CN104073251A - 荧光体与发光装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种荧光体与发光装置。荧光体包括组成式为(BaaSr1-a)2-zSi5ObNn：EuZ的组成物，其中，0.03<a<0.75，0<b<1，7＜n<9，0.03＜z＜0.3。

Description

荧光体与发光装置
技术领域
本发明是有关于一种荧光体与使用其的发光装置，且特别是有关于一种具有高辉度的荧光体与使用其的发光装置。
背景技术
近年，使用半导体发光的发光装置被广泛地使用，特别是发光二极体已被成功开发，此发光装置较习知的冷阴极灯管、白炽灯等发光设备，具有发光效率高、体积小、低耗电力与低成本等优点，因此可作为各种光源来使用。而半导体发光装置包含半导体发光元件与荧光体，荧光体可吸收并转换半导体发光元件所发出的光，藉由半导体发光元件所发出的光与荧光体转换发出的光两者混合使用。此种发光装置可作为荧光灯、车辆照明、显示器、液晶背光显示等各种领域使用，其中，以白色发光装置使用最为广泛。现行白色发光装置为采用铈为活性中心的YAG荧光体(Y3Al5O12：Ce)并搭配发出蓝光的半导体发光元件所组成。然而，使用Y3Al5O12：Ce荧光体并搭配发出蓝光的半导体发光元件所发出的混合光，其色度座标位于发出蓝光的半导体发光元件的色座标与Y3Al5O12：Ce荧光体的色座标连接线上，因而，所发出的混合光为缺乏红色光的白光，演色性与色彩饱和度明显不足。此外，Y3Al5O12：Ce的较佳激发光谱区域和半导体发光元件的发光区域并不一致，因此，激发光的转换效率不佳，高辉度的白光光源不易获得。为解决此种色调不良和发光辉度低下的现象，近年积极开发将YAG：Ce荧光体中混入可发出红光的荧光体，并改良可发出红光的荧光体的品质，以提高发光辉度。
然而，吸收蓝色光进而发出红色光的荧光体较为稀少，目前业界的开发研究以氮化物、氮氧化物荧光体为主。已知有使用铕(Eu)为活性中心的Sr2Si5N8：Eu荧光体、CaAlSiN3：Eu荧光体及一般式为MzSi12-(m+n)Alm+nOnN16-n：Eu的赛隆荧光体(SiAlON phosphor)。然而，Sr2Si5N8：Eu荧光体由于发光辉度不佳，应用性受到局限，近年使用上并不普及；赛隆荧光体本身无耐久性问题，但是荧光体发光辉度明显不足，商业使用上并不普及。CaAlSiN3：Eu荧光体虽然有较佳的耐久性，以及较赛隆荧光体为佳的辉度，但业界仍期待能更进一步提高荧光体的发光辉度，以使发光装置能具有较高的发光效率。
发明内容
鉴于上述问题，因此本发明的目的在于提供高辉度的荧光体、荧光体粒子以及使用所述的荧光体搭配半导体发光元件而构成一高辉度的发光装置。
根据本发明的一实施例，为提出一种荧光体。荧光体包括组成式为(BaaSr1-a)2-zSi5ObNn：EuZ的组成物，其中，0.03<a<0.75，0<b<1，7＜n<9，0.03＜z＜0.3，较佳为0.3≦a≦0.7，0<b<1，7＜n<9，0.04≦z≦0.2。
根据本发明的另一实施例，为提出一种荧光体粒子。荧光体粒子包括钡元素(Ba)、锶元素(Sr)、硅元素(Si)及氮元素(N)。其中，荧光体粒子具有一平均粒径(D50)，平均粒径(D50)为大于6.2微米(μm)并小于14.4微米(μm)。
根据本发明的又一实施例，为提出一种荧光体粒子。荧光体粒子包括钡元素(Ba)、锶元素(Sr)、硅元素(Si)及氮元素(N)。其中，荧光体粒子具一长轴及一短轴，长轴为荧光体粒子的表面上任2点间的最长距离，短轴为与长轴垂直的相交线上荧光体粒子的表面上任2点间的最长距离，其中，长轴相对于短轴的比值为大于1.24并小于4.1。
根据本发明的再一实施例，为提出一种发光装置。发光装置包括半导体发光元件以及如上所述的荧光体或荧光体粒子。荧光体或荧光体粒子受半导体发光元件所发出的光激发，并转换发出具有相异于半导体发光元件所发出的光波长的光。
为了对本发明的上述及其他方面有更佳的了解，下文特举较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：
附图说明
图1绘示本发明的一实施例的荧光体粒子的示意图。
图2绘示应用于本发明的一辉度量测装置。
图3绘示本发明的一实施例的发光装置的透视图。
具体实施方式
本发明的实施例中，荧光体包括钡元素(Ba)、锶元素(Sr)、硅元素(Si)及氮元素(N)。
于一实施例中，荧光体包括组成式为(BaaSr1-a)2Si5ObNn：EuZ的组成物，当0.03<a<0.75，0<b<1，7＜n<9，0.03＜z＜0.3时，相较于波长相同然上述元素比例未落入所述范围内的荧光体于信赖性测试后具有较高的辉度值即呈现良好的辉度保持率。所谓波长相同意味着波长差异分别在±1nm之外。所谓辉度保持率即为荧光体经信赖性测试前与后的辉度值比率，即(信赖性测试后辉度/信赖性测试前辉度)*100%。荧光体中，0.03＜z＜0.3。若荧光体的发光中心的铕元素(Eu)数量过少，会使得荧光体的发光辉度降低。若荧光体的发光中心的Eu数量过高，由于Eu原子间的相互干扰而造成浓度消光的现象，以致辉度减低。较佳地，当0.04≦z≦0.2时，发光辉度更佳。
于一实施例中，荧光体包括组成式为(BaaSr1-a)2Si5ObNn：EuZ的组成物，当0.3≦a≦0.7，0<b<1，7＜n<9，0.04≦z≦0.2时，相较于波长相同然上述元素比例未落入所述范围内的荧光体，其经信赖性测试后的辉度值呈现较佳表现。
当使用波长为455nm的光源照射本发明的荧光体时，荧光体受激发而发出的发光主波长为580～680nm，其发光色调的CIE1931色度座标(x,y)为0.45≦x≦0.72，0.2≦y≦0.5。发光主波长为指发光光谱中发光强度最大的波长。
请参照图1，其绘示本发明的一实施例的荧光体粒子的示意图。实施例中，荧光体为包含复数个荧光体粒子，换句话说，荧光体具有荧光体粒子的形式。于一实施例中，荧光体粒子包括钡元素(Ba)、锶元素(Sr)、硅元素(Si)及氮元素(N)，荧光体粒子具一长轴xmax及一短轴ymin，长轴xmax为荧光体粒子的表面上任2点(point)c和d间的最长距离，短轴ymin为与长轴xmax垂直的相交线上荧光体粒子的表面上任2点e和f间的最长距离，其中，长轴xmax相对于短轴ymin的比值为大于1.24并小于4.1(1.24<xmax/ymin<4.1)。
于一实施例中，荧光体为包含复数个荧光体粒子，换句话说，荧光体具有荧光体粒子的形式。荧光体粒子的平均粒径最好在30微米(μm)以下。理由是因为荧光体粒子的发光主要为发生于粒子表面上，若平均粒径(本发明中所谓的“平均粒径”为指体积中数粒径(D50))在30微米(μm)以下，将可确保荧光体粒子每单位重量的表面积，避免辉度降低。此外，将荧光体粒子涂布于发光元件之上的情况，可提高荧光体粒子的密度，就此观点而言，亦可避免辉度降低。另外，从荧光体粒子的发光效率观点而言，平均粒径以大于1微米(μm)为较佳。依上述，本发明荧光体粒子的平均粒径最好在1微米(μm)以上且30微米(μm)以下，尤以3.0微米(μm)以上且20微米(μm)以下的粒径为佳。此处所谓的“平均粒径(D50)”，为利用Beckman Coulter公司制MultiSizer-3，以库尔特法进行测定所得的值。D*代表累计到*%的颗粒粒径，以D50为例：D50表示一个粒径(um)，为从最小颗粒累积到该粒径的总和占总体的50%。一般泛指D50为平均粒径。
一实施例中，荧光体粒子的平均粒径(D50)较佳为大于6.2微米(μm)并小于14.4微米(μm)(6.2μm<D50<14.4μm)。
一实施例中，荧光体粒子的10%粒径(D10)为大于3.4微米(μm)并小于8.3微米(μm)(3.4μm<D10<8.3μm)。
本发明的实施例中，荧光体粒子更可包括氧元素(O)。
本发明的实施例中，荧光体制造时，硅元素的原料可使用含氮化合物、含氧化合物、任何形式的化合物或硅的元素态。例如，可混合使用硅元素的氮化物(Si3N4)/氧化物(SiOx)。所谓“含氧化合物”可包含氧化物、碳酸盐、草酸盐等化合物。含氮化合物的情况，亦是指具有硅元素与氮的化合物。
本发明的荧光体原料可为各种不同形式的前驱物，为方便起见以下以氮化物与氧化物原料作为实施方式说明。钡(Ba)元素、锶(Sr)元素与硅(Si)元素的氧化物或氮化物原料虽可为市售原料，但是因为纯度越高越好，因此最好准备3N(99.9%)以上的原料为佳。各原料粒子的粒径，从促进反应的观点而言，最好为微粒子，但是随原料的粒径、形状的不同，所获得荧光体的粒径、形状亦将有所变化。因此，只要配合最终所获得荧光体要求的粒径，准备具有近似粒径的氮化物、氧化物原料即可。Eu元素的原料以市售氧化物、氮化物原料或金属为佳，纯度越高越好，最好准备2N(99%)以上，尤以3N(99.9%)以上的原料为佳。
原料的混合方式，可为干式法、湿式法。例如干式球磨法或加入液体的湿式球磨法等多种实施方式，并不局限于单一方式。秤取、混合Sr3N2、Si3N4、Ba3N2时，因为此等化合物较易被氧化，因而在非活性环境下的手套箱内进行操作较为适当。此外，因为各原料元素的氮化物较容易受水分的影响，因此，用于充填手套箱的非活性气体最好使用经充分去除水分的气体。此外，若为湿式混合法，当所使用的液体为纯水时，原料将遭分解，因此，必须选择适当的有机溶剂。混合装置可使用球磨机或研钵等通常所使用的装置。
制备荧光体时可依一定比例秤量、混合各原料，置入坩埚中，再置入高温炉中烧成。烧成时使用的高温炉，因烧成温度为高温，故较佳为使用金属电阻加热方式或石墨电阻加热方式的高温炉。作为烧成的方法，较佳的是常压烧成法或气压(以气体加压)烧成法等外部未施加机械性加压的烧成方法。坩锅较佳为不纯物含量极低的高纯度材质，如Al2O3坩锅、Si3N4坩锅、AlN坩锅、赛隆坩锅、BN(氮化硼)坩锅等可在非活性环境中使用的坩锅，其中以使用BN坩锅为最佳，因其对于避免源自坩锅的不纯物混入的效果最佳。烧成气氛为非氧化性气体，例如，可为氮、氢、氨、氩等或前述气体的任意组合。荧光体(或荧光体粒子)的烧成温度为1200℃以上、2200℃以下，更佳为1400℃以上、2000℃以下，升温速度为3～15℃/min。较低温下烧成可得较细微的荧光体粒子，较高温下烧成可得粒径较大荧光体粒子。烧成时间根据原料种类不同而有所差异，一般反应时间为1～12小时较佳。烧成时在非活性环境下的压力，例如是在0.5MPa以下(尤以0.1MPa以下为佳)进行烧成。烧成完成后，冷却至室温，可使用球磨、或工业用粉碎机械等方式粉碎，再经过水洗、过滤、干燥、分级等步骤，即可得到本发明的荧光体。
为了获得高辉度的荧光体，于烧成时，因助熔剂的添加、原料中的杂质、处理过程污染等因素的影响，包含在所述的荧光体组成中的杂质含量应尽可能的小。特别是氟元素、硼元素、氯元素、碳元素等元素大量存在时，将抑制发光。因此可选择较高纯度的原料，和控制合成步骤避免污染，使得前述氟、硼、氯、碳等元素的含量分别小于1000ppm。
本发明的荧光体适用于荧光显示管(VFD)、场发射显示器(FED)、电浆显示器(PDP)、阴极射线管(CRT)、发光二极体(LED)等。尤其是，本发明的荧光体当使用波长为455nm的光源照射时，发光主波长为580～680nm，发光色调的CIE1931色度座标(x,y)为，0.45≦x≦0.72，0.2≦y≦0.5，且发光辉度高，因此特别适用于发光二极体。
于一实施例中，本发明的发光装置包含半导体发光元件及本发明的荧光体或荧光体粒子。半导体发光元件以发出波长为300～550nm的光者为较佳，尤其以发出330～420nm的紫外(或紫)光半导体发光元件或420～500nm的蓝色半导体发光元件较佳。作为此等发光元件，半导体发光元件可为硫化锌或氮化镓等各种半导体，而以发光效率而言，使用氮化镓半导体较佳。氮化镓发光元件可藉由有机金属化学气相沉积法(MOCVD)或氢化物气相外延法(HVPE)等方法于基板上形成氮化物半导体，以InαAlβGa1-α-βN(0≦α、0≦β、α+β＜1)所形成的半导体发光元件最佳。半导体构造可为MIS接合、PIN接合、PN接合等均质构造、异质接面构造或双异质接面构造。此外，可藉由调整半导体层的材料或其混晶度来控制其发光波长。
本发明的发光装置中，除了将本发明的荧光体或荧光体粒子单独使用外，亦可与具有其他发光特性的荧光体或荧光体粒子一起使用，以构成可发出所想要的颜色的发光装置。例如，使用发光波长为330～420nm的紫外光半导体发光元件搭配在此波长被激发而发出波长为420nm以上且500nm以下的光的蓝色荧光体、发出波长为500nm以上且570nm以下的光的绿色荧光体、以及本发明的荧光体或荧光体粒子的组合。前述蓝色荧光体举例可为BaMgAl10O17：Eu，绿色荧光体可为β-赛隆荧光体。依此构成，当半导体发光元件所发出的紫外线照射于荧光体时，会发出红、绿、蓝的三色光，经由其混合而成为白色的发光装置。
此外，尚可使用发光波长为420～500nm的蓝色半导体发光元件搭配在此波长被激发而发出波长为550nm以上且600nm以下的光的黄色荧光体、以及本发明的荧光体或荧光体粒子的组合。前述黄色荧光体，例如可为Y3Al5O12：Ce。依此构成，当半导体发光元件所发出的蓝色光照射于荧光体时，会发出红、黄的二色光，将此等与半导体发光元件本身的蓝色光混合而成为白色或带灯泡色的照明器具。
此外，尚可使用发光波长为420～500nm的蓝色半导体发光元件搭配在此波长被激发而发出波长为500nm以上且570nm以下的光的绿色荧光体、以及本发明荧光体或荧光体粒子的组合。此种绿色荧光体举例可为β-赛隆荧光体。依此构成，当半导体发光元件所发出的蓝色光照射于荧光体时，会发出红、绿的二色光，将此等与半导体发光元件本身的蓝色光混合而成为白色的照明器具。
实施例及比较例：
以下，就本发明实施例加以说明，但是本发明并不仅限定于此。
测量方法：
(1)荧光体辉度及色度座标：荧光体以TOPCON辉度计SR-3A使用波长为455nm的光照射测量。辉度值量测差异为±0.3%以内。
(2)荧光体发光主波长：以Jobin YVON的Fluoro Max-3进行量测。发光主波长为指使用波长为455nm的光激发荧光体时，荧光体最大发光强度的波长。
(3)荧光体组成元素的分析：
(3-1a)仪器：以Jobin YVON的ULTIMA-2型感应耦合电浆原子放射光谱仪(ICP)进行元素含量的量测。
(3-1b)样品前处理：准确秤取0.1g的样品，于白金坩锅内，加入1g的Na2CO3混合均匀后，以1200℃高温炉熔融(温度条件：由室温升温2小时到达1200℃，于1200℃恒温5小时)，待熔融物冷却后加入酸溶液，例如25mL的HCl(36%)，并加热溶解至澄清，冷却后置入100mL的PFA定量瓶中，以纯水定量至标线。
(3-2a)仪器：Horiba的氮氧分析仪。型号EMGA-620W。
(3-2b)测量：将20mg的荧光体置入锡胶囊内，放置于坩埚中，进行量测。
(4)信赖性测试：将荧光体置于空气中进行长时间高温烘烤(400℃，12小时)。
(5)辉度保持率：为荧光体经信赖性测试前与后的辉度值比率，即(信赖性测试后辉度/信赖性测试前辉度)*100%。
合成例1
准备所需的锶金属(3N，99.9%)和钡金属(3N，99.9%)，粉碎后分别置于纯氮气氛下直接烧成形成氮化物，反应条件分别为750℃、700℃下烧成24小时。可分别获得氮化锶(Sr3N2)和氮化钡(Ba3N2)的化合物。
实施例1～11及比较例1～3
实施例1～11及比较例1～3的荧光体制造方式相同，差异主要在于氮化钡(Ba3N2)、氮化锶(Sr3N2)、氮化硅(Si3N4)和氧化铕(Eu2O3)的使用量不同，以下以实施例1为例说明荧光体的制造方法。
以实施例1为例，秤取49.293g合成例1合成的氮化锶(Sr3N2)化合物、42.094g的氮化钡(Ba3N2)化合物、95.862g的氮化硅(Si3N4，纯度3N)及4.329g的氧化铕(Eu2O3，纯度4N)在氮气环境下于手套箱中使用研钵进行混合，形成一荧光体起始原料。
然后，将荧光体起始原料置入以氮化硼为材质的烧成容器中，接着将含有起始原料的烧成容器置入含有高纯度氮气的高温炉中，氮气气体流量为80升/分，依10℃/min的升温速度升温至1700℃，并在1700℃下保持2小时，且高温炉操作压力维持在0.1MPa，以进行烧成。烧成后，依10℃/min的降温速率降至室温，再经由粉碎、球磨、水洗二次、过滤、干燥及分级等步骤，即获得荧光体。
以实施例8为例，使用感应耦合电浆原子放射光谱仪(ICP)及氮氧分析仪进行分析的结果为荧光体具有组成式Ba0.666Sr1.207Si5O0.149N7.415：Eu0.04。
表1列示实施例1～11及比较例1～2的制备条件，包括荧光体起始原料使用的化合物种类、各化合物所占的重量比以及烧结条件。表2列示实施例1～11及比较例1～2的元素入料组成，为依照起始原料各化合物的重量所推算出的各元素入料量。表3列示实施例1～11及比较例1～2得到的荧光体性质，包括各个荧光体具有发光波长、辉度、信赖性测试后辉度及辉度保持率。荧光体的发光波长(发光光谱的主波长)为指发光强度最大的波长。
表1
表2
表3
如表3所示，实施例及比较例的荧光体皆呈现良好的辉度表现。但经信赖性测试后，相较于比较例1～2，实施例的荧光体均呈较佳的辉度表现，因而具有较佳的辉度保持率。其中，又以实施例6～10于信赖性测试后呈现较佳的辉度表现。
表4列示实施例1、4、6～10及比较例3的制备条件及得到的荧光体性质，包括各个荧光体的烧结条件、辉度、粒径、信赖性测试后辉度及辉度保持率。实施例1、4、6～10及比较例2的荧光体均具有相同的元素入料组成，其中Sr：Ba：Eu=1.24：0.7：0.06，且发光波长均为620±1nm。表3中，D10表示荧光体粒子的10%粒径(D10)，D50表示荧光体粒子的平均粒径(D50)，D90表示荧光体粒子的90%粒径(D90)。
表4
如表4所示，实施例1、4、6～10及比较例3中，在各荧光体具有相同入料组成(Sr：Ba：Eu=1.24：0.7：0.06)的条件下，当平均粒径(D50)大于6.2微米且小于14.4微米、以及10%粒径(D10)大于3.4微米且小于8.3微米时(例如实施例6～10)，荧光体具有良好的辉度保持率。当荧光体的平均粒径(D50)和10%粒径(D10)在上述范围之外时(例如实施例1、4及比较例3)，荧光体具有49%以下的辉度保持率。此外，如比较例3所示，当烧结温度和烧结时间同时增加时，虽可使荧光体的粒径增大(D10、D50、D90皆较实施例大)，但会使荧光体劣化，进而导致荧光体的辉度保持率下降。
表5列示比较例1、3及实施例11的制备条件及得到的荧光体性质，包括各个荧光体的烧结条件、元素入料组成、辉度、辉度保持率及长轴对短轴的比例。比较例1、3及实施例11的发光波长均为620±1nm。
表5
如表5所示，比较例1、3及实施例11中，当长轴xmax相对于短轴ymin的比值大于1.24并小于4.1(1.24<xmax/ymin<4.1)时(例如实施例11)，荧光体具有较佳的辉度保持率。
于施行前述荧光体实施型态的组成分析结果时，发现从组成分析结果所计算出的各元素(Ba、Sr、Si、O、N、Eu)的原子比例关系，相较于从所使用原料调配比例计算出的元素入料组成有稍微偏差。此现象可认为在烧成中有少量的原料分解或蒸发或未进入晶格而被水洗去除，或者因分析误差所造成。特别是氧的原子比b值的偏差，可认为诸如：从开始起就含于原料中的氧，或表面所附着的氧，或者在原料秤量时、混合时及烧成时，因原料表面氧化而混入的氧，以及在烧成后吸附于荧光体表面的水分或氧等所造成。再者，在含有氮气及/或氨气的环境中进行烧成时，原料中的氧亦可能脱离而被氮所取代，判断b、n将发生若干偏差。
请参照图2，其绘示应用于本发明的一辉度量测装置。本发明前述的任一荧光体的辉度是经由一辉度量测装置量测而得，如图2所示，辉度量测装置包含一黑色的箱体11、一样品槽12、一光源13、一光导引管14、一反射镜15及一辉度计16，其中，样品槽12置放在箱体11中，光源13为垂直样品槽12约5公分高度设置，光导引管14直径约为2公分且与光源13成45°角设置，反射镜15设置在光导引管14内，并与样品槽12距离约8公分，且辉度计16与反射镜15的距离约为40公分，当置于样品槽12中的荧光体经由光源13照射后，荧光体发出的荧光会经由光导引管14及反射镜15的作用水平导引至辉度计16进行辉度量测。
详细的说，本发明前述各实施例及比较例中，荧光体的辉度量测是取待测样品1.3克置入样品槽12中，并经压平使样品均匀分布于样品槽12，接着将样品槽12置于箱体11内，使用光源波长为455nm的光源13垂直照射样品，且辉度计16(TOPCON制，型号为SR-3A)是使用field1°侦测模式侦测荧光体经光源照射后所发出的荧光辉度。
接着，将前述本发明各实施例的荧光体样品与半导体发光元件进行封装后制得本发明的发光装置。
请参照图3，绘示本发明的一实施例的发光装置的透视图。如图3所示，本发明的一实施例的发光装置包含半导体发光元件21、荧光层22及封装层23。
半导体发光元件21包括一可导电且具有一凹型承载面212的基座211、一设置于凹型承载面212且与基座211电性连接的发光二极体晶粒213、一连接线214、一导线215为透过连接线214与发光二极体晶粒213电性连接；其中，基座211与导线215可配合自外界提供电能至发光二极体晶粒213，发光二极体晶粒213可将接受的电能转换成光能向外发出。本实施例是将一市售发光波长为455nm(InGaN)的蓝色发光二极体晶粒213(制造商：奇力光电)以导电银胶(型号：BQ6886，制造商：UNINWELL)(未绘示)黏合在基座211的承载面212上，接着自发光二极体晶粒213顶面延伸出与发光二极体晶粒213电性连接的连接线214及导线215。
前述荧光层22包覆发光二极体晶粒213。荧光层22中所含的荧光体221在受到发光二极体晶粒213所发出的光的激发后，会转换发出异于激发光波长的光，于本实施例中，荧光层22是将含有重量百分比为35wt%的荧光体221的聚硅烷氧树脂涂布在发光二极体晶粒213外表面，并经干燥硬化后而形成。
封装层23包覆半导体发光元件21部分的基座211、连接线214、部分的导线215及荧光层22。
综上所述，实施例的荧光体(或荧光体粒子)具有高辉度。且荧光体搭配半导体发光元件，可同时得到高辉度的发光装置。
综上所述，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明。本发明所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰。因此，本发明的保护范围当视后附的申请专利范围所界定者为准。
符号说明
11：箱体
12：样品槽
13：光源
14：光导引管
15：反射镜
16：辉度计
21：半导体发光元件
22：荧光层
23：封装层
211：基座
212：承载面
213：发光二极体晶粒
214：连接线
215：导线
221：荧光体
c、d、e、f：点
xmax：长轴
ymin：短轴

Claims (14)

1.一种荧光体，其中该荧光体包括组成式为(BaaSr1-a)2-zSi5ObNn：EuZ的组成物，其中，0.03<a<0.75，0<b<1，7＜n<9，0.03＜z＜0.3。
2.如权利要求1所述的荧光体，其中0.3≦a≦0.7，0<b<1，7＜n<9，0.04≦z≦0.2。
3.如权利要求1所述的荧光体，其中Ba:Sr:Eu为0.1～1.45:0.5～1.7:0.05～0.2。
4.如权利要求1所述的荧光体，其中Ba:Sr:Eu为0.7～1.25:0.62～1.24:0.06～0.13。
5.如权利要求1所述的荧光体，其中使用波长为455nm的光源照射该荧光体，该荧光体受激发而发出的发光主波长为580～680nm，其发光色调的CIE1931色度座标(x,y)为0.45≦x≦0.72，0.2≦y≦0.5。
6.如权利要求1所述的荧光体，其中该荧光体为包含复数个荧光体粒子。
7.如权利要求6所述的荧光体，其中该荧光体粒子具有平均粒径(D50)，该平均粒径(D50)为大于6.2微米(μm)并小于14.4微米(μm)。
8.如权利要求6所述的荧光体，其中该荧光体粒子具有10%粒径(D10)，该10%粒径(D10)为大于3.4微米(μm)并小于8.3微米(μm)。
9.如权利要求6所述的荧光体，其中该荧光体粒子具长轴及短轴，该长轴为该荧光体粒子的表面上任2点间的最长距离，该短轴为与该长轴垂直的相交线上该荧光体粒子的表面上任2点间的最长距离，其中，该长轴相对于该短轴的比值为大于1.24并小于4.1。
10.一种荧光体粒子，包括：
钡元素(Ba)、锶元素(Sr)、硅元素(Si)及氮元素(N)，其中，该荧光体粒子具有平均粒径(D50)，该平均粒径(D50)为大于6.2微米(μm)并小于14.4微米(μm)。
11.如权利要求10所述的荧光体粒子，其中该荧光体粒子具有10%粒径(D10)，该10%粒径(D10)为大于3.4微米(μm)并小于8.3微米(μm)。
12.如权利要求10所述的荧光体粒子，其中该荧光体粒子具长轴及短轴，该长轴为该荧光体粒子的表面上任2点间的最长距离，该短轴为与该长轴垂直的相交线上该荧光体粒子的表面上任2点间的最长距离，其中，该长轴相对于该短轴的比值为大于1.24并小于4.1。
13.一种荧光体粒子，包括：
钡元素(Ba)、锶元素(Sr)、硅元素(Si)及氮元素(N)，其中，该荧光体粒子具长轴及短轴，该长轴为该荧光体粒子的表面上任2点间的最长距离，该短轴为与该长轴垂直的相交线上该荧光体粒子的表面上任2点间的最长距离，其中，该长轴相对于该短轴的比值为大于1.24并小于4.1。
14.一种发光装置，包括：
半导体发光元件；以及
荧光层，包括如权利要求1至9中任一项所述的荧光体或权利要求10至13中任一项所述的荧光体粒子，其中该荧光体及该荧光体粒子受该半导体发光元件所发出的光激发，并转换发出具有相异于该半导体发光元件所发出的光波长的光。
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