JP2000266816A - 半導体装置の試験方法 - Google Patents

半導体装置の試験方法

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JP2000266816A
JP2000266816A JP11071066A JP7106699A JP2000266816A JP 2000266816 A JP2000266816 A JP 2000266816A JP 11071066 A JP11071066 A JP 11071066A JP 7106699 A JP7106699 A JP 7106699A JP 2000266816 A JP2000266816 A JP 2000266816A
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JP
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test
semiconductor device
test pattern
output
program
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JP11071066A
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Shunichi Seya
俊一 瀬谷
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NEC Corp
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NEC Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 テストパターン等を発生させる機能を有しな
い簡単な試験装置で容易に特性評価を行うことができ、
しかも短時間かつ容易に不良箇所の解析を行うことので
きる半導体装置の試験方法を提供する。 【解決手段】 演算処理手段及び記憶手段4を内蔵した
半導体装置1の内部回路3の特性評価を、演算処理手段
により記憶手段4に格納されたプログラム6〜8を起動
させて行う半導体装置1の試験方法であって、外部から
信号が入力された場合に、演算処理手段によりプログラ
ム6〜8を起動させてテストパターンPを発生させ、こ
のテストパターンPにより得られた内部回路3の測定デ
ータDに基づき特性の評価を行い、この評価結果を一時
格納するとともに外部へモニター出力Mすることを特徴
としている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の試験
方法に関し、特に、半導体装置が自らテストパターンを
発生させて内部回路の特性評価を行う半導体装置の試験
方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、半導体装置の試験方法の1つにモ
ニターバーインテストがある。このモニターバーインテ
ストは、外部からの信号入力に伴い、被テストサンプル
である半導体装置が自らテストパターンを発生させて内
部回路のテストを行うことにより、得られたテスト結果
を常時外部でモニターしながらバーインテストをするも
のである。
【0003】このモニターバーインテストは、テストパ
ターン発生処理プログラムと測定結果出力プログラムで
構成され、テストパターンの発生により得られた測定結
果をテスト毎に出力している。このモニターバーインテ
ストは、外部でモニター出来る端子の数に制限があるた
めに、1度に多数のサンプルをテストしようとするとさ
らに厳しくなり、モニター端子の数は、サンプル1つに
対し1端子または2端子になる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来のモニ
ターバーインテストでは、テストパターンの発生により
得られた測定結果をテスト毎に出力しているので、全体
のテストに要する時間が掛かり過ぎるという問題点があ
った。その理由は、測定結果を出力するために何度も出
力プログラムの実行を行うが、出力は外部装置とのタイ
ミングを取り確実に受信してもらうためにマージンを持
たせなければならないからである。
【0005】また、このモニターバーインテストにおけ
る問題点を解決するために、測定データ圧縮装置を追加
した構成のものもある。この構成では、測定結果データ
を圧縮装置で圧縮するために、テスト毎に測定結果を出
力する必要がなくなり、全体のテスト時間も短縮され
る。しかしながら、この方法では、出力されたデータが
圧縮されたデータであるために、不良判定した箇所を特
定することが難しいという問題点がある。
【0006】本発明は、上記の事情に鑑みてなされたも
のであって、テストパターン等を発生させる機能を有し
ない簡単な試験装置で容易に特性評価を行うことがで
き、しかも短時間かつ容易に不良箇所の解析を行うこと
のできる半導体装置の試験方法を提供することを目的と
する。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は次の様な半導体装置の試験方法を提供し
た。すなわち、請求項1記載の半導体装置の試験方法
は、演算処理手段及び記憶手段を内蔵した半導体装置の
内部回路の特性評価を、前記演算処理手段により前記記
憶手段に格納されたプログラムを起動させて行う半導体
装置の試験方法であって、外部から信号が入力された場
合に、前記演算処理手段により前記プログラムを起動さ
せてテストパターンを発生させ、このテストパターンに
より得られた前記内部回路の測定データに基づき特性の
評価を行い、この評価結果を一時格納するとともに外部
へ出力することを特徴としている。
【0008】請求項2記載の半導体装置の試験方法は、
請求項1記載の半導体装置の試験方法において、前記テ
ストパターンを複数の異なるテストパターンとし、これ
らのテストパターンを順次発生させて各テストパターン
による特性の評価を行い、これらの評価結果を一時格納
するとともに外部へ出力することを特徴としている。
【0009】請求項3記載の半導体装置の試験方法は、
請求項1または2記載の半導体装置の試験方法におい
て、前記プログラムは、テストパターン発生処理プログ
ラム及び測定データ判定プログラムを備えてなることを
特徴としている。
【0010】
【発明の実施の形態】本発明の半導体装置の試験方法の
一実施形態について図面に基づき説明する。図1は本発
明の一実施形態の半導体装置におけるモニターバーイン
テストの処理の流れを示す説明図、図2は半導体装置の
内部構成を示すブロック図であり、図において、1はモ
ニターバーインテストの対象となる半導体装置(以下、
被テストサンプルと称する)、2は被テストサンプル1
から出力される判定結果を受信し表示するテスタであ
る。
【0011】この被テストサンプル1は、テストの対象
となる内部回路(以下、被テスト回路と称する)3の他
に、メモリ(記憶手段)4、良・不良の判定結果を一時
格納する良・不良判定結果格納装置5及び図示しないC
PU(演算処理手段)を備えている。このメモリ4に
は、外部からの入力信号に伴い前記CPUにより起動さ
れてテストパターンPを発生させるテストパターン発生
処理プログラム6、テストパターンPにより得られた測
定データDの良・不良判定を行う測定結果良・不良判定
プログラム(測定データ判定プログラム)7及び外部へ
モニター出力Mを行う良・不良判定結果出力プログラム
8が格納されている。
【0012】次に、この被テストサンプル1のモニター
バーインテストについて図2及び図3に基づき説明す
る。まず、良・不良判定結果格納装置5の初期化を行な
い、良品判定を表すデータを判定結果を格納する良・不
良判定結果格納装置5に書き込む(ステップS1)。
例えば、良・不良判定結果格納装置5のデータ幅を1バ
イトと設定するとともに、良品を表すデータとして00
Hを設定し、この「00H」を良・不良判定結果格納装
置5に書き込む。
【0013】次いで、テストパターン発生処理プログラ
ム6により「テストパターン1」を発生させ、この「テ
ストパターン1」により被テスト回路3のテストを行
い、測定データDを得る(ステップS2)。次いで、判
定結果良・不良判定プログラム7により、得られた測定
データDを被テストサンプル1のメモリ4にあらかじめ
格納してある期待値と比較し、測定データDの良・不良
判定を行う(ステップS3)。測定データDはテストパ
ターンPにより被テスト回路3を動作することで得られ
るので、この測定データDが期待値と異なる場合には、
被テスト回路3に故障があると判断する。
【0014】ここで、被テスト回路3が不良と判定され
た場合、実行したテストパターン固有のナンバーを良・
不良判定結果格納装置5に上書きする(ステップS
4)。例えば「テストパターン1」を「テストNO.0
1」とし、固有値「01H」を持つものとする。そし
て、この「テストパターン1」により被テスト回路3の
テストで得られる測定データDの期待値を「55H」と
する。実際に「テストパターン1」で被テスト回路3の
テストを行い、得られた測定データDが「55H」であ
れば期待値と一致するので「良」と判定し、測定データ
Dが「55H」以外、例えば「54H」等であれば期待
値とは一致しないので「不良」と判定する。
【0015】「不良」と判定された場合、「テストパタ
ーン1」の固有値「01H」を良・不良判定結果格納装
置5に上書きする。また、「良」と判定された場合は、
ステップS4の処理は行われずに次のステップS5に進
むことになり、良・不良判定結果格納装置5には「00
H」が残ることになる。以下、テストパターン発生処理
プログラム6による「テストパターン2」の発生及び測
定(ステップS5)〜測定データの良・不良判定、良・
不良判定結果格納装置5への上書き、を繰り返し行う。
【0016】何度か繰り返した後、良・不良判定結果出
力プログラム8によって、外部に接続されたテスタ2に
良・不良判定結果をモニター出力Mする(ステップS
E)。例えば「テストパターン2」を固有値「02
H」、「テストパターン3」を「03H」、…「テスト
パターン255」を「FFH」とすれば、ステップSE
の良・不良判定結果出力で「00H」が出力されれば、
この被テストサンプル1は「良」、また、「00H」以
外の「01H」や「FFH」等が出力されれば「不良」
と、テスタ2にて判定することができる。
【0017】また、「不良」の判定だけでなく、良・不
良判定結果出力で「01H」が出力された場合は「テス
トパターン1」のテストで、また「FFH」が出力され
た場合は「テストパターン255」のテストで、不良と
判定されたことがわかり、どこの回路が不良であるかを
容易に特定することができる。さらに、良・不良判定結
果出力を終了した後においても、良・不良判定結果格納
装置5を初期化し、「テストパターン256」の固有値
を「01H」、「テストパターン257」の固有値を
「02H」…として再びテストを行えば、テストパター
ンの数が増えても容易に対応することができる。なお、
テストパターンの数の増加への対応は、良・不良判定結
果格納装置5のデータ幅を変えることによっても行うこ
とができる。
【0018】次に、このモニターバーインテストを適用
した一例として、8ビットのポートの入出力のテストパ
ターンを発生させた場合について図4に基づき説明す
る。まず、この被テストサンプル11に格納されたテス
トパターン発生処理プログラム12(固有値01H)に
より被テスト回路であるポートX13から「00H」を
出力させる。これに対し、被テストサンプル11の外部
に接続されたもう1つの被テスト回路であるポートY1
4に入力されたデータを読み込む。
【0019】次いで、読み込まれたデータを期待値と比
較する。ここで、ポートX13とポートY14が1対1
で接続されているとすると、この場合の期待値は「00
H」ということになる。読み込まれたデータが期待値と
同じ「00H」であれば「良」と判定し、「00H」以
外であればテストパターンの発生により動作する回路、
ポートX13の出力回路、ポートY14の入力回路また
はテストパターン発生処理プログラム12を格納してい
るメモリの何れかに故障があると考えられるので「不
良」と判定し、固有値「01H」を良・不良判定結果格
納装置15(初期値00H)に書き込む。
【0020】この良・不良判定結果格納装置15に書き
込まれているデータを良・不良判定結果出力プログラム
16により出力されたデータをモニターすることで、被
テストサンプル11が「良」、「不良」のいずれである
か、不良判定したテストパターンがいずれのテストパタ
ーンであるかを判定することができる。
【0021】本実施形態のモニターバーインテストによ
れば、実際の良・不良の判定を被テストサンプル1、1
1の内部で行なうことができるので、外部のテスタ2等
はテスト1つ1つに対し期待値を持つ必要が無くなり、
外部に接続された簡単な構成のテスタ2等を用いて良・
不良の判定を容易に行うことができる。また、テストパ
ターンによる測定結果を出力するのではなく、不良と判
定されたテストのナンバーを出力するので、テストに長
時間を要することなく、不良箇所の解析を容易に行うこ
とができる。
【0022】以上、本発明の半導体装置の試験方法の一
実施形態について図面に基づき説明してきたが、具体的
な構成は本実施形態に限定されるものではなく、本発明
の要旨を逸脱しない範囲で設計の変更等が可能である。
例えば、本実施形態では、良・不良判定結果格納装置5
を被テストサンプル1の内部かつメモリ4の外部に設け
た構成としたが、メモリ4の内部に設けた構成としても
よい。
【0023】
【発明の効果】以上説明した様に、本発明の半導体装置
の試験方法によれば、実際の良・不良の判定を半導体装
置の内部で行なうことができるので、外部のテスタ等の
装置は各テストそれぞれに対し期待値を持つ必要が無く
なり、外部に接続された簡単な構成の装置等を用いて良
・不良の判定を容易に行うことができる。また、テスト
パターンによる測定結果を出力するのではなく、不良と
判定されたテストの種類を出力するので、テストに長時
間を要することなく、不良箇所の解析を容易に行うこと
ができる。
【0024】以上により、テストパターン等を発生させ
る機能を有しない簡単な試験装置で容易に特性評価を行
うことができ、しかも短時間かつ容易に不良箇所の解析
を行うことのできる半導体装置の試験方法を提供するこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の一実施形態の半導体装置におけるモ
ニターバーインテストの処理の流れを示す説明図であ
る。
【図2】 本発明の一実施形態の半導体装置の内部構成
を示すブロック図である。
【図3】 本発明の一実施形態の半導体装置のモニター
バーインテストを示す流れ図である。
【図4】 本発明の一実施形態の半導体装置のモニター
バーインテストを適用した一例である8ビットのポート
の入出力のテストパターンを発生させた場合の説明図で
ある。
【符号の説明】
1 被テストサンプル 2 テスタ 3 被テスト回路 4 メモリ 5 良・不良判定結果格納装置 6 テストパターン発生処理プログラム 7 測定結果良・不良判定プログラム(測定データ判定
プログラム) 8 良・不良判定結果出力プログラム 11 被テストサンプル 12 テストパターン発生処理プログラム 13 ポートX 14 ポートY 15 良・不良判定結果格納装置 16 良・不良判定結果出力プログラム P テストパターン D 測定データ M モニター出力

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 演算処理手段及び記憶手段を内蔵した半
    導体装置の内部回路の特性評価を、前記演算処理手段に
    より前記記憶手段に格納されたプログラムを起動させて
    行う半導体装置の試験方法であって、 外部から信号が入力された場合に、前記演算処理手段に
    より前記プログラムを起動させてテストパターンを発生
    させ、このテストパターンにより得られた前記内部回路
    の測定データに基づき特性の評価を行い、この評価結果
    を一時格納するとともに外部へ出力することを特徴とす
    る半導体装置の試験方法。
  2. 【請求項2】 前記テストパターンを複数の異なるテス
    トパターンとし、これらのテストパターンを順次発生さ
    せて各テストパターンによる特性の評価を行い、これら
    の評価結果を一時格納するとともに外部へ出力すること
    を特徴とする請求項1記載の半導体装置の試験方法。
  3. 【請求項3】 前記プログラムは、テストパターン発生
    処理プログラム及び測定データ判定プログラムを備えて
    なることを特徴とする請求項1または2記載の半導体装
    置の試験方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007072968A (ja) * 2005-09-09 2007-03-22 Ricoh Co Ltd ソフトウェア検証方法、ソフトウェア検証プログラム、及び、該プログラムが組み込まれた画像形成装置
JPWO2006080111A1 (ja) * 2005-01-27 2008-06-19 松下電器産業株式会社 半導体集積回路及びシステムlsi

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Effective date: 20021203