JP2003295007A - 多チャンネル光トランシーバ - Google Patents
多チャンネル光トランシーバInfo
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- JP2003295007A JP2003295007A JP2002104176A JP2002104176A JP2003295007A JP 2003295007 A JP2003295007 A JP 2003295007A JP 2002104176 A JP2002104176 A JP 2002104176A JP 2002104176 A JP2002104176 A JP 2002104176A JP 2003295007 A JP2003295007 A JP 2003295007A
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- optical fiber
- fiber
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- Mechanical Coupling Of Light Guides (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 製造コストを抑えた多チャンネル光トランシ
ーバを提供する。 【解決手段】 ピッチ変換部２１の金属製のカバー２２
を金属製のケース８に溶接することでその分の固定作業
が短時間で行うことができる。また、カバー２２が突起
部２４を有する場合には、ケース８にカバー２２が固定
されるときに各光ファイバ素線６が突起部２４で各Ｖ溝
１１に押さえつけられるので、光ファイバ素線６を樹脂
で固定する必要がなくなり、その分の固定作業が短時間
で行うことができる。突起部２４とカバー本体２２ｅと
の間にバネ部２５を有することにより、光ファイバ素線
６に過剰な応力がかかることが無く、Ｖ溝１１に適度な
圧力で抑えられ、光ファイバ素線６の位置ずれや破断が
防止される。
ーバを提供する。 【解決手段】 ピッチ変換部２１の金属製のカバー２２
を金属製のケース８に溶接することでその分の固定作業
が短時間で行うことができる。また、カバー２２が突起
部２４を有する場合には、ケース８にカバー２２が固定
されるときに各光ファイバ素線６が突起部２４で各Ｖ溝
１１に押さえつけられるので、光ファイバ素線６を樹脂
で固定する必要がなくなり、その分の固定作業が短時間
で行うことができる。突起部２４とカバー本体２２ｅと
の間にバネ部２５を有することにより、光ファイバ素線
６に過剰な応力がかかることが無く、Ｖ溝１１に適度な
圧力で抑えられ、光ファイバ素線６の位置ずれや破断が
防止される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、多チャンネル光ト
ランシーバに関する。
ランシーバに関する。
【０００２】
【従来の技術】多チャンネル光トランシーバは、外部か
ら入力した電気信号を発光素子で光信号に変換して光フ
ァイバを介して外部に出力する送信部や、光信号を光フ
ァイバを介して受光素子で受信し、電気信号に変換して
増幅し、外部に出力する受信部を１モジュールで複数有
する光モジュールの一種である。
ら入力した電気信号を発光素子で光信号に変換して光フ
ァイバを介して外部に出力する送信部や、光信号を光フ
ァイバを介して受光素子で受信し、電気信号に変換して
増幅し、外部に出力する受信部を１モジュールで複数有
する光モジュールの一種である。
【０００３】従来、多チャンネル光トランシーバは、多
芯テープファイバのピッチと等しいピッチを有する光素
子アレイが用いられていた。この多チャンネル光トラン
シーバの構造は、多芯テープファイバの光ファイバ素線
のピッチと光素子のピッチとが等しくなっている。この
ため、テープファイバの被覆を除去し、単心光ファイバ
の端面をカットした状態を光素子に並べれば光結合が得
られ、製造作業が容易であり、作業性に優れている。
芯テープファイバのピッチと等しいピッチを有する光素
子アレイが用いられていた。この多チャンネル光トラン
シーバの構造は、多芯テープファイバの光ファイバ素線
のピッチと光素子のピッチとが等しくなっている。この
ため、テープファイバの被覆を除去し、単心光ファイバ
の端面をカットした状態を光素子に並べれば光結合が得
られ、製造作業が容易であり、作業性に優れている。
【０００４】しかし、光素子アレイは各チャンネル間の
電気的アイソレーションが小さく、各チャンネル間にク
ロストークが起こるため、高速信号処理が困難である。
また、光素子アレイを用いずに、単体の光素子を並べた
構造を有する多チャンネル光トランシーバは、光素子ア
レイを用いた構造に比べて光素子間が電気的に独立して
いるため、アイソレーションが大きく、より高速な信号
処理が可能である。
電気的アイソレーションが小さく、各チャンネル間にク
ロストークが起こるため、高速信号処理が困難である。
また、光素子アレイを用いずに、単体の光素子を並べた
構造を有する多チャンネル光トランシーバは、光素子ア
レイを用いた構造に比べて光素子間が電気的に独立して
いるため、アイソレーションが大きく、より高速な信号
処理が可能である。
【０００５】また、一般のテープファイバの光ファイバ
素線のピッチが約２５０μｍであるのに対し、光素子の
大きさが約３００μｍと大きいため、光素子と集積回路
との接続を考慮すると、光素子を約４００μｍ以上の間
隔で配置する必要があった。
素線のピッチが約２５０μｍであるのに対し、光素子の
大きさが約３００μｍと大きいため、光素子と集積回路
との接続を考慮すると、光素子を約４００μｍ以上の間
隔で配置する必要があった。
【０００６】さらに、各チャンネルで光ファイバ端面が
光素子に臨むようにするためには、テープファイバを各
光ファイバ素線に分岐し、分岐した光ファイバ素線を４
００μｍ間隔で保持する必要があった。
光素子に臨むようにするためには、テープファイバを各
光ファイバ素線に分岐し、分岐した光ファイバ素線を４
００μｍ間隔で保持する必要があった。
【０００７】そこで、従来は、光素子のピッチに合わせ
た溝を有するピッチ変換部を作製し、多芯テープファイ
バから分岐した単心光ファイバをピッチ変換部に固定
し、被覆を除去し、ファイバカットした後、光素子と光
ファイバ素線とが光結合するようにピッチ変換部ごとケ
ースに固定する方法、若しくはテープファイバから分岐
した単心光ファイバを光素子の配列のピッチに整列した
状態で樹脂モールドし、被覆を除去し、ファイバカット
した後、光素子と光ファイバ素線とが光結合するように
モールドしたピッチ変換部ごとケースに樹脂で固定する
方法をとっていた。
た溝を有するピッチ変換部を作製し、多芯テープファイ
バから分岐した単心光ファイバをピッチ変換部に固定
し、被覆を除去し、ファイバカットした後、光素子と光
ファイバ素線とが光結合するようにピッチ変換部ごとケ
ースに固定する方法、若しくはテープファイバから分岐
した単心光ファイバを光素子の配列のピッチに整列した
状態で樹脂モールドし、被覆を除去し、ファイバカット
した後、光素子と光ファイバ素線とが光結合するように
モールドしたピッチ変換部ごとケースに樹脂で固定する
方法をとっていた。
【０００８】図３（ａ）は従来の多チャンネル光トラン
シーバの外観斜視図であり、図３（ｂ）は図３（ａ）に
示した多チャンネル光トランシーバの光素子搭載基板周
辺の拡大図である。
シーバの外観斜視図であり、図３（ｂ）は図３（ａ）に
示した多チャンネル光トランシーバの光素子搭載基板周
辺の拡大図である。
【０００９】この多チャンネル光トランシーバ１は、主
に光素子搭載基板２と、集積回路３と、電気回路基板４
と、多芯テープファイバ５を単心光ファイバ６ａに分岐
した状態で樹脂モールドしたピッチ変換部７と、ケース
８とで構成されている。ピッチ変換部７は加熱硬化型樹
脂９でケース８に固定されている。
に光素子搭載基板２と、集積回路３と、電気回路基板４
と、多芯テープファイバ５を単心光ファイバ６ａに分岐
した状態で樹脂モールドしたピッチ変換部７と、ケース
８とで構成されている。ピッチ変換部７は加熱硬化型樹
脂９でケース８に固定されている。
【００１０】光素子搭載基板２には、複数の光素子１０
が搭載されており、各光素子１０に対応してファイバ位
置決め用のＶ溝１１がそれぞれ形成されている。各Ｖ溝
１１には光ファイバ素線６が配列されガラス板１２で押
さえつけられると共に紫外線硬化型樹脂１３で固定され
ている。
が搭載されており、各光素子１０に対応してファイバ位
置決め用のＶ溝１１がそれぞれ形成されている。各Ｖ溝
１１には光ファイバ素線６が配列されガラス板１２で押
さえつけられると共に紫外線硬化型樹脂１３で固定され
ている。
【００１１】次に図３（ａ）、（ｂ）に示した多チャン
ネル光トランシーバの製造方法について説明する。
ネル光トランシーバの製造方法について説明する。
【００１２】図４〜図７は図３（ａ）、（ｂ）に示した
多チャンネル光トランシーバの製造方法を説明するため
の説明図である。
多チャンネル光トランシーバの製造方法を説明するため
の説明図である。
【００１３】多芯テープファイバ５を途中で各単心光フ
ァイバ６ａに分岐し、光素子搭載基板２に搭載された光
素子１０と同一の間隔で形成された溝１４を有するピッ
チ変換部樹脂固定用金型１５に、溝１４に単心光ファイ
バ６ａが沿うように挿入する。樹脂注入用の貫通孔１６
が形成された蓋１７を、ピッチ変換部樹脂固定用金型１
５に固定する（図４）。
ァイバ６ａに分岐し、光素子搭載基板２に搭載された光
素子１０と同一の間隔で形成された溝１４を有するピッ
チ変換部樹脂固定用金型１５に、溝１４に単心光ファイ
バ６ａが沿うように挿入する。樹脂注入用の貫通孔１６
が形成された蓋１７を、ピッチ変換部樹脂固定用金型１
５に固定する（図４）。
【００１４】蓋１７の貫通孔１６より、溶融したモール
ド用樹脂１８を注入する（図５）。
ド用樹脂１８を注入する（図５）。
【００１５】冷却硬化により、ピッチ変換部７を作製す
る（図６）。
る（図６）。
【００１６】ピッチ変換部７のピッチ変換された単心光
ファイバ６ａを被覆除去し、光ファイバ素線６の端面が
一直線状に並ぶようにファイバカットする（図７）。
ファイバ６ａを被覆除去し、光ファイバ素線６の端面が
一直線状に並ぶようにファイバカットする（図７）。
【００１７】ケース８に光素子搭載基板２、集積回路
３、電気回路基板４を固定する。光ファイバ素線６の端
面が各チャンネルの光素子１０に臨むように、光素子搭
載基板２に形成されたＶ溝１１に沿わせる。各チャンネ
ルで光ファイバ素線６の端面と光素子１０との間の距離
が約３０μｍになるように位置合わせする。単心光ファ
イバ６を固定するには、ガラス板１２で光ファイバ素線
６をＶ溝１１に押しつけて紫外線硬化型樹脂１３で固定
する。その後、ピッチ変換部７をケース８に加熱硬化型
樹脂９で固定することにより多チャンネル光トランシー
バが得られる（図３（ａ））。
３、電気回路基板４を固定する。光ファイバ素線６の端
面が各チャンネルの光素子１０に臨むように、光素子搭
載基板２に形成されたＶ溝１１に沿わせる。各チャンネ
ルで光ファイバ素線６の端面と光素子１０との間の距離
が約３０μｍになるように位置合わせする。単心光ファ
イバ６を固定するには、ガラス板１２で光ファイバ素線
６をＶ溝１１に押しつけて紫外線硬化型樹脂１３で固定
する。その後、ピッチ変換部７をケース８に加熱硬化型
樹脂９で固定することにより多チャンネル光トランシー
バが得られる（図３（ａ））。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来技術では、光ファイバ素線を光素子搭載基板に固
定する作業と、ピッチ変換部をケースに固定する作業と
があり、それぞれ樹脂固定するという方法をとっていた
ため、樹脂を硬化させるための時間を必要とし、製造コ
ストが高くなるという問題があった。
た従来技術では、光ファイバ素線を光素子搭載基板に固
定する作業と、ピッチ変換部をケースに固定する作業と
があり、それぞれ樹脂固定するという方法をとっていた
ため、樹脂を硬化させるための時間を必要とし、製造コ
ストが高くなるという問題があった。
【００１９】そこで、本発明の目的は、上記課題を解決
し、製造コストを抑えた多チャンネル光トランシーバを
提供することにある。
し、製造コストを抑えた多チャンネル光トランシーバを
提供することにある。
【００２０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に請求項１に記載の本発明は、多芯テープファイバと、
ファイバ位置決め用の複数のＶ溝が形成されると共に、
各Ｖ溝に合わせて複数の光素子が搭載された光素子搭載
基板と、多芯テープファイバを単心光ファイバに分岐し
て各単心光ファイバの光ファイバ素線をＶ溝に沿わせて
光素子とを光結合させるピッチ変換部と、多芯テープフ
ァイバ、光素子搭載基板及びピッチ変換部を搭載する金
属製のケースとを備えた多チャンネル光トランシーバに
おいて、ピッチ変換部は、ケースに溶接により固定され
る金属製のカバー内に多芯テープファイバが樹脂でモー
ルドされたものである。
に請求項１に記載の本発明は、多芯テープファイバと、
ファイバ位置決め用の複数のＶ溝が形成されると共に、
各Ｖ溝に合わせて複数の光素子が搭載された光素子搭載
基板と、多芯テープファイバを単心光ファイバに分岐し
て各単心光ファイバの光ファイバ素線をＶ溝に沿わせて
光素子とを光結合させるピッチ変換部と、多芯テープフ
ァイバ、光素子搭載基板及びピッチ変換部を搭載する金
属製のケースとを備えた多チャンネル光トランシーバに
おいて、ピッチ変換部は、ケースに溶接により固定され
る金属製のカバー内に多芯テープファイバが樹脂でモー
ルドされたものである。
【００２１】請求項２に記載の発明は、請求項１に記載
の構成に加え、カバーは、ケースに固定されるときに各
光ファイバ素線を各Ｖ溝に押さえつける突起部を有する
のが好ましい。
の構成に加え、カバーは、ケースに固定されるときに各
光ファイバ素線を各Ｖ溝に押さえつける突起部を有する
のが好ましい。
【００２２】請求項３に記載の発明は、請求項１に記載
の構成に加え、突起部とカバーのカバー本体との間にバ
ネ部を有するのが好ましい。
の構成に加え、突起部とカバーのカバー本体との間にバ
ネ部を有するのが好ましい。
【００２３】本発明によれば、ピッチ変換部の金属製の
カバーを金属製のケースに溶接することでその分の固定
作業が短時間で行うことができる。また、カバーが突起
部を有する場合には、ケースにカバーが固定されるとき
に各光ファイバ素線が突起部で各Ｖ溝に押さえつけられ
るので、光ファイバ素線を樹脂で固定する必要がなくな
り、その分の固定作業が短時間で行うことができる。突
起部とカバー本体との間にバネ部を有することにより、
光ファイバ素線に過剰な応力がかかることが無く、Ｖ溝
に適度な圧力で抑えられ、光ファイバ素線の位置ずれや
破断が防止される。
カバーを金属製のケースに溶接することでその分の固定
作業が短時間で行うことができる。また、カバーが突起
部を有する場合には、ケースにカバーが固定されるとき
に各光ファイバ素線が突起部で各Ｖ溝に押さえつけられ
るので、光ファイバ素線を樹脂で固定する必要がなくな
り、その分の固定作業が短時間で行うことができる。突
起部とカバー本体との間にバネ部を有することにより、
光ファイバ素線に過剰な応力がかかることが無く、Ｖ溝
に適度な圧力で抑えられ、光ファイバ素線の位置ずれや
破断が防止される。
【００２４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面に基づいて詳述する。
図面に基づいて詳述する。
【００２５】図１（ａ）は本発明の多チャンネル光トラ
ンシーバの一実施の形態を示す外観斜視図であり、図１
（ｂ）は図１（ａ）に示した多チャンネル光トランシー
バの１ｂ−１ｂ線断面図である。尚、図３（ａ）、
（ｂ）に示した部材と同様の部材には共通の符号を用い
た。
ンシーバの一実施の形態を示す外観斜視図であり、図１
（ｂ）は図１（ａ）に示した多チャンネル光トランシー
バの１ｂ−１ｂ線断面図である。尚、図３（ａ）、
（ｂ）に示した部材と同様の部材には共通の符号を用い
た。
【００２６】この多チャンネル光トランシーバ２０は、
多芯テープファイバ５と、ファイバ位置決め用の複数の
Ｖ溝１１が形成されると共に、各Ｖ溝１１に合わせて複
数の光素子１０が搭載された光素子搭載基板２と、多芯
テープファイバ５を単心光ファイバ６ａに分岐して各単
心光ファイバ６ａの光ファイバ素線６をＶ溝１１に沿わ
せて光素子１０とを光結合させるピッチ変換部２１と、
多芯テープファイバ５、光素子搭載基板２及びピッチ変
換部２１を搭載する金属製のケース８とを備えた多チャ
ンネル光トランシーバであって、ピッチ変換部２１は、
ケース８に例えばＹＡＧレーザ溶接（若しくは炭酸ガス
レーザ溶接、エキシマレーザ溶接）により固定される金
属製のカバー２２内に多芯テープファイバ５が樹脂２３
でモールドされたものである。
多芯テープファイバ５と、ファイバ位置決め用の複数の
Ｖ溝１１が形成されると共に、各Ｖ溝１１に合わせて複
数の光素子１０が搭載された光素子搭載基板２と、多芯
テープファイバ５を単心光ファイバ６ａに分岐して各単
心光ファイバ６ａの光ファイバ素線６をＶ溝１１に沿わ
せて光素子１０とを光結合させるピッチ変換部２１と、
多芯テープファイバ５、光素子搭載基板２及びピッチ変
換部２１を搭載する金属製のケース８とを備えた多チャ
ンネル光トランシーバであって、ピッチ変換部２１は、
ケース８に例えばＹＡＧレーザ溶接（若しくは炭酸ガス
レーザ溶接、エキシマレーザ溶接）により固定される金
属製のカバー２２内に多芯テープファイバ５が樹脂２３
でモールドされたものである。
【００２７】ピッチ変換部２１のカバー２２は、天板２
２ａと、一辺が天板２２ａの対向する２つの辺に接続さ
れた側板２２ｂ、２２ｃと、天板２２ａと側板２２ｂ、
２２ｃとの間に接続され単心光ファイバ６ａが貫通でき
る溝２２ｃが形成された側板２２ｄとを有する略箱形の
カバー本体２２ｅと、Ｖ溝１１に挿入された光ファイバ
素線６を抑えるための突起部２４と、カバー本体２２ｅ
と突起部２４との間を連結する板バネ状のバネ部２５と
が一体的に構成されたものである。尚、２６は後述する
モールド用樹脂注入用の貫通孔である。
２ａと、一辺が天板２２ａの対向する２つの辺に接続さ
れた側板２２ｂ、２２ｃと、天板２２ａと側板２２ｂ、
２２ｃとの間に接続され単心光ファイバ６ａが貫通でき
る溝２２ｃが形成された側板２２ｄとを有する略箱形の
カバー本体２２ｅと、Ｖ溝１１に挿入された光ファイバ
素線６を抑えるための突起部２４と、カバー本体２２ｅ
と突起部２４との間を連結する板バネ状のバネ部２５と
が一体的に構成されたものである。尚、２６は後述する
モールド用樹脂注入用の貫通孔である。
【００２８】次に図１（ａ）、（ｂ）に示した多チャン
ネル光トランシーバ２０の製造方法について説明する。
ネル光トランシーバ２０の製造方法について説明する。
【００２９】図２は図１（ａ）、（ｂ）に示した多チャ
ンネル光トランシーバの製造方法を説明するための説明
図である。
ンネル光トランシーバの製造方法を説明するための説明
図である。
【００３０】多芯テープファイバ５を途中で各単心光フ
ァイバ６ａに分岐し、先端部を被覆除去して光ファイバ
素線６を露出させる。光素子搭載基板２に搭載された光
素子１０の配置間隔と同じ間隔に形成された溝２７を有
するピッチ変換部用金型２８に、溝２７に対して単心光
ファイバ６ａが沿うように挿入し、その単心光ファイバ
６ａの上にカバー２２を配置する。貫通孔２６、２９同
士が合うように蓋３０をピッチ変換部用金型２８に固定
する。蓋３０の貫通孔２９より、溶融したモールド用樹
脂３１を注入し、冷却硬化によりピッチ変換部２１が得
られる（図２）。
ァイバ６ａに分岐し、先端部を被覆除去して光ファイバ
素線６を露出させる。光素子搭載基板２に搭載された光
素子１０の配置間隔と同じ間隔に形成された溝２７を有
するピッチ変換部用金型２８に、溝２７に対して単心光
ファイバ６ａが沿うように挿入し、その単心光ファイバ
６ａの上にカバー２２を配置する。貫通孔２６、２９同
士が合うように蓋３０をピッチ変換部用金型２８に固定
する。蓋３０の貫通孔２９より、溶融したモールド用樹
脂３１を注入し、冷却硬化によりピッチ変換部２１が得
られる（図２）。
【００３１】ピッチ変換部２１のピッチ変換した単心光
ファイバ６ａを、光ファイバ素線６の端面が一直線に並
ぶようにファイバカットする。ケース８に光素子搭載基
板２、集積回路３、電気回路基板４を固定する。光ファ
イバ素線６の端面が各チャンネルの光素子１０に臨むよ
うに、光素子搭載基板２に形成されたＶ溝１１に光ファ
イバ素線６を沿わせる。このとき、ピッチ変換部２１の
突起部２４で光ファイバ素線６をＶ溝１１に抑え付け
る。突起部２４はバネ部２５でカバー本体２２ｅに連結
されているので、光ファイバ素線６に過剰な応力がかか
らないようにその厚さが設定されている。各チャンネル
で光ファイバ素線６の端面と光素子１０との間の間隔が
約３０μｍになるように位置合わせする。その後、ピッ
チ変換部２１のカバー２２とケース８とをＹＡＧ溶接で
固定することにより、図１（ａ）に示す多チャンネル光
トランシーバ２０が得られる。
ファイバ６ａを、光ファイバ素線６の端面が一直線に並
ぶようにファイバカットする。ケース８に光素子搭載基
板２、集積回路３、電気回路基板４を固定する。光ファ
イバ素線６の端面が各チャンネルの光素子１０に臨むよ
うに、光素子搭載基板２に形成されたＶ溝１１に光ファ
イバ素線６を沿わせる。このとき、ピッチ変換部２１の
突起部２４で光ファイバ素線６をＶ溝１１に抑え付け
る。突起部２４はバネ部２５でカバー本体２２ｅに連結
されているので、光ファイバ素線６に過剰な応力がかか
らないようにその厚さが設定されている。各チャンネル
で光ファイバ素線６の端面と光素子１０との間の間隔が
約３０μｍになるように位置合わせする。その後、ピッ
チ変換部２１のカバー２２とケース８とをＹＡＧ溶接で
固定することにより、図１（ａ）に示す多チャンネル光
トランシーバ２０が得られる。
【００３２】
【発明の効果】以上要するに本発明によれば、製造コス
トを抑えた多チャンネル光トランシーバの提供を実現す
ることができる。
トを抑えた多チャンネル光トランシーバの提供を実現す
ることができる。
【図１】（ａ）は本発明の多チャンネル光トランシーバ
の一実施の形態を示す外観斜視図であり、（ｂ）は
（ａ）に示した多チャンネル光トランシーバの１ｂ−１
ｂ線断面図である。
の一実施の形態を示す外観斜視図であり、（ｂ）は
（ａ）に示した多チャンネル光トランシーバの１ｂ−１
ｂ線断面図である。
【図２】図１（ａ）、（ｂ）に示した多チャンネル光ト
ランシーバの製造方法を説明するための説明図である。
ランシーバの製造方法を説明するための説明図である。
【図３】（ａ）は従来の多チャンネル光トランシーバの
外観斜視図であり、（ｂ）は（ａ）に示した多チャンネ
ル光トランシーバの光素子搭載基板周辺の拡大図であ
る。
外観斜視図であり、（ｂ）は（ａ）に示した多チャンネ
ル光トランシーバの光素子搭載基板周辺の拡大図であ
る。
【図４】図３（ａ）、（ｂ）に示した多チャンネル光ト
ランシーバの製造方法を説明するための説明図である。
ランシーバの製造方法を説明するための説明図である。
【図５】図３（ａ）、（ｂ）に示した多チャンネル光ト
ランシーバの製造方法を説明するための説明図である。
ランシーバの製造方法を説明するための説明図である。
【図６】図３（ａ）、（ｂ）に示した多チャンネル光ト
ランシーバの製造方法を説明するための説明図である。
ランシーバの製造方法を説明するための説明図である。
【図７】図３（ａ）、（ｂ）に示した多チャンネル光ト
ランシーバの製造方法を説明するための説明図である。
ランシーバの製造方法を説明するための説明図である。
２ 光素子搭載基板
３ 集積回路
４ 電気回路基板
５ 多芯テープファイバ
６ 光ファイバ素線
６ａ 単心光ファイバ
８ ケース
１０ 光素子
２０ 多チャンネル光トランシーバ
２１ ピッチ変換部
２２ カバー
２３ 樹脂
２４ 突起部
２５ バネ部
２６ 貫通孔
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 2H036 JA02 LA03 LA07 LA08
2H037 AA01 BA02 BA11 DA03 DA04
DA06 DA12 DA17
Claims (3)
- 【請求項１】 多芯テープファイバと、ファイバ位置決
め用の複数のＶ溝が形成されると共に、各Ｖ溝に合わせ
て複数の光素子が搭載された光素子搭載基板と、上記多
芯テープファイバを単心光ファイバに分岐して各単心光
ファイバの光ファイバ素線を上記Ｖ溝に沿わせて上記光
素子とを光結合させるピッチ変換部と、上記多芯テープ
ファイバ、上記光素子搭載基板及び該ピッチ変換部を搭
載する金属製のケースとを備えた多チャンネル光トラン
シーバにおいて、上記ピッチ変換部は、上記ケースに溶
接により固定される金属製のカバー内に上記多芯テープ
ファイバが樹脂でモールドされたものであることを特徴
とする多チャンネル光トランシーバ。 - 【請求項２】 上記カバーは、上記ケースに固定される
ときに各光ファイバ素線を各Ｖ溝に押さえつける突起部
を有する請求項１に記載の多チャンネル光トランシー
バ。 - 【請求項３】 上記突起部と上記カバーのカバー本体と
の間にバネ部を有する請求項２に記載の多チャンネル光
トランシーバ。
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2002
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