JP2000298345A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2000298345A5 JP2000298345A5 JP1999106856A JP10685699A JP2000298345A5 JP 2000298345 A5 JP2000298345 A5 JP 2000298345A5 JP 1999106856 A JP1999106856 A JP 1999106856A JP 10685699 A JP10685699 A JP 10685699A JP 2000298345 A5 JP2000298345 A5 JP 2000298345A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- pattern
- exposure
- minutes
- heated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 2-(2-cyanopropan-2-yldiazenyl)-2-methylpropanenitrile Chemical compound N#CC(C)(C)N=NC(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 229920001519 homopolymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- SJMYWORNLPSJQO-UHFFFAOYSA-N tert-butyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OC(C)(C)C SJMYWORNLPSJQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FAYMLNNRGCYLSR-UHFFFAOYSA-M triphenylsulfonium triflate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)F.C1=CC=CC=C1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 FAYMLNNRGCYLSR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10685699A JP2000298345A (ja) | 1999-04-14 | 1999-04-14 | ポジ型感放射線性組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10685699A JP2000298345A (ja) | 1999-04-14 | 1999-04-14 | ポジ型感放射線性組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000298345A JP2000298345A (ja) | 2000-10-24 |
| JP2000298345A5 true JP2000298345A5 (enExample) | 2006-05-25 |
Family
ID=14444243
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10685699A Pending JP2000298345A (ja) | 1999-04-14 | 1999-04-14 | ポジ型感放射線性組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000298345A (enExample) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1275666A4 (en) | 2000-04-04 | 2007-10-24 | Daikin Ind Ltd | NEW FLUOROPOLYMER WITH ACID-ACTIVE GROUP AND CHEMICALLY REINFORCED PHOTORESIST COMPOSITIONS THAT CONTAIN THEM |
| KR20020038283A (ko) * | 2000-11-17 | 2002-05-23 | 박종섭 | 포토레지스트 단량체, 그의 중합체 및 이를 함유하는포토레지스트 조성물 |
| CN1938391B (zh) | 2004-03-26 | 2012-06-06 | 大金工业株式会社 | 表面处理剂、含氟单体以及含氟聚合物 |
| CN100526344C (zh) | 2004-03-26 | 2009-08-12 | 大金工业株式会社 | 含氟单体、含氟聚合物以及表面处理剂 |
| JP2005345897A (ja) * | 2004-06-04 | 2005-12-15 | Asahi Glass Co Ltd | 撥水性組成物、撥水性薄膜および撥水性親水性パターンを有する薄膜 |
| US20100203450A1 (en) * | 2009-02-11 | 2010-08-12 | International Business Machines Corporation | Photoresist compositions and methods of use |
| KR102754360B1 (ko) * | 2016-01-29 | 2025-01-13 | 니폰 제온 가부시키가이샤 | 중합체, 포지티브형 레지스트 조성물, 및 레지스트 패턴 형성 방법 |
| JP6707875B2 (ja) * | 2016-01-29 | 2020-06-10 | 日本ゼオン株式会社 | 重合体及びポジ型レジスト組成物 |
| JP7172495B2 (ja) * | 2018-11-22 | 2022-11-16 | 日本ゼオン株式会社 | 重合体及びポジ型レジスト組成物 |
| JP7238454B2 (ja) * | 2019-02-19 | 2023-03-14 | 日本ゼオン株式会社 | レジストパターン形成方法 |
| US11262654B2 (en) * | 2019-12-27 | 2022-03-01 | Intel Corporation | Chain scission resist compositions for EUV lithography applications |
| WO2023047992A1 (ja) | 2021-09-21 | 2023-03-30 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法 |
| WO2024122346A1 (ja) * | 2022-12-07 | 2024-06-13 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法 |
| WO2025203875A1 (ja) * | 2024-03-28 | 2025-10-02 | 日本ゼオン株式会社 | ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
| WO2025203874A1 (ja) * | 2024-03-28 | 2025-10-02 | 日本ゼオン株式会社 | ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法、および重合体 |
-
1999
- 1999-04-14 JP JP10685699A patent/JP2000298345A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2000298345A5 (enExample) | ||
| JP3158710B2 (ja) | 化学増幅レジストパターンの形成方法 | |
| JPH07181677A (ja) | 分解性化合物および分解性樹脂並びにこれらを用いた感光性樹脂組成物 | |
| JP3007596B2 (ja) | ポジ型フォトレジスト製造用重合体及びこれを含有する化学増幅型ポジ型フォトレジスト組成物 | |
| JP4393010B2 (ja) | 化学増幅レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 | |
| JPH0588367A (ja) | レジスト組成物とレジストパターンの形成方法 | |
| JP2935306B2 (ja) | 酸分解性化合物及びそれを含有するポジ型感放射線性レジスト組成物 | |
| TWI307451B (en) | Photoresist composition | |
| JP2007526936A (ja) | 厚膜ペーストと適合性のｕｖ放射遮断保護層 | |
| JP2825543B2 (ja) | ネガ型放射線感応性樹脂組成物 | |
| JPH02120366A (ja) | 放射線感応性組成物およびそれを用いたパターン形成法 | |
| JP3853168B2 (ja) | パターン形成方法 | |
| JP2661317B2 (ja) | パターン形成方法 | |
| JPH1172916A (ja) | 微細パターンおよびその形成方法 | |
| JP2000292927A5 (enExample) | ||
| JP2000191656A (ja) | 多酸素含有化合物、フォトレジスト組成物、フォトレジストパタ―ン形成方法、及び半導体素子 | |
| JP2005015763A (ja) | フォトレジスト重合体、フォトレジスト組成物、フォトレジストパターン形成方法及び半導体素子 | |
| JPH03253858A (ja) | パターン形成材料及びパターン形成方法 | |
| JPH09134015A (ja) | パタン形成材料，パタン形成方法および半導体素子製造方法 | |
| JP3771206B2 (ja) | 水溶性材料及びパターン形成方法 | |
| JPH08234434A (ja) | 化学増幅型ネガティブレジスト | |
| JPH10207071A (ja) | ポジ型フォトレジスト製造用共重合体及びこれを含有する化学増幅型ポジ型フォトレジスト組成物 | |
| JP3154209B2 (ja) | パターン形成材料 | |
| JPH02108053A (ja) | パターン形成材料及びパターン形成方法 | |
| JPH07146557A (ja) | パターン形成材料 |