JP4625033B2 - 厚膜ペーストと適合性のuv放射遮断保護層 - Google Patents
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Description
ニトロ安息香酸、メトキシ安息香酸、ニトロナフタル酸、メトキシナフタル酸、3,5−ジメトキシ−4−ヒドロキシケイ皮酸、ケイ皮酸およびこれらの他の誘導体、2−ヒドロキシルアリールベンゾトリアゾールおよびその誘導体、2−ヒドロキシベンゾフェノンおよびその誘導体、ならびにアントラセンスルホン酸およびその誘導体よりなる群から選択されるUV遮断剤と、
ポリマー中のモノマーの少なくとも50モルパーセントが、
を含んでなる光画定可能な保護層を作製することができる材料の組成物である。
n=0〜4であり、
R1は水素または低級アルキルであり、R2は低級アルキルであり、R3およびR4は、独立して水素または低級アルキルであり、ここで低級アルキルの定義は、1〜6個の炭素原子を有するアルキル基を含み、そしてR1とR2との結合、あるいはR1とR3またはR4のいずれかとの結合、あるいはR2とR3またはR4のいずれかとの結合は、結合して5、6または7員環を形成することができる。
1−エトキシエチルメタクリレート(またはアクリレート)、
1−ブトキシエチルメタクリレート(またはアクリレート)、
1−エトキシ−l−プロピルメタクリレート(またはアクリレート),
テトラヒドロピラニルメタクリレート(またはアクリレート)、
テトラヒドロピラニルp−ビニルベンゾエート、
1−エトキシ−l−プロピルp−ビニルベンゾエート、
4−(2−テトラヒドロピラニルオキシ)ベンジルメタクリレート(またはアクリレート)、
4−(1−ブトキシエトキシ)ベンジルメタクリレート(またはアクリレート)である。
t−ブチルメタクリレート(またはアクリレート)、
ネオペンチルメタクリレート(またはアクリレート)
1−ビシクロ{2,2,2}オクチルメタクリレート(またはアクリレート)およびこれらの誘導体
1−ビシクロ{2,2,1}ヘプチルメタクリレート(またはアクリレート)およびこれらの誘導体
1−ビシクロ{2,1,1}ヘキシルメタクリレート(またはアクリレート)およびこれらの誘導体
1−ビシクロ{1,1,1}ペンチルメタクリレート(またはアクリレート)およびこれらの誘導体
1−アダマンチルメタクリレート(またはアクリレート)およびこれらの誘導体である。
3.590グラムのポリ(エトキシトリエチレングリコールメタクリレート−b−t−ブチルメタクリレート)(37/100の重合度D.P.および10,000の数平均分子量Mnを有する)と、0.890グラムのt−ブチルメタクリレート(methacryllate)のホモポリマー(5に等しいD.P.を有する)と、1.586グラムのシラキュア(Cyracure(登録商標))UVI−6976溶液(ダウ・ケミカル(Dow Chemical))と、0,131グラムの2%のクアンティキュア(Quanticure)ITX(アルドリッチ(Aldrich))のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)中の溶液と、0.131gの2%の2,3−ジアザビシクロ[3.2.2]ノナ−2−エン−1,4,4−トリメチル−2,3−ジオキシド(TAOBN)のPGMEA中の溶液と、様々な量のPGMEA中の1%の2−ヒドロキシ4−メトキシベンゾフェノン溶液(実施例1では0.06g)とを、8.328gのPGMEAと混合して、透明な液体が与えられた。
3.273グラムのポリ(エトキシトリエチレングリコールメタクリレート−b−t−ブチルメタクリレート)(D.P.37/100、Mn10,000)と、0.327グラムのt−ブチルメタクリレート(methacryllate)のホモポリマー(D.P.=5)と、0.785グラムのシラキュア(Cyracure(登録商標))UVI−6976溶液(ダウ・ケミカル)と、0.17グラムの1%のクアンティキュア(Quanticure)ITX(アルドリッチ)のPGMEA中の溶液と、0.681gの1%のTAOBNのPGMEA中の溶液と、様々な量の2−(2−ヒドロキシ−5−メチルフェニル)ベンゾトリアゾール(実施例10では0.0225g)とを、4.74gのPGMEA中で混合して、透明溶液にした。
3.273グラムのポリ(エトキシトリエチレングリコールメタクリレート−b−t−ブチルメタクリレート)(D.P.37/100、Mn10,000)と、0.327グラムのt−ブチルメタクリレート(methacryllate)のDP=5ホモポリマーと、0.785グラムのシラキュア(Cyracure(登録商標))UVI−6976溶液(ダウ・ケミカル)と、0.17グラムの1%のクアンティキュア(Quanticure)ITX(アルドリッチ)のPGMEA中の溶液と、0.681gの1%のTAOBNのPGMEA中の溶液と、様々な量の3,5−ジメトキシ−4−ヒドロキシ−ケイ皮酸(実施例14では0.045g)とを、4.74gのPGMEA中で混合して、透明な溶液にした。
Claims (9)
- a)ニトロ安息香酸、メトキシ安息香酸、ニトロナフタル酸、メトキシナフタル酸、3,5−ジメトキシ−4−ヒドロキシケイ皮酸、ケイ皮酸およびこれらの誘導体、2−ヒドロキシルアリールベンゾトリアゾールおよびその誘導体、2−ヒドロキシベンゾフェノンおよびその誘導体、アントラセンスルホン酸およびその誘導体、ならびにカーボンナノチューブよりなる群の1つもしくはそれ以上のメンバーから選択されるUV遮断剤と、
b)ポリマー中のモノマーの少なくとも50モルパーセントが、
を含んでなる組成物から作製された保護層を構成要素として含んでなる電子デバイスであって、
前記ポリマーが、1−エトキシエチルメタクリレート、1−エトキシエチルアクリレート、1−ブトキシエチルメタクリレート、1−ブトキシエチルアクリレート、1−エトキシ−1−プロピルメタクリレート、1−エトキシ−1−プロピルアクリレート、テトラヒドロピラニルメタクリレート、テトラヒドロピラニルアクリレート、テトラヒドロピラニルp−ビニルベンゾエート、1−エトキシ−1−プロピルp−ビニルベンゾエート、4−(2−テトラヒドロピラニルオキシ)ベンジルメタクリレート、4−(2−テトラヒドロピラニルオキシ)ベンジルアクリレート、4−(1−ブトキシエトキシ)ベンジルメタクリレート、4−(1−ブトキシエトキシ)ベンジルアクリレート、t−ブチルメタクリレート、t−ブチルアクリレート、ネオペンチルメタクリレート、ネオペンチルアクリレート、1−ビシクロ{2,2,2}オクチルメタクリレート(またはアクリレート)およびこれらの誘導体、1−ビシクロ{2,2,1}ヘプチルメタクリレート(またはアクリレート)およびこれらの誘導体、1−ビシクロ{2,1,1}ヘキシルメタクリレート(またはアクリレート)およびこれらの誘導体、1−ビシクロ{1,1,1}ペンチルメタクリレート(またはアクリレート)およびこれらの誘導体、ならびに1−アダマンチルメタクリレート(またはアクリレート)およびこれらの誘導体よりなる群から選択されるモノマーを含んでなる電子デバイス。 - 保護層が透明基板を被覆する請求項1に記載のデバイス。
- 保護層がパターン化される請求項1に記載のデバイス。
- (a)ニトロ安息香酸、メトキシ安息香酸、ニトロナフタル酸、メトキシナフタル酸、3,5−ジメトキシ−4−ヒドロキシケイ皮酸、ケイ皮酸およびこれらの誘導体、2−ヒドロキシルアリールベンゾトリアゾールおよびその誘導体、2−ヒドロキシベンゾフェノンおよびその誘導体、アントラセンスルホン酸およびその誘導体、ならびにカーボンナノチューブよりなる群の1つもしくはそれ以上のメンバーから選択されるUV遮断剤と、
(b)ポリマー中のモノマーの少なくとも50モルパーセントが、
を含んでなる保護層が上に被覆された基板を、デバイスの構成要素として提供することを含んでなる電子デバイスの作製方法。 - ポリマーが、1−エトキシエチルメタクリレート、1−エトキシエチルアクリレート、1−ブトキシエチルメタクリレート、1−ブトキシエチルアクリレート、1−エトキシ−1−プロピルメタクリレート、1−エトキシ−1−プロピルアクリレート、テトラヒドロピラニルメタクリレート、テトラヒドロピラニルアクリレート、テトラヒドロピラニルp−ビニルベンゾエート、1−エトキシ−1−プロピルp−ビニルベンゾエート、4−(2−テトラヒドロピラニルオキシ)ベンジルメタクリレート、4−(2−テトラヒドロピラニルオキシ)ベンジルアクリレート、4−(1−ブトキシエトキシ)ベンジルメタクリレート、4−(1−ブトキシエトキシ)ベンジルアクリレート、t−ブチルメタクリレート、t−ブチルアクリレート、ネオペンチルメタクリレート、ネオペンチルアクリレート、1−ビシクロ{2,2,2}オクチルメタクリレート(またはアクリレート)およびこれらの誘導体、1−ビシクロ{2,2,1}ヘプチルメタクリレート(またはアクリレート)およびこれらの誘導体、1−ビシクロ{2,1,1}ヘキシルメタクリレート(またはアクリレート)およびこれらの誘導体、1−ビシクロ{1,1,1}ペンチルメタクリレート(またはアクリレート)およびこれらの誘導体、ならびに1−アダマンチルメタクリレート(またはアクリレート)およびこれらの誘導体よりなる群から選択されるモノマーを含んでなる請求項4に記載の方法。
- 更に、保護層を照射するステップを含んでなる請求項4に記載の方法。
- 保護層が、基板を通して照射される請求項4に記載の方法。
- 更に、保護層をパターン化するステップを含んでなる請求項4に記載の方法。
- 1)(a)ニトロ安息香酸、メトキシ安息香酸、ニトロナフタル酸、メトキシナフタル酸、3,5−ジメトキシ−4−ヒドロケイ皮酸、ケイ皮酸およびこれらの誘導体、2−ヒドロキシアリールベンゾトリアゾールおよびその誘導体、2−ヒドロキシベンゾフェノンおよびその誘導体、アントラセンスルホン酸およびその誘導体、ならびにカーボンナノチューブよりなる群の1つもしくはそれ以上のメンバーから選択されるUV遮断剤と、
(b)ポリマー中のモノマーの少なくとも50モルパーセントが、
2)前記保護層をパターンを有するように光画像形成する工程と、
3)光画像形成された前記保護層上に感光性厚膜ペースト材料を施す工程と、
4)前記厚膜ペースト材料の溶媒の蒸発後、光照射された領域が硬化するように、UV放射を厚膜ペーストの背面から加える工程と、
を含む電子デバイスの作製方法。
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