JP2000219879A - 蛍光体及びその製造方法 - Google Patents
蛍光体及びその製造方法Info
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- JP2000219879A JP2000219879A JP11022194A JP2219499A JP2000219879A JP 2000219879 A JP2000219879 A JP 2000219879A JP 11022194 A JP11022194 A JP 11022194A JP 2219499 A JP2219499 A JP 2219499A JP 2000219879 A JP2000219879 A JP 2000219879A
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- Compounds Of Alkaline-Earth Elements, Aluminum Or Rare-Earth Metals (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】輝度と寿命の双方について実用的な性能を有す
るＹＡＧ蛍光体を提供する。 【構成】Ｙ2 Ｏ3 ３８．５ｇ、Ａｌ2 Ｏ3 １８．３ｇ、
Ｇａ2 Ｏ3 ２２．５ｇ、Ｔｂ4 Ｏ7 ３．３ｇをそれぞれ
秤量する。これらの硝酸塩を作製し、常温にてアンモニ
ア水溶液中に滴下し、これら各元素を含む水酸化物を同
時に形成して沈殿させた。これを２時間程度熟成させて
乾燥させたものを原料とし、フラックスを用いずに１５
００℃２時間焼成してＹ3 （Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 ）
5 Ｏ12：Ｔｂ（Ｔｂ＝５ｍｏｌ％／Ｙ１ｍｏｌ）で表さ
れる蛍光体を作製した。エックス線回折によれば、本例
の蛍光体はＹＡＧ単一相になっており、余分な不純物を
含まない。結晶性が良好で、水分などを吸着しにくい。
本例の蛍光体を実装したＦＥＤと、フラックスを用いて
製造した従来の蛍光体を実装したＦＥＤを比較すると、
初期輝度と寿命特性両方とも本発明の方が優れている
るＹＡＧ蛍光体を提供する。 【構成】Ｙ2 Ｏ3 ３８．５ｇ、Ａｌ2 Ｏ3 １８．３ｇ、
Ｇａ2 Ｏ3 ２２．５ｇ、Ｔｂ4 Ｏ7 ３．３ｇをそれぞれ
秤量する。これらの硝酸塩を作製し、常温にてアンモニ
ア水溶液中に滴下し、これら各元素を含む水酸化物を同
時に形成して沈殿させた。これを２時間程度熟成させて
乾燥させたものを原料とし、フラックスを用いずに１５
００℃２時間焼成してＹ3 （Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 ）
5 Ｏ12：Ｔｂ（Ｔｂ＝５ｍｏｌ％／Ｙ１ｍｏｌ）で表さ
れる蛍光体を作製した。エックス線回折によれば、本例
の蛍光体はＹＡＧ単一相になっており、余分な不純物を
含まない。結晶性が良好で、水分などを吸着しにくい。
本例の蛍光体を実装したＦＥＤと、フラックスを用いて
製造した従来の蛍光体を実装したＦＥＤを比較すると、
初期輝度と寿命特性両方とも本発明の方が優れている
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＹＡＧ組成の蛍光
体とその製造方法に関する。
体とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】加速電圧が１ｋＶ以下で使用されるいわ
ゆる低速電子線用蛍光体には、蛍光体自体の抵抗が低い
ことが求められる。現在この要件を満たす材料としてＺ
ｎＳ：Ａｇなどのいわゆる硫化物蛍光体があるが、この
蛍光体は電子線照射により分解飛散して発光素子内のカ
ソードの劣化を引き起こし、ひいては発光素子自体の寿
命を低下させるなど信頼性の点で問題を抱えている。
ゆる低速電子線用蛍光体には、蛍光体自体の抵抗が低い
ことが求められる。現在この要件を満たす材料としてＺ
ｎＳ：Ａｇなどのいわゆる硫化物蛍光体があるが、この
蛍光体は電子線照射により分解飛散して発光素子内のカ
ソードの劣化を引き起こし、ひいては発光素子自体の寿
命を低下させるなど信頼性の点で問題を抱えている。
【０００３】特に、電界放出形表示装置（ＦＥＤ）で
は、陽極の蛍光体層とカソードが微小な間隔（例えば２
ｍｍ以下）で対向しているため、前記飛散物質や放出ガ
スによるエミッタの汚染が性能低下の大きな原因の一つ
になっており、現状である程度の信頼性が得られている
蛍光体はＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体のみである。
は、陽極の蛍光体層とカソードが微小な間隔（例えば２
ｍｍ以下）で対向しているため、前記飛散物質や放出ガ
スによるエミッタの汚染が性能低下の大きな原因の一つ
になっており、現状である程度の信頼性が得られている
蛍光体はＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体のみである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来、緑色発光蛍光体
として知られているＹＡＧ：Ｔｂ蛍光体は、蛍光体の構
成元素を含む原料物質であるＡｌ2 ０3 、Ｙ2 ０3 、Ｇ
ａ2 ０3 、Ｔｂ4 ０7 等の粉体を混合し、フラックスと
してアルカリまたはアルカリ土類の化合物（例えばＢａ
Ｆ2 、ＳｒＦ2 ）をこれに添加混合し、焼成して合成し
ていた。
として知られているＹＡＧ：Ｔｂ蛍光体は、蛍光体の構
成元素を含む原料物質であるＡｌ2 ０3 、Ｙ2 ０3 、Ｇ
ａ2 ０3 、Ｔｂ4 ０7 等の粉体を混合し、フラックスと
してアルカリまたはアルカリ土類の化合物（例えばＢａ
Ｆ2 、ＳｒＦ2 ）をこれに添加混合し、焼成して合成し
ていた。
【０００５】この様な製造方法によれば、投射管用途と
して使用可能な蛍光体組成物は得られるが、フラックス
として使用した化合物中の金属は蛍光体から完全には除
去できず、蛍光体粒子の間隔に不純物として存在する。
即ち、フラックスを用いた従来のＹＡＧ蛍光体の製造方
法では、単一組成が得られなかった。
して使用可能な蛍光体組成物は得られるが、フラックス
として使用した化合物中の金属は蛍光体から完全には除
去できず、蛍光体粒子の間隔に不純物として存在する。
即ち、フラックスを用いた従来のＹＡＧ蛍光体の製造方
法では、単一組成が得られなかった。
【０００６】そして、蛍光体粒子間に残存したフラック
スに由来するアルカリ元素やアルカリ土類元素はイオン
性が強く、Ｈ2 Ｏと反応しやすい。このため、前記製造
方法によるＹＡＧ蛍光体をＦＥＤに実装して通電する
と、吸着されていたＨ2 Ｏが電子の射突によって放出さ
れ、Ｈ2 Ｏに由来するＨがカソードのエミッタを酸化さ
せる（カソードの劣化）という問題が発生する。
スに由来するアルカリ元素やアルカリ土類元素はイオン
性が強く、Ｈ2 Ｏと反応しやすい。このため、前記製造
方法によるＹＡＧ蛍光体をＦＥＤに実装して通電する
と、吸着されていたＨ2 Ｏが電子の射突によって放出さ
れ、Ｈ2 Ｏに由来するＨがカソードのエミッタを酸化さ
せる（カソードの劣化）という問題が発生する。
【０００７】また、蛍光体粒子の間隔に不純物として残
存したアルカリ元素やアルカリ土類元素が蛍光体の結晶
性を乱して蛍光体としての寿命を低下させるという問題
もあった。
存したアルカリ元素やアルカリ土類元素が蛍光体の結晶
性を乱して蛍光体としての寿命を低下させるという問題
もあった。
【０００８】本発明は、合成時にフラックスを用いない
でＹＡＧ蛍光体を製造する方法と、このような方法によ
って合成することにより、電子の射突によるガスの発生
が少ないためＦＥＤにも適用できるＹＡＧ蛍光体を提供
することを目的としている。
でＹＡＧ蛍光体を製造する方法と、このような方法によ
って合成することにより、電子の射突によるガスの発生
が少ないためＦＥＤにも適用できるＹＡＧ蛍光体を提供
することを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載された蛍
光体は、Ｌｎ3 （Ａｌ1-x Ｇａx ）5 Ｏ12：Ｒｅ（Ｌｎ
＝Ｙ，Ｌａ，Ｇｄ、Ｒｅ＝Ｔｂ，Ｃｅ，Ｅｕ、０≦ｘ＜
１）からなり、前記組成以外の元素の含有量が５ｐｐｍ
以下であることを特徴としている。
光体は、Ｌｎ3 （Ａｌ1-x Ｇａx ）5 Ｏ12：Ｒｅ（Ｌｎ
＝Ｙ，Ｌａ，Ｇｄ、Ｒｅ＝Ｔｂ，Ｃｅ，Ｅｕ、０≦ｘ＜
１）からなり、前記組成以外の元素の含有量が５ｐｐｍ
以下であることを特徴としている。
【００１０】請求項２に記載された蛍光体は、請求項１
記載の蛍光体において、アルカリ元素の含有量が１ｐｐ
ｍ以下であることを特徴としている。
記載の蛍光体において、アルカリ元素の含有量が１ｐｐ
ｍ以下であることを特徴としている。
【００１１】請求項３に記載された蛍光体は、請求項１
記載の蛍光体において、アルカリ土類元素の含有量が１
ｐｐｍ以下であることを特徴としている。
記載の蛍光体において、アルカリ土類元素の含有量が１
ｐｐｍ以下であることを特徴としている。
【００１２】請求項４に記載された蛍光体の製造方法
は、Ｌｎ3 （Ａｌ1-x Ｇａx ）5 Ｏ12：Ｒｅ（Ｌｎ＝
Ｙ，Ｌａ，Ｇｄ、Ｒｅ＝Ｔｂ，Ｃｅ，Ｅｕ、０≦ｘ＜
１）で表される蛍光体の製造方法において、前記蛍光体
の構成元素の水溶性化合物を生成し、前記水溶性化合物
から前記構成元素の水酸化物を生成し、前記水酸化物を
焼成することを特徴とすることを特徴としている。
は、Ｌｎ3 （Ａｌ1-x Ｇａx ）5 Ｏ12：Ｒｅ（Ｌｎ＝
Ｙ，Ｌａ，Ｇｄ、Ｒｅ＝Ｔｂ，Ｃｅ，Ｅｕ、０≦ｘ＜
１）で表される蛍光体の製造方法において、前記蛍光体
の構成元素の水溶性化合物を生成し、前記水溶性化合物
から前記構成元素の水酸化物を生成し、前記水酸化物を
焼成することを特徴とすることを特徴としている。
【００１３】請求項５に記載された蛍光体の製造方法
は、請求項３記載の蛍光体の製造方法において、前記蛍
光体の構成元素の硝酸塩水溶液を生成し、尿素とアンモ
ニアからなる群から選択された物質を前記硝酸塩水溶液
に添加して前記構成元素の水酸化物を同時に生成して沈
殿させ、前記水酸化物を焼成することを特徴としてい
る。
は、請求項３記載の蛍光体の製造方法において、前記蛍
光体の構成元素の硝酸塩水溶液を生成し、尿素とアンモ
ニアからなる群から選択された物質を前記硝酸塩水溶液
に添加して前記構成元素の水酸化物を同時に生成して沈
殿させ、前記水酸化物を焼成することを特徴としてい
る。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明者等は、フラックスを用い
ずに単一相のＹＡＧ蛍光体を合成する方法として、複数
種類の合成原料を沈殿で落として合成する方法（共沈
法）を研究した。その結果、ＹＡＧ蛍光体の構成元素
（例えばＹ、Ａｌ、Ｇａ）の沈殿条件はそれぞれ異なる
ことが分かった。さらに、これら構成元素の沈殿条件に
ついて検討した結果、各構成元素がＹＡＧ蛍光体を構成
する組成となるように水酸化物として同時に沈殿させる
ことができる条件があることを見いだした。
ずに単一相のＹＡＧ蛍光体を合成する方法として、複数
種類の合成原料を沈殿で落として合成する方法（共沈
法）を研究した。その結果、ＹＡＧ蛍光体の構成元素
（例えばＹ、Ａｌ、Ｇａ）の沈殿条件はそれぞれ異なる
ことが分かった。さらに、これら構成元素の沈殿条件に
ついて検討した結果、各構成元素がＹＡＧ蛍光体を構成
する組成となるように水酸化物として同時に沈殿させる
ことができる条件があることを見いだした。
【００１５】具体的には、前記構成元素をそれぞれ含む
複数種類の原料物質（化合物）の硝酸水溶液を作り、こ
れに尿素（又はアンモニア）を添加して６０〜１００℃
に保持すると、尿素が分解してＰＨが変化し、前記構成
元素は水酸化物となって沈殿する。
複数種類の原料物質（化合物）の硝酸水溶液を作り、こ
れに尿素（又はアンモニア）を添加して６０〜１００℃
に保持すると、尿素が分解してＰＨが変化し、前記構成
元素は水酸化物となって沈殿する。
【００１６】水酸化物として共沈した複数種類の前記構
成元素は、原料の段階において原子レベルで混合されて
いる。この水酸化物をＸ線で観察すると、前記構成元素
が非晶質な状態でランダムに混合されていることが分か
る。この水酸化物を焼成すれば、不純物（例えばアルカ
リ金属やアルカリ土類金属等のように従来フラックスに
含まれていた成分）が少なく、結晶歪みの少ないＹＡＧ
蛍光体が得られる。
成元素は、原料の段階において原子レベルで混合されて
いる。この水酸化物をＸ線で観察すると、前記構成元素
が非晶質な状態でランダムに混合されていることが分か
る。この水酸化物を焼成すれば、不純物（例えばアルカ
リ金属やアルカリ土類金属等のように従来フラックスに
含まれていた成分）が少なく、結晶歪みの少ないＹＡＧ
蛍光体が得られる。
【００１７】このようにして作製された蛍光体は、フラ
ックスを用いていないにも係わらず単一組成が得られて
おり、結晶性に有害な歪みもなく、ＦＥＤに実装した場
合でもカソードの劣化が樹来よりも少ないことがわかっ
た。
ックスを用いていないにも係わらず単一組成が得られて
おり、結晶性に有害な歪みもなく、ＦＥＤに実装した場
合でもカソードの劣化が樹来よりも少ないことがわかっ
た。
【００１８】
【実施例】(1) 実施例１ イ）比較例の作成 従来法としてＹ2 Ｏ3 ３８．５ｇ、Ａｌ2 Ｏ3 １８．３
ｇ、Ｇａ2 Ｏ3 ２２．５ｇ、Ｔｂ4 Ｏ7 ３．３ｇをそれ
ぞれ秤量する。これらをエタノール中に分散した後に乾
燥し、さらにこれにＢａＦ2 を０．３ｍｏｌ／ＹＡＧｌ
ｍｏｌ添加し、よく混合した。これをアルミナルツボに
充填し、１５００℃で２時間焼成すると、組成式Ｙ
3 （Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 ）5 Ｏ12：Ｔｂ（Ｔｂ＝５ｍｏｌ
％／Ｙ１ｍｏｌ）で表される蛍光体が作製できた。別
に、フラックスを用いない他は同様の工程で合成した試
料も作製した。
ｇ、Ｇａ2 Ｏ3 ２２．５ｇ、Ｔｂ4 Ｏ7 ３．３ｇをそれ
ぞれ秤量する。これらをエタノール中に分散した後に乾
燥し、さらにこれにＢａＦ2 を０．３ｍｏｌ／ＹＡＧｌ
ｍｏｌ添加し、よく混合した。これをアルミナルツボに
充填し、１５００℃で２時間焼成すると、組成式Ｙ
3 （Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 ）5 Ｏ12：Ｔｂ（Ｔｂ＝５ｍｏｌ
％／Ｙ１ｍｏｌ）で表される蛍光体が作製できた。別
に、フラックスを用いない他は同様の工程で合成した試
料も作製した。
【００１９】フラックス法では単一のＹＡＧができるこ
とを確認したが、フラックス無しではＹＡＭ、ＹＡＰが
混在しており、輝度も他方の約６０％であった。これに
より、酸化物原料を用いてフラックス無しでＹＡＧ単一
組成を合成するのは困難であることが確認された。
とを確認したが、フラックス無しではＹＡＭ、ＹＡＰが
混在しており、輝度も他方の約６０％であった。これに
より、酸化物原料を用いてフラックス無しでＹＡＧ単一
組成を合成するのは困難であることが確認された。
【００２０】ロ）実施例１（共沈法） 比較例と同様の組成となるように各元素を含む硝酸塩を
作製し、常温にてアンモニア水溶液中に滴下し、これら
各元素を含む水酸化物として沈殿させた。これを２時間
程度熟成させて乾燥させたものを原料とし、フラックス
を用いずに同様条件で焼成して蛍光体を合成した。
作製し、常温にてアンモニア水溶液中に滴下し、これら
各元素を含む水酸化物として沈殿させた。これを２時間
程度熟成させて乾燥させたものを原料とし、フラックス
を用いずに同様条件で焼成して蛍光体を合成した。
【００２１】ハ）比較 共沈法による本例の試料（蛍光体）をエックス線回折に
より分析した結果、ＹＡＧの単一相が生成されているこ
とが確認できた。
より分析した結果、ＹＡＧの単一相が生成されているこ
とが確認できた。
【００２２】これにより、本方法で合成されたＹＡＧ蛍
光体はＹＡＧ単一相になっており、しかも余分な不純物
を含まないことが分かった。
光体はＹＡＧ単一相になっており、しかも余分な不純物
を含まないことが分かった。
【００２３】比較例と本例の各蛍光体について、フラッ
クス成分であるＢａの存在の有無を確認した。フラック
スを使用して製造した試料については、酸で十分に洗浄
してからＩＣＰにより分析したところ、約５０ｐｐｍの
Ｂａが検出された。フラックス無しで製造した比較例の
試料と、本例の共沈法による試料については、ＩＣＰに
より分析したところＢａは検出されなかった。
クス成分であるＢａの存在の有無を確認した。フラック
スを使用して製造した試料については、酸で十分に洗浄
してからＩＣＰにより分析したところ、約５０ｐｐｍの
Ｂａが検出された。フラックス無しで製造した比較例の
試料と、本例の共沈法による試料については、ＩＣＰに
より分析したところＢａは検出されなかった。
【００２４】本例の蛍光体（実施例１、ロ）と、比較例
の蛍光体（イ）を、９５％の湿度中に放置して加湿した
後、これらを真空容器中に置いて昇温し、それぞれのガ
ス放出量を測定した。比較例の蛍光体（イ）、即ちフラ
ックス使用試料が１００であるのに対し、実施例１
（ロ）の共沈法による試料では５０であった。このよう
に、蛍光体に水分吸蔵性の強い物質を付着させないため
にフラックスを使用しない製造方法を採用することによ
り、蛍光体の吸蔵ガス（特に水分）を低減できることが
わかる。
の蛍光体（イ）を、９５％の湿度中に放置して加湿した
後、これらを真空容器中に置いて昇温し、それぞれのガ
ス放出量を測定した。比較例の蛍光体（イ）、即ちフラ
ックス使用試料が１００であるのに対し、実施例１
（ロ）の共沈法による試料では５０であった。このよう
に、蛍光体に水分吸蔵性の強い物質を付着させないため
にフラックスを使用しない製造方法を採用することによ
り、蛍光体の吸蔵ガス（特に水分）を低減できることが
わかる。
【００２５】本例の蛍光体（実施例１、ロ）と、比較例
の蛍光体（イ）をそれぞれ用いて２つのＦＥＤ（Field
Emission Display）を作成した。図１はその構造を示す
断面図である。２つのＦＥＤは蛍光体が異なる他は同一
構造である。駆動条件も同一である。
の蛍光体（イ）をそれぞれ用いて２つのＦＥＤ（Field
Emission Display）を作成した。図１はその構造を示す
断面図である。２つのＦＥＤは蛍光体が異なる他は同一
構造である。駆動条件も同一である。
【００２６】図１に示すように、この電界放出形表示装
置１は、所定間隔をおいて対面する陰極基板２と陽極基
板３を有している。図１には示されていないが、陰極基
板２と陽極基板３の外周部の間にはスペーサ部材が設け
られて両基板を封着しており、全体として薄型パネル状
（略板状）の外囲器４が構成されている。外囲器４の内
部は高真空状態に排気されている。
置１は、所定間隔をおいて対面する陰極基板２と陽極基
板３を有している。図１には示されていないが、陰極基
板２と陽極基板３の外周部の間にはスペーサ部材が設け
られて両基板を封着しており、全体として薄型パネル状
（略板状）の外囲器４が構成されている。外囲器４の内
部は高真空状態に排気されている。
【００２７】陰極基板２の内面には、電界放出形陰極５
が形成されている。陰極基板２の内面には、陰極導体６
が形成されている。陰極導体６の上には絶縁層７が形成
されている。絶縁層７の上にはゲート電極８が形成され
ている。ゲート電極８と絶縁層７には、陰極導体６に達
する孔９が形成されている。孔９の底に露出した陰極導
体６の上にはコーン形状のエミッタ１０が形成されてい
る。本例では、陰極導体６とゲート電極８はそれぞれス
トライプ状であり、互いに交差してマトリクスを構成し
ている。
が形成されている。陰極基板２の内面には、陰極導体６
が形成されている。陰極導体６の上には絶縁層７が形成
されている。絶縁層７の上にはゲート電極８が形成され
ている。ゲート電極８と絶縁層７には、陰極導体６に達
する孔９が形成されている。孔９の底に露出した陰極導
体６の上にはコーン形状のエミッタ１０が形成されてい
る。本例では、陰極導体６とゲート電極８はそれぞれス
トライプ状であり、互いに交差してマトリクスを構成し
ている。
【００２８】陽極基板３の内面には、陽極１１が形成さ
れている。陽極基板３の内面には透光性と導電性をを有
する陽極導体１２が形成されている。陽極導体１２は、
例えばＩＴＯによって構成することができる。陽極導体
１２の上には、蛍光体層１３が形成されている。本例で
は、陽極導体１２及び蛍光体層１３はべた状に形成され
ている。
れている。陽極基板３の内面には透光性と導電性をを有
する陽極導体１２が形成されている。陽極導体１２は、
例えばＩＴＯによって構成することができる。陽極導体
１２の上には、蛍光体層１３が形成されている。本例で
は、陽極導体１２及び蛍光体層１３はべた状に形成され
ている。
【００２９】陰極導体又はゲート電極の一方に走査信号
を与え、これに同期して他方に表示信号を加える。陰極
導体とゲート電極に選択されたマトリクスの交点にある
エミッタから電子が放出され、常時正に印加されている
陽極の対向する部分に射突して蛍光体層を発光させる。
蛍光体層の発光は、透光性の陽極導体と陽極基板を会し
て陽極基板の外側から観察される。
を与え、これに同期して他方に表示信号を加える。陰極
導体とゲート電極に選択されたマトリクスの交点にある
エミッタから電子が放出され、常時正に印加されている
陽極の対向する部分に射突して蛍光体層を発光させる。
蛍光体層の発光は、透光性の陽極導体と陽極基板を会し
て陽極基板の外側から観察される。
【００３０】作製した前記２つのＦＥＤの寿命試験結果
を図２に示す。このように水酸化物共沈法により製造し
た本例の蛍光体を有するＦＥＤによれば、初期輝度と寿
命特性両方とも優れていることがわかった。
を図２に示す。このように水酸化物共沈法により製造し
た本例の蛍光体を有するＦＥＤによれば、初期輝度と寿
命特性両方とも優れていることがわかった。
【００３１】(2) 実施例２ 実施例１と同様の水酸化物共沈法を用いた。前記一般式
において、ＬｎとしてはＹの代わりにＧｄを用い、Ｇａ
量はＸ＝０、ＲｅとしてはＴｂを用いた。蛍光体Ｇｄ3
Ａｌ5 Ｏ12：Ｔｂを得た。
において、ＬｎとしてはＹの代わりにＧｄを用い、Ｇａ
量はＸ＝０、ＲｅとしてはＴｂを用いた。蛍光体Ｇｄ3
Ａｌ5 Ｏ12：Ｔｂを得た。
【００３２】実施例１と同様の手法で評価したところ、
フラックス法の試料のガス量１００に対し本願方法では
約６０と良好な値を示した。
フラックス法の試料のガス量１００に対し本願方法では
約６０と良好な値を示した。
【００３３】(3) 実施例３ 実施例１と同様の水酸化物共沈法を用いた。前記一般式
において、ＬｎとしてはＹを用い、Ｇａ量はＸ＝０．４
５、発光中心ＲｅとしてはＥｕを用いた。蛍光体Ｙ
3 （Ａｌ0.55Ｇａ0.45）5 Ｏ12：Ｅｕを得た。
において、ＬｎとしてはＹを用い、Ｇａ量はＸ＝０．４
５、発光中心ＲｅとしてはＥｕを用いた。蛍光体Ｙ
3 （Ａｌ0.55Ｇａ0.45）5 Ｏ12：Ｅｕを得た。
【００３４】実施例１と同様の手法で評価した。エック
ス線回折による分析結果でＹＡＧ単一相を確認した。ま
た、寿命評価の結果、１０００時間後の輝度残存率は約
８０％と良好な値を示した。
ス線回折による分析結果でＹＡＧ単一相を確認した。ま
た、寿命評価の結果、１０００時間後の輝度残存率は約
８０％と良好な値を示した。
【００３５】(4) 実施例４ 実施例２で同様にして、ＹをＬａに変更したが、同様の
効果が得られた。
効果が得られた。
【００３６】(5) 実施例５ 実施例２で同様にして、発光センターをＣｅに変更した
が、同様の効果が得られた。
が、同様の効果が得られた。
【００３７】
【発明の効果】本発明によれば、ＹＡＧ蛍光体の構成元
素の水溶性化合物を生成し、これから構成元素の水酸化
物を同時に生成して沈殿させ、さらにこの水酸化物を焼
成してＹＡＧ蛍光体を生成している。このため、原料の
段階から構成元素が原子レベルで均一に混合されてお
り、しかもフラックスを使用しないのでアルカリ金属や
アルカリ土類金属等の不純物の含有量が低い。従って、
次のような効果が得られる。単一組成が得られた。
素の水溶性化合物を生成し、これから構成元素の水酸化
物を同時に生成して沈殿させ、さらにこの水酸化物を焼
成してＹＡＧ蛍光体を生成している。このため、原料の
段階から構成元素が原子レベルで均一に混合されてお
り、しかもフラックスを使用しないのでアルカリ金属や
アルカリ土類金属等の不純物の含有量が低い。従って、
次のような効果が得られる。単一組成が得られた。
【００３８】１．フラックスに由来するイオン性が強い
アルカリ元素やアルカリ土類元素が残存しないので、蛍
光体は水分等を吸着しない。従って、この蛍光体をＦＥ
Ｄの陽極に用いた場合、カソードのエミッタに有害なガ
スを放出しない。
アルカリ元素やアルカリ土類元素が残存しないので、蛍
光体は水分等を吸着しない。従って、この蛍光体をＦＥ
Ｄの陽極に用いた場合、カソードのエミッタに有害なガ
スを放出しない。
【００３９】２．蛍光体粒子の間隔にフラックスに由来
する不純物が残存しにくいので、蛍光体の結晶性が乱さ
れにくく、蛍光体としての寿命はフラックスを使用して
製造した従来の蛍光体よりも改善される。
する不純物が残存しにくいので、蛍光体の結晶性が乱さ
れにくく、蛍光体としての寿命はフラックスを使用して
製造した従来の蛍光体よりも改善される。
【００４０】３．以上のことから、信頼性、寿命特性の
良好な蛍光体を提供でき、特に蛍光体からのガスの影響
が顕著なＦＥＤの発光部分に用いれば、信頼性、寿命特
性の良好なＦＥＤを提供できるという効果がある。
良好な蛍光体を提供でき、特に蛍光体からのガスの影響
が顕著なＦＥＤの発光部分に用いれば、信頼性、寿命特
性の良好なＦＥＤを提供できるという効果がある。
【図１】本発明の実施例の蛍光体が適用されるＦＥＤの
断面図である。
断面図である。
【図２】本例の蛍光体（実施例１、ロ）を用いたＦＥＤ
と、比較例の蛍光体（イ）を用いたＦＥＤの寿命試験の
結果を示す図である。
と、比較例の蛍光体（イ）を用いたＦＥＤの寿命試験の
結果を示す図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 土岐 均 千葉県茂原市大芝629 双葉電子工業株式 会社内 (72)発明者 野村 裕司 千葉県茂原市大芝629 双葉電子工業株式 会社内 Ｆターム(参考） 4G076 AA02 AA18 AB06 AB07 BA13 BA38 BE11 CA36 DA30 4H001 CA04 CA06 CF02 XA08 XA13 XA31 XA39 XA57 XA64 YA58 YA63 YA65
Claims (5)
- 【請求項１】 Ｌｎ3 （Ａｌ1-x Ｇａx ）5 Ｏ12：Ｒｅ
（Ｌｎ＝Ｙ，Ｌａ，Ｇｄ、Ｒｅ＝Ｔｂ，Ｃｅ，Ｅｕ、０
≦ｘ＜１）からなり、前記組成以外の元素の含有量が５
ｐｐｍ以下であることを特徴とする蛍光体。 - 【請求項２】 アルカリ元素の含有量が１ｐｐｍ以下で
ある請求項１記載の蛍光体。 - 【請求項３】 アルカリ土類元素の含有量が１ｐｐｍ以
下である請求項１記載の蛍光体。 - 【請求項４】 Ｌｎ3 （Ａｌ1-x Ｇａx ）5 Ｏ12：Ｒｅ
（Ｌｎ＝Ｙ，Ｌａ，Ｇｄ、Ｒｅ＝Ｔｂ，Ｃｅ，Ｅｕ、０
≦ｘ＜１）で表される蛍光体の製造方法において、 前記蛍光体の構成元素の水溶性化合物を生成し、前記水
溶性化合物から前記構成元素の水酸化物を同時に生成
し、前記水酸化物を焼成することを特徴とする蛍光体の
製造方法。 - 【請求項５】 Ｌｎ3 （Ａｌ1-x Ｇａx ）5 Ｏ12：Ｒｅ
（Ｌｎ＝Ｙ，Ｌａ，Ｇｄ、Ｒｅ＝Ｔｂ，Ｃｅ，Ｅｕ、０
≦ｘ＜１）で表される蛍光体の製造方法において、 前記蛍光体の構成元素の硝酸塩水溶液を生成し、尿素と
アンモニアからなる群から選択された物質を前記硝酸塩
水溶液に添加して前記構成元素の水酸化物を同時に生成
して沈殿させ、前記水酸化物を焼成することを特徴とす
る蛍光体の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11022194A JP2000219879A (ja) | 1999-01-29 | 1999-01-29 | 蛍光体及びその製造方法 |
| KR1020000002802A KR20000053557A (ko) | 1999-01-22 | 2000-01-21 | 형광체 및 형광체를 사용한 형광표시장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11022194A JP2000219879A (ja) | 1999-01-29 | 1999-01-29 | 蛍光体及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000219879A true JP2000219879A (ja) | 2000-08-08 |
Family
ID=12076003
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11022194A Pending JP2000219879A (ja) | 1999-01-22 | 1999-01-29 | 蛍光体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000219879A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002194346A (ja) * | 2000-12-22 | 2002-07-10 | Sumitomo Chem Co Ltd | アルミン酸塩蛍光体の製造方法 |
| JP2003133594A (ja) * | 2001-10-19 | 2003-05-09 | Seiwa Electric Mfg Co Ltd | 発光ダイオードランプとこれを用いた照明器具 |
| CN102115670A (zh) * | 2009-12-30 | 2011-07-06 | 奇美实业股份有限公司 | 萤光体及含有该萤光体的发光装置 |
| US8198798B2 (en) | 2010-05-07 | 2012-06-12 | Chi Mei Corporation | Fluorescent substance having a controlled impurity doping of zinc and light-emitting device using the same |
| JP7459593B2 (ja) | 2020-03-19 | 2024-04-02 | 株式会社プロテリアル | セラミック蛍光材料、シンチレータアレイ、放射線検出器および放射線コンピュータ断層撮影装置 |
-
1999
- 1999-01-29 JP JP11022194A patent/JP2000219879A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002194346A (ja) * | 2000-12-22 | 2002-07-10 | Sumitomo Chem Co Ltd | アルミン酸塩蛍光体の製造方法 |
| JP2003133594A (ja) * | 2001-10-19 | 2003-05-09 | Seiwa Electric Mfg Co Ltd | 発光ダイオードランプとこれを用いた照明器具 |
| CN102115670A (zh) * | 2009-12-30 | 2011-07-06 | 奇美实业股份有限公司 | 萤光体及含有该萤光体的发光装置 |
| US8198798B2 (en) | 2010-05-07 | 2012-06-12 | Chi Mei Corporation | Fluorescent substance having a controlled impurity doping of zinc and light-emitting device using the same |
| JP7459593B2 (ja) | 2020-03-19 | 2024-04-02 | 株式会社プロテリアル | セラミック蛍光材料、シンチレータアレイ、放射線検出器および放射線コンピュータ断層撮影装置 |
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