JP2000252593A - ２波長半導体レーザ素子及びその製造方法 - Google Patents
２波長半導体レーザ素子及びその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 波長、発光点、ビーム形状、出射パワー、縦
モード等の異なる発光特性を有する２つのレーザ光を印
加電圧の方向を切り替えることによって選択出射可能な
半導体レーザ素子を提供する。 【解決手段】 本発明による半導体レーザ素子は、少な
くともｎ型半導体層、活性層、ｐ型半導体層の順に積層
された多層構造体と、ｐ側電極及びｎ側電極と、を有す
るリッジ型構造を有する第１及び第２レーザ部を含む半
導体レーザ素子であって、前記第１レーザ部のｐ側電極
及びｎ側電極がそれぞれ前記第２レーザ部のｎ側電極及
びｐ側電極と電気的に接続されていることを特徴とす
る。
モード等の異なる発光特性を有する２つのレーザ光を印
加電圧の方向を切り替えることによって選択出射可能な
半導体レーザ素子を提供する。 【解決手段】 本発明による半導体レーザ素子は、少な
くともｎ型半導体層、活性層、ｐ型半導体層の順に積層
された多層構造体と、ｐ側電極及びｎ側電極と、を有す
るリッジ型構造を有する第１及び第２レーザ部を含む半
導体レーザ素子であって、前記第１レーザ部のｐ側電極
及びｎ側電極がそれぞれ前記第２レーザ部のｎ側電極及
びｐ側電極と電気的に接続されていることを特徴とす
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、波長、発光点、ビ
ーム形状、出射パワー、縦モード等の異なる特性を有す
る２つのレーザ光を印加電圧の方向を切り替えることに
よって選択出射可能な半導体レーザ素子に関する。
ーム形状、出射パワー、縦モード等の異なる特性を有す
る２つのレーザ光を印加電圧の方向を切り替えることに
よって選択出射可能な半導体レーザ素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体レーザ素子は、ＣＤやＤＶＤプレ
ーヤなどの光情報記録機器に広く採用されている。そし
てこの光ピックアップに用いられる半導体レーザ素子
は、光情報記録機器の情報記録密度等の違いによって異
なっている。例えばＣＤプレーヤでは波長780nmの赤外
半導体レーザ素子が、ＤＶＤプレーヤでは波長650nmの
赤色半導体レーザ素子が、また単位面積当たりの情報記
録容量を上げた改良型ＤＶＤのＨＤ−ＤＶＤプレーヤで
は波長410nmの青色半導体レーザ素子が使用されてい
る。
ーヤなどの光情報記録機器に広く採用されている。そし
てこの光ピックアップに用いられる半導体レーザ素子
は、光情報記録機器の情報記録密度等の違いによって異
なっている。例えばＣＤプレーヤでは波長780nmの赤外
半導体レーザ素子が、ＤＶＤプレーヤでは波長650nmの
赤色半導体レーザ素子が、また単位面積当たりの情報記
録容量を上げた改良型ＤＶＤのＨＤ−ＤＶＤプレーヤで
は波長410nmの青色半導体レーザ素子が使用されてい
る。
【０００３】図１に示すように、光ピックアップに用い
られている従来のリッジ型半導体レーザ素子は、例え
ば、基板101の上にｎ型半導体層102、ｎ型半導体クラッ
ド層103、活性層104、ｐ型半導体クラッド層105、ｐ型
半導体コンタクト層106を順次積層して、さらにｐ型電
極107及びｎ型電極108をｐ型半導体コンタクト層106及
びｎ型半導体層102上にそれぞれ形成した多層構造体か
らなっていた。該多層構造において、各層の材料及び厚
さ等を適宜選択することで発振するレーザ波長等の発光
特性を変化させることができる。例えば、半導体層にAl
GaAs系の材料を選択すれば780nm近傍の赤外域の波長
で、AlGaInP系であれば650nm近傍の波長で、GaN系であ
れば400nm近傍の波長で発振するのである。
られている従来のリッジ型半導体レーザ素子は、例え
ば、基板101の上にｎ型半導体層102、ｎ型半導体クラッ
ド層103、活性層104、ｐ型半導体クラッド層105、ｐ型
半導体コンタクト層106を順次積層して、さらにｐ型電
極107及びｎ型電極108をｐ型半導体コンタクト層106及
びｎ型半導体層102上にそれぞれ形成した多層構造体か
らなっていた。該多層構造において、各層の材料及び厚
さ等を適宜選択することで発振するレーザ波長等の発光
特性を変化させることができる。例えば、半導体層にAl
GaAs系の材料を選択すれば780nm近傍の赤外域の波長
で、AlGaInP系であれば650nm近傍の波長で、GaN系であ
れば400nm近傍の波長で発振するのである。
【０００４】ところで、上記したような半導体レーザ
は、あらかじめ決められた単一の波長においてのみ発振
するものである。そこで、例えば、ＣＤ及びＤＶＤディ
スクのいずれであっても再生動作可能なコンパチブルプ
レーヤにおいては、以下のような再生機構が採用されて
きた。すなわち、１）光ディスクの種類に対応した半導
体レーザ素子を有するピックアップを複数個、プレーヤ
内部に具備し、これによって再生動作を行う、２）波長
の異なる半導体レーザ素子を１つのピックアップパッケ
ージ内に複数個並べて載置し、光ディスク毎に発光させ
るレーザ素子を切り替えて再生動作を行う、といった方
法である。
は、あらかじめ決められた単一の波長においてのみ発振
するものである。そこで、例えば、ＣＤ及びＤＶＤディ
スクのいずれであっても再生動作可能なコンパチブルプ
レーヤにおいては、以下のような再生機構が採用されて
きた。すなわち、１）光ディスクの種類に対応した半導
体レーザ素子を有するピックアップを複数個、プレーヤ
内部に具備し、これによって再生動作を行う、２）波長
の異なる半導体レーザ素子を１つのピックアップパッケ
ージ内に複数個並べて載置し、光ディスク毎に発光させ
るレーザ素子を切り替えて再生動作を行う、といった方
法である。
【０００５】しかしながら、１）の方法では、ピックア
ップごとに駆動機構を設ける必要があるため、装置が大
型化し、また製造コストが上昇してしまうといった問題
があった。また、２）の方法では、ピックアップの１つ
のレンズに複数のレーザ素子からの光を結合させるため
にレーザ素子の発光スポットの間隔を非常に狭く調整し
なければならない。これには基板上に各レーザ素子を正
確に位置決めする非常に煩雑な製造工程を含み、やはり
製造コストを上昇させる原因となっていた。
ップごとに駆動機構を設ける必要があるため、装置が大
型化し、また製造コストが上昇してしまうといった問題
があった。また、２）の方法では、ピックアップの１つ
のレンズに複数のレーザ素子からの光を結合させるため
にレーザ素子の発光スポットの間隔を非常に狭く調整し
なければならない。これには基板上に各レーザ素子を正
確に位置決めする非常に煩雑な製造工程を含み、やはり
製造コストを上昇させる原因となっていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】そこで、基板上に単一
の波長を発する半導体レーザ素子を複数個並べて載置す
るのではなく、単一の素子でありながら複数の波長のレ
ーザ光を発することができる半導体レーザ素子が望まれ
た。また、波長だけでなく、発光点、ビーム形状、出射
パワー、縦モード等の異なるレーザ発光特性の光を単一
の素子で得ることができる半導体レーザ素子が望まれ
た。そこで本発明は、上述のような異なる発光特性の２
つのレーザ光を発生することができる半導体レーザ素子
及びその製造方法を与えることを目的とする。
の波長を発する半導体レーザ素子を複数個並べて載置す
るのではなく、単一の素子でありながら複数の波長のレ
ーザ光を発することができる半導体レーザ素子が望まれ
た。また、波長だけでなく、発光点、ビーム形状、出射
パワー、縦モード等の異なるレーザ発光特性の光を単一
の素子で得ることができる半導体レーザ素子が望まれ
た。そこで本発明は、上述のような異なる発光特性の２
つのレーザ光を発生することができる半導体レーザ素子
及びその製造方法を与えることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明による半導体レー
ザ素子は、少なくともｎ型半導体層、活性層、ｐ型半導
体層の順に積層された多層構造体と、ｐ側電極及びｎ側
電極と、を有するリッジ型構造を有する第１及び第２レ
ーザ部を含む半導体レーザ素子であって、前記第１レー
ザ部のｐ側電極及びｎ側電極がそれぞれ前記第２レーザ
部のｎ側電極及びｐ側電極と電気的に接続されているこ
とを特徴とする。
ザ素子は、少なくともｎ型半導体層、活性層、ｐ型半導
体層の順に積層された多層構造体と、ｐ側電極及びｎ側
電極と、を有するリッジ型構造を有する第１及び第２レ
ーザ部を含む半導体レーザ素子であって、前記第１レー
ザ部のｐ側電極及びｎ側電極がそれぞれ前記第２レーザ
部のｎ側電極及びｐ側電極と電気的に接続されているこ
とを特徴とする。
【０００８】さらに、本発明によるレーザ半導体素子の
製造方法であって、レーザアセンブリを形成するステッ
プは、基板上に少なくともｎ型半導体層、活性層、ｐ型
半導体層を積層した多層構造体を形成するステップと、
前記多層構造体の頂部から一部を除去して前記ｎ型半導
体層を露出するようにストライプ状のリッジを形成する
ステップと、前記リッジの頂部及び谷部にそれぞれ第１
及び第２電極を形成してレーザアセンブリを形成するス
テップと、からなり、前記レーザアセンブリを形成する
ステップを繰り返して第１及び第２の２つのレーザアセ
ンブリを用意し、前記第１レーザアセンブリの前記第１
及び前記第２電極を前記第２レーザアセンブリのそれぞ
れ前記第２及び前記第１電極にその間に融着材を介して
対向させて位置合わせをするステップと、前記第１及び
第２のレーザアセンブリを密着せしめ、前記融着材を溶
解させて第１及び第２のレーザアセンブリを融着せしめ
るステップと、前記第１及び第２のレーザアセンブリか
ら前記基板のうち少なくとも絶縁性の基板を除去するス
テップと、前記第１及び第２のレーザアセンブリの前記
ｎ型半導体層の底部に電極を形成するステップと、から
なることを特徴とする
製造方法であって、レーザアセンブリを形成するステッ
プは、基板上に少なくともｎ型半導体層、活性層、ｐ型
半導体層を積層した多層構造体を形成するステップと、
前記多層構造体の頂部から一部を除去して前記ｎ型半導
体層を露出するようにストライプ状のリッジを形成する
ステップと、前記リッジの頂部及び谷部にそれぞれ第１
及び第２電極を形成してレーザアセンブリを形成するス
テップと、からなり、前記レーザアセンブリを形成する
ステップを繰り返して第１及び第２の２つのレーザアセ
ンブリを用意し、前記第１レーザアセンブリの前記第１
及び前記第２電極を前記第２レーザアセンブリのそれぞ
れ前記第２及び前記第１電極にその間に融着材を介して
対向させて位置合わせをするステップと、前記第１及び
第２のレーザアセンブリを密着せしめ、前記融着材を溶
解させて第１及び第２のレーザアセンブリを融着せしめ
るステップと、前記第１及び第２のレーザアセンブリか
ら前記基板のうち少なくとも絶縁性の基板を除去するス
テップと、前記第１及び第２のレーザアセンブリの前記
ｎ型半導体層の底部に電極を形成するステップと、から
なることを特徴とする
【０００９】
【発明の実施の形態】図２に示すように、本発明による
半導体レーザ素子は、第１レーザ部と第２レーザ部とか
らなる。第１レーザ部は、リッジ構造を有する窒化ガリ
ウム（GaN）系レーザであって、ｎ型GaN層11上に、ｎ型
AlGaNクラッド層12、活性層13、ｐ型AlGaNクラッド層1
4、ｐ型GaNコンタクト層15が順次積層された多層構造体
からなる。リッジ頂部のコンタクト層15及びリッジ谷部
のｎ型GaN層11の一部にそれぞれ窓51、52を形成して、
それ以外の多層構造体の頂部をシリカ（SiO2）の如き絶
縁層16が覆っている。さらに、窓51を介してニッケル
（Ni）電極層31がコンタクト層15上に、また、窓52を介
してチタン-金（Ti/Au）電極層32がｎ型GaN層11上に配
されている。
半導体レーザ素子は、第１レーザ部と第２レーザ部とか
らなる。第１レーザ部は、リッジ構造を有する窒化ガリ
ウム（GaN）系レーザであって、ｎ型GaN層11上に、ｎ型
AlGaNクラッド層12、活性層13、ｐ型AlGaNクラッド層1
4、ｐ型GaNコンタクト層15が順次積層された多層構造体
からなる。リッジ頂部のコンタクト層15及びリッジ谷部
のｎ型GaN層11の一部にそれぞれ窓51、52を形成して、
それ以外の多層構造体の頂部をシリカ（SiO2）の如き絶
縁層16が覆っている。さらに、窓51を介してニッケル
（Ni）電極層31がコンタクト層15上に、また、窓52を介
してチタン-金（Ti/Au）電極層32がｎ型GaN層11上に配
されている。
【００１０】第２レーザ部は、リッジ構造を有するアル
ミニウム-ガリウム-ヒ素（AlGaAs）系レーザであって、
ｎ型GaAs基板21上に、ｎ型AlGaAsクラッド層22、活性層
23、ｐ型AlGaAsクラッド層24、ｐ型GaAsコンタクト層25
が順次積層された多層構造体からなる。リッジ谷部のｎ
型GaAs基板21及びリッジ頂部のｐ型GaAsコンタクト層25
の一部にそれぞれ窓53、54を形成して、それ以外の多層
構造体の頂部をSiO2の如き絶縁層16が覆っている。さら
に、窓53を介して金−ゲルマニウム（Au-Ge）合金電極
層33、窓54を介してクロム（Cr）電極層34がそれぞれｎ
型GaAs基板21及びｐ型GaAsコンタクト層25上に配されて
いる。
ミニウム-ガリウム-ヒ素（AlGaAs）系レーザであって、
ｎ型GaAs基板21上に、ｎ型AlGaAsクラッド層22、活性層
23、ｐ型AlGaAsクラッド層24、ｐ型GaAsコンタクト層25
が順次積層された多層構造体からなる。リッジ谷部のｎ
型GaAs基板21及びリッジ頂部のｐ型GaAsコンタクト層25
の一部にそれぞれ窓53、54を形成して、それ以外の多層
構造体の頂部をSiO2の如き絶縁層16が覆っている。さら
に、窓53を介して金−ゲルマニウム（Au-Ge）合金電極
層33、窓54を介してクロム（Cr）電極層34がそれぞれｎ
型GaAs基板21及びｐ型GaAsコンタクト層25上に配されて
いる。
【００１１】そして、第１レーザ部のｐ側電極及びｎ側
電極がそれぞれ前記第２レーザ部のｎ側電極及びｐ側電
極と電気的に接続されている。かかる接続は、各電極間
に接続層を挿入することによって素子の機械強度を保つ
ことが出来て好ましい。第１レーザ部のNi電極層31と第
２レーザ部のAu-Ge合金電極層33は、金−錫（Au-Sn）合
金層35によって接続されている。また、第１レーザ部の
Ti/Au電極層32と第２レーザ部のCr電極層34は、Au-Sn合
金層35によって接続されている。
電極がそれぞれ前記第２レーザ部のｎ側電極及びｐ側電
極と電気的に接続されている。かかる接続は、各電極間
に接続層を挿入することによって素子の機械強度を保つ
ことが出来て好ましい。第１レーザ部のNi電極層31と第
２レーザ部のAu-Ge合金電極層33は、金−錫（Au-Sn）合
金層35によって接続されている。また、第１レーザ部の
Ti/Au電極層32と第２レーザ部のCr電極層34は、Au-Sn合
金層35によって接続されている。
【００１２】さらに、第１レーザ部のｎ型GaN層11にお
いて絶縁層16の配された面と反対側の面には、Ti/Au電
極60が配されている。この電極はチタン-アルミニウム
（Ti/Al）を材料としてもよい。同様に第２レーザ部の
ｎ型GaAs基板21において絶縁層16の配された面と反対側
の面には、Au-Ge電極61が配されている。以上の如き構
成によって、図３の等価回路に示すように、第１レーザ
部及び第２レーザ部は、それぞれＤ1及びＤ2のダイオー
ドを形成している。そして、この２つのダイオードは、
互いの極性を逆向きにして結合した回路を構成してい
る。故に、Ｉ1方向に電流が流れるときは第１レーザ部
が発光し、逆に矢印Ｉ2方向に電流が流れるときは第２
レーザ部が発光するのである。
いて絶縁層16の配された面と反対側の面には、Ti/Au電
極60が配されている。この電極はチタン-アルミニウム
（Ti/Al）を材料としてもよい。同様に第２レーザ部の
ｎ型GaAs基板21において絶縁層16の配された面と反対側
の面には、Au-Ge電極61が配されている。以上の如き構
成によって、図３の等価回路に示すように、第１レーザ
部及び第２レーザ部は、それぞれＤ1及びＤ2のダイオー
ドを形成している。そして、この２つのダイオードは、
互いの極性を逆向きにして結合した回路を構成してい
る。故に、Ｉ1方向に電流が流れるときは第１レーザ部
が発光し、逆に矢印Ｉ2方向に電流が流れるときは第２
レーザ部が発光するのである。
【００１３】また、図４に示すように、第１レーザ部と
第２レーザ部の間、例えば接続層に半導体-金属接合に
よるショットキーバリヤをレーザの動作方向と順方向に
なるように形成して、ｐｎダイオードと比べて順方向電
圧の小さいショットキーダイオードＤschottを含ませた
構成であってもよい。この場合、半導体レーザＤ2の動
作時に半導体レーザＤ1の逆耐圧が補償できて好ましい
のである。ショットキーダイオードは、第１及び第２レ
ーザ部を接続する２つの接続層のどちらか一方、若しく
は双方に形成することが出来る。
第２レーザ部の間、例えば接続層に半導体-金属接合に
よるショットキーバリヤをレーザの動作方向と順方向に
なるように形成して、ｐｎダイオードと比べて順方向電
圧の小さいショットキーダイオードＤschottを含ませた
構成であってもよい。この場合、半導体レーザＤ2の動
作時に半導体レーザＤ1の逆耐圧が補償できて好ましい
のである。ショットキーダイオードは、第１及び第２レ
ーザ部を接続する２つの接続層のどちらか一方、若しく
は双方に形成することが出来る。
【００１４】図５に示すように、本発明による他の半導
体レーザは、ショットキーダイオードが半導体レーザ部
に形成された半導体レーザ素子である。第１レーザ部
は、リッジ構造を有する窒化ガリウム（GaN）系レーザ
であって、ｎ型GaN層11上に、ｎ型AlGaNクラッド層12、
ｎ型AlGaNガイド層17、活性層13、ｐ型AlGaNガイド層1
8、ｐ型AlGaNクラッド層14、ｐ型GaNコンタクト層15が
順次積層された多層構造体からなる。リッジ頂部のコン
タクト層15及びリッジ谷部のｎ型GaN層11の一部にそれ
ぞれ窓51、52を形成して、それ以外の多層構造体の頂部
をシリカ（SiO2）の如き絶縁層16が覆っている。さら
に、窓51を介してニッケル／金（Ni/Au）電極層36がｐ
型GaNコンタクト層15上に、また、窓52を介してTi/Au電
極層32がｎ型GaN層11上に配されている。
体レーザは、ショットキーダイオードが半導体レーザ部
に形成された半導体レーザ素子である。第１レーザ部
は、リッジ構造を有する窒化ガリウム（GaN）系レーザ
であって、ｎ型GaN層11上に、ｎ型AlGaNクラッド層12、
ｎ型AlGaNガイド層17、活性層13、ｐ型AlGaNガイド層1
8、ｐ型AlGaNクラッド層14、ｐ型GaNコンタクト層15が
順次積層された多層構造体からなる。リッジ頂部のコン
タクト層15及びリッジ谷部のｎ型GaN層11の一部にそれ
ぞれ窓51、52を形成して、それ以外の多層構造体の頂部
をシリカ（SiO2）の如き絶縁層16が覆っている。さら
に、窓51を介してニッケル／金（Ni/Au）電極層36がｐ
型GaNコンタクト層15上に、また、窓52を介してTi/Au電
極層32がｎ型GaN層11上に配されている。
【００１５】第２レーザ部は、リッジ構造を有するアル
ミニウム-ガリウム-ヒ素（AlGaAs）系レーザであって、
ｎ型GaAs基板21上に、ｎ型AlGaAsクラッド層22、ｎ型Al
GaAsガイド層26、活性層23、ｐ型AlGaAsガイド層27、ｐ
型AlGaAsクラッド層24、ｐ型GaAsコンタクト層25が順次
積層された多層構造体からなる。ｐ型GaAsコンタクト層
25には、ｐ型不純物が1019〜10201/cc程度の濃度で添加
されている。また、コンタクト層25は、レーザ共振器形
成方向（図５の紙面の法線方向）と平行方向にストライ
プ状のリッジを形成しており、該リッジの両側部にはｎ
型AlGaAs電流狭窄層28が配されている。ここでリッジ
は、ｐ型AlGaAsクラッド層24をその一部に含んでいても
良い。さらに、リッジ谷部のｎ型GaAs基板の一部に窓53
を形成して、リッジ頂部のｐ型GaAsコンタクト層25及び
ｎ型AlGaAs電流狭窄層28の一部の上にも窓54を形成し、
またそれ以外の多層構造体の頂部を絶縁層16が覆ってい
る。そして、窓53を介して、Au-Ge合金電極層33がｎ型G
aAs基板21上に配されている。また、窓54を介して、ｐ
型GaAsコンタクト層25上にCr電極層34、Pt中間層37が配
されている。さらに、Cr電極層34及びPt中間層37を電流
狭窄層28上に封止するようにしてAu-Ge合金層33aが配さ
れている。さらに、Au-Ge合金層33aは、電流狭窄層28上
に封止されるようにして絶縁層16aが配されている。そ
して、Pd電極層38が、電流狭窄層28の一部に接し且つ絶
縁層16aを覆って、窓54を埋めるようにして配されてい
る。
ミニウム-ガリウム-ヒ素（AlGaAs）系レーザであって、
ｎ型GaAs基板21上に、ｎ型AlGaAsクラッド層22、ｎ型Al
GaAsガイド層26、活性層23、ｐ型AlGaAsガイド層27、ｐ
型AlGaAsクラッド層24、ｐ型GaAsコンタクト層25が順次
積層された多層構造体からなる。ｐ型GaAsコンタクト層
25には、ｐ型不純物が1019〜10201/cc程度の濃度で添加
されている。また、コンタクト層25は、レーザ共振器形
成方向（図５の紙面の法線方向）と平行方向にストライ
プ状のリッジを形成しており、該リッジの両側部にはｎ
型AlGaAs電流狭窄層28が配されている。ここでリッジ
は、ｐ型AlGaAsクラッド層24をその一部に含んでいても
良い。さらに、リッジ谷部のｎ型GaAs基板の一部に窓53
を形成して、リッジ頂部のｐ型GaAsコンタクト層25及び
ｎ型AlGaAs電流狭窄層28の一部の上にも窓54を形成し、
またそれ以外の多層構造体の頂部を絶縁層16が覆ってい
る。そして、窓53を介して、Au-Ge合金電極層33がｎ型G
aAs基板21上に配されている。また、窓54を介して、ｐ
型GaAsコンタクト層25上にCr電極層34、Pt中間層37が配
されている。さらに、Cr電極層34及びPt中間層37を電流
狭窄層28上に封止するようにしてAu-Ge合金層33aが配さ
れている。さらに、Au-Ge合金層33aは、電流狭窄層28上
に封止されるようにして絶縁層16aが配されている。そ
して、Pd電極層38が、電流狭窄層28の一部に接し且つ絶
縁層16aを覆って、窓54を埋めるようにして配されてい
る。
【００１６】そして、第１レーザ部のNi/Au電極層36
と、第２レーザ部のAu-Ge合金電極層33がAu-Sn合金層35
によって接続されている。また、第１レーザ部のTi/Au
電極層32と、第２レーザ部のPd電極層38がAu-Sn合金層3
5によって接続されている。さらに、第１レーザ部のｎ
型GaN層11において、絶縁層16が配された面と反対側の
面にTi/Al若しくはTi/Auからなる電極60が配されてい
る。同様に第２レーザ部のｎ型GaAs基板21において絶縁
層16の配された面と反対側の面にはAu-Ge電極61が配さ
れている。
と、第２レーザ部のAu-Ge合金電極層33がAu-Sn合金層35
によって接続されている。また、第１レーザ部のTi/Au
電極層32と、第２レーザ部のPd電極層38がAu-Sn合金層3
5によって接続されている。さらに、第１レーザ部のｎ
型GaN層11において、絶縁層16が配された面と反対側の
面にTi/Al若しくはTi/Auからなる電極60が配されてい
る。同様に第２レーザ部のｎ型GaAs基板21において絶縁
層16の配された面と反対側の面にはAu-Ge電極61が配さ
れている。
【００１７】かかる構成において、図４の等価回路に示
すように、ダイオードＤ2を形成する第２レーザ部の逆
耐圧をダイオードＤschottによって補償することができ
るのである。図４の矢印Ｉ2方向に電流が流れるように
電圧が付加されたときを図６に示す。Au-Sn合金層35、P
d電極層38を介して、電流狭窄層28に電流が流れる。こ
こで、Pd電極層38は、ｎ型AlGaAs電流狭窄層28とショッ
トキーダイオードＤsc hottを形成するが、順方向のバイ
アスであって、電流は、矢印71の方向に流れるのであ
る。さらに、Au-Ge層33aとｎ型AlGaAs電流狭窄層28は、
オーミック接触であって、故に電流は、矢印72の方向に
流れる。さらに、上述したようにｐ型GaAsコンタクト層
25には、Ｐ型不純物がドーピングされていて、金属的な
電気状態を有しているため、Cr電極層34とｐ型GaAsコン
タクト層25は、オーミック接触を形成し、電流は、矢印
73の方向に流れる。以上のようにして、第２レーザ部に
電流が流れるのである。
すように、ダイオードＤ2を形成する第２レーザ部の逆
耐圧をダイオードＤschottによって補償することができ
るのである。図４の矢印Ｉ2方向に電流が流れるように
電圧が付加されたときを図６に示す。Au-Sn合金層35、P
d電極層38を介して、電流狭窄層28に電流が流れる。こ
こで、Pd電極層38は、ｎ型AlGaAs電流狭窄層28とショッ
トキーダイオードＤsc hottを形成するが、順方向のバイ
アスであって、電流は、矢印71の方向に流れるのであ
る。さらに、Au-Ge層33aとｎ型AlGaAs電流狭窄層28は、
オーミック接触であって、故に電流は、矢印72の方向に
流れる。さらに、上述したようにｐ型GaAsコンタクト層
25には、Ｐ型不純物がドーピングされていて、金属的な
電気状態を有しているため、Cr電極層34とｐ型GaAsコン
タクト層25は、オーミック接触を形成し、電流は、矢印
73の方向に流れる。以上のようにして、第２レーザ部に
電流が流れるのである。
【００１８】一方、図４の矢印Ｉ1方向に電流が流れる
ように電圧が付加されたときは、第１レーザ部に電流が
流れる。つまり、上述したPd電極層38とｎ型AlGaAs電流
狭窄層28からなるショットキーダイオードに逆方向のバ
イアス電流となるため、これを遮断する。かかる構成に
よって、例えば、GaN系の第１レーザ部を動作させるた
めに負荷される３（理論限界値）〜６Ｖといった、GaAs
系の第２レーザ部の保償逆耐電圧を越える電圧の負荷か
ら第２レーザ部を保護できるのである。上述の如きショ
ットキーダイオードを形成する構造は、第１レーザ部上
に適宜、形成してもよい。
ように電圧が付加されたときは、第１レーザ部に電流が
流れる。つまり、上述したPd電極層38とｎ型AlGaAs電流
狭窄層28からなるショットキーダイオードに逆方向のバ
イアス電流となるため、これを遮断する。かかる構成に
よって、例えば、GaN系の第１レーザ部を動作させるた
めに負荷される３（理論限界値）〜６Ｖといった、GaAs
系の第２レーザ部の保償逆耐電圧を越える電圧の負荷か
ら第２レーザ部を保護できるのである。上述の如きショ
ットキーダイオードを形成する構造は、第１レーザ部上
に適宜、形成してもよい。
【００１９】本発明による半導体レーザ素子は、第１及
び第２レーザ部の組み合わせが、GaN系レーザとGaAs系
レーザの組に限定されるものではない。例えば、AlInGa
P系レーザ、GaAs系レーザ、GaN系レーザ、InP系レーザ
等から選択される２つのレーザであってもよい。また、
同一の材料系からなるレーザ素子を組み合わせても良
い。この場合、印加電圧の方向を変えることでレーザの
発光位置をシフトできて好ましい。すなわち、材料系や
特性の異なるレーザを適宜、選択して組み合わせること
により、波長、発光点、ビーム形状、出射パワー、縦モ
ード等の異なるレーザ光を印加電圧の方向を変えること
で得ることが出来るのである。
び第２レーザ部の組み合わせが、GaN系レーザとGaAs系
レーザの組に限定されるものではない。例えば、AlInGa
P系レーザ、GaAs系レーザ、GaN系レーザ、InP系レーザ
等から選択される２つのレーザであってもよい。また、
同一の材料系からなるレーザ素子を組み合わせても良
い。この場合、印加電圧の方向を変えることでレーザの
発光位置をシフトできて好ましい。すなわち、材料系や
特性の異なるレーザを適宜、選択して組み合わせること
により、波長、発光点、ビーム形状、出射パワー、縦モ
ード等の異なるレーザ光を印加電圧の方向を変えること
で得ることが出来るのである。
【００２０】次に、以下に本発明による窒化物半導体レ
ーザ素子の製造方法について詳述する。図７に示すよう
に、第１及び第２レーザ部の多層構造体を構成する第１
多層構造体１及び第２多層構造体２は、有機金属気相成
長法（MOCVD法）によって、それぞれ別個に作製され
る。
ーザ素子の製造方法について詳述する。図７に示すよう
に、第１及び第２レーザ部の多層構造体を構成する第１
多層構造体１及び第２多層構造体２は、有機金属気相成
長法（MOCVD法）によって、それぞれ別個に作製され
る。
【００２１】第１多層構造体１は、MOCVD反応炉内にサ
ファイア基板10を載置し、該炉内に原料ガスを順次導入
して、ｎ型GaN層11、ｎ型AlGaNクラッド層12、活性層1
3、ｐ型AlGaNクラッド層14、ｐ型GaNコンタクト層15を
順に積層して得られる。一方、第２多層構造体２は、ｎ
型GaAs基板21上に、ｎ型AlGaAsクラッド層22、活性層2
3、ｐ型AlGaAsクラッド層24、ｐ型GaAsコンタクト層25
を順に積層して得られる。
ファイア基板10を載置し、該炉内に原料ガスを順次導入
して、ｎ型GaN層11、ｎ型AlGaNクラッド層12、活性層1
3、ｐ型AlGaNクラッド層14、ｐ型GaNコンタクト層15を
順に積層して得られる。一方、第２多層構造体２は、ｎ
型GaAs基板21上に、ｎ型AlGaAsクラッド層22、活性層2
3、ｐ型AlGaAsクラッド層24、ｐ型GaAsコンタクト層25
を順に積層して得られる。
【００２２】図８及び図９に示すように、第１及び第２
多層構造体１、２の成膜面をストライプ状にマスキング
して、第１多層構造体にはRIE（反応性イオンエッチン
グ）、第２多層構造体には化学エッチングを行ってリッ
ジを形成する。マスキングされていない部分がエッチン
グされて、最後にマスキングを除去するとリッジとなる
のである。このときリッジの長手方向、すなわち矢印方
向３及び３’がレーザの共振器を構成する方向であっ
て、第１多層構造体１においては矢印方向３がｎ型GaN
層11の結晶の＜11-00＞または＜11-20＞方向となるよう
に、第２多層構造体２においては矢印方向３’が、GaAs
結晶の＜110＞方向となるようにリッジを形成する。後
述するように、第１及び第２多層構造体１、２は、互い
に対向させて組み合わせたときに密着できるように、リ
ッジの高さは第１及び第２多層構造体１、２ともに等し
く、また第１多層構造体１のリッジの幅は、第２多層構
造体２のリッジ間の幅に、逆に第２多層構造体２のリッ
ジの幅は、第１多層構造体１のリッジ間の幅となるよう
にする。
多層構造体１、２の成膜面をストライプ状にマスキング
して、第１多層構造体にはRIE（反応性イオンエッチン
グ）、第２多層構造体には化学エッチングを行ってリッ
ジを形成する。マスキングされていない部分がエッチン
グされて、最後にマスキングを除去するとリッジとなる
のである。このときリッジの長手方向、すなわち矢印方
向３及び３’がレーザの共振器を構成する方向であっ
て、第１多層構造体１においては矢印方向３がｎ型GaN
層11の結晶の＜11-00＞または＜11-20＞方向となるよう
に、第２多層構造体２においては矢印方向３’が、GaAs
結晶の＜110＞方向となるようにリッジを形成する。後
述するように、第１及び第２多層構造体１、２は、互い
に対向させて組み合わせたときに密着できるように、リ
ッジの高さは第１及び第２多層構造体１、２ともに等し
く、また第１多層構造体１のリッジの幅は、第２多層構
造体２のリッジ間の幅に、逆に第２多層構造体２のリッ
ジの幅は、第１多層構造体１のリッジ間の幅となるよう
にする。
【００２３】さらに、第１多層構造体１のリッジの頂部
1a及びリッジとリッジの間の谷部1b、第２多層構造体２
のリッジの頂部2a及び谷部2bの一部をリッジの延在する
方向にストライプ状のマスキングを施して、SiO2をそれ
ぞれその上から成膜して絶縁層16を形成する。最後にマ
スキングを除去して、第１多層構造体１のリッジの頂部
1a及び谷部1bに、ｐ型GaNコンタクト層15及びｎ型GaN層
11がそれぞれ裸出する窓51及び52を形成する。また同様
に第２多層構造体２のリッジの頂部2a及び谷部2bに、ｐ
型GaAsコンタクト層25及びｎ型GaAs基板21が裸出する窓
部53及び54をそれぞれ形成する。
1a及びリッジとリッジの間の谷部1b、第２多層構造体２
のリッジの頂部2a及び谷部2bの一部をリッジの延在する
方向にストライプ状のマスキングを施して、SiO2をそれ
ぞれその上から成膜して絶縁層16を形成する。最後にマ
スキングを除去して、第１多層構造体１のリッジの頂部
1a及び谷部1bに、ｐ型GaNコンタクト層15及びｎ型GaN層
11がそれぞれ裸出する窓51及び52を形成する。また同様
に第２多層構造体２のリッジの頂部2a及び谷部2bに、ｐ
型GaAsコンタクト層25及びｎ型GaAs基板21が裸出する窓
部53及び54をそれぞれ形成する。
【００２４】第１多層構造体１の上には、さらに窓51を
介してｐ型GaNコンタクト層15上にNi電極層31／Au中間
層35a／Au-Sn合金層35を順に積層する。また、窓52を介
してｎ型GaN層11上にTi/Au電極層32／Au中間層35a／Au-
Sn合金層35を順に積層する。第２多層構造体２の上に
は、窓53を介してｎ型GaAs基板21上にAu-Ge合金層33／A
u中間層35aを、また、窓54を介してｐ型AlGaAs層25上に
Cr電極層34／Au中間層35aをこの順に積層する。この第
２多層構造体２は、345℃で５分間のアニールを行っ
て、Au-Ge合金電極層33／ｎ型GaAs基板21のアロイング
を行ってオーミック性を改善する。
介してｐ型GaNコンタクト層15上にNi電極層31／Au中間
層35a／Au-Sn合金層35を順に積層する。また、窓52を介
してｎ型GaN層11上にTi/Au電極層32／Au中間層35a／Au-
Sn合金層35を順に積層する。第２多層構造体２の上に
は、窓53を介してｎ型GaAs基板21上にAu-Ge合金層33／A
u中間層35aを、また、窓54を介してｐ型AlGaAs層25上に
Cr電極層34／Au中間層35aをこの順に積層する。この第
２多層構造体２は、345℃で５分間のアニールを行っ
て、Au-Ge合金電極層33／ｎ型GaAs基板21のアロイング
を行ってオーミック性を改善する。
【００２５】以上のようにして調製した第１及び第２多
層構造体１、２を、互いに成膜面に形成された窓51と53
及び52と54とが対向するようにつきあわせて、すなわち
第１多層構造体１のリッジの頂部1aと第２多層構造体２
のリッジの谷部2bが、また第１多層構造体１のリッジの
谷部1bと第２多層構造体２のリッジの頂部2aが対向する
ように組み合わせてジグ（図示せず）にてこれを圧着す
る。かかる場合において、第１及び第２多層構造体１、
２にリッジの作製と同時にマーカ４及び４'をあらかじ
めエッチングによって設けておいて、これをつきあわせ
て位置決めを行うと精度良く圧着が出来て好ましい。
層構造体１、２を、互いに成膜面に形成された窓51と53
及び52と54とが対向するようにつきあわせて、すなわち
第１多層構造体１のリッジの頂部1aと第２多層構造体２
のリッジの谷部2bが、また第１多層構造体１のリッジの
谷部1bと第２多層構造体２のリッジの頂部2aが対向する
ように組み合わせてジグ（図示せず）にてこれを圧着す
る。かかる場合において、第１及び第２多層構造体１、
２にリッジの作製と同時にマーカ４及び４'をあらかじ
めエッチングによって設けておいて、これをつきあわせ
て位置決めを行うと精度良く圧着が出来て好ましい。
【００２６】図10に示すように、ジグに第１及び第２多
層構造体１、２を挟んで圧着したまま、窒素雰囲気若し
くは窒素＋水素（5〜10％）雰囲気中でAu-Sn合金の共晶
温度である278℃以上に加熱すると、Au中間層35aは、Au
-Sn合金層35に取り込まれて第１及び第２多層構造体
１、２を融着せしめられる。次に、第１多層構造体１か
らラッピング装置で導電性を有しないサファイア基板10
を削り取る。ここで、サファイア基板10の除去は、上下
両面が鏡面のサファイア基板10を用いることにより、サ
ファイア基板10の半導体層を積層された面と反対側の面
から200〜300nmの波長を有するレーザ光を当てる。該波
長のレーザ光に対して、サファイアは透明であるが、Ga
Nはこれを強く吸収するため、GaN／サファイア界面はレ
ーザ光を吸収して発熱し、GaNは金属Gaと窒素に分解す
る。金属Gaの融点は室温程度であるため、基板を40℃程
度に加熱すると金属Gaが溶解してサファイア基板10が剥
がれるのである。こうして得られたサファイア基板10を
取り除いた面を仕上げ研磨して、この上にチタン／金
（チタン／アルミであってもよい）電極60を蒸着する。
層構造体１、２を挟んで圧着したまま、窒素雰囲気若し
くは窒素＋水素（5〜10％）雰囲気中でAu-Sn合金の共晶
温度である278℃以上に加熱すると、Au中間層35aは、Au
-Sn合金層35に取り込まれて第１及び第２多層構造体
１、２を融着せしめられる。次に、第１多層構造体１か
らラッピング装置で導電性を有しないサファイア基板10
を削り取る。ここで、サファイア基板10の除去は、上下
両面が鏡面のサファイア基板10を用いることにより、サ
ファイア基板10の半導体層を積層された面と反対側の面
から200〜300nmの波長を有するレーザ光を当てる。該波
長のレーザ光に対して、サファイアは透明であるが、Ga
Nはこれを強く吸収するため、GaN／サファイア界面はレ
ーザ光を吸収して発熱し、GaNは金属Gaと窒素に分解す
る。金属Gaの融点は室温程度であるため、基板を40℃程
度に加熱すると金属Gaが溶解してサファイア基板10が剥
がれるのである。こうして得られたサファイア基板10を
取り除いた面を仕上げ研磨して、この上にチタン／金
（チタン／アルミであってもよい）電極60を蒸着する。
【００２７】また、導電性を有する第２多層構造体２の
ｎ型GaAs基板21は、導電性の観点からその厚さを薄くす
ることが好ましいが、一方で強度の低下をも考慮して、
ラッピング装置で、その厚さを100μm程度になるまで研
磨する。砥粒はアルミナ、シリコンカーバイト等が好ま
しい。研磨後、その表面を酸で少量だけエッチングして
加工ダメージ層を除去し、この上にAu-Ge合金からなる
電極61を蒸着する。電極のオーミック性改善のために30
0℃程度の温度で加熱処理を行う。この加熱処理の温度
は、第１及び第２多層構造体１、２の融着の劣化が生じ
ない程度の温度で行う。
ｎ型GaAs基板21は、導電性の観点からその厚さを薄くす
ることが好ましいが、一方で強度の低下をも考慮して、
ラッピング装置で、その厚さを100μm程度になるまで研
磨する。砥粒はアルミナ、シリコンカーバイト等が好ま
しい。研磨後、その表面を酸で少量だけエッチングして
加工ダメージ層を除去し、この上にAu-Ge合金からなる
電極61を蒸着する。電極のオーミック性改善のために30
0℃程度の温度で加熱処理を行う。この加熱処理の温度
は、第１及び第２多層構造体１、２の融着の劣化が生じ
ない程度の温度で行う。
【００２８】図11に示すように、得られた第１及び第２
多層構造体１、２の融着体、すなわちレーザウェハから
半導体レーザチップ81を小割りする。第２多層構造体２
の側を上にして、リッジの長手方向と平行に延在する端
部にレーザ共振器の長さに相当するピッチでダイヤモン
ドのポイントでスクライブ82を入れる。スクライブ82を
基点にGaAs結晶及びGaN結晶の劈開を利用してバー状体8
3を得る。劈開面にはパッシベーション膜（兼反射コー
ト）を施す。さらに、バー状体83にチップ毎にスクライ
ブ84を入れて劈開してチップ81を得る。
多層構造体１、２の融着体、すなわちレーザウェハから
半導体レーザチップ81を小割りする。第２多層構造体２
の側を上にして、リッジの長手方向と平行に延在する端
部にレーザ共振器の長さに相当するピッチでダイヤモン
ドのポイントでスクライブ82を入れる。スクライブ82を
基点にGaAs結晶及びGaN結晶の劈開を利用してバー状体8
3を得る。劈開面にはパッシベーション膜（兼反射コー
ト）を施す。さらに、バー状体83にチップ毎にスクライ
ブ84を入れて劈開してチップ81を得る。
【００２９】以上のようにして得られた素子において、
GaN及びGaAsの熱伝導率はそれぞれ1.3W/cmKと0.46W/cmK
であるので、第１レーザ部側をマウント側にしてダイボ
ンディングして放熱して用いることが好ましい。
GaN及びGaAsの熱伝導率はそれぞれ1.3W/cmKと0.46W/cmK
であるので、第１レーザ部側をマウント側にしてダイボ
ンディングして放熱して用いることが好ましい。
【００３０】
【発明の効果】本発明によれば、波長、発光点、ビーム
形状、出射パワー、縦モード等の異なる発光特性を有す
る２つのレーザ光を印加電圧の方向を切り替えることで
選択出射可能な半導体レーザ素子を安価且つ容易に提供
することが出来る。
形状、出射パワー、縦モード等の異なる発光特性を有す
る２つのレーザ光を印加電圧の方向を切り替えることで
選択出射可能な半導体レーザ素子を安価且つ容易に提供
することが出来る。
【図１】 従来の半導体レーザ素子の構造例を示す断面
図である。
図である。
【図２】 本発明による半導体レーザ素子の構造を示す
断面図である。
断面図である。
【図３】 図２の半導体レーザ素子の等価回路図であ
る。
る。
【図４】 本発明による他の半導体レーザ素子の等価回
路図である。
路図である。
【図５】 本発明による半導体レーザ素子の構造を示す
断面図である。
断面図である。
【図６】 図５の半導体レーザ素子の第１及び第２レー
ザ部の接続部分の構造を示す拡大断面図である。
ザ部の接続部分の構造を示す拡大断面図である。
【図７】 リッジ形成前の第１及び第２多層構造体の断
面図である。
面図である。
【図８】 リッジ形成後の第１及び第２多層構造体の斜
視図である。
視図である。
【図９】 電極形成後の第１及び第２多層構造体の断面
図である。
図である。
【図10】 レーザウェハの構造を示す断面図である。
【図11】 レーザウェハからレーザ素子を得る小割りの
工程の斜視図である。
工程の斜視図である。
１ 第１多層構造体 ２ 第２多層構造体 10 サファイア基板 11 ｎ型GaN層 12 ｎ型AlGaNクラッド層 13、23、104 活性層 14 ｐ型AlGaNクラッド層 15 ｐ型GaNコンタクト層 16 絶縁層 17 ｎ型AlGaNガイド層 18 ｐ型AlGaNガイド層 22 ｎ型AlGaAsクラッド層 24 ｐ型AlGaAsクラッド層 25 ｐ型GaAsコンタクト層 26 ｎ型AlGaAsガイド層 31 ニッケル電極層 32 チタン-金電極層 33 金-ゲルマニウム合金電極層 34 クロム電極層 35 金-錫合金層 36 金中間層 37 白金中間層 38 パラジウム電極層 51、52、53、54 窓 60、61 電極 101 基板 102 ｎ型半導体層 103 ｎ型半導体クラッド層 105 ｐ型半導体クラッド層 106 ｐ型半導体コンタクト層 107 ｐ型電極 108 ｎ型電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 竹間 清文 埼玉県鶴ヶ島市富士見６丁目１番１号 パ イオニア株式会社総合研究所内 Ｆターム(参考） 5F073 AA11 AA61 AA89 AB06 BA05 BA06 CA02 CB22 DA30 DA35 EA06 EA07 FA22
Claims (10)
- 【請求項１】 少なくともｎ型半導体層、活性層、ｐ型
半導体層の順に積層された多層構造体と、ｐ側電極及び
ｎ側電極と、を有するリッジ型構造を有する第１及び第
２レーザ部を含む半導体レーザ素子であって、前記第１
レーザ部のｐ側電極及びｎ側電極がそれぞれ前記第２レ
ーザ部のｎ側電極及びｐ側電極と電気的に接続されてい
ることを特徴とする半導体レーザ素子。 - 【請求項２】 前記第１レーザ部のｐ側電極及びｎ側電
極がそれぞれ前記第２レーザ部のｎ側電極及びｐ側電極
と接続層を介して電気的に接続されていることを特徴と
する請求項１記載の半導体レーザ素子。 - 【請求項３】 前記第１及び第２レーザ部は、絶縁層を
間に挟み対向して配置されていることを特徴とする請求
項２記載の半導体レーザ素子。 - 【請求項４】 前記接続層の少なくとも一方が、ショッ
トキーバリヤを有することを特徴とする請求項２又は３
記載の半導体レーザ素子。 - 【請求項５】 前記第１及び第２レーザ部の少なくとも
一方は、前記ｐ側電極と前記ｐ型半導体層との間にショ
ットキーバリヤを有することを特徴とする請求項１乃至
３記載のうちの１つの半導体レーザ素子。 - 【請求項６】 前記第１及び第２レーザ部の少なくとも
一方は、窒化ガリウム（GaN）系半導体を積層させた半
導体レーザであることを特徴とする請求項１乃至５記載
のうちの１つの半導体レーザ。 - 【請求項７】 基板上に少なくともｎ型半導体層、活性
層、ｐ型半導体層を積層した多層構造体を形成するステ
ップと、前記多層構造体の頂部から一部を除去して前記
ｎ型半導体層を露出するようにストライプ状のリッジを
形成するステップと、前記リッジの頂部及び谷部にそれ
ぞれ第１及び第２電極を形成するステップと、からなる
レーザアセンブリを形成するステップと、 前記レーザアセンブリを形成するステップを繰り返して
第１及び第２の２つのレーザアセンブリを用意するステ
ップと、 前記第１レーザアセンブリの前記第１電極及び前記第２
電極を融着材を間に介して前記第２レーザアセンブリの
それぞれ前記第２電極及び前記第１電極に対向させて位
置合わせをするステップと、 前記第１及び第２のレーザアセンブリを密着せしめ、前
記融着材を溶解させて第１及び第２のレーザアセンブリ
を融着せしめるステップと、 前記第１及び第２のレーザアセンブリから前記基板のう
ち少なくとも絶縁性の基板を除去するステップと、 前記第１及び第２のレーザアセンブリの前記ｎ型半導体
層の底部に電極を形成するステップと、からなることを
特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。 - 【請求項８】 前記位置合わせをするステップは、前記
第１レーザアセンブリの前記第１電極若しくは前記第２
レーザアセンブリの前記第２電極の少なくともいずれか
一方の上に融着材料を供給するステップと、前記第１レ
ーザアセンブリの前記第２電極若しくは前記第２レーザ
アセンブリの前記第１電極の少なくともいずれか一方の
上に融着材料を供給するステップと、を含むことを特徴
とする請求項７記載の半導体レーザ素子の製造方法。 - 【請求項９】 前記第１及び第２レーザアセンブリの少
なくとも一方は窒化ガリウム系レーザであることを特徴
とする請求項８記載の半導体レーザ素子の製造方法。 - 【請求項10】 前記基板は、サファイアからなり、前記
基板を除去するステップは、前記基板の底部から200〜3
00nmの波長を有するレーザ光を照射するステップである
ことを特徴とする請求項９記載の半導体レーザ素子の製
造方法。
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- 1999-03-03 JP JP05610199A patent/JP3685306B2/ja not_active Expired - Fee Related
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