KR101256223B1 - 형광체 및 형광 디스플레이 장치 - Google Patents

형광체 및 형광 디스플레이 장치 Download PDF

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KR101256223B1
KR101256223B1 KR1020060029762A KR20060029762A KR101256223B1 KR 101256223 B1 KR101256223 B1 KR 101256223B1 KR 1020060029762 A KR1020060029762 A KR 1020060029762A KR 20060029762 A KR20060029762 A KR 20060029762A KR 101256223 B1 KR101256223 B1 KR 101256223B1
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히데노리 오오시마
후유토시 사토
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가부시키가이샤 노리타케 캄파니 리미티드
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    • C09K11/7701—Chalogenides
    • C09K11/7703—Chalogenides with alkaline earth metals

Abstract

본 발명은, Ca1 - xSrxTiO3 (0<x≤0.5) 로 표현되는 티탄산염의 형태의 매트릭스, 및 그 매트릭스에 첨가되는 Pr (프라세오디뮴) 과 Li (리튬) 을 포함하는 형광체에 관한 것이다. 형광체는, 매트릭스에 Pr 과 Li 뿐만 아니라, Zn (아연) 을 더 포함할 수도 있다. 또한, 혼합물을 획득하기 위하여, 매트릭스 재료, Pr 을 포함한 제 1 첨가물 재료, 및 Li 를 포함한 제 2 첨가물 재료를 혼합하는 혼합 단계 (P1); 및 1050 내지 1250 ℃ 의 소성 온도로, 그 획득된 혼합물을 소성하는 소성 단계 (P3) 를 포함하는, 형광체를 제조하는 프로세스가 또한 배치된다.
형광체, 발광 소스

Description

형광체 및 형광 디스플레이 장치{PHOSPHOR AND FLUORESCENT DISPLAY DEVICE}
도 1 은, 본 발명의 일 실시형태에 따라 형광체를 제조하는 프로세스를 도시한 플로우 차트.
도 2 는, 부분적으로 절단된 전면판으로, 본 발명에 따른 형광 디스플레이 장치의 일 예로서 형광 디스플레이 튜브의 전체 구조를 도시한 투시도.
도 3 은, 도 2 의 형광 디스플레이 튜브의 디스플레이 표면의 일부인, 디스플레이 표면의 형광 층을 도시한 확대도.
도 4 는, 도 2 의 형광 디스플레이 튜브의 일부의 확대 단면도.
도 5 는, 형광체의 매트릭스에 있어서, Sr 로의 치환 비 (x) 와 형광체의 휘도 사이의 관계를 도시한 그래프.
도 6 은, 형광체의 매트릭스에 첨가된 Pr 의 양과 형광체의 휘도 사이의 관계를 도시한 그래프.
도 7 은, 형광체의 매트릭스에 Zn 소스로서 첨가된 Zn 화합물의 종류와 형광체의 휘도 사이의 관계를 도시한 그래프.
도 8 은, 형광체의 매트릭스에 첨가된 Zn 의 양과 형광체의 휘도 사이의 관계를 도시한 그래프.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
10: 형광 디스플레이 튜브 12: 베이스 플레이트
14: 프레임-형 스페이서 글라스 멤버 16: 투명 커버링 글라스 플레이트
18p: 애노드 단자 18g: 그리드 단자
18k: 캐소드 단자 20: 디스플레이 표면
22: 형광체층 24: 그리드 전극
26: 보조 그리드 전극 28: 단자 패드
30, 32: 그리드 와이어 34: 단자 멤버
36: 고정 앵커 38: 필라멘트 캐소드
[특허 문서 1]
JP-H08-85788A (1996 년에 공개된 미심사된 일본 특허 출원의 공보).
[특허 문서 2]
JP-2003-41246A (2003 년에 공개된 미심사된 일본 특허 출원의 공보).
[비-특허 문서 1]
1994 년 3/4 월, Vecht 등에 의한 "New electron excited light emitting materials" J.Vac.Sci.Technol.B 12(2), 781 내지 784 페이지.
[비-특허 문서 2]
P.T Diallo 등에 의한, "Improvement of the optical performances of Pr3+ in CaTiO3" Journal of Alloys and Compounds 323 ~ 324 (2001), 218 내지 222 페이지.
[비-특허 문서 3]
Seung-Youl Kang 등에 의한, "The Influence of Li Addition on Cathodoluminescence for CaTiO3:Pr3+" EURODISPLAY 2002, 777 내지 779 페이지.
본 출원은, 2005년 3월 31일자로 출원된 일본 특허 출원 제 2005-100907 에 기초하는 것으로, 그 출원의 내용은 참조로서 여기에 포함된다.
본 발명은, 일반적으로 형광체 (phosphor) 에 관한 것이고, 또한, 발광 소스로서 형광체를 갖추고 있는 형광 디스플레이 장치에 관한 것이다.
통상, VFD (진공 형광 디스플레이) 와 같은 형광 디스플레이 장치에서 이용되는 저속 전자 빔에 의해 여기될 형광체로서 Zn1 - xCdxS 계 형광체 (이하, ZnCdS 계 형광체로 지칭됨) 가 적색 발광 (red luminous color) 을 방출시키기 위해 이용되어 왔다. 최근에, 환경 문제 때문에, Cd (카드뮴) 와 같은 유해 원소의 이용이 제한되고, 그로 인해, ZnCdS 계 형광체가 또한 제한을 겪게 된다. 또한, 황화물과 같은 ZnCdS 계 형광체가 전자 빔의 조사에 의해 분해되고, ZnCdS 계 형광체로부터 산란한 S (황) 에 의하여, 전자 소스로서 이용하는 산화물 캐소드 (cathode) 의 전자 방출 능력이 저하되는 것이 문제이다. 본 명세서에서, "저속 전자 빔" 이란, 달리 특정되지 않은 경우에, VFD 에 적절한 10 내지 100 (V) 의 전기 전압에 의해 가속되는 전자 빔을 의미하는 것으로 해석된다.
한편, Cd 와 S 를 포함하지 않고, 적색 발광을 방출하기 위해 저속 전자 빔에 의해 여기되는 산화물계 형광체로서, 알칼리성 토류 금속과 Ti (티타늄) 의 산화물로 구성된 매트릭스 및 그 매트릭스에 첨가되는 희 토류 원소 (rare earth element) 와 Ⅲ 족 원소를 포함하는 형광체가 제안되었다. 알칼리성 토류 금속은, 예를 들어, Mg, Sr, Ca 또는 Ba 일 수도 있다. 희 토류 원소는, 예를 들어, Ce, Pr, Eu, Tb, Er, 또는 Tm 일 수도 있다. Ⅲ 족 원소는, 예를 들어, Al, Ga, In 또는 Tl 일 수도 있다. 통상적인 조성 예로서는, 이하 식별되는 특허 문서 1 과 문서 2 에서 기술된 SrTiO3:Pr,Al 이 존재한다. ":" 의 우측의 원소 (Pr, Al) 는 SrTiO3 에 첨가되는 성분이다. 이런 조성에 있어서, Pr 의 바람직한 양은 0.1 내지 2 (mol%) 이고, Al 의 바람직한 양은 1 내지 50 (mol%) 이다 (특허 문서 1 참조).
또한, 상기 식별되는 비 특허 문서 (1 내지 3) 에 기술된 바와 같이, VFD 용으로 이용되지 않았지만, 알칼리성 토류 금속이 Ca 인 또 다른 조성 예로서 CaTiO3 계 형광체가 제안되었다. 비 특허 문서 (1 내지 3) 에서는, 예를 들어, 700(V) 이상의 전기 전압에 의해 가속된 전자 빔으로 여기되는 CaTiO3:Pr, 자외선으로 여기되는 CaTiO3:Pr,Al, 및 1 (kV) 의 전기 전압에 의해 가속된 전자 빔으로 여기되는 CaTiO3:Pr,Li 가 개시되어 있다.
특허 문서 1 에 개시된 SrTiO3:Pr,Al 형광체는, 휘도의 상당한 저하로 인해 서비스 수명 (service life) 이 짧다는 문제가 있다. 특허 문서 2 는, 형광체의 각각의 입자의 표면을, 매트릭스의 화합물로 이루어진 보호 코팅으로 커버링함으로써 휘도의 저하를 억제하는 기술을 개시하고 있다. 그러나, 이러한 기술의 응용에서도, 여전히, SrTiO3:Pr,Al 형광체의 서비스 수명이 ZnCdS 계 형광체의 서비스 수명보다 상당히 짧다. 또한, 보호 코팅으로 커버링된 SrTiO3:Pr,Al 형광체의 휘도는, 초기 단계에서도, ZnCdS 계 형광체의 휘도에 비해 더 낮다.
비 특허 문서 (1 내지 3) 에 개시된 CaTiO3 계 형광체를 고려하면, 저속 전자 빔에 의해 여기된 경우에, 휘도는 ZnCdS 계 형광체의 휘도의 많아야 1/10 정도이다. 따라서, CaTiO3 계 형광체는 VFD 와 같은 형광 디스플레이 장치용으로 이용될 수 없다.
본 발명은 상술된 배경 기술에 비추어서 행해진다. 따라서, 본 발명의 제 1 목적은, SrTiO3:Pr,Al 형광체에 비해 더 긴 서비스 수명을 갖고 저속 전자 빔으로의 여기에 의해서도 고 휘도로 광을 방출할 수 있는 산화물계 형광체를 제공하는 것이다. 본 발명의 제 2 목적은, 이러한 산화물계 형광체에 의해 제공된 발광 소스를 포함한 형광 디스플레이 장치를 제공하는 것이다. 본 발명의 제 3 목적은, 이러한 산화물계 형광체를 제조하는 프로세스를 제공하는 것이다. 제 1 목적은, 후술되는 본 발명의 제 1 내지 제 4 양태 중 어느 하나의 양태에 따라 달성될 수도 있다. 제 2 목적은, 후술되는 본 발명의 제 5 양태에 따라 달성될 수도 있다. 제 3 목적은, 후술되는 본 발명의 제 6 내지 제 8 양태 중 어느 하나의 양태에 따라 달성될 수도 있다.
본 발명의 제 1 양태는, Ca1 - xSrxTiO3 (0<x≤0.5) 로 표현되는 티탄산염의 형태의 매트릭스; 및 그 매트릭스에 첨가되는 Pr (프라세오디뮴), Li (리튬) 을 포함한 형광체를 제공한다.
본 발명의 제 2 양태는, Ca1 - xSrxTiO3 (0<x≤0.5) 로 표현되는 티탄산염의 형태의 매트릭스; 및 그 매트릭스에 첨가되는 Pr (프라세오디뮴), Li (리튬) 및 Zn (아연) 을 포함한 형광체를 제공한다.
본 발명의 제 3 양태에 따르면, 본 발명의 제 1 양태 또는 제 2 양태에서 정의된 형광체에 있어서, Pr 은, 매트릭스에 대하여 1 (mol) 당 0.003 내지 0.09 (mol%) 의 양으로 첨가된다.
본 발명의 제 4 양태에 따르면, 본 발명의 제 1 양태 내지 제 3 양태 중 어느 하나의 양태에서 정의된 형광체에 있어서, Li 는, 매트릭스에 대하여 1 (mol) 당 3 (mol%) 이하의 양으로 첨가된다.
본 발명의 제 5 양태는, 본 발명의 제 1 양태 내지 제 4 양태 중 어느 하나의 양태에서 정의된 형광체에 의해 제공된 발광 소스를 포함하는 디스플레이 장치 를 제공한다.
본 발명의 제 6 양태는, 본 발명의 제 1 양태, 제 3 양태 및 제 4 양태에서 정의된 형광체를 제조하는 프로세스를 제공한다. 프로세스는, 혼합물을 획득하기 위하여, 매트릭스를 형성하는 매트릭스 재료, Pr 을 포함한 제 1 첨가물 재료 (additive material), 및 Li 를 포함한 제 2 첨가물 재료를 혼합하는 혼합 단계; 및 1050 내지 1250 ℃ 의 소성 온도로, 바람직하게는, 1050 내지 1200 ℃ 의 소성 온도로, 더 바람직하게는, 1100 내지 1150 ℃ 의 소성 온도로, 그 획득된 혼합물을 소성하는 소성 단계를 포함한다.
본 발명의 제 7 양태는, 본 발명의 제 2 양태, 제 3 양태 및 제 4 양태에서 정의된 형광체를 제조하는 프로세스를 제공한다. 프로세스는, 혼합물을 획득하기 위하여, 매트릭스를 형성하는 매트릭스 재료, Pr 을 포함한 제 1 첨가물 재료, Li 를 포함한 제 2 첨가물 재료 및 Zn 을 포함한 제 3 첨가물 재료를 혼합하는 혼합 단계; 및 1050 내지 1250 ℃ 의 소성 온도로, 바람직하게는, 1050 내지 1200 ℃ 의 소성 온도로, 더 바람직하게는, 1100 내지 1150 ℃ 의 소성 온도로, 그 획득된 혼합물을 소성하는 소성 단계를 포함한다.
본 발명의 제 8 양태에 따라, 본 발명의 제 6 양태 또는 제 7 양태에서 정의된 프로세스는, 예비 소성된 혼합물을 획득하기 위하여, 주 소성 단계로서 상기 소성 단계 이전에 구현되는 예비 소성 단계를 더 포함하여, 800 내지 1200 ℃ 의 예비 소성 온도로 그 획득된 혼합물을 소성시키며, 주 소성 단계는 예비 소성된 혼합물을 소성시키기 위해 구현된다.
본 발명의 제 1 양태 내지 제 4 양태 중 어느 하나의 양태에서 정의된 형광체에 있어서, CaTiO3 의 A 사이트 (Ca) 의 일부가 0<x≤0.5 범위내에서 Sr 로 치환된 Ca1 - xSrxTiO3 매트릭스에 적어도 Pr 및 Li 가 첨가된다. 아직 이유가 밝혀지지 않았지만, 산화물계 형광체로서 이에 따라 구성된 형광체는, SrTiO3:Pr,Al 에 비해 더 긴 서비스 수명을 갖고, 저속 전자 빔으로의 여기에 의해서도 고 휘도로 광을 방출할 수 있다. 즉, 종래 CaTiO3 계 형광체가 고속 전자 빔 또는 자외선에 의한 여기 없이는 고 휘도를 나타낼 수 없지만, Ca 의 일부가 Sr 로 치환되고 적어도 Pr 및 Li가 Ca1 - xSrxTiO3 매트릭스에 첨가되는 구조로 인하여, 본 발명의 형광체는 저속 전자 빔으로의 여기에 의해서도 고 휘도를 나타낼 수 있고, SrTiO3:Pr,Al 형광체에 비해 저하되기 어렵다.
Pr 및 Li 뿐만 아니라 Zu 가 매트릭스에 도핑되는 본 발명의 제 2 양태에서 정의된 형광체에 있어서, 여전히 더 높은 휘도가 획득될 수 있다.
본 명세서에서, "Ca1 - xSrxTiO3" 이란, (Ca+Sr)/Ti 의 비가 1 인 화학양론 조성을 갖는 것뿐만 아니라, (Ca+Sr)/Ti 의 비가 1 보다 약간 크거나 작은 화학양론 조성을 갖는 것을 의미하는 것으로 해석된다. 예를 들어, (Ca+Sr)/Ti 의 비는 1.05 내지 0.95 의 범위일 수도 있다.
또한, 매트릭스에 첨가될 Pr, Li 및 Zn 의 각각의 양은, 부활제 (activator) 가 첨가되는 양의 통상 범위 (usual range) 내에 존재할 수도 있고, 형광체의 기능 이 유지되는 한, 즉, 형광체가 저속 전자 빔으로의 여기에 의해 광을 방출할 수 있는 한, 특별히 제한되지 않는다.
Pr 이 매트릭스에 대하여 1 (mol) 당 0.003 내지 0.09 (mol%) 의 양으로 첨가되는 본 발명의 제 3 양태에서 정의된 형광체에 있어서, 예를 들어, Pr 이 0.1 (mol%) 의 양으로 첨가된 종래 형광체에서 획득된 휘도의 적어도 2 배인 더욱더 높은 휘도를 획득하는 것이 가능하다. 첨가된 Pr 의 양이 0.003 (mol%) 미만이거나 0.09 (mol%) 초과인 경우에, 1 (kV) 이상의 전압에 의해 가속된 자외선 또는 고속 전자 빔으로의 여기에 의해 휘도가 높아질 수 있기는 하지만, 저속 전자 빔으로의 여기에 의해 나타내진 휘도는 종래의 황화물계 형광체에서 나타내진 휘도에 비해 상당히 더 낮아지게 된다.
Pr 의 농도가 너무 높은 경우, 소위, "농도 소광 (concentration quenching)" 으로 인해, 휘도가 감소된다. 따라서, Pr 의 농도를 낮춤으로써, 휘도가 높아진다. 그러나, Pr 의 농도가 너무 낮아지게 되면, 발광 중심 (luminescent centers) 의 수의 감소로 인해 휘도가 저하된다. 본 발명의 형광체에서, 충분한 수의 발광 중심을 제공하고 농도 소광을 피하는 Pr 의 농도의 적절한 범위는 0.003 내지 0.09 (mol%) 의 범위에 이르는 것으로 고려된다.
Li 가 매트릭스에 대하여 1 (mol) 당 3 (mol%) 이하의 양으로 첨가된 본 발명의 제 4 양태에서 정의된 형광체에 있어서, 플럭스 (flux) 성분으로서 이용되는 Li 의 양이 충분히 낮아지게 되기 때문에, 형광체의 소결도가 충분히 낮게 유지되므로, 분말 생산이 용이하다.
본 발명에 따라 구성된 형광체는, VFD 에서 이용되는 저속 전자 빔으로도 여기에 의해 고 휘도를 나타낼 수 있다. 그러나, 본 발명의 형광체가 1 (kV) 이상의 전압에 의해 가속된 자외선 또는 고속 전자 빔으로도 여기에 의해 광을 방출하도록 동작하기 때문에, 저속 전자 빔으로의 여기의 경우에서만 이용되는 것은 아니다. 즉, 본 발명은, 형광 디스플레이 장치 뿐만 아니라, 형광체가 약 1 내지 10 (kV) 의 전기 전압에 의해 생성된 전자 빔으로의 여기에 의해 광을 방출하도록 동작되는 FED (field emission display), 형광체가 약 10 (kV) 의 전기 전압에 의해 생성된 전자 빔으로의 여기에 의해 광을 방출하도록 동작되는 CRT (cathod ray tube), 및 형광체가 자외선으로의 여기에 의해 광을 방출하도록 동작되는 PDP (plasma display device) 에 적용할 수 있다.
본 발명의 제 5 양태에서 정의된 디스플레이 장치는, 본 발명의 제 1 양태 내지 제 4 양태 중 어느 하나의 양태에서 정의된 형광체에 의해 제공된 발광 소스로 인하여, 긴 서비스 수명과 고 휘도를 나타내도록 저 전압으로의 전기 전력에 의해 동작가능하다. 디스플레이 장치가, 반드시 형광 디스플레이 장치는 아니며, 전계 방출 디스플레이, 캐소드 레이 튜브, 및 플라즈마 디스플레이 장치와 같은 임의의 다른 디스플레이 장치일 수도 있으며, 발광 소스로서 이용되는 형광체를 갖는 것을 알게 된다.
본 발명의 제 6 양태 및 제 7 양태 중 하나의 양태에서 정의된 형광체 제조 프로세스에 있어서, 혼합 단계는, 매트릭스 재료, 제 1 첨가물 재료, 제 2 첨가물 재료, 및 부가적인 제 3 첨가물 재료를 혼합하도록 구현되고, 그 후, 소성 단계는, 1050 내지 1250 ℃ 의 온도로 혼합물을 소성하도록 구현된다. 이 프로세스는, 제조된 형광체로 하여금, 긴 서비스 수명을 갖게 할 수 있고, 저속 전자 빔으로의 여기에 의해서도 고 휘도로 광을 방출할 수 있게 한다. 그 혼합물이 1050 내지 1250 (℃) 범위에 이르는 온도와 같이 비교적 저온으로 소성되는 경우에, 제조된 형광체는, 저속 전자 빔으로의 여기에 의해서도, 약 1300 (℃) 와 같은 높은 소성 온도로 제조된 종래 Ca1 - xSrxTiO3:Pr,M 형광체에 의해 여기된 휘도의 적어도 6 배인 고 휘도 (예를 들어, 150 (cd/m2) 이상) 를 나타내며, SrTiO3:Pr,Al 형광체에 비해 저하되기 어려워진다. 소성 단계는, 산화 분위기 (즉, 표준 분위기에서) 또는 중성 분위기 (예를 들어, 질소 또는 아르곤) 에 따라 구현될 수도 있다.
예비 소성 단계가 주 소성 단계 이전에 구현되는 본 발명의 제 8 양태에서 정의된 형광체 제조 프로세스에서, Pr, Li 및 Zn 과 같은 첨가 원소 (additive element) 가 Ca1 - xSrxTiO3 매트릭스 전체에 더 고르게 분산될 수 있다. 따라서, 예비 소성 단계의 구현은, 형광체가 예비 소성 단계의 구현 없이 제조되는 경우에 비해, 약 20 (%) 정도까지 휘도를 높게 한다. 즉, Pr 의 고르지 않은 분산, 즉, Pr 의 농도의 균일성의 결여는, 농도 소성으로 인한 Pr 의 고농도의 일부뿐만 아니라, 발광 중심의 부족으로 인한 Pr 의 저농도의 일부에서 휘도의 저하를 초래할 수 있고, 그로 인해, 대체로 형광체의 발광 수행능력의 저하를 야기한다.
본 발명의 제 8 양태에서 정의된 형광체 제조 프로세스는, 각각, 3 (㎛) 과 같은 적절한 직경을 갖는 입자들로 그 소성된 혼합물을 밀링하거나 분할하기 위해, 주 소성 단계 이후에 구현되는 밀링 단계 (milling step); 밀링 단계에 의해 획득된 입자를 세척하고 그것으로부터 미반응 성분을 제거하기 위해 입자를 체질 (sieve) 하도록 구현된 세척 및 체질 (sieving) 단계; 분리된 성분으로부터 수분 (water content) 을 제거함으로써 분리된 성분을 건조시키는 건조 단계; 및 건조 단계에 의해 획득된 고체의 응집 (aggregation) 을 크러싱 (crushing) 하는 크러싱 단계를 더 포함할 수도 있다.
본 발명의 상기 목적과 다른 목적, 특징, 이점 및 기술적이고 산업적인 중요성은, 첨부된 도면과 관련하여 고려될 경우에, 본 발명의 현재의 바람직한 실시형태에 대한 다음의 상세한 설명을 판독함으로써 더 잘 이해한다.
바람직한 실시형태의 상세한 설명
도면을 참조하여, 본 발명의 일 실시형태를 상세히 기술한다. 설명될 엘리먼트들은 도면에 정확히 도시될 필요가 없으며, 특히, 그들의 구성 및 상대적인 치수를 정확히 할 필요가 없다.
우선, 도 1 을 참조하면, 본 발명의 실시형태에 따른 Ca1 - xSrxTiO3:Pr, Zn, Li 형광체를 제조하는 프로세스가 기술되어 있다. 그 프로세스는, 예를 들어, 습식 진동 혼합 (wet vibration mixing), 볼밀 (ball mill) 또는 모르타르 (mortar) 에 의해, CaCO3 (탄산 칼슘), SrCO3 (탄산 스트론튬), TiO2 (이산화 티타늄), PrCl3 (염화 프라세오디뮴), ZnS (황화 아연), 및 Li2CO3 (탄산 리튬) 과 같은 초기 재료로서 적절한 화합물을 충분히 혼합하도록 구현된 재료 혼합 단계 (P1) 로 개시된 다. 함께 혼합되기 이전에, 그 화합물은, 제조될 형광체의 원하는 조성에 따라 칭량된다. 화합물의 혼합 비율은, 0≤x≤1.0 이 되도록 결정되며, 또한, 매트릭스에 대하여 1 (mol) 당 Pr 의 양, 매트릭스에 대하여 1 (mol) 당 Zn 의 양, 및 매트릭스에 대하여 1 (mol) 당 Li 의 양이 각각, 0.01 (mol%), 3 (mol%), 및 2 (mol%) 가 되도록 결정된다. 이하의 표 1 에, 특정한 조성 예가 도시된다. 표 1 에서, "x" 컬럼 (column) 이외의 각 컬럼들의 단위는 "g" 이다.
Figure 112006023006731-pat00001
재료 혼합 단계 (P1) 다음에 오는, 예비 소성 단계 (P2) 에서는, 우선, 혼합물 (혼합된 재료) 이 적어도 99.5 (%) 의 순도를 갖는 알루미나제 도가니 (crucible) 로 넣어진 후, 예를 들어, 약 3 내지 10 시간, 예를 들어, 6 시간 동안, 전기로 (electric furnace) 에서, 약 1100 ℃ 의 최고 온도로, 표준 분위기에 따라 수행되는 예비 열 처리를 실시하게 된다.
예비 소성 단계(P2) 다음에 오는, 주 소성 단계 (P3) 에서는, 예비 열 처리 가 실시될 혼합물이 우선, 알루미나제 도가니로 넣어진 후, 예를 들어, 약 1 내지 6 시간, 예를 들어, 3 시간 동안, 약 1150 내지 1200 ℃ (예를 들어, 1150 ℃) 의 최고 온도로, 표준 분위기에 따라 수행되는 주 열 처리를 실시하게 된다. 열 처리는, 후술된 공식 (1) 에 의해 나타내진 화학 반응을 초래하여, 그로 인해, Ca1-xPrxTiO3:Pr,Zn,Li 가 초기 재료로부터 합성된다. 그 후, 밀링 단계 (P4) 는, 예를 들어, 알루미나 모르타르를 이용하여, 평균 직경이 약 3 (㎛) 가 되는 입자로 합성된 형광체를 밀링 또는 분할하도록 구현된다.
Figure 112006023006731-pat00002
다음으로, 세척 단계 (P5) 에서, 형광체 입자가 물속으로 분산되기 때문에, 수용성 잔여물 (water-soluble residual) 이 용해된다. 초기 재료들 중에서, PrCl3 는 수용성이지만, 합성된 형광체 및 다른 재료들은 불용성이기 때문에, 오직 미반응 PrCl3 만이 물속에서 용해된다.
체질 단계 (seiving step; P6) 에서, 물속에 분산된 형광체는, 큰 입자를 제거하기 위하여, 예를 들어, #300 정도의 체로 체질된 후, 작은 형광체 입자를 침전시키기 위하여, 그 체질된 분산이 적절한 시간동안 여전히 계속된다. 적절한 시간 이후에, 예를 들어, 피펫 (pipette) 을 이용한 석션 (suction) 에 의해 상층액 (supernatant liquid) 이 제거된다. 따라서, 상층액에 포함된 수용성의 잔여물 (즉, 재료들 중 수용성의 성분) 이 제거된다. 단계 (P6) 는, 수용성의 잔 여물을 완전히 제거하기 위하여, 필요에 따라 복수의 횟수 반복될 수도 있다. 다음으로, 건조 단계 (P7) 에서, 상층액의 제거 이후에 남아있는 형광체의 입자는, 약 5 시간 동안, 예를 들어, 약 120 (℃) 의 온도로 건조된다. 그 후에, 크러싱 단계 (P8) 에서, 이로 인해 획득된 고체 응결을 알루미나 모르타르 등에서 분말로 크러싱한다. 따라서, Ca1 - xPrxTiO3:Pr,Zn,Li 형광체의 분말이 획득된다.
다음으로, 상술된 프로세스에 의해 합성된 형광체의 특성 평가 결과를 설명한다. 평가 이전에, 형광체의 분말을, 형광체 분말의 전기 도전성을 증가시키기 위하여, 적절한 양의 In2O3 (산화 인듐) 의 분말과 혼합하고, 또한, 형광체의 페이스트 (paste) 를 제조하기 위하여, 유기 용제와 같은 비히클 (vehicle) 및 유기 결합제 (binder) 와 혼합한다. 혼합된 In2O3 분말의 양은, 형광체 분말 자체의 전기 도전성 및 형광체로 형성된 층의 요구된 정도의 전기적 도전성에 기초하여 적절히 결정된다. 예를 들어, In2O3 의 분말의 약 5 내지 15 (중량%; 예를 들어, 6 내지 8 (중량%)) 는 형광체 분말의 100 (중량%) 와 혼합된다. 형광체의 제조된 페이스트를, 예를 들어, 디스플레이 장치의 디스플레이 표면상에 도포하여, 형광체의 층을 적절한 두께로 형성한다. 이에 따라 형성된 형광체 층에 대해 평가를 수행하였다. 좀더 상세히 설명하면, 도 2 내지 4 에 도시된 구조를 갖는 형광 디스플레이 튜브 (10) 를 평가하였다.
도 2 는, 본 발명이 또한 적용되는 형광 디스플레이 장치의 일 실시예로서 형광 디스플레이 튜브 (10) 를 도시한 것이다. 도면에서, 형광 디스플레이 튜 브 (10) 는, 형광체 층 (22) 을 갖는 베이스 플레이트 (12); 프레임-형 스페이서 글라스 멤버 (frame-like spacer glass member; 14); 투명 커버링 글라스 플레이트 (16); 복수의 애노드 단자 (18p); 복수의 그리드 단자 (18g); 및 2 개의 캐소드 단자 (18k) 를 포함한다. 형광체 층 (22) 은 소정의 패턴을 갖도록 구성되며 복수의 부분으로 분할된다. 베이스 플레이트 (12) 는, 글라스, 세라믹 및 법랑 (porcelain enamel) 과 같은 전기 절연 재료로 이루어진다. 진공 공간을 갖는, 긴, 평평한, 박스형 가스 기밀 콘테이너를 제공하기 위하여, 베이스 플레이트 (12) 및 글라스 커버 플레이트 (16) 가 스페이서 글라스 멤버 (14) 를 통하여 서로 밀봉된다.
베이스 기판 (12) 은, 복수의 형광체 층 (22) 의 부분들이 배치된 디스플레이 표면 (20) 을 갖는다. 복수의 형광체 층 (22) 의 부분들 각각은 그리드 전극 (24) 및 보조 그리드 전극 (26) 에 의해 둘러싸여 있다. 보조 그리드 전극 (26) 은 그리드 전극 (24) 으로부터 전기 절연되고, 형광체 층 (22) 의 모든 부분들에 공통이다. 그리드 전극 (24) 과 보조 그리드 전극 (26) 은 디스플레이 표면 (20) 에 제공된 각각의 그리드 와이어 (30, 32) 및 그 표면 (20) 의 긴 측을 따라 배열된 각각의 단자 패드 (28) 를 통해 그리드 단자에 접속된다.
베이스 표면 (12) 의 세로로 대향하는 종단 부에는, 고정된 2 개의 단자 멤버 (34; 오직 하나의 단자 멤버 (34) 가 도 2 에 도시됨) 가 제공되며, 그 고정된 2 개의 단자 멤버들 각각은, 얇은 필라멘트 (38) 가 디스플레이 표면 (20), 즉, 형광체 층 (22) 으로부터 위로 공간지정된 소정의 높이 위치에서, 베이스 플레이트 (12) 의 세로 방향으로 평행하게 배열되도록, 직접 가열된 캐소드로서 기능을 하는 복수의 얇은 필라멘트 (필라멘트 캐소드; 38) 를 지지하기 위한 지지 멤버 (도시되지 않음) 와 상호작용하는 고정 앵커 (36), 및 상술된 2 개의 캐소드 단자 (18k) 중 대응 단자를 포함한다. 필라멘트 (38) 각각은, 예를 들어, 일함수 (work function) 가 낮은 알칼리성 토류 금속 (예를 들어, BaO, SrO, CaO) 의 산화물의 고용체 (solid solution) 의 형태로, 표면이 전자 방출 층으로 코팅된 텅스텐 (W) 와이어로 구성된다. 형광 디스플레이 튜브 (10) 에는, 기밀 콘테이너의 내부 공간의 진공 정도를 증가시키기 위한 게터 (getter; 도시되지 않음) 및 콘테이너의 내부 공간으로부터 가스를 배출하기 위한 가스 배출 튜브 또는 홀 (도시되지 않음) 이 제공되며, 그로 인해, 내부 공간 진공이 되게 한다.
도 3 은 디스플레이 표면 (20) 의 일부를 도시한 확대도이지만, 도 4 는 베이스 플레이트 (12) 의 일부를 도시한 확대도이다. 디스플레이 표면 (20) 에는, 각각, 전기 도전성 후막 (thick film) 으로 구성되고 애노드 단자들 (18p) 중 대응하는 하나의 단자에 접속되는 복수의 애노드 와이어 (40) 가 제공되었다. 애노드 와이어 (40) 에는, 글라스 후막으로 구성되고 각 부분에 복수의 스루홀 (42) 을 갖는 전기 절연 층 (44) 이 고정되었다. 절연층 (44) 에는, 각각, 사이즈가 형광체 층 (22) 의 형광 패턴 중 대응하는 하나의 패턴에 비해 약간 더 큰 그래파이트 시트 (graphite sheet) 로 구성된 복수의 애노드 (46) 가 제공되었다. 애노드 (46) 는, 절연층 (44) 의 각 스루홀 (42) 을 통하여 각각의 애노드 와이어 (40) 에 전기 접속된다. 애노드 (46) 에는, 형광체 층 (22) 이 형성되어 있다. 형광체 층 (22) 의 부분들 각각은, 예를 들어, 각각, 글라스 후막으로 구성된 리브-형 벽 (rib-like walls; 48, 50) 에 의해 둘러싸이게 된다. 상술된 그리드 전극 (24) 및 보조 그리드 전극 (26) 각각은, 예를 들어, 전기 도전성 후막으로 구성되고, 리브-형 벽 (48, 50) 중 대응하는 하나의 벽의 상부에 제공된다.
상술된 바와 같이 구성된 형광 디스플레이 튜브 (10) 에 있어서, 0 V 에서 필라멘트 캐소드 (38) 에 의해 방출된 열전자가 예를 들어, 약 20 (V) 의 포지티브 전압이 인가된 그리드 전극 (24) 에 의해 가속화된다. 따라서, 가속 전압이 그리드 전극 (24) 에 순차적으로 인가되는, 즉, 그 그리드 전극 (24) 을 "스캐닝" 하는 동시에 형광체 층 (22) 의 부분들 중 선택된 부분에 접속된 각각의 애노드 와이어 (40) 에 포지티브 전극이 선택적으로 인가되는 경우에, 그리드 전극 (24) 의 스캐닝과 동시적으로, 열전자가 형광체 층 (22) 의 선택된 부분과 충돌하여, 그 선택된 부분들이 광을 방출하게 한다. 그리드 전극 (24) 이 스캐닝될 때마다, 포지티브 전압이 선택적으로 인가된 애노드 와이어 (40) 가 변경되는 경우에, 원하는 형광 디스플레이 이미지가 연속적으로 획득될 수 있다. 그러나, 포지티브 전압이 형광체 층 (22) 의 부분들에 항상 인가되고 이에 따라 형광체 층 (22) 의 부분이 연속적으로 광을 방출하게 되며, 그 광의 휘도가 측정되는 조건에 따라 형광체의 평가가 수행되었다.
도 5 는, 상술된 표 1 에 도시된 조성에서, Sr 로의 치환비 (x) 와 휘도 사이의 관계를 고려한 평가 결과를 도시한 것이다. 도 5 의 그래프로부터 알 수 있는 바와 같이, 그 비 (x) 가 0 인 경우 (즉, Sr 로 치환되지 않음) 에 비해, 그 비 (x) 가 0 을 초과하고 0.5 이하인 경우 (0<x≤0.5) 에, 휘도가 더 높다. 또한, Ca0.8Sr0.2TiO3:Pr,Zn,Li (즉, Sr 로의 치환비 (x) 가 0.2 임) 에 의해 표현되는 조성을 갖는 샘플에 있어서, 소위, "하프 수명 시간 (half life time)" 이 측정되었다. 하프 수명 시간은, 휘도를 그 휘도의 초기 값의 절반으로 낮아지게 하도록 요구된 시간의 길이이다. 측정에 따라, Ca0.8Sr0.2TiO3:Pr,Zn,Li 의 하프 수명 시간은 약 1000 시간이었다. 따라서, Ca0.8Sr0.2TiO3:Pr,Zn,Li 형광체의 하프 수명 시간이 100 시간 미만인 SrTiO3:Pr,Al 형광체의 하프 수명 시간 보다 충분히 더 길다는 측정 결과가 밝혀졌다.
또한, 평가에서, 비율 (x) 이 0.3 (x=0.3) 인 경우에 휘도가 최대화되었고, 비율 (x) 이 0.3 을 초과하는 경우에, 휘도가 급격히 강하되었다는 것이 확인되었다. 즉, Pr 의 0.01 (mol%), Zn 의 3 (mol%), 및 Li 의 2 (mol%) 가 매트릭스에 대하여 1 (mol) 당 첨가되는 조성에 있어서, 그 비 (x) 의 적절한 값이 약 0.3 이라는 평가 결과가 밝혀졌다. 상술된 Pr, Zn 및 Li 의 첨가물 양의 경우에만 평가가 행해졌지만, Pr, Zn, 및 Li 의 첨가물 양의 임의의 변화는, 그 비 (x) 가 약 0.3 인 휘도가 최대화되는 경향의 변화를 초래하지 않는 것으로 고려된다.
도 6 은, Ca0 .8Sr0 .2TiO3:Pr,Zn,Li 의 조성 (즉, Sr 로의 치환 비 (x) 는 0.2임) 에 있어서, Pr 의 첨가물 양 (mol%) 과 휘도 사이의 관계를 고려한 평가 결과를 도시한 것이다. Zn 과 Li 의 첨가물 양을 각각, 3 (mol%) 와 2 (mol%) 로 고정하면서, 0.008 내지 0.1 (mol %) 까지의 Pr 의 첨가물 양을 변화시킴으로써 평가가 행해졌다. 도 6 의 그래프로부터 알 수 있는 바와 같이, Pr 의 첨가물 양이 약 0.003 내지 0.09 (mol%) 의 범위내에 있는 경우에, 휘도가 100 (cd/m2) 을 초과하였다. Pr 의 첨가물 양이 약 0.007 내지 0.05 (mol%) 의 범위내에 존재하는 경우에, 휘도는 150 (cd/m2) 이상인 바람직한 범위내에 존재하였다. Pr 의 첨가물 양이 약 0.009 내지 0.03 (mol%) 의 범위내에 존재하는 경우에, 200 (cd/m2) 이상인 더 바람직한 범위내에 존재하였다. Pr 의 첨가물 양이 약 0.012 (mol%) 인 경우에, 휘도가 최대화되었다. Pr 의 첨가물 양이 0.012 (mol%) 를 초과하는 경우에, 휘도는 Pr 의 첨가물 양의 증가로 인해 점차적으로 강하되었다.
도 7 은, Pr, Zn, Li 의 첨가물 양이 각각, 0.01 (mol%), 3 (mol%), 및 2 (mol%) 인 Ca0.8Sr0.2TiO3:Pr,Zn,Li 의 조성에 있어서, Zn 소스로서 첨가된 Zn 화합물의 종류와 휘도 사이의 관계를 고려한 평가의 결과를 도시한 것이다. Zn 화합물이 ZnS, ZnSO4·7H2O, ZnC2O4·2H2O, ZnO 및 Zn(NO3)2·6H2O 로 제공되었던 경우들 각각에서 평가가 행해졌다. 도 7 의 그래프로부터 알 수 있는 바와 같이, Zn 화합물이 ZnS 로 제공된 경우에 휘도가 최대화된다. Zn 화합물이 ZnS 이외의 화합물들 각각으로 제공된 경우에도 휘도가 150 (cd/m2) 이상이기 때문에, 모든 상술된 화합물들은 유용하였다. 그러나, 상술된 화합물들 중에서, ZnSO4 및 Zn(NO3)2 는 흡수성 (hygroscopicity) 으로 인해 처리하기 쉽지 않고, ZnO 는 고도의 소결 (sintering) 로 인해 처리하기 어렵다. 또한, 이러한 다른 화합물에서 어렵게 발견된 것들을 고려하면, ZnS 가 가장 바람직한 재료이다.
도 8 은, Zn 화합물이 ZnS 로 제공된 경우에, Zn 의 첨가물 양 (mol%) 과 휘도 사이의 관계를 고려한 평가 결과를 도시한 것이다. 도 8 의 그래프로부터 알 수 있는 바와 같이, Zn 의 부재시에도, 휘도가 150 (cd/m2) 에 가깝게 높을지라도, Zn 의 존재시에는, 약 230 (cd/m2) 으로 휘도가 최대화될 수 있었다. 즉, Zn 의 첨가물이 더 고도의 휘도를 획득하기에 바람직하다는 것을 평가에서 밝혀냈다.
상기 설명으로부터 명백해진 바와 같이, 본 발명에 따른 Ca1 - xSrxTiO3:Pr,Li 형광체에서, CaTiO3 의 A 사이트의 일부가 0<x≤0.5 의 범위내에서 Sr 로 치환된 Ca1-xSrxTiO3 매트릭스에 적어도 Pr 및 Li 가 첨가된다. 산화물계 형광체로서 이렇게 구성된 형광체는 SrTiO3:Pr,Al 형광체의 서비스 수명에 비해 더 긴 서비스 수명을 갖고, 저속 전자 빔으로의 여기에 의해서도 고 휘도로 광을 방출할 수 있다.
본 발명의 실시형태가 도시된 목적만을 위해 상술되었지만, 본 발명의 사상으로부터 벗어남 없이, 당업자에 의해 발생할 수도 있는 다양한 변경예 및 개선이 본 발명에 수록될 수도 있다는 것을 이해하게 된다.
상술한 바와 같이 본 발명에 의하면, 긴 서비스 수명을 갖고 저속 전자 빔으로의 여기에 의해서도 고 휘도로 광을 방출할 수 있는 형광체 및 형광 디스플레이 장치를 제공할 수 있다.

Claims (8)

  1. Ca1-xSrxTiO3 (0<x≤0.5) 로 표현되는 티탄산염의 형태의 매트릭스; 및
    상기 매트릭스에 첨가된 Pr (프라세오디뮴), Li (리튬) 및 Zn (아연) 을 포함하고,
    상기 Pr 은 0.003 내지 0.09 (mol%) 의 양으로 첨가되고,
    상기 Li 는 3 (mol%) 이하의 양으로 첨가되고,
    상기 Zn 은 1 내지 7 (mol%) 의 양으로 첨가되는, 형광체.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 제 1 항에 기재된 상기 형광체에 의해 제공된 발광 소스를 포함하는, 디스플레이 장치 (10).
  6. 삭제
  7. 제 1 항에 기재된 상기 형광체를 제조하는 방법으로서,
    혼합물을 획득하기 위하여, 상기 매트릭스를 형성하는 매트릭스 재료, Pr 을 포함한 제 1 첨가물 재료, Li 를 포함한 제 2 첨가물 재료, 및 Zn 을 포함한 제 3 첨가물 재료를 혼합하는 혼합 단계 (P1); 및
    1050 내지 1250 ℃ 의 소성 온도로, 상기 획득된 혼합물을 소성하는 소성 단계 (P3) 를 포함하는, 형광체 제조 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    예비 소성된 혼합물을 획득하기 위하여, 800 내지 1200 ℃ 의 예비 소성 온도로, 상기 획득된 혼합물을 소성하도록, 주 소성 단계로서의 상기 소성 단계 (P3) 이전에 구현되는 예비 소성 단계 (P2) 를 더 포함하며,
    상기 주 소성 단계는 상기 예비 소성된 혼합물을 소성하도록 구현되는, 형광체 제조 방법.
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5090235B2 (ja) * 2008-03-31 2012-12-05 株式会社ノリタケカンパニーリミテド 蛍光体および蛍光表示装置
JP5155746B2 (ja) * 2008-06-17 2013-03-06 株式会社ノリタケカンパニーリミテド 蛍光体および蛍光表示装置
JP5599287B2 (ja) * 2010-11-08 2014-10-01 ノリタケ伊勢電子株式会社 蛍光表示装置
WO2013166664A1 (zh) * 2012-05-08 2013-11-14 海洋王照明科技股份有限公司 包覆有金属纳米粒子的钛酸盐荧光材料及其制备方法
CN102660280B (zh) * 2012-05-23 2013-12-25 南京工业大学 一种白光led用钛酸盐红色荧光粉及其制备方法
CN105552198B (zh) * 2016-01-25 2018-04-13 深圳市聚飞光电股份有限公司 一种使用MxSr1‑xTiO3：Eu2+，Mn2+蓝光荧光粉的高色域白光LED实现方法
CN109694247B (zh) * 2019-01-08 2021-08-20 陕西科技大学 一种高效率的储能线性电介质陶瓷材料及其制备方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001303044A (ja) * 2000-04-26 2001-10-31 Samsung Sdi Co Ltd 低電圧駆動用ＳｒＴｉＯ３：Ｐｒ，Ａｌ系蛍光体
JP2005008674A (ja) * 2003-06-16 2005-01-13 Noritake Co Ltd 蛍光体および蛍光表示装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2729190B2 (ja) 1994-09-16 1998-03-18 双葉電子工業株式会社 蛍光体
KR100393045B1 (ko) * 2000-12-29 2003-07-31 삼성에스디아이 주식회사 형광체
JP3784650B2 (ja) 2001-02-06 2006-06-14 日亜化学工業株式会社 蛍光体
TWI235172B (en) 2001-02-02 2005-07-01 Nichia Corp Phosphor material and its method of manufacture
JP2003041246A (ja) 2001-07-31 2003-02-13 Noritake Itron Corp 蛍光体の製造方法および蛍光体
JP2004238549A (ja) 2003-02-07 2004-08-26 Noritake Itron Corp 低速電子線用蛍光体および蛍光表示管

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001303044A (ja) * 2000-04-26 2001-10-31 Samsung Sdi Co Ltd 低電圧駆動用ＳｒＴｉＯ３：Ｐｒ，Ａｌ系蛍光体
JP2005008674A (ja) * 2003-06-16 2005-01-13 Noritake Co Ltd 蛍光体および蛍光表示装置

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Publication number Publication date
JP4350674B2 (ja) 2009-10-21
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KR20060105674A (ko) 2006-10-11

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