JPS6111465B2 - - Google Patents
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- JPS6111465B2 JPS6111465B2 JP5780978A JP5780978A JPS6111465B2 JP S6111465 B2 JPS6111465 B2 JP S6111465B2 JP 5780978 A JP5780978 A JP 5780978A JP 5780978 A JP5780978 A JP 5780978A JP S6111465 B2 JPS6111465 B2 JP S6111465B2
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- chips
- chip
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- testing
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- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 38
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 4
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 29
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 15
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 10
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体ウエハー内に形成された半導体
装置（半導体チツプ）の検査方法に関するもので
ある。
装置（半導体チツプ）の検査方法に関するもので
ある。
従来、半導体ウエハー内に多数形成された製品
チツプ（例えば半導体集積回路）の電気的特性を
検査する場合、該半導体ウエハーを台の上に載
せ、端から順々に１チツプ分ずつ検査をしてい
た。なんらかの原因によりウエハー内の全部ある
いはほとんどの製品用チツプが不良の場合にも、
ウエハー上の全製品用チツプの検査を実施してい
た。また、このような良品数が少ないウエハー
は、不良ウエハーとして検査終了後に廃棄されて
いた。一方、半導体ウエハーの検査には高価な検
査装置が使用されるため、その検査装置の使用状
態により検査費用が大きく変化し、製品のコスト
に大きく響いている。このため、前記のような不
良ウエハーを検査することによる装置の無駄な使
用は検査装置の使用状態を悪化さ、そのため他の
製品の検査費がアツプしていた。ところで、特に
集積回路（IC）の場合は数百ないし数万のトラ
ンジスタ抵抗等の素子からなり、非常に複雑に製
作されているため、検査結果が不良であつても、
その不良原因がわからないことが多い。また、ウ
エハー内の数点の特性からウエハー全体の特性を
推測することも難しく、そのためウエハー内の数
点の特性を検査してそのウエハー全体の要否を決
定することはきわめて危険なことであつた。
チツプ（例えば半導体集積回路）の電気的特性を
検査する場合、該半導体ウエハーを台の上に載
せ、端から順々に１チツプ分ずつ検査をしてい
た。なんらかの原因によりウエハー内の全部ある
いはほとんどの製品用チツプが不良の場合にも、
ウエハー上の全製品用チツプの検査を実施してい
た。また、このような良品数が少ないウエハー
は、不良ウエハーとして検査終了後に廃棄されて
いた。一方、半導体ウエハーの検査には高価な検
査装置が使用されるため、その検査装置の使用状
態により検査費用が大きく変化し、製品のコスト
に大きく響いている。このため、前記のような不
良ウエハーを検査することによる装置の無駄な使
用は検査装置の使用状態を悪化さ、そのため他の
製品の検査費がアツプしていた。ところで、特に
集積回路（IC）の場合は数百ないし数万のトラ
ンジスタ抵抗等の素子からなり、非常に複雑に製
作されているため、検査結果が不良であつても、
その不良原因がわからないことが多い。また、ウ
エハー内の数点の特性からウエハー全体の特性を
推測することも難しく、そのためウエハー内の数
点の特性を検査してそのウエハー全体の要否を決
定することはきわめて危険なことであつた。
本発明の目的は、良品率の低い不良ウエハーを
事前に発見することにより、不要の全数検査を避
けて高価な検査装置の有効稼動率を高めるととも
に、不良原因を速かに解析することのできる半導
体装置の検査方法を提供することである。
事前に発見することにより、不要の全数検査を避
けて高価な検査装置の有効稼動率を高めるととも
に、不良原因を速かに解析することのできる半導
体装置の検査方法を提供することである。
本発明は、半導体ウエハーに多数の製品用チツ
プ（例えば集積回路）を形成する際に、同時に少
数の特性検査用チツプを形成する。そして該検査
用チツプは、前記半導体装置の構成素子（トラン
ジスタ、抵抗、コンデンサ等の素子並びに配線）
の中から特性検査や不良解析に特に必要となる素
子を選び、該要素を互いに独立させてウエハー内
の１チツプ分の領域内に設けたものである。さら
に該選ばれた素子の電極パツドは前記製品用チツ
プの電極パツトと同一の配置になるように形成さ
れる。そして、ウエハー内の製品用チツプの全数
検査に先立ち、前記検査用チツプの各要素の特性
を検査し、その特性データないし不良発生の態様
から全製品用チツプの検査の要否を決定するもの
である。
プ（例えば集積回路）を形成する際に、同時に少
数の特性検査用チツプを形成する。そして該検査
用チツプは、前記半導体装置の構成素子（トラン
ジスタ、抵抗、コンデンサ等の素子並びに配線）
の中から特性検査や不良解析に特に必要となる素
子を選び、該要素を互いに独立させてウエハー内
の１チツプ分の領域内に設けたものである。さら
に該選ばれた素子の電極パツドは前記製品用チツ
プの電極パツトと同一の配置になるように形成さ
れる。そして、ウエハー内の製品用チツプの全数
検査に先立ち、前記検査用チツプの各要素の特性
を検査し、その特性データないし不良発生の態様
から全製品用チツプの検査の要否を決定するもの
である。
本発明によれば、前記検査用チツプの各素子が
それぞれ独立に検査されるので、集積回路のよう
な複雑な製品用チツプ全体の特性を検査する場合
と異なり、正しい不良原因を知ることができる。
したがつて、ウエハー内の数点において前記検査
用チツプの特性を検査すれば、不良発生の態様か
らウエハー全体の製品用チツプの特性上の予想を
立てることができる。そして上記検査の結果から
当該ウエハーの良品率がきわめて低いと判断され
る場合には、全数検査をすることなく、ウエハー
を廃棄してしまうことにより、検査時間を大幅に
短縮できるとともに、高価な検査装置の有効稼動
率を上げることができる。また、前記検査用チツ
プの電極パツドは製品用チツプのそれと同様に配
置されているので、検査用チツプの検査結果がよ
ければ、そのまま製品用チツプの検査に移ること
ができる。また、検査用チツプの不良態様から製
品用チツプの不良原因を容易に知ることができる
ので、それに対して迅速な対策をとることが可能
である。
それぞれ独立に検査されるので、集積回路のよう
な複雑な製品用チツプ全体の特性を検査する場合
と異なり、正しい不良原因を知ることができる。
したがつて、ウエハー内の数点において前記検査
用チツプの特性を検査すれば、不良発生の態様か
らウエハー全体の製品用チツプの特性上の予想を
立てることができる。そして上記検査の結果から
当該ウエハーの良品率がきわめて低いと判断され
る場合には、全数検査をすることなく、ウエハー
を廃棄してしまうことにより、検査時間を大幅に
短縮できるとともに、高価な検査装置の有効稼動
率を上げることができる。また、前記検査用チツ
プの電極パツドは製品用チツプのそれと同様に配
置されているので、検査用チツプの検査結果がよ
ければ、そのまま製品用チツプの検査に移ること
ができる。また、検査用チツプの不良態様から製
品用チツプの不良原因を容易に知ることができる
ので、それに対して迅速な対策をとることが可能
である。
以下、本発明をICの検査に適用した場合の一
実施例を図面を参照して説明する。
実施例を図面を参照して説明する。
第１図に示すように、半導体ウエハー１０に多
数のICチツプ（集積回路）１及び５個の特性検
査用チツプ２を形成する。なお、この検査用チツ
プはウエハーの特定領域に片よらず全体にばらま
かれるように設けられることが望ましく、また検
査用チツプの数は必要に応じて適宜増減されるべ
きものである。
数のICチツプ（集積回路）１及び５個の特性検
査用チツプ２を形成する。なお、この検査用チツ
プはウエハーの特定領域に片よらず全体にばらま
かれるように設けられることが望ましく、また検
査用チツプの数は必要に応じて適宜増減されるべ
きものである。
前記検査用チツプは、ICチツプの構成素子
（トランジスタ、ダイオード、抵抗及び配線）の
中から不良の解析やICチツプの全数検査の要否
を決定するのに特に役立つ素子を選んで構成し、
それらを１チツプ分の領域にまとめて形成したも
のである。例えば、第２図のように、検査用チツ
プ２として、単体のトランジスタ３、メモリーセ
ル５並びに配線パターンのオープンやシヨートを
検査するための素子４等を形成する。なお、これ
らの素子は前記ICチツプの製造と全く同一工程
で製造できるので、検査用チツプを設けることで
製造工程が長くなるようなことはない。
（トランジスタ、ダイオード、抵抗及び配線）の
中から不良の解析やICチツプの全数検査の要否
を決定するのに特に役立つ素子を選んで構成し、
それらを１チツプ分の領域にまとめて形成したも
のである。例えば、第２図のように、検査用チツ
プ２として、単体のトランジスタ３、メモリーセ
ル５並びに配線パターンのオープンやシヨートを
検査するための素子４等を形成する。なお、これ
らの素子は前記ICチツプの製造と全く同一工程
で製造できるので、検査用チツプを設けることで
製造工程が長くなるようなことはない。
次に、前記検査用チツプの電極パツド６に検査
装置の探針を立てて所定の特性検査を行ない、そ
の結果を解析してICチツプの全数検査を行なう
かどうかを判断する。検査用チツプの不良の態様
により、当該ウエハー内のICチツプの良品率が
きわめて低いことが予想される場合は、全数検査
を行なうことなくウエハーを廃棄する。したがつ
て、高価な検査装置で不良ウエハーを無駄に検査
することがなくなり、検査装置の有効稼動率を高
めることができる。また、検査用チツプの各要素
から得られる特性データから不良解析が容易にで
き、製造工程等に対する適切な処理を迅速に行な
うことができる。
装置の探針を立てて所定の特性検査を行ない、そ
の結果を解析してICチツプの全数検査を行なう
かどうかを判断する。検査用チツプの不良の態様
により、当該ウエハー内のICチツプの良品率が
きわめて低いことが予想される場合は、全数検査
を行なうことなくウエハーを廃棄する。したがつ
て、高価な検査装置で不良ウエハーを無駄に検査
することがなくなり、検査装置の有効稼動率を高
めることができる。また、検査用チツプの各要素
から得られる特性データから不良解析が容易にで
き、製造工程等に対する適切な処理を迅速に行な
うことができる。
第１図及び第２図はそれぞれ本発明に用いられ
るウエハー及び特性検査用素子の一例を示す概略
平面図である。 １……ICチツプ（集積回路）、２，２……特性
検査用チツプ、３……単体のトランジスタ、４…
…配線のオープンやシヨートを検査するための素
子、５……簡単なメモリーセル、６……電極パツ
ド、１０……ICチツプ及び検査用チツプの形成
されたウエハー。
るウエハー及び特性検査用素子の一例を示す概略
平面図である。 １……ICチツプ（集積回路）、２，２……特性
検査用チツプ、３……単体のトランジスタ、４…
…配線のオープンやシヨートを検査するための素
子、５……簡単なメモリーセル、６……電極パツ
ド、１０……ICチツプ及び検査用チツプの形成
されたウエハー。
Claims (1)
- １ 複数個の製品用チツプを含む半導体ウエハー
内に、前記製品用チツプに使用される構成素子の
中から選ばれた複数個の異種の素子を夫々独立し
て設け、かつ前記製品用チツプの電極バツドと同
様に配置された電極バツドを備える検査用チツプ
を設け、該検査用チツプの前記各素子の特性を検
査し、その結果により前記ウエハー内の全製品用
チツプの検査の要否を決定することを特徴とする
半導体装置の検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5780978A JPS54148485A (en) | 1978-05-15 | 1978-05-15 | Test method for semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5780978A JPS54148485A (en) | 1978-05-15 | 1978-05-15 | Test method for semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS54148485A JPS54148485A (en) | 1979-11-20 |
| JPS6111465B2 true JPS6111465B2 (ja) | 1986-04-03 |
Family
ID=13066240
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5780978A Granted JPS54148485A (en) | 1978-05-15 | 1978-05-15 | Test method for semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS54148485A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5948934A (ja) * | 1982-09-14 | 1984-03-21 | Fujitsu Ltd | 半導体集積回路装置の製造方法 |
| JPS59115642U (ja) * | 1983-01-26 | 1984-08-04 | 日本電気アイシ−マイコンシステム株式会社 | 半導体ウエフア |
| JPH0622257B2 (ja) * | 1983-08-08 | 1994-03-23 | 日本電気株式会社 | 半導体集積回路装置の製造検査方法 |
| JPH01145869A (ja) * | 1987-12-01 | 1989-06-07 | Nec Ic Microcomput Syst Ltd | 冗長回路付きｕｖｅｐｒｏｍの製造方法 |
| JPH09107048A (ja) | 1995-03-30 | 1997-04-22 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体パッケージ |
| DE19655006C2 (de) * | 1995-03-30 | 2001-12-06 | Mitsubishi Electric Corp | Halbleiterchip |
-
1978
- 1978-05-15 JP JP5780978A patent/JPS54148485A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS54148485A (en) | 1979-11-20 |
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