JP2001081137A - 新規なポリマー及びレジスト組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】紫外線、特に300 nm以下の遠紫外線光、ＫｒＦ
エキシマレーザ光等に対して高透明性を有し、これ等光
源による露光や電子線、軟Ｘ線照射に対して高い感度を
有し、耐熱性や基板密着性に優れ、高解像性能を有し、
パターン形状が経時的に変動せずに精度の高いパターン
が得られ、基板依存性がなく、裾引きやスカムが発生し
ないことはもとより、特に近年の0.15μｍルールを利用
した超微細化において顕著になっているパターン側壁及
び表層の荒れ及び近接効果の影響を改善したポリマー及
びこれを用いたレジスト組成物の提供。 【解決手段】分子内に酸の作用で離脱する性質及びラジ
カル的に架橋する性質を併せ持つ官能基を懸垂するモノ
マー単位を構成単位として含んでなるポリマー。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体素子等の製造
に於いて使用されるレジスト組成物用ポリマー、更に詳
しくは露光エネルギーとして300 ｎｍ以下の遠紫外線、
例えばＫｒＦエキシマレーザ光（248.4 nm）等や電子線
等を用いてポジ型のパターンを形成する際のレジスト組
成物を調製するために有用なポリマー並びにこれらポリ
マーを用いたレジスト組成物に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体デバイスの高密度集積化に
伴い、微細加工、中でもフォトリソグラフィに用いられ
る露光装置のエネルギー源は益々、短波長化し、今では
遠紫外線光（300 nm以下）、ＫｒＦエキシマレーザ光
（248 nm）の利用が開始され、更にＡｒＦエキシマレー
ザ光（193 nm）、Ｆ₂エキシマレーザ光（157 nm）など
が検討されている。しかしながら、特に遠紫外線光やＫ
ｒＦエキシマレーザ光を利用して0.15μｍ以下の超微細
なパターンを形成する場合、量産技術に適した実用性の
高いポリマーを使用したレジスト組成物は未だ適当なも
のが見出されていない。

【０００３】遠紫外線光やＫｒＦエキシマレーザ光を光
源とするレジスト組成物としては、露光エネルギー量を
低減させる方法として提唱［H.Ito等、 Polym. Eng. Sc
i.,23, 1012（1983年）］された化学増幅型レジスト組
成物が普及してきており、このため酸の作用により化学
変化を受け易い官能基を有するポリマーが主として使用
され、この目的に使用されるポリマーがこれ迄多く報告
されているが、何れも実用上、多くの課題を抱えてい
る。

【０００４】即ち、初期の報告「例えば、特公平2-2766
0号公報（米国特許第 4491628号）；特開昭62-115440号
公報（米国特許第 4603101号）；特開平2-25850号公
報；Y.Jian等，Polym. Mater. Sci. & Eng.,66, 41（19
92年）等］では、フェノールエーテル系ポリマー及びカ
ルボン酸系ポリマーが報告されている。しかしながら、
例えばポリ（p-tert-ブトキシカルボニルオキシスチレ
ン）、ポリ（p-tert-ブトキシスチレン）、ポリ（p-ter
t-ブトキシカルボニルオキシ-α-メチルスチレン）、ポ
リ（p-イソプロペニルフェノキシ酢酸 tert-ブチル）、
ポリ（p-tert-ブトキシカルボニルオキシスチレン／ス
ルホン）、ポリ（p-テトラヒドロピラニルオキシスチレ
ン）、ポリ（p-1-メトキシエトキシスチレン）、ポリ
（p-1-フェノキシエトキシスチレン）等のフェノールエ
ーテル系のポリマーは何れも基板との密着性が不良で現
像時に膜剥がれし易く、耐熱性も乏しいため、これ等ポ
リマーを使用したレジスト組成物は良好なパターンが得
られない。又、カルボン酸系のポリマー、例えばポリ
（p-ビニル安息香酸 tert-ブチル）、ポリ（p-ビニル安
息香酸テトラヒドロピラニル）等のポリマーは、ベンゾ
イル基に起因して248ｎｍ付近の光透過性が不十分なた
めにこれ等ポリマーを用いたレジスト組成物は解像性が
不良である。又、ポリ（メタクリル酸 tert-ブチル）等
のアクリル酸エステル系のポリマーは、耐熱性不良、ド
ライエッチング耐性不良のためにこれ等ポリマーを用い
たレジスト組成物は実用的には使用出来ない等の問題が
ある。

【０００５】この他、例えば特公平3-44290号公報等で
はケイ素含有ポリマー［例えば、ポリ（p-トリメチルシ
リルオキシスチレン）、ポリ（p-tert-ブチルジメチル
シリルオキシスチレン）等］が報告されているが、これ
等ポリマーを使用したレジスト組成物には、感度が低
い、ケイ素含有のためアッシングでレジスト残渣が完全
に除去出来ない等の問題があり実用化は困難であった。

【０００６】開発が進むにつれて上記の欠点を改良した
ポリマーとして、ポリ（p-tert-ブトキシカルボニルオ
キシスチレン／p-ヒドロキシスチレン）［特開平2-2099
77号公報；特開平3-206458号公報］、ポリ（p-テトラヒ
ドロピラニルオキシスチレン／p-ヒドロキシスチレン）
［特許第2675138号公報（欧州特許第 342498号）；特開
平2-161436号公報；特開平3-83063号公報］、又はポリ
（p-tert-ブトキシスチレン／p-ヒドロキシスチレン）
［特開平2-62544号公報；特開平4-211258号公報（米国
特許第 5350660号；欧州特許第 440374号）］等が報告
されている。しかしながら、これ等ポリマーを使用した
レジスト組成物は解像性能などの要求性能を達成出来
ず、又、実用化に際して議論されたDelaｙ Timeの問題
点［レジスト塗布から露光迄の間、又は露光から加熱処
理（ＰＥＢ）迄の間の時間経過により寸法が変動した
り、パターン形状が劣化する問題］及び基板依存性の問
題点［半導体基板としてはＳｉＯ₂、Ｓｉ₃Ｎ₄、Ｔｉ₃Ｎ
₄、ＢＰＳＧ又はポリシリコン等が使用されるがこれ等
基板の違いによりパターン形状が不良になる問題］等が
克服出来なかった。

【０００７】その後、保護基としてアセタール基やケタ
ール基を導入したポリマー、例えばポリ（p-メトキシエ
トキシスチレン／p-ヒドロキシスチレン）［特開平2-16
1436号公報；特開平4-219757号公報（欧州特許第 44786
8号）；特開平5-281745号公報（欧州公開特許553737号
公報）；特開平3-282550号公報等］、ポリ（p-1-エトキ
シエトキシスチレン／p-ヒドロキシスチレン）、ポリ
（p-1-メトキシ-1-メチルエトキシスチレン／p-ヒドロ
キシスチレン）、ポリ（p-1-エトキシエトキシスチレン
／p-ヒドロキシスチレン／メタクリル酸メチル）、ポリ
（p-1-エトキシエトキシスチレン/p-ヒドロキシスチレ
ン／フマロニトリル）［何れも特開平5-249682号公報
（欧州公開特許第520642号公報）］及びポリ（p-tert-
ブトキシエトキシスチレン／p-ヒドロキシスチレン）
［特開平8-253528号公報］等が報告されているが、これ
等ポリマーを使用した場合、何れも耐熱性不良、基板依
存性不良の問題やスカムの発生［現像時の溶け残り、エ
ッチングの際に下地基板に転写されるので問題になる］
及び現像液の溶解速度差が大きいためにパターン側壁及
び表層の荒れが目立つ、近接効果の影響が大きい等の問
題を抱えている。

【０００８】又、特許第2942167号（米国特許第5558971
号；欧州公開特許第704762号公報）では、例えばポリ
（p-1-エトキシエトキシスチレン／p-tert-ブトキシス
チレン／p-ヒドロキシスチレン）、ポリ（p-1-エトキシ
エトキシスチレン／p-tert-ブトキシカルボニルオキシ
スチレン／p-ヒドロキシスチレン）等のポリマーが報告
されているが、基板依存性不良の問題、スカムの発生及
びパターン側壁及び表層の荒れや近接効果の影響が大き
い等の問題を未だ抱えている。

【０００９】この他、ポリマー分子内又は分子間で部分
的にアセタール基で架橋したポリマー［例えば、特開平
8-305025号公報；特開平10-207066号公報；特開平10-31
310号公報；特開平10-265524号公報；特開平11-190904
号公報等］や末端ビニル基を懸垂するポリマー［例え
ば、特開平5-265213号公報；特開平11-231541号公報
等］等が報告されている。しかしながら、アセタール基
で部分架橋したポリマーは耐熱性は向上するが解像性能
が低下し、0.15μｍ以下の微細加工には不向きである。
又、架橋させている事に起因して貯蔵時にゲル化した
り、又、現像時に膨潤して寸法変動したり現像欠陥が発
生するなどの問題を抱えている。又、露光部は架橋して
いないアセタール基を有するポリマーと同じ化学増幅の
メカニズムのため、パターン側壁及び表層の荒れは解消
出来ない。又、末端ビニル基を懸垂するポリマーの場合
は架橋による耐熱性の向上が期待出来るが、露光部と未
露光部の区別が無く何れの部位も架橋するため解像性能
不良、スカムが発生し易い、現像後の膨潤によりパター
ン形状不良である等の問題を抱えている。このように化
学増幅型レジストに使用されるポリマーは開発初期に見
られた、ポリマーの耐熱性が不良である、基板密着性が
不良である、光透過性が不良である等の課題は改善され
てきたが、寸法の微細化に伴う性能向上の要求に対し
て、解像性能が不十分である、ＤＯＦが不足する、経時
的にパターン寸法が変動したり、パターン形状が劣化す
る、パターン形状に裾引きやスカムが発生する、パター
ン側壁や表層の荒れが酷い、基板依存性がある等の問題
点を未だ有しており、特に光学的に限界に近い0.15μｍ
以下の超微細化への使用を考慮した場合、パターン側壁
や表層の荒れや近接効果の影響が顕著になり、実用上満
足できるポリマーは無い。従って、これ等の問題点を改
善したポリマー及びそのポリマーを用いたレジスト組成
物が渇望されている現状にある。

【００１０】

【発明が解決しょうとする課題】上記した如き状況に鑑
み本発明が解決しようとする課題は、紫外線、特に300
ｎｍ以下の遠紫外線光、ＫｒＦエキシマレーザ光等に対
して高透明性を有し、これ等光源による露光や電子線、
軟Ｘ線照射に対して高い感度を有し、耐熱性や基板密着
性に優れ、高解像性能を有し、パターン形状が経時的に
変動せずに精度の高いパターンが得られ、基板依存性が
なく、裾引きやスカムが発生しない事はもとより、特に
近年の0.15μｍルールを利用した超微細化において顕著
になっているパターン側壁及び表層の荒れ及び近接効果
の影響を改善した実用的なポリマー及びそれを用いた実
用的なレジスト組成物を提供することである。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
する目的でなされたものであり、下記の構成から成る。 『１．分子内に酸の作用で離脱する性質及びラジカル的
に架橋する性質を併せ持つ官能基を懸垂するモノマー単
位を構成単位として含んでなるポリマー、更に詳しく
は、当該モノマー単位が、フェノール性水酸基に上記官
能基が置換導入されたものである上記ポリマー。』 これらのより具体的態様は以下の通りである。 １−（１）当該官能基が下記一般式［８］

【００１２】

【化９】

【００１３】［式中、Ｒ₁は水素原子、アルキル基を表
し、Ｒ₂はアルキル基、アラルキル基、又は置換されて
いても良いアリール基を表し、又、Ｒ₁とＲ₂とでアルキ
レン鎖を形成していても良く、Ｒ₂₃は水素原子又はメチ
ル基を表し、Ａはスペーサーを表す。］で示されるもの
であるポリマー。 １−（２）モノマー単位が下記一般式［１］

【００１４】

【化１０】

【００１５】［式中、Ａ、Ｒ₁、Ｒ₂及びＲ₂₃は前記と同
じであり、Ｒ₃は水素原子又はメチル基を表す。］で示
されるものであるポリマー １−（３）Ａで示されるスペーサーが−下記一般式[2]

【００１６】

【化１１】

【００１７】（式中、Ｒ₄は水素原子、アルキル基、又
はアルコキシ基を表し、Ｂは単結合、−Ｏ−又は−（Ｃ
Ｈ₂）e−を表し、ａは０又は１〜４であり、ｂは０又は
１であり、ｃは０又は１であり、ｄは０又は１であり、
eは１〜２である。）を表す。］で示されるポリマー。 １−（４）下記一般式［３］

【００１８】

【化１２】

【００１９】［式中、Ｒ₁、Ｒ_{2 、}Ｒ₃及びＲ₂₃は前記と同
じであり、Ｒ₅は水素原子又はメチル基を表し、Ｒ₆は水
素原子又はアルキル基を表し、Ｒ₇はアルキル基、アラ
ルキル基、又は置換されていても良いアリール基を表
し、Ｒ₆とＲ₇とでアルキレン鎖を形成していても良く、
Ｒ₈はアルキル基又はアラルキル基を表し、Ｒ₉は水素原
子、アルキル基、アルコキシ基、テトラヒドロピラニル
オキシ基、テトラヒドロフラニルオキシ基、エトキシカ
ルボニルオキシ基、tert-ブトキシカルボニルオキシ
基、tert-ペントキシカルボニルオキシ基、tert-ブトキ
シカルボニルメトキシ基、又は下記一般式［４］

【００２０】

【化１３】

【００２１】（式中、Ｒ₁₀はアルキル基又は置換されて
いても良いアリール基を表す。）を表し、Ｘはアルキル
基、有橋脂環式炭化水素基又はラクトン基を表し、ｐ、
ｑ及びｌは自然数を表し、ｋ及びｒは０又は自然数を表
す（但し、０≦ｋ／ｋ+ｌ+ｐ+ｑ+ｒ≦0.60であり、０<
ｑ／ｋ+ｌ+ｐ+ｑ+ｒ≦0.40であり、０＜ｌ／ｋ+ｌ+ｐ+
ｑ+ｒ≦0.30であり、且つ０≦ｒ／ｋ+ｌ+ｐ+ｑ+ｒ≦0.3
0である。）。］で示されるポリマー。 １−（５）下記一般式［５］

【００２２】

【化１４】

【００２３】［式中、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₆、Ｒ₇、Ｒ₈、
Ｒ₉、Ｒ₂₃及びＡは前記と同様であり、p’、q’及びl’
は自然数を表し、k’は０又は自然数を表す（但し、０
≦ k’／k’+ l’+ p’+ q’≦0.60であり、０< q’／
k’+ l’+ p’+ q’≦0.40であり、且つ０<l’／k’+
l’+ p’+ q’≦0.30である。）。］で示されるポリマ
ー。 １−（６）下記一般式［６］

【００２４】

【化１５】

【００２５】［式中、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₅、Ｒ₆、Ｒ₇、
Ｒ₈、Ｒ₂₃及びＡは前記と同じであり、Ｙはアルキル
基、有橋脂環式炭化水素基、又はラクトン基を表し、
p’’及びq’’は自然数であり、k’’及びr’’は０又
は自然数である（但し、０≦ k’’／k’’+ p’’ +
q’’+ r’’≦0.60であり、０< q’’／k’’+ p’’
+ q’’+ r’’≦0.40であり、且つ０≦r’’／k’’+
p’’ + q’’+ r’’≦0.30である）。］で示されるポ
リマー。 １−（７）下記一般式［７］

【００２６】

【化１６】

【００２７】［式中、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₅、Ｒ₂₃及びＡ
は前記と同じであり、Ｚはtert-ブチル基、tert-ペンチ
ル基、1-メチルシクロヘキシル基又はメバロラクトニル
基を表し、l’’’、p’’’、q’’’及びｒ’’’は
自然数である（但し、0.10≦ｌ’’’／ｌ’’’+
ｐ’’’+ｑ’’’+ｒ’’’≦0.30であり、０<
q’’’／ｌ’’’+ｐ’’’+ｑ’’’+ｒ’’’≦0.40
であり、且つ0.05≦ｒ’’’／ｌ’’’+ｐ’’’+
ｑ’’’+ｒ’’’≦0.30である。）。］で示される繰
り返し単位を有するポリマー。 ２．上記１−（１）乃至１−（７）の何れかのポリマー
が含まれるポリマー成分と、感放射線照射により酸を発
生する感光性化合物と、ラジカル発生剤と、溶媒と更に
必要に応じて使用される塩基性化合物とを構成成分とす
る化学増幅型ポジレジスト組成物。』

【００２８】

【発明の実施の形態】上記一般式［１］、［３］、
［５］、［６］、［７］及び［８］に於いて、Ｒ ₁及び
Ｒ₂で示されるアルキル基としては炭素数１〜６のもの
が好ましく、直鎖状、分枝状又は環状のいずれでもよ
く、例えばメチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプ
ロピル基、シクロプロピル基、n-ブチル基、イソブチル
基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、n-ペンチル基、イ
ソペンチル基、tert-ペンチル基、1-メチルペンチル
基、シクロペンチル基、n-ヘキシル基、イソヘキシル
基、シクロヘキシル基等が挙げられる。

【００２９】一般式［１］、［３］、［５］、［６］、
［７］及び［８］に於いて、Ｒ₂で示されるアラルキル
基としては、例えばベンジル基、フェネチル基、フェニ
ルプロピル基、メチルベンジル基、メチルネフェネチル
基、エチルベンジル基等が挙げられる。

【００３０】一般式［１］、［３］、［５］、［６］、
［７］及び［８］に於いて、Ｒ₂で示される置換されて
いても良いアリール基におけるアリール基としてはフェ
ニル基、ナフチル基等が挙げられ、またその置換基とし
ては、直鎖状又は分枝状のアルキル基（好ましくは炭素
数が１〜４である、例えばメチル基、エチル基、n-プロ
ピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、
sec-ブチル基、tert-ブチル基等）や直鎖状又は分枝状
のアルコキシ基（好ましくは炭素数が１〜４である、例
えばメトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、イソプ
ロポキシ基、n-ブトキシ基、イソブトキシ基、sec-ブト
キシ基、tert-ブトキシ基等）が挙げられる。

【００３１】又、Ｒ₁とＲ₂とで形成されるアルキレン鎖
としては炭素数２〜５であるものが挙げられる。

【００３２】一般式［２］に於いて、Ｒ₄で示されるア
ルキル基としては炭素数１〜４のものが好ましく、直鎖
状又は分枝状のいずれでもよく、例えばメチル基、エチ
ル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イ
ソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基等が挙げら
れる。

【００３３】一般式［２］に於いて、Ｒ₄で示されるア
ルコキシ基としては炭素数１〜４のものが好ましく、直
鎖状又は分枝状のいずれでもよく、例えばメトキシ基、
エトキシ基、n-プロポキシ基、イソプロポキシ基、n-ブ
トキシ基、イソブトキシ基、sec-ブトキシ基、tert-ブ
トキシ基等が挙げられる。

【００３４】一般式［３］、［５］及び［６］に於い
て、Ｒ₆、Ｒ₇、Ｒ₈及びＲ₉で示されるアルキル基として
は炭素数１〜６のものが好ましく、直鎖状、分枝状又は
環状のいずれでもよく、例えばメチル基、エチル基、n-
プロピル基、イソプロピル基、シクロプロピル基、n-ブ
チル基、イソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル
基、n-ペンチル基、イソペンチル基、tert-ペンチル
基、1-メチルペンチル基、シクロペンチル基、n-ヘキシ
ル基、イソヘキシル基、シクロヘキシル基等が挙げられ
る。

【００３５】一般式［３］及び［５］に於いて、Ｒ₉で
示されるアルコキシ基としては炭素数１〜６のものが好
ましく、直鎖状、分枝状又は環状のいずれでもよく、例
えばメトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、イソプ
ロポキシ基、シクロプロポキシ基、n-ブトキシ基、イソ
ブトキシ基、sec-ブトキシ基、tert-ブトキシ基、n-ペ
ンチルオキシ基、イソペンチルオキシ基、tert-ペンチ
ルオキシ基、1-メチルペンチルオキシ基、シクロペンチ
ルオキシ基、n-ヘキシルオキシ基、イソヘキシルオキシ
基、シクロヘキシルオキシ基等が挙げられる。

【００３６】一般式［３］、［５］及び［６］に於い
て、Ｒ₇及びＲ₈で示されるアラルキル基としては、例え
ばベンジル基、フェネチル基、フェニルプロピル基、メ
チルベンジル基、メチルネフェネチル基、エチルベンジ
ル基等が挙げられる。

【００３７】一般式［３］、［５］及び［６］に於い
て、Ｒ₇で示される置換されていても良いアリール基に
おけるアリール基としてはフェニル基、ナフチル基等が
挙げられ、またその置換基としては、直鎖状又は分枝状
のアルキル基（好ましくは炭素数が１〜４である、例え
ばメチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル
基、n-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、tert-
ブチル基等）や直鎖状又は分枝状のアルコキシ基（好ま
しくは炭素数が１〜４である、例えばメトキシ基、エト
キシ基、n-プロポキシ基、イソプロポキシ基、n-ブトキ
シ基、イソブトキシ基、sec-ブトキシ基、tert-ブトキ
シ基等）が挙げられる。

【００３８】又、Ｒ₆とＲ₇とで形成されるアルキレン鎖
としては炭素数２〜５であるものが挙げられる。

【００３９】一般式［３］に於いて、Ｘで示されるアル
キル基としては炭素数１〜７のものが好ましく、直鎖
状、分枝状又は環状のいずれでもよく、例えばメチル
基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、シクロ
プロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル
基、tert-ブチル基、n-ペンチル基、イソペンチル基、t
ert-ペンチル基、1-メチルペンチル基、シクロペンチル
基、n-ヘキシル基、イソヘキシル基、シクロヘキシル
基、n-ヘキシル基、1-メチルシクロヘキシル基等が挙げ
られる。

【００４０】一般式［３］に於いて、Ｘで示される有橋
脂環式炭化水素基としては炭素数７〜１２のものが好ま
しく、例えばトリシクロ［5．2．1．0^2.6］デカニル
基、ノルボルニル基、イソボルニル基、アダマンタニル
基等が挙げられる。

【００４１】一般式［３］に於いて、Ｘで示されるラク
トン基としては、例えばγ−ブチロラクトン-2-イル
基、γ−ブチロラクトン-3-イル基、3-メチル-γ−ブチ
ロラクトン-2-イル基、3-メチル-γ−ブチロラクトン-3
-イル基、4,4-ジメチル-γ−ブチロラクトン-2-イル
基、4-エチル-4-メチル-γ−ブチロラクトン-2-イル
基、メバロラクトニル基等が挙げられる。

【００４２】一般式［４］に於いて、Ｒ₁₀で示されるア
ルキル基としては、炭素数１〜６のものが好ましく、直
鎖状、分枝状又は環状のいずれでもよく、例えばメチル
基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、シクロ
プロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル
基、tert-ブチル基、n-ペンチル基、イソペンチル基、t
ert-ペンチル基、1-メチルペンチル基、シクロペンチル
基、n-ヘキシル基、イソヘキシル基、シクロヘキシル基
等が挙げられる。

【００４３】一般式［４］に於いて、Ｒ₁₀で示される置
換されていても良いアリール基におけるアリール基とし
てはフェニル基、ナフチル基等が挙げられ、またその置
換基としては、直鎖状又は分枝状のアルキル基（好まし
くは炭素数が１〜４である、例えばメチル基、エチル
基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソ
ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基等）や直鎖状
又は分枝状のアルコキシ基（好ましくは炭素数が１〜４
である、例えばメトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ
基、イソプロポキシ基、n-ブトキシ基、イソブトキシ
基、sec-ブトキシ基、tert-ブトキシ基等）が挙げられ
る。

【００４４】一般式［６］に於いて、Ｙで示されるアル
キル基としては炭素数１〜７のものが好ましく、直鎖
状、分枝状又は環状のいずれでもよく、例えばメチル
基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、シクロ
プロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル
基、tert-ブチル基、n-ペンチル基、イソペンチル基、t
ert-ペンチル基、1-メチルペンチル基、シクロペンチル
基、n-ヘキシル基、イソヘキシル基、シクロヘキシル
基、n-ヘプチル基、1-メチルシクロヘキシル基等が挙げ
られる。

【００４５】一般式［６］に於いて、Ｙで示される有橋
脂環式炭化水素基としては炭素数７〜１２のものが好ま
しく、例えばトリシクロ［5．2．1．0^2.6］デカニル
基、ノルボルニル基、イソボルニル基、アダマンチル基
等が挙げられる。

【００４６】一般式［６］に於いて、Ｙで示されるラク
トン基としては、例えばγ−ブチロラクトン-2-イル
基、γ−ブチロラクトン-3-イル基、3-メチル-γ−ブチ
ロラクトン-2-イル基、3-メチル-γ−ブチロラクトン-3
-イル基、4,4-ジメチル-γ−ブチロラクトン-2-イル
基、4-エチル-4-メチル-γ−ブチロラクトン-2-イル
基、メバロラクトニル基等が挙げられる。

【００４７】本発明のポリマーは、酸の作用がおよぶ部
位では極めて容易に保護基が脱離してフェノール性水酸
基となると共に酸の作用が及ばない部位では加熱により
容易に分子内、又は分子間で架橋する、下記一般式
［８］

【００４８】

【化１７】

【００４９】（式中、Ｒ₁、Ｒ₂及びＡは前記と同じ。）
で示される官能基[例えば、アリルオキシアルコキシ
基、アリルオキシアルコキシアルコキシ基、アリルフェ
ノキシアルコキシアルコキシ基、アリル置換フェノキシ
アルコキシアルコキシ基、エテニルオキシフェノキシア
ルコキシアルコキシ基等]を有するモノマー単位、即
ち、下記一般式［１］

【００５０】

【化１８】

【００５１】（式中、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃及びＡは前記と同
じ。）で示されるモノマー単位を有することが最大の特
徴である。これらの官能基のより具体的な例としては、
例えば以下の一般式［３１］〜［３６］で示されるもの
が挙げられる。

【００５２】

【化１９】

【００５３】（式中、Ｑ11は水素原子又はメチル基を、
Q21は水素原子又はメチル基を、Ｑ31は炭素数１〜４の
アルキル基を、Ｑ51は水素原子又はメチル基を示す）、

【００５４】

【化２０】

【００５５】（式中、Ｑ12は水素原子又はメチル基を、
Q22は水素原子又はメチル基を、Ｑ32は炭素数１〜４の
アルキル基を、Ｑ42は炭素数１〜４のアルキレン鎖を、
Ｑ52は水素原子又はメチル基を示す）、

【００５６】

【化２１】

【００５７】（式中、Ｑ13は水素原子又はメチル基を、
Q23は水素原子又はメチル基を、Ｑ33は炭素数１〜４の
アルキル基を、Ｑ53は水素原子又はメチル基を示す）、

【００５８】

【化２２】

【００５９】（式中、Ｑ14は水素原子又はメチル基を、
Q24は水素原子又はメチル基を、Ｑ34は炭素数１〜４の
アルキル基を、Ｑ44は炭素数１〜４のアルキレン鎖を、
Ｑ54は水素原子又はメチル基を、Ｑ64は水素原子又はメ
トキシ基を示す）、

【００６０】

【化２３】

【００６１】（式中、Ｑ15は水素原子又はメチル基を、
Q25は水素原子又はメチル基を、Ｑ35は炭素数１〜４の
アルキル基を、Ｑ45は炭素数１〜４のアルキレン鎖を、
Ｑ55は水素原子又はメチル基を、Ｑ65は水素原子又はメ
トキシ基を示す）。

【００６２】

【化２４】

【００６３】（式中、Ｑ16は水素原子又はメチル基を、
Q26は水素原子又はメチル基を、Ｑ36は炭素数１〜４の
アルキル基を、Ｑ46は炭素数１〜４のアルキレン鎖を、
Ｑ56は水素原子又はメチル基を、Ｑ66は水素原子又はメ
トキシ基を示す）。

【００６４】一般式［３１］に於いてＱ31で、一般式
［３２］に於いてＱ32で、一般式［３３］に於いてＱ33
で、一般式［３４］に於いてＱ34で、一般式［３５］に
於いてＱ35で、及び一般式［３６］に於いてＱ36で示さ
れるアルキル基としては、炭素数１〜４のものが好まし
く、直鎖状、分枝状又は環状のいずれでもよく、例えば
メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、
シクロプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、sec-ブ
チル基、tert-ブチル基等が挙げられる。

【００６５】一般式［３２］に於いてＱ42で、一般式
［３４］に於いてＱ44で、一般式［３５］に於いてＱ45
で、及び一般式［３６］に於いてＱ46で示されるアルキ
レン鎖としては炭素数１〜５である例えば、メチレン
鎖、エチレン鎖、トリメチレン鎖、テトラメチレン鎖、
ペンタメチレン鎖等が挙げられる。

【００６６】本発明においては、上記のモノマー単位に
加えて更に、基板密着性及び耐熱性を良好にする、下記
一般式［９］

【００６７】

【化２５】

【００６８】（式中、Ｒ₃は前記と同じ。）で示される
モノマー単位、酸の作用により極めて容易に保護基が脱
離してフェノール性水酸基となる、下記一般式［１０］

【００６９】

【化２６】

【００７０】（式中、Ｒ₆、Ｒ₇及びＲ₈は前記と同
じ。）で示される官能基[例えば、アルコキシアルコキ
シ基、アラルキルオキシアルコキシ基、アルコキシ-1-
フェニルアルコキシ基、アルコキシ-1-置換フェニルア
ルコキシ基、アラルキルオキシ-1-フェニルアルコキシ
基又はアラルキルオキシ-1-置換フェニルアルコキシ基
等]を有する事により解像性能を向上させたり、ＤＯＦ
を向上させる目的で必要に応じて使用されるモノマー単
位、即ち、下記一般式［１１］

【００７１】

【化２７】

【００７２】（式中、Ｒ₃、Ｒ₆、Ｒ₇及びＲ₈は前記と同
じ。）で示されるモノマー単位、露光部の現像速度を抑
制して側壁形状を良好にしたり、近接効果の影響を抑制
したり、マスクリニアリティを良好にしたりする目的で
必要に応じて使用されるモノマー単位、即ち、下記一般
式［１２］

【００７３】

【化２８】

【００７４】（式中、Ｒ₃及びＲ₉は前記と同じ。）で示
されるモノマー単位、光透過性を向上させたり、容易に
パターン形状を矩形にさせる、又、酸の作用により保護
基が脱離してカルボン酸を生成させる目的で必要に応じ
て使用される下記一般式［１３］

【００７５】

【化２９】

【００７６】（式中、Ｒ₅及びＸは前記と同じ。）で示
されるモノマー単位等の全部または一部を含んでなるポ
リマーが具体的態様として挙げられ、これらポリマーの
典型例の一つとして下記一般式［３］

【００７７】

【化３０】

【００７８】（式中、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₅、Ｒ₆、Ｒ₇、
Ｒ₈、Ｒ₉、Ａ、Ｘ、ｋ、ｌ、ｐ、ｑ及びｒは前記と同
じ。）で示されるポリマーを挙げることができる。

【００７９】尚、酸の作用により保護基が脱離してカル
ボン酸を生成させる目的で必要に応じて使用される上記
一般式［１３］で示されるモノマー単位の中には、下記
一般式［１３’］

【００８０】

【化３１】

【００８１】（式中、Ｒ₅及びＹは前記と同じ。）及び
下記一般式［１３’’］

【化３２】 （式中、Ｒ₅及びＺは前記と同じ。）で示されるモノマ
ー単位も含まれる。上記一般式［３］で示されるポリマ
ーの中でも、ｋ≠０で示されるポリマーは、一般式［１
０］で示される官能基が既存のtert-ブトキシ基、tert-
ブトキシカルボニルオキシ基、テトラヒドロピラニルオ
キシ基、tert-ブトキシカルボニルメトキシ基等の官能
基と比較して酸の作用で極めて容易に脱離する事に起因
して解像性能の向上及び経時的なパターン寸法の維持
（Delay Time）の点で極めて有利である。

【００８２】上記一般式[３]で示されるポリマーには、
下記一般式[５]〜[７]で示されるポリマーが含まれる。

【００８３】

【化３３】

【００８４】（式中の記号は前記と同じ。）

【００８５】

【化３４】

【００８６】（式中の記号は前記と同じ。）

【００８７】

【化３５】

【００８８】（式中の記号は前記と同じ。） 一般式［１］で示されるモノマー単位としては、例えば
p-1-アリルオキシエトキシスチレン、p-1-アリルオキシ
プロポキシスチレン、p-1-アリルオキシブトキシスチレ
ン、p-1-（4-アリルオキシブトキシ）エトキシスチレ
ン、p-1-（4-アリルオキシブトキシ）プロポキシスチレ
ン、p-1-アリルオキシエトキシ-α-メチルスチレン、p-
1-（4-エテニルフェニルメトキシ）エトキシスチレン、
p-1-（4-エテニルフェニルメトキシ）プロポキシスチレ
ン、p-1-（4-エテニルフェニルメトキシ）-1-メチルエ
トキシスチレン、p-1-［2-（4-エテニルフェノキシ）エ
トキシ］エトキシスチレン、p-1-［2-（4-エテニルフェ
ノキシ）エトキシ］-1-メチルエトキシスチレン、p-1-
［2-（4-エテニルフェノキシ）エトキシ］プロポキシス
チレン、p-1-［2-（4-エテニルフェノキシ）エトキシ］
エトキシ-α-メチルスチレン、p-1-［2-(4-エテニルオ
キシフェノキシ)エトキシ］エトキシスチレン、p-1-［4
-(4-エテニルオキシフェノキシ)ブトキシ］エトキシス
チレン、p-1-［4-(4-エテニルオキシフェノキシ)ブトキ
シ］プロポキシスチレン、p-1-［2-（4-エテニルオキシ
フェノキシ）エトキシ］-1-メチルエトキシスチレン、p
-1-［2-（4-エテニルオキシフェノキシ）エトキシ］プ
ロポキシスチレン、p-1-［2-（4-エテニルオキシフェノ
キシ）エトキシ］-2-フェニルエトキシスチレン、p-1-
［2-（4-アリルフェノキシ）エトキシ］エトキシスチレ
ン、p-1-［4-（4-アリルフェノキシ）ブトキシ］エトキ
シスチレン、p-1-［4-（4-アリルフェノキシ）ブトキ
シ］プロポキシスチレン、p-1-［2-（4-アリルフェノキ
シ）エトキシ］プロポキシスチレン、p-1-［2-（4-アリ
ル-2-メトキシフェノキシ）エトキシ］エトキシスチレ
ン、p-1-［2-（4-アリル-2-メトキシフェノキシ）エト
キシ］プロポキシスチレン、p-1-アクリロイルオキシエ
トキシスチレン、p-1-アクリロイルオキシプロポキシス
チレン、p-1-メタクリロイルオキシエトキシスチレン、
p-1-メタクリロイルオキシプロポキシスチレン等のモノ
マーに由来するものが挙げられるがこれ等に限定される
ものではない。一般式［９］で示されるモノマー単位と
しては、例えばp-ヒドロキシスチレン、p-ヒドロキシ-
α-メチルスチレン等のモノマーに由来するものが挙げ
られる。

【００８９】一般式［１１］で示されるモノマー単位と
しては、例えばp-1-メトキシエトキシスチレン、p-1-エ
トキシエトキシスチレン、p-1-メチル-1-メトキシエト
キシスチレン、p-1-n-プロポキシエトキシスチレン、p-
1-イソブトキシエトキシスチレン、p-1-シクロヘキシル
オキシエトキシスチレン、p-1-ベンジルオキシエトキシ
スチレン、p-1-エトキシプロポキシスチレン、p-1-エト
キシブトキシスチレン、p-1-エトキシエトキシ-α-メチ
ルスチレン、p-1-エトキシ-2-フェニルエトキシスチレ
ン、p-1-エトキシ-1-フェニルメトキシスチレン、p-1-
エトキシ-1-（4-メチルフェニル）メトキシスチレン、p
-1-メトキシシクロヘキシルオキシスチレン、p-1-メチ
ル-1-メトキシエトキシ-α-メチルスチレン等のモノマ
ーに由来するものが挙げられるがこれ等に限定されるも
のではない。一般式［１２］で示されるモノマー単位と
しては、例えばスチレン、α-メチルスチレン、p-メチ
ルスチレン、p-イソプロピルスチレン、p-tert-ブチル
スチレン、p-シクロヘキシルスチレン、p-メトキシスチ
レン、p-イソプロポキシスチレン、p-tert-ブトキシス
チレン、p-シクロヘキシルオキシスチレン、p-テトラヒ
ドロピラニルオキシスチレン、p-テトラヒドロピラニル
オキシ-α-メチルスチレン、p-テトラヒドロフラニルオ
キシスチレン、p-エトキシカルボニルオキシスチレン、
p-tert-ブトキシカルボニルオキシスチレン、p-tert-ブ
トキシカルボニルオキシ-α-メチルスチレン、p-tert-
ペントキシカルボニルオキシスチレン、p-tert-ブトキ
シカルボニルメトキシスチレン、p-アセチルオキシスチ
レン、p-アセチルオキシ-α-メチルスチレン、p-シクロ
ヘキシルカルボニルオキシスチレン、p-ピバロイルオキ
シスチレン、p-ベンゾイルオキシスチレン、p-（4-メチ
ル）ベンゾイルオキシスチレン等のモノマーに由来する
ものが挙げられるがこれ等に限定されるものではない。
一般式［１３］で示されるモノマー単位としては、例え
ばアクリル酸メチル、メタクリル酸メチル、アクリル酸
イソプロピル、アクリル酸 tert-ブチル、メタクリル酸
tert-ブチル、アクリル酸シクロヘキシル、メタクリル
酸シクロヘキシル、アクリル酸1-メチルシクロヘキシ
ル、メタクリル酸1-メチルシクロヘキシル、アクリル酸
イソボルニル、メタクリル酸イソボルニル、アクリル酸
ノルボルニル、メタクリル酸ノルボルニル、アクリル酸
トリシクロ［5．2．1．0^2.6］デカニル、メタクリル酸
トリシクロ［5．2．1．0^2.6］デカニル、アクリル酸ア
ダマンチル、メタクリル酸アダマンチル、アクリル酸
γ−ブチロラクトン-2-イル、メタクリル酸 γ−ブチロ
ラクトン-2-イル、アクリル酸3-メチル-γ−ブチロラク
トン-2-イル、メタクリル酸3-メチル-γ−ブチロラクト
ン-2-イル、アクリル酸 4,4-ジメチル-γ−ブチロラク
トン-2-イル、メタクリル酸4,4-ジメチル-γ−ブチロラ
クトン-2-イル、アクリル酸メバロラクトニル、メタク
リル酸メバロラクトニル等のモノマーに由来するものが
挙げられるがこれ等に限定されるものではない。一般式
[３]で示されるポリマーにおいて、上記一般式［１］で
示されるモノマー単位の構成比率は通常0.01〜40モル％
であり、何れの場合も本発明の用途には使用可能である
がレジストの解像性能の向上、ＤＯＦの拡大、Delay T
imeの解消、架橋の容易さ等の点からは0.1〜30モル％が
好ましい。40モル％以上ではスカムや現像欠陥等の問題
が発生する。一般式[３]で示されるポリマーにおいて、
上記一般式［１１］で示されるモノマー単位の構成比率
は通常０〜60モル％であり、何れの場合も本発明の用途
には使用可能であるがレジストの解像性能の向上、ＤＯ
Ｆの拡大、Delay Timeの解消等の点からは20〜50モル
％が好ましい。20モル％未満の場合は現像時のコントラ
スト低下に起因して解像性能の低下、ＤＯＦの縮小等が
あり、60モル％以上ではポリマーの耐熱性低下、現像欠
陥等の問題が発生する。一般式［５］、一般式［６］又
は一般式［７］で示されるポリマーにおいて、上記一般
式［１］で示されるモノマー単位の構成比率は通常0.01
〜40モル％であり、何れの場合も本発明の用途には使用
可能であるがレジストの解像性能の向上、ＤＯＦの拡
大、Delay Timeの解消、架橋の容易さ等の点からは0.1
〜30モル％が好ましい。40モル％以上ではスカムや現像
欠陥等の問題が発生する。一般式［５］で示されるポリ
マーにおいて、上記一般式［１１］で示されるモノマー
単位の構成比率は通常０〜60モル％であり、何れの場合
も本発明の用途には使用可能であるがレジストの解像性
能の向上、ＤＯＦの拡大、Delay Timeの解消等の点か
らは20〜50モル％が好ましい。20モル％未満の場合は現
像時のコントラスト低下に起因して解像性能の低下、Ｄ
ＯＦの縮小等があり、60モル％以上ではポリマーの耐熱
性低下、現像欠陥等の問題が発生する。一般式［５］で
示されるポリマーにおいて、上記一般式［１２］で示さ
れるモノマー単位の構成比率は通常0.1〜３０モル％で
あり、何れの場合も本発明の用途には使用可能であるが
レジストの露光部の現像速度を抑制して側壁形状を良好
にしたり、近接効果の影響を抑制したり、マスクリニア
リティを良好にする0.5〜15モル％が好ましい。

【００９０】30モル％以上ではポリマーの解像性能の低
下、ＤＯＦの縮小、パターン形状不良等の問題がある。
一般式［６］で示されるポリマーにおいて、上記一般式
［１１］で示されるモノマー単位の構成比率は通常０〜
60モル％であり、何れの場合も本発明の用途には使用可
能であるがレジストの解像性能の向上、ＤＯＦの拡大、
Delay Timeの解消等の点からは20〜50モル％が好まし
い。20モル％未満の場合は現像時のコントラスト低下に
起因して解像性能の低下、ＤＯＦの縮小等があり、60モ
ル％以上ではポリマーの耐熱性低下、現像欠陥等の問題
が発生する。一般式［６］で示されるポリマーにおい
て、上記一般式［１３’］で示されるモノマー単位の構
成比率は通常０〜30モル％であり、何れの場合も本発明
の用途には使用可能であるがレジストの光透過性の向
上、パターン形状の矩形化の点からは０〜15モル％が好
ましい。30モル％以上ではポリマーの耐熱性不良、エッ
チング耐性不良、近接効果の影響拡大、解像性能の低
下、Delay Time等の問題が発生する。一般式［７］で示
されるポリマーにおいて、スチレン単位の構成比率は通
常10〜30モル％であり、何れの場合も本発明の用途には
使用可能であるがレジストのエッチング耐性保持の点か
らは15〜25モル％が好ましい。10モル％未満ではレジス
トのエッチング耐性が著しく低下し、30モル％以上では
解像性能の低下、ＤＯＦの縮小、近接効果の影響拡大等
の問題が発生する。一般式［７］で示されるポリマーに
おいて、上記一般式［１３’’］で示されるモノマー単
位の構成比率は通常５〜３０モル％であり、何れの場合
も本発明の用途には使用可能であるがレジストの解像性
能の向上、光透過性の向上、パターン形状の矩形化の点
からは10〜15モル％が好ましい。30モル％以上ではポリ
マーの耐熱性不良、エッチング耐性不良、近接効果の影
響拡大、Delay Time等の問題が発生する。一般式[３]で
示されるポリマーの具体例としては、例えばポリ｛p-1-
エトキシエトキシスチレン／p-tertブトキシスチレン／
p-ヒドロキシスチレン／p-1-［2-(4-エテニルフェノキ
シ)エトキシ］エトキシスチレン／アクリル酸 tert-ブ
チル｝、ポリ｛p-1-エトキシエトキシスチレン／p-tert
ブトキシカルボニルオキシスチレン／p-ヒドロキシスチ
レン／p-1-［2-(4-エテニルフェノキシ)エトキシ］エト
キシスチレン／アクリル酸メチル｝、ポリ｛p-1-エトキ
シプロポキシスチレン／p-イソプロポキシスチレン／p-
ヒドロキシスチレン／p-1-アリルオキシエトキシスチレ
ン｝、ポリ｛p-1-エトキシエトキシスチレン／p-tert-
ブトキシスチレン／p-ヒドロキシスチレン／p-1アリル
オキシエトキシスチレン／メタクリル酸メチル｝、ポリ
｛p-1-シクロヘキシルオキシエトキシスチレン／p-tert
-ブトキシカルボニルオキシスチレン／p-ヒドロキシス
チレン／p-1-［2-(4-アリル-2-メトキシフェノキシ)エ
トキシ］エトキシスチレン／アクリル酸イソボルニ
ル｝、ポリ｛p-1-エトキシエトキシスチレン／p-テトラ
ヒドロピラニルオキシスチレン／p-ヒドロキシスチレン
／p-1-［2-(4-アリル-2-メトキシフェノキシ)エトキ
シ］エトキシスチレン／アクリル酸シクロヘキシル｝、
ポリ｛p-1-エトキシエトキシスチレン／スチレン／p-ヒ
ドロキシスチレン／p-1-［2-(4-エテニルオキシフェノ
キシ)エトキシ］エトキシスチレン／アクリル酸 tert-
ブチル｝等が挙げられるが、勿論これ等に限定されるも
のではない。一般式[５]で示されるポリマーの具体例と
しては、例えばポリ（p-1-エトキシエトキシスチレン／
p-ヒドロキシスチレン／p-tert-ブトキシスチレン／p-1
-アリルオキシエトキシスチレン）、ポリ（p-1-エトキ
シエトキシスチレン／p-ヒドロキシスチレン／スチレン
／p-1-アリルオキシエトキシスチレン）、ポリ（p-1-エ
トキシエトキシスチレン／p-ヒドロキシスチレン／p-te
rt-ブトキシカルボニルオキシスチレン／p-1-アリルオ
キシエトキシスチレン）、ポリ｛p-1-エトキシエトキシ
スチレン／p-ヒドロキシスチレン／p-tert-ブトキシカ
ルボニルオキシスチレン／p-1-（4-アリルオキシブトキ
シ）エトキシスチレン｝、ポリ｛p-1-エトキシエトキシ
スチレン／p-ヒドロキシスチレン／p-tert-ブトキシカ
ルボニルオキシスチレン／p-1-（4-アリルオキシブトキ
シ）プロポキシスチレン｝、ポリ｛p-1-エトキシエトキ
シスチレン／p-ヒドロキシスチレン／p-tert-ブトキシ
カルボニルオキシスチレン／p-1-［4-(4-エテニルオキ
シフェノキシ)ブトキシ］エトキシスチレン、｝、ポリ
｛p-1-エトキシエトキシスチレン／p-ヒドロキシスチレ
ン／p-tert-ブトキシカルボニルオキシスチレン／p-1-
［4-(4-エテニルオキシフェノキシ)ブトキシ］プロポキ
シスチレン｝、ポリ｛p-1-エトキシエトキシスチレン／
p-ヒドロキシスチレン／p-tert-ブトキシカルボニルオ
キシスチレン／p-1-［4-（4-アリルフェノキシ）ブトキ
シ］エトキシスチレン｝、ポリ｛p-1-エトキシエトキシ
スチレン／p-ヒドロキシスチレン／p-tert-ブトキシカ
ルボニルオキシスチレン／p-1-［4-（4-アリルフェノキ
シ）ブトキシ］プロポキシスチレン｝、ポリ（p-1-エト
キシエトキシスチレン／p-ヒドロキシスチレン／p-tert
-ブトキシカルボニルオキシスチレン／p-1-アクリロイ
ルオキシエトキシスチレン）、ポリ（p-1-エトキシエト
キシスチレン／p-ヒドロキシスチレン／p-tert-ブトキ
シカルボニルオキシスチレン／p-1-アクリロイルオキシ
プロポキシスチレン）、ポリ（p-1-エトキシエトキシス
チレン／p-ヒドロキシスチレン／p-tert-ブトキシカル
ボニルオキシスチレン／p-1-メタクリロイルオキシエト
キシスチレン）、ポリ（p-1-エトキシエトキシスチレン
／p-ヒドロキシスチレン／p-tert-ブトキシカルボニル
オキシスチレン／p-1-メタクリロイルオキシプロポキシ
スチレン）、ポリ（p-1-エトキシエトキシスチレン／p-
ヒドロキシスチレン／p-テトラヒドロピラニルオキシス
チレン／p-1-アリルオキシエトキシスチレン）、ポリ
（p-1-エトキシエトキシスチレン／p-ヒドロキシスチレ
ン／p-ピバロイルオキシスチレン／p-1-アリルオキシエ
トキシスチレン）、ポリ（p-1-エトキシエトキシスチレ
ン／p-ヒドロキシスチレン／p-アセチルオキシスチレン
／p-1-アリルオキシエトキシスチレン）、ポリ（p-1-メ
トキシエトキシスチレン／p-ヒドロキシスチレン／p-te
rt-ブトキシカルボニルメトキシスチレン／p-1-アリル
オキシエトキシスチレン）、ポリ（p-1-エトキシプロポ
キシスチレン／p-ヒドロキシスチレン／p-ベンゾイルオ
キシスチレン／p-1-アリルオキシエトキシスチレン）、
ポリ（p-1-エトキシプロポキシスチレン／p-ヒドロキシ
スチレン／p-tert-ブトキシカルボニルオキシスチレン
／p-1-アリルオキシエトキシスチレン）、ポリ｛p-1-エ
トキシエトキシスチレン／p-ヒドロキシスチレン／p-te
rt-ブトキシスチレン／p-1-［2-（4-エテニルフェノキ
シ）エトキシ］エトキシスチレン｝、ポリ｛p-1-エトキ
シエトキシスチレン／p-ヒドロキシスチレン／p-tert-
ブトキシカルボニルオキシスチレン／p-1-［2-（4-エテ
ニルフェノキシ）エトキシ］エトキシスチレン｝、ポリ
｛p-1-エトキシプロポキシスチレン／p-ヒドロキシスチ
レン／p-tert-ブトキシカルボニルオキシスチレン／p-1
-［2-（4-エテニルフェノキシ）エトキシ］エトキシス
チレン｝、ポリ｛p-1-エトキシエトキシスチレン／p-ヒ
ドロキシスチレン／p-テトラヒドロピラニルオキシスチ
レン／p-1-［2-（4-エテニルフェノキシ）エトキシ］エ
トキシスチレン｝、ポリ｛p-1-イソブトキシエトキシス
チレン／p-ヒドロキシスチレン／p-tert-ブチルスチレ
ン／p-1-［2-（4-エテニルフェノキシ）エトキシ］エト
キシスチレン｝、ポリ｛p-1-シクロヘキシルオキシエト
キシスチレン／p-ヒドロキシスチレン／p-アセチルオキ
シスチレン／p-1-［2-（4-エテニルフェノキシ）エトキ
シ］エトキシスチレン｝、ポリ｛p-1-エトキシエトキシ
スチレン／p-ヒドロキシスチレン／p-tert-ブチルスチ
レン／p-1-［2-（4-エテニルフェノキシ）エトキシ］エ
トキシスチレン｝、ポリ｛p-1-エトキシエトキシスチレ
ン／p-ヒドロキシスチレン／p-シクロヘキシルカルボニ
ルオキシスチレン／p-1-［2-（4-エテニルフェノキシ）
エトキシ］エトキシスチレン｝、ポリ｛p-1-エトキシエ
トキシスチレン／p-ヒドロキシスチレン／p-tert-ブト
キシスチレン／p-1-［2-(4-エテニルオキシフェノキシ)
エトキシ］エトキシスチレン｝、ポリ｛p-1-エトキシエ
トキシスチレン／p-ヒドロキシスチレン／p-エトキシカ
ルボニルオキシスチレン／p-1-［2-(4-エテニルオキシ
フェノキシ)エトキシ］エトキシスチレン｝、ポリ｛p-1
-エトキシエトキシスチレン／p-ヒドロキシスチレン／p
-tert-ブトキシカルボニルオキシスチレン／p-1-［2-(4
-エテニルオキシフェノキシ)エトキシ］エトキシスチレ
ン｝、ポリ｛p-1-メトキシエトキシスチレン／p-ヒドロ
キシスチレン／p-tert-ブトキシカルボニルメトキシス
チレン／p-1-［2-(4-エテニルオキシフェノキシ)エトキ
シ］エトキシスチレン｝、ポリ｛p-1-エトキシプロポキ
シスチレン／p-ヒドロキシスチレン／p-tert-ブトキシ
カルボニルオキシスチレン／p-1-［2-(4-エテニルオキ
シフェノキシ)エトキシ］エトキシスチレン｝、ポリ｛p
-1-エトキシエトキシスチレン／p-ヒドロキシスチレン
／p-テトラヒドロピラニルオキシスチレン／p-1-［2-(4
-エテニルオキシフェノキシ)エトキシ］エトキシスチレ
ン｝、ポリ｛p-1-エトキシエトキシスチレン／p-ヒドロ
キシスチレン／p-イソプロポキシスチレン／p-1-［2-(4
-エテニルオキシフェノキシ)エトキシ］エトキシスチレ
ン｝、ポリ｛p-1-エトキシエトキシスチレン／p-ヒドロ
キシスチレン／p-tert-ブトキシスチレン／p-1-［2-（4
-アリル-2-メトキシフェノキシ）エトキシ］エトキシス
チレン｝、ポリ｛p-1-エトキシエトキシスチレン／p-ヒ
ドロキシスチレン／p-tert-ブトキシカルボニルオキシ
スチレン／p-1-［2-（4-アリル-2-メトキシフェノキ
シ）エトキシ］エトキシスチレン｝、ポリ｛p-1-エトキ
シエトキシスチレン／p-ヒドロキシスチレン／p-テトラ
ヒドロピラニルオキシスチレン／p-1-［2-（4-アリル-2
-メトキシフェノキシ）エトキシ］エトキシスチレ
ン｝、ポリ｛p-1-エトキシプロポキシスチレン／p-ヒド
ロキシスチレン／p-tert-ブトキシカルボニルオキシス
チレン／p-1-［2-（4-アリル-2-メトキシフェノキシ）
エトキシ］エトキシスチレン｝、ポリ｛p-ヒドロキシス
チレン／p-tert-ブトキシスチレン／p-1-［2-（4-エテ
ニルフェノキシ）エトキシ］エトキシスチレン｝、ポリ
｛p-ヒドロキシスチレン／p-tert-ブトキシカルボニル
オキシスチレン／p-1-［2-（4-エテニルフェノキシ）エ
トキシ］エトキシスチレン｝、ポリ｛p-ヒドロキシスチ
レン／p-イソプロポキシスチレン／p-1-［2-(4-エテニ
ルオキシフェノキシ)エトキシ］エトキシスチレン｝、
ポリ（p-ヒドロキシスチレン／p-tert-ブトキシスチレ
ン／p-1-アリルオキシエトキシスチレン）、ポリ｛p-ヒ
ドロキシスチレン／p-テトラヒドロピラニルオキシスチ
レン／p-1-［2-（4-エテニルフェノキシ）エトキシ］エ
トキシスチレン｝等が挙げられるが、勿論これ等に限定
されるものではない。一般式[６] で示されるポリマー
の具体例としては、例えばポリ（p-1-エトキシエトキシ
スチレン／p-ヒドロキシスチレン／p-1-アリルオキシエ
トキシスチレン）、ポリ（p-1-エトキシエトキシスチレ
ン／p-ヒドロキシスチレン／p-1-アリルオキシエトキシ
スチレン／メタクリル酸メチル）、ポリ（p-1-エトキシ
エトキシスチレン／p-ヒドロキシスチレン／p-1-アリル
オキシエトキシスチレン／アクリル酸シクロヘキシ
ル）、ポリ（p-1-エトキシエトキシスチレン／p-ヒドロ
キシスチレン／p-1-アリルオキシエトキシスチレン／ア
クリル酸イソボルニル）、ポリ（p-1-エトキシエトキシ
スチレン／p-ヒドロキシスチレン／p-1-アリルオキシエ
トキシスチレン／アクリル酸アダマンチル）、ポリ（p-
1-エトキシエトキシスチレン／p-ヒドロキシスチレン／
p-1-アリルオキシエトキシスチレン／アクリル酸メバロ
ラクトニル）、ポリ（p-1-エトキシプロポキシスチレン
／p-ヒドロキシスチレン／p-1-アリルオキシエトキシス
チレン／アクリル酸シクロヘキシル）、ポリ（p-1-メト
キシエトキシスチレン／p-ヒドロキシスチレン／p-1-ア
リルオキシエトキシスチレン）、ポリ（p-1-メチル-1-
メトキシエトキシスチレン／p-ヒドロキシスチレン／p-
1-アリルオキシエトキシスチレン）、ポリ（p-1-エトキ
シプロポキシスチレン／p-ヒドロキシスチレン／p-1-ア
リルオキシエトキシスチレン）、ポリ（p-1-エトキシプ
ロポキシスチレン／p-ヒドロキシスチレン／p-1-アリル
オキシエトキシスチレン／アクリル酸イソボルニル）、
ポリ（p-1-エトキシプロポキシスチレン／p-ヒドロキシ
スチレン／p-1-アリルオキシエトキシスチレン／アクリ
ル酸 tert-ブチル）、ポリ（p-1-イソブトキシエトキシ
スチレン／p-ヒドロキシスチレン／p-1-アリルオキシエ
トキシスチレン）、ポリ（p-1-イソブトキシエトキシス
チレン／p-ヒドロキシスチレン／p-1-アリルオキシエト
キシスチレン／アクリル酸 tert-ブチル）、ポリ（p-1-
イソブトキシエトキシスチレン／p-ヒドロキシスチレン
／p-1-アリルオキシエトキシスチレン／アクリル酸メバ
ロラクトニル）、ポリ（p-1-シクロヘキシルオキシエト
キシスチレン／p-ヒドロキシスチレン／p-1-アリルオキ
シエトキシスチレン）、ポリ（p-1-シクロヘキシルオキ
シエトキシスチレン／p-ヒドロキシスチレン／p-1-アリ
ルオキシエトキシスチレン／アクリル酸シクロヘキシ
ル）、ポリ｛p-1-エトキシエトキシスチレン／p-ヒドロ
キシスチレン／p-1-［2-（4-エテニルフェノキシ）エト
キシ］エトキシスチレン｝、ポリ｛p-1-エトキシエトキ
シスチレン／p-ヒドロキシスチレン／p-1-［2-（4-エテ
ニルフェノキシ）エトキシ］エトキシスチレン／メタク
リル酸メチル｝、ポリ｛p-1-エトキシエトキシスチレン
／p-ヒドロキシスチレン／p-1-［2-（4-エテニルフェノ
キシ）エトキシ］エトキシスチレン／アクリル酸 tert-
ブチル｝、ポリ｛p-1-エトキシエトキシスチレン／p-ヒ
ドロキシスチレン／p-1-［2-（4-エテニルフェノキシ）
エトキシ］エトキシスチレン／アクリル酸シクロヘキシ
ル｝、ポリ｛p-1-エトキシエトキシスチレン／p-ヒドロ
キシスチレン／p-1-［2-（4-エテニルフェノキシ）エト
キシ］エトキシスチレン／アクリル酸イソボルニル｝、
ポリ｛p-1-エトキシエトキシスチレン／p-ヒドロキシス
チレン／p-1-［2-（4-エテニルフェノキシ）エトキシ］
エトキシスチレン／アクリル酸アダマンチル｝、ポリ
｛p-1-エトキシエトキシスチレン／p-ヒドロキシスチレ
ン／p-1-［2-（4-エテニルフェノキシ）エトキシ］エト
キシスチレン／アクリル酸メバロラクトニル｝、ポリ
｛p-1-エトキシエトキシスチレン／p-ヒドロキシスチレ
ン／p-1-［2-（4-エテニルフェノキシ）エトキシ］エト
キシスチレン／メタクリル酸シクロヘキシル｝、ポリ
｛p-1-エトキシエトキシスチレン／p-ヒドロキシスチレ
ン／p-1-［2-（4-エテニルフェノキシ）エトキシ］エト
キシスチレン／アクリル酸 γ−ブチロラクトン-2-イ
ル｝、ポリ｛p-1-エトキシエトキシスチレン／p-ヒドロ
キシスチレン／p-1-［2-（4-エテニルフェノキシ）エト
キシ］エトキシスチレン／アクリル酸ノルボルニル｝、
ポリ｛p-1-エトキシエトキシスチレン／p-ヒドロキシス
チレン／p-1-［2-（4-エテニルフェノキシ）エトキシ］
エトキシスチレン／アクリル酸 4,4-ジメチル-γ−ブチ
ロラクトン-2-イル｝、ポリ｛p-1-エトキシプロポキシ
スチレン／p-ヒドロキシスチレン／p-1-［2-（4-エテニ
ルフェノキシ）エトキシ］エトキシスチレン／メタクリ
ル酸メチル｝、ポリ｛p-1-エトキシプロポキシスチレン
／p-ヒドロキシスチレン／p-1-［2-（4-エテニルフェノ
キシ）エトキシ］エトキシスチレン／アクリル酸メバロ
ラクトニル｝、ポリ｛p-1-エトキシプロポキシスチレン
／p-ヒドロキシスチレン／p-1-［2-（4-エテニルフェノ
キシ）エトキシ］エトキシスチレン／アクリル酸シクロ
ヘキシル｝、ポリ｛p-1-エトキシプロポキシ−α−メチ
ルスチレン／p-ヒドロキシ−α−メチルスチレン／p-1-
［2-（4-エテニルフェノキシ）エトキシ］エトキシ−α
−メチルスチレン／アクリル酸イソボルニル｝、ポリ
｛p-1-エトキシプロポキシスチレン／p-ヒドロキシスチ
レン／p-1-［2-（4-エテニルフェノキシ）エトキシ］エ
トキシスチレン／アクリル酸 tert-ブチル｝、ポリ｛p-
1-シクロヘキシルオキシエトキシスチレン／p-ヒドロキ
シスチレン／p-1-［2-（4-エテニルフェノキシ）エトキ
シ］エトキシスチレン／メタクリル酸メチル｝、ポリ
｛p-1-シクロヘキシルオキシエトキシスチレン／p-ヒド
ロキシスチレン／p-1-［2-（4-エテニルフェノキシ）エ
トキシ］エトキシスチレン／アクリル酸 tert-ブチ
ル｝、ポリ｛p-ヒドロキシスチレン／p-1-［2-（4-エテ
ニルフェノキシ）エトキシ］エトキシスチレン／アクリ
ル酸イソボルニル｝、ポリ｛p-ヒドロキシスチレン／p-
1-［2-（4-エテニルフェノキシ）エトキシ］エトキシス
チレン／アクリル酸シクロヘキシル｝、ポリ｛p-ヒドロ
キシスチレン／p-1-［2-（4-エテニルフェノキシ）エト
キシ］エトキシスチレン｝、ポリ｛p-1-エトキシエトキ
シスチレン／p-ヒドロキシスチレン／p-1-［2-(4-エテ
ニルオキシフェノキシ)エトキシ］エトキシスチレ
ン｝、ポリ｛p-1-エトキシエトキシスチレン／p-ヒドロ
キシスチレン／p-1-（4-アリルオキシブトキシ）エトキ
シスチレン｝、ポリ｛p-1-エトキシエトキシスチレン／
p-ヒドロキシスチレン／p-1-（4-アリルオキシブトキ
シ）プロポキシスチレン｝、ポリ｛p-1-エトキシエトキ
シスチレン／p-ヒドロキシスチレン／p-1-［4-(4-エテ
ニルオキシフェノキシ)ブトキシ］エトキシスチレ
ン｝、ポリ｛p-1-エトキシエトキシスチレン／p-ヒドロ
キシスチレン／p-1-［4-(4-エテニルオキシフェノキシ)
ブトキシ］プロポキシスチレン｝、ポリ｛p-1-エトキシ
エトキシスチレン／p-ヒドロキシスチレン／p-1-［4-
（4-アリルフェノキシ）ブトキシ］エトキシスチレ
ン｝、ポリ｛p-1-エトキシエトキシスチレン／p-ヒドロ
キシスチレン／p-1-［4-（4-アリルフェノキシ）ブトキ
シ］プロポキシスチレン｝、ポリ（p-1-エトキシエトキ
シスチレン／p-ヒドロキシスチレン／p-1-アクリロイル
オキシエトキシスチレン）、ポリ（p-1-エトキシエトキ
シスチレン／p-ヒドロキシスチレン／p-1-アクリロイル
オキシプロポキシスチレン）、ポリ（p-1-エトキシエト
キシスチレン／p-ヒドロキシスチレン／p-1-メタクリロ
イルオキシエトキシスチレン）、ポリ（p-1-エトキシエ
トキシスチレン／p-ヒドロキシスチレン／p-1-メタクリ
ロイルオキシプロポキシスチレン）、ポリ｛p-1-エトキ
シエトキシスチレン／p-ヒドロキシスチレン／p-1-［2-
(4-エテニルオキシフェノキシ)エトキシ］エトキシスチ
レン／メタクリル酸メチル｝、ポリ｛p-1-エトキシエト
キシスチレン／p-ヒドロキシスチレン／p-1-［2-(4-エ
テニルオキシフェノキシ)エトキシ］エトキシスチレン
／アクリル酸イソボルニル｝、ポリ｛p-1-エトキシエト
キシスチレン／p-ヒドロキシスチレン／p-1-［2-(4-エ
テニルオキシフェノキシ)エトキシ］エトキシスチレン
／アクリル酸アダマンチル｝、ポリ｛p-1-エトキシエト
キシスチレン／p-ヒドロキシスチレン／p-1-［2-(4-エ
テニルオキシフェノキシ)エトキシ］エトキシスチレン
／アクリル酸メバロラクトニル｝、ポリ｛p-1-エトキシ
エトキシスチレン／p-ヒドロキシスチレン／p-1-［2-(4
-エテニルオキシフェノキシ)エトキシ］エトキシスチレ
ン／アクリル酸 tert-ブチル｝、ポリ｛p-1-エトキシエ
トキシスチレン／p-ヒドロキシスチレン／p-1-［2-(4-
エテニルオキシフェノキシ)エトキシ］エトキシスチレ
ン／メタクリル酸シクロヘキシル｝、ポリ｛p-1-エトキ
シエトキシスチレン／p-ヒドロキシスチレン／p-1-［2-
(4-エテニルオキシフェノキシ)エトキシ］エトキシスチ
レン／アクリル酸ノルボルニル｝、ポリ｛p-1-エトキシ
プロポキシスチレン／p-ヒドロキシスチレン／p-1-［2-
(4-エテニルオキシフェノキシ)エトキシ］エトキシスチ
レン／アクリル酸 tert-ブチル｝、ポリ｛p-1-エトキシ
プロポキシスチレン／p-ヒドロキシスチレン／p-1-［2-
(4-エテニルオキシフェノキシ)エトキシ］エトキシスチ
レン／アクリル酸γ−ブチロラクトン-2-イル｝、ポリ
｛p-1-エトキシエトキシスチレン／p-ヒドロキシスチレ
ン／p-1-［2-（4-アリル-2-メトキシフェノキシ）エト
キシ］エトキシスチレン｝、ポリ｛p-1-エトキシエトキ
シスチレン／p-ヒドロキシスチレン／p-1-［2-（4-アリ
ル-2-メトキシフェノキシ）エトキシ］エトキシスチレ
ン／メタクリル酸メチル｝、ポリ｛p-1-エトキシエトキ
シスチレン／p-ヒドロキシスチレン／p-1-［2-（4-アリ
ル-2-メトキシフェノキシ）エトキシ］エトキシスチレ
ン／アクリル酸シクロヘキシル｝、ポリ｛p-1-エトキシ
エトキシスチレン／p-ヒドロキシスチレン／p-1-［2-
（4-アリル-2-メトキシフェノキシ）エトキシ］エトキ
シスチレン／アクリル酸イソボルニル｝、ポリ｛p-1-エ
トキシエトキシスチレン／p-ヒドロキシスチレン／p-1-
［2-（4-アリル-2-メトキシフェノキシ）エトキシ］エ
トキシスチレン／アクリル酸アダマンチル｝、ポリ｛p-
1-エトキシエトキシスチレン／p-ヒドロキシスチレン／
p-1-［2-（4-アリル-2-メトキシフェノキシ）エトキ
シ］エトキシスチレン／アクリル酸メバロラクトニ
ル｝、ポリ｛p-1-エトキシエトキシスチレン／p-ヒドロ
キシスチレン／p-1-［2-（4-アリル-2-メトキシフェノ
キシ）エトキシ］エトキシスチレン／アクリル酸 tert-
ブチル｝、ポリ｛p-1-エトキシエトキシスチレン／p-ヒ
ドロキシスチレン／p-1-［2-（4-アリル-2-メトキシフ
ェノキシ）エトキシ］エトキシスチレン／メタクリル酸
シクロヘキシル｝、ポリ｛p-1-エトキシエトキシスチレ
ン／p-ヒドロキシスチレン／p-1-［2-（4-アリル-2-メ
トキシフェノキシ）エトキシ］エトキシスチレン／アク
リル酸 γ−ブチロラクトン-2-イル｝、ポリ｛p-1-エト
キシプロポキシスチレン／p-ヒドロキシスチレン／p-1-
［2-（4-アリル-2-メトキシフェノキシ）エトキシ］エ
トキシスチレン／メタクリル酸メチル｝、ポリ｛p-1-エ
トキシプロポキシスチレン／p-ヒドロキシスチレン／p-
1-［2-（4-アリル-2-メトキシフェノキシ）エトキシ］
エトキシスチレン／アクリル酸ノルボルニル｝、ポリ
｛p-1-シクロヘキシルオキシエトキシスチレン／p-ヒド
ロキシスチレン／p-1-［2-（4-アリル-2-メトキシフェ
ノキシ）エトキシ］エトキシスチレン／アクリル酸イソ
ボルニル｝、ポリ｛p-1-シクロヘキシルオキシエトキシ
スチレン／p-ヒドロキシスチレン／p-1-［2-（4-アリル
-2-メトキシフェノキシ）エトキシ］エトキシスチレン
／アクリル酸 tert-ブチル｝、ポリ｛p-1-［2-（4-アリ
ル-2-メトキシフェノキシ）エトキシ］エトキシスチレ
ン／p-1-エトキシエトキトスチレン／p-ヒドロキシスチ
レン｝、ポリ｛p-1-［2-（4-アリルフェノキシ）エトキ
シ］エトキシスチレン／p-1-エトキシエトキシスチレン
／p-ヒドロキシスチレン｝等が挙げられるが、勿論これ
等に限定されるものではない。一般式[７] で示される
ポリマーの具体例としては、例えばポリ（スチレン／p-
ヒドロキシスチレン／アクリル酸 tert-ブチル／p-1-ア
リルオキシエトキシスチレン）、ポリ（スチレン／p-ヒ
ドロキシスチレン／アクリル酸 tert-ペンチル／p-1-ア
リルオキシエトキシスチレン）、ポリ（スチレン／p-ヒ
ドロキシスチレン／アクリル酸メバロラクトニル／p-1-
アリルオキシエトキシスチレン）、ポリ（スチレン／p-
ヒドロキシスチレン／メタクリル酸 tert-ブチル／p-1-
アリルオキシエトキシスチレン）、ポリ（スチレン／p-
ヒドロキシスチレン／アクリル酸1-メチルシクロヘキシ
ル／p-1-アリルオキシエトキシスチレン）、ポリ｛スチ
レン／p-ヒドロキシスチレン／アクリル酸 tert-ブチル
／p-1-［2-（4-エテニルフェノキシ）エトキシ］エトキ
シスチレン｝、ポリ｛スチレン／p-ヒドロキシスチレン
／アクリル酸 tert-ペンチル／p-1-［2-（4-エテニルフ
ェノキシ）エトキシ］エトキシスチレン｝、ポリ｛スチ
レン／p-ヒドロキシスチレン／アクリル酸メバロラクト
ニル／p-1-［2-（4-エテニルフェノキシ）エトキシ］エ
トキシスチレン｝、ポリ｛スチレン／p-ヒドロキシスチ
レン／メタクリル酸 tert-ブチル／p-1-［2-（4-エテニ
ルフェノキシ）エトキシ］エトキシスチレン｝、ポリ
｛スチレン／p-ヒドロキシスチレン／アクリル酸1-メチ
ルシクロヘキシル／p-1-［2-（4-エテニルフェノキシ）
エトキシ］エトキシスチレン｝、ポリ｛スチレン／p-ヒ
ドロキシスチレン／アクリル酸 tert-ブチル／p-1-（4-
アリルオキシブトキシ）エトキシスチレン｝、ポリ｛ス
チレン／p-ヒドロキシスチレン／アクリル酸 tert-ブチ
ル／p-1-（4-アリルオキシブトキシ）プロポキシスチレ
ン｝、ポリ｛スチレン／p-ヒドロキシスチレン／アクリ
ル酸 tert-ブチル／p-1-［4-(4-エテニルオキシフェノ
キシ)ブトキシ］エトキシスチレン｝、ポリ｛スチレン
／p-ヒドロキシスチレン／アクリル酸 tert-ブチル／p-
1-［4-(4-エテニルオキシフェノキシ)ブトキシ］プロポ
キシスチレン｝、ポリ｛スチレン／p-ヒドロキシスチレ
ン／アクリル酸 tert-ブチル／p-1-［4-（4-アリルフェ
ノキシ）ブトキシ］エトキシスチレン｝、ポリ｛スチレ
ン／p-ヒドロキシスチレン／アクリル酸 tert-ブチル／
p-1-［4-（4-アリルフェノキシ）ブトキシ］プロポキシ
スチレン｝、ポリ（スチレン／p-ヒドロキシスチレン／
アクリル酸 tert-ブチル／p-1-アクリロイルオキシエト
キシスチレン）、ポリ（スチレン／p-ヒドロキシスチレ
ン／アクリル酸 tert-ブチル／p-1-アクリロイルオキシ
プロポキシスチレン）、ポリ（スチレン／p-ヒドロキシ
スチレン／アクリル酸 tert-ブチル／p-1-メタクリロイ
ルオキシエトキシスチレン）、ポリ（スチレン／p-ヒド
ロキシスチレン／アクリル酸 tert-ブチル／p-1-メタク
リロイルオキシプロポキシスチレン）、ポリ｛スチレン
／p-ヒドロキシスチレン／アクリル酸 tert-ブチル／p-
1-［2-(4-エテニルオキシフェノキシ)エトキシ］エトキ
シスチレン｝、ポリ｛スチレン／p-ヒドロキシスチレン
／メタクリル酸 tert-ブチル／p-1-［2-(4-エテニルオ
キシフェノキシ)エトキシ］エトキシスチレン｝、ポリ
｛スチレン／p-ヒドロキシスチレン／アクリル酸1-メチ
ルシクロヘキシル／p-1-［2-(4-エテニルオキシフェノ
キシ)エトキシ］エトキシスチレン｝、ポリ｛スチレン
／p-ヒドロキシスチレン／アクリル酸 tert-ブチル／p-
1-［2-（4-アリル-2-メトキシフェノキシ）エトキシ］
エトキシスチレン｝、ポリ｛スチレン／p-ヒドロキシス
チレン／メタクリル酸 tert-ブチル／p-1-［2-（4-アリ
ル-2-メトキシフェノキシ）エトキシ］エトキシスチレ
ン｝、ポリ｛スチレン／p-ヒドロキシスチレン／アクリ
ル酸1-メチルシクロヘキシル／p-1-［2-（4-アリル-2-
メトキシフェノキシ）エトキシ］エトキシスチレン｝等
が挙げられるが、勿論これ等に限定されるものではな
い。一般式［３］、一般式［５］、一般式［６］又は一
般式［７］で示されるポリマーは、例えば下記に示す
ａ）〜ｂ）の何れかの方法により容易に得る事が出来
る。 ａ）方法−１ 下記一般式［１４］

【００９１】

【化３６】

【００９２】［式中、Ｒ₂₃は前記と同じであり、Ｍは−
ＣＯ−又は下記一般式［１５］

【００９３】

【化３７】

【００９４】（式中、Ｒ₄は前記と同じであり、ｅ’は
０又は１を表す。）である。］で示される不飽和フェノ
ール化合物又は不飽和カルボン化合物と、これに対して
１〜２倍モルの下記一般式［１６］

【００９５】

【化３８】

【００９６】（式中、Ｒ₁は前記と同じであり、Ｑはハ
ロゲン原子を表し、ｆは１〜４である。）で示される不
飽和ハロゲン化合物とを、ベンゼン、トルエン、キシレ
ン、エチルエーテル、テトラヒドロフラン、1,2-ジメト
キシエタン、塩化メチレン、シクロヘキサン等の有機溶
剤又はこれ等有機溶剤と水との混合溶剤中、NaOH、KO
H、CH₃ONａ、C₂H₅ONa、NaH、LiH、LiOH、n-BuLi、ピリ
ジン、トリエチルアミン、ピペリジン等の塩基化合物の
存在下、０〜100℃で0.5〜30時間攪拌反応させ、反応後
は常法に従って処理することにより下記一般式［１７］

【００９７】

【化３９】

【００９８】（式中、Ｒ₁、Ｒ₂₃及びｆは前記と同じで
ある。）で示されるエテニルオキシ化合物が得られる。

【００９９】次いでヒドロキシスチレンコポリマー（例
えば特開平8-123032号公報、特開平10-48826号公報、特
開平10-53621号公報等に記載の方法より得られる。）又
は市販のポリヒドロキシスチレンと上記一般式［１７］
で示されるエテニルオキシ化合物とを、テトラヒドロフ
ラン、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチ
ルケトン、1,4-ジオキサン、1,3-ジオキソラン、塩化メ
チレン、1,2-ジメトキシエタン、エチルエーテル、酢酸
エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセ
テート等の有機溶剤中、適当な触媒（例えば塩酸、硫
酸、リン酸、オキシ塩化燐、メタンスルホン酸、p-トル
エンスルホン酸、p-トルエンスルホン酸・ピリジン塩、
クロルスルホン酸・ピリジン塩、10-カンファースルホ
ン酸、トリクロル酢酸等が挙げられる。）の存在下、１
０〜100℃で１〜30時間反応させ、前記一般式［８］で
示される官能基を任意の割合で化学的に導入させ、次い
で高分子取得法の常法に従って後処理を行い、前記一般
式［３］、一般式［５］、一般式［６］又は一般式
［７］で示されるポリマーを単離する。 ｂ）方法−２ 下記一般式［１８］

【０１００】

【化４０】

【０１０１】（式中、Ｒ₄は前記と同じである。）で示
されるフェノール化合物と、これに対して0.5〜1.5倍モ
ルの前記一般式［１６］で示される不飽和ハロゲン化合
物とを、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルエーテ
ル、テトラヒドロフラン、1,2-ジメトキシエタン、塩化
メチレン、シクロヘキサン等の有機溶剤又はこれ等有機
溶剤と水との混合溶剤又は水中で、NaOH、KOH、CH₃ON
a、C₂H₅ONa、NaH、LiH、LiOH、n-BuLi、ピリジン、トリ
エチルアミン、ピペリジン等の塩基化合物の存在下、０
〜100℃で0.5〜30時間攪拌反応させ、反応後は常法に従
って処理することにより下記一般式［１９］

【０１０２】

【化４１】

【０１０３】（式中、Ｒ₁、Ｒ₄及びｆは前記と同じであ
る。）で示されるフェノール誘導体が得られる。次に上
記一般式［１９］で示されるフェノール誘導体と、下記
一般式［２０］

【０１０４】

【化４２】

【０１０５】（式中、Ｑは前記と同じである。）で示さ
れるハロゲン化合物0.5〜２倍モルとを、ベンゼン、ト
ルエン、キシレン、エチルエーテル、テトラヒドロフラ
ン、1,2-ジメトキシエタン、塩化メチレン、シクロヘキ
サン等の有機溶剤又はこれ等有機溶剤と水との混合溶剤
又は水中で、NaOH、KOH、CH₃ONa、C₂H₅ONa、NaH、LiH、
LiOH、n-BuLi、ピリジン、トリエチルアミン、ピペリジ
ン等の塩基化合物の存在下、０〜100℃で0.5〜30時間攪
拌反応させ、反応後は常法に従って処理することにより
下記一般式［２１］

【０１０６】

【化４３】

【０１０７】（式中、Ｒ₁、Ｒ₄、Ｑ及びｆは前記と同
じ。）で示されるフェノキシアルキルハライド誘導体が
得られる。次いで上記一般式［２１］で示されるフェノ
キシアルキルハライド誘導体を、ベンゼン、トルエン、
キシレン、エチルエーテル、テトラヒドロフラン、1,2-
ジメトキシエタン、塩化メチレン、シクロヘキサン等の
有機溶剤又はこれ等有機溶剤と水との混合溶剤又は水中
で、NaOH、KOH、CH₃ONa、C ₂H₅ONa、NaH、LiH、LiOH、n-
BuLi、ピリジン、トリエチルアミン、ピペリジン等の塩
基化合物の存在下、０〜100℃で0.5〜30時間攪拌反応さ
せ、反応後は常法に従って処理することにより下記一般
式［２２］

【０１０８】

【化４４】

【０１０９】（式中、Ｒ₁、Ｒ₄及びｆは前記と同じ。）
で示されるエテニルオキシ化合物が得られる。更にヒド
ロキシスチレンコポリマー（例えば特開平8-123032号公
報、特開平10-48826号公報、特開平10-53621号公報等に
記載の方法より得られる。）又は市販のポリヒドロキシ
スチレンと上記一般式［２２］で示されるエテニルオキ
シ化合物とを、テトラヒドロフラン、アセトン、メチル
エチルケトン、メチルイソブチルケトン、1,4-ジオキサ
ン、1,3-ジオキソラン、塩化メチレン、1,2-ジメトキシ
エタン、エチルエーテル、酢酸エチル、プロピレングリ
コールモノメチルエーテルアセテート等の有機溶剤中、
適当な触媒（例えば塩酸、硫酸、リン酸、オキシ塩化
燐、メタンスルホン酸、p-トルエンスルホン酸、p-トル
エンスルホン酸・ピリジン塩、クロルスルホン酸・ピリ
ジン塩、10-カンファースルホン酸、トリクロル酢酸等
が挙げられる。）の存在下、１０〜１００℃で１〜３０
時間反応させ、前記一般式［８］で示される官能基を任
意の割合で化学的に導入させ、次いで高分子取得法の常
法に従って後処理を行い、前記一般式［３］、一般式
［５］、一般式［６］又は一般式［７］で示されるポリ
マーを単離する。

【０１１０】この他、例えば特開平2-188,544号公報、
特開平3-99,034号公報等に記載された方法でアセトアル
デヒドジアリールエーテルから得られた3-エテニルオキ
シ-1-プロペン（アリールビニルエーテル）と、上記の
ヒドロキシスチレンコポリマー又は市販のポリヒドロキ
シスチレンとを上記同様に反応、後処理しても前記一般
式［３］、一般式［５］、一般式［６］又は一般式
［７］で示されるポリマーを単離する事が出来る。本発
明のポリマーをレジストに利用する場合、一般式［５］
で示されるポリマーの好ましい例としては、Ｒ₁、Ｒ₃及
びＲ₆が水素原子であり、Ｒ₂、Ｒ₇及びＲ₈が夫々独立し
て炭素数１〜６のアルキル基であり、Ｒ₉が水素原子、
炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ
基、アシルオキシ基、テトラヒドロピラニルオキシ基、
又はＲ’₁₀−ＣＯ−Ｏ−（式中、Ｒ’₁₀は炭素数１〜６
のアルキル基、置換されていても良いフェニル基であ
る。）であり、Ａが−ＣＨ₂−、−ＣＨ₂−（Ｏ）ｂ−Ａ
ｒ−Ｂ−、−（ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ）f−Ａｒ−Ｂ−、又は−
（ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ）f−ＣＨ₂−（式中、Ａｒは置換されて
いても良いフェニル基であり、Ｂは単結合、−Ｏ−又は
−（ＣＨ₂）ｅ−であり、b及びfは０又は１であり、eは
１〜２である。）であり、ｋ’は0又は自然数、ｌ’、
ｐ’及びｑ’は自然数（但し、０≦ｋ’／ｋ’+ｌ’+
ｐ’+ｑ’≦0.60、０<ｌ’／ｋ’+ｌ’+ｐ’+ｑ’≦0.3
0、０<ｑ’／ｋ’+ｌ’+ｐ’+ｑ’≦0.40である。）で
あるものが挙げられる。

【０１１１】一般式［６］で示されるポリマーの好まし
い例としては、Ｒ₁、Ｒ₃、Ｒ₅及びＲ₆が夫々独立して水
素原子であり、Ｒ₂、Ｒ₇及びＲ₈が夫々独立して炭素数
１〜６のアルキル基であり、Ａが−ＣＨ₂−、−ＣＨ₂−
（Ｏ）b−Ａｒ−Ｂ−、−（ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ）f−Ａｒ−Ｂ
−、又は−（ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ）f−ＣＨ₂−（式中、Ａｒは
置換されていても良いフェニル基であり、Ｂは単結合、
−Ｏ−又は−（ＣＨ ₂）e−であり、ｂ及びfは０又は１
であり、eは１〜２である。）であり、Ｙは炭素数１〜
７のアルキル基、炭素数７〜１２の有橋脂環状炭化水素
基又はラクトン基であり、ｋ’’、ｒ’’は０又は自然
数、ｐ’’、ｑ’’は自然数（但し、０≦ｋ’’／
ｋ’’+ｒ’’+ｐ’’+ｑ’’≦0.60、０≦ｒ’’／
ｋ’’+ｒ’’+ｐ’’+ｑ’’≦0.30、０<ｑ’’／
ｋ’’+ｒ’’+ｐ’’+ｑ’’≦0.40である。）である
ものが挙げられる。

【０１１２】一般式［７］で示されるポリマーの好まし
い例としては、Ｒ₁、Ｒ₃及びＲ₅が夫々独立して水素原
子であり、Ｒ₂が炭素数１〜６のアルキル基であり、Ａ
が−ＣＨ₂−、−ＣＨ₂−（Ｏ）b−Ａｒ−Ｂ−、−（Ｃ
Ｈ₂ＣＨ₂Ｏ）f−Ａｒ−Ｂ−、又は−（ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ）f
−ＣＨ₂−（式中、Ａｒは置換されていても良いフェニ
ル基であり、Ｂは単結合、−Ｏ−又は−（ＣＨ₂）e−で
あり、b及びfは０又は１であり、eは１〜２である。）
であり、Ｚがtert-ブチル基、tert-ペンチル基、1-メチ
ルシクロヘキシル基又はメバロラクトニル基を表し、
l’’’、p’’’、q’’’及びｒ’’’は自然数であ
る（但し、0.10≦ｌ’’’／ｌ’’’+ｐ’’’+
ｑ’’’+ｒ’’’≦0.30であり、０< q’’’／
ｌ’’’+ｐ’’’+ｑ’’’+ｒ’’’≦0.40であり、
且つ0.05≦ｒ’’’／ｌ’’’+ｐ’’’+ｑ’’’+
ｒ’’’≦0.30である。）であるものが挙げられる。

【０１１３】又、前記一般式［３］、一般式［５］、一
般式［６］及び一般式［７］で示されるポリマーをレジ
スト用途として比較した場合、解像性能、近接効果の影
響、Delay Time等の点から一般式［５］又は一般式
［６］が好ましく使用されるが、この中でも一般式［１
０］で示される官能基を有する一般式［１１］で示され
るモノマー単位を構成成分として含むポリマーが解像性
能、ＤＯＦ、Delay Time等の点でに有効であり、特に好
ましい。一般式［３］、一般式［５］、一般式［６］又
は一般式［７］で示されるポリマーをレジスト用に利用
する場合の平均分子量としては利用可能なものであれば
特に限定することなく挙げられるが、好ましい範囲とし
てはポリスチレンを標準とするゲルパーミエーションク
ロマトグラフィー（ＧＰＣ）測定法により求めた重量平
均分子量（Ｍｗ）が通常、3,000〜50,000程度、より好
ましくは5,000〜35,000程度であり、3,000未満の場合は
耐熱性不良、近接効果の影響拡大等の問題があり、50,0
00以上では解像性能の低下、現像欠陥の発生等の問題が
ある。又、分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は通常1.0〜3.0程度、
より好ましくは1.0〜2.5程度であり、特に好ましくは現
像欠陥は発生しない、耐熱性が高い等の点から1.0〜1.5
程度である。3.0以上では解像性能の低下、現像欠陥の
発生等の問題がある。本発明のポリマーをレジスト組成
物として用いる場合は、本発明のポリマー以外に感放射
線照射により酸を発生する化合物（以下、「酸発生剤」
と略記する。）が他の構成成分として含まれる。これ等
の構成成分は溶剤に溶解された状態で使用されるのが一
般的である。本発明で用いられる酸発生剤としては、感
放射線照射により酸を発生し得る化合物であってレジス
トパターン形成に悪影響を及ぼさないものであれば何れ
にても良いが、特に248.4 ｎｍ付近の光透過性が良好
でレジスト組成物の高透明性を維持出来るか、露光によ
り248.4 ｎｍ付近の光透過性が高められレジスト組成物
の高透明性を維持出来るか、又は248.4 ｎｍ付近に吸
収があるが酸発生効率が高いため微量の添加で効果を発
揮する酸発生剤が好ましく挙げられる。その様な本発明
において特に好ましい酸発生剤としては、例えば下記一
般式［２３］、一般式［２４］、一般式［２５］、一般
式［２６］及び一般式［２７］で示される化合物が挙げ
られる。

【０１１４】

【化４５】

【０１１５】（式中、Ｒ₁₀及びＲ₁₁は夫々独立して炭素
数１〜６の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基、又は
アラルキル基を表し、Ｗはスルホニル基又はカルボニル
基を表す。）

【０１１６】

【化４６】

【０１１７】（式中、Ｒ₁₂及びＲ₁₃は夫々独立して水素
原子、ハロゲン原子又は炭素数１〜４のアルキル基を表
し、Ｒ₁₄は炭素数１〜６の直鎖状、分枝状又は環状のア
ルキル基、アラルキル基、又は置換されていても良いフ
ェニル基を表し、Ｖはスルホニル基又はカルボニル基を
表す。）

【０１１８】

【化４７】

【０１１９】（式中、Ｒ₁₅、Ｒ₁₆及びＲ₁₇は夫々独立し
て水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６
のアルコキシ基、又はtert-ブトキシカルボニルオキシ
基を表し、Ｒ₁₈は炭素数１〜８の含フッ素アルキル基、
置換されていても良いフェニル基、又は10-カンファー
基を表す。）

【０１２０】

【化４８】

【０１２１】（式中、Ｒ₁₉は炭素数１〜６のアルキル
基、炭素数１〜８の含フッ素アルキル基、置換されてい
ても良いフェニル基、又は10-カンファー基を表す。）

【０１２２】

【化４９】

【０１２３】（式中、Ｒ₂₀及びＲ₂₁は夫々独立して水素
原子、メチル基、エチル基を表し、又、Ｒ₂₀とＲ₂₁とで
芳香環基又は不飽和結合を有する有橋脂環炭化水素基を
形成しても良く、Ｒ₂₂炭素数１〜６のアルキル基、炭素
数１〜８の含フッ素アルキル基、置換されていても良い
フェニル基、又は10-カンファー基を表す。） 好ましい酸発生剤の具体例を挙げると、一般式［２３］
で示される酸発生剤としては、例えば1-シクロヘキシル
スルホニル-1-（1,1-ジメチルエチルスルホニル）ジア
ゾメタン、ビス（1,1-ジメチルエチルスルホニル）ジア
ゾメタン、ビス（1-メチルエチルスルホニル）ジアゾメ
タン、ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタ
ン、1-シクロヘキシルスルホニル-1-シクロヘキシルカ
ルボニルジアゾメタン、1-ジアゾ-1-シクロヘキシルス
ルホニル-3,3-ジメチルブタン-2-オン、1-ジアゾ-1-
（1,1-ジメチルエチルスルホニル）-3,3-ジメチルブタ
ン-2-オン等が挙げられる。

【０１２４】一般式［２４］で示される酸発生剤として
は、例えばビス（p-トルエンスルホニル）ジアゾメタ
ン、ビス（2,4-ジメチルベンゼンスルホニル）ジアゾメ
タン、ビス（p-tert-ブチルフェニルスルホニル）ジア
ゾメタン、ビス（p-クロルベンゼンスルホニル）ジアゾ
メタン、メチルスルホニル-p-トルエンスルホニルジア
ゾメタン、シクロヘキシルスルホニル-p-トルエンスル
ホニルジアゾメタン、1-p-トルエンスルホニル-1-シク
ロヘキシルカルボニルジアゾメタン、1-ジアゾ-1-（p-
トルエンスルホニル）-3,3-ジメチルブタン-2-オン等が
挙げられる。

【０１２５】一般式［２５］で示される酸発生剤として
は、例えばトリフェニルスルホニウム・トリフルオロメ
タンスルホネート、トリフェニルスルホニウム・パーフ
ルオロブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム
・パーフルオロオクタンスルホネート、トリフェニルス
ルホニウム・p-トルエンスルホネート、トリフェニルス
ルホニウム・10-カンファースルホネート、ジフェニル-
p-トリルスルホニウム・トリフルオロメタンスルホネー
ト、ジフェニル-p-トリルスルホニウム・パーフルオロ
ブタンスルホネート、ジフェニル-p-トリルスルホニウ
ム・パーフルオロオクタンスルホネート、ジフェニル-p
-トリルスルホニウム・p-トルエンスルホネート、ジフ
ェニル-p-トリルスルホニウム・10-カンファースルホネ
ート、ジフェニル-p-tert-ブチルフェニルスルホニウム
・トリフルオロメタンスルホネート、ジフェニル-p-ter
t-ブチルフェニルスルホニウム・パーフルオロブタンス
ルホネート、ジフェニル-p-tert-ブチルフェニルスルホ
ニウム・パーフルオロオクタンスルホネート、ジフェニ
ル-p-tert-ブチルフェニルスルホニウム・p-トルエンス
ルホネート、ジフェニル-p-tert-ブチルフェニルスルホ
ニウム・10-カンファースルホネート、ジフェニル-p-te
rt-ブチルフェニルスルホニウム・p-フルオロベンゼン
スルホネート、ジフェニル-p-シクロヘキシルフェニル
スルホニウム・トリフルオロメタンスルホネート、ジフ
ェニル-p-シクロヘキシルフェニルスルホニウム・パー
フルオロブタンスルホネート、ジフェニル-p-シクロヘ
キシルフェニルスルホニウム・パーフルオロオクタンス
ルホネート、ジフェニル-p-シクロヘキシルフェニルス
ルホニウム・p-トルエンスルホネート、ジフェニル-p-t
ert-ブトキシフェニルスルホニウム・トリフルオロメタ
ンスルホネート、ジフェニル-p-tert-ブトキシフェニル
スルホニウム・パーフルオロブタンスルホネート、ジフ
ェニル-p-tert-ブトキシフェニルスルホニウム・パーフ
ルオロオクタンスルホネート、ジフェニル-p-tert-ブト
キシフェニルスルホニウム・p-トルエンスルホネート、
ジフェニル-p-tert-ブトキシカルボニルオキシフェニル
スルホニウム・パーフルオロオクタンスルホネート、ジ
フェニル-p-tert-ブトキシカルボニルオキシフェニルス
ルホニウム・10-カンファースルホネート、ジフェニル-
p-tert-ブトキシカルボニルオキシフェニルスルホニウ
ム・p-トルエンスルホネート等が挙げられる。

【０１２６】一般式［２６］で示される酸発生剤として
は、例えば1,2,3-トリス-メタンスルホニルオキシベン
ゼン、1,2,3-トリス-トリフルオロメタンスルホニルオ
キシベンゼン、1,2,3-トリス-パーフルオロオクタンス
ルホニルオキシベンゼン、1,2,3-トリス-パーフルオロ
ブタンスルホニルオキシベンゼン、1,2,3-トリス-p-ト
ルエンスルホニルオキシベンゼン、1,2,3-トリス-10-カ
ンファースルホニルオキシベンゼン、1,2,3-トリス-ト
リフルオロアセチルオキシベンゼン、1,2,4-トリス-メ
タンスルホニルオキシベンゼン、1,2,4-トリス-トリフ
ルオロメタンスルホニルオキシベンゼン、1,2,4-トリス
-3-トリス-パーフルオロオクタンスルホニルオキシベン
ゼン、1,2,4-トリス- p-トルエンスルホニルオキシベン
ゼン、1,2,4-トリス-パーフルオロブタンスルホニルオ
キシベンゼン等が挙げられる。

【０１２７】一般式［２７］で示される酸発生剤として
は、例えばコハク酸イミド・トリフルオロメタンスルホ
ネート、コハク酸イミド・パーフルオロブタンスルホネ
ート、コハク酸イミド・パーフルオロオクタンスルホネ
ート、コハク酸イミド・p-トルエンスルホネート、コハ
ク酸イミド・10-カンファースルホネート、コハク酸イ
ミド・メタンスルホネート、コハク酸イミド・１−メチ
ルエタンスルホネート、コハク酸イミド・ベンゼンスル
ホネート、ジメチルコハク酸イミド・トリフルオロメタ
ンスルホネート、ジメチルコハク酸イミド・パーフルオ
ロオクタンスルホネート、ジメチルコハク酸イミド・p-
トルエンスルホネート、フタル酸イミド・トリフルオロ
メタンスルホネート、フタル酸イミド・パーフルオロブ
タンスルホネート、フタル酸イミド・パーフルオロオク
タンスルホネート、フタル酸イミド・p-トルエンスルホ
ネート、フタル酸イミド・10-カンファースルホネー
ト、フタル酸イミド・メタンスルホネート、フタル酸イ
ミド・ベンゼンスルホネート、5-ノルボルネン-2,3-ジ
カルボキシイミド・トリフルオロメタンスルホネート、
5-ノルボルネン-2,3-ジカルボキシイミド・パーフルオ
ロブタンスルホネート、5-ノルボルネン-2,3-ジカルボ
キシイミド・パーフルオロオクタンスルホネート、5-ノ
ルボルネン-2,3-ジカルボキシイミド・ p-トルエンスル
ホネート、5-ノルボルネン-2,3-ジカルボキシイミド・1
0-カンファースルホネート、5-ノルボルネン-2,3-ジカ
ルボキシイミド・メタンスルホネート等が挙げられる。

【０１２８】本発明に係るポリマーをレジストに利用
（勿論、既存の化学増幅ポジ型レジストに使用されるポ
リマーと混合使用も可能である。）する場合、一般式
［３］、一般式［５］、一般式［６］及び一般式［７］
で示されるポリマーから選ばれる１種以上と、一般式
［２３］、一般式［２４］、一般式［２５］、一般式
［２６］及び一般式［２７］で示される酸発生剤から選
ばれる１種又は任意の２種以上を組み合わせて用いる事
が好ましいが、酸発生剤を２種以上組み合わせて使用す
る場合の好ましい例としては、248.4 ｎｍ付近の光透
過性が良好でレジスト組成物の高透明性が維持出来、露
光後の加熱処理（ＰＥＢ）温度依存性が少なく、且つ露
光により弱酸を発生する一般式［２３］で示される酸発
生剤と、一定の露光量に対して酸発生効率が高い、又は
強酸を発生する一般式［２４］、一般式［２５］、一般
式［２６］又は一般式［２７］で示される酸発生剤とを
組み合わせて使用する事がパターンの裾部の形状改善及
びスカム除去の点から好ましく、この中、一般式［２
３］で示される酸発生剤と、一般式［２４］又は／及び
一般式［２５］で示される酸発生剤とを組み合わせて使
用する事が特に好ましい。

【０１２９】即ち、本発明のポリマーを用いたレジスト
組成物において酸発生剤を２種以上組み合わせて用いた
場合にはレジストパターンの裾部のテールやスカムが解
消するという効果を有する。この現象は、特により強い
酸を発生する酸発生剤やより酸拡散の大きい酸発生剤が
レジストの底部まで均質にポリマーの官能基を脱離させ
る事が出来るためと考えられる。この観点から、本発明
のポリマーを使用したレジスト組成物中の酸発生剤とし
ては一般式［２３］で示される酸発生剤と、一般式［２
４］、一般式［２５］、一般式［２６］又は一般式［２
７］で示される酸発生剤との組み合わせが特に良好な結
果を与えるので好ましい。

【０１３０】また、２種以上の酸発生剤を併用する場合
の酸発生剤の構成比率としては、一般式［２３］で示さ
れる酸発生剤100重量部に対して一般式［２４］、、一
般式［２６］又は一般式［２７］で示される酸発生剤は
１〜70重量部、好ましくは10〜50重量部が挙げられる。

【０１３１】尚、裾引きやスカムの面で極めて有効な一
般式［２５］で示される酸発生剤を単独で使用する場
合、Delay Timeの影響を受けてパターン形状不良や寸法
変動の問題を引き起こしやすいが、オーバーコート膜を
併用する事により、この問題を克服出来るので本発明の
ポリマーを使用したレジスト組成物として使用出来る。

【０１３２】また、上記の本発明のポリマーを使用した
レジスト組成物に於いて特に好ましい酸発生剤以外の酸
発生剤として、従来から用いられている種々のトリフェ
ニルスルホニウム塩及びジフェニルヨードニウム塩（こ
れ等のオニウム塩の陰イオンとして、ＰＦ₆ ^ー、Ａｓ
Ｆ₆ ^ー、ＢＦ₄ ^ー等が挙げられる。）及びトリス（トリクロ
ロメチル）-s-トリアジン／トリエタノールアミン、ト
リス（トリクロロメチル）-s-トリアジン／アセトアミ
ド等が従来から知られているがこれ等を単独で使用した
場合、露光により発生した酸が強酸（ルイス酸）で、揮
発性が高いためにDelay Timeの影響を極めて受け易く、
又、貯蔵安定性に乏しいため使用出来ない。

【０１３３】本発明のポリマーをレジスト組成物として
利用した場合、未露光部をラジカル的に架橋させる事に
より、レジストの耐熱性を向上し、エッチング耐性を向
上し、近接効果の影響を抑制し、更にパターンラフネス
を改善する事が特徴となっている。この架橋反応を引き
起こす目的でラジカル発生剤が使用される。

【０１３４】ラジカル発生剤としては、加熱によりラジ
カル種が発生するものであれば何れでも良いが、具体的
には例えばラウロイルパーオキサイド、ベンゾイルパー
オキサイド、ジターシャリーブチルパーオキサイド、ジ
クミルパーオキサイド、ターシャリーブチルパーオキシ
ベンゾエート、シクロヘキサノンパーオキサイド等の過
酸化物、2,2’-アゾビス（4-メトキシ-2,4-ジメチルバ
レロニトリル）、2,2’-アゾビス（2-メチルプロピオネ
ート）、2,2’-アゾビス（2,4-ジメチルバレロニトリ
ル）、アゾジtert-ブタン等のアゾ化合物等が挙げられ
るが加熱によりラジカル種を発生するものは何れも本発
明には使用出来るのでこれ等に限定されるものではない
が架橋に必要な水素引き抜き能力の点から過酸化物がよ
り好ましい。

【０１３５】本発明のポリマーを使用したレジスト組成
物で用いられる塩基性化合物としては、添加することに
より感度の調整が可能なものであれば何れでも良いが、
通常、この分野で使用される塩基性化合物、例えば、ポ
リビニルピリジン、ポリ（ビニルピリジン／メタクリル
酸メチル）、ピリジン、ピペリジン、トリベンジルアミ
ン、N-メチル-2-ピロリドン、モノアルキルアミン類
［アルキル基としては、炭素数１〜１２である直鎖状、
分枝状又は環状のアルキル基が挙げられ、具体的には2-
メチルシクロヘキシルアミン、4-tert-シクロヘキシル
アミン等が好ましい。］、ジアルキルアミン類［アルキ
ル基としては、炭素数１〜12である直鎖状、分枝状又は
環状のアルキル基が挙げられ、具体的にはジシクロヘキ
シルアミン、ジ-n-オクチルアミン等が好ましい。］、
トリアルキルアミン類［アルキル基としては、炭素数１
〜１２である直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基が挙
げられ、具体的にはトリ-n-プロピルアミン、トリ-n-ブ
チルアミン、トリ-n-オクチルアミン、トリ-n-ヘキシル
アミン、トリエチルアミン、ジシクロヘキシルメチルア
ミン、ジシクロヘキシルエチルアミン、N-メチル-ジ-n-
オクチルアミン、ジメチル-n-ドデシルアミン、トリス
（2-エチルヘキシル）アミン等が好ましい。］、モノ、
ジ、トリアルカノールアミン類［具体的にはトリイソプ
ロパールアミン、トリエタノールアミン等が好まし
い。］、トリス［2-（2-メトキシエトキシ）エチル］ア
ミン、テトラアルキルアンモニウムヒドロキシド類［ア
ルキル基としては、炭素数１〜１２である直鎖状、分枝
状又は環状のアルキル基が挙げられ、具体的にはテトラ
メチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモ
ニウムヒドロキシド、テトラ-n-プロピルアンモニウム
ヒドロキシド、テトラ-n-ブチルアンモニウムヒドロキ
シド等が好ましい。］等が挙げられるがこれ等に限定さ
れるものではない。上記塩基性化合物は通常単独又は２
種以上を組み合わせて使用する。

【０１３６】本発明のポリマーを使用したレジスト組成
物で用いられる溶剤としては、本発明のポリマー又は本
発明のポリマーを含むポリマー組成物、酸発生剤、ラジ
カル発生剤、塩基性化合物及び必要に応じて使用される
紫外線吸収剤、酸性化合物や界面活性剤等の添加物等と
を溶解可能なものであれば何れにても良いが、通常は成
膜性が良好で、且つ220〜300 nm付近に吸収を有しない
ものがより好ましい。具体的にはメチルセロソルブアセ
テート、エチルセロソルブアセテート、プロピレングリ
コールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリ
コールモノエチルエーテルアセテート、乳酸メチル、乳
酸エチル、酢酸 2-エトキシエチル、ピルビン酸メチ
ル、ピルビン酸エチル、3-メトキシプロピオン酸メチ
ル、3-メトキシプロピオン酸エチル、2-ヒドロキシブタ
ン酸エチル、3-ヒドロキシブタン酸エチル、N-メチル-2
-ピロリドン、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチ
ルアセトアミド、γ-ブチロラクトン、γ-プロピオラク
トン、シクロヘキサノン、メチルエチルケトン、2-ヘプ
タノン、1,4-ジオキサン、ジエチレングリコールモノメ
チルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテ
ル、エチレングリコールモノイソプロピルエーテル等が
挙げられるが、勿論これ等に限定されるものではない。
上記溶剤は通常単独又は２種以上組み合わせて使用され
る。

【０１３７】本発明のポリマーを使用したレジスト組成
物に於いて、本発明に係るポリマーと酸発生剤の混合比
としては、ポリマー100重量部に対して酸発生剤は１〜3
0重量部、好ましくは１〜20重量部である。本発明に係
るレジスト組成物中のラジカル発生剤の量としては、本
発明に係るポリマー100重量部に対して0.5〜20重量部、
好ましくは１〜10重量部である。本発明に係るレジスト
組成物中の塩基性化合物の量としては、本発明に係るポ
リマー1000重量部に対して0.5〜20重量部、好ましくは
１〜10重量部である。又、本発明に係るレジスト組成物
中の溶剤の量としては、本発明に係るポリマーと、酸発
生剤及びその他の添加物とを溶解した結果、得られるポ
ジ型レジスト組成物を基板上に塗布する際に支障をきた
さない量であれば特に限定されることなく挙げられる
が、通常、ポリマー１重量部に対して１〜20重量部、好
ましくは1.5〜10重量部である。

【０１３８】本発明のポリマーを使用したレジスト組成
物は、通常前記の５成分（本発明に係るポリマー又は本
発明に係るポリマーを含むポリマー組成物、酸発生剤、
ラジカル発生剤、塩基性化合物及び溶剤）を主たる構成
成分とするが、この他に形状を矩形にしたり、基板との
界面のスカムや裾引きを改善する目的で必要に応じて紫
外線吸収剤や酸性化合物が使用される。又、成膜性の向
上、ストリエーションや濡れ性の改善を目的として界面
活性剤を使用しても良い。

【０１３９】本発明のポリマーを使用したレジスト組成
物に於いて必要に応じて使用される紫外線吸収剤として
は、例えば9-ジアゾフルオレノン及びその誘導体、1-ジ
アゾ-2-テトラロン、2-ジアゾ-1-テトラロン、9-ジアゾ
-10-フェナントロン、2,2’,4,4’-テトラキス（O-ナフ
トキノンジアジド-4-スルホニルオキシ）ベンゾフェノ
ン、2,2’,4,4’-テトラヒドロキシベンゾフェノン、1,
2,3-トリス（O-ナフトキノンジアジド-4-スルホニルオ
キシ）プロパン、9-（2-メトキシエトキシ）メチルアン
トラセン、9-（2-エトキシエトキシ）メチルアントラセ
ン、9-（4-メトキシブトキシ）メチルアントラセン、酢
酸 9-アントラセンメチル、ジヒドロキシフラバノン、
クエルセチン、トリヒドロキシフラバノン、テトラヒド
ロキシフラバノン、4’,6-ジヒドロキシ-2-ナフトベン
ゾフェノン、4,4’-ジヒドロキシベンゾフェノン、2,
2’,4,4’-テトラヒドロキシベンゾフェノン等が挙げら
れる。

【０１４０】本発明のポリマーを使用したレジスト組成
物に於いて必要に応じて使用される酸性化合物として
は、例えばフタル酸、コハク酸、マロン酸、安息香酸、
サリチル酸、m-ヒドロキシ安息香酸、p-ヒドロキシ安息
香酸、o-アセチル安息香酸、o-アセチルオキシ安息香
酸、o-ニトロ安息香酸、チオサリチル酸、チオニコチン
酸等の有機酸、サリチルアルデヒド、サリチルヒドロキ
サム酸、コハク酸イミド、フタル酸イミド、サッカリ
ン、アスコルビン酸等が挙げられる。

【０１４１】又、界面活性剤としては、例えばポリエチ
レングリコールステアレート、ポリエチレングリコール
ジラウレート、ポリエチレングリコール、ポリプロピレ
ングリコール、ポリオキシエチレンステアリルエーテ
ル、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシ
エチレンセチルエーテル、ポリオキシエチレンノニルエ
ーテル、ポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテル
等のノニオン系界面活性剤の他に市販の各種ノニオン系
界面活性剤、フッ素含有ノニオン系界面活性剤、フッ素
含有カチオン系界面活性剤、フッ素含有アニオン系界面
活性剤、カチオン系界面活性剤、アニオン系界面活性剤
が挙げられる。前記の界面活性剤の中、レジスト膜の成
膜性が良好な、例えばフロラード（住友スリーエム(株)
商品名）、サーフロン（旭硝子(株)商品名）、ユニダイ
ン（ダイキン工業(株)商品名）、（大日本インキ(株)商
品名）、エフトップ（トーケムプロダクツ(株)商品名）
等のフッ素含有ノニオン系界面活性剤が特に好ましい。

【０１４２】更に、可塑剤として、例えばフタル酸ジエ
チル、フタル酸ジブチル、フタル酸ジプロピル等を必要
に応じて適宜使用しても良い。

【０１４３】これ等必要に応じて使用される紫外線吸収
剤、酸性化合物、界面活性剤又は可塑剤の本発明に係る
レジスト組成物における使用量は、例えばポリマー100
重量部に対して、それぞれ0.1〜10重量部、好ましくは
0.1〜５重量部である。

【０１４４】本発明のポリマーを使用したレジスト組成
物を用いてパターン形成は、例えば以下の如く行われ
る。

【０１４５】本発明に係るポリマーを含むレジスト組成
物を、例えばシリコンウェハー等の半導体基板上又は感
放射線吸収性被膜（有機系反射防止剤の回転塗布、ベー
クによる成膜又は無機系反射防止材料のＣＶＤ又はスパ
ッタリングによる成膜の何れでも可能）を形成させた半
導体基板上に厚さが0.3〜２μｍ程度となる様に回転塗
布（３層の上層として用いる場合には0.1〜0.3μｍ程
度）し、これを例えばオーブン中で70〜150℃、10〜30
分間、若しくはホットプレート上で70〜150℃、１〜２
分間プリベークする。次いで目的のパターンを形成する
ためのマスクを上記のレジスト膜上にかざし、例えば30
0 ｎｍ以下の遠紫外線光を露光量１〜100mJ／cm²程度と
なるように照射した後、ホツトプレート上で70〜150
℃、１〜２分間ベーク（ＰＥＢ）する。更に、0.1〜５
％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（TMAH）水溶
液等の現像液を用い、0.5〜３分程度、浸漬（dip）法、
パドル（puddle）法、スプレー（spray）法等の常法に
より現像すれば、基板上に目的のパターンが形成され
る。尚、工程の概略を図１に示す。

【０１４６】上記した如きパターン形成法に於いて用い
られる現像液としては、レジスト組成物の溶解性に応じ
て、露光部と未露光部との溶解度差を大きくさせられる
様な適当な濃度のアルカリ水溶液を選択すれば良く、通
常0.01〜20％の範囲から選択される。又、使用されるア
ルカリ水溶液としては、例えばTMAH、コリン、トリエタ
ノールアミン等の有機アミン類、例えばNaOH、KOH等の
無機アルカリ類を含む水溶液が挙げられる。

【０１４７】本発明のレジスト組成物においては、前記
の一般式［１］で示されるモノマー単位を構成成分とす
る前記の一般式［３］、一般式［５］、前記の一般式
［６］又は前記の一般式［７］で示されるポリマー等を
単独でポリマー成分として使用するのが一般であるが、
更に従来から使用されている下記一般式［２８］

【０１４８】

【化５０】

【０１４９】［式中、Ｒ₃、Ｒ₆、Ｒ₇、Ｒ₈及びＲ₉は前
記と同じであり、a及びbは０又は自然数を表し、ｃは自
然数を表す（但し、０≦ａ／ａ+ｂ+ｃ≦0.60であり、０
≦ｂ／ａ+ｂ+ｃ≦0.30である。）。］で示されるポリマ
ー、又は下記一般式［２９］

【０１５０】

【化５１】

【０１５１】［式中、Ｒ₃、Ｒ₅、Ｒ₆、Ｒ₇、Ｒ₈及びＹ
は前記と同じであり、ａ’及びｄ’は０又は自然数を表
し、ｃ’は自然数を表す（但し、０≦ａ’／ａ’+ｃ’+
ｄ’≦0.60であり、０≦ｄ’／ａ’+ｃ’+ｄ’≦0.30で
ある。）。］で示されるポリマー、又は下記一般式［３
０］

【０１５２】

【化５２】

【０１５３】［式中、Ｒ₃、Ｒ₅及びＺは前記と同じであ
り、ｂ’’及びｄ’’は０又は自然数を表し、ｃ’’は
自然数を表す（但し、0.1≦ｂ’’／ｂ’’+ｃ’’+
ｄ’’≦0.30であり、0.005≦ｄ’’／ｂ’’+ｃ’’+
ｄ’’≦0.30である。）。］で示されるポリマーとそれ
ぞれ混合使用する事もできる。このように混合使用する
ことにより、露光部は酸による脱離が起こる一方、未露
光部は加熱することにより架橋反応が進行するので耐熱
性が飛躍的に向上すると共に現像液に対する溶解性が低
下するため溶解コントラストを大きく出来る。それ故、
従来から使用している上記一般式［２８］、一般式［２
９］、又は一般式［３０］を用いたレジスト組成物に比
較して解像性能の向上、耐熱性の向上、エッチング耐性
の向上、近接効果の影響抑制及びパターンラフネスの改
善に効果が発揮される。近年のデザインルールの微細化
に伴って必然的に要求されるレジストの薄膜では上記の
効果が特に発揮される。又、本発明に係るポリマーを使
用したレジスト組成物の酸発生剤としては前記一般式
［２３］、前記一般式［２４］、前記一般式［２５］、
前記一般式［２６］及び前記一般式［２７］で示される
酸発生剤から選ばれる１種以上が挙げられ、特に一般式
［２３］で示される酸発生剤１種以上、又は一般式［２
３］で示される酸発生剤と、一般式［２４］又は／及び
一般式［２５］で示される酸発生剤とを組み合わせて使
用することにより本発明に係るポリマーが有する特徴を
十分に発揮でき、上記課題の解消が可能となったので特
に好ましい。

【０１５４】本発明のポリマーを使用したレジスト組成
物は遠紫外線光、ＫｒＦエキシマレーザ光はもとより、
ｉ線露光、電子線照射や軟Ｘ線照射でも酸が発生し、化
学増幅作用される事が確認されている。従って、本発明
のレジスト組成物は化学増幅作用を利用して低露光量の
遠紫外線光、ＫｒＦエキシマレーザ光、ｉ線露光、電子
線照射や軟Ｘ線照射方法によりパターン形成可能なレジ
スト組成物である。

【０１５５】本発明のポリマーをレジスト組成物として
使用する場合の作用について具体例で説明すると、先
ず、遠紫外線光、ＫｒＦエキシマレーザ光等で露光され
た部位は例えば下記式１〜式３で示される光反応に従っ
て酸が発生する。

【０１５６】

【式１】

【０１５７】

【式２】

【０１５８】

【式３】

【０１５９】露光工程に続いて加熱処理すると露光部は
下記式４の反応に従って本発明に係る特定の官能基（式
４では1-アリルオキシエトキシ基として例示。）が酸に
より化学変化を受けてフェノール性水酸基となり、アル
カリ可溶性となって、現像の際、現像液に溶出する。こ
の際、架橋基部位は脱離してアルコールになるため、露
光部では架橋は起こらず、現像液に対する溶解速度の低
下によるスカムや現像欠陥は発生しない。

【０１６０】

【式４】

【０１６１】他方、未露光部は酸が発生しないため本発
明に係る官能基は酸による化学変化を受けず、加熱処理
した際にラジカル発生剤の分解に伴って発生したラジカ
ル種に起因して下記式５の反応に従ってポリマー分子内
又はポリマー分子間での架橋が起こり、アルカリ現像液
により溶解し難くなる。この様に本発明のポリマーを含
有するレジスト組成物を用いてパターン形成を行った場
合には露光部と未露光部との間でアルカリ現像液に対す
る溶解速度差が極めて大きくなり、解像性能は向上し、
ＤＯＦは拡大する。しかも従来の化学増幅型レジストと
比較した場合、加熱処理の際に未露光部が架橋反応する
という特徴があるので形成されたパターンの耐熱性、エ
ッチング耐性、近接効果の影響及びパターンラフネス等
のこれまで指摘されてきた課題を全て解消出来た。

【０１６２】

【式５】

【０１６３】従来から化学増幅型レジストの分野に於い
て、架橋されたポリマー及び架橋する事を前提としたポ
リマーを使用した多くの報告が見られるが何れも露光部
と未露光部の選択性が乏しい。具体的には、例えば特開
平8-253534号公報、特開平8-305025号公報、特開平10-2
07066号公報、特開平10-31310号公報、特開平10-265524
号公報、特開平11-190904号公報等に開示されている架
橋ポリマーを使用した場合は架橋に起因して露光部の保
護基脱離が抑制され、現像液に対する溶解性が著しく低
下するため、解像性能が低下したり、現像後のスカム残
存や現像欠陥の発生等の問題がある。又、ポリマーのフ
ェノール性水酸基にエテニル基やアリル基等の架橋基を
懸垂したポリマーが開示されている（例えば、特開平5-
265213号公報等）がこれ等を使用した場合は露光部も架
橋基が脱離せずに残るため、ＰＥＢ工程で架橋反応が進
み、その結果、十分な解像性が得られない、パターン同
士が繋がる等のパターン不良が発生する、スカムや現像
欠陥が発生する等の問題がある。この他、複数のエテニ
ルオキシ基を有する架橋性化合物を使用している例［特
開平9-274320号公報（米国特許第5876900号）］も開示
されているが、この場合も未露光部も架橋反応が起こる
ので現像液に対する溶解性が低下する、スカムや現像欠
陥が発生する等の問題を抱えている。これに対して本発
明はこれ等の課題を全て解消している。即ち、アセター
ル基に懸垂した架橋基を利用しているために露光部は酸
による脱離反応が進み、架橋基が消失するため加熱処理
工程で架橋反応しないので解像性能やＤＯＦ等の性能低
下はない。一方、未露光部では架橋基が残存しているの
で加熱処理工程で分子間又は分子内架橋反応が起こり、
ネガレジストの露光部と同様な状態になるので耐熱性の
向上、エッチング耐性の向上、近接効果の影響抑制やパ
ターンラフネスの改善が可能となった。この結果、未露
光部を架橋することで、現状のポリマーを使用したレジ
ストに比較して露光部と未露光部との現像液に対する溶
解度差が更に大きくなり、解像性能やＤＯＦ等の性能が
向上した。又、耐熱性向上、エッチング耐性向上、近接
効果の影響抑制及びパターンラフネス改善が可能となっ
た。この特性はレジスト膜が薄膜になるに従って効果が
発揮されるため、今後のデザインルールの微細化に伴っ
て進められるレジスト膜の薄膜化に対して極めて有利な
ものである。以下に実施例、応用例及び比較例を挙げて
本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれ等により
何等制約を受けるものではない。尚、応用例及び比較例
で使用される一部のポリマー、酸発生剤、紫外線吸収剤
等については、例えば特開平4-211258号公報（米国特許
第5350660号、欧州特許第440374号）；特開平8-123032
号公報（米国特許第号、欧州特許第号）；特開平10-488
26号公報；特開平10-53621号公報；特開平4-210960号公
報（米国特許第5216135号、欧州特許第440374号）；特
開平5-249682号公報（欧州公開特許第520642号公報）；
特開平4-251259号公報；Y.Endo等、Chem.Pharm.Bull.,2
9（12）巻，3753頁（1981年）；橋本等、日本化学雑
誌，87(10)巻，63頁(1966年)；F.M.Beringer等、J.Am.C
hem.Soc.,81巻，342頁(1959年)；M.Desbois等、Bull．C
him．Soc．France，1974巻，1956頁又はC.D.Beard等、
J.Org.Chem.,38巻，3673頁(1973年)等に記載の方法で合
成した。

【０１６４】

【実施例】実施例１ ポリ｛p-1-［2-（4-アリル-2-メ
トキシフェノキシ）エトキシ］エトキシスチレン／p-1-
エトキシエトキトスチレン／p-ヒドロキシスチレン｝の
合成 (1)水酸化カリウム6.7ｇを、オイゲノール16.4ｇ（0.1
モル）を含むトルエン（100ml）溶液に添加した後、ク
ロロエチルビニルエーテル10.7ｇ（0.1モル）を室温で
滴下し、70〜80℃で10時間攪拌反応させた。反応液をデ
カントして得られた有機層を酢酸エチルに希釈し、酢酸
エチル層を水洗した後、無水MgSO₄で乾燥した。乾燥剤
を濾別し、減圧濃縮し、残渣の油状物（20ｇ）をカラム
分離[充填剤： ワコーゲル C-200（和光純薬工業(株)
製商品名）;溶離液：塩化メチレン]して1-（4-アリル-2
-メトキシフェノキシ）-2-エテニルオキシエタン 19.5
ｇを黄色油状物として得た。¹ HNMR δppm（CDCl₃）：3.32（2H,ｄ,アリルCH ₂）、3.
83（3H,ｓ, CH ₃O）、4.00〜4.04及び4.20〜4,24（各3H,
各ｍ,エテニル及びエチレンCH ₂×3）、5.03〜5.10（2
H，ｍ,アリルCH ₂）、5.90〜6.00（1H，ｍ,アリルCH）、
6.50〜6.55（1H，ｍ,エテニルCH）、6.70（1H，ｓ,芳香
環水素）、6.83〜6.88（2H,ｄ,芳香環水素）。 (2)ポリ（p-ヒドロキシスチレン）［Mw 15000， Mw/Mn
1.12；VP-15000 日本曹達(株)製商品名］12.0ｇ（0.1
モル）を酢酸エチル（120ml）に溶解し、エチルビニル
エーテル2.4ｇ（0.03モル）及び上記(1)で得た1-（4-ア
リル-2-メトキシフェノキシ）-2-エテニルオキシエタン
1.17ｇ（0.005モル）を添加し、p-トルエンスルホン酸
触媒下、室温で５時間攪拌反応させた。トリエチルアミ
ンを注入して反応を停止後、溶媒を留去し、残渣をアセ
トン50mlに溶解させ、水500ml中に注入、晶析させた。
析出晶を濾取し、水洗後減圧乾燥してポリ｛p-1-［2-
（4-アリル-2-メトキシフェノキシ）エトキシ］エトキ
シスチレン／p-1-エトキシエトキトスチレン／p-ヒドロ
キシスチレン｝12.8ｇを白色粉末晶として得た。得られ
たポリマーのp-1-［2-（4-アリル-2-メトキシフェノキ
シ）エトキシ］エトキシスチレン単位と、p-1-エトキシ
エトキシスチレン単位及びp-ヒドロキシスチレン単位の
構成比率は¹ＨＮＭＲ測定及び¹³ＣＮＭＲ測定より約
２：31：67であった。又、ポリスチレンを標準としたゲ
ルパーミュエーションクロマトグラフィー（GPC）測定
より得られたポリマーの重量平均分子量（Mw）は 17500
分散度（Mw/Mn）は 1.12であった。

【０１６５】実施例２ ポリ｛p-1-［2-（4-アリルフェ
ノキシ）エトキシ］エトキシスチレン／p-1-エトキシエ
トキシスチレン／p-ヒドロキシスチレン｝の合成 (1)p-アセトキシスチレンをアルカリ加水分解して得たp
-ヒドロキシスチレン 8.4ｇ（0.07モル）をトルエン
（50ml）に溶解し、これにクロロエチルビニルエーテル
7.5ｇ（0.07モル）及び水酸化カリウム4.7ｇ（0.08モ
ル）を添加し、60℃で9時間攪拌反応させた。反応後、
酢酸エチル（50ml）を注入、希釈し、水洗した。有機層
を分取し、無水MgSO₄で乾燥した。乾燥剤を濾別し、溶
媒留去し、残渣（10ｇ）をカラム分離［充填剤：ワコー
ゲル C-200（和光純薬工業(株)製商品名）；溶離液：
塩化メチレン］して4-（2-エテニルオキシエトキシ）ス
チレン5.0ｇを白色結晶として得た。融点：60〜62℃。¹ HNMR δppm（CDCl₃）：4.02〜4.08及び4.19〜4.26（各
3H,各ｍ,エテニルCH×２及びエチレンオキシCH ₂×
２）、5.12及び5.60（各1H,各ｄ,エテニルCH×２）、6.
50〜6.56（1H,ｍ,エテニルCH）、 6.62〜6.69（1H,ｍ,
エテニルCH）、6.87（2H,ｄ,芳香環水素）、7.33（2H,
ｄ,芳香環水素）。 (2)ポリ（p-ヒドロキシスチレン）［VP-15000］12.0
ｇ、エチルビニルエーテル2.4ｇ（0.03モル）及び上記
(1)で得た4-（2-エテニルオキシエトキシ）スチレン
（0.005モル）とを用いて実施例１と同様に行い、ポリ
｛p-1-［2-（4-アリルフェノキシ）エトキシ］エトキシ
スチレン／p-1-エトキシエトキシスチレン／p-ヒドロキ
シスチレン｝12.5ｇを白色粉末晶として得た。得られた
ポリマーのp-1-［2-（4-アリルフェノキシ）エトキシ］
エトキシスチレン単位と、p-1-エトキシエトキシスチレ
ン単位及びp-ヒドロキシスチレン単位の構成比率は¹Ｈ
ＮＭＲ測定及び¹³ＣＮＭＲ測定より約３：33：64であっ
た。Ｍｗ 17300、Ｍｗ／Ｍｎ 1.12（ＧＰＣ測定法：ポ
リスチレン標準）。

【０１６６】実施例３ 下記組成から成るレジスト組成物を調製した。

【０１６７】 ポリ{p-1-[2-（4-アリル-2-メトキシフェノキシ）エトキシ]エトキシスチレン ／p-1-エトキシエトキシスチレン／p-ヒドロキシスチレン} ［実施例１のポリマー］ 0.8 g ポリ（p-1-エトキシエトキシスチレン／p-ヒドロキシスチレン） ［Mw 17500；Mw/Mn 1.18］ 3.2 g ビスシクロヘキシルスルホニルジアゾメタン 0.16g ジシクロヘキシルメチルアミン 0.01g ベンゾイルパーオキシド 0.04g フッ素含有ノニオン系界面活性剤［市販品］ 0.01g プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート 20.4 g 上記の組成物を溶解し0.2μのフィルターを通してレジ
スト組成物とした。図１を用いて上記レジスト組成物を
使用したパターン形成方法を説明する。

【０１６８】シリコンウェハー１に反射防止膜（DUV-3
2；ブリューワー製）を回転塗布し、200℃、60秒間ホッ
トプレートで加熱処理して形成された反射防止膜２上に
上記レジスト組成物３を回転塗布し、90℃、90秒間ホッ
トプレート上でプリベーク後、0.4μｍ膜厚のレジスト
膜を得た（図１a）。次にＫｒＦエキシマレーザステッ
パー（NA 0.55）を使用して波長、248.4 ｎｍのレーザ
光４をマスク５を介して選択的に露光した（図１b）。
そして120℃、90秒間ホットプレートでポストベーク
（ＰＥＢ）後、アルカリ現像液（2.38％テトラメチルア
ンモニウムヒドロキシド水溶液）で60秒間現像すること
により、レジスト膜の露光部のみを溶解除去し、ポジ型
パターン３aを得た（図１c）。得られたポジ型パターン
は28mJ／cm²の露光量で0.13μｍライン アンド スペ
ース（以下、Ｌ＆Ｓと略記する。）を矩形形状で解像し
た。尚、0.15μｍＬ＆Ｓの最適露光量での焦点余裕度
（ＤＯＦ）は0.8μｍであった。

【０１６９】また、パターンラフネスについても走査型
電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察した結果、パターンのライ
ン及びパターン側壁の何れも良好であり、スカムも観察
されなかった。本発明に係るポリマーを用いたレジスト
組成物の耐熱性を測定するため、上記パターン形成後、
120〜150℃の範囲で、夫々４分間ホットプレート上でベ
ークし、0.40μｍ及び0.18μｍのＬ＆Ｓ形状をＳＥＭで
パターン断面を観察した。その結果、150℃で加熱処理
した後もパターンの矩形形状は変化せずに耐熱性が高い
事が認められた。上記レジスト組成物を用いて露光から
ＰＥＢ迄の時間経過（ＰＥＤ）に対するパターン寸法の
変化を測定したが４時間経過しても0.18μｍ Ｌ＆Ｓの
寸法変動はなく、安定であった。又、上記レジスト組成
物を用いてシリコンウエハー上で前記と同様にしてパタ
ーン形成を行った結果、22 mJ／cm²の露光量で0.13μｍ
Ｌ＆Ｓを矩形形状で解像した。尚、0.15μｍ Ｌ＆Ｓの
ＤＯＦは1.0μｍであった。更に0.15μｍ Ｌ＆Ｓでのラ
イン密集部のライン寸法と疎部のライン寸法とを測定し
た結果、その差は±5％の範囲内にあり、近接効果の影
響も殆ど受けなかった。更に、上記レジスト組成物は調
製して23℃で1ヶ月及び3ヶ月間保管した後、上記同様に
して反射防止膜上でパターン形成した結果、同露光量で
0.13μｍ Ｌ＆Ｓのポジ型パターンを解像し、0.15μｍ
Ｌ＆ＳのＤＯＦは0.8μｍであり、貯蔵安定性は良好で
あった。 実施例４ 下記組成から成るレジスト組成物を調製した。 ポリ｛p-1-［2-（4-アリルフェノキシ）エトキシ］エトキシスチレン／p-1-エ トキシエトキシスチレン／p-ヒドロキシスチレン｝ ［実施例２のポリマー］ 1.5 g ポリ（p-1-エトキシエトキシスチレン／p-ヒドロキシスチレン） ［Mw 17500；Mw/Mn 1.18］ 2.5 g ビスシクロヘキシルスルホニルジアゾメタン 0.15g ジフェニル p-トリルスルホニウム・p-トルエンスルホネート 0.03g ジシクロヘキシルメチルアミン 0.01g ベンゾイルパーオキシド 0.02g フッ素含有ノニオン系界面活性剤［市販品］ 0.01g プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート 20.4 g 上記のレジスト組成物を使用してプリべーク温度を80℃
とした以外は応用例１と同様にしてパターン形成形成を
行った。その結果、30mJ／cm²の露光量で0.13μｍ Ｌ＆
Ｓを矩形形状で解像した。尚、0.15μｍ Ｌ＆ＳのＤＯ
Ｆは0.7μｍであった。パターンラフネスも良好であっ
た。又、150℃で加熱処理してもパターン形状は変化せ
ず、高耐熱性が認められた。上記レジスト組成物を用い
て露光からＰＥＢ迄の時間経過（ＰＥＤ）に対するパタ
ーン寸法の変化を測定したが４時間経過しても0.18μｍ
Ｌ＆Ｓの寸法変動はなく、安定であった。又、上記レ
ジスト組成物を用いてシリコンウエハー上で前記と同様
にしてパターン形成を行った結果、23mJ／cm²の露光量
で0.13μｍ Ｌ＆Ｓを矩形形状で解像した。尚、0.15μ
ｍ Ｌ＆ＳのＤＯＦは1.0μｍであった。近接効果の影響
についても0.15μｍ Ｌ＆Ｓでの疎密の寸法差は±5％の
範囲内にあり、近接効果の影響も殆ど受けなかった。更
に、上記レジスト組成物は調製して23℃で1ヶ月及び3ヶ
月間保管した後、上記同様にして反射防止膜上でパター
ン形成した結果、同露光量で0.13μｍ Ｌ＆Ｓのポジ型
パターンを解像し、0.15μｍＬ＆ＳのＤＯＦは0.7μｍ
であり、貯蔵安定性は良好であった。 比較例１ 下記組成から成るレジスト組成物を調製した。

【０１７０】 ポリ(p-1-エトキシエトキシスチレン／p-ヒドロキシスチレン) 4.0 g ビスシクロヘキシルスルホニルジアゾメタン 0.16g ジシクロヘキシルメチルアミン 0.01g フッ素含有ノニオン系界面活性剤［市販品］ 0.01g プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート 20.4 g 上記のレジスト組成物を使用して実施例３と同様にして
パターン形成形成を行った。その結果、28 mJ／cm²の露
光量で0.15μｍ Ｌ＆Ｓをテーパー形状で解像したが0.1
3μｍ Ｌ＆Ｓはパターンが潰れて解像出来なかった。
尚、0.15μｍ Ｌ＆ＳのＤＯＦは0.3μｍと不十分であっ
た。パターンラフネスについてはパターンのライン及び
パターン側壁の何れも不良であった。又、120〜150℃の
範囲で加熱処理したが120℃でもパターンが潰れて耐熱
性が不良であった。又、上記レジスト組成物を用いてシ
リコンウエハー上で実施例３と同様にしてパターン形成
を行った結果、24mJ／cm²の露光量で0.14μｍ Ｌ＆Ｓを
解像したが定在波の影響を受けて不良な形状であった。
又、0.13μｍ Ｌ＆Ｓはパターンが潰れて解像出来なか
った。尚、0.15μｍ Ｌ＆ＳのＤＯＦは0.6μｍであっ
た。又、0.15μｍ Ｌ＆Ｓでの疎密の寸法差については
疎部のパターンが潰れたため測定出来ず、近接効果の影
響を強く受けた。 比較例２ 下記組成から成るレジスト組成物を調製した。 ポリ{1,4-ビス（1-p-エテニルフェノキシエトキシ）ブタン／p-1-エトキシエ トキシスチレン／p-ヒドロキシスチレン} 0.8 g ポリ(p-1-エトキシエトキシスチレン／p-ヒドロキシスチレン) 3.2 g ビスシクロヘキシルスルホニルジアゾメタン 0.16g ジシクロヘキシルメチルアミン 0.01g フッ素含有ノニオン系界面活性剤［市販品］ 0.01g プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート 20.4 g 上記のレジスト組成物を使用して実施例３と同様にして
パターン形成を行った。その結果、28 mJ／cm²の露光量
で0.15μｍ Ｌ＆Ｓをテーパー形状で解像したが0.13μ
ｍ Ｌ＆Ｓはパターンが潰れて解像出来なかった。尚、
0.15μｍ Ｌ＆ＳのＤＯＦは0.3μｍと不十分であった。
パターンラフネスについてはパターンのライン及びパタ
ーン側壁の何れも不良であり、スカムが確認された。
又、耐熱性は130℃の加熱処理迄はパターン形状は保た
れた。又、上記レジスト組成物を用いてシリコンウエハ
ー上で実施例３と同様にしてパターン形成を行った結
果、24mJ／cm²の露光量で0.14μｍ Ｌ＆Ｓを解像したが
定在波の影響を受けて不良な形状であった。又、0.13μ
ｍ Ｌ＆Ｓはパターンが潰れて解像出来なかった。尚、
0.15μｍ Ｌ＆ＳのＤＯＦは0.6μｍであった。又、0.15
μｍ Ｌ＆Ｓでの疎密の寸法差については疎部のパター
ンが潰れたため測定出来ず、近接効果の影響を強く受け
た。実施例３、実施例４、比較例１及び比較例２の結果
より、本発明に係るポリマーを使用することにより、解
像性能の向上、ＤＯＦの拡大、パターンラフネスの改
善、耐熱性の向上、近接効果の影響抑制等に極めて大き
な効果が得られることが判る。

【０１７１】

【発明の効果】以上述べた事から明らかな如く、本発明
のポリマーをレジスト組成物の構成成分として使用した
場合、此れ迄使用、又は提案されてきたレジスト組成物
がデザインルールの微細化に伴って薄膜になるに従い、
顕著になり指摘を受けてきた多くの問題点、具体的には
解像性能不足、ＤＯＦ不足、パターンラフネス不良、耐
熱性不足、近接効果の影響抑制不良等の課題に対して夫
夫に大幅な改善が可能となり、又、ＰＥＤや貯蔵安定性
も良好で実用化が可能となった。本発明のポリマーに係
るレジスト組成物は、Ti₃Ｎ₄やSi₃Ｎ₄等の他の基板上で
も優れた性能が確認されており、従来のレジスト組成物
で課題となっている基板依存性も改善出来た。従って、
本発明は少なくとも半導体産業等における超微細パター
ンの形成にとって大きな価値を有するものである。尚、
本発明のポリマーに係るレジスト組成物は遠紫外線光、
ＫｒＦエキシマレーザ光を利用したパターン形成に特に
効果を発揮するが、電子線、軟Ｘ線等を利用したパター
ン形成においても使用が可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】 図１は、本発明のポリマーに係るレジスト組
成物を用いたポジ型パターン形成方法の工程断面図であ
る。

【符号の説明】

１・・・シリコン基板、２・・・反射防止膜、３・・・レジスト
組成物膜、４・・・ＫｒＦエキシマレーザ光、５・・・マス
ク、３ａ・・・レジストパターン。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５０２Ｒ Ｆターム(参考） 2H025 AA01 AA02 AA03 AA04 AB16 AC04 AC08 AD03 BE00 BE10 BG00 CB13 CB16 CB17 CB29 CB41 CB55 CB56 4J002 BC041 BC121 BG041 BG051 BG061 BG071 BJ002 EK037 EK047 EK057 EN028 EN068 EN098 EN138 EQ017 ET007 EU028 EU048 EU078 EV216 EV296 FD020 FD050 FD310 GP03 HA05 4J027 AA08 AJ01 AJ06 CA24 CA25 CB03 CB04 CC05 CC06 CC07 CD10 4J100 AB02R AB07Q AB07R AB07T AE82P AE83P AL02S AL08S AL75P BA02P BA02T BA04R BA04T BA05P BA05R BA06R BA12R BA15R BA20R BA21S BC07S BC43P BC43T BC53R CA06 DA01 JA38

Claims (16)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 分子内に酸の作用で離脱する性質及びラ
   ジカル的に架橋する性質を併せ持つ官能基を懸垂するモ
   ノマー単位を構成単位として含んでなるポリマー。
2. 【請求項２】 モノマー単位が、フェノール性水酸基に
   酸の作用で離脱する性質及びラジカル的に架橋する性質
   を併せ持つ官能基が置換導入されたものである請求項１
   記載のポリマー。
3. 【請求項３】 官能基が下記一般式［８］ 【化１】 ［式中、Ｒ₁は水素原子、アルキル基を表し、Ｒ₂はアル
   キル基、アラルキル基、又は置換されていても良いアリ
   ール基を表し、又、Ｒ₁とＲ₂とでアルキレン鎖を形成し
   ていても良く、Ｒ₂₃は水素原子又はメチル基を表し、Ａ
   はスペーサーを表す。］で示されるものである請求項１
   記載のポリマー。
4. 【請求項４】 モノマー単位が下記一般式［１］ 【化２】 ［式中、A,Ｒ₁、Ｒ₂及びＲ₂₃は前記と同じであり、Ｒ₃
   は水素原子又はメチル基を表す。］で示されるものであ
   る請求項１記載のポリマー。
5. 【請求項５】 スペーサーが下記一般式［２］ 【化３】 （式中、Ｒ₄は水素原子、アルキル基、又はアルコキシ
   基を表し、Ｂは単結合、−Ｏ−又は−（ＣＨ₂）e−を表
   し、ａは０又は１〜４であり、ｂは０又は１であり、ｃ
   は０又は１であり、ｄは０又は１であり、eは１〜２で
   ある。）を表す。］である請求項３記載のポリマー。
6. 【請求項６】 下記一般式［３］ 【化４】 ［式中、Ｒ₁、Ｒ_{2 、}Ｒ₃及びR₂₃は前記と同じであり、Ｒ₅
   は水素原子又はメチル基を表し、Ｒ₆は水素原子又はア
   ルキル基を表し、Ｒ₇はアルキル基、アラルキル基、又
   は置換されていても良いアリール基を表し、Ｒ₆とＲ₇と
   でアルキレン鎖を形成していても良く、Ｒ₈はアルキル
   基又はアラルキル基を表し、Ｒ₉は水素原子、アルキル
   基、アルコキシ基、テトラヒドロピラニルオキシ基、テ
   トラヒドロフラニルオキシ基、エトキシカルボニルオキ
   シ基、tert-ブトキシカルボニルオキシ基、tert-ペント
   キシカルボニルオキシ基、tert-ブトキシカルボニルメ
   トキシ基、又は下記一般式［４］ 【化５】 （式中、Ｒ₁₀はアルキル基又は置換されていても良いア
   リール基を表す。）を表し、Ｘはアルキル基、有橋脂環
   式炭化水素基又はラクトン基を表し、ｐ、ｑ及びｌは自
   然数を表し、ｋ及びｒは０又は自然数を表す（但し、０
   ≦ｋ／ｋ+ｌ+ｐ+ｑ+ｒ≦0.60であり、０<ｑ／ｋ+ｌ+ｐ+
   ｑ+ｒ≦0.40であり、０＜ｌ／ｋ+ｌ+ｐ+ｑ+ｒ≦0.30で
   あり、且つ０≦ｒ／ｋ+ｌ+ｐ+ｑ+ｒ≦0.30であ
   る。）。］で示される請求項１記載のポリマー。
7. 【請求項７】 下記一般式［５］ 【化６】 ［式中、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₆、Ｒ₇、Ｒ₈、Ｒ₉、Ｒ₂₃及
   びＡは前記と同じであり、p’、q’及びｌ’は自然数を
   表し、k’は０又は自然数を表す（但し、０≦ k’／k’
   + l’+ p’+ q’≦0.60であり、０< q’／ k’+ l’+
   p’+ q’≦0.40であり、且つ０<l’／k’+ l’+ p’+
   q’≦0.30である。）。］で示される請求項１記載のポ
   リマー。
8. 【請求項８】 下記一般式［６］ 【化７】 ［式中、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₅、Ｒ₆、Ｒ₇、Ｒ₈、Ｒ₂₃及
   びＡは前記と同じであり、Ｙはアルキル基、有橋脂環式
   炭化水素基、又はラクトン基を表し、p’’及びq’’は
   自然数であり、k’’及びr’’は０又は自然数である
   （但し、０≦ k’’／k’’+ p’’ + q’’+ r’’≦
   0.60であり、０< q’’／k’’+ p’’ + q’’+ r’’
   ≦0.40であり、且つ０≦r’’／k’’+ p’’ + q’’+
   r’’≦0.30である）。］で示される請求項１記載のポ
   リマー。
9. 【請求項９】 下記一般式［７］ 【化８】 ［式中、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₅、Ｒ₂₃及びＡは前記と同じ
   であり、Ｚはtert-ブチル基、tert-ペンチル基、1-メチ
   ルシクロヘキシル基又はメバロラクトニル基を表し、
   l’’’、p’’’、q’’’及びｒ’’’は自然数であ
   る（但し、0.10≦ｌ’’’／ｌ’’’+ｐ’’’+
   ｑ’’’+ｒ’’’≦0.30であり、０< q’’’／
   ｌ’’’+ｐ’’’+ｑ’’’+ｒ’’’≦0.40であり、
   且つ0.05≦ｒ’’’／ｌ’’’+ｐ’’’+ｑ’’’+
   ｒ’’’≦0.30である）。］で示される請求項１記載の
   ポリマー。
10. 【請求項１０】 重量平均分子量が3,000〜50,000であ
    る請求項１〜９の何れかに記載のポリマー。
11. 【請求項１１】 分散度が1.0〜3.0である請求項１〜９
    の何れかに記載のポリマー。
12. 【請求項１２】 重量平均分子量が3,000〜50,000であ
    り、分散度が1.0〜3.0である請求項１〜９の何れかに記
    載のポリマー。
13. 【請求項１３】 請求項１〜１２の何れかに記載のポリ
    マーが含まれるポリマー成分を使用する化学増幅型ポジ
    レジスト組成物。
14. 【請求項１４】 請求項１〜１２の何れかに記載のポリ
    マーが含まれるポリマー成分、感放射線照射により酸を
    発生する感光性化合物、ラジカル発生剤及び溶媒を含ん
    で成る化学増幅型ポジレジスト組成物。
15. 【請求項１５】 請求項６，７，８及び９記載のポリマ
    ーから選ばれる２種以上のポリマー、感放射線照射によ
    り酸を発生する感光性化合物、ラジカル発生剤及び溶媒
    を含んでなる化学増幅型ポジレジスト組成物。
16. 【請求項１６】 更に塩基性化合物を含んでなる請求項
    １４又は１５記載のレジスト組成物。