KR930010745B1 - 형광물질과 그 형광물질을 사용한 음극선관 - Google Patents

형광물질과 그 형광물질을 사용한 음극선관 Download PDF

Info

Publication number
KR930010745B1
KR930010745B1 KR1019890017981A KR890017981A KR930010745B1 KR 930010745 B1 KR930010745 B1 KR 930010745B1 KR 1019890017981 A KR1019890017981 A KR 1019890017981A KR 890017981 A KR890017981 A KR 890017981A KR 930010745 B1 KR930010745 B1 KR 930010745B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
fluorescent material
phosphor
terbium
fluorescent
brightness
Prior art date
Application number
KR1019890017981A
Other languages
English (en)
Other versions
KR900009932A (ko
Inventor
히데쯔구 마쯔기요
데루끼 스즈끼
하지메 야마모도
야스히고 우에하라
야스가즈 모리다
요시히로 고세기
히로미찌 야마다
시게오 후지노
다까시 하세
쯔도무 야마다
스스무 오마도이
Original Assignee
가부시기가이샤 히다찌세이사구쇼
미따 가쓰시게
카세이옵트닉스 가부시키가이샤
아라이 키쿠지
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시기가이샤 히다찌세이사구쇼, 미따 가쓰시게, 카세이옵트닉스 가부시키가이샤, 아라이 키쿠지 filed Critical 가부시기가이샤 히다찌세이사구쇼
Publication of KR900009932A publication Critical patent/KR900009932A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR930010745B1 publication Critical patent/KR930010745B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7766—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals
    • C09K11/7774—Aluminates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/62—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing gallium, indium or thallium
    • C09K11/621—Chalcogenides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7766—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals
    • C09K11/77742—Silicates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7766—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals
    • C09K11/778—Borates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7783—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals one of which being europium
    • C09K11/7792—Aluminates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7783—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals one of which being europium
    • C09K11/77922—Silicates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
    • H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
    • H01J29/10—Screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored
    • H01J29/18—Luminescent screens
    • H01J29/20—Luminescent screens characterised by the luminescent material

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)

Abstract

내용 없음.

Description

형광물질과 그 형광물질을 사용한 음극선관
제1도는 Yb농도에 대한(Y1-X-yTbXYby)3Al5O12형광물질의 밝기관계를 도시한 그래프.
제2도는 Yb농도에 대한 상기 형광물질의 밝기지속인자 관계를 도시한 그래프.
제3도는 Yb농도에 대한 (Y1-X-yTbXYby)3(Al1-ZGaZ)5O12형광물질[여기서, Al/(Al+Ga)몰비=0.67]의 상대밝기 관계를 도시한 그래프.
제4도는 Yb농도에 대한 (Y1-X-yTbXYby)3(Al1-ZGaZ)5O12형광물질[여기서, Al/(Al+Ga)몰비=0.60]의 상대밝기 관계를 도시한 그래프.
제5도는 Eu농도에 대한(Y0.93-ZTb0.07EuZ)2SiO5형광물질의 상대밝기관계를 도시한 그래프(Z).
제6도는 Gd농도에 대한(Y0.93(1-X)Gd0.93XTb0.07EuZ)2SiO5형광물질[이중에서, Z=0(곡선 8), Z=1 X 10-4(곡선 7)]의 상대밝기 관계를 도시한 그래프(χ).
제7도는 Tb농도에 대한(Y1-Y-ZTbyEuZ)2SiO5형광물질(여기서 Z=1 X 10-4)의 상대밝기관계를 도시한 그래프(y).
제8도는 상기 형광물질이 가해진 투영음극선관의 개략도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
11 : 정면판 12 : 형광물질막
13 : 알루미늄침전막 14 : 목관
15 : 전자총 16 : 편향요우크(deflection yoke)
17 : 촛점코일
본 발명은 고밀도 전자포격에 적합한 녹색발광 형광물질과 그 형광물질을 이용한 음극선관에 관한 것이다. 투영음극선관에 이용된 전류밀도는 직시관(直視館)에 이용된 전류밀도의 100배 이상이다. 이와같이 투영관에 이용된 형광물질은 고발광효율이 요구될 뿐만아니라 밝기에 있어서 우수한 전류 및 온도특성을 갖으며, 고밀도 전자포격에서의 조사(照射) 시간에서도 밝기가 거의 변화하지 않을 것이 요구된다.
특히, 최상스트린의 백색밝기에 기여하는 녹색발관 형광물질은 우수한 발광특성을 갖는 것이 바람직하다. 이러한 상황에서, 많은 제조업자들은 형광물질 개량에 노력하고 있으며, 여러물질도 연거하고 있다. 특히, 제217차 형광물질 연구학회의 회보에 기재된 녹색에 대해서 연구 개발하고 있다.(투영관에 대한 형광물질 PP. 19~26, 1987년)
예를들면, 일본국 특개소 제 37670/1973호 공보, 미국특허 3,758,413등은 Y2SiO5: Tb의 성분비를 갖는 형광물질을 발표하고 있다.
일본국 특개소 제 101175/1985호는 Y3(Al1-XGaX)5O12: Tb(여기서, 0
Figure kpo00001
χ
Figure kpo00002
1)의 성분비를 갖는 형광물질을 발표하고 있다.
이 형광물질은 밝기가 저전류밀도(10μA/㎠이하)에서 전류밀도에 비례하여 증가하는 발기 전류특성과, 밝기가 형광물질의 온도변화에 대해서 거의 변화하지 않는 우수한 밝기온도특성을 갖는다. 이와같이, 이 형광물질은 고발광효율을 갖는다. 또한, 이 형광물질의 문제점은 고전류밀도(10μA/㎠이상)에서의 밝기아다. 밝기가 전류밀도에 비례하여 증가하는 것이 아니라 포화경향을 나타낸다. 상기 ＂전류밀도＂는 라스터 (rater)영역으로 전자비임전류를 분할하여 얻어진 값을 나타낸다. 또한 미국특허 3,666,676은 일반화학식 M1-X-yOX : TbXYby로 표현된 형광물질을 발표하고 있다. 여기서, M은 La 및 Gd를 구성하는 군에서 선택된 원소를 표시하고, X는 Cl 및 Br를 구성하는 군에서 선택된 원소를 나타낸다.
상기 미국특허 X-선 여기(勵起)후 관측된 초단위에서의 잔광은 Yb첨가로 감소됨을 기술하고 있다. 아뭏은, 상기 종래의 녹색발광 형광물질은 고밀도 전자포격하에서 착색되고 발광효율 및 조사시간 동안에 밝기에 있어서 자하문제를 초래한다. 예를들면, 본 발명자들의 실시예에 의해서, 비교적 안정한 Y3Al5O12: Tb에서 초기밝기(밝기지 속인자로 언급)에 전자포격을 가한후 밝기뷔는 0.95이고, LaOCl : Tb에서 Yb는 0.5~0.6이다. 투영음극선관에서 실용 가능한 녹색발광 형광물질을 만들기 위하여, 우선, 전자비임포격에 의해서 밝기가 저하되는 것을 방지해야하고, 또한 고전류밀도하에서도 고발광효율을 유지하고 밝기포화를 방지하는 것이 필요하다.
Tb와 Eu의 상호도우핑에 대해서, 일본국 특개소 제 105075/1984와 미국특허 3,394,048는 Eu 및 Tb가 상호활성화된 InBO3의 성분비를 갖는 황색발광 형광물질을 발표하고 있다.
본 발명의 목적은 밝기가 저하되지 않고, 포화되지 않으며, 고발광 효율을 갖는 형광물질과 형광물질을 이용한 음극선관을 제공하는데 있다.
상기 목적은 사마륨(Sn), 유포퓸(Eu), 튤륨, 이테르븀(Yb)을 구성하는 군에서 선택된 적어도 하나의 Tb활성화된 산화형광물질로 결합되어 달성된다.
매우 작은 양의 3가원소에 대한 결합이 그의 숙주가 산화물인 Tb활성 녹색 형광물질의 밝기 저하를 방지하기 위하여 연구되어 왔다.
그 결과, Sn,Eu,Tm,Yb중의 적어도 하나를 결합하는 것이 밝기 저하를 방지하는데 효과적임을 발견하였다. 또한, 이 원소결합은 수십퍼센트의 형광물질효율을 증가시킴을 발견하였고, 또한 전류에 대한 발광효율의 종속성을 증가한다.
이 원소의 결합은 모두의 Tb활성 형광물질에 영향을 미치고, 예를들어 Y2O2S : Tb같은 산황화물에 대해서는 영향이 나타나지 않는다는 것을 전기 상술에서는 표현하고 있다. 상세한 연구결과 Tb활성형광물질의 적절한 예는 그의 숙주가 산화물인, (Y1-XTbX)3(Al1-ZGaZ)5O12(1 X 10-2
Figure kpo00003
X
Figure kpo00004
0.20, 0
Figure kpo00005
Z
Figure kpo00006
1), (Y1-X-ZGbZTbX)2SiO5(0.05
Figure kpo00007
X
Figure kpo00008
0.15, 0
Figure kpo00009
Z
Figure kpo00010
0.45), In1-XTbXBO3(1 X 10-4
Figure kpo00011
X
Figure kpo00012
0.04)와 같은 물질임을 발견하였다.
특히, 그 효과는 (Y1-XTbX)3(Al1-ZGaZ)5O12(0.04
Figure kpo00013
X
Figure kpo00014
0.14, 0.1
Figure kpo00015
Z
Figure kpo00016
0.6)에 대해서 주목할 만하다. 결합원소의 영향은 몰비로 약 1ppm의 저온도에서 나타나고, 농도가 증가함에 따라 발광효율은 결합원소와 Tb사이에 상호작용에 의해 낮아지며, 색조는 결합원소의 발광에 의해 저하된다. 그러므로 원소농도의 특히 바람직한 범위가 있다. 농도의 상한은 형광물질과 원소에 종속한다. 결합된 원소중에서 Yb3+의 발광은 적외선 영역 부근에서 발생하여, Tb3+의 발광색이 손상되지 않는다. 그러므로 Yb는 몰비로 약 2 X 104ppm의 높은 농도까지 결합된다. 이와는 대조적으로, Eu3+의 발광은 적색영역에서 발생하며, 그의 발광 효율이 높기 때문에, Eu는 저농도에서도 곤란을 초래한다. Eu농도의 상한은 몰비로 3 X 102ppm이다. 또한 융제가 In1-XTbXBO3인 경우에 있어서, Eu농도의 상한은 몰비로 3×10ppm이다. 왜냐하면 발광이 다른 융제보다 저농도에서 발생하기 때문이다. Sm3또한 적색을 발광한다. Sm3+의 발광효율이 Eu3+보다 낮기 때문에 그의 농도의 상한은 높거나 몰비로 약 103ppm이다.
적색 및 청색을 발광하는 Tm3+는 저발광효율을 가지며, 그의 농도가 몰비로 약 1 X 103ppm에 도달하기 전에 Tb3+의 발광색은 손상되지 않는다.
본 발명에 있어서, CIE 1931표준 표색계(standard coloimetric system)의 색도좌표에 있어, 그것의 기호 X,Y는 색을 표시한다. Tb활성녹색을 발광하는 형광물질중에서, In-1TbyBO3는 비교적 순수한 녹색과 비슷하고, 전형적으로 X=0.325, Y=0.625인 색도좌표를 표시되는 색을 발광한다. 다른 Tb활성형광물질은 X=0.33~0.34, Y=0.56부근에서 황색을 띤 녹색을 방광하는데 실용적으로 사용된다. 색도좌표는 언급된곳 또는 녹색근처, 즉, X가 작고 Y가 큰방향에서 바람직하게 존재한다. 황색쪽 부근에 한계는 X=0.36, Y=0.54인 색도좌표로 표시되며 상기 값과 비슷하다. 이 표준을 기초로, Eu3+발광의 첨가로 야기된 In1-X-yTbXEuyBO3의 색도좌표의 변경에 있어서, X는 0.34를 초과하지 않고 Y는 0.56을 초과하지 않는것이 바람직하다. 즉 변경은 X에 대해서 약 5%, Y에 대해서 약 10% 내에서 이루어지는 것이 바람직하다. 또한, X는 0.36을 초과하지 않고, Y는 0.54를 초과하지 않고, 즉, 변경이 X에 대해서 11%변화를 초과하지 않고, Y에 대해서 14%변화를 초과하지 않는것이 요구된다.
다른 Tb활성형광물질들에 대해서 언급하면, X,Y에 대한 허용변경이 보다 작으며, 그들의 한계는 X에 대해서 약 10%, Y에 대해서 약 5%이다.
일반화학식 (Y1-X-y-ZGdXTbyMe)2SiO5로 표현된 형광물질의 합성에 있어서, Na나, K나, 또는 NaI의 브로화물 또는 염화물같은 적당한 알칼라 할로겐화물의 융제 사용으로 고밝기를 갖는 형광물질이 주어진다. 일반화학식에 있어서, M은 Yb,Tm,Sm, Eu로 구성하는 군에서 선택된 적어도 한소자를 나타낸다.
상기 형광물질의 몰당 용제(flux)의 양은 0.05~0.4몰 범위가 바람직하다. 연소온도는 1,250~1800℃범위가 바람직하며, 또한, Y 또는 Gd부는 Sc로 대치되고, Si부는 Ge로 대치된다.
본 발명에 있어, 결합 사용 가능한 원소는 숙주를 구성하는 양이온, 즉, Y와 Gd보다 작은 제3이온화전위를 갖는다는점에서 공통특성을 갖는다. 그 결과, 결합원소는 당해가 숙주를 구성하는 원소로 대치될때 전자를 포획한다. 이것은 에이징 방지 및 밝기포화와 어떤 관계를 갖는것으로 간주된다. 또한 산호가 빈곳은 전자를 포획하며, 선중앙을 형성하는 것으로 간주된다. 전자에 경우 산소가 빈곳을 갖는 상기 결합원소의 경쟁결과로서 색중앙의 형성은 에이징을 감소하기 위하여 방지된다고 가정한다.
상기외에 다른 가능성은 (Y1-XTbX)3(Al1-ZGaZ)5O12와 관련하여 고려된다. Ga는 보통 3가 상태이며, 산소가 빈곳을 발생시키기 위해서 부분적으로 1가가된다. 산소결함은 시간에 따른 밝기변화의 인자로 고려된다. 이점은 또한(Y1-XTbX)3Al5O12인 Ga자유형광물질이 시간에 대한 밝기의 변화정도가 이 형광물질들간에 비교될때 그들의 결정안으로 삽입된 Ga를 갖는 형광물질보다 고밀도 원소포격에 대해서 보다 큰힘을 갖는다는 사실에서 쉽게 이해된다.
한편, 보통 3가인 원소(예, Yb)가 결정안으로 삽입되면 Yb는 3가에서 2가로 상태가 변하는 경향이 있는 반면, Ga는 산소가 빈곳의 형성을 방지하기 위하여 3가상태를 유지한다. Sm,Eu,Tm의 경우 또한 실제로 같다. 그 결과, 고밀도 전자포격에 대한 시간변화에 따른 밝기의 변화가 작을때에 형성된 형광물질이 있다. 또한, 산소가 빈곳은 형광물질의 발광효율을 감소하는 인자중의 하나이며, 산소가 빈곳의 농도감소는 형광물질의 효율을 증가하고 전류의 발광효율 종속성을 증가하는데 효과적이다.
상기 형광물질 중의 적어도 하나를 사용한 음극선관은 전류밀도(라스터 영역으로 전자비임전류를 분할하여 얻어진 값)가 10μA/㎠를 초과하는 강력한 음극선관으로 사용가능하다.
본 발명에 대해서 이후는 예를 참조하여 예증한다.
예 1~8
각 예에서, Y2O3, Al2O3, Tb4O7의 소정양은 이들의 몰비가 0.93 :1.667 : 0.035정도로 무게제어 진다. 그리고, Yb2(SO4)3수용액의 소정량이 이들에 첨가되고, 마노모르타르(agate mortar)에서 습식혼합된다. 혼합물은 건조하여 알루미나 도가니에 넣고, 백색분말을 산출하기 위하여 약 2시간 동안 1,500℃에서 대기상태로 가열한다. 비이커에 백색분말을 넣고, IN질산수용액으로 두번 물로씻고, (Y1-X-yTbXYby)3Al5O12형광물질을 산출하기 위하여 140℃에서 건조한다.
각 예에서 구한 형광물질은 규산칼륨을 사용한 응집침전으로 약 6mg/Gm2의 막두께를 갖는 스테인레스강철 호울더에 가해진다. 상기에서 얻은 형광물질 막은 전자비임조사장치에서 고정되고, 10분동안 형광물질막의 밝기저하의 정도를 검사하기 위하여 10 X 10mm2의 라스터에서 100μA의 전류 및 20KV의 가속전압을 갖는 전자비임으로 조사된다. 초기발광출력(밝기지속인자)에 10분의 조사를 한후에 발광출력의 비는 밝기저하의 측정치로 사용된다. 동시에, 조사시작 시간에서의 밝기값이 측정된다.
비교하기 위하여 Yb가 포함되지 않은 표본을 인용한다. 표1과 제1도, 제2도는 그 결과를 도시한다. 제1도에서, 곡선(1)은 100μA의 전자 비임전류에서 측정한 밝기를 표시하고, 곡선(2)는 10μA의 전자비임전류에서 측정한 밝기를 표시한다. 제2도에서, 곡선(3)은 밝기지속인자에 대한 데이터를 표시한다.
이 결과와 같이 명백히, 고전류영역에서 고밝기를 갖고, 몰비로 1ppm에서 2 X 104ppm(1 X 10-6
Figure kpo00017
Y
Figure kpo00018
2 X 10-2)의 범위에서 Yb의 양을 조절한 고밝기지속인자(밝기저하가 거의 발생하지 않은곳에서)를 갖는 형광물질을 생산하는 것이 가능하다. 저 전류 영역에서, Yb의 영향은 낮다. 그리고, Yb농도가 높으면, 밝기는 다소 낮아진다. 몰비로 Yb농도는 10~103ppm의 바람직하며, 특히 50~5 X 102ppm이 바람직하다. 실용적으로 사용가능한 레벨에서의 밝기는 Tb농도가 104에서 2 X 105ppm(1 X 10-2
Figure kpo00019
X
Figure kpo00020
0.20)의 범위에서 얻어지고, 특히 양호한 밝기는 Tb농도가 4 X 1010에서 1.4 X 105ppm(0.40
Figure kpo00021
X
Figure kpo00022
0.14)의 범위에서 얻어진다.
예 9~19
각 예에서, Y2O3,Al2O3, Ga2O3, Tb4O7의 소정양은 무게재어지고 Yb2(SO4)3수용액은 소정량이 이들에 첨가되어, 마노모르타르에서 습식혼합된다. Y2O3,Al2O3, Ga2O3, Tb4O7의 몰비는 0.93 : 1.111 : 0.556 : 0.035이다. 예 1~8에서 기술된 사항과 같은 합성법이 (Y1-X-yTbXYby)3(Al1-ZGaZ)5O12의 일반화학식으로 표현된 녹색발광 형광물질을 산출하기 위하여 반복된다. 각예에서 얻어진 형광물질의 특성은 예 1~8의 특성과 같은 상황하에서 평가된다. Ga 및 Yb가 포함되지 않은 표본은 또한 비교로서 검사된다. 표 2는 그 결과를 나타낸다.
[표 1]
밝기저하의 비교와(Y1-X-yTbXYby)3Al5O12의 밝기
Figure kpo00023
* 상대밝기 : 20KV의 가속전압 및 100ｕA의 전류에서의 Yb가 함유되지 않은 형광물질의 밝기는 1로 한다.
[표 2]
밝기저항의 비교와(Y1-X-yTbXYby)3(Al1-ZGaZ)5O12
Figure kpo00024
* 상대밝기 : 20KV의 가속전압, 100ｕA의 전류에서 Al/(Al+Ga)=0.67, Yb가 함유되지 않은 형광물질의 밝기는 1로한다.
예 20~24
형광물질은 형광물질의 발광특성을 도시하는 예 9~19와 표 3에서와 동일한 방법으로 Al/(Al+Ga) 성분비를 변화하여 조성한다. Yb의 양은 Y위치에서 몰비로 20ppm으로 조정된다. 형광물질은 11~12㎛의 평균입자직경을 갖는다.
[표 3]
(Y1-X-yTbXYby)3(Al1-ZGaZ)5O12의 발광특성비교
Figure kpo00025
* 상대밝기 : 20KV의 가속전압과 100μA의 전류에서 Al/(Al+Ga)=0.67와 Yb가 함유되지 않은 형광물질의 밝기는 1로 한다.
또한 제3도는 Yb의 양과 발광출력간에 관계를 도시한다. 제3도와 같이, 밝기가 개량되고, Yb의 양을 몰비로 1ppm에서 2X104ppm(1 X 10-6
Figure kpo00026
y
Figure kpo00027
2 X 10-2)의 범위에서 조정되어 밝기저하가 거의 발생하지 않는 형광물질을 생산하는 것이 가능하다. Yb결합의 영향은 Al/(Al+Ga)성분비가 0~1의 범위에서 나타난다. 특히, 그 영향은 0.1~0. 6의 성분비 범위에서 크다.
실용적으로 사용가능한 레벨에서의 밝기는 Tb농도가 104에서 2 X 105ppm(1 X 10-2
Figure kpo00028
X
Figure kpo00029
0.2)의 범위에서 얻어지고 특히 양호한 밝기는 Tb농도가 0.04
Figure kpo00030
X
Figure kpo00031
0. 14(제4도)인 범위에서 얻어진다.
본 예에 의한 Yb의 결합으로 형광물질의 밝기저하를 방지하고 약 30% 이상의 밝기를 증가하는 것이 가능하다.
예 25~31
Sm2(SO4)3또는 Eu2(SO4)3는 예 24까지 열거된 예에서 사용된 Yb2(SO4)3대신에 사용되고 예 1~8의 순서는 형광물질을 합성하기 위하여 반복된다. 또한 Yb, Sm, Eu의 혼합계에 대하여, 형광물질은 발광특성을 검사하기 위하여 합성된다. 전자비임조사를 위한 조건은 예 1~8에 기술된 사항과 같다.
표 4는 그 결과를 도시한다.
[표 4]
전예에서 Al/(Al+Ga)=0.67인 (Y1-xyTbXMy)3(Al1-ZGaZ)5O12의 발광특성비교
Figure kpo00032
* 상대밝기 : 20KV의 가속전압과 100μA의 전류에서 Al/(Al/Ga)=0.67, 원소가 결합되지 않는 형광물질의 밝기는 1로 한다.
이 예에 의해서, 형광물질속에 Sm, Eu 또는 Tm의 결합은 인의 밝기저하를 방지하고 그것에 의해 밝기를 증가함을 확인할 수 있다. 이 회토류원소의 혼합결합은 같은 영향을 가짐을 확인할 수 있다.
예 33
(Y0.774-2Gd0.186Tb0.07Euz)2O3(1 X 10-2)의 일반화학식으로 표현된 산화분말이 조성되고 SiO2의 1 X 10-2몰과 NaBr의 1.5 X 10-3몰이 여기에 첨가된다. 이 성분비는 모르타르에서 잘 혼합되고, 그 혼합은 알루미나 도가니에 채워져서 1,600℃에서 2시간 동안 N2및 H2혼합가스(H2의 5%)로 가열된다. 가열된 생성물은 물로 세척되어 (Y0.774-2Gd0.186Tb0.07Euz)2SiO5의 성분비를 갖는 형광물질을 산출하기 위하여 120℃에서 가열된다. 제5도는 Eu 농도에 대한 상대 밝기관계를 도시한다(z).
z=1X10-4인 표본의 밝기는 Eu가 함유되지 않은 표본과 비교하여 볼때 15%까지 증가한다. 또한 z=1X10-4인 표본은 0.99의 밝기지속인자를 갖는 반면에, Eu가 함유되지 않은 표본은 0.90의 밝기지속인자를 갖는다.
또한, 다음예를 포함하는 예에서, 밝기를 측정하는 조건과 밝기지속인자는 예 1~8에 기술된 것과 같다.
예 34
(Y0.93(1-X)-ZGd0.93XTb0.07Euz)2O3(1 X 10-2몰)(여기서 z=1 X 10-4)의 일반화학식으로 표현된 산화분말이 조성되고, SiO2의 1X10-2몰과 NaBr 의 1.5X10-3몰이 여기에 첨가된다. 이후에, (Y0.93(1-X)-ZGd0.93XTb0.07Euz)2SiO2(여기서, z-1X10-4)의 성분비를 갖는 형광물질을 산출하기 위하여 예 33과 동일방법으로 혼합된다.
참고로, 상기 일반화학식에서 x=0열들의 표본은 예 33와 같은 방법으로 합성된다. 제6도는 x=z=0인 표본의 밝기에 대한 상기 두열의 형광물질의 상대밝기를 도시한다. 곡선(8)은 z=0인 표본의 상대밝기를 표시하고, 곡선(7)은 z=1X10-4인 표본의 밝기를 표시한다. 밝기는 Eu의 결합으로 약 10% 증가하고, 표본의 발기근 Gd 치환작용이 x=0.3까지 영향을 미칠때 약 10% 증가한다.
밝기지속인자는 0.90에서 0.95와 0.98 사이 점에서 증가한다.
예 35
(Y0.774-ZGd0.186Tb0.07Ybz)2O3(1X10-2몰)(여기서 z=1X10-4)의 일반화학식으로 표현된 산화분말이 조성되고, SiO2의 1X10-2몰과 NaBr의 1.5X10-3몰이 여기에 첨가되고, (Y0.774-ZGd0.186Tb0.07Ybz)2Si95의 성분비를 갖는 형광물질을 산출하기 위하여 예 33과 동일방법으로 혼합된다. 형광물질의 Yb가 함유되지 않은 표본과 비교하여 볼때 밝기는 12% 증가하고 형광물질의 밝기지속인자는 8% 증가함이 가능하다.
예 36
(Y0.93-ZTb0.07Euz)2O3(1 X 10-2몰)(여기서, z=1 X 10-4)의 일반화학식으로 표현된 산화분말이 조성되고, SiO2의1 X 10-2몰과 NaBr의 1.5 X 10-3몰이 여기에 첨가된다. 이후에, (Y0.93-ZTb0.07Euz)2SiO5의 성분비를 갖는 형광물질을 산출하기 위하여 예 33과 동일방법으로 혼합된다. Eu가 함유되지 않은 표본과 비교하여 볼때 형광물질의 밝기는 13% 증가하고, 형광물질의 밝기지속인자는 8% 증가함이 가능하다.
예 37
(Y1-y-zTby Euz)2O3(1 X 10-2몰)(여기서, z=1X10-4)의 일반화학식으로 표현된 산화분말이 조성되고, SiO2의 1X10-2몰과 NaBr의 1.5 X 10-3몰이 여기에서 첨가된다. 이후에, (Y1-y-zTby Euz)2SiO5의 성분비를 갖는 형광물질을 산출하기 위하여 예 33과 동일한 방법으로 혼합된다. 제7도는 Tb농도에 대한 발기 관계를 도시한다. y가 0.1일때, 최대밝기가 얻어진다. 또한, Eu의 결합이 밝기를 증가함을 알 수 있다. 밝기지속인자는 Eu가 결합하지 않은 경우에 0.90에서 0.93과 0.99 사이에 점까지 증가한다.
예 38
(Y1-y-zTby Smz)2O3(1 X 10-2몰)(여기서, y=0.07, z=2 X 10-4)의 일반화학식으로 표현된 산화분말이 조성되고, SiO2의 1X10-2몰과 NaBr의 1.5X10-3몰이 여기에서 첨가된다. 이후에, (Y1-y-zTby Smz)2SiO5의 성분비를 갖는 형광물질을 산출하기 위하여 예 33과 동일한 방법으로 혼합된다. 그것의 밝기지속인자는 Sm이 결합하지 않은경우 0.90에서 0.95까지 증가하고, 그 밝기는 10% 증가한다.
예 39
(Y1-y-zTby Smz)2O3(1 X 10-2몰)(여기서, y=0.05)의 알반화학식으로 표현된 산화분말이 조성되고, SiO2의 1X10-2몰과 NaBr의 1.5X10-3몰이 여기에서 첨가된다. 이후에, (Y1-y-zTby Tmz)2SiO5의 성분비를 갖는 형광물질을 산출하기 위하여 예 33과 동일한 방법으로 혼합된다. 그것의 밝기지속인자는 Tm이 결합하지 않은경우, 0.90에서 0.93까지 증가하고, 그 밝기는 7% 증가한다.
예 40~48
(Y0.9-ZTb0.1Eu2)2O3(1X10-2몰)(여기서, z=1X10-4)의 일반화학식으로 표현된 산화분말이 조성되고, SiO2의 1X10-2몰과 MX로 표현된 용제(溶劑)의 1.5X10-3몰이 여기에 첨가된다. 이 경우에 있어서, M은 Na, K, Rb 또는 Cs를 표현하고, X는 Cl, Br 또는 I를 표현한다. 이후에(Y0.9-ZTb0.1Euz)2Si95의 일반화학식으로 표현된 성분비를 갖는 형광물질을 산출하기 위하여 예 33과 동일방법으로 혼합된다.
표 5는 이들예에서 얻어진 형광물질의 밝기와 용제의 종류를 도시한다. 용제가 사용되지 않은 표본의 밝기를 1이라할때 밝기에 대한 값이 이들을 나타낸다. 용제의 결합으로 7~13% 정도 밝기가 증가됨을 알 수 있다.
[표 5]
용제 결합에 대한 영향
Figure kpo00033
예 49~54
H3BO3의 2.200g(0.0088몰), In2O3(4.476g, 0.016몰), In2O3에 의거한 Tb4O7의 0.15몰%가 무게재어지고, Yb의 1mg/ml를 포함하는 중성수용액의 1.68ml가 이 성분비에 첨가된다. 또한 순수한 물 3ml기 이들을 슬러리(slurry)처럼 되도록 가해져서 혼합된다. 그 혼합은 3시간 동안 140℃에서 건조되고, Li2B4O7의 0.20g이 첨가되어 모르타르에서 혼합된다. 그 혼합물을 1시간동안 1,000℃에서 가열되고, 가열된 생성물이 분쇄되어 모르타르에서 혼합된다. 이 생성물은 또한 2시간 동안 120℃에서 가열되고, 냉각되어, 모르타르에서 가볍게 분쇄된다. 굵은 입자는 그물로 제거되고 남아있는 생성물은 묽은 질산으로 세척되고, 물은 세척되어 다음에(Jn0.997-yTb0.003Yby)BO3(여기서, y=3X10-4)의 일반화학적으로 표현된 형광물질을 산출하기 위하여 가열된다.
마찬가지로, 다른 Yb 농도를 갖는 형광물질 표본이 상기 Yb를 함유하는 수용액양을 변화하여 조성된다. 또한, 참조로서, Yb가 함유되지 않은 표본이 합성된다. 상대밝기와 참조로서 표본의 밝기지속인자는 예 1~8에 기술된 동일상황하에서 측정된다. 표 6은 그 결과를 도시한다.
[표 6]
(In0.997-yTb0.003Yby)BO3의 특성
Figure kpo00034
예 55~60
(Y2.79-zTb0.21Ybz)(Al3.15Ga1.85)O12의 일반화학식으로 표현된 형광물질은 6mg/㎠의 두께를 갖는 형광물질 막을 형성하도록 7인치 밸브에 침전도포되고, 전자촛점전자총이 벌브에 고정되고, 벌브는 진공차폐되어, 액냉각투영관이 형성된다. 또한 비교를 위해, 또다른 투영관이 Yb가 함유되지 않은(Y2.79Tb0.21)(Al3.15Ga1.85)O12형광물질을 사용하여 상기 순서를 반복하여 형성된다.
밝기, 밝기지속인자, 상기 투영관 각각의 발기 전류계수(r값)이 측정된다. 표 7은 그 결과를 나타낸다.
[표 7]
Figure kpo00035
* 5~7m 전류에서의 평균값, 또한 밝기의 절대값은 1X105cd/m2
예 61
(Y0.744-zGd0.186Tb0.07Euz)2SiO5인 예 33에서 얻어진 형광물질이 6mg/cm2의 두께인 형광물질막은 형성하도록 7인치 벌브에 침전도포되고, 전차촛점전자총이 벌브에 고정되어, 투영관이 형성된다. 또한 비교를 위하여, 또다른 투영관이 오로지 Eu가 함유되지 않은(Y0.744Gd0.186Tb0.07)형광물질을 사용하여 상기 순서를 반복하여 형성된다.
제8도는 투영관의 개략단면도를 도시한다. 수치(12)로 표시된 상기 형광물질의 막이 정면판(11)에 형성된다. 넥관(14)내에 전자총(15)이 전자비임을 방출하며, 전자비임은 주사선에 대응되고, 촛점코일(17)로 촛점이 맞추어 지도록 편향요우크에 의해 편향된다. 그 다음에, 전자비임이 형광물질 막을 여기하기 위하여 알루미늄 침전막을 통해 움직인다. 전자비임점의 직경은 위치와 전류값에 따라서 다르지만 보통 03~0.6mm이다.
발기, 발기지속인자, 상기 투영관 각각의 밝기전류계수(r값)이 측정된다. 표 8은 그 결과를 도시한다.
[표 8]
(Y0.744-ZGd0.186Tb0.07EuZ)2SIO5를 사용한 투영관의 특성
Figure kpo00036
투영관에 대한 밝기지속인자의 측정방법은 다음과 같다.
형광물질막은 가속전압이 30KV, 음극전류가 0.55mA, 라스터크기가 5인치, 조사시간이 2,000시간의 조건에서 전자비임이 조사되고, 조사후에 밝기값은 조사전 밝기에 대한 상대값임을 보여준다.
또한, 상기 전류계수(r)값은 음극전류가 0.2와 ImA 사이에서의 값을 나타낸다.
표 8에서와 같이, 본 발명인(Y0.744-ZGd0.186Tb0.07Euz)2SiO2형광물질의 밝기와 밝기지속인자는 Eu가 함유되지 않은것과 비교하여 볼때 개선된다.
본 발명에 의하면, 모든 착색은 색도좌표계의 0.325
Figure kpo00037
X
Figure kpo00038
0.36, 0.54
Figure kpo00039
Y
Figure kpo00040
0.6 25범위에서 이루어진다. 또한, 본 발명은 고밀도 전자포격하에서 밝기가 저하하는 것을 줄여주며, 수십퍼센트 정도 고전류 영역에서 밝기포화를 감소하고, 밝기를 증가한다. 그러므로, 본 발명은 큰 영상면 및 고선명도의 디스클레이장치에 고밝기를 달성하는데 유용하다.

Claims (30)

  1. 발광색도좌표내에 0.325
    Figure kpo00041
    X
    Figure kpo00042
    0.36, 0.54
    Figure kpo00043
    y
    Figure kpo00044
    0.625의 범위에서 색깔을 발광하는 이테르븀, 튤륨, 사마륨, 유로퓸으로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 한원소를 몰비로 1ppm 내지 2X104ppm을 함유하는 테르븀활성화산화형광물질의 녹색발광형광물질.
  2. 제1항에 있어서, 상기 테르븀 활성산화형광물질은 1X10-2
    Figure kpo00045
    X
    Figure kpo00046
    0.20, 0
    Figure kpo00047
    Z
    Figure kpo00048
    1인 (Y1-XTbX)3(Al1-ZGag)5O12의 조성을 지니는 것을 특징으로 하는 형광물질.
  3. 제2항에 있어서, 상기 원소는 이테르븀인 것을 특징으로 하는 형광물질.
  4. 제3항에 있어서, 상기 형광물질은 일반식, (Y1-X-yTbxTby)3(Al1-zGaz)5O12(여기서, 1X10-2
    Figure kpo00049
    X
    Figure kpo00050
    0.20, 1X10-6
    Figure kpo00051
    y
    Figure kpo00052
    2X10-2, 0
    Figure kpo00053
    z
    Figure kpo00054
    1)으로 표현된 조성을 지니는 것을 특징으로 하는 형광물질.
  5. 제2항에 있어서, 상기 원소는 튤륨, 사마륨중의 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 형광물질.
  6. 제1항에 있어서, 상기 형광물질은 일반식, (Y1-X-yTbxMy)3(Al1-ZGaz)5O12(여기서, 1X10-2
    Figure kpo00055
    X
    Figure kpo00056
    0.20, 1X10-6
    Figure kpo00057
    y
    Figure kpo00058
    1x10-3, 0
    Figure kpo00059
    z
    Figure kpo00060
    1, M은 튤륨, 사마륨중에 적어도 한원소를 표현한다)으로 표현된 조성을 지니는 것을 특징으로 하는 형광물질.
  7. 제2항에 있어서, 상기 원소는 유로퓸인 것을 특징으로 하는 형광물질.
  8. 제7항에 있어서, 상기 형광물질은 일반식, (Y1-x-yTbXEuy)3(Al1-ZGaZ)5O12(여기서, 1X10-2
    Figure kpo00061
    X
    Figure kpo00062
    0.20, 1X10-6
    Figure kpo00063
    y
    Figure kpo00064
    3x10-4, 0
    Figure kpo00065
    z
    Figure kpo00066
    1)으로 표현된 조성을 지니는 것을 특징으로 하는 형광물질.
  9. 제1항에 있어서, 상기 테르븀활성산화형광물질은 (Y1-x-yGdZTbX)2SiO5(여기서, 0.05
    Figure kpo00067
    x
    Figure kpo00068
    0.15, 0
    Figure kpo00069
    z
    Figure kpo00070
    0.45)의 조성을 갖는 것을 특징으로 하는 형광물질.
  10. 제9항에 있어서, 상기 원소는 이테르븀인 것을 특징으로 하는 형광물질.
  11. 제10항에 있어서, 상기 형광물질은 일반식(Y1-x-y-xGdZTbXTby)2SiO5(여기서, 0.05
    Figure kpo00071
    x
    Figure kpo00072
    0.15, 1X10-6
    Figure kpo00073
    y
    Figure kpo00074
    2X10-2, 0
    Figure kpo00075
    z
    Figure kpo00076
    0.45)으로 표현된 조성을 갖는 것을 특징으로 하는 형광물질.
  12. 제9항에 있어서, 상기 원소는 튤륨, 사마륨중의 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 형광물질.
  13. 제12항에 있어서, 상기 형광물질은 일반식(Y1-x-y-zGdZTbxMy)2SiO5(여기서, 0.05
    Figure kpo00077
    x
    Figure kpo00078
    0.15, 1X10-6
    Figure kpo00079
    y
    Figure kpo00080
    1X10-3, 0
    Figure kpo00081
    z
    Figure kpo00082
    0.45, M은 튤륨, 사마륨중의 적어도 한 원소)으로 표현된 조성을 갖는 것을 특징으로 하는 형광물질.
  14. 제9항에 있어서 상기 원소는 유로퓸인 것을 특징으로 하는 형광물질.
  15. 제14항에 있어서, 상기 형광물질은 일반식(Y1-x-y-zGdZTbxEuy)2SiO5(여기서, 0.05
    Figure kpo00083
    X
    Figure kpo00084
    0.15, 1X10-6
    Figure kpo00085
    y
    Figure kpo00086
    3X10-4, 0
    Figure kpo00087
    z0.45으로 표현된 조성을 갖는 것을 특징으로 하는 형광물질.
  16. 제1항에 있어서, 상기 테프븀활성산화형광물질은 In1-XTbXBO3(여기서, 1X10-4
    Figure kpo00089
    x
    Figure kpo00090
    0.04)의 조성을 지니는 것을 특징으로 하는 형광물질.
  17. 제16항에 있어서, 상기 원소는 이테르븀인 것을 특징으로 하는 형광물질.
  18. 제17항에 있어서, 상기 형광물질은 일반식 In1-X-yTbXYbyBO3(여기서, 1X10-4
    Figure kpo00091
    x
    Figure kpo00092
    0.04, 1X10-6
    Figure kpo00093
    y
    Figure kpo00094
    2X10-2)으로 표현된 조성을 갖는 것을 특징으로 하는 형광물질.
  19. 제16항에 있어서, 상기 원소는 튤륨, 사마륨중의 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 형광물질.
  20. 제19항에 있어서, 상기 원소는 일반식 In1-X-yTbXMyBO3(여기서, 1X10-4
    Figure kpo00095
    x
    Figure kpo00096
    0.04, 1X10-6
    Figure kpo00097
    y
    Figure kpo00098
    1X10-3,M은 튤륨, 사마륨중의 적어도 한원소)으로 표현된 조성을 갖는 것을 특징으로 하는 형광물질.
  21. 제16항에 있어서, 상기 원소는 유로퓸인 것을 특징으로 하는 형광물질.
  22. 제21항에 있어서, 상기 형광물질은 일반식 In1-X-yTbXEUyBO3(여기서, 1X10-4
    Figure kpo00099
    x
    Figure kpo00100
    0.04,1X10-6
    Figure kpo00101
    y
    Figure kpo00102
    3X10-5)으로 표현된 조성을 갖는 것을 특징으로 하는 형광물질.
  23. 정면판, 정면판의 표면에 형성된 테르븀활성산화형광물질막,산화형광물질막에 형성된 알루미늄침전막, 전자비임으로 산화형광물질막을 조사하는 전자총과, 정면판에 전자비임을 주사하는 수단으로 이루어진 음극선관에 있어서, 상기 산화형광물질막으로, 색도좌표에 있어, 0.325
    Figure kpo00103
    X
    Figure kpo00104
    0.36, 0.54
    Figure kpo00105
    y
    Figure kpo00106
    0.625 범위에서 색깔을 발광하는 이테르븀, 튤륨, 사마륨, 유로퓸으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 한원소를 몰비로 1ppm 내지 2X10-4ppm 함유하는 테르븀활성산화형광물질의 녹색발광형광물질을 사용하는 것을 특징으로 하는 음극선관.
  24. 제23항에 있어서, 전류밀도가 20μA/CM2이상인 것을 특징으로 하는 음극선관.
  25. 발광색도좌표내에 0.325
    Figure kpo00107
    X
    Figure kpo00108
    0.36, 0.54
    Figure kpo00109
    y
    Figure kpo00110
    0.625의 범위에서 색깔을 발광하고, 기본원소로서 이트륨, 실리콘 및 산소를 함유하고, 또한 Yb, Sm, Tm 및 Eu으로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 한 원소를 함유하며, Yb 몰수 : Y위치수의 비율이 1X10-6: 1~2X10-2: 1이고, Y,Si,O의 위치수간의 비율이 2 : 1 : 5인 테르븀활성산화형광물질의 녹색발광형광물질.
  26. 발광색도좌표내에 0.325
    Figure kpo00111
    X
    Figure kpo00112
    0.36, 0.54
    Figure kpo00113
    y
    Figure kpo00114
    0.625의 범위에서 색깔을 발광하고, 기본원소로서 이트륨, 실리콘 및 산소를 함유하고, 또한 Yb, Sm, Tm 및 Eu으로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 한 원소를 함유하며, Sm, 및 Tm으로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 한 원소의 몰수 : Y위치수의 비율이 1X10-6: 1~1X10-3: 1이고, Y,Si,O의 위치수간의 비율이 2 : 1 : 5인 테르븀활성산화형광물질의 녹색발광형광물질.
  27. 발광색도좌표내에 0.325
    Figure kpo00115
    X
    Figure kpo00116
    0.36, 0.54
    Figure kpo00117
    y
    Figure kpo00118
    0.625의 범위에서 색깔을 발광하고, 기본원소로서 이트륨, 실리콘 및 산소를 함유하고, 또한 Yb, Sm, Tm 및 Eu으로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 한 원소를 함유하며, Eu몰수 : Y위치수의 비율이 1X10-6: 1~3X10-4: 1이고, Y,Si,O의 위치수간의 비율이 2 : 1 : 5인 테르븀활성산화형광물질의 녹색발광형광물질.
  28. 정면판, 정면판의 표면에 형성된 테르븀활성산화형광물질막,산화형광물질막에 형성된 알루미늄침전막, 전자비임으로 산화형광물질막을 조사하는 전자총과, 정면판에 전자비임을 주사하는 수단으로 이루어진 음극선관에 있어서, 상기 산화형광물질막으로, 발광색도좌표내에 0.325
    Figure kpo00119
    X
    Figure kpo00120
    0.36, 0.54
    Figure kpo00121
    y
    Figure kpo00122
    0.625의 범위에서 색깔을 발광하고 기본원소로서 이트륨, 실리콘 및 산소를 함유하고, 또한 Yb, Sm, Tm 및 Eu으로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 한 원소를 함유하며, Yb몰수 : Y위치수의 비율이 1X10-6: 1~2X10-2: 1이고, Y,Si,O의 위치수간의 비율이 2 : 1 : 5인 테르븀활성산화형광물질의 녹색발광형광물질을 사용하는 것을 특징으로 하는 음극선관.
  29. 정면판, 정면판의 표면에 형성된 테르븀활성산화형광물질막,산화형광물질막에 형성된 알루미늄침전막, 전자비임으로 산화형광물질막을 조사하는 전자총과, 정면판에 전자비임을 주사하는 수단으로 이루어진 음극선관에 있어서, 상기 산화형광물질막으로, 발광색도좌표내에 0.325
    Figure kpo00123
    X
    Figure kpo00124
    0.36, 0.54
    Figure kpo00125
    y
    Figure kpo00126
    0.625의 범위에서 색깔을 발광하고 기본원소로서 이트륨, 실리콘 및 산소를 함유하고, 또한 Yb, Sm, Tm 및 Eu으로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 한 원소를 함유하며, Sm 및 Tm으로 이루어지는 군에서 선택된 적어도한 원소의 몰수 : Y위치수의 비율이 1X10-6: 1~1X10-3: 1이고, Y,Si,O의 위치수간의 비율이 2 : 1 : 5인 테르븀활성산화형광물질의 녹색발광형광물질을 사용하는 것을 특징으로 하는 음극선관.
  30. 정면판, 정면판의 표면에 형성된 테르븀활성산화형광물질막,산화형광물질막에 형성된 알루미늄침전막, 전자비임으로 산화형광물질막을 조사하는 전자총과, 정면판에 전자비임을 주사하는 수단으로 이루어진 음극선관에 있어서, 상기 산화형광물질막으로, 발광색도좌표내에 0.325
    Figure kpo00127
    X
    Figure kpo00128
    0.36, 0.54
    Figure kpo00129
    y
    Figure kpo00130
    0.625의 범위에서 색깔을 발광하고 기본원소로서 이트륨, 실리콘 및 산소를 함유하고, 또한 Yb, Sm, Tm 및 Eu으로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 한 원소를 함유하며, Eu몰수 : Y위치수의 비율이 1X10-6: 1~3X10-4: 1이고, Y,Si,O의 위치수간의 비율이 2 : 1 : 5인 테르븀활성산화형광물질의 녹색발광형광물질을 사용하는 것을 특징으로 하는 음극선관.
KR1019890017981A 1988-12-05 1989-12-05 형광물질과 그 형광물질을 사용한 음극선관 KR930010745B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP30593188 1988-12-05
JP88-305931 1988-12-05
JP63-305931 1988-12-05

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR900009932A KR900009932A (ko) 1990-07-06
KR930010745B1 true KR930010745B1 (ko) 1993-11-10

Family

ID=17951022

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019890017981A KR930010745B1 (ko) 1988-12-05 1989-12-05 형광물질과 그 형광물질을 사용한 음극선관

Country Status (2)

Country Link
US (2) US5177401A (ko)
KR (1) KR930010745B1 (ko)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100284328B1 (ko) * 1993-02-11 2001-04-02 김순택 혼합 녹색발광 형광체 및 이를 사용한 음극선관
JP3425465B2 (ja) * 1994-03-03 2003-07-14 化成オプトニクス株式会社 緑色発光蛍光体及びそれを用いた陰極線管
JPH08170077A (ja) * 1994-12-19 1996-07-02 Hitachi Ltd 蛍光体、その製造方法、発光スクリーン及びそれを用いた陰極線管
JP3818043B2 (ja) * 2000-10-12 2006-09-06 株式会社日立製作所 緑色蛍光体およびそれを用いた画像表示装置
TWI282357B (en) * 2001-05-29 2007-06-11 Nantex Industry Co Ltd Process for the preparation of pink light-emitting diode with high brightness
JP3859493B2 (ja) * 2001-11-20 2006-12-20 株式会社日立製作所 蛍光体およびそれを用いた画像表示装置
JP2004134216A (ja) * 2002-10-10 2004-04-30 Hitachi Displays Ltd 陰極線管
JP3872472B2 (ja) * 2003-11-12 2007-01-24 日亜化学工業株式会社 投写管用緑色発光イットリウムシリケート蛍光体及びそれを用いた投写管
JP5027463B2 (ja) * 2006-09-06 2012-09-19 株式会社日立製作所 画像表示装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3527711A (en) * 1963-04-16 1970-09-08 Owens Illinois Inc Process for preparing rare earth doped luminescent silica glass
US3394084A (en) * 1965-08-30 1968-07-23 Gen Telephone & Elect Rare earth activated indium borate cathodoluminescent phosphors
US3523091A (en) * 1967-10-27 1970-08-04 Westinghouse Electric Corp Lanthanum,yttrium silicate phosphors
US3758413A (en) * 1970-02-04 1973-09-11 Gte Laboratories Inc Terbium activated yttrium silicate phosphors
US3666676A (en) * 1970-12-21 1972-05-30 Gen Electric Terbium activated rare earth oxyhalide phosphors containing ytterbium for reduced afterglow
JPS57105948A (en) * 1980-12-23 1982-07-01 Matsushita Electronics Corp Cathode ray tube
JPS59105075A (ja) * 1982-12-07 1984-06-18 Toshiba Corp 蛍光体及びこれを用いた単色表示陰極線管
JPS6013882A (ja) * 1983-07-05 1985-01-24 Matsushita Electronics Corp 螢光体
JPS60101175A (ja) * 1983-11-05 1985-06-05 Sony Corp 投射型テレビ用緑色螢光体
EP0159085A1 (en) * 1984-04-12 1985-10-23 Koninklijke Philips Electronics N.V. Cathode-ray tube
US4757232A (en) * 1985-01-16 1988-07-12 American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories Visual display system comprising epitaxial terbium-activated garnet material
JPH0662939B2 (ja) * 1986-05-06 1994-08-17 三菱電機株式会社 蛍光体の製造方法
US4894583A (en) * 1986-07-14 1990-01-16 American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories Display devices with yttrium orthosilicate phosphors

Also Published As

Publication number Publication date
KR900009932A (ko) 1990-07-06
US5363013A (en) 1994-11-08
US5177401A (en) 1993-01-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6210605B1 (en) Mn2+ activated green emitting SrAL12O19 luminiscent material
JP3425465B2 (ja) 緑色発光蛍光体及びそれを用いた陰極線管
US4314910A (en) Luminiscent materials
JP2003013059A (ja) カラー陰極線管及びそれに用いる赤色蛍光体
KR930010745B1 (ko) 형광물질과 그 형광물질을 사용한 음극선관
KR20030043591A (ko) 형광체 및 이를 사용한 화상 표시 장치
JP3017050B2 (ja) イットリウム、ルテチウム或はガドリニウムのドープされたタンタレートの低電圧ルミネセンスにおける使用
JP2001107045A (ja) 燐・バナジン酸塩蛍光体およびそれを用いた表示装置並びに発光装置
US3758413A (en) Terbium activated yttrium silicate phosphors
US3481884A (en) Terbium activated phosphors
CN106957651A (zh) 稀土掺杂发光材料
EP0276519B1 (en) Luminescent lanthanum gallate activated by trivalent thulium, luminescent screen provided with such a gallate and cathode ray tube provided with such a screen
US4191662A (en) Y2 O3 :Eu phosphor having increased brightness
JPH08170077A (ja) 蛍光体、その製造方法、発光スクリーン及びそれを用いた陰極線管
US5879587A (en) Terbium-activated rare earth oxysulfide phosphor with enhanced green:blue emission ratio
US3623994A (en) Very short luminescent decay-time phosphor
JP2854635B2 (ja) 蛍光体及びそれを用いた陰極線管
US4057507A (en) Europium and samarium activated rare earth oxysulfide phosphor
US6660187B2 (en) Phosphor for use with low speed electron beams
US3868533A (en) Cathode-ray tube for image display
JPH1173138A (ja) 赤色発光蛍光体およびそれを用いたプラズマ表示装置、希ガス放電発光装置
JP3440301B2 (ja) 蛍光体
JPH06100860A (ja) 青色発光蛍光体
JP3475565B2 (ja) 蛍光体
JPS643920B2 (ko)

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20051005

Year of fee payment: 13

LAPS Lapse due to unpaid annual fee