CN102115670A - 萤光体及含有该萤光体的发光装置 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种高效率、长期耐久性优且生产方式简单的萤光体，及含有该萤光体的发光装置。本发明的萤光体通过控制萤光体中硅和钙等杂质含量，促使该萤光体的发光辉度提升，萤光体使用耐久性也进而提高，使其可有效搭配半导体发光元件，而制造高辉度且长期耐久性优的发光装置。

Description

萤光体及含有该萤光体的发光装置

技术领域

本发明涉及一种发光装置所使用的高辉度、耐久性佳且生产方式简单的萤光体，及使用该萤光体作为发光材料的发光装置。

背景技术

近年，使用半导体发光的发光装置被广泛地使用，特别是发光二极体已被成功开发，此发光装置较熟知的冷阴极灯管、白炽灯等发光设备具有发光效率高、体积小、低耗电力和低成本等优点，因此可做为各种光源来使用。而半导体发光装置包含半导体发光元件与萤光体，萤光体可吸收并转换半导体发光元件所发出的光，通过半导体发光元件所发出的光与萤光体转换发出的光两者混合使用。此种发光装置可作为萤光灯、车辆照明、显示器、液晶背光显示等在各种领域使用，其中以白色发光装置使用最为广泛。

现行的白光二极体发光装置，主要藉由补色原理进行开发。由半导体发光元件发出蓝光，往萤光体入射后，萤光体吸收并转换为黄光发出，蓝光与黄光混合同时进入人眼时，人则感受为白光。例如若使用InGaN为发蓝光的半导体，黄色萤光体为(Y，Gd)₃(Al，Ga)₅O₁₂:Ce，则可达到上述效果。

又，亦可利用发出紫外线的发光元件与可发出RGB(红色、绿色、蓝色)光的萤光体组合，放出白色光。再者，亦有使用放出紫外线的发光元件，使发出蓝色光的萤光体发光，藉由该蓝色光使发出黄色光的萤光体激发，发出萤光，而混合发出白色等光。

然而，由于目前使用的发光装置领域越来越广泛，于高温环境或长期使用下，发光装置的使用安定性显著降低，另外也随着使用时间增加而发光效率低减，导致辉度不足，使用领域受限等问题。因此对于高性能与高安定性的发光装置需求，也日益增加。尤其关于发光辉度提升与耐久性等问题，更具有迫切改良的需求。

日本特开2000-219879号公报公开的技术方案中将Ln₃(Al，Ga)₅O₁₂:Ce萤光体的组成元素以外的其他元素含有量限制为5ppm以下，以改善FED(field emission display)用萤光体的发光辉度及寿命。该申请的内容中并未指出特定的杂质元素，仅简单限制萤光体中组成元素以外的元素含量，或碱金属族、碱土金属族元素的含量少于5ppm。然而依目前工业化生产技术，要达到此种全面性的低杂质含量目标实属不易，需经过繁杂的纯化处理，制造不易，成本上亦较已知的氧化物高出许多。此外，特开2000-219879号公报的萤光体采用溶液共沉并以不添加助熔剂的方式烧成，除了有废水造成环境污染等疑虑外，且因为不添加助熔剂的缘故，萤光体烧成时的结晶成长速度亦较慢。

发明内容

鉴于上述问题，因此本发明的目的在于提供一高辉度、长期耐久性优且生产方式简单的萤光体材料，可用于搭配半导体发光元件而制作高辉度且长期耐久性优的发光装置。

又，本发明的另一目的在于提供一发光装置，其由具有高辉度与长期耐久性优的萤光体，搭配半导体发光元件所组成，因此具有高辉度与长期耐久性优等特征。

针对上述问题点，本申请的发明人细心研究得知萤光体中特定的不纯物对于发光辉度具有显著影响。萤光体烧成反应中，由于原料化合物本身所含有的杂质，或者在萤光体制造烧结过程中，由于盛装容器或是烧结环境的影响，均不可避免地会使不纯物混入萤光体中。而根据本发明者们研究结果，不纯物中硅和钙的含量，对于具有石榴石构造(garnet)类萤光体，例如YAG(Y₃Al₅O₁₂:Ce)的发光辉度和长期耐久性具有特别显著影响，因此本发明的精神是限定萤光体中硅和钙不纯物的特定含量范围，得到高辉度、耐久性佳且生产方式简单的萤光体，以及由该萤光体搭配半导体发光元件组合为发光装置。

因此本发明提供一种萤光体，其通式为Ln₃(Al_1-XGa_x)₅O₁₂:Re，Ln由钇、镧、钆、铽元素群中选择至少一种；Re由铈、铕元素群中选择至少一种；0≤x＜1，其中该萤光体含有硅a ppm、钙b ppm，且20＜b＜90、30＜0.9a+0.1b＜700。

又，本发明亦提供一种发光装置，含有：一半导体发光元件；及一萤光体，其可受该半导体发光元件所发出的光激发，并转换发出相异于激发光的光，其中该萤光体的通式为Ln₃(Al_1-xGa_x)₅O₁₂:Re，Ln由钇、镧、钆、铽元素群中选择至少一种；Re由铈、铕元素群中选择至少一种；0≤x＜1，其中该萤光体含有硅a ppm、钙b ppm，且20＜b＜90、30＜0.9a+0.1b＜700。

该萤光体可吸收波长范围介于200nm至550nm之间。而且该萤光体转换后所发出的光的主波长介于500nm至650nm之间。

使用本发明萤光体做为波长转换材料的发光装置，该发光装置包含能发出200nm至550nm之间波长范围光的半导体发光元件，该萤光体能吸收200nm至550nm之间宽波长范围的光，转换为主波长介于500nm至650nm的光，该萤光体与半导体发光元件搭配能发出可见光或白光。且该发光装置同样具有高辉度与长期耐久性优等特征。

本发明的萤光体还含有硅a ppm、钙b ppm，且20＜b＜90、30＜0.9a+0.1b＜700，硅、钙的含量在前述范围时，能使萤光体具有发光辉度提升和长期耐久性佳等优点。

附图说明

图1是发光二极体的结构示意图；

图2是本实施例1的萤光体的发光光谱图；

图3是萤光体相对辉度测量示意图。

符号说明：

1、2：导线；    3：半导体发光元件；4：连接线；

5：发光材料；   6：第1树脂；       7：第2树脂；

8：光源；       9：样品槽；        10：基座；

11：反射镜；    12：辉度计；       13：光导引管；

14：黑色箱体

具体实施方式

以下，说明本发明的实施方式，然而本发明并不局限于以下实施方式。

本发明涉及一种萤光体，其通式为Ln₃(Al_1-xGa_x)₅O₁₂:Re，Ln由钇、镧、钆、铽元素群中选择至少一种；Re由铈、铕元素群中选择至少一种；0≤x＜1，其中该萤光体含有硅a ppm、钙b ppm，且20＜b＜90、30＜0.9a+0.1b＜700。更佳为30＜b＜80、40＜0.9a+0.1b＜500。该萤光体经过空气气氛下650℃、3小时加热后，辉度保持率较佳为95％以上，更佳为辉度保持率97％以上。本发明萤光体的D₅₀粒径以0.5μm至30μm为较佳。更佳为2μm至20μm。

萤光体中不纯物硅和钙的含量，对于萤光体发光辉度与长期安定性有所影响，因此需通过控制硅和钙的含量在特定范围，而达到萤光体发光辉度和长期耐久性的效果。本发明的萤光体含硅a ppm、钙b ppm，且20＜b＜90、30＜0.9a+0.1b＜700，较佳为30＜b＜80、40＜0.9a+0.1b＜500。当b＞90或0.9a+0.1b＞700时，发光强度及长期耐久性不佳；当b＜20或0.9a+0.1b＜30时，原料须经繁杂的纯化处理方可达成，不利于工业化生产。

欲达到本发明的硅和钙等不纯物含量，可通过多种方式实施完成，例如较佳可组合下述数种方式实施。可通过坩埚内壁上形成保护层或通过改变萤光体烧结条件、烧结次数、水洗次数等多种方式实施。

本发明所使用的坩埚可为氧化铝、氮化硼或石墨等材质，种类并无限制。坩埚内壁上的保护层，可使用各种原料于高温下烧结形成。例如，可使用欲烧结的萤光体原料成份之一或其混合物做为保护层原料烧结而得。保护层的烧结条件可为850～1800℃、0.5～10hr，温度太低或时间太短时不易形成有效的保护层，时间太长或温度太高则不符合经济效益。此保护层可避免坩埚中硅、钙等杂质于高温下析出后进入萤光体，因而影响萤光体性质。

另外于烧结气氛中，多次烧结能使萤光体原料进入晶格中，将不纯物析出，因而达到有效控制萤光体中杂质含量，提高萤光体的发光性质与安定性。藉由多次水洗，则易于将表面附着的不纯物洗去，因而避免影响萤光体的发光性质。

萤光体的原料来源可为金属氧化物、金属化合物或可利用加热形成氧化物，而且不局限于单一来源。例如以钇元素为例，可为氧化钇、氢化钇、碳酸钇、氢氧化钇、氧化铝钇、钇化铝等。

发光中心Re，可因选用的元素不同，而具有不同的发光色，因此可针对不同用途而有不同的选择。Re包含铈、铕元素群中至少一种，另外，必要时亦可添加钐、镨等镧系元素。萤光体主要组成中Ln包含钇、镧、钆、铽元素群中至少一种，必要时亦可添加镱、镏等镧系元素。原料的混合方式，可为干式法、湿式法。例如干式球磨法或加入溶剂的湿式球磨法等多种实施方式，并不局限于单一方式。

在此，亦可视需要在原料中添加助熔剂，助熔剂可为卤化物，例如：NaF、KF、BaF₃、SrF₂、MgF₂、AlF₃、YF₃、NaCl、BaCl₂等。相对于萤光体重量100重量份时，可添加0.01～5重量份的助熔剂。

制备萤光体时可依一定比例秤量、混合各原料，置入具有保护层的坩埚中，一起置入高温炉中烧结。烧结气氛为非氧化性气体，例如，可为氮、氢、氨、氩等或前述气体的任意组合。萤光体的烧结温度为1000℃以上1800℃以下，更佳为1200℃以上1600℃以下，升温速度为5～15℃/min。于此温度范围内烧结，较低温度下烧结可得较细粒径的萤光体，较高温度下烧结可得粒径较大的萤光体。烧结时间根据原料种类不同而有所差异，一般反应时间为0.5～5小时较佳。

烧结完成后，冷却至室温，可使用球磨、或工业用粉碎机械等方式粉碎，之后经过水洗、过滤、干燥、分级等步骤，即可得到本发明的萤光体。萤光体D₅₀粒径较佳为0.5μm～30μm，更佳为2μm至20μm。D₅₀粒径在此范围内的萤光体易于涂布和填充使用，因而能提升发光效率。若萤光体粒径过小将影响发光辉度，粒径过大则有容易沉降、不易使用等问题。且本发明的萤光体可吸收光波长范围较佳介于200nm至550nm之间。而且该萤光体转换后所发出的光的主波长较佳介于500nm至600nm之间。

又，本发明亦提供一种发光装置，含有：一半导体发光元件；及一萤光体，其可被该半导体发光元件发出的光所激发，并转换发出相异于激发光的光，其中该萤光体的通式为Ln₃(Al_1-xGa_x)₅O₁₂:Re，Ln由钇、镧、钆、铽元素群中选择至少一种；Re由铈、铕元素群中选择至少一种；0≤x＜1，其中该萤光体含有硅a ppm、钙b ppm，且20＜b＜90、30＜0.9a+0.1b＜700。本发光装置，在温度60℃、湿度90％、电流20mA的条件下连续使用500小时后，辉度保持率较佳为95％以上，更佳为辉度保持率在97％以上。且本发明的发光装置中，该萤光体可吸收波长范围较佳介于200nm至550nm之间。而且该萤光体转换后所发出的光的主波长较佳介于500nm至600nm之间。而发光装置的发光主波长与该发光装置所使用萤光体的发光主波长近似。

本发明的发光装置中，半导体发光元件可为硫化锌或氮化镓等各种半导体，而以发光效率而言，使用氮化镓半导体较佳。发光元件藉由有机金属化学气相沉积法(MOCVD)或氢化物气相磊晶法(HVPE)等方法于基板上形成氮化物半导体，以In_αAl_βGa_1-α-βN(0≤α、0≤β、α+β＜1)所形成的半导体发光元件最佳，半导体构造可为MIS接合、PIN接合、PN接合等均质构造、异质接面构造或双异质接面构造。可通过半导体层的材料种类或其混晶度来选择各种发光波长。

本发明的萤光体可与透光性材质混合形成波长转换材料。透光性材质可为环氧树脂、硅利康树脂(silicone resin)、玻璃、热塑性塑胶等各种可透光材质。波长转换材料可为至少含有一种萤光体所形成的单层波长转换材料或以积层方式配置的复数层波长转换材料。波长转换材料设置于发光半导体元件的发光路径上，例如：将波长转换材料直接涂布于半导体发光元件表面上、将波长转换材料模制成型后覆盖发光元件作为封止材料、将波长转换材料形成于封止材料表面、将波长转换材料形成于光学板或光学膜上并配置于LED灯的投光侧前方。

以下，就本发明的实施例加以详细说明，但是本发明并不仅限定于此。

测量方法及原料来源说明：

(1)萤光体相对辉度：萤光体相对辉度实验量测如图3所示。

(1-1)萤光体辉度测量方式：

取样品1.8克置入直径2公分的样品槽9中，并经压平使样品均匀分布于样品槽9，样品槽9置于黑色箱体14的内部，使用光源波长为455nm的发光源8，距离样品5公分高度，垂直照射样品，并经过一反射镜11使萤光水平式导引进入辉度计12(TOPCON制，机型为SR-3A)。反射镜11置于直径2公分的光导引管13中并导引萤光体所发出的萤光。光导引管与光源成45°角，反射镜11距样品槽9为8公分，而辉度计12距离反射镜11为40公分。辉度计12使用field 1°侦测模式。

(1-2)萤光体相对辉度：

实施例1～3及比较例1～3的萤光体相对辉度＝(各实施例或比较例烘烤试验前萤光体辉度)÷(实施例1所得萤光体烘烤试验前的萤光体辉度)×100％。实施例4-6及比较例4的萤光体相对辉度＝(各实施例或比较例烘烤试验前萤光体辉度)÷(实施例4所得萤光体烘烤试验前的辉度)×100％。(2)发光装置相对辉度：发光装置辉度使用辉度计LifeTek ASM3049-100(F)与直径10公分的积分球测量。

实施例8～10及比较例5～7的发光装置相对辉度＝(各实施例或比较例长期耐久性试验前发光装置辉度)÷(实施例8发光装置长期耐久性试验前的发光装置辉度)×100％。实施例11～13及比较例8的发光装置相对辉度＝(各实施例或比较例长期耐久性试验前发光装置辉度)÷(实施例11发光装置长期耐久性试验前的辉度)×100％。

(3)萤光体发光光谱图：以光激发光光谱(PhotoLumine--scence)测定，使用机型为Jobin YVON的Fluoro Max-3。

发光光谱的主波长是指单一次测量时，发光强度最大的波长。激发光波长为455nm，狭缝(slit)0.5nm。侦测范围为460～800nm，侦测间隔(Inc)1nm，狭缝(slit)0.5nm。样品与光源成50度角，样品与侦测器成40度角，侦测器与光源成90度角。

(4)萤光体所含钙、硅元素的分析：

(4-1)仪器：

以Jobin YVON的ULTIMA-2型感应耦合电浆原子放射光谱仪进行测量。

(4-2)分析谱线：

Ca：393.366nm

Si：252.851nm

(4-3)样品前处理：

准确称取0.1g的样品，于白金坩锅内，加入Na₂CO₃1g混合均匀后，以1200℃高温炉熔融(温度条件：由室温升温2小时到达1200℃，于1200℃恒温5小时)，待熔融物冷却后加入25ml HCl(36％)，并在300℃加热板上加热溶解至澄清，冷却后置入100ml PFA定量瓶中，以纯水定量至标线。

(5)萤光体D₅₀粒径分析：以Beckman Coulter Multisizer-3进行测量。D₅₀表示该次试验中，粒径小于该值(D₅₀)的颗粒总体积占全部颗粒总体积的50％。

(6)烘烤试验：萤光体于高温炉650℃、空气气氛下进行烘烤3小时，之后再进行辉度测量。

(7)萤光体辉度保持率(％)：

萤光体辉度保持率％＝(烘烤试验后的萤光体辉度)÷(烘烤试验前的萤光体辉度)×100％。

(8)发光装置长期耐久性试验：实施方式，发光装置于温度60℃、湿度90％、电流20mA的条件下连续使用500小时，之后再进行辉度测量。

(9)发光装置辉度保持率(％)：

发光装置辉度保持率％＝(长期耐久性试验后的发光装置辉度)÷(长期耐久性试验前的发光装置辉度)×100％。

(10)原料来源分别为：

Y₂O₃(常熟盛昌稀土冶炼厂)

Al₂O₃(Sasol NorthAmerica Pural BT、Sumitomo Chemical C-303)

CeO₂(上海跃龙新材料股份有限公司)

AlF₃(Metalleare earth limted)

Gd₂O₃(常熟盛昌稀土冶炼厂)

Ga₂O₃(广东省韶关市华力实业有限公司)

(11)半导体发光元件准备：

发光元件中，是使用发光中心为460nm的市贩蓝色发光二极体元件。此实施例中所使用者为以碳化硅作为基板的InGaN半导体发光二极体元件。

实施例1

准备原料Y₂O₃、Al₂O₃(Sasol Pural BT)、Ga₂O₃、CeO₂、AlF₃分别取各元素的摩尔比例为Y₂O₃∶Al₂O₃∶Ga₂O₃∶CeO₂∶AlF₃＝0.3∶0.485∶0.015∶0.02∶0.008。原料均匀混合，总重为200克，取10克的混合原料，与20～30克纯水均匀混合，取前述含水的混合原料将500ml氧化铝坩埚内壁均匀涂布，此坩埚置入高温炉中加热，炉内气氛为氮气，由室温缓缓升温，于1500℃下恒温约4小时，进行烧结，之后缓缓降至室温冷却，利用前述处理方式于坩埚内壁形成保护层。将混合原料置入具保护层的坩埚中，该坩埚置入高温炉中，炉内气氛为体积比氮气∶氢气＝95％∶5％的环境，由室温缓缓升温，于1500℃下恒温约4小时，进行烧结，之后缓缓降至室温冷却。经由粉碎、球磨、水洗二次、过滤、干燥等步骤，再次置入高温炉中，炉内气氛为体积比氮气∶氢气＝95％∶5％的环境，由室温缓缓升温，于1500℃下恒温约4小时，进行烧结，之后缓缓降至室温冷却。经由粉碎、球磨、水洗二次、过滤、干燥、分级等步骤。

再次置入高温炉中，炉内气氛为体积比氮气∶氢气＝95％∶5％的环境，由室温缓缓升温，于1500℃下恒温约4小时，进行烧结，之后缓缓降至室温冷却。经由粉碎、球磨、水洗二次、过滤、干燥、分级等步骤，可获得本发明的萤光体。藉由元素分析可得萤光体的硅含量56.8ppm，钙含量39.2ppm。平均粒径D₅₀为13μm。萤光体辉度利用TOPCON辉度计SR-3A测量。

之后将此萤光体置入内壁具保护层的坩埚中，于高温炉空气气氛下650℃恒温三小时，再重新进行辉度测量，相关数据列于表2中。其中实施例1的萤光体使用光源455nm的光照射，转换发光主波长为560nm，发光光谱图列于图2。

比较例1

和实施例1相同的实施方式，但坩埚内壁不具保护层，且萤光体烧结气氛为纯氮气，原料比例参照表1，所得萤光体藉由化学分析可得萤光体硅含量443.2ppm，钙含量101.3ppm。分析平均粒径可得D₅₀为13.1μm。

实施例2～6

准备原料同实施例1，混合比例及氢气体积比、烧结次数和每次烧结后的水洗次数依据表1，其余步骤同实施例1。相关分析实验数据列于表2。

比较例2和比较例4

和比较例1相同实施方式，混合比例及氢气体积比、烧结次数和每次烧结后的水洗次数依据表1，相关分析实验数据列于表2。

比较例3

准备原料Y₂O₃、Al₂O₃(Sumitomo C-303)、Gd₂O₃、CeO₂、AlF₃分别取各元素的莫尔比例为Y₂O₃∶Al₂O₃∶Gd₂O₃∶CeO₂∶AlF₃＝0.25∶0.5∶0.05∶0.02∶0.008。原料均匀混合后使用镀层坩埚，氢气体积比、烧结次数和每次烧结后的水洗次数依据表1，相关分析实验数据列于表2。

表1

表2

	硅含量a ppm	钙含量b ppm	0.9a+0.1b	萤光体相对辉度	萤光体辉度保持率
						实施例1	67.7	45.5	65	100％	100％
实施例2	719.8	78.6	656	97％	98％
						实施例3	61.4	42.6	60	100％	100％
比较例1	543.2	101.3	499	95％	93％
						比较例2	887.5	72.8	806	95％	92％
比较例3	792.1	68.4	720	95％	93％
						实施例4	394.6	50.3	360	100％	100％

实施例5	682.1	67.5	621	98％	98％
						实施例6	56.8	39.2	55	102％	100％
比较例4	915.5	108	835	97％	95％

(发光装置部分)

以下参照附图说明本发明的发光装置。

此外，以下的实施例表示本发明的发光装置为照明用发光二极体的情形，然而以下实施例仅用于对本发明进行说明，并非用以限制本发明的范围。

图1为本发明的发光装置(发光二极体)的剖面图。发光二极体1是具有于上半部形成有弯曲面的圆筒状，类似炮弹的形状，由：导线1和2、半导体发光元件3、连接线4、萤光体5、第1树脂6及第2树脂7所形成，导线1和2的下部露出。

在导线1的上端部设有凹部，在此凹部载置半导体发光元件3，与导线1电性连接，并藉由连接线4和导线2连接。

另外，包含前述半导体发光元件3附近藉由第1树脂6涂布覆盖，在此第1树脂6中分散有萤光体5。

另外，前述导线1及2、半导体发光元件3、连接线4、第1树脂6，藉由第2树脂7所封装。

以下为发光二极体的制造步骤。

步骤1，使用导电性粘着剂将半导体发光元件3接合于导线1的元件载置用的凹部。

步骤2，以连接线4将半导体发光元件3和另一导线2接合。

步骤3，将含有35重量％萤光体5的第1树脂6涂布覆盖半导体发光元件3，并使第1树脂6硬化。

步骤4，以第2树脂7将导线1及2上部、半导体发光元件3、第1树脂6加以包围而使其硬化。

本实施例中第1树脂和第2树脂使用聚硅氧树脂。

接着，使用按照表1的原料混合比例所形成的萤光体，搭配460nm的半导体发光元件，依上述步骤组装形成本发明的发光装置，并评估其光学特性。实施例8～13使用的萤光体分别对应实施例1～6，比较例5～8使用的萤光体分别对应比较例1～4。

又，本发明的发光装置于温度60℃、湿度90％、电流20mA的环境下连续使用500小时，再进行光学特性评估，相关数据列于表3。

表3

Claims (11)

1.一种萤光体，其特征在于，所述萤光体的通式为Ln₃(Al_1-xGa_x)₅O₁₂:Re，其中Ln由钇、镧、钆、铽元素群中选择至少一种；Re由铈、铕元素群中选择至少一种，0≤x＜1；

其中，所述萤光体还含有硅a ppm、钙b ppm，且20＜b＜90、30＜0.9a+0.1b＜700。

2.根据权利要求1所述的萤光体，其特征在于，经过空气气氛下650℃、3小时加热后，辉度保持率为95％以上。

3.根据权利要求1所述的萤光体，其特征在于，经过空气气氛下650℃、3小时加热后，辉度保持率为97％以上。

4.根据权利要求1所述的萤光体，其特征在于，还含有硅a ppm、钙b ppm，且30＜b＜80、40＜0.9a+0.1b＜500。

5.根据权利要求1所述的萤光体，其特征在于，所述萤光体可吸收波长范围介于200nm至550nm之间。

6.根据权利要求1所述的萤光体，其特征在于，所述萤光体吸收光后转换所发出的光的主波长介于500nm至600nm之间。

7.一种发光装置，其特征在于，含有：

一半导体发光元件；及

一萤光体，可被所述半导体发光元件发出的光所激发，并转换发出相异于激发光的光；其中，所述萤光体的通式为Ln₃(Al_1-xGa_x)₅O₁₂:Re，Ln由钇、镧、钆、铽元素群中选择至少一种，Re由铈、铕元素群中选择至少一种，0≤x＜1；所述萤光体还含有硅a ppm、钙b ppm，且20＜b＜90、30＜0.9a+0.1b＜700。

8.根据权利要求7所述的发光装置，其特征在于，所述发光装置在温度60℃、湿度90％、电流20mA的条件下连续使用500小时后，辉度保持率为90％以上。

9.根据权利要求7所述的发光装置，其特征在于，所述发光装置在温度60℃、湿度90％、电流20mA的条件下连续使用500小时后，辉度保持率为95％以上。

10.根据权利要求7所述的发光装置，其特征在于，其中30＜b＜80、40＜0.9a+0.1b＜500。

11.根据权利要求7所述的发光装置，其特征在于，所述萤光体吸收光后转换所发出的光的主波长介于500nm至600nm之间。

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