KR20000053557A - 형광체 및 형광체를 사용한 형광표시장치 - Google Patents

Abstract

내부가 고진공상태로 배기된 외위기(4)와, 외위기의 내부에 설치된 전계방출형음극(5)과, 외위기의 내부에 전계방출형음극에 대면하여 설치된 형광체층(13)을 갖는 양극(11)을 구비한 전계방출형 표시장치(1)에 있어서, 형광체 층이, Ln₃(Al_1-xGa_x)₅O₁₂: Re (다만 Ln=Y, La, Gd, Re=Tb, Ce, Eu, 0.8x

Description

형광체 및 형광체를 사용한 형광표시장치{PHOSPHOR AND FLUORESCENT DISPLAY DEVICE HAVING SAME INCORPORATED THEREIN}

본 발명은 음극에서 전계방출된 전자를 양극의 형광체에 사돌시켜 발광을 얻는 형광체 및 이 형광체를 이용한 형광표시장치에 관한 것이다. 본 발명은 특히 휘도와 수명 특성에 우수한 YAG 조성의 형광체 및 이 형광체를 갖는 형광표시장치에 관한 것이다.

가속전압이 2kV 이하로 사용되는 소위 저속 전자선용 형광체에는 형광체 자체의 저항이 낮은 것이 요구된다. 현재 이 요건을 만족하는 재료로서 ZnS: Ag 등의 소위 황화물형광체가 있지만, 이 형광체는 전자선 조사에 의하여 분해 비산하고 소자내의 캐소드의 열화를 일으키고, 나아가서는 발광소자 자체의 수명을 저하시키는 등 신뢰성에서 문제가 있다. 특히, 전계방출형음극을 사용한 형광표시장치에서는 상기 비산물질에 의한 이미터의 오염이 성능 저하의 큰 원인중 하나가 되고 있다.

이와 같은 문제를 해결하기 위하여 전자선에 의하여 분해하기 어려운 조성의 재료가 요구되지만, 이와 같은 재료의 대부분은 절연물인 경우가 많다. 그러나 최근에는 저항이 낮고 분해하기 어려운 형광체로서, ZnGa₂O₄: Mn, ZnGa₂O₄등이 제안되어 있지만, 충분한 휘도를 얻을 수 없다. 또 절연성의 형광체에 In₂O₃등의 도전물질을 첨가하여 형광체막의 저항을 내린다라는 제안도 있다. 그러나, 이와 같은 재료는 확실히 형광체의 저항은 낮지만 휘도도 낮고, 실용되기에는 어렵다. 또 도전물질을 첨가하는 방법에서는 도전물질에 의한 무효전류가 늘고 이로인한 발열등이 신뢰성 저하의 원인이 된다.

본 출원인은 저저항으로 발광휘도가 높은 황화물 이외의 저속 전자선용 형광체로서, Ln₃(Al_1-xGa_x)₅O₁₂: Re (다만, Ln=Y, La, Gd, Re=Tb, Ce, Eu, 0.4x0.8)로 표시되는 형광체를 제안하였다.

통상 3가 이외에 1가를 갖는 Ga의 고용량 x를 상기와 같은 범위로 한정함으로써, 상기 형광체에 있어서는 산소결함이 생기기 쉽고, 이로서 발생한 짝안지운전자(unpaired electron)가 도전성을 향상시켜, 저항이 작아졌다고 생각되고 있었다. 이와같이 상기 형광체에는 도전물질을 첨가할 필요가 없으므로, 도전물질에 의한 무효전류가 발열을 발생하여 신뢰성이나 휘도의 저하를 초래해 버리는 일없이 저속 전자선에 의하여 실용적인 발광휘도가 얻어진다라고 생각된다.

그러나, 상술한 형광체에는 수명이 짧다라는 문제가 있었다. 이는 본 발명자 등의 식견에 의하면, Al와 Ga의 이온반경이 다르기 때문에, 결정에 변형이 생기기 때문이라고 고려된다. 따라서, 상술한 종래의 형광체를 전계방출형 표시장치의 양극에 실장하여 평가하면, 설령 휘도가 충분하더라도, 형광체 자체의 열화를 나타내는 발광 효율의 저하가 현저하기 때문에, 발광소자로서는 실용성이 없다라는 문제가 있다.

본 발명은 상술한 형광체를 개량하여 휘도와 동시에 수명에 대하여도 만족할 수 있는 성능을 달성하고, 이것을 사용하여 휘도와 수명의 쌍방에 대하여 실용적인 성능을 갖는 형광체 및 이와같은 형광체를 구비한 형광표시장치를 실현하는 것을 목적으로 하고 있다.

본 발명의 형광체는 Ln₃(Al_1-xGa_x)₅O₁₂: Re (다만 Ln=Y, La, Gd, Re=Tb, Ce, Eu, 0.8x1.0)로 표시되는 것을 특징으로 한다.

또, 본 발명의 형광표시장치는 내부가 고진공상태로 배기된 외위기와, 상기 외위기의 내부에 설치된 전자원과, 상기 외위기의 내부에 상기 전자원에 대면하여 설치된 형광체를 갖는 양극을 갖는 형광표시장치에 있어서, 상기 형광체가 Ln₃(Al_1-xGa_x)₅O₁₂: Re (다만 Ln=Y, La, Gd, Re=Tb, Ce, Eu, 0.8x1.0)로 표시되는 형광체인 것을 특징으로 하고 있다. 본 발명의 형광표시장치의 상기 양극에는 2kV 이하의 양극전압이 인가된다.

도 1는 본 발명의 실시형태의 일예인 전계방출형 표시장치의 단면도,

도 2는 Ga 함유율 X와 상대휘도의 관계를 도시한 그래프,

도 3은 발광개시 애노드 전압과 상대휘도의 관계를 도시한 그래프,

도 4는 Ga 함유율 X과 휘도 잔존율(수명)의 관계를 도시한 그래프,

도 5는 본 예의 형광체(실시예 1)를 사용한 FED와, 비교예의 형광체를 사용한 FED의 수명시험의 결과를 도시하는 도면.

본 발명은 형광표시장치에 관한 것이다. 형광표시장치의 일실시예로서 도 1에 도시하는 전계방출형 표시장치(1)는 소정간격을 두고 대면하는 음극기판(2)과 양극기판(3)을 갖고 있다. 도 1에는 도시되어 있지 않지만, 음극기판(2)과 양극기판(3)의 외주부 사이에는 스페이서 부재가 설치되어 양기판을 봉착하여 있고, 전체로서 박형 패널형상(대략 판형상)의 외위기(4)가 구성되어 있다. 외위기(4)의 내부는 고진공상태로 배기되어 있다.

음극기판(2)의 내면에는 전계방출형음극(5)이 형성되어 있다. 음극기판(2)의 내면에는 음극도체(6)가 형성되어 있다. 음극도체(6) 상에는 절연층(7)이 형성되어 있다. 절연층(7)상에는, 게이트전극(8)이 형성되어 있다. 게이트전극(8)과 절연층(7)에는 음극도체에 도달하는 구멍(9)이 형성되어 있다. 구멍(9) 밑에 노출된 음극도체(6)상에는 콘형상의 이미터(10)가 형성되어 있다. 본 예에서는 음극도체(6)와 게이트 전극(8)은 각각 스트라이프형상이고, 서로 교차하여 매트릭스를 구성하고 있다.

양극기판(3)의 내면에는 양극(11)이 형성되어 있다. 양극기판(3)의 내면에는 투광성과 도전성을 갖는 양극도체(12)가 형성되어 있다. 양극도체(12)는 예를들면 ITO에 의하여 구성할 수가 있다. 양극도체(12) 상에는 형광체층(13)이 형성되어 있다. 본 예에서는 양극도체(12) 및 형광체층(13)는 전면상태로 형성되어 있다.

본 발명의 형광체는 Ln₃(Al_1-xGa_x)₅O₁₂: Re (다만 Ln=Y, La, Gd, Re=Tb, Ce, Eu, 0.8x1.0)로 표시되는 형광체이다. x의 범위를 이와같이 한정함으로써, 이형광체는 저저항으로, 발광휘도가 높고, 게다가 충분한 수명을 갖는 것으로 되었다.

이 전계방출형 표시장치(1)를 구동하는데는 음극도체(6)와 게이트전극(8)의 한쪽을 주사하고, 이에 동기하여 다른 편에 표시신호를 입력한다. 양극(11)에는 상기 표시전압을 부여하여 둔다. 음극도체(6)와 게이트전극(8)으로 구성되는 매트릭스의 선택된 개소로 부터 전자가 방출되고, 이에 대응하는 양극(11)의 일부에 전자가 사돌하여 형광체층(13)의 일부를 발광시킨다. 이로서 양극(11)에 있어서 임의의 그래픽 표시를 행할 수가 있다.

(실시예)

고속에서는 Al/Ga 비로 Ga 비가 커지면 수명이 나빠진다고 알려져 있다. 그러나 소위 2kV 이하의 저속 전자선의 경우는 형광체 도포층의 전기전도가 중요하다. 즉, 저항치가 높으면 전류가 형광체층의 극표면에 집중하고, 또, 저항에 의한 발열로 형광체의 온도가 올라가고 수명특성이 나빠진다고 생각된다.

또, 일반식 Ln₃(Al_1-xGa_x)₅O₁₂: Re (다만 Ln=Y, La, Gd, Re=Tb, Ce, Eu)의 형광체에 있어서, Ga는 통상 3가 이지만, 1가 상태도 존재하기 때문에, Ga 비율을 늘리면 도전성이 개선된다고 고려된다.

(1) 실시예 1

Y₂O₃38.5g, Al₂O₃18.3g, Ga₂O₃22.5g, Tb₄O₇3.3g를 각각 칭량하여 에탄올 중에서 분산후 건조하고, 더욱더 여기에 플럭스로서 BaCl₂를 0.3㏖/YAG 1㏖ 첨가하여 충분히 혼합하였다. 이것을 알루미나도가니에 충전(充塡)하고, 1500℃에서 2시간 소성하면, 조성식 Y₃(Al_0.6Ga_0.4)₅O₁₂: Tb (Tb=5㏖%/Y1㏖)로 표시되는 형광체가 제작된다.

이와같은 방법에 의하여 상기 일반식에 있어서 X=0에서 1까지의 몇개의 값에 대하여 상기 형광체의 시료를 제작하였다. 또 이때, 소성은 질소중에서 행하였다.

이 형광체를 질산으로 세정후 분구 건조한 후, 이 형광체에 에틸셀룰로스 바인더를 조합하는 비클(vehicle)을 사용하여 페이스트로 하고, ITO 전극으로 이루어지는 애노드기판상에 스크린 인쇄법으로 도포하고, 500℃ 대기중에서 소성하고 바인더를 제거하고, 형광체를 도포한 애노드기판을 형광체의 각 시료 마다 제작하였다. 이 애노드기판을 사용하여, 상술한 바와 같은 구조의 FED를 형광체의 각 시료 마다 제작하여 평가용의 소자로 하였다.

도 2는 애노드전압 600V 시의 Ga 함유율 X(Al/Ga비)와 상대휘도의 관계를 도시한 것이다. 도 3은 동일하게 발광 개시 애노드전압과 상대휘도의 관계를 도시한 것이다. 도 3에 있어서 발광 개시 전압이 낮아진다고 하는 것은 형광체 표면에서의 차아지업이 낮은 전압으로 해소되는 것을 의미하고, 형광체 자체의 저항치가 작아져 있는 것을 나타낸다.

Ga가 많은 편이 저항치가 낮은 경향을 보이지만, 이는 Ga는 통상의 3가 이외에 1가를 갖기 때문에, Ga의 고용에 의하여 용이하게 산소결함이 생기기 쉬워지므로 이것이 도전성에 관여하여 있다고 생각된다. 이들 시료에 대하여 수명시험을 행한 결과는 도 4에 도시되어 있다. 이와같이 Ga 조성비가 커짐에 따라 수명특성이 개선되는 것을 알수 있다.

이상의 실험결과 또는 각 시료의 비교로 부터, 상기 일반식의 형광체에 있어서 X의 수치범위를 0.8이상 1이하로 하면, 본 발명의 목적은 달성되는 것으로 생각된다. 즉, 특히 FED용의 형광체에 용도를 한정하여 고려하면, 상기 일반식의 형광체에 있어서는 X의 범위는 0.8×1이 바람직하다. 이에 대하여 종래의 X의 수치범위에서는 초기휘도는 높지만 수명이 좋지 않으므로 FED에 사용하는 형광체로서는 바람직하지 않다.

(2) 실시예 2

마찬가지로, Y₂O₃대신에 Gd₂O₃를 사용하여 Ga₂O₃량을 변경하여, X=0.95의 시료 Gd₃(Al_0.05Ga_0.95)O₁₂: Tb와, X=0.45의 비교시료 Gd₃(Al_0.55Ga_0.45)₅O₁₂: Tb를 제작하여, 동일하게 각각 FED에 실장하여 수명특성을 비교평가하였다. 수명시험시간 500시간으로 평가한 즉, X=0.45의 비교시료가 초기휘도의 30%로 저하한 것에 대하여, 본 발명의 실시예인 X=0.95의 시료는 초기휘도의 85%로 양호한 값을 나타내었다.

(3) 실시예 3

발광중심에 Eu₂O₃을 사용하여 Ga₂O₃량이 X=1의 시료 Y₃Ga₅O₁₂: Eu와, X=0.45의 비교시료 Y₃(Al_0.55Ga_0.45)₅O₁₂: Eu를 각각 제작하고, 마찬가지로, FED에 각각 실장하여 비교 평가하였다. 더욱 Eu의 농도는 3㏖%/Y로 하였다. 결과는 X=0.45의 비교시료의 휘도 100에 대하여, 본 발명의 실시예인 X=1의 시료는 170의 적색의 휘도를 나타내었다. 발광 개시 전압도 X=0.45의 비교시료의 200V에 대하여, 본 실시예의 시료는 100V로 낮고, 형광체의 저항이 작게 되어 있는 것을 나타내었다. 동일하게 하여 수명시험을 행한 결과, 비교시료가 당초 휘도의 20%로 저하한 것에 대하여, 본 실시예의 시료는 75%의 잔존율이었다.

더욱이, 상기 일반식에 있어서 Ln이 La인 경우에는 원료물질로서는 La₂O₃를 사용한다. 상기 일반식에 있어서 Re이 Ce인 경우에는 원료물질로서는 CeO₂를 사용한다. 이들의 물질을 사용한 형광체의 합성방법은 상기 제1∼제3실시예와 거의 동일하다.

상기의 YAG 조성의 형광체는 형광체의 구성원소를 포함하는 원료물질인 Al₂O₃, Y₂O₃, Ga₂O₃, Tb₄O₇등의 분체를 혼합하고, 플럭스로서 알칼리 또는 알칼리토류의 화합물을 이에 첨가 혼합하고, 소성하여 합성하였다. 그러나 본 발명의 형광체는 플럭스를 사용하지 않고 합성하는 것도 가능하다.

본 발명자 등은 플럭스를 사용하지 않고 단일상의 YAG 형광체를 합성하는 방법으로서, 복수 종류의 합성원료를 침전으로 떨어뜨러 합성하는 방법(공침법)을 연구하였다. 그결과, YAG 형광체의 구성원소(예를들면 Y, Al, Ga)의 침전조건은 각각 다른다는 것을 알았다. 더욱더, 이들 구성원소의 침전 조건에 대하여 검토한 결과, 각 구성원소가 YAG 형광체를 구성하는 조성으로 되도록 수산화물로서 동시에 침전시킬 수 있는 조건이 있음을 발견하였다.

구체적으로는 상기 구성원소를 각각 포함하는 복수 종류의 원료물질(화합물)의 질산수용액을 만들고, 여기에 요소(또는 암모니아)를 첨가하여 60∼100℃로 유지하면 요소가 분해하여 PH가 변화하고, 상기 구성원소는 수산화물로 되어 침전한다.

수산화물로서 공침한 복수 종류의 상기 구성원소는 원료의 단계에 있어서, 원자레벨로 혼합되어 있다. 이 수산화물을 X선으로 관찰하면, 상기 구성원소가 비정질인 상태로 랜덤하게 혼합되어 있는 것을 알수 있다. 이 수산화물을 소성하면, 불순물(예를들면 알칼리금속이나 알칼리토류 금속 등과 같이 종래 플럭스에 포함되어 있던 성분)이 적고, 결정 변형이 적은 YAG 형광체가 얻어진다.

이와같이하여 제작된 형광체는 플럭스를 사용하지 않음에도 불구하고, 단일 조성이 얻어지고 있어, 결정성에 유해한 변형도 없고, FED에 실장한 경우일지라도 캐소드의 열화가 종래 보다도 적은 것을 알았다.

(4) 실시예 4

비교예의 제작

종래법으로서 Y₂O₃38.5g, Al₂O₃18.3g, Ga₂O₃22.5g, Tb₄O₇3.3g를 각각 칭량한다. 이들을 에탄올 중에 분산후에 건조하고, 더욱더 여기에 BaF₂를 0.3ml/YAG 1㏖ 첨가하고, 충분히 혼합하였다. 이것을 알루미나 도가니에 충전하고, 1500℃에서 2시간 소성하면, 조성식 Y₃(Al_0.6Ga_0.4)₅O₁₂: Tb (Tb=5㏖%/Y1㏖)로 표시되는 형광체가 작성되었다. 별도로 플럭스를 사용하지 않은 외는 동일한 공정으로 합성한 시료로 제작하였다.

플럭스법에서는 단일한 YAG가 생기는 것을 확인하였지만, 플럭스 없이 YAM, YAP가 혼재하여 있고, 휘도도 다른편의 약 60%이었다. 이로서, 산화물 원료를 사용하여 플럭스 없이 YAG 단일 조성을 합성하는 것은 곤난한 것이 확인되었다.

(5) 실시예 5 (공침법)

비교예와 동일한 조성이 되도록 각 원소를 포함하는 질산염을 제작하고, 상온에서 암모니아 수용액중에 적하하여, 이들 각 원소를 포함하는 수산화물로서 침전시켰다. 이것을 2시간 정도 숙성시켜 건조시킨 것을 원료로하여, 플럭스를 사용하지 않고 동일한 조건으로 소성하여 형광체를 합성하였다.

비교

공침법에 의한 본예의 시료(형광체)를 X선 회절에 의하여 분석한 결과, YAG의 단일상이 생성되어 있는 것이 확인되었다.

이로서, 본 발명으로 합성된 YAG 형광체는 YAG 단일상으로 되어 있고, 게다가 여분의 불순물을 포함하지 않는 것을 알았다.

비교예와 본예의 각 형광체에 대하여, 플럭스 성분인 Ba의 존재의 유무를 확인하였다. 플럭스를 사용하여 제조한 시료에 대하여는 산으로 충분히 세정한 후 ICP에 의하여 분석한 즉, 약 50ppm의 Ba가 검출되었다. 플럭스 없이 제조한 비교예의 시료와 본예의 공침법에 의한 시료에 대하여는 ICP에 의하여 분석한 즉, Ba는 검출하지 않았다.

본예의 형광체(실시예 5)와 비교예 4의 형광체를 95%의 습도중에 방치하여 가습한 후, 이들을 진공용기중에 놓고 승온하여, 각각의 가스방출량을 측정하였다. 비교예 4의 형광체, 즉, 플럭스 사용 시료가 100인데 대하여, 실시예 5의 공침법에 의한 시료에서는 50이었다. 이와같이, 형광체에 수분흡장성이 강한 물질을 부착시키지 않기 때문에 플럭스를 사용하지 않는 제조방법을 채용함으로써, 형광체의 흡장가스(특히 수분)를 저감할 수 있음을 알았다.

본예의 형광체(실시예 5)와 비교예 4의 형광체(ㄱ)를 각각 사용하여 도 1에 도시하는 2개의 전계방출형 표시장치(1)를 제작하고, 동일의 구동조건으로 측정하였다.

제작한 상기 2개의 전계방출형 표시장치의 수명 시험결과를 도 5에 도시한다. 이와같이 수산화물 공침법에 의하여 제조한 형광체를 갖는 전계방출 표시장치에 의하면, 초기 휘도와 수명특성 양쪽 모두 우수한 것을 알수 있다.

(6) 실시예 6

실시예 5와 같은 수산화물 공침법을 사용하였다. 상기 일반식에 있어서, Ln으로서는 Y 대신에 Gd를 사용하고, Ga 양은 X=0, Re로서는 Tb를 사용하였다. 형광체 Gd₃Al₅O₁₂: Tb를 얻었다.

실시예 5와 같은 수법으로 평가한 즉, 플럭스법의 시료의 가스량 100에 대하여 본원 방법에서는 약 60로 양호한 값을 나타내었다.

(7) 실시예 7

실시예 5와 꼭같은 수산화물 공침법을 사용하였다. 상기 일반식에 있어서, Ln로서는 Y를 사용하고, Ga 양은 X=0.45, 발광중심 Re으로서는 Eu를 사용하였다. 형광체 Y₃(Al_0.55Ga_0.45)₅O₁₂: Eu를 얻었다.

실시예 5와 꼭같은 수법으로 평가하였다. X선 회절에 의한 분석결과로 YAG 단일상을 확인하였다. 또 수명 평가의 결과, 1000시간 후의 휘도 잔존율은 약 80%로 양호한 값을 나타내었다.

(8) 실시예 8

실시예 6과 동일하게하여, Y를 La로 변경하였지만, 동일 효과가 얻어졌다.

(9) 실시예 9

실시예 6과 동일하게하여, 발광센터를 Ce로 변경하였지만 동일 효과가 얻어졌다.

본 발명에 의하면 Ln₃(Al_1-xGa_x)₅O₁₂: Re (다만 Ln=Y, La, Gd, Re=Tb, Ce, Eu) 형광체에 있어서 Ga의 양을 0.8x1.0로 한정하였으므로, 이것을 사용한 전계방출형 표시장치에 있어서는 충분한 휘도와 함께 수명도 개선되어 소자로서의 실용화가 가능하게 되었다. 또, 본 발명에 의하면, YAG 형광체의 구성원소의 수용성 화합물을 생성하고, 이것으로 부터 구성원소의 수산화물을 동시에 생성하여 침전시켜, 더욱더 이 수산화물을 소성하여 YAG 형광체를 생성하고 있다. 이 때문에, 원료의 단계로 부터 구성원소가 원자레벨로 균일하게 혼합되어 있고 게다가, 플럭스를 사용하지 않으므로 알칼리금속이나 알칼리토류금속 등의 불순물의 함유량이 낮다. 따라서, 다음과 같은 효과가 얻어지는 단일 조성이 얻어졌다.

1. 플럭스로 유래하는 이온성이 강한 알칼리원소나 알칼리토류원소가 잔존하지 않으므로, 형광체는 수분등을 흡착하지 않는다. 따라서 이 형광체를 FED의 양극으로 사용한 경우, 캐소드의 이미터에 유래한 가스를 방출하지 않는다.

2. 형광체 입자의 간격에 플럭스에 유래하는 불순물이 잔존하기 어려우므로, 형광체의 결정성이 흩뜨러지기 어렵고, 형광체로서의 수명은 플럭스를 사용하여 제조한 종래의 형광체 보다도 개선된다.

3. 이상의 사실로부터 신뢰성, 수명특성의 양호한 형광체를 제공할 수 있고, 특히 형광체로부터의 가스의 영향이 현저한 FED의 발광부분에 사용하면 신뢰성, 수명특성의 양호한 FED를 제공할 수 있다라는 효과가 있다.

Claims (5)

1. Ln₃(Al_1-xGa_x)₅O₁₂: Re (다만 Ln=Y, La, Gd, Re=Tb, Ce, Eu, 0.8x1.0)로 표시되는 것을 특징으로 하는 형광체.
2. 내부가 고진공상태로 배기된 외위기와, 상기 외위기의 내부에 설치된 전자원과, 상기 외위기의 내부에 상기 전자원에 대면하여 설치된 형광체를 갖는 양극을 갖는 형광표시장치에 있어서,

   상기 형광체가 Ln₃(Al_1-xGa_x)₅O₁₂: Re (다만 Ln=Y, La, Gd, Re=Tb, Ce, Eu, 0.8x1.0)로 표시되는 형광체인 것을 특징으로 하는 형광표시장치.
3. 제 2 항에 있어서, 상기 양극에는 2kV 이하의 양극전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 형광표시장치.
4. Ln₃(Al_1-xGa_x)₅O₁₂: Re (다만 Ln=Y, La, Gd, Re=Tb, Ce, Eu, 0.8x1.0)로 표시되는 형광체의 제조방법에 있어서,

   상기 형광체의 구성원소의 수용성 화합물을 생성하고, 상기 수용성 화합물로 부터 상기 구성원소의 수산화물을 동시에 생성하고, 상기 수산화물을 단독으로 소성하는 것을 특징으로 하는 형광체의 제조방법.
5. Ln₃(Al_1-xGa_x)₅O₁₂: Re (다만 Ln=Y, La, Gd, Re=Tb, Ce, Eu, 0.8x1.0)로 표시되는 형광체의 제조방법에 있어서,

   상기 형광체의 구성원소의 질산염 수용액을 생성하고, 요소와 암모니아로 이루어지는 군에서 선택된 물질을 상기 질산염 수용액에 첨가하여 상기 구성원소의 수산화물을 동시에 생성하여 침전시켜, 상기 수산화물을 소성하는 것을 특징으로 하는 형광체의 제조방법.