JPH07176575A

JPH07176575A - 半導体装置の検査方法及び検査装置

Info

Publication number: JPH07176575A
Application number: JP5322815A
Authority: JP
Inventors: Taiichi Ono; 泰一大野
Original assignee: Fujitsu VLSI Ltd; Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu VLSI Ltd; Fujitsu Ltd
Priority date: 1993-12-21
Filing date: 1993-12-21
Publication date: 1995-07-14
Also published as: US5654632A

Abstract

(57)【要約】【目的】半導体素子の不良がウェハ上の任意な場所に
存在しても、その不良品をほぼ見逃すことなく検査時間
を短縮する。【構成】ステップ１（Ｓ１）でカウント値が「５」に
セットされ、Ｓ２で通常プロービングテストが行われ
る。通常プロービングテストはチップ１個につき約３０
の検査項目が実施される。通常プロービングテストが終
了すると、Ｓ３で当該チップが良品であるか否かが判定
され、良品である場合にはカウント値から１引かれる。
Ｓ１〜Ｓ５の繰り返し処理により連続５個のチップが良
品となると、Ｓ６にてカウント値に「２０」がセットさ
れる。Ｓ７で次のチップは簡易プロービングテストされ
る。簡易プロービングテストはチップ１個につき約１０
〜１５程度の検査項目が実施される。Ｓ７〜Ｓ９を繰り
返し２０個のチップが簡易プロービングテストし終わる
と、Ｓ１へ移行し以上の操作が繰り返し行われる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はウェハ上に形成された半
導体素子（例えばＬＳＩ）に測定用探針を接触させて複
数の検査項目を実施して半導体素子の良否を判別するウ
ェハの検査方法及び検査装置に関するものである。

【０００２】ウェハ上に形成された多数の半導体素子は
アッセンブラ工程へ送られる前に予め検査され、検査に
より良品と判定された半導体素子のみをアッセンブラ工
程で使用することにより出荷時におけるパッケージの歩
留りの向上が図られている。この検査は半導体素子に測
定用探針（プローブ）を接触させて行われ、１つの半導
体素子に対して複数の検査項目が適用される。ウェハ上
に形成された半導体素子数はウェハ１枚当たり数百〜数
千にも及ぶうえ１個の半導体素子に対して２０〜３０程
度もの検査項目が適用される。そのため、このウェハの
検査には多大な時間を要していた。そこで、抜き取り検
査や検査項目数の低減等を適宜に併用するなどして、歩
留りをできるだけ高く維持したままウェハの検査時間を
短縮できる種々の方法が模索されている。

【０００３】

【従来の技術】従来、例えば特開昭６１−２１６４３９
号公報には不良発生率の異なる領域に応じて全数検査と
抜き取り検査とを併用するウェハの検査方法が開示され
ている。このウェハの検査方法では、統計的に不良発生
率の高いウェハ周縁部で全数検査を行い、比較的に不良
発生率が低いウェハ中央部で抜き取り検査を行うように
なっている。

【０００４】また、特開平４−６５１４３号公報には不
良発生率の異なる領域に応じて検査項目数を変更するウ
ェハの検査方法が開示されている。このウェハの検査方
法では、統計的に不良発生率の高いウェハ周縁部で予め
設定された全ての検査項目について全数検査が行われ
る。そして、比較的に不良発生率が低いウェハ中央部で
は先ず最初の所定数の半導体素子について全検査項目を
実施し、その検査結果から全て良品と判定された場合に
は、それ以後の半導体素子に対しては予め設定された一
部の検査項目のみが実施される。また、その検査結果か
ら１つでも不良が発見された場合には、それ以後の半導
体素子に対しては全検査項目が実施されるようになって
いる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、前記各検査
方法では、ウェハ周縁部に不良が頻度に発生し、ウェハ
中央部は不良の発生頻度が低いことを前提としていた。
しかし、不良の発生する場所は製造プロセスに依存し、
必ずしも周縁部にばかり不良が存在する訳ではないのが
現状である。通常、不良は一つの場所に集中して存在す
ることが多く、不良品が存在する場所はウェハ周縁部に
限らずウェハ上の不特定な場所に任意に発生する場合も
かなりある。例えばウェハ上に載った小さな異物や洗浄
不良等に起因する場合には不良の発生領域を特定できな
いのが現状である。

【０００６】例えば不良品の集まりがウェハ中央部に点
在する場合には、前述したウェハの検査方法のいずれの
方法によっても不良品を見過ごす虞れがある。即ち、前
者のウェハの検査方法によると、ウェハ中央部では抜き
取り検査されるので、一部の不良品が検査されず発見さ
れない可能性があった。

【０００７】また、後者のウェハの検査方法によると、
ウェハ中央部で最初に検査される所定数の半導体素子が
全て良品であった場合には、それ以後の半導体素子につ
いては一部の検査項目のみが実施されるので、省略され
た検査項目に不良原因があった場合にはその不良品が発
見されない可能性が大きかった。また、最初に検査され
た所定数の半導体素子の中に不良品があった場合にはそ
の後の検査が全数検査になってしまうので、そのウェハ
の検査時間が短縮されない。このように従来のウェハの
検査方法では、不良品が任意な場所に存在してその場所
が特定できない場合には、不良品が見逃されてしまう率
が高く、出荷時に歩留りの低下をもたらすという問題が
あった。

【０００８】本発明は前記の問題点に鑑みてなされたも
のであって、その目的は半導体素子の不良が半導体装置
上の任意な場所に存在しても、その不良品をほぼ確実に
発見することができ、しかも検査時間を短縮することが
できる半導体装置の検査方法及び検査装置を提供するこ
とにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
め本発明では、半導体装置上に形成された多数の半導体
素子に測定用探針を順次に接触させ、各半導体素子毎に
複数の検査項目を実施して各半導体素子が所定の規格値
を満たすか否かを判定して多数の半導体素子を良品と不
良品とに区別する半導体装置の検査方法において、先ず
最初に半導体素子について予め設定した全ての検査項目
を実施する通常検査を順次に行い、該通常検査において
規格値を満たす良品と判定された半導体素子が連続して
予め設定した所定個数に達すると、次の半導体素子から
は全検査項目のうち一部の検査項目のみを実施する簡易
検査とし、簡易検査された半導体素子が所定個数に達す
ると再び通常検査に戻り、以上の操作を繰り返し行うよ
うにした。

【００１０】また、前記簡易検査において検査し終わっ
た半導体素子数が前記所定個数に達する前に半導体素子
が不良と判定された場合には、その時点で簡易検査を終
了して通常検査に移行する構成としてもよい。

【００１１】さらに、同一製造過程を経た複数の半導体
装置のうち最初の所定枚数の半導体装置について全検査
項目で全数検査を実施し、その検査結果に基づき統計学
的手法を用いて不良発生率が低いと判断された検査項目
に対して省略または簡易な検査項目に変更する簡素化を
行うことにより前記簡易検査時の検査項目を決定するよ
うにしてもよい。

【００１２】また、半導体装置上に形成された各半導体
素子の位置を番地として設定し、同一製造過程を経た複
数の半導体装置のうち最初の所定枚数の半導体装置につ
いて全検査項目で全数検査を実施し、その検査結果に基
づき統計学的手法を用いて不良発生率が高いと判断され
た半導体装置上の番地または領域を記憶し、次の半導体
装置からは先に記憶した番地または領域と対応して存在
する半導体素子については全ての検査項目を実施して検
査を行うようにしてもよい。

【００１３】そして、上記の方法を実施する装置とし
て、半導体装置上に形成された各半導体素子に順次に接
触される測定用探針と、該測定用探針を介して各半導体
素子から取り出される予め設定した複数の検査項目毎の
測定値に基づき各半導体素子の良否を判定する判定手段
とを備えた半導体装置の検査装置において、通常検査時
に実行される全ての検査項目を通常検査データとして記
憶する第１の記憶手段と、簡易検査時に実行される検査
項目を簡易検査データとして記憶する第２の記憶手段
と、前記第１の記憶手段に記憶された通常検査データ及
び第２の記憶手段に記憶された簡易検査データに基づき
実行される制御プログラムを記憶する第３の記憶手段
と、通常検査時に前記判定手段により連続して不良品ま
たは良品と判定された半導体素子数を計数する第１の計
数手段と、簡易検査中における半導体素子の検査個数を
計数する第２の計数手段と、始めに第１の記憶手段に記
憶された通常検査データに基づき第３の記憶手段に記憶
された制御プログラムを実行するとともに前記第１の計
数手段を動作させ、該第１の計数手段の計数値が所定数
に達すると、第２の記憶手段に記憶された簡易検査デー
タに基づき第３の記憶手段に記憶された制御プログラム
を実行するとともに前記第２の計数手段を動作させ、該
第２の計数手段の計数値が所定数に達すると、再び第１
の記憶手段に記憶された通常検査データに基づき第３の
記憶手段に記憶された制御プログラムを実行し、以上の
操作を繰り返し行う制御装置とを備えた構成とした。

【００１４】

【作用】本発明によれば、半導体装置上に形成された多
数の半導体素子に対して測定用探針が順次に接触され、
各半導体素子が所定の規格値を満たすか否かを判定して
多数の半導体素子を良品と不良品とに区別する検査が行
われる。先ず最初に各半導体素子に対して予め設定した
全ての検査項目を実施する通常検査が行われ、この通常
検査において規格値を満たす良品の数が連続して所定個
数に達すると、次の半導体素子からは全検査項目のうち
一部の検査項目のみが実施される簡易検査が行われる。
即ち、全ての検査項目を実施する通常検査から全検査項
目のうち一部の検査項目のみが実施される簡易検査へ移
行される際に、その移行前の検査結果に基づき統計学的
に簡易検査への移行後にその付近に不良品が存在しない
ことが確認される。そのため、常に統計学的に不良発生
率が低い領域のみで簡易検査が行われるので、簡易検査
時に全検査項目のうち一部の検査項目のみが実施されて
も、不良品を見逃す確率は極めて低くなる。そして、簡
易検査された半導体素子が所定個数に達すると再び通常
検査に戻され、以上の操作が繰り返し行われる。従っ
て、全検査項目のうち一部の検査項目のみが実施される
簡易検査が通常検査に併用されることにより半導体装置
の検査時間が短縮されるとともに、その簡易検査が不良
品の存在確率が統計学的に低い領域において実施される
ので、半導体装置上に存在する不良品を高い率で見つけ
出すことが可能となる。

【００１５】

【実施例】

（第１実施例）以下、本発明を具体化した第１実施例を
図１〜図５に従って説明する。

【００１６】本実施例では、１ロットが約３０枚の半導
体装置としてのウェハから構成され、約３０枚のウェハ
上に形成される半導体素子（以下、チップという）は同
一の製造プロセスを経て生産される。各ウェハには約１
０００個のチップが形成され、各ウェハは同じ製造プロ
セスを経ていることから、ウェハ上において不良品が集
中して点在する場所や不良発生率には、各ウェハ間にお
いて相関性がある。

【００１７】図２に示すように、ウェハ検査装置１はテ
スタ２に接続された多数本の測定用プローブ３、ウェハ
４が載置されるウェハ移動用載置台５及び制御装置６と
から構成されている。制御装置６はマイクロコンピュー
タ７を備え、入力装置８が一体的に配備されている。マ
イクロコンピュータ７は中央処理装置（ＣＰＵ）９、作
業用メモリ１０及びプログラムメモリ１１から構成され
ている。作業用メモリ１０には入力装置８により入力さ
れた入力データ及びＣＰＵ９における演算処理結果等を
一時記憶する読出し及び書替え可能なメモリ（揮発性の
ＲＡＭ）からなり、プログラムメモリ１１は制御プログ
ラムを記憶した読出し専用メモリ（ＲＯＭ）からなって
いる。ＣＰＵ９はプログラムメモリ１１に記憶された制
御プログラムに基づいて動作する。また、テスタ２は入
出力インターフェイス１２を介してＣＰＵ９と接続さ
れ、ウェハ移動用載置台５は駆動回路１３及び入出力イ
ンターフェイス１２を介してＣＰＵ９と接続されてい
る。

【００１８】また、ＣＰＵ９は２つのカウンタ回路１
４，１５と接続れている。作業用メモリ１０には約３０
の検査項目毎の規格値（スペック）が記憶されている。
この規格値と測定値とが比較されることにより検査項目
毎の良否が判定される。また、作業用メモリ１０にはウ
ェハ４上における各チップ１６の位置が図５に示すよう
に検査順序に合わせた番地として記憶されている。各チ
ップ１６に設定された番地は検査される順序に従って番
号が付されている。即ち、図３に示すように、ウェハ４
上に形成されたチップ（本実施例ではＬＳＩ）１６は同
図の破線矢印方向の順序で順次に測定用プローブ３に接
触され、測定用プローブ３及びテスタ２を介してＣＰＵ
９に入力される各検査項目毎の測定値と作業用メモリ１
０に記憶された各検査項目毎の規格値とが比較されるこ
とにより良否判定される。

【００１９】作業用メモリ１０には最初の１枚目のウェ
ハ４について行われた検査データ結果が記憶され、その
検査データ結果から簡易化テストの検査項目が決定され
る。検査項目には例えば所定の端子間が導通されている
か否かを検査するコンタクトテスト、端子間に電流を流
して電気特性を調べる特性テスト、信号を入力してその
出力信号の良否を見て実際にチップ１６が正しく動作す
るか否かを見る機能テスト等からなる。各検査項目はさ
らに複数の測定から成り立っている。また、作業用メモ
リ１０には同一ロット中の最初の１枚目のウェハ４につ
いて行われた検査データが記憶される。この検査データ
は不良が発生したチップ１６の番地、不良と判定された
検査項目及びその検査項目毎の不良発生数等からなる。
ウェハ検査装置１が２枚目以降のウェハ４に対して行う
検査は、予め設定された約３０の検査項目を全て実施す
る通常プロービングテストと、約３０の検査項目のうち
一部の検査項目が省略されるとともに一部の検査項目が
簡易な検査内容に変更されて新たに設定された簡易検査
項目を実施する簡易プロービングテストとからなる。

【００２０】簡易検査項目は最初の１枚目のウェハ４の
検査データに基づき予め設定された統計学的手法に基づ
く式を用いて決定され、不良発生率が極めて低いと予測
された検査項目が省略されたり代替となる簡易な検査内
容に変更されるようになっている。本実施例では簡易検
査項目数は通常１０〜１５程度に決定される。

【００２１】また、作業用メモリ１０には判定フラグが
設定され、ＣＰＵ９による各検査項目毎の測定値と規格
値との比較判定により不良と判定された場合に判定フラ
グが「０」にリセットされ、良と判定された場合に判定
フラグに「１」がセットされるようになっている。

【００２２】また、ウェハ移動用載置台５は駆動回路１
３を介してＣＰＵ９により駆動制御され、ウェハ移動用
載置台５上にセットされたウェハ４は検査すべきチップ
１６がプローブ３と対向して位置するように位置セット
されるようになっている。検査は通常検査及び簡易検査
ともに不良が発見された時点で当該チップ１６の検査を
中止し、次のチップの検査へ移行するいわゆる「フェイ
ル・ストップ・モード」で実施される。

【００２３】次に前記のように構成されたウエハ検査装
置１の作用を説明する。同一ロットの約３０枚のウェハ
４のうち最初の１枚がウェハ移動用載置台５上にセット
され、制御装置６に駆動制御されてウェハ移動用載置台
５上のウェハ４が図５に示す番地「１」が測定用プロー
ブ３と対応する位置に移動配置される。そして、最初の
１枚のウェハ４の全数検査が開始され、図３に破線矢印
で示す順序で順次に各チップ１６に測定用プローブ３を
接触させて全ての検査項目について全数検査が行われ
る。この全数検査の際に不良と判定された数が検査項目
毎にカウンタ回路１４に計数される。

【００２４】こうして１枚目のウェハ４の全数検査が終
了すると、検査項目毎に不良数を計数し、その計数値に
基づいて統計学手法を用いて不良発生率が極めて低いと
予測される検査項目が省略されたり代替となる簡易な検
査内容に変更され、簡易検査項目が決定される。

【００２５】１枚目のウェハ４の全数検査が終了する
と、２枚目のウェハ４がウェハ移動用載置台５上にセッ
トされ、図１のフローチャートで示す検査ルーチンがＣ
ＰＵ９により実行される。以下、この検査ルーチンを図
１のフローチャートに従って説明する。

【００２６】図１に示すように、ステップ１（以下、ス
テップを単に「Ｓ」と記す）において、ＣＰＵ９により
カウンタ回路１５にカウンタ値「５」がセットされる。
次にＳ２に移行し、通常プロービングテストを実行す
る。即ち、測定開始番地「１」のチップ１６に測定用プ
ローブ３が接触され、このチップ１６に対して全て（約
３０程度）の検査項目について順次に測定が行われる。
検査項目毎の各測定値は作業用メモリ１０に記憶された
各検査項目毎の規格値と比較され、測定値が規格値を満
たすか否かが判定される。そして、この判定作業は測定
値が規格値を満たさない検査項目すなわち不良と判定さ
れた検査項目が発見されるか、測定値と規格値との比較
判定作業が全ての検査項目について完了するまで行われ
る。測定値が規格値を満たさない検査項目すなわち不良
と判定された検査項目が発見されると判定フラグが
「０」にリセットされ、測定値が全ての検査項目につい
て規格値を満たした場合には判定フラグに「１」がセッ
トされる。この測定値と規格値との比較判定作業が完了
すると、ＣＰＵ９はＳ３に移行する。

【００２７】Ｓ３では、Ｓ２における通常プロービング
テストの結果、番地「１」のチップ１６が正常であるか
否かがＣＰＵ９により判断される。その結果、いずれか
の検査項目に対して不良があると、すなわち判定フラグ
が「０」にリセットされているとＣＰＵ９は番地「１」
のチップ１６が不良品であると判断し、Ｓ１に移行す
る。一方、全ての検査項目に対して１つの不良もなけれ
ば、すなわち判定フラグに「１」がセットされていれば
ＣＰＵ９は番地「１」のチップ１６を良品と判断し、Ｓ
４に移行する。Ｓ４ではカウンタ回路１５のカウント値
「５」から「１」を引く操作が行われ、カウント値が
「４」とされる。その後、Ｓ５に移行し、Ｓ５ではカウ
ント値が「０」であるか否かが判断され、カウント値が
「４」であるのでＣＰＵ９はＳ２へ移行する。

【００２８】次にウェハ移動用載置台５が駆動され、番
地「２」のチップ１６が測定用プローブ３と対応する位
置にウェハ４が移動される。前の番地すなわち番地
「１」のチップ１６が不良品（フェイル）と判定された
場合には、Ｓ１でカウンタ値が新たに「５」にセットさ
れた後、Ｓ２で番地「２」のチップ１６の通常プロービ
ングテストが開始される。一方、前の番地すなわち番地
「１」のチップ１６が良品（パス）と判定された場合に
は、Ｓ２から開始されるため前回のカウンタ値「４」の
状態から番地「２」のチップ１６の通常プロービングテ
ストが開始される。以下、番地「２」のチップ１６の通
常プロービングテストが番地「１」のチップ１６のとき
と同様に終了すると、Ｓ３において番地「２」のチップ
１６が良品であるか否かが判断される。その結果、不良
品である場合にはＳ１に移行し、良品である場合にはＳ
４でカウント値から「１」を引き、Ｓ５でカウント値が
「０」であるか否かが判断され、まだ「０」ではないの
でＳ２へ移行する。以下、同様に番地「３」以降のチッ
プ１６についてＳ１（Ｓ２）〜Ｓ５の処理がＳ５でカウ
ント値が「０」となるまで行われる。

【００２９】即ち、図４（ａ），（ｂ）に示した検査例
のように、通常プロービングテストが実施された各チッ
プ１６が５個連続して良品（パス）と判定された場合に
限り、Ｓ５においてカウント値が「０」となる。図４の
各検査例のようにＳ５でカウント値が「０」となると、
次の番地から２０個のチップ１６については簡易プロー
ビングテストが行われる。即ち、図４（ａ）の例では番
地「６」〜番地「２５」までのチップ１６が、図４
（ｂ）の例では番地「１２」〜番地「３１」までのチッ
プ１６について簡易プロービングテストが行われる。

【００３０】即ち、Ｓ５でカウント値が「０」となると
Ｓ６に移行してカウンタ回路１５のカウント値が新たに
「２０」にセットされる。そして図４（ｂ）の場合を例
にすると、番地「１２」のチップ１６が測定用プローブ
３と対応する位置にセットされ、Ｓ７では番地「１２」
のチップ１６に対して簡易プロービングテストが実施さ
れる。簡易プロービングテストでは１枚目のウェハ４の
検査項目毎の不良数に基づき統計学手法を用いて不良発
生率が極めて低いと予測される検査項目が省略または代
替となる簡易な検査内容に変更された簡易検査用の検査
項目が適用される。そのため、簡易プロービングテスト
の検査項目数は、通常プロービングテストの検査項目数
に比較して相当に少ない（本実施例では通常１０〜１５
程度）うえ一部が簡易な検査内容となっているので、１
個当たりのチップ１６のテスト所要時間も大幅に短縮さ
れる。

【００３１】この簡易プロービングテストにおいても、
検査項目毎の測定値が作業用メモリ１０に記憶された検
査項目毎の規格値と比較され、測定値が規格値を満たす
か否かが判定される。そして、この判定作業中に測定値
が規格値を満たさない検査項目が発見された場合にはそ
の時点で当該簡易プロービングテストを中止してＳ８に
移行し、反対に測定値が各検査項目で規格値を満たす場
合には全ての判定作業を終了した後にＳ８に移行する。
そして、Ｓ８ではカウント値から「１」が引かれる。次
にＳ９に移行し、Ｓ９ではカウント値が「０」であるか
否かが判定される。カウント値が「０」でない場合はＳ
７に移行し、Ｓ９でカウント値が「０」となるまで、そ
れ以降の各番地のチップ１６毎にＳ７〜Ｓ９を繰り返し
行う。そして、２０個のチップ１６が簡易プロービング
テストされ終わると、Ｓ９でカウント値が「０」とな
り、次の番地のチップ１６についてはＳ１に移行し、再
び通常プロービングテストが実施される。

【００３２】以下、各チップ１６が５個連続して良品
（パス）と判定されるまで通常プロービングテストが実
施され、５個連続して良品（パス）と判定されると通常
プロービングテストから簡易プロービングテストに移行
し、２０個のチップ１６について簡易プロービングテス
トが実施される。そして、この操作が当該ウェハ４上に
形成された全てのチップ１６に対するプロービングテス
トが完了するまで繰り返し行われる。

【００３３】従って、本実施例のウェハ検査装置１によ
る検査方法によれば、全ての検査項目を実施する通常プ
ロービングテストにより連続５個のチップ１６が良品
（パス）と判定された場合に限り、一部の検査項目が省
略または代替となる簡易な検査内容に変更された簡易プ
ロービングテストへ移行される。即ち、予め不良品の発
生率の低い領域であることを連続５個のチップ１６が良
品（パス）と判定されることにより保証し、その保証の
下で検査項目が簡易化された簡易プロービングテストが
実施される。特にウェハ４上に不良品が集中する部位が
不特定に点在しても簡易プロービングテストへ移行され
る前に予め不良発生率が低いことが保証されるので、簡
易プロービングテストを常に不良発生率の低い領域での
み実施することができる。そのため、検査項目が少なく
検査時間を短縮可能な簡易プロービングテスト中に不良
品が見逃される確率を極めて低く抑えることができる。

【００３４】又、同一ロットのウェハ４は同じ製造プロ
セスを経ているため、不良発生率の高い部位に相関性が
あり、本実施例の簡易プロービングテストの場合、簡易
化した検査項目は１枚目のウェハ４の全検査項目で全数
検査したデータに基づき同ロット特有の不良項目がカバ
ーされるように設定されている。そのため、仮に簡易プ
ロービングテストした多数（２０個）のチップ１６の中
に不良品が存在しても、その不良原因となる項目は簡易
プロービングテストの検査項目中にほぼ間違いなく取り
入れらているので、その不良品の見逃しをほぼ確実に防
止することができる。従って、ウェハ４上に不良品が集
中して点在する部位が特定できなくとも、不良品を極め
て高い率で見つけ出し、出荷時のパッケージの歩留りを
高く維持したままウェハ４の検査時間を大幅に短縮する
ことができる。（第２実施例）次に本発明を具体化した第２実施例を図
６及び図７に従って説明する。

【００３５】本実施例では、簡易プロービングテストが
実施されるときのＣＰＵ９による処理が前記第１実施例
と異なっている。尚、本実施例において前記第１実施例
と同一の部分は説明を省略し、特に異なった点について
のみ説明する。

【００３６】図７のフローチャートでは通常プロービン
グテストが実施されているときのＣＰＵ９による処理Ｓ
１１〜Ｓ１５は前記第１実施例の図１の処理Ｓ１〜Ｓ５
と全く同じである。即ち、Ｓ１１〜Ｓ１５で５個連続し
て良品（パス）と判定されるまで通常プロービングテス
トが実施され、例えば番地「ｎ」のチップ１６の通常プ
ロービングテストの際に５個連続して良品（パス）と判
定されたとすると、Ｓ１５でカウント値が「０」である
ので、Ｓ１６に移行してカウンタ回路１５のカウント値
が新たに「２０」にセットされる。そして、番地「ｎ＋
１」のチップ１６が測定用プローブ３と対応する位置に
セットされ、Ｓ１７では番地「ｎ＋１」のチップ１６に
対して簡易プロービングテストが実施される。この簡易
プロービングテストにおける判定作業中に測定値が規格
値を満たさない検査項目が発見された場合には判定フラ
グが「０」にリセットされその時点で当該簡易プロービ
ングテストを終了し、それ以外の場合には全ての検査項
目について判定作業が実施され、その完了後に判定フラ
グに「１」がセットされる。簡易プロービングテストが
終了するとＳ１８に移行し、判定フラグが「１」である
か否かが判定される。判定フラグが「１」の場合すなわ
ちチップ１６が良品（パス）であった場合にはＳ１９に
移行し、Ｓ１９でカウント値から「１」が引かれる。次
いでＳ２０に移行し、Ｓ２０ではカウント値が「０」で
あるか否かが判断される。カウント値は「０」でなく
「１９」であるのでＳ１７に移行する。そして、図６に
示すように以降の番地のチップ１６に対しても同様にＳ
１７〜Ｓ２０の処理を行い、各Ｓ１８でチップ１６が良
品（パス）である限り、簡易プロービングテストが実施
される。そして、例えば図６に示すように番地「ｎ＋
７」のチップ１６が不良品であった場合には、判定フラ
グが「０」にリセットされ、Ｓ１８で判定フラグが
「０」の場合にはＳ１１に移行する。その結果、次の番
地「ｎ＋８」のチップ１６から簡易プロービングテスト
から通常プロービングテストへ移行される。

【００３７】即ち、本実施例では、簡易プロービングテ
ストへの移行後、所定数（２０個）のチップ１６につい
て簡易プロービングテストが実施されている際に不良品
が発見されると、その時点で簡易プロービングテストが
終了され、次の番地のチップ１６からは通常プロービン
グテストに移行される。そして、不良品が発見された次
の番地のチップ１６からは全ての検査項目について検査
されるので、例えばその付近に不良品が集中して存在し
ていても、それらの不良品を確実に見つけ出すことがで
きる。従って、前記第１実施例のように不良品が発見さ
れても検査項目の少ない簡易プロービングテストが引き
続き実施される場合に比較して、不良品の発見率をより
一層高くすることができ、ひいてはパッケージとして出
荷される際の歩留りを高く維持することができる。

【００３８】尚、本発明は上記実施例に限定されるもの
ではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲で例えば次のよ
うに変更することができる。（１）同一ロットの１枚目のウェハ４を全ての検査項目
について全数検査する際に発見された不良品の番地を記
憶し、２枚目以降のウェハ４の検査時に、記憶した番地
と同じ番地にあるチップ１６に対しては常に通常プロー
ビングテストを行うようにしてもよい。同一ロット中の
各ウェハ４は同じ製造プロセスを経ており、その関係か
らウェハ４間で同一番地に不良品が発生している場合に
は、その番地のチップ１６に対しては常に通常プロービ
ングテストが実施されるので、同一番地にある不良品を
確実に見つけ出すことができる。又、同一番地だけでな
くその周囲の番地までも通常プロービングテストとして
よい。さらに記憶した番地から不良発生率の高い領域を
予測し、その予測された領域に属する番地のチップ１６
に対して常に通常プロービングテストを実施するように
してもよい。

【００３９】（２）簡易プロービングテストの簡易検査
項目を決定するために最初に全検査項目について検査す
るウェハ４の枚数は適宜に変更することができる。例え
ば最初に検査するウェハ枚数を複数枚とすれば、１枚だ
けからは得られなかった不良項目が簡易プロービングテ
ストの簡易検査項目に付加されるので、不良発見率をよ
り高く維持することができる。

【００４０】（３）同一ロットの１枚目のウェハ４につ
いて全ての検査項目を全数検査することにより簡易プロ
ービングテストの簡易検査項目を決定したが、この簡易
検査項目を過去のデータ等に基づき予め設定しておいて
もよい。この場合、１枚目のウェハ４から簡易プロービ
ングテストが取り入れられる。

【００４１】（４）チップ１６を検査する順番は、図３
に破線矢印で示した順序に限定されず適宜に変更しても
よい。例えば従来技術で述べた特開平４−６５１４３号
公報等のように先ずチップの周縁部を検査し、その後中
央部を検査するようにしてもよい。

【００４２】（５）上記実施例では簡易プロービングテ
ストの簡易検査項目を全検査項目から一部省略したり簡
易な検査内容に変更したりすることにより決定したが、
全検査項目から一部省略するだけとしたり、一部を簡易
な検査内容に変更するだけとしたり、さらに全部を簡易
な検査内容に変更する構成としてもよい。

【００４３】（６）通常プロービングテストから簡易プ
ロービングテストへ移行する際に連続５個のチップ１６
が良品と判定された場合としたが、良品と判定される個
数が連続５個でなくてもよい。例えば連続１０個として
もよい。又、簡易プロービングテストが実施される個数
も２０個に限定されない。

【００４４】

【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、先
ず半導体素子に対して全ての検査項目を実施する通常検
査を行い、その検査結果から連続して良品と判定された
半導体素子数が所定数に達すると、次の半導体素子から
は一部の検査項目のみを実施する簡易検査に移行する。
そして、簡易検査で所定数の半導体素子を検査し終わる
と、その次の半導体素子からは再び全ての検査項目を実
施する通常検査へ移行し、以上の操作を繰り返し行うよ
うにした。従って、半導体素子の不良が半導体装置上の
任意な場所に存在しても、その不良品をほぼ確実に発見
することができ、しかも検査時間を短縮することができ
るという優れた効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を具体化した第１実施例のウェハ検査装
置の処理動作を示すフローチャートである。

【図２】ウェハ検査装置の電気的構成を示すブロック図
である。

【図３】ウェハの模式平面図である。

【図４】通常プロービングテスト時のカウント値を示す
一例図である。

【図５】チップの番地を示す模式平面図である。

【図６】簡易プロービングテスト時のカウント値を示す
一例図である。

【図７】第２実施例のウェハ検査装置の処理動作を示す
フローチャートである。

【符号の説明】

１ウェハ検査装置３測定用探針としての測定用プローブ４半導体装置としてのウェハ９判定手段及び制御装置としてのＣＰＵ１０判定手段、第１の記憶手段及び第２の記憶手段と
しての作業用メモリ１１判定手段及び第３の記憶手段としてのプログラム
メモリ１５第１の計数手段及び第２の計数手段としてのカウ
ンタ回路１６半導体素子としてのチップ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体装置（４）上に形成された多数の
半導体素子（１６）に測定用探針（３）を順次に接触さ
せ、各半導体素子（１６）毎に複数の検査項目を実施し
て各半導体素子（１６）が所定の規格値を満たすか否か
を判定して多数の半導体素子（１６）を良品と不良品と
に区別する半導体装置の検査方法において、先ず最初に半導体素子（１６）について予め設定した全
ての検査項目を実施する通常検査を順次に行い、該通常
検査において規格値を満たす良品と判定された半導体素
子（１６）が連続して予め設定した所定個数に達する
と、次の半導体素子（１６）からは全検査項目のうち一
部の検査項目のみを実施する簡易検査とし、簡易検査さ
れた半導体素子（１６）が所定個数に達すると再び通常
検査に戻り、以上の操作を繰り返し行うことを特徴とす
る半導体装置の検査方法。
【請求項２】前記簡易検査において検査し終わった半
導体素子数が前記所定個数に達する前に半導体素子（１
６）が不良と判定された場合には、その時点で簡易検査
を終了して通常検査に移行することを特徴とする請求項
１に記載の半導体装置の検査方法。
【請求項３】同一製造過程を経た複数の半導体装置
（４）のうち最初の所定枚数の半導体装置（４）につい
て全検査項目で全数検査を実施し、その検査結果に基づ
き統計学的手法を用いて不良発生率が低いと判断された
検査項目に対して省略または簡易な検査項目に変更する
簡素化を行うことにより前記簡易検査時の検査項目を決
定する請求項１または請求項２に記載の半導体装置の検
査方法。
【請求項４】半導体装置（４）上に形成された各半導
体素子（１６）の位置を番地として設定し、同一製造過
程を経た複数の半導体装置（４）のうち最初の所定枚数
の半導体装置（４）について全検査項目で全数検査を実
施し、その検査結果に基づき統計学的手法を用いて不良
発生率が高いと判断された半導体装置（４）上の番地ま
たは領域を記憶し、次の半導体装置（４）からは先に記
憶した番地または領域と対応して存在する半導体素子に
ついては全ての検査項目を実施して検査を行うことを特
徴とする請求項３に記載の半導体装置の検査方法。
【請求項５】半導体装置（４）上に形成された各半導
体素子（１６）に順次に接触される測定用探針（３）
と、該測定用探針（３）を介して各半導体素子（１６）
から取り出される予め設定した複数の検査項目毎の測定
値に基づき各半導体素子（１６）の良否を判定する判定
手段（９，１０，１１）とを備えた半導体装置の検査装
置において、通常検査時に実行される全ての検査項目を通常検査デー
タとして記憶する第１の記憶手段（１０）と、簡易検査時に実行される検査項目を簡易検査データとし
て記憶する第２の記憶手段（１０）と、前記第１の記憶手段（１０）に記憶された通常検査デー
タ及び第２の記憶手段（１０）に記憶された簡易検査デ
ータに基づき実行される制御プログラムを記憶する第３
の記憶手段（１１）と、通常検査時に前記判定手段（９，１０，１１）により連
続して不良品または良品と判定された半導体素子数を計
数する第１の計数手段（１５）と、簡易検査中における半導体素子（１６）の検査個数を計
数する第２の計数手段（１５）と、始めに第１の記憶手段（１０）に記憶された通常検査デ
ータに基づき第３の記憶手段（１１）に記憶された制御
プログラムを実行するとともに前記第１の計数手段（１
５）を動作させ、該第１の計数手段（１５）の計数値が
所定数に達すると、第２の記憶手段（１０）に記憶され
た簡易検査データに基づき第３の記憶手段（１１）に記
憶された制御プログラムを実行するとともに前記第２の
計数手段（１５）を動作させ、該第２の計数手段（１
５）の計数値が所定数に達すると、再び第１の記憶手段
（１０）に記憶された通常検査データに基づき第３の記
憶手段（１１）に記憶された制御プログラムを実行し、
以上の操作を繰り返し行う制御装置（９）とを備えたこ
とを特徴とする半導体装置の検査装置。