JP2000236658A - 昇圧回路 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 30
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 238000003491 array Methods 0.000 description 5
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- HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N Lithium ion Chemical compound [Li+] HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M3/00—Conversion of dc power input into dc power output
- H02M3/02—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac
- H02M3/04—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters
- H02M3/06—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider
- H02M3/07—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider using capacitors charged and discharged alternately by semiconductor devices with control electrode, e.g. charge pumps
Abstract
(57)【要約】
【課題】 電源投入時、制御回路に電源を供給し、低電
圧入力電源で動作できる昇圧回路を提供する。 【解決手段】 チャージポンプ回路は、入力電源（ＶＤ
Ｄ）ライン２０とグランドとの間に設けられた４個のコ
ンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４と、コンデンサＣ１の
両端に接続された充電用スイッチ３０，３２と、コンデ
ンサＣ２の両端に接続された充電用のスイッチ３４，３
６と、コンデンサＣ３の両端に接続された充電用のスイ
ッチ３８，４０と、コンデンサＣ４の両端に接続された
充電用のスイッチ４２，４４と、昇圧用スイッチ４６，
４８，５０，５２，５４と、出力電圧をホールドするた
めのコンデンサＣ５とを備えている。各スイッチのＯ
Ｎ，ＯＦＦは、制御回路で制御される。
圧入力電源で動作できる昇圧回路を提供する。 【解決手段】 チャージポンプ回路は、入力電源（ＶＤ
Ｄ）ライン２０とグランドとの間に設けられた４個のコ
ンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４と、コンデンサＣ１の
両端に接続された充電用スイッチ３０，３２と、コンデ
ンサＣ２の両端に接続された充電用のスイッチ３４，３
６と、コンデンサＣ３の両端に接続された充電用のスイ
ッチ３８，４０と、コンデンサＣ４の両端に接続された
充電用のスイッチ４２，４４と、昇圧用スイッチ４６，
４８，５０，５２，５４と、出力電圧をホールドするた
めのコンデンサＣ５とを備えている。各スイッチのＯ
Ｎ，ＯＦＦは、制御回路で制御される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、昇圧回路、特にＬ
ＣＤ（液晶）コントローラドライバに用いられる昇圧回
路およびその駆動方法に関する。
ＣＤ（液晶）コントローラドライバに用いられる昇圧回
路およびその駆動方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＣＤコントローラドライバは、ＣＰＵ
とのインタフェース回路，表示制御回路，表示内容を記
録するメモリ回路からなる低電圧回路部と、電圧発生回
路，ＬＣＤ駆動回路からなる高耐圧回路部から構成され
る。
とのインタフェース回路，表示制御回路，表示内容を記
録するメモリ回路からなる低電圧回路部と、電圧発生回
路，ＬＣＤ駆動回路からなる高耐圧回路部から構成され
る。
【０００３】ＬＣＤコントローラドライバは、携帯電話
やポケットベルなどのバッテリー駆動携帯機器のＬＣＤ
表示に使用されている。このため、ＬＣＤコントローラ
ドライバは単一電源で動作できるよう電圧発生回路が内
蔵されている。例えば、外付け容量を使用したチャージ
ポンプ回路を内蔵し、入力電源電圧３Ｖから９Ｖ（３倍
昇圧）または１２Ｖ（４倍昇圧）の昇圧電圧を発生さ
せ、ＬＣＤ駆動回路の電源として使用していた。
やポケットベルなどのバッテリー駆動携帯機器のＬＣＤ
表示に使用されている。このため、ＬＣＤコントローラ
ドライバは単一電源で動作できるよう電圧発生回路が内
蔵されている。例えば、外付け容量を使用したチャージ
ポンプ回路を内蔵し、入力電源電圧３Ｖから９Ｖ（３倍
昇圧）または１２Ｖ（４倍昇圧）の昇圧電圧を発生さ
せ、ＬＣＤ駆動回路の電源として使用していた。
【０００４】携帯電話等の機器では、リチュームイオン
バッテリー（１．８Ｖ）２個を直列に接続し３．６Ｖを
機器に供給している。バッテリーは使用時間と共に電圧
が低下するが、ＬＣＤコントローラドライバの電源電圧
が低下した場合、ＬＣＤの表示に影響するため、ＬＣＤ
コントローラドライバには電圧低下の影響がないように
定電圧回路（レギュレータ回路）を介して３Ｖの電圧を
供給している。定電圧回路の精度が±１０％の場合、Ｌ
ＣＤコントローラドライバは２．７Ｖ〜３．３Ｖの範囲
での動作が必要である。
バッテリー（１．８Ｖ）２個を直列に接続し３．６Ｖを
機器に供給している。バッテリーは使用時間と共に電圧
が低下するが、ＬＣＤコントローラドライバの電源電圧
が低下した場合、ＬＣＤの表示に影響するため、ＬＣＤ
コントローラドライバには電圧低下の影響がないように
定電圧回路（レギュレータ回路）を介して３Ｖの電圧を
供給している。定電圧回路の精度が±１０％の場合、Ｌ
ＣＤコントローラドライバは２．７Ｖ〜３．３Ｖの範囲
での動作が必要である。
【０００５】市場の要求としてバッテリーでの長時間動
作が必要であり、このため、低消費電力化，低電圧化が
進んでいる。例えば、１．２Ｖのバッテリー２個を使い
２．４Ｖに電圧を低下させることにより、実質的にバッ
テリーの使用時間を延長させる傾向にある。一方、ＬＣ
Ｄを駆動する電圧は、ＬＣＤパネルの特性に依存し、バ
ッテリーの電圧に関係なく６〜１１Ｖ必要である。
作が必要であり、このため、低消費電力化，低電圧化が
進んでいる。例えば、１．２Ｖのバッテリー２個を使い
２．４Ｖに電圧を低下させることにより、実質的にバッ
テリーの使用時間を延長させる傾向にある。一方、ＬＣ
Ｄを駆動する電圧は、ＬＣＤパネルの特性に依存し、バ
ッテリーの電圧に関係なく６〜１１Ｖ必要である。
【０００６】このような要求に対し、低電圧回路部はプ
ロセスの微細化と共に閾値電圧が低下し、低電圧での動
作が可能であるが、ＬＣＤを駆動する電圧は通常、６〜
１１Ｖの電圧が必要であり、高耐圧回路部を構成する高
耐圧トランジスタは、１４〜１５Ｖの耐圧が確保されな
ければならず、高耐圧トランジスタの微細化と共に閾値
電圧の低電圧化は困難であった。
ロセスの微細化と共に閾値電圧が低下し、低電圧での動
作が可能であるが、ＬＣＤを駆動する電圧は通常、６〜
１１Ｖの電圧が必要であり、高耐圧回路部を構成する高
耐圧トランジスタは、１４〜１５Ｖの耐圧が確保されな
ければならず、高耐圧トランジスタの微細化と共に閾値
電圧の低電圧化は困難であった。
【０００７】したがって、バッテリーの低電圧化に対応
した昇圧回路が要求されている。昇圧回路は、チャージ
ポンプ回路と、チャージポンプ回路を構成するＭＯＳト
ランジスタのゲートへ供給されるクロックを発生し、チ
ャージポンプ回路の動作を制御する制御回路とから構成
されている。このような昇圧回路は高耐圧回路部に設け
られており、昇圧回路の制御回路を動作させるためには
電源の供給が必要である。通常、制御回路はチャージポ
ンプ回路が発生した高圧電圧を電源電圧として動作する
が、電源投入時は制御回路への電源電圧供給手段がな
い。したがって、このままでは制御回路が正常に動作せ
ず、チャージポンプ回路へクロックを供給することがで
きず、結果として昇圧回路が動作しない。そこで従来で
は、制御回路への電源電圧供給手段として、チャージポ
ンプ回路において入力電源（ＶＤＤ）ラインよりダイオ
ードを介して高圧電源（ＶＬＣＤ）ラインに電圧を与
え、この電圧を電源として制御回路に供給していた。
した昇圧回路が要求されている。昇圧回路は、チャージ
ポンプ回路と、チャージポンプ回路を構成するＭＯＳト
ランジスタのゲートへ供給されるクロックを発生し、チ
ャージポンプ回路の動作を制御する制御回路とから構成
されている。このような昇圧回路は高耐圧回路部に設け
られており、昇圧回路の制御回路を動作させるためには
電源の供給が必要である。通常、制御回路はチャージポ
ンプ回路が発生した高圧電圧を電源電圧として動作する
が、電源投入時は制御回路への電源電圧供給手段がな
い。したがって、このままでは制御回路が正常に動作せ
ず、チャージポンプ回路へクロックを供給することがで
きず、結果として昇圧回路が動作しない。そこで従来で
は、制御回路への電源電圧供給手段として、チャージポ
ンプ回路において入力電源（ＶＤＤ）ラインよりダイオ
ードを介して高圧電源（ＶＬＣＤ）ラインに電圧を与
え、この電圧を電源として制御回路に供給していた。
【０００８】図６は、従来の昇圧回路の一例を示す回路
図である。この昇圧回路は、２段のコンデンサを有する
チャージポンプ回路１と、制御回路３とから構成されて
おり、３倍昇圧を実現する回路である。
図である。この昇圧回路は、２段のコンデンサを有する
チャージポンプ回路１と、制御回路３とから構成されて
おり、３倍昇圧を実現する回路である。
【０００９】チャージポンプ回路１は、充電用のＮチャ
ネルＭＯＳトランジスタ２，４，６，８と、昇圧用のＮ
チャネルＭＯＳトランジスタ１０，１２およびＰチャネ
ルＭＯＳトランジスタ１４と、２個のコンデンサ１６，
１８と、入力電源（ＶＤＤ）ライン２０と高圧電源（Ｖ
ＬＣＤ）ライン２２との間に設けられたダイオード２４
と、出力電圧をホールドするためのコンデンサ２６とか
ら構成されている。
ネルＭＯＳトランジスタ２，４，６，８と、昇圧用のＮ
チャネルＭＯＳトランジスタ１０，１２およびＰチャネ
ルＭＯＳトランジスタ１４と、２個のコンデンサ１６，
１８と、入力電源（ＶＤＤ）ライン２０と高圧電源（Ｖ
ＬＣＤ）ライン２２との間に設けられたダイオード２４
と、出力電圧をホールドするためのコンデンサ２６とか
ら構成されている。
【００１０】制御回路３は、チャージポンプ回路１のＭ
ＯＳトランジスタをＯＮ，ＯＦＦさせるためのクロック
φ１，φ２を発生するが、０〜ＶＤＤレベルのクロック
を発振器で発生し、レベルシフタで０〜ＶＬＣＤレベル
のクロックφ１，φ２にレベル変換し、インバータによ
り所望の極性にして、チャージポンプ回路のＭＯＳトラ
ンジスタのゲートに供給する構成となっている。
ＯＳトランジスタをＯＮ，ＯＦＦさせるためのクロック
φ１，φ２を発生するが、０〜ＶＤＤレベルのクロック
を発振器で発生し、レベルシフタで０〜ＶＬＣＤレベル
のクロックφ１，φ２にレベル変換し、インバータによ
り所望の極性にして、チャージポンプ回路のＭＯＳトラ
ンジスタのゲートに供給する構成となっている。
【００１１】クロックφ１は充電用のＭＯＳトランジス
タのゲートに、クロックφ２は昇圧用のＭＯＳトランジ
スタのゲートに供給される。但し、ＰチャネルＭＯＳト
ランジスタ１４には極性が反転されたクロックφ２が入
力される。
タのゲートに、クロックφ２は昇圧用のＭＯＳトランジ
スタのゲートに供給される。但し、ＰチャネルＭＯＳト
ランジスタ１４には極性が反転されたクロックφ２が入
力される。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】昇圧回路の電源投入時
（初期動作時）に、入力電源（ＶＤＤ）ラインよりダイ
オードを介して高圧電源（ＶＬＣＤ）ラインに電圧を供
給し、これを制御回路の電源とする従来の昇圧回路で
は、高圧電源（ＶＬＣＤ）ラインは、入力電圧（ＶＤ
Ｄ）よりダイオードの順方向電圧（ＶＦ）下がった電圧
（ＶＤＤ−ＶＦ）が供給される。しかし、この方法では
バッテリーの電圧低下により入力電源電圧が低下した場
合、制御回路を動作させる十分な高圧電源を供給するこ
とができない。
（初期動作時）に、入力電源（ＶＤＤ）ラインよりダイ
オードを介して高圧電源（ＶＬＣＤ）ラインに電圧を供
給し、これを制御回路の電源とする従来の昇圧回路で
は、高圧電源（ＶＬＣＤ）ラインは、入力電圧（ＶＤ
Ｄ）よりダイオードの順方向電圧（ＶＦ）下がった電圧
（ＶＤＤ−ＶＦ）が供給される。しかし、この方法では
バッテリーの電圧低下により入力電源電圧が低下した場
合、制御回路を動作させる十分な高圧電源を供給するこ
とができない。
【００１３】従来の昇圧回路では、ＶＤＤが３Ｖのと
き、初期動作時のＶＬＣＤは２．３Ｖ（ＶＤＤ−ＶＦ＝
３Ｖ−０．７Ｖ）となるが、高耐圧トランジスタの閾値
電圧は約０．７〜１Ｖであり２．３Ｖでも十分動作可能
である。しかし、ＶＤＤ＝２Ｖ（電源精度が±１０％の
とき１．８〜２．２Ｖ）に入力電源電圧が降下した場
合、ＶＬＣＤは１．３Ｖとなり高耐圧トランジスタを正
常に動作させることができない。したがって、制御回路
のインバータなどを構成する高耐圧トランジスタが動作
せず、発振回路が発生したクロックをチャージポンプ回
路のＭＯＳトランジスタのゲートに伝搬することができ
ない。
き、初期動作時のＶＬＣＤは２．３Ｖ（ＶＤＤ−ＶＦ＝
３Ｖ−０．７Ｖ）となるが、高耐圧トランジスタの閾値
電圧は約０．７〜１Ｖであり２．３Ｖでも十分動作可能
である。しかし、ＶＤＤ＝２Ｖ（電源精度が±１０％の
とき１．８〜２．２Ｖ）に入力電源電圧が降下した場
合、ＶＬＣＤは１．３Ｖとなり高耐圧トランジスタを正
常に動作させることができない。したがって、制御回路
のインバータなどを構成する高耐圧トランジスタが動作
せず、発振回路が発生したクロックをチャージポンプ回
路のＭＯＳトランジスタのゲートに伝搬することができ
ない。
【００１４】このように、従来の昇圧回路では、入力電
源電圧（ＶＤＤ）が低下した場合には、制御回路に必要
な高圧電源を供給することができないため、昇圧回路を
始動させることができない。
源電圧（ＶＤＤ）が低下した場合には、制御回路に必要
な高圧電源を供給することができないため、昇圧回路を
始動させることができない。
【００１５】本発明の目的は、電源投入時、制御回路に
電源を供給し、低電圧入力電源で動作できる昇圧回路を
提供することにある。
電源を供給し、低電圧入力電源で動作できる昇圧回路を
提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の態様によ
れば、本発明は、複数個のコンデンサを入力電源で充電
し、充電された複数個のコンデンサを接続して昇圧して
高圧電源を与えるチャージポンプ回路と、このチャージ
ポンプ回路の前記充電および昇圧を行うための充電用お
よび昇圧用のスイッチへのクロックであって、前記高圧
電源の電圧レベルの第１のクロックを制御する制御回路
とを備える昇圧回路において、前記チャージポンプ回路
は、昇圧回路の初期動作時に、初段の前記コンデンサを
充電し昇圧する回路を有し、この回路は、前記入力電源
の電圧レベルの第２のクロックで動作することを特徴と
する。
れば、本発明は、複数個のコンデンサを入力電源で充電
し、充電された複数個のコンデンサを接続して昇圧して
高圧電源を与えるチャージポンプ回路と、このチャージ
ポンプ回路の前記充電および昇圧を行うための充電用お
よび昇圧用のスイッチへのクロックであって、前記高圧
電源の電圧レベルの第１のクロックを制御する制御回路
とを備える昇圧回路において、前記チャージポンプ回路
は、昇圧回路の初期動作時に、初段の前記コンデンサを
充電し昇圧する回路を有し、この回路は、前記入力電源
の電圧レベルの第２のクロックで動作することを特徴と
する。
【００１７】本発明の第２の態様によれば、本発明は、
複数個のコンデンサを入力電源で充電し、充電された複
数個のコンデンサを接続し、昇圧して高圧電源を与える
チャージポンプ回路と、このチャージポンプ回路の前記
充電および昇圧を行うための充電用および昇圧用のスイ
ッチへのクロックであって、前記高圧電源の電圧レベル
の第１のクロックを制御する制御回路とを備える昇圧回
路であって、前記チャージポンプ回路は、昇圧回路の初
期動作時に、初段の前記コンデンサを充電し昇圧する回
路を有する昇圧回路の駆動方法において、電源投入時の
初期動作時には、前記回路を、前記入力電源の電圧レベ
ルの第２のクロックで動作させることを特徴とする。
複数個のコンデンサを入力電源で充電し、充電された複
数個のコンデンサを接続し、昇圧して高圧電源を与える
チャージポンプ回路と、このチャージポンプ回路の前記
充電および昇圧を行うための充電用および昇圧用のスイ
ッチへのクロックであって、前記高圧電源の電圧レベル
の第１のクロックを制御する制御回路とを備える昇圧回
路であって、前記チャージポンプ回路は、昇圧回路の初
期動作時に、初段の前記コンデンサを充電し昇圧する回
路を有する昇圧回路の駆動方法において、電源投入時の
初期動作時には、前記回路を、前記入力電源の電圧レベ
ルの第２のクロックで動作させることを特徴とする。
【００１８】
【発明の実施の形態】一般的にチャージポンプ回路は、
入力電源に充電されたコンデンサとこのコンデンサを用
いて充電されたコンデンサを組み合わせ、接続すること
により所定の昇圧電圧を得る回路である。
入力電源に充電されたコンデンサとこのコンデンサを用
いて充電されたコンデンサを組み合わせ、接続すること
により所定の昇圧電圧を得る回路である。
【００１９】入力電源にチャージされた複数のコンデン
サを直列接続して昇圧するチャージポンプ回路を例に本
発明を説明する。
サを直列接続して昇圧するチャージポンプ回路を例に本
発明を説明する。
【００２０】図１は、本発明の昇圧回路を構成するチャ
ージポンプ回路の一例の等化回路図である。このチャー
ジポンプ回路は、入力電源（ＶＤＤ）ライン２０とグラ
ンドとの間に設けられた４個のコンデンサＣ１，Ｃ２，
Ｃ３，Ｃ４と、コンデンサＣ１の両端に接続された充電
用スイッチ３０，３２と、コンデンサＣ２の両端に接続
された充電用のスイッチ３４，３６と、コンデンサＣ３
の両端に接続された充電用のスイッチ３８，４０と、コ
ンデンサＣ４の両端に接続された充電用のスイッチ４
２，４４と、昇圧用スイッチ４６，４８，５０，５２，
５４と、出力電圧をホールドするためのコンデンサＣ５
とを備えている。このチャージポンプ回路は、５倍昇圧
（５×ＶＤＤ）を実現することができる。
ージポンプ回路の一例の等化回路図である。このチャー
ジポンプ回路は、入力電源（ＶＤＤ）ライン２０とグラ
ンドとの間に設けられた４個のコンデンサＣ１，Ｃ２，
Ｃ３，Ｃ４と、コンデンサＣ１の両端に接続された充電
用スイッチ３０，３２と、コンデンサＣ２の両端に接続
された充電用のスイッチ３４，３６と、コンデンサＣ３
の両端に接続された充電用のスイッチ３８，４０と、コ
ンデンサＣ４の両端に接続された充電用のスイッチ４
２，４４と、昇圧用スイッチ４６，４８，５０，５２，
５４と、出力電圧をホールドするためのコンデンサＣ５
とを備えている。このチャージポンプ回路は、５倍昇圧
（５×ＶＤＤ）を実現することができる。
【００２１】充電用スイッチのＯＮ，ＯＦＦは、後述す
る制御回路が発生するクロックφ１により、昇圧用スイ
ッチのＯＮ，ＯＦＦは、後述する制御回路が発生するク
ロックφ２により制御される。
る制御回路が発生するクロックφ１により、昇圧用スイ
ッチのＯＮ，ＯＦＦは、後述する制御回路が発生するク
ロックφ２により制御される。
【００２２】以上の構成は、従来のチャージポンプ回路
の構成と同じである。
の構成と同じである。
【００２３】本発明の昇圧回路のチャージポンプ回路
は、以上の従来の構成に加えて、初期動作時に、初段の
コンデンサＣ１を充電するためのスイッチ６０，６２
と、初段のコンデンサＣ１を放電するためのスイッチ６
４と、高圧電源（ＶＬＣＤ）ライン２２にコンデンサＣ
１の電圧を供給するダイオード６６とを備えている。
は、以上の従来の構成に加えて、初期動作時に、初段の
コンデンサＣ１を充電するためのスイッチ６０，６２
と、初段のコンデンサＣ１を放電するためのスイッチ６
４と、高圧電源（ＶＬＣＤ）ライン２２にコンデンサＣ
１の電圧を供給するダイオード６６とを備えている。
【００２４】初期動作用スイッチ６０はスイッチ３０に
並列に接続され、初期動作用スイッチ６２はスイッチ３
２に並列に接続され、初期動作用スイッチ６４はスイッ
チ４６に並列に接続されている。
並列に接続され、初期動作用スイッチ６２はスイッチ３
２に並列に接続され、初期動作用スイッチ６４はスイッ
チ４６に並列に接続されている。
【００２５】以上の構成において、スイッチは、実際に
はＭＯＳトランジスタで作られる。図２は、図１の回路
の具体的構成を示す。なお、構成の理解を助けるため
に、図１で用いた参照番号は、図２の対応する素子にも
用いるものとする。充電用スイッチ３０，３２，３４，
３６，３８，４０，４２，４４はＮチャネルＭＯＳトラ
ンジスタで構成され、昇圧用スイッチ４６，４８，５
０，５２，５４はＰチャネルＭＯＳトランジスタで構成
される。
はＭＯＳトランジスタで作られる。図２は、図１の回路
の具体的構成を示す。なお、構成の理解を助けるため
に、図１で用いた参照番号は、図２の対応する素子にも
用いるものとする。充電用スイッチ３０，３２，３４，
３６，３８，４０，４２，４４はＮチャネルＭＯＳトラ
ンジスタで構成され、昇圧用スイッチ４６，４８，５
０，５２，５４はＰチャネルＭＯＳトランジスタで構成
される。
【００２６】初段コンデンサＣ１の初期動作時の充電用
スイッチ６０および６２は、それぞれＰチャネルＭＯＳ
トランジスタおよびＮチャネルＭＯＳトランジスタで構
成されている。初段コンデンサＣ１の初期動作時の放電
用スイッチ６４はＰチャネルＭＯＳトランジスタで構成
されている。図１に示すダイオード６６は、Ｐチャネル
ＭＯＳトランジスタ６０の寄生ダイオードが利用され
る。ＭＯＳトランジスタ６０にＮチャネルを用いた場合
には寄生ダイオードはないので、ダイオードを別途接続
することになる。このダイオードは、例えば、ソースと
ゲートとを接続したＰチャネルＭＯＳトランジスタで構
成できる。
スイッチ６０および６２は、それぞれＰチャネルＭＯＳ
トランジスタおよびＮチャネルＭＯＳトランジスタで構
成されている。初段コンデンサＣ１の初期動作時の放電
用スイッチ６４はＰチャネルＭＯＳトランジスタで構成
されている。図１に示すダイオード６６は、Ｐチャネル
ＭＯＳトランジスタ６０の寄生ダイオードが利用され
る。ＭＯＳトランジスタ６０にＮチャネルを用いた場合
には寄生ダイオードはないので、ダイオードを別途接続
することになる。このダイオードは、例えば、ソースと
ゲートとを接続したＰチャネルＭＯＳトランジスタで構
成できる。
【００２７】以下の構成において、入力電源（ＶＤＤ）
ライン２０および高圧電源（ＶＬＣＤ）ライン２２は、
図示のように接続されている。後述するように、高圧電
源（ＶＬＣＤ）は、制御回路への電源として供給され
る。
ライン２０および高圧電源（ＶＬＣＤ）ライン２２は、
図示のように接続されている。後述するように、高圧電
源（ＶＬＣＤ）は、制御回路への電源として供給され
る。
【００２８】図３は、昇圧回路を構成する制御回路の一
例の具体的構成を示す図である。この制御回路は、基本
的には、０〜ＶＤＤレベルの２相クロックφ１Ｌ，φ２
Ｌを発生する発振器７０，７２と、０〜ＶＤＤレベルの
クロックφ１Ｌ，φ２Ｌをそれぞれ伝搬するインバータ
列８０，８２と、０〜ＶＤＤレベルのクロックφ１Ｌ，
φ２Ｌを０〜ＶＬＣＤレベルにレベル変換し、クロック
φ１，φ２を生成するレベルシフタ７４，７６と、レベ
ルシフタ７４の出力する０〜ＶＬＣＤレベルのクロック
φ１，φ２をそれぞれ伝搬するインバータ列８４，８６
とを備えている。
例の具体的構成を示す図である。この制御回路は、基本
的には、０〜ＶＤＤレベルの２相クロックφ１Ｌ，φ２
Ｌを発生する発振器７０，７２と、０〜ＶＤＤレベルの
クロックφ１Ｌ，φ２Ｌをそれぞれ伝搬するインバータ
列８０，８２と、０〜ＶＤＤレベルのクロックφ１Ｌ，
φ２Ｌを０〜ＶＬＣＤレベルにレベル変換し、クロック
φ１，φ２を生成するレベルシフタ７４，７６と、レベ
ルシフタ７４の出力する０〜ＶＬＣＤレベルのクロック
φ１，φ２をそれぞれ伝搬するインバータ列８４，８６
とを備えている。
【００２９】図４は、レベルシフタ７４，７６における
入出力でのそれぞれのクロックの波形を示す。クロック
発振器７０，７２でそれぞれ発生されるクロックφ１
Ｌ，φ２Ｌの“Ｈ”レベルが重ならないようにタイミン
グが設定される。タイミングが重なると、チャージポン
プ回路において貫通電流が流れ、回路が正常に動作しな
くなるからである。
入出力でのそれぞれのクロックの波形を示す。クロック
発振器７０，７２でそれぞれ発生されるクロックφ１
Ｌ，φ２Ｌの“Ｈ”レベルが重ならないようにタイミン
グが設定される。タイミングが重なると、チャージポン
プ回路において貫通電流が流れ、回路が正常に動作しな
くなるからである。
【００３０】レベルシフタ７４，７６およびインバータ
列８４，８６の電源には、チャージポンプ回路の出力す
る高圧電源（ＶＬＣＤ）が用いられる。インバータ８
４，８６の各インバータは、ＰチャネルおよびＮチャネ
ルの高耐圧ＭＯＳトランジスタで構成され、Ｐチャネル
ＭＯＳトランジスタのソースには高圧電源（ＶＬＣＤ）
が与えられる。したがって、初期動作時に、高圧電源
（ＶＬＣＤ）電圧が低いと、インバータ列が動作せず、
クロックφ１，φ２が伝搬されない。このため、チャー
ジポンプ回路が動作しないという問題が発生することに
ついては前述した。
列８４，８６の電源には、チャージポンプ回路の出力す
る高圧電源（ＶＬＣＤ）が用いられる。インバータ８
４，８６の各インバータは、ＰチャネルおよびＮチャネ
ルの高耐圧ＭＯＳトランジスタで構成され、Ｐチャネル
ＭＯＳトランジスタのソースには高圧電源（ＶＬＣＤ）
が与えられる。したがって、初期動作時に、高圧電源
（ＶＬＣＤ）電圧が低いと、インバータ列が動作せず、
クロックφ１，φ２が伝搬されない。このため、チャー
ジポンプ回路が動作しないという問題が発生することに
ついては前述した。
【００３１】一方、クロックφ１，φ２を伝搬するイン
バータ列８０，８２の電源は入力電源（ＶＤＤ）が用い
られる。インバータを構成するＭＯＳトランジスタは、
低電圧駆動であるので、閾値電圧を低下でき、入力バッ
テリーの電圧がある程度低下しても動作に支障をきたす
ことはない。
バータ列８０，８２の電源は入力電源（ＶＤＤ）が用い
られる。インバータを構成するＭＯＳトランジスタは、
低電圧駆動であるので、閾値電圧を低下でき、入力バッ
テリーの電圧がある程度低下しても動作に支障をきたす
ことはない。
【００３２】以上のような制御回路の発生するクロック
は、図２のＭＯＳトランジスタのチャネル型に応じて極
性が選択されて、ＭＯＳトランジスタのベースに与えら
れる。具体的には、図２の初期動作用トランジスタ６０
には反転されたクロックφ１Ｌが、トランジスタ６２に
はクロックφ１Ｌが、トランジスタ６４には反転された
クロックφ２Ｌが与えられる。
は、図２のＭＯＳトランジスタのチャネル型に応じて極
性が選択されて、ＭＯＳトランジスタのベースに与えら
れる。具体的には、図２の初期動作用トランジスタ６０
には反転されたクロックφ１Ｌが、トランジスタ６２に
はクロックφ１Ｌが、トランジスタ６４には反転された
クロックφ２Ｌが与えられる。
【００３３】一方、通常動作時の充電用ＭＯＳトランジ
スタ３０，３２，３４，３６，３８，４０，４２，４４
には、クロックφ１が与えられ、昇圧用ＭＯＳトランジ
スタ４６，４８，５０，５２，５４には、反転されたク
ロックφ２が与えられる。
スタ３０，３２，３４，３６，３８，４０，４２，４４
には、クロックφ１が与えられ、昇圧用ＭＯＳトランジ
スタ４６，４８，５０，５２，５４には、反転されたク
ロックφ２が与えられる。
【００３４】なお、チャージポンプ回路に用いられるＭ
ＯＳトランジスタのチャネル型が変われば、それに応じ
て制御回路のインバータ列の所望段から適宜適正な極性
のクロックを取り出すことができる。
ＯＳトランジスタのチャネル型が変われば、それに応じ
て制御回路のインバータ列の所望段から適宜適正な極性
のクロックを取り出すことができる。
【００３５】コンデンサＣ１を充電し昇圧する初期動作
では、通常動作時に働くＭＯＳトランジスタをすべてＯ
ＦＦしておく必要がある。というのは、初期動作用のト
ランジスタ６０，６２，６４を動作させるときに、通常
動作時用のＭＯＳトランジスタがＯＮしているようなこ
とがあれば、初期動作が正常に働かないおそれがあるか
らである。
では、通常動作時に働くＭＯＳトランジスタをすべてＯ
ＦＦしておく必要がある。というのは、初期動作用のト
ランジスタ６０，６２，６４を動作させるときに、通常
動作時用のＭＯＳトランジスタがＯＮしているようなこ
とがあれば、初期動作が正常に働かないおそれがあるか
らである。
【００３６】以上のことを確保するために、図３の制御
回路では、インバータ列８４，８６の初段のインバータ
に、ゲートとドレインとを接続しダイオードとして働く
ＮチャネルＭＯＳトランジスタ９０，９２をそれぞれ設
け、電位を持ち上げる構成としている。このため、チャ
ージポンプ回路から供給される電源電圧（ＶＬＣＤ）が
不足して、インバータが動作しないときであっても、イ
ンバータ列８４の出力を“Ｌ”レベルに、インバータ列
８６の出力を“Ｈ”レベルに固定できるようにしてい
る。
回路では、インバータ列８４，８６の初段のインバータ
に、ゲートとドレインとを接続しダイオードとして働く
ＮチャネルＭＯＳトランジスタ９０，９２をそれぞれ設
け、電位を持ち上げる構成としている。このため、チャ
ージポンプ回路から供給される電源電圧（ＶＬＣＤ）が
不足して、インバータが動作しないときであっても、イ
ンバータ列８４の出力を“Ｌ”レベルに、インバータ列
８６の出力を“Ｈ”レベルに固定できるようにしてい
る。
【００３７】次に、図２のチャージポンプ回路および図
３の制御回路よりなる本実施例の昇圧回路の動作を説明
する。なお、本実施例では入力電源電圧（ＶＤＤ）は、
１．８Ｖであるものとする。
３の制御回路よりなる本実施例の昇圧回路の動作を説明
する。なお、本実施例では入力電源電圧（ＶＤＤ）は、
１．８Ｖであるものとする。
【００３８】図５は、ＶＬＣＤの立上りを説明するため
のグラフであり、縦軸は昇圧回路の出力電圧を、横軸は
時間を示している。
のグラフであり、縦軸は昇圧回路の出力電圧を、横軸は
時間を示している。
【００３９】昇圧回路の電源を投入した初期状態では、
０〜ＶＤＤレベルのクロックφ１Ｌで充電用ＭＯＳトラ
ンジスタ６０，６２がＯＮされ、初段のコンデンサＣ１
が充電されて電圧がＶＤＤに立上っていく。コンデンサ
Ｃ１の電圧は、ＰチャネルＭＯＳトランジスタ６０の寄
生ダイオードを経て、高圧電源（ＶＬＣＤ）ライン２２
に供給される。したがって、ＶＬＣＤの電圧は、ＶＤＤ
の充電電圧よりダイオードの順方向電圧（ＶＦ）、例え
ば０．７Ｖだけ低下した値（１．８−０．７＝１．１
Ｖ）となる。
０〜ＶＤＤレベルのクロックφ１Ｌで充電用ＭＯＳトラ
ンジスタ６０，６２がＯＮされ、初段のコンデンサＣ１
が充電されて電圧がＶＤＤに立上っていく。コンデンサ
Ｃ１の電圧は、ＰチャネルＭＯＳトランジスタ６０の寄
生ダイオードを経て、高圧電源（ＶＬＣＤ）ライン２２
に供給される。したがって、ＶＬＣＤの電圧は、ＶＤＤ
の充電電圧よりダイオードの順方向電圧（ＶＦ）、例え
ば０．７Ｖだけ低下した値（１．８−０．７＝１．１
Ｖ）となる。
【００４０】初期動作時の次のタイミングでは、０〜Ｖ
ＤＤレベルのクロックφ１Ｌで充電用ＭＯＳトランジス
タ６０，６２がＯＦＦされ、０〜ＶＤＤレベルのクロッ
クφ２Ｌで昇圧用ＭＯＳトランジスタ６４がＯＮされ
る。入力電源（ＶＤＤ）の電圧に、コンデンサＣ１の充
電電圧が加算され３．６Ｖに昇圧され、寄生ダイオード
の順方向電圧だけ低下した電圧（１．８×２−０．７＝
２．９Ｖ）が高圧電源ライン２２に供給される。この電
圧は図３の制御回路のインバータ列８４，８６の電源電
圧として供給される。
ＤＤレベルのクロックφ１Ｌで充電用ＭＯＳトランジス
タ６０，６２がＯＦＦされ、０〜ＶＤＤレベルのクロッ
クφ２Ｌで昇圧用ＭＯＳトランジスタ６４がＯＮされ
る。入力電源（ＶＤＤ）の電圧に、コンデンサＣ１の充
電電圧が加算され３．６Ｖに昇圧され、寄生ダイオード
の順方向電圧だけ低下した電圧（１．８×２−０．７＝
２．９Ｖ）が高圧電源ライン２２に供給される。この電
圧は図３の制御回路のインバータ列８４，８６の電源電
圧として供給される。
【００４１】以上のような初期動作におけるコンデンサ
Ｃ１の充電および昇圧の動作において、通常動作時に働
くＭＯＳトランジスタはすべてＯＦＦ状態にあるので、
ＶＬＣＤの電圧は確実に２．９にまで立上る。高耐圧ト
ランジスタの閾値電圧は約０．７〜１Ｖであり２．９Ｖ
でも十分動作可能である。したがって制御回路のインバ
ータ列８４，８６は動作し、レベルシフタ７４，７６の
発生する０〜ＶＬＣＤレベルのクロックφ１，φ２を伝
搬するようになる。クロックφ１，φ２がチャージポン
プ回路に供給され始めると、チャージポンプ回路が通常
動作を開始する。すなわち充電用ＭＯＳトランジスタ３
０，３２，３４，３６，３８，４０，４２，４４がＯＮ
し、コンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４が入力電源電圧
ＶＤＤに充電され、次のタイミングでこれら充電用ＭＯ
ＳトランジスタがＯＦＦし、昇圧用ＭＯＳトランジスタ
４６，４８，５０，５２，５４がＯＮして、これらコン
デンサＣ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４を直列に接続し、ＶＤＤ
を５倍に昇圧した約９Ｖの電圧が得られる。
Ｃ１の充電および昇圧の動作において、通常動作時に働
くＭＯＳトランジスタはすべてＯＦＦ状態にあるので、
ＶＬＣＤの電圧は確実に２．９にまで立上る。高耐圧ト
ランジスタの閾値電圧は約０．７〜１Ｖであり２．９Ｖ
でも十分動作可能である。したがって制御回路のインバ
ータ列８４，８６は動作し、レベルシフタ７４，７６の
発生する０〜ＶＬＣＤレベルのクロックφ１，φ２を伝
搬するようになる。クロックφ１，φ２がチャージポン
プ回路に供給され始めると、チャージポンプ回路が通常
動作を開始する。すなわち充電用ＭＯＳトランジスタ３
０，３２，３４，３６，３８，４０，４２，４４がＯＮ
し、コンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４が入力電源電圧
ＶＤＤに充電され、次のタイミングでこれら充電用ＭＯ
ＳトランジスタがＯＦＦし、昇圧用ＭＯＳトランジスタ
４６，４８，５０，５２，５４がＯＮして、これらコン
デンサＣ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４を直列に接続し、ＶＤＤ
を５倍に昇圧した約９Ｖの電圧が得られる。
【００４２】
【発明の効果】本発明によれば、入力電源（ＶＤＤ）レ
ベルのクロックにより初段のコンデンサを確実に充電か
つ昇圧するようにしているので、初期動作時に昇圧回路
を正常に動作させることが可能となる。
ベルのクロックにより初段のコンデンサを確実に充電か
つ昇圧するようにしているので、初期動作時に昇圧回路
を正常に動作させることが可能となる。
【図１】本発明の昇圧回路を構成するチャージポンプ回
路の一例の等化回路図である。
路の一例の等化回路図である。
【図２】図１の回路の具体的構成を示す図である。
【図３】昇圧回路を構成する制御回路の一例の具体的構
成を示す図である。
成を示す図である。
【図４】レベルシフタにおける入出力でのそれぞれのク
ロックの波形を示す図である。
ロックの波形を示す図である。
【図５】ＶＬＣＤの立上りを説明するための図である。
【図６】従来の昇圧回路の一例を示す回路図である。
２０ 入力電源（ＶＤＤ）ライン ２２ 高圧電源（ＶＬＣＤ）ライン ３０，３２，３４，３６，３８，４０，４２，４４ 充
電用スイッチ ４６，４８，５０，５２，５４ 昇圧用スイッチ ６０，６２ 初段のコンデンサＣ１を充電するためのス
イッチ ６４ 初段のコンデンサＣ１を放電するためのスイッチ ６６ ダイオード ７０，７２ 発振器 ７４，７６ レベルシフタ ８０，８２，８４，８６ インバータ列 ９０，９２ ＮチャネルＭＯＳトランジスタ
電用スイッチ ４６，４８，５０，５２，５４ 昇圧用スイッチ ６０，６２ 初段のコンデンサＣ１を充電するためのス
イッチ ６４ 初段のコンデンサＣ１を放電するためのスイッチ ６６ ダイオード ７０，７２ 発振器 ７４，７６ レベルシフタ ８０，８２，８４，８６ インバータ列 ９０，９２ ＮチャネルＭＯＳトランジスタ
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１１年１２月１３日（１９９９．１２．
１３）
１３）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正内容】
【発明の名称】 昇圧回路
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明の昇圧回路は、複
数個のコンデンサと、前記複数個のコンデンサを入力電
源で充電させ、前記充電された複数個のコンデンサを直
列接続して高圧電源に昇圧させる、充電用および昇圧用
の第１のスイッチ群と、前記第１のスイッチ群のうち、
前記複数個のコンデンサの初段のコンデンサを前記入力
電源で充電および昇圧させる前記第１のスイッチと並列
に接続された充電用および昇圧用の第２のスイッチと、
前記初段のコンデンサの一端と前記高圧電源のラインと
の間に設けられたダイオードと、前記第１のスイッチ群
の開閉を制御するクロックであって前記高圧電源のライ
ンと同一の電圧レベルの、充電用および昇圧用の第１の
クロック、および前記第２のスイッチの開閉を制御する
クロックであって昇圧初期動作時に前記入力電源と同一
の電圧レベルの、充電用および昇圧用の第２のクロック
を制御する制御回路とを有することを特徴とする。
数個のコンデンサと、前記複数個のコンデンサを入力電
源で充電させ、前記充電された複数個のコンデンサを直
列接続して高圧電源に昇圧させる、充電用および昇圧用
の第１のスイッチ群と、前記第１のスイッチ群のうち、
前記複数個のコンデンサの初段のコンデンサを前記入力
電源で充電および昇圧させる前記第１のスイッチと並列
に接続された充電用および昇圧用の第２のスイッチと、
前記初段のコンデンサの一端と前記高圧電源のラインと
の間に設けられたダイオードと、前記第１のスイッチ群
の開閉を制御するクロックであって前記高圧電源のライ
ンと同一の電圧レベルの、充電用および昇圧用の第１の
クロック、および前記第２のスイッチの開閉を制御する
クロックであって昇圧初期動作時に前記入力電源と同一
の電圧レベルの、充電用および昇圧用の第２のクロック
を制御する制御回路とを有することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２５】以上の構成において、スイッチは、実際に
は高耐圧ＭＯＳトランジスタで作られる。図２は、図１
の回路の具体的構成を示す。なお、構成の理解を助ける
ために、図１で用いた参照番号は、図２の対応する素子
にも用いるものとする。充電用スイッチ３０，３２，３
４，３６，３８，４０，４２，４４はＮチャネル高耐圧
ＭＯＳトランジスタで構成され、昇圧用スイッチ４６，
４８，５０，５２，５４はＰチャネル高耐圧ＭＯＳトラ
ンジスタで構成される。
は高耐圧ＭＯＳトランジスタで作られる。図２は、図１
の回路の具体的構成を示す。なお、構成の理解を助ける
ために、図１で用いた参照番号は、図２の対応する素子
にも用いるものとする。充電用スイッチ３０，３２，３
４，３６，３８，４０，４２，４４はＮチャネル高耐圧
ＭＯＳトランジスタで構成され、昇圧用スイッチ４６，
４８，５０，５２，５４はＰチャネル高耐圧ＭＯＳトラ
ンジスタで構成される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２７】以上の構成において、入力電源（ＶＤＤ）
ライン２０および高圧電源（ＶＬＣＤ）ライン２２は、
図示のように接続されている。後述するように、高圧電
源（ＶＬＣＤ）は、制御回路への電源として供給され
る。
ライン２０および高圧電源（ＶＬＣＤ）ライン２２は、
図示のように接続されている。後述するように、高圧電
源（ＶＬＣＤ）は、制御回路への電源として供給され
る。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３０】レベルシフタ７４，７６およびインバータ
列８４，８６の電源には、チャージポンプ回路の出力す
る高圧電源（ＶＬＣＤ）が用いられる。インバータ列８
４，８６の各インバータは、ＰチャネルおよびＮチャネ
ルの高耐圧ＭＯＳトランジスタで構成され、Ｐチャネル
ＭＯＳトランジスタのソースには高圧電源（ＶＬＣＤ）
が与えられる。したがって、初期動作時に、高圧電源
（ＶＬＣＤ）電圧が低いと、インバータ列が動作せず、
クロックφ１，φ２が伝搬されない。このため、チャー
ジポンプ回路が動作しないという問題が発生することに
ついては前述した。
列８４，８６の電源には、チャージポンプ回路の出力す
る高圧電源（ＶＬＣＤ）が用いられる。インバータ列８
４，８６の各インバータは、ＰチャネルおよびＮチャネ
ルの高耐圧ＭＯＳトランジスタで構成され、Ｐチャネル
ＭＯＳトランジスタのソースには高圧電源（ＶＬＣＤ）
が与えられる。したがって、初期動作時に、高圧電源
（ＶＬＣＤ）電圧が低いと、インバータ列が動作せず、
クロックφ１，φ２が伝搬されない。このため、チャー
ジポンプ回路が動作しないという問題が発生することに
ついては前述した。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３２】以上のような制御回路の発生するクロック
は、図２のＭＯＳトランジスタのチャネル型に応じて極
性が選択されて、ＭＯＳトランジスタのゲートに与えら
れる。具体的には、図２の初期動作用トランジスタ６０
には反転されたクロックφ１Ｌが、トランジスタ６２に
はクロックφ１Ｌが、トランジスタ６４には反転された
クロックφ２Ｌが与えられる。
は、図２のＭＯＳトランジスタのチャネル型に応じて極
性が選択されて、ＭＯＳトランジスタのゲートに与えら
れる。具体的には、図２の初期動作用トランジスタ６０
には反転されたクロックφ１Ｌが、トランジスタ６２に
はクロックφ１Ｌが、トランジスタ６４には反転された
クロックφ２Ｌが与えられる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正内容】
【図２】
Claims (8)
- 【請求項１】複数個のコンデンサを入力電源で充電し、
充電された複数個のコンデンサを接続して昇圧して高圧
電源を与えるチャージポンプ回路と、このチャージポン
プ回路の前記充電および昇圧を行うための充電用および
昇圧用のスイッチへのクロックであって、前記高圧電源
の電圧レベルの第１のクロックを制御する制御回路とを
備える昇圧回路において、 前記チャージポンプ回路は、昇圧回路の初期動作時に、
初段の前記コンデンサを充電し昇圧する回路を有し、こ
の回路は、前記入力電源の電圧レベルの第２のクロック
で動作することを特徴とする昇圧回路。 - 【請求項２】前記回路は、 前記初段のコンデンサの両端にそれぞれ接続され、前記
第２のクロックで動作する２個の充電用スイッチと、 前記入力電源のラインと前記初段のコンデンサの一端と
の間に接続され、前記第２のクロックで動作する１個の
昇圧用スイッチと、 前記初段のコンデンサの他端と前記高圧電源のラインと
の間に隣接されたダイオードとからなることを特徴とす
る請求項１記載の昇圧回路。 - 【請求項３】前記制御回路は、 前記入力電源の電圧レベルの２相クロックを発生する発
振回路と、 前記２相クロックをそれぞれレベル変換して、前記充電
用および昇圧用の第１のクロックを形成するレベルシフ
タと、 前記充電用の第１のクロックを伝搬する第１のインバー
タ列と、 前記昇圧用の第１のクロックを伝搬する第２のインバー
タ列と、 前記２相クロックのうちの一方を充電用の前記第２のク
ロックとして伝搬する第３のインバータ列と、 前記２相クロックのうちの他方を昇圧用の前記第２のク
ロックとして伝搬する第４のインバータ列とを有し、前
記第１および第２のインバータ列は、前記高圧電源を電
源とすることを特徴とする請求項２記載の昇圧回路。 - 【請求項４】前記第１および第２のインバータ列は、前
記高圧電源の電圧レベルが不足して動作しない場合に、
前記レベルシフタからの第２のクロックを、“Ｌ”また
は“Ｈ”に固定することを特徴とする請求項３記載の昇
圧回路。 - 【請求項５】前記すべてのスイッチは、高耐圧ＭＯＳト
ランジスタで構成されていることを特徴とする請求項２
〜４のいずれかに記載の昇圧回路。 - 【請求項６】前記ダイオードは、前記初段のコンデンサ
の入力電源のライン側に接続された充電用スイッチが、
ＰチャネルＭＯＳトランジスタの場合には、その寄生ダ
イオードであることを特徴とする請求項５記載の昇圧回
路。 - 【請求項７】複数個のコンデンサを入力電源で充電し、
充電された複数個のコンデンサを接続し、昇圧して高圧
電源を与えるチャージポンプ回路と、このチャージポン
プ回路の前記充電および昇圧を行うための充電用および
昇圧用のスイッチへのクロックであって、前記高圧電源
の電圧レベルの第１のクロックを制御する制御回路とを
備える昇圧回路であって、前記チャージポンプ回路は、
昇圧回路の初期動作時に、初段の前記コンデンサを充電
し昇圧する回路を有する昇圧回路の駆動方法において、 電源投入時の初期動作時には、前記回路を、前記入力電
源の電圧レベルの第２のクロックで動作させることを特
徴とする昇圧回路の駆動方法。 - 【請求項８】前記回路を動作させたとき、前記初段のコ
ンデンサを充電し昇圧させた電圧をダイオードを介し
て、前記高圧電源に与え、 前記制御回路は、前記高圧電源を電源として動作するこ
とを特徴とする請求項７記載の昇圧回路の駆動方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03560299A JP3150127B2 (ja) | 1999-02-15 | 1999-02-15 | 昇圧回路 |
| KR1020000006946A KR100321558B1 (ko) | 1999-02-15 | 2000-02-15 | 저전압 전원에 대응한 승압 회로 |
| US09/504,591 US6278318B1 (en) | 1999-02-15 | 2000-02-15 | Booster circuit associated with low-voltage power source |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03560299A JP3150127B2 (ja) | 1999-02-15 | 1999-02-15 | 昇圧回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000236658A true JP2000236658A (ja) | 2000-08-29 |
| JP3150127B2 JP3150127B2 (ja) | 2001-03-26 |
Family
ID=12446382
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03560299A Expired - Fee Related JP3150127B2 (ja) | 1999-02-15 | 1999-02-15 | 昇圧回路 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
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