JP2000294835A - 光半導体モジュール及びその製造方法 - Google Patents
光半導体モジュール及びその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 容易かつ確実に気密封止することができると
共に、安価で信頼性を向上させることができる光半導体
モジュール及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 ファイバ取り出し口１０が形成されたケ
ース８内に半導体レーザ素子１が載置されている。そし
て、ファイバ取り出し口１０を貫通して半導体レーザ素
子１と外部の素子との間で光伝送を行う光ファイバ芯線
４が設けられ、ファイバ取り出し口１０が紫外線硬化性
樹脂２０２により封止されている。
共に、安価で信頼性を向上させることができる光半導体
モジュール及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 ファイバ取り出し口１０が形成されたケ
ース８内に半導体レーザ素子１が載置されている。そし
て、ファイバ取り出し口１０を貫通して半導体レーザ素
子１と外部の素子との間で光伝送を行う光ファイバ芯線
４が設けられ、ファイバ取り出し口１０が紫外線硬化性
樹脂２０２により封止されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、発光素子（レーザ
ダイオード：ＬＤ）又は受光素子（フォトダイオード：
ＰＤ）からなる光素子とこの光素子と光学的に結合され
た光ファイバとを備えた光半導体モジュール及びその製
造方法に関し、特に、容易かつ確実に気密封止をするこ
とが可能な光半導体モジュール及びその製造方法に関す
る。
ダイオード：ＬＤ）又は受光素子（フォトダイオード：
ＰＤ）からなる光素子とこの光素子と光学的に結合され
た光ファイバとを備えた光半導体モジュール及びその製
造方法に関し、特に、容易かつ確実に気密封止をするこ
とが可能な光半導体モジュール及びその製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近時、光ファイバ通信の普及に伴い、光
ファイバ通信に使用される光半導体モジュールにおいて
は、組み立てプロセスを簡略化した安価なものが求めら
れている。この目的のために、通常、発光素子としての
半導体レーザ素子と光ファイバとを同一のＳi基板上に
実装したものが使用されている。この場合、光ファイバ
の素線は、Ｓi基板上に設けられたＶ字型の溝の所定の
位置に接着剤として樹脂又はろう材(ＡｕＳｎ等)を使用
して接着され、光ファイバ押さえ板により固定されてい
る。そして、光ファイバはハウジングに設けられた光フ
ァイバ取り出し口よりハウジングの外に引き出されてい
る。なお、光ファイバ取り出し口の封止材としては、Ａ
ｕＳｎ若しくはＰｂＳｎ等からなるソルダペースト、低
融点ガラス又は樹脂が使用されている。
ファイバ通信に使用される光半導体モジュールにおいて
は、組み立てプロセスを簡略化した安価なものが求めら
れている。この目的のために、通常、発光素子としての
半導体レーザ素子と光ファイバとを同一のＳi基板上に
実装したものが使用されている。この場合、光ファイバ
の素線は、Ｓi基板上に設けられたＶ字型の溝の所定の
位置に接着剤として樹脂又はろう材(ＡｕＳｎ等)を使用
して接着され、光ファイバ押さえ板により固定されてい
る。そして、光ファイバはハウジングに設けられた光フ
ァイバ取り出し口よりハウジングの外に引き出されてい
る。なお、光ファイバ取り出し口の封止材としては、Ａ
ｕＳｎ若しくはＰｂＳｎ等からなるソルダペースト、低
融点ガラス又は樹脂が使用されている。
【０００３】しかし、ソルダペーストを使用する場合に
は、光ファイバとソルダペーストとの密着性を高めるた
めに、光ファイバの表面にＡｕメッキ等の金属加工を行
う必要があり、処理工程が増加する。このため、光半導
体モジュールは高価なものとなる。また、低融点ガラス
を使用する場合には、光ファイバ取り出し口を低融点ガ
ラスが溶融する４３０乃至４７０℃まで加熱する必要が
あるので、ハウジング内で半導体レーザを固定している
ソルダペーストが溶融するため、半導体レーザと光ファ
イバとの位置関係がずれて、所望の光ファイバ出力が得
られないという欠点がある。
は、光ファイバとソルダペーストとの密着性を高めるた
めに、光ファイバの表面にＡｕメッキ等の金属加工を行
う必要があり、処理工程が増加する。このため、光半導
体モジュールは高価なものとなる。また、低融点ガラス
を使用する場合には、光ファイバ取り出し口を低融点ガ
ラスが溶融する４３０乃至４７０℃まで加熱する必要が
あるので、ハウジング内で半導体レーザを固定している
ソルダペーストが溶融するため、半導体レーザと光ファ
イバとの位置関係がずれて、所望の光ファイバ出力が得
られないという欠点がある。
【０００４】そこで、特開平９−６９５８５号公報に
は、光ファイバ取り出し口の封止方法として樹脂を使用
した方法が開示されている。図６は、特開平９−６９５
８５号公報における従来の光半導体モジュールを示す断
面図である。この従来の光半導体モジュールにおいて
は、半導体レーザアレイ３０１の一部がＳｉ基板３０３
に形成されたＶ字型の溝に固定されている。光ファイバ
アレイ３４３は、その上部のファイバアレイ押え板３０
６によりＳｉ基板３０３に固定されている。なお、Ｓｉ
基板３０３はＡｕＳｎソルダペーストによりケース３０
８の底部に固定されている。また、キャップ３０９がケ
ース３０８上に配設されており、ケース８及びキャップ
３０９から構成されるハウジングにファイバ取り出し口
３１０が設けられている。このファイバ取り出し口３１
０から光ファイバアレイ３４３の一端がハウジングの外
部に取り出されている。
は、光ファイバ取り出し口の封止方法として樹脂を使用
した方法が開示されている。図６は、特開平９−６９５
８５号公報における従来の光半導体モジュールを示す断
面図である。この従来の光半導体モジュールにおいて
は、半導体レーザアレイ３０１の一部がＳｉ基板３０３
に形成されたＶ字型の溝に固定されている。光ファイバ
アレイ３４３は、その上部のファイバアレイ押え板３０
６によりＳｉ基板３０３に固定されている。なお、Ｓｉ
基板３０３はＡｕＳｎソルダペーストによりケース３０
８の底部に固定されている。また、キャップ３０９がケ
ース３０８上に配設されており、ケース８及びキャップ
３０９から構成されるハウジングにファイバ取り出し口
３１０が設けられている。このファイバ取り出し口３１
０から光ファイバアレイ３４３の一端がハウジングの外
部に取り出されている。
【０００５】なお、ファイバ取り出し口３１０には、予
め熱硬化性樹脂３１２が塗布されており、ケース３０８
及びキャップ３０９を加熱することにより、熱硬化性樹
脂３１２を硬化させてファイバ取り出し口３１０が封止
されている。ファイバ取り出し口３１０には、ハウジン
グ内部の熱膨張により熱硬化性樹脂３１２が外部に漏れ
出さないように、液化樹脂溜め用溝３１１が設けられて
いる。
め熱硬化性樹脂３１２が塗布されており、ケース３０８
及びキャップ３０９を加熱することにより、熱硬化性樹
脂３１２を硬化させてファイバ取り出し口３１０が封止
されている。ファイバ取り出し口３１０には、ハウジン
グ内部の熱膨張により熱硬化性樹脂３１２が外部に漏れ
出さないように、液化樹脂溜め用溝３１１が設けられて
いる。
【０００６】また、特開平９−１４８５９２号公報に
は、光硬化性及び熱硬化性を具備する樹脂を使用して上
述のようなファイバ取り出し口を封止する方法が開示さ
れている。
は、光硬化性及び熱硬化性を具備する樹脂を使用して上
述のようなファイバ取り出し口を封止する方法が開示さ
れている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
９−６９５８５号公報に開示された従来の光半導体モジ
ュールにおいては、ケース３０８及びキャップ３０９の
光ファイバ取り出し口３１０の構造が複雑であり、ケー
ス３０８及びキャップ３０９を製造するための工程数が
多く、光半導体モジュールが高価なものとなるという問
題点がある。また、液化樹脂溜め用溝３１１に熱硬化性
樹脂３１２が均一に流れないために、熱硬化性樹脂３１
２中に気泡が混入し、硬化したときにその内部に空気の
抜け道が形成される。このため、この空気の抜け道を経
由して光半導体モジュール内に外部から湿気が入り込み
やすい。従って、光半導体モジュール３００内部の光半
導体素子（レーザアレイ３０１）が破損し、信頼性が低
下するという問題点もある。
９−６９５８５号公報に開示された従来の光半導体モジ
ュールにおいては、ケース３０８及びキャップ３０９の
光ファイバ取り出し口３１０の構造が複雑であり、ケー
ス３０８及びキャップ３０９を製造するための工程数が
多く、光半導体モジュールが高価なものとなるという問
題点がある。また、液化樹脂溜め用溝３１１に熱硬化性
樹脂３１２が均一に流れないために、熱硬化性樹脂３１
２中に気泡が混入し、硬化したときにその内部に空気の
抜け道が形成される。このため、この空気の抜け道を経
由して光半導体モジュール内に外部から湿気が入り込み
やすい。従って、光半導体モジュール３００内部の光半
導体素子（レーザアレイ３０１）が破損し、信頼性が低
下するという問題点もある。
【０００８】また、特開平９−１４８５９２号公報に開
示された方法においては、紫外線照射による光硬化プロ
セス及び熱硬化プロセスの二重のプロセスにより、組み
立て工程数が増加し、高価な光半導体モジュールとなる
という問題点がある。
示された方法においては、紫外線照射による光硬化プロ
セス及び熱硬化プロセスの二重のプロセスにより、組み
立て工程数が増加し、高価な光半導体モジュールとなる
という問題点がある。
【０００９】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
のであって、容易かつ確実に気密封止することができる
と共に、安価で信頼性を向上させることができる光半導
体モジュール及びその製造方法を提供することを目的と
する。
のであって、容易かつ確実に気密封止することができる
と共に、安価で信頼性を向上させることができる光半導
体モジュール及びその製造方法を提供することを目的と
する。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明に係る光半導体モ
ジュールは、開口部が設けられたハウジングと、このハ
ウジング内に載置された光半導体素子と、前記開口部を
貫通し前記光半導体素子と前記ハウジングの外側に設け
られた素子との間で光伝送を行う光ファイバと、前記開
口部を封止する光硬化性樹脂材と、この光硬化性樹脂材
と前記ハウジングの外部との間に設けられた透明板と、
を有することを特徴とする。
ジュールは、開口部が設けられたハウジングと、このハ
ウジング内に載置された光半導体素子と、前記開口部を
貫通し前記光半導体素子と前記ハウジングの外側に設け
られた素子との間で光伝送を行う光ファイバと、前記開
口部を封止する光硬化性樹脂材と、この光硬化性樹脂材
と前記ハウジングの外部との間に設けられた透明板と、
を有することを特徴とする。
【００１１】本発明においては、光ファイバが貫通する
開口部が光硬化性樹脂により封止されているので、気泡
の形成等がなく確実な気密が確保され、信頼性が高い。
また、透明板を通して紫外線の光を照射すれば光硬化性
樹脂は硬化するので、製造工程を低減し、コストを低減
することが可能である。
開口部が光硬化性樹脂により封止されているので、気泡
の形成等がなく確実な気密が確保され、信頼性が高い。
また、透明板を通して紫外線の光を照射すれば光硬化性
樹脂は硬化するので、製造工程を低減し、コストを低減
することが可能である。
【００１２】本発明においては、前記ハウジングは、前
記光半導体素子が載置されるケースと、このケース上に
配置されるキャップと、を有し、前記光硬化性樹脂材の
線膨張係数と前記ケースの線膨張係数との差が１×１０
-5／℃未満であってもよい。線膨張係数の差を１×１０
-5／℃未満とすることにより、外部温度の変化等に対し
てクラックが生じることを防止し、気密封止の確実性を
向上させることができる。
記光半導体素子が載置されるケースと、このケース上に
配置されるキャップと、を有し、前記光硬化性樹脂材の
線膨張係数と前記ケースの線膨張係数との差が１×１０
-5／℃未満であってもよい。線膨張係数の差を１×１０
-5／℃未満とすることにより、外部温度の変化等に対し
てクラックが生じることを防止し、気密封止の確実性を
向上させることができる。
【００１３】また、前記透明板の光透過率が９８％以上
であってもよい。透明板の光透過率を９８％以上とする
ことにより、光ファイバの芯線を固定する光硬化性樹脂
をより一層容易に硬化することができる。
であってもよい。透明板の光透過率を９８％以上とする
ことにより、光ファイバの芯線を固定する光硬化性樹脂
をより一層容易に硬化することができる。
【００１４】更にまた、前記開口部は、少なくとも２段
の凹状開口部を有し、前記光ファイバと前記透明板とが
前記凹状開口部の相互に異なる段に配置されていること
ができる。
の凹状開口部を有し、前記光ファイバと前記透明板とが
前記凹状開口部の相互に異なる段に配置されていること
ができる。
【００１５】本発明に係る光半導体モジュールの製造方
法は、ケース内に光半導体素子を載置する工程と、前記
光半導体素子と前記ケースの外部に設けられた素子との
間で光伝送を行う光ファイバを前記ケース上に配置する
工程と、前記ケースの側壁と前記光ファイバとが交差す
る領域に光硬化性樹脂材を設ける工程と、前記光硬化性
樹脂材上に透明板を載置する工程と、前記透明板を介し
て前記光硬化性樹脂材に光を照射して前記光硬化性樹脂
材を硬化させる工程と、を有することを特徴とする。
法は、ケース内に光半導体素子を載置する工程と、前記
光半導体素子と前記ケースの外部に設けられた素子との
間で光伝送を行う光ファイバを前記ケース上に配置する
工程と、前記ケースの側壁と前記光ファイバとが交差す
る領域に光硬化性樹脂材を設ける工程と、前記光硬化性
樹脂材上に透明板を載置する工程と、前記透明板を介し
て前記光硬化性樹脂材に光を照射して前記光硬化性樹脂
材を硬化させる工程と、を有することを特徴とする。
【００１６】本発明方法においては、光硬化性樹脂の硬
化により光ファイバをケースに固定するため、工程数が
少ないと共に、気泡の混入等がなく信頼性が高い。
化により光ファイバをケースに固定するため、工程数が
少ないと共に、気泡の混入等がなく信頼性が高い。
【００１７】本発明方法においては、前記光硬化性樹脂
材の線膨張係数と前記ケースの線膨張係数との差が１×
１０-5／℃未満であってもよく、また、前記透明板の光
透過率は９８％以上であってもよい。
材の線膨張係数と前記ケースの線膨張係数との差が１×
１０-5／℃未満であってもよく、また、前記透明板の光
透過率は９８％以上であってもよい。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の第１の実施例に係
る光半導体モジュールについて、添付の図面を参照して
具体的に説明する。図１は、本発明の第１の実施例に係
る光半導体モジュールを示す平面図、図２は図１のＸ−
Ｘ線における断面図、図３は図１のＹ−Ｙ線における断
面図である。なお、図１においては、光半導体モジュー
ルの内部構造の把握を容易にするために、キャップ９を
２点鎖線で示して省略している。
る光半導体モジュールについて、添付の図面を参照して
具体的に説明する。図１は、本発明の第１の実施例に係
る光半導体モジュールを示す平面図、図２は図１のＸ−
Ｘ線における断面図、図３は図１のＹ−Ｙ線における断
面図である。なお、図１においては、光半導体モジュー
ルの内部構造の把握を容易にするために、キャップ９を
２点鎖線で示して省略している。
【００１９】第１の実施例においては、図１乃至図３に
示すように、Ｓｉ基板３がケース８の底部に、例えば銀
ペースト又はＡｕＳｎソルダペースト等の導電性接着剤
２０５により固定されている。Ｓｉ基板３には、Ｖ字型
のＶ溝３２が形成されており、Ｖ溝３２の先端には、Ｖ
溝３２が延びる方向と直交する方向に延びる溝３１が形
成されている。そして、Ｖ溝３２に光ファイバ芯線４が
紫外線硬化性樹脂２０３により固定されている。その一
方の先端部には丸められた光ファイバ先球部４１が形成
されており、この光ファイバ先球部４１は溝３１に突き
出している。また、発光素子である半導体レーザ素子１
が光ファイバ先球部４１と対向してＳｉ基板３上に配置
されている。なお、半導体レーザ素子１は、Ｓｉ基板３
に設けられたパターン電極にＡｕＳｎソルダペーストに
より固定されている。また、半導体レーザ素子１の光軸
と光ファイバ芯線４の光軸とは一致している。
示すように、Ｓｉ基板３がケース８の底部に、例えば銀
ペースト又はＡｕＳｎソルダペースト等の導電性接着剤
２０５により固定されている。Ｓｉ基板３には、Ｖ字型
のＶ溝３２が形成されており、Ｖ溝３２の先端には、Ｖ
溝３２が延びる方向と直交する方向に延びる溝３１が形
成されている。そして、Ｖ溝３２に光ファイバ芯線４が
紫外線硬化性樹脂２０３により固定されている。その一
方の先端部には丸められた光ファイバ先球部４１が形成
されており、この光ファイバ先球部４１は溝３１に突き
出している。また、発光素子である半導体レーザ素子１
が光ファイバ先球部４１と対向してＳｉ基板３上に配置
されている。なお、半導体レーザ素子１は、Ｓｉ基板３
に設けられたパターン電極にＡｕＳｎソルダペーストに
より固定されている。また、半導体レーザ素子１の光軸
と光ファイバ芯線４の光軸とは一致している。
【００２０】また、モニタ用フォトダイオード搭載チッ
プキャリア５が、例えば銀ペースト又はＡｕＳｎソルダ
ペースト等の導電性接着剤２０６によりケース８の底部
に固定されており、モニタ用フォトダイオード搭載チッ
プキャリア５上に半導体レーザ素子１の発光を検知する
モニタ用フォトダイオード２が搭載されている。また、
Ｓｉ基板３及びモニタ用フォトダイオード搭載チップキ
ャリア５に設けられた金属端子とケース８内部に設けら
れた所望の金属端子とを接続するボンディングワイヤ４
４が設けられている。
プキャリア５が、例えば銀ペースト又はＡｕＳｎソルダ
ペースト等の導電性接着剤２０６によりケース８の底部
に固定されており、モニタ用フォトダイオード搭載チッ
プキャリア５上に半導体レーザ素子１の発光を検知する
モニタ用フォトダイオード２が搭載されている。また、
Ｓｉ基板３及びモニタ用フォトダイオード搭載チップキ
ャリア５に設けられた金属端子とケース８内部に設けら
れた所望の金属端子とを接続するボンディングワイヤ４
４が設けられている。
【００２１】更に、溝３２内の光ファイバ芯線４上に
は、選択的に紫外線硬化性樹脂２０３により光ファイバ
芯線押さえ用ガラス板６が固定されている。キャップ９
がケース８上に紫外線硬化性樹脂２０１により固定され
ており、ケース８及びキャップ９からハウジングが構成
され、ケース８にファイバ取り出し口１０が設けられて
いる。ファイバ取り出し口１０には、例えば２段の凹部
が形成されており、上段の凹部１０ａの幅が下段の凹部
１０ｂの幅より広く形成されている。
は、選択的に紫外線硬化性樹脂２０３により光ファイバ
芯線押さえ用ガラス板６が固定されている。キャップ９
がケース８上に紫外線硬化性樹脂２０１により固定され
ており、ケース８及びキャップ９からハウジングが構成
され、ケース８にファイバ取り出し口１０が設けられて
いる。ファイバ取り出し口１０には、例えば２段の凹部
が形成されており、上段の凹部１０ａの幅が下段の凹部
１０ｂの幅より広く形成されている。
【００２２】また、光ファイバ芯線４はファイバ取り出
し口１０において紫外線硬化性樹脂２０４によりケース
８の凹部に固定されている。更に、ガラス板７が紫外線
硬化性樹脂２０４によりキャップ９と光ファイバ芯線４
との間に固定されている。キャップ９により、半導体レ
ーザ素子１，モニタ用フォトダイオード搭載チップキャ
リア５及び光ファイバ間の光学的結合部分が外乱光から
保護されている。
し口１０において紫外線硬化性樹脂２０４によりケース
８の凹部に固定されている。更に、ガラス板７が紫外線
硬化性樹脂２０４によりキャップ９と光ファイバ芯線４
との間に固定されている。キャップ９により、半導体レ
ーザ素子１，モニタ用フォトダイオード搭載チップキャ
リア５及び光ファイバ間の光学的結合部分が外乱光から
保護されている。
【００２３】そして、キャップ９の外部においては、光
ファイバ芯線４は光ファイバ被覆材４２により被覆され
ている。光ファイバ被覆材４２の一部は、紫外線硬化性
樹脂２０２によりケース８に固定されている。
ファイバ芯線４は光ファイバ被覆材４２により被覆され
ている。光ファイバ被覆材４２の一部は、紫外線硬化性
樹脂２０２によりケース８に固定されている。
【００２４】次に、上述のように構成された第１の実施
例の光半導体モジュールの動作について説明する。
例の光半導体モジュールの動作について説明する。
【００２５】Ｓｉ基板３に配置された半導体レーザ素子
１に所定の電圧を印加すると、半導体レーザ素子１はレ
ーザ光を発光する。このレーザ光は光ファイバ先球部４
１に当たり、光ファイバ芯線４を通って光ファイバ芯線
４の他端に接続された素子等に出力される。また、前記
レーザ光は受光素子であるモニタ用フォトダイオード２
に受光されて電気信号に変換される。そして、この電気
信号はモニタ用フォトダイオード搭載チップキャリア５
及びボンディングワイヤ４４を介してケース８に設けら
れた端子から出力される。
１に所定の電圧を印加すると、半導体レーザ素子１はレ
ーザ光を発光する。このレーザ光は光ファイバ先球部４
１に当たり、光ファイバ芯線４を通って光ファイバ芯線
４の他端に接続された素子等に出力される。また、前記
レーザ光は受光素子であるモニタ用フォトダイオード２
に受光されて電気信号に変換される。そして、この電気
信号はモニタ用フォトダイオード搭載チップキャリア５
及びボンディングワイヤ４４を介してケース８に設けら
れた端子から出力される。
【００２６】次に、第１の実施例の光半導体モジュール
を製造する方法について説明する。図４は本発明の第１
の実施例に係る光半導体モジュールを製造する方法を示
す分解斜視図である。
を製造する方法について説明する。図４は本発明の第１
の実施例に係る光半導体モジュールを製造する方法を示
す分解斜視図である。
【００２７】先ず、図４に示すように、ＡｕＳｎソルダ
ペーストをＳｉ基板３の溝３１を間に挟んでＶ溝３２に
対向する位置に設けられたパターン電極に蒸着し、半導
体レーザ素子１をＡｎＳｎソルダペーストにより電極上
に固定する。このとき、Ｖ溝３２の中心と半導体レーザ
素子１の中心とのずれが、例えば±１．５μｍ以内とな
る精度で固定する。
ペーストをＳｉ基板３の溝３１を間に挟んでＶ溝３２に
対向する位置に設けられたパターン電極に蒸着し、半導
体レーザ素子１をＡｎＳｎソルダペーストにより電極上
に固定する。このとき、Ｖ溝３２の中心と半導体レーザ
素子１の中心とのずれが、例えば±１．５μｍ以内とな
る精度で固定する。
【００２８】次いで、Ｓｉ基板３及びモニタ用フォトダ
イオード搭載チップキャリア５を銀ペースト又はＡｕＳ
ｎソルダペースト等の導電性接着剤２０５及び２０６に
よりケース８に固着する。その後、Ｓｉ基板３及びモニ
タ用フォトダイオード搭載チップキャリア５の金属端子
とケース８の内部の所望の金属端子とをボンディングワ
イヤ４４で接続する。次いで、半導体レーザ素子１の通
電スクリーニング（ＡＣＣ）を行い、半導体レーザ素子
１のうち初期不良が生じたものの除去を行う。
イオード搭載チップキャリア５を銀ペースト又はＡｕＳ
ｎソルダペースト等の導電性接着剤２０５及び２０６に
よりケース８に固着する。その後、Ｓｉ基板３及びモニ
タ用フォトダイオード搭載チップキャリア５の金属端子
とケース８の内部の所望の金属端子とをボンディングワ
イヤ４４で接続する。次いで、半導体レーザ素子１の通
電スクリーニング（ＡＣＣ）を行い、半導体レーザ素子
１のうち初期不良が生じたものの除去を行う。
【００２９】次いで、光ファイバ芯線４をファイバ取り
出し口１０からＳｉ基板３のＶ溝３２に挿入する。その
後、紫外線硬化性樹脂２０３をＶ溝３２内に位置する光
ファイバ芯線４の上部に滴下し、光ファイバ芯線押さえ
用ガラス板６を光ファイバ芯線４上に配置する。そし
て、光ファイバ芯線押さえ用ガラス板６に上部から所定
の圧力をかけながら、例えば強度が９５ｍＷ／ｃｍ2、
照射時間が６０秒の照射条件で紫外線を照射することに
より、光ファイバ芯線４をＳｉ基板３のＶ溝３２に固定
する。この際、光ファイバ被覆材４２の周囲に紫外線硬
化性樹脂２０２を滴下し、これを硬化させることによ
り、光ファイバ被覆材４２のケース８への仮固定を行
う。
出し口１０からＳｉ基板３のＶ溝３２に挿入する。その
後、紫外線硬化性樹脂２０３をＶ溝３２内に位置する光
ファイバ芯線４の上部に滴下し、光ファイバ芯線押さえ
用ガラス板６を光ファイバ芯線４上に配置する。そし
て、光ファイバ芯線押さえ用ガラス板６に上部から所定
の圧力をかけながら、例えば強度が９５ｍＷ／ｃｍ2、
照射時間が６０秒の照射条件で紫外線を照射することに
より、光ファイバ芯線４をＳｉ基板３のＶ溝３２に固定
する。この際、光ファイバ被覆材４２の周囲に紫外線硬
化性樹脂２０２を滴下し、これを硬化させることによ
り、光ファイバ被覆材４２のケース８への仮固定を行
う。
【００３０】次に、ファイバ取り出し口１０の下段の凹
部１０ｂに位置する光ファイバ芯線４の周囲に紫外線硬
化性樹脂２０４を滴下し、例えば光を９８％以上透過す
るガラス板８をファイバ取り出し口１０の上段の凹部１
０ａに載置する。そして、ガラス板８を凹部１０ａに押
圧した後、例えば強度が２００ｍＷ／ｃｍ2、照射時間
が６０秒の照射条件で紫外線を３方向から紫外線硬化性
樹脂２０４に均一に照射する。これにより、最下段の凹
部１０ｂに十分紫外線が行きわたり、紫外線硬化性樹脂
２０４が硬化して光ファイバ芯線４がケース８に固定さ
れる。次いで、ケース８及びガラス板７の所定の領域に
紫外線硬化性樹脂２０１を塗布し、キャップ９をケース
８の所定の位置に載置する。次に、紫外線照射により、
紫外線硬化性樹脂２０１を硬化することにより、キャッ
プ９をケース８上に固定する。これにより、ファイバ取
り出し口１０が封止される。
部１０ｂに位置する光ファイバ芯線４の周囲に紫外線硬
化性樹脂２０４を滴下し、例えば光を９８％以上透過す
るガラス板８をファイバ取り出し口１０の上段の凹部１
０ａに載置する。そして、ガラス板８を凹部１０ａに押
圧した後、例えば強度が２００ｍＷ／ｃｍ2、照射時間
が６０秒の照射条件で紫外線を３方向から紫外線硬化性
樹脂２０４に均一に照射する。これにより、最下段の凹
部１０ｂに十分紫外線が行きわたり、紫外線硬化性樹脂
２０４が硬化して光ファイバ芯線４がケース８に固定さ
れる。次いで、ケース８及びガラス板７の所定の領域に
紫外線硬化性樹脂２０１を塗布し、キャップ９をケース
８の所定の位置に載置する。次に、紫外線照射により、
紫外線硬化性樹脂２０１を硬化することにより、キャッ
プ９をケース８上に固定する。これにより、ファイバ取
り出し口１０が封止される。
【００３１】次いで、光ファイバ４２の周囲に、例えば
紫外線硬化性樹脂２０２を塗布し、これを硬化すること
により、光ファイバ４２をケース８に固定する。
紫外線硬化性樹脂２０２を塗布し、これを硬化すること
により、光ファイバ４２をケース８に固定する。
【００３２】このような製造方法においては、紫外線硬
化性樹脂２０４の滴下及び紫外線照射による紫外線硬化
性樹脂２０４の硬化のみで、ファイバ取り出し口１０を
封止することが可能である。また、ガラス板７により紫
外線硬化性樹脂２０４の流れ出しの防止及び光ファイバ
芯線４の位置決めが可能であるので、外部からの湿気の
混入及び出力の低下が防止される。
化性樹脂２０４の滴下及び紫外線照射による紫外線硬化
性樹脂２０４の硬化のみで、ファイバ取り出し口１０を
封止することが可能である。また、ガラス板７により紫
外線硬化性樹脂２０４の流れ出しの防止及び光ファイバ
芯線４の位置決めが可能であるので、外部からの湿気の
混入及び出力の低下が防止される。
【００３３】なお、本発明の第１の実施例においては、
光半導体素子として発光素子である半導体レーザ素子を
使用しているが、光半導体素子として他の発光素子、受
光素子及び半導体光アンプ等の素子を使用することも可
能である。また、光ファイバ４２の固定のために紫外線
硬化性樹脂２０２を使用しているが、例えば熱硬化性樹
脂を使用してもよい。
光半導体素子として発光素子である半導体レーザ素子を
使用しているが、光半導体素子として他の発光素子、受
光素子及び半導体光アンプ等の素子を使用することも可
能である。また、光ファイバ４２の固定のために紫外線
硬化性樹脂２０２を使用しているが、例えば熱硬化性樹
脂を使用してもよい。
【００３４】また、第１の実施例においては、半導体レ
ーザ素子から出力されるレーザ信号を１本の光ファイバ
で光伝送を行う構成となっているが、複数の発光素子を
有する装置、例えば半導体レーザアレイを使用して、複
数のレーザ信号を複数の光ファイバを有する光ファイバ
アレイで光伝送を行う構成としてもよい。
ーザ素子から出力されるレーザ信号を１本の光ファイバ
で光伝送を行う構成となっているが、複数の発光素子を
有する装置、例えば半導体レーザアレイを使用して、複
数のレーザ信号を複数の光ファイバを有する光ファイバ
アレイで光伝送を行う構成としてもよい。
【００３５】次に、本発明の第２の実施例として半導体
レーザアレイを使用した構成の光半導体モジュールにつ
いて説明する。図５は、本発明の第２の実施例に係る光
半導体モジュールを示す平面図である。なお、図５にお
いては、半導体モジュールの内部構造の把握を容易にす
るために、キャップ９を２点鎖線で示して省略してい
る。また、図５に示す第２の実施例において、図１に示
す第１の実施例と同一の構成要素には、同一符号を付し
てその詳細な説明は省略する。
レーザアレイを使用した構成の光半導体モジュールにつ
いて説明する。図５は、本発明の第２の実施例に係る光
半導体モジュールを示す平面図である。なお、図５にお
いては、半導体モジュールの内部構造の把握を容易にす
るために、キャップ９を２点鎖線で示して省略してい
る。また、図５に示す第２の実施例において、図１に示
す第１の実施例と同一の構成要素には、同一符号を付し
てその詳細な説明は省略する。
【００３６】第２の実施例においては、Ｓｉ基板３にＶ
字型の複数個の溝が形成されており、これらの溝に複数
本の光ファイバ素線が、例えば紫外線硬化樹脂により固
定されている。複数本の光ファイバ素線からテープ型光
ファイバアレイ４４３が構成されている。ケース８の外
部においては、テープ型光ファイバアレイ４４３の周囲
に被覆材（図示せず）が設けられており、これらにより
光ファイバ４２ａが構成されている。また、ハウジング
内部のテープ型光ファイバアレイ４４３の先端部と対向
して複数個の半導体レーザ素子からなる半導体レーザア
レイ４０１が配設されている。なお、半導体レーザアレ
イ４０１の光軸は、テープ型光ファイバアレイ４４３の
光軸と一致している。
字型の複数個の溝が形成されており、これらの溝に複数
本の光ファイバ素線が、例えば紫外線硬化樹脂により固
定されている。複数本の光ファイバ素線からテープ型光
ファイバアレイ４４３が構成されている。ケース８の外
部においては、テープ型光ファイバアレイ４４３の周囲
に被覆材（図示せず）が設けられており、これらにより
光ファイバ４２ａが構成されている。また、ハウジング
内部のテープ型光ファイバアレイ４４３の先端部と対向
して複数個の半導体レーザ素子からなる半導体レーザア
レイ４０１が配設されている。なお、半導体レーザアレ
イ４０１の光軸は、テープ型光ファイバアレイ４４３の
光軸と一致している。
【００３７】また、Ｖ溝内のテープ型光ファイバアレイ
４４３上には、選択的に紫外線硬化性樹脂により光ファ
イバアレイ押え板４０６が固定されており、ファイバ取
り出し口１０においては、ガラス板７が紫外線硬化性樹
脂により固定されている。
４４３上には、選択的に紫外線硬化性樹脂により光ファ
イバアレイ押え板４０６が固定されており、ファイバ取
り出し口１０においては、ガラス板７が紫外線硬化性樹
脂により固定されている。
【００３８】このような構成の第２の実施例の光半導体
モジュールは、第１の実施例の光半導体モジュールと同
様の工程により製造することができる。即ち、Ｖ溝内の
テープ型光ファイバアレイ４４３に紫外線硬化性樹脂を
滴下し、光ファイバアレイ押え板４０６をテープ型光フ
ァイバアレイ４４３に押しつけながら紫外線照射して紫
外線硬化性樹脂を硬化させる。その後、ファイバ取り出
し口１０において、テープ型光ファイバアレイ４４３の
周囲に紫外線硬化性樹脂を滴下し、ガラス板７をファイ
バ取り出し口１０の上段の凹部に載置して紫外線を照射
することにより、紫外線硬化性樹脂を硬化させればよ
い。
モジュールは、第１の実施例の光半導体モジュールと同
様の工程により製造することができる。即ち、Ｖ溝内の
テープ型光ファイバアレイ４４３に紫外線硬化性樹脂を
滴下し、光ファイバアレイ押え板４０６をテープ型光フ
ァイバアレイ４４３に押しつけながら紫外線照射して紫
外線硬化性樹脂を硬化させる。その後、ファイバ取り出
し口１０において、テープ型光ファイバアレイ４４３の
周囲に紫外線硬化性樹脂を滴下し、ガラス板７をファイ
バ取り出し口１０の上段の凹部に載置して紫外線を照射
することにより、紫外線硬化性樹脂を硬化させればよ
い。
【００３９】なお、第１及び第２の実施例においてファ
イバ取り出し口１０の封止に使用される紫外線硬化性樹
脂の線膨張率とケースの線膨張率との差は、硬化の際の
クラック発生を防止するために、１×１０-5／℃未満で
あることが望ましい。
イバ取り出し口１０の封止に使用される紫外線硬化性樹
脂の線膨張率とケースの線膨張率との差は、硬化の際の
クラック発生を防止するために、１×１０-5／℃未満で
あることが望ましい。
【００４０】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
光硬化性樹脂により光ファイバが貫通する開口部を封止
しているので、気泡の形成等がなく容易で確実に気密を
確保することができる。従って、信頼性を向上させるこ
とができる。また、製造工程数の低減によりコストを低
下させることができる。また、開口部に少なくとも２段
の凹状開口部を設けることにより、光ファイバの固定を
より一層容易なものとすることができる。
光硬化性樹脂により光ファイバが貫通する開口部を封止
しているので、気泡の形成等がなく容易で確実に気密を
確保することができる。従って、信頼性を向上させるこ
とができる。また、製造工程数の低減によりコストを低
下させることができる。また、開口部に少なくとも２段
の凹状開口部を設けることにより、光ファイバの固定を
より一層容易なものとすることができる。
【図１】本発明の第１の実施例による光半導体モジュー
ルを示す平面図である。
ルを示す平面図である。
【図２】本発明の第１の実施例による光半導体モジュー
ルを示す図１のＸ−Ｘ線における断面図である。
ルを示す図１のＸ−Ｘ線における断面図である。
【図３】本発明の第１の実施例による光半導体モジュー
ルを示す図１のＹ−Ｙ線における断面図である。
ルを示す図１のＹ−Ｙ線における断面図である。
【図４】本発明の第１の実施例による光半導体モジュー
ルを製造する方法を示す分解斜視図である。
ルを製造する方法を示す分解斜視図である。
【図５】本発明の第２の実施例による光半導体モジュー
ルを示す平面図である。
ルを示す平面図である。
【図６】従来の光半導体モジュールを示す断面図であ
る。
る。
１；半導体レーザ素子 ２；モニタ用フォトダイオード ３；Ｓｉ基板 ４；光ファイバ芯線 ５；モニタ用フォトダイオード搭載チップキャリア ６；光ファイバ芯線押さえ用ガラス板 ７；ガラス板 ８；ケース ９；キャップ １０；ファイバ取り出し口 １０ａ；上段の凹部 １０ｂ；下段の凹部 ３１；溝 ３２；Ｖ溝 ４１；光ファイバ先球部 ４２；光ファイバ被覆材 ４２ａ、４３；光ファイバ ４４；ボンディングワイヤ １００；光半導体モジュール ２０１、２０２，２０３，２０４；紫外線硬化性樹脂 ２０５，２０６；銀ペースト ３００；光半導体モジュール ３０１；レーザアレイ ３０３；Ｓｉ基板 ３０６；ファイバアレイ押さえ板 ３０９；キャップ ３１０；ファイバ取り出し口 ３１１；液化樹脂溜め用溝 ３１２；熱硬化性樹脂 ３４３；光ファイバアレイ ４０１；半導体レーザアレイ ４０４；光ファイバアレイ ４０６；光ファイバアレイ押さえ板 ４４３；テープ型光ファイバアレイ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｓ 5/022 Ｈ０１Ｌ 31/02 Ｄ Ｈ０１Ｓ 3/18 ６１２ Ｆターム(参考） 2H037 AA01 BA02 CA08 DA03 DA04 DA06 DA12 DA36 5F041 AA34 AA39 AA43 CB22 DA11 DA20 DA61 DA76 DA83 EE05 5F073 AB04 AB15 AB28 EA29 FA02 FA07 FA13 FA16 FA22 FA23 FA30 5F088 AA01 BA10 BA16 BA18 BB01 EA09 EA11 JA03 JA05 JA06 JA14
Claims (7)
- 【請求項１】 開口部が設けられたハウジングと、この
ハウジング内に載置された光半導体素子と、前記開口部
を貫通し前記光半導体素子と前記ハウジングの外側に設
けられた素子との間で光伝送を行う光ファイバと、前記
開口部を封止する光硬化性樹脂材と、この光硬化性樹脂
材と前記ハウジングの外部との間に設けられた透明板
と、を有することを特徴とする光半導体モジュール。 - 【請求項２】 前記ハウジングは、前記光半導体素子が
載置されるケースと、このケース上に配置されるキャッ
プと、を有し、前記光硬化性樹脂材の線膨張係数と前記
ケースの線膨張係数との差が１×１０-5／℃未満である
ことを特徴とする請求項１に記載の光半導体モジュー
ル。 - 【請求項３】 前記透明板の光透過率が９８％以上であ
ることを特徴とする請求項１又は２に記載の光半導体モ
ジュール。 - 【請求項４】 前記開口部は、少なくとも２段の凹状開
口部を有し、前記光ファイバと前記透明板とが前記凹状
開口部の相互に異なる段に配置されていることを特徴と
する請求項１乃至３のいずれか１項に記載の光半導体モ
ジュール。 - 【請求項５】 ケース内に光半導体素子を載置する工程
と、前記光半導体素子と前記ケースの外部に設けられた
素子との間で光伝送を行う光ファイバを前記ケース上に
配置する工程と、前記ケースの側壁と前記光ファイバと
が交差する領域に光硬化性樹脂材を設ける工程と、前記
光硬化性樹脂材上に透明板を載置する工程と、前記透明
板を介して前記光硬化性樹脂材に光を照射して前記光硬
化性樹脂材を硬化させる工程と、を有することを特徴と
する光半導体モジュールの製造方法。 - 【請求項６】 前記光硬化性樹脂材の線膨張係数と前記
ケースの線膨張係数との差が１×１０-5／℃未満である
ことを特徴とする請求項５に記載の光半導体モジュール
の製造方法。 - 【請求項７】 前記透明板の光透過率は９８％以上であ
ることを特徴とする請求項５又は６に記載の光半導体モ
ジュールの製造法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09574599A JP3459787B2 (ja) | 1999-04-02 | 1999-04-02 | 光半導体モジュール及びその製造方法 |
| US09/538,906 US6485197B1 (en) | 1999-02-04 | 2000-03-30 | Optical semiconductor module and process for producing the same |
| EP00106943A EP1041419A1 (en) | 1999-04-02 | 2000-03-31 | Optical semiconductor module with fiber connection and its assembly process |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09574599A JP3459787B2 (ja) | 1999-04-02 | 1999-04-02 | 光半導体モジュール及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000294835A true JP2000294835A (ja) | 2000-10-20 |
| JP3459787B2 JP3459787B2 (ja) | 2003-10-27 |
Family
ID=14146041
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09574599A Expired - Fee Related JP3459787B2 (ja) | 1999-02-04 | 1999-04-02 | 光半導体モジュール及びその製造方法 |
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|---|---|
| US (1) | US6485197B1 (ja) |
| EP (1) | EP1041419A1 (ja) |
| JP (1) | JP3459787B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002357743A (ja) * | 2001-06-01 | 2002-12-13 | Mitsubishi Electric Corp | 光モジュールパッケージおよびその製造方法 |
| JP2003066290A (ja) * | 2001-08-29 | 2003-03-05 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光通信モジュール |
| JP2003069054A (ja) * | 2001-08-29 | 2003-03-07 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光通信モジュール |
| JP2003295007A (ja) * | 2002-04-05 | 2003-10-15 | Hitachi Cable Ltd | 多チャンネル光トランシーバ |
| WO2011105078A1 (ja) * | 2010-02-23 | 2011-09-01 | パナソニック電工株式会社 | 光モジュール |
| JP2013530428A (ja) * | 2010-07-02 | 2013-07-25 | アルカテル−ルーセント | 光電子素子に結合された光ファイバを位置合わせして固定する方法 |
| JP2015169794A (ja) * | 2014-03-07 | 2015-09-28 | 富士通オプティカルコンポーネンツ株式会社 | 光モジュール及び光変調装置 |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW527676B (en) * | 2001-01-19 | 2003-04-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Photo-semiconductor module and method for manufacturing |
| WO2002089274A1 (fr) * | 2001-04-25 | 2002-11-07 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Dispositif de communication optique |
| US7494286B2 (en) | 2002-11-12 | 2009-02-24 | Panasonic Corporation | Laser module and method for manufacturing the same |
| JP4134695B2 (ja) * | 2002-11-21 | 2008-08-20 | 住友電気工業株式会社 | 光モジュール |
| US6856717B2 (en) * | 2003-03-24 | 2005-02-15 | Hymite A/S | Package with a light emitting device |
| US8545111B2 (en) * | 2007-06-28 | 2013-10-01 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Optical module |
| JP2014077915A (ja) * | 2012-10-11 | 2014-05-01 | Rohm Co Ltd | 光通信モジュールおよびその製造方法 |
| JP2014077914A (ja) * | 2012-10-11 | 2014-05-01 | Rohm Co Ltd | 光通信モジュールおよびその製造方法 |
| WO2019207744A1 (ja) * | 2018-04-26 | 2019-10-31 | オリンパス株式会社 | 内視鏡用光モジュール、内視鏡、および内視鏡用光モジュールの製造方法 |
| CN111352192B (zh) * | 2018-12-20 | 2021-08-10 | 青岛海信宽带多媒体技术有限公司 | 一种光模块 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61290413A (ja) | 1985-06-19 | 1986-12-20 | Hitachi Ltd | 光フアイバ伝送モジユ−ル |
| US5048912A (en) | 1988-03-09 | 1991-09-17 | Fujitsu Limited | Optical fiber switching with spherical lens and method of making same |
| US4969702A (en) | 1989-05-22 | 1990-11-13 | Tektronix, Inc. | Laser pigtail assembly and method of manufacture |
| DE69424979T2 (de) | 1993-04-02 | 2000-11-02 | Furukawa Electric Co Ltd | Endstück einer optischen faser, verfahren zu seiner herstellung und struktur zum verbinden des endstücks mit einer optischen vorrichtung |
| EP0645805B1 (en) * | 1993-09-29 | 2000-11-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for mounting a semiconductor device on a circuit board, and a circuit board with a semiconductor device mounted thereon |
| JP3345518B2 (ja) | 1994-09-28 | 2002-11-18 | 株式会社東芝 | 光半導体モジュールの製造方法 |
| JPH08335744A (ja) | 1995-06-06 | 1996-12-17 | Hitachi Ltd | 光半導体モジュール及びその組み立て方法 |
| JPH0969585A (ja) | 1995-08-31 | 1997-03-11 | Mitsubishi Electric Corp | 電子部品搭載装置およびその気密封止方法 |
| CN1139821C (zh) * | 1995-10-16 | 2004-02-25 | 住友电气工业株式会社 | 光纤衍射光栅 |
| JPH09148592A (ja) | 1995-11-21 | 1997-06-06 | Hitachi Ltd | 光通信用モジュール及びその製造方法 |
| JP2943760B2 (ja) | 1997-04-18 | 1999-08-30 | 日本電気株式会社 | 光ファイバ導入部の気密封止方法及び気密封止構造 |
| JPH1131751A (ja) * | 1997-07-10 | 1999-02-02 | Sony Corp | 中空パッケージとその製造方法 |
| US6130444A (en) * | 1998-02-27 | 2000-10-10 | Nec Corporation | Optical fiber secured with a photosetting resin covered with a UV light-transmissive plate |
-
1999
- 1999-04-02 JP JP09574599A patent/JP3459787B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-03-30 US US09/538,906 patent/US6485197B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2000-03-31 EP EP00106943A patent/EP1041419A1/en not_active Withdrawn
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002357743A (ja) * | 2001-06-01 | 2002-12-13 | Mitsubishi Electric Corp | 光モジュールパッケージおよびその製造方法 |
| JP4583662B2 (ja) * | 2001-06-01 | 2010-11-17 | 三菱電機株式会社 | 光モジュールパッケージおよびその製造方法 |
| JP2003066290A (ja) * | 2001-08-29 | 2003-03-05 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光通信モジュール |
| JP2003069054A (ja) * | 2001-08-29 | 2003-03-07 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光通信モジュール |
| JP2003295007A (ja) * | 2002-04-05 | 2003-10-15 | Hitachi Cable Ltd | 多チャンネル光トランシーバ |
| WO2011105078A1 (ja) * | 2010-02-23 | 2011-09-01 | パナソニック電工株式会社 | 光モジュール |
| US8768122B2 (en) | 2010-02-23 | 2014-07-01 | Panasonic Corporation | Optical module |
| JP5690324B2 (ja) * | 2010-02-23 | 2015-03-25 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 光モジュール |
| JP2013530428A (ja) * | 2010-07-02 | 2013-07-25 | アルカテル−ルーセント | 光電子素子に結合された光ファイバを位置合わせして固定する方法 |
| JP2015169794A (ja) * | 2014-03-07 | 2015-09-28 | 富士通オプティカルコンポーネンツ株式会社 | 光モジュール及び光変調装置 |
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