ
   の後前記検査対象となる半導体装置に対して救済不可能
   な検査項目と救済可能な検査項目の検査を行う工程を含
   むことを特徴とする半導体装置の検査方法。