JP2719209B2 - 蛍光体の製造方法 - Google Patents
蛍光体の製造方法Info
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/54—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing zinc or cadmium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
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- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
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- C09K11/621—Chalcogenides
- C09K11/623—Chalcogenides with zinc or cadmium
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
- Battery Electrode And Active Subsutance (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、例えば傾向表示管の発光部に用いられ、電
子線に励起されて青色に発光する蛍光体の製造方法に係
り、特に硫黄（Ｓ）成分を含有しない酸化物系の蛍光体
の製造方法に関するものである。
子線に励起されて青色に発光する蛍光体の製造方法に係
り、特に硫黄（Ｓ）成分を含有しない酸化物系の蛍光体
の製造方法に関するものである。
前述のような蛍光体の製造方法の一例が特開平１−16
8789号に記載されており、第５図にその工程図を示し
た。この方法によれば、まずZnOとGa2O3を等モルづつ混
合して一次焼成を行う。１次焼成は、大気雰囲気におい
て1,300℃の温度で３時間行なわれ、これによって蛍光
体の母体であるZnO・Ga2O3の固溶体（混晶）が作製され
る。次に、これを粉砕し、母体であるZnO・Ga2O3固溶体
1molに対し５×10-2〜４×10-1mol（少量）のLi3PO4を
添加した後に、２次焼成を行う。２次焼成は、H2＋N2の
還元雰囲気において1,000℃の温度で１時間行なわれ、
これによって、ZnO・Ga2O3:Li,P蛍光体を作製する。そ
して、洗浄工程において未反応のLi3PO4を酸で洗浄除去
し、前記蛍光体を得る。
8789号に記載されており、第５図にその工程図を示し
た。この方法によれば、まずZnOとGa2O3を等モルづつ混
合して一次焼成を行う。１次焼成は、大気雰囲気におい
て1,300℃の温度で３時間行なわれ、これによって蛍光
体の母体であるZnO・Ga2O3の固溶体（混晶）が作製され
る。次に、これを粉砕し、母体であるZnO・Ga2O3固溶体
1molに対し５×10-2〜４×10-1mol（少量）のLi3PO4を
添加した後に、２次焼成を行う。２次焼成は、H2＋N2の
還元雰囲気において1,000℃の温度で１時間行なわれ、
これによって、ZnO・Ga2O3:Li,P蛍光体を作製する。そ
して、洗浄工程において未反応のLi3PO4を酸で洗浄除去
し、前記蛍光体を得る。
（１）Li3PO4はドーピング材であると同時にフラックス
でもあり、母体の融解性を高める作用をもっている。と
ころが、このLi3PO4は２次焼成の工程で添加されるもの
であり、１次焼成の工程では加えられない。従って母体
の固溶体を作る段階ではフラックスとしての作用がな
く、1,300℃の高温で焼成しなければならなかった。こ
のように高温下での１次焼成が必要であることから、従
来の方法によれば加熱費が高くつくという問題点があっ
た。また、高温焼成であっても原料のすべてが固溶され
ず、未反応の原料が残ってしまうという問題点があっ
た。さらに焼成後の固溶体の固着力が強くなって粉砕す
るのに時間がかかり、また粉砕時に結晶に傷をつけてし
まうという問題点があった。
でもあり、母体の融解性を高める作用をもっている。と
ころが、このLi3PO4は２次焼成の工程で添加されるもの
であり、１次焼成の工程では加えられない。従って母体
の固溶体を作る段階ではフラックスとしての作用がな
く、1,300℃の高温で焼成しなければならなかった。こ
のように高温下での１次焼成が必要であることから、従
来の方法によれば加熱費が高くつくという問題点があっ
た。また、高温焼成であっても原料のすべてが固溶され
ず、未反応の原料が残ってしまうという問題点があっ
た。さらに焼成後の固溶体の固着力が強くなって粉砕す
るのに時間がかかり、また粉砕時に結晶に傷をつけてし
まうという問題点があった。
（２）２次焼成による活性化が終った後で未反応の（ド
ープしていない）Li3PO4を硝酸で洗浄して除去するが、
この時に、活性化した蛍光体の結晶表面まで硝酸で一部
侵触し、表面状態を悪化させてしまうという問題点があ
った。
ープしていない）Li3PO4を硝酸で洗浄して除去するが、
この時に、活性化した蛍光体の結晶表面まで硝酸で一部
侵触し、表面状態を悪化させてしまうという問題点があ
った。
蛍光表示管等において、低速電子線の射突によって励
起発光するのは蛍光体の表面から数10Å程度の部分であ
ることが知られており、蛍光体結晶の表面状態は発光に
多きく影響する。このため、従来のこの種の蛍光体の発
光特性には、前記（１）及び（２）の問題点によってば
らつきが生ずることが避けられなかった。
起発光するのは蛍光体の表面から数10Å程度の部分であ
ることが知られており、蛍光体結晶の表面状態は発光に
多きく影響する。このため、従来のこの種の蛍光体の発
光特性には、前記（１）及び（２）の問題点によってば
らつきが生ずることが避けられなかった。
（３）従来は、ZnOとGa2O3を等モルづつ混合して母体で
あるZnO・Ga2O3の固溶体を作り、これにLi,Pをドープさ
せると共に母体である固溶体から酸素を除去して活性化
させる為に、還元雰囲気中で焼成温度が1,100℃で２次
焼成を行なっていた。しかしながら、本発明者らの研究
において、この２次焼成中に母体である固溶体中のZnO
が加熱還元されてZnになり、Znは沸点が930℃であるの
で、蒸発飛散してしまうことが実験によって確認され
た。第６図はその実験結果を示すものであり、２次焼成
後において、ZnO・Ga2O3固溶体及び各成分の残存率を重
量％で表したものである。この実験結果によれば、母体
である固溶体中に含有されているZnの量が大幅に減少し
ていることがわかる。即ち、従来の製造方法によれば、
母体の組成比が焼成前と比較してずれており、このため
に発光輝度が低くなっているという問題点があった。
あるZnO・Ga2O3の固溶体を作り、これにLi,Pをドープさ
せると共に母体である固溶体から酸素を除去して活性化
させる為に、還元雰囲気中で焼成温度が1,100℃で２次
焼成を行なっていた。しかしながら、本発明者らの研究
において、この２次焼成中に母体である固溶体中のZnO
が加熱還元されてZnになり、Znは沸点が930℃であるの
で、蒸発飛散してしまうことが実験によって確認され
た。第６図はその実験結果を示すものであり、２次焼成
後において、ZnO・Ga2O3固溶体及び各成分の残存率を重
量％で表したものである。この実験結果によれば、母体
である固溶体中に含有されているZnの量が大幅に減少し
ていることがわかる。即ち、従来の製造方法によれば、
母体の組成比が焼成前と比較してずれており、このため
に発光輝度が低くなっているという問題点があった。
本発明は以上の問題点を解決するためになされたもの
であり、母体であるZnO・Ga2O3固溶体の組成比がモル比
1:1であって、結晶の表面状態が良好なZnO・Ga2O3:Li,P
蛍光体を製造する方法を提供することを目的としてい
る。
であり、母体であるZnO・Ga2O3固溶体の組成比がモル比
1:1であって、結晶の表面状態が良好なZnO・Ga2O3:Li,P
蛍光体を製造する方法を提供することを目的としてい
る。
請求項１に記載された蛍光体の製造方法は、ZnOとGa2
O3とLi化合物を混合した後、大気中で焼成して固溶体を
作る工程と、前記固溶体を粉砕した後に余分のLi化合物
を洗浄除去する工程と、洗浄した前記固溶体を還元性ガ
スとZnガスの混合雰囲気中で焼成することによってZnO
・Ga2O3:Li蛍光体を活性化させる工程とからなることを
特徴としている。
O3とLi化合物を混合した後、大気中で焼成して固溶体を
作る工程と、前記固溶体を粉砕した後に余分のLi化合物
を洗浄除去する工程と、洗浄した前記固溶体を還元性ガ
スとZnガスの混合雰囲気中で焼成することによってZnO
・Ga2O3:Li蛍光体を活性化させる工程とからなることを
特徴としている。
また、請求項２に記載された蛍光体の製造方法によれ
ば、上述した蛍光体の製造方法において、還元性ガスを
導入する炉中にZnOとGa2O3の固溶体とZnOを置き、該ZnO
を焼成して還元することによってZnガスを発生させるよ
うにしたことを特徴としている。
ば、上述した蛍光体の製造方法において、還元性ガスを
導入する炉中にZnOとGa2O3の固溶体とZnOを置き、該ZnO
を焼成して還元することによってZnガスを発生させるよ
うにしたことを特徴としている。
上記の工程によれば、ZnO及びGa2O3に始めからLi化合
物を加えて焼成する。Li化合物は焼成工程においてフラ
ックス及びドープ材料として作用するので、ZnOとGa2O3
の固溶体を従来より低い温度で母体原料のすべてを完全
に固溶させるとともにLiを固溶体中にドープさせる焼成
温度を従来よりも下げることができる。従って、前記固
溶体の固着力が弱くなって粉砕する際に結晶の表面に傷
がつきにくくなる。
物を加えて焼成する。Li化合物は焼成工程においてフラ
ックス及びドープ材料として作用するので、ZnOとGa2O3
の固溶体を従来より低い温度で母体原料のすべてを完全
に固溶させるとともにLiを固溶体中にドープさせる焼成
温度を従来よりも下げることができる。従って、前記固
溶体の固着力が弱くなって粉砕する際に結晶の表面に傷
がつきにくくなる。
また、従来と異なり、余分のLi化合物を除去するため
の洗浄は、蛍光体を活性化させるための焼成を行なう前
に行なわれる。従って活性化した蛍光体の結晶表面が洗
浄によって損傷することはない。
の洗浄は、蛍光体を活性化させるための焼成を行なう前
に行なわれる。従って活性化した蛍光体の結晶表面が洗
浄によって損傷することはない。
また、活性化のための焼成工程において、還元性ガス
と共にZnガスを炉中に充満するので、炉中のZn蒸気密度
が高くなる。このため、蛍光体の母体である固溶体中の
ZnO,Ga2O3からZnが飛散しにくくなり、固溶体の組成比
が保たれる。
と共にZnガスを炉中に充満するので、炉中のZn蒸気密度
が高くなる。このため、蛍光体の母体である固溶体中の
ZnO,Ga2O3からZnが飛散しにくくなり、固溶体の組成比
が保たれる。
本発明の一実施例を第１図〜第４図によって説明す
る。
る。
ZnOとGa2O3は等モルづつである8.1gと18.7gに、Li化
合物としてのLi3PO4は母体1molに対し５×10-1molであ
る5.8gにそれぞれ秤量する。第１図に示す工程１におい
て、これらZnO,Ga2O3及びLi3PO4を混合機械によって乾
式でも十分に混合する。（必要に応じて湿式としてもよ
い。Li化合物としては、前記Li3PO4のほかに、ハロゲン
化リチウム、炭酸リチウム、硝酸リチウム、水酸化リチ
ウム、硫酸リチウム等が使用できる。） 工程２において、混合した材料をアルミナ容器に入
れ、大気雰囲気中において従来よりも低温の1,200℃で
３時間焼成して固溶体を形成する。従来は固溶体1molに
対し１×10-1molに相当する0.23gのLi3PO4添加されてい
たが、本実施例におけるLi3PO4の量は固溶体中にドープ
される量よりも多く、この１次焼成工程においてLi3PO4
はフラックスとして作用している。このため、従来より
も低温で１次焼成を行なうことができ、結晶性の良い固
溶体を母体原料のすべてを完全に固溶させることができ
ると共に、Li及びＰを固溶体中にドープさせることがで
きた。もちろん加熱に要する費用も従来より安価になっ
ている。
合物としてのLi3PO4は母体1molに対し５×10-1molであ
る5.8gにそれぞれ秤量する。第１図に示す工程１におい
て、これらZnO,Ga2O3及びLi3PO4を混合機械によって乾
式でも十分に混合する。（必要に応じて湿式としてもよ
い。Li化合物としては、前記Li3PO4のほかに、ハロゲン
化リチウム、炭酸リチウム、硝酸リチウム、水酸化リチ
ウム、硫酸リチウム等が使用できる。） 工程２において、混合した材料をアルミナ容器に入
れ、大気雰囲気中において従来よりも低温の1,200℃で
３時間焼成して固溶体を形成する。従来は固溶体1molに
対し１×10-1molに相当する0.23gのLi3PO4添加されてい
たが、本実施例におけるLi3PO4の量は固溶体中にドープ
される量よりも多く、この１次焼成工程においてLi3PO4
はフラックスとして作用している。このため、従来より
も低温で１次焼成を行なうことができ、結晶性の良い固
溶体を母体原料のすべてを完全に固溶させることができ
ると共に、Li及びＰを固溶体中にドープさせることがで
きた。もちろん加熱に要する費用も従来より安価になっ
ている。
工程３において、焼成した固溶体をめのう製のボール
ミルで粉砕する。前述した１次焼成の温度が従来よりも
低く、焼成された固溶体の固着力は比較的弱く、容易に
粉砕できるので結晶の表面に損傷を与えることがない。
ミルで粉砕する。前述した１次焼成の温度が従来よりも
低く、焼成された固溶体の固着力は比較的弱く、容易に
粉砕できるので結晶の表面に損傷を与えることがない。
工程４において、粉砕した固溶体を0.5規定の希硝酸
で洗浄し、固溶体中にドープしていない過剰なLi3PO4を
洗浄によって除去する。なお、分析の結果、洗浄した固
溶体中には７×10-2molのLiが含有されていた。
で洗浄し、固溶体中にドープしていない過剰なLi3PO4を
洗浄によって除去する。なお、分析の結果、洗浄した固
溶体中には７×10-2molのLiが含有されていた。
工程５において、洗浄済みの固溶体を２次焼成して活
性化する。まず、第２図に示すように、洗浄した固溶体
の試料をアルミナ製の容器10に入れ、1,100±10℃の温
度になる還元雰囲気炉11（以下、炉と呼ぶ。）のほぼ中
心にこの容器10を置く。図中矢印で示すように、H2ガス
を40ml/min、N2ガスを160ml/minの条件で炉中に流し、H
2及びN2ガスの導入方向について前記固溶体よりも手前
側であって、炉内温度が1,000〜1,070℃の範囲となる位
置にZnOが入ったアルミナ製の容器12を置く。また、前
記固溶体のなかにさらにZnOを加えて混合しておいても
よい。このようにすれば、焼成時に容器12内のZnOから
はZnが飛散し、H2及びN2ガスと共にZnガスが固溶体の試
料を覆う。即ち、固溶体は、Znガスの蒸気密度が高い還
元雰囲気中において約1,100℃の温度で焼成させる。従
って固溶体のZnOからはZnが飛散しにくくなり、固溶体
の組成比が理想的な値に保たれた状態で蛍光体の活性化
が行なわれる。
性化する。まず、第２図に示すように、洗浄した固溶体
の試料をアルミナ製の容器10に入れ、1,100±10℃の温
度になる還元雰囲気炉11（以下、炉と呼ぶ。）のほぼ中
心にこの容器10を置く。図中矢印で示すように、H2ガス
を40ml/min、N2ガスを160ml/minの条件で炉中に流し、H
2及びN2ガスの導入方向について前記固溶体よりも手前
側であって、炉内温度が1,000〜1,070℃の範囲となる位
置にZnOが入ったアルミナ製の容器12を置く。また、前
記固溶体のなかにさらにZnOを加えて混合しておいても
よい。このようにすれば、焼成時に容器12内のZnOから
はZnが飛散し、H2及びN2ガスと共にZnガスが固溶体の試
料を覆う。即ち、固溶体は、Znガスの蒸気密度が高い還
元雰囲気中において約1,100℃の温度で焼成させる。従
って固溶体のZnOからはZnが飛散しにくくなり、固溶体
の組成比が理想的な値に保たれた状態で蛍光体の活性化
が行なわれる。
第３図は、前記炉内で固溶体の手前に置くZnOの量を
変え、それによってZnOの蒸発面積（面積比）を変化さ
せZnフロー量を変化させた場合の実験結果を示す表図で
ある。この表図において、Znフロー量の欄は、固溶体と
は別に炉内に設けられた前記ZnOが還元されてZnとなっ
て飛散した量を示しており、ZnGa2O4の欄は固溶体の残
存率を示しており、Zn:Gaモル比の欄は合成された蛍光
体を分析して得られたZnとGaのモル比を示している。
変え、それによってZnOの蒸発面積（面積比）を変化さ
せZnフロー量を変化させた場合の実験結果を示す表図で
ある。この表図において、Znフロー量の欄は、固溶体と
は別に炉内に設けられた前記ZnOが還元されてZnとなっ
て飛散した量を示しており、ZnGa2O4の欄は固溶体の残
存率を示しており、Zn:Gaモル比の欄は合成された蛍光
体を分析して得られたZnとGaのモル比を示している。
この表図からわかるように、Znフロー量が多くなるほ
ど合成されたZnO・Ga2O3の残存率は高くなり、蛍光体中
のZnとGaのモル比も理想的な組成比である1:2に達する
ようになる。
ど合成されたZnO・Ga2O3の残存率は高くなり、蛍光体中
のZnとGaのモル比も理想的な組成比である1:2に達する
ようになる。
第４図は、第３図の各試料No.1〜No.4の蛍光体を各々
蛍光表示管の陽極発光部分に実装して同一条件で発光さ
せた場合の発光スペクトルを示している。
蛍光表示管の陽極発光部分に実装して同一条件で発光さ
せた場合の発光スペクトルを示している。
このグラフからわかるように、固溶体内から飛散した
Znの量が最も少ない試料No.1の蛍光体の輝度が一番高く
なっている。そして固溶体のZnOからZnが飛散する量の
多くなる順に、輝度が低下する傾向となっている。
Znの量が最も少ない試料No.1の蛍光体の輝度が一番高く
なっている。そして固溶体のZnOからZnが飛散する量の
多くなる順に、輝度が低下する傾向となっている。
なお、第１図における工程６は、蛍光体の印刷性を良
くするために、得られた蛍光体の粒径を一定にするため
の分級工程である。
くするために、得られた蛍光体の粒径を一定にするため
の分級工程である。
以上説明した一実施例では、Znガスを発生させるため
に還元雰囲気炉中にZnOを加えたが、有機亜鉛化合物を
分解してZnガスを作り、前記炉中に導入して炉中のZn蒸
気密度を高くするようにしてもよい。この有機亜鉛化合
物としては、例えばC4H10Zn（ジエチル亜鉛、沸点118
℃）やC2H6Zn（ジメチル亜鉛、沸点46℃）等のジアルキ
ル亜鉛が使用できる。
に還元雰囲気炉中にZnOを加えたが、有機亜鉛化合物を
分解してZnガスを作り、前記炉中に導入して炉中のZn蒸
気密度を高くするようにしてもよい。この有機亜鉛化合
物としては、例えばC4H10Zn（ジエチル亜鉛、沸点118
℃）やC2H6Zn（ジメチル亜鉛、沸点46℃）等のジアルキ
ル亜鉛が使用できる。
（１）ドープ材料であるLi化合物を１次焼成前から加え
て１次焼成時にフラックスとして作用させたので、焼成
温度を100℃下げて固溶体を形成することができた。
又、固溶体の未反応部分がなくなると共に、固溶体の粒
子間の固着力が従来よりも小さくなって粉砕が容易にな
った。このため、粉砕時間が短縮化され、結晶の表面に
できる傷が少くなり、結晶の表面状態も良好になった。
て１次焼成時にフラックスとして作用させたので、焼成
温度を100℃下げて固溶体を形成することができた。
又、固溶体の未反応部分がなくなると共に、固溶体の粒
子間の固着力が従来よりも小さくなって粉砕が容易にな
った。このため、粉砕時間が短縮化され、結晶の表面に
できる傷が少くなり、結晶の表面状態も良好になった。
（２）１次焼成後に不要になったLi化合物を、２次焼成
の前に洗浄して除去するので、洗浄工程で固溶体の一部
が侵触されたとしても、次の２次焼成で結晶状態が良く
なる。
の前に洗浄して除去するので、洗浄工程で固溶体の一部
が侵触されたとしても、次の２次焼成で結晶状態が良く
なる。
（３）２次焼成における蛍光体の活性化を還元性ガスと
Znガスの混合雰囲気中で行なっているので、母体である
ZnO・Ga2O3固溶体の組成比を理想的に近く保持すること
ができる。
Znガスの混合雰囲気中で行なっているので、母体である
ZnO・Ga2O3固溶体の組成比を理想的に近く保持すること
ができる。
以上（１），（２），（３）の点から、本方法で得ら
れるZnO・Ga2O3:Li蛍光体は、従来に比べて発光輝度が
高いという効果がある。
れるZnO・Ga2O3:Li蛍光体は、従来に比べて発光輝度が
高いという効果がある。
第１図は本発明の一実施例を示す工程図、第２図は同実
施例における２次焼成を示す模式図、第３図は同実施例
による実験の結果を例示する表図、第４図は同実施例の
実験で得られた試料No.1〜No.4のスペクトルを示す図、
第５図は従来の製造方法の一例を示す工程図、第６図は
従来の製造方法による実験の結果を示す表図である。
施例における２次焼成を示す模式図、第３図は同実施例
による実験の結果を例示する表図、第４図は同実施例の
実験で得られた試料No.1〜No.4のスペクトルを示す図、
第５図は従来の製造方法の一例を示す工程図、第６図は
従来の製造方法による実験の結果を示す表図である。
Claims (2)
- 【請求項１】ZnOとGa2O3とLi化合物を混合した後、大気
中で焼成して固溶体を作る工程と、前記固溶体を粉砕し
た後に余分のLi化合物を洗浄除去する工程と、洗浄した
前記固溶体を還元性ガスとZnガスの混合雰囲気中で焼成
することによってZnO・Ga2O3:Li蛍光体を活性化させる
工程とからなることを特徴とする蛍光体の製造方法。 - 【請求項２】還元性ガスを導入する炉中にZnOとGa2O3の
固溶体とさらにZnOを加えて、該ZnOを焼成して還元する
ことによってZnガスを発生させる請求項１記載の蛍光体
の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1303252A JP2719209B2 (ja) | 1989-11-24 | 1989-11-24 | 蛍光体の製造方法 |
| US07/617,088 US5051203A (en) | 1989-11-24 | 1990-11-23 | Process for producing phosphor |
| KR1019900019134A KR940003579B1 (ko) | 1989-11-24 | 1990-11-24 | 형광체의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1303252A JP2719209B2 (ja) | 1989-11-24 | 1989-11-24 | 蛍光体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03166289A JPH03166289A (ja) | 1991-07-18 |
| JP2719209B2 true JP2719209B2 (ja) | 1998-02-25 |
Family
ID=17918714
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1303252A Expired - Lifetime JP2719209B2 (ja) | 1989-11-24 | 1989-11-24 | 蛍光体の製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5051203A (ja) |
| JP (1) | JP2719209B2 (ja) |
| KR (1) | KR940003579B1 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2636672B2 (ja) * | 1993-05-31 | 1997-07-30 | 双葉電子工業株式会社 | 低速電子線用青色発光蛍光体 |
| KR100315226B1 (ko) * | 1999-07-16 | 2001-11-26 | 김순택 | 고휘도 저전압용 청색 형광체 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51149772A (en) * | 1975-06-07 | 1976-12-22 | Dainippon Toryo Co Ltd | Low speed electron beam excited fluorescent display unit |
| US4791336A (en) * | 1986-06-26 | 1988-12-13 | Futaba Denshi Kogyo Kabushiki Kaisha | Fluorescent composition and fluorescent luminous device |
| JPH0747733B2 (ja) * | 1988-12-28 | 1995-05-24 | 双葉電子工業株式会社 | 青色発光蛍光体 |
-
1989
- 1989-11-24 JP JP1303252A patent/JP2719209B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-11-23 US US07/617,088 patent/US5051203A/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-11-24 KR KR1019900019134A patent/KR940003579B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR910009878A (ko) | 1991-06-28 |
| US5051203A (en) | 1991-09-24 |
| JPH03166289A (ja) | 1991-07-18 |
| KR940003579B1 (ko) | 1994-04-25 |
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