JP2854635B2 - 蛍光体及びそれを用いた陰極線管 - Google Patents
蛍光体及びそれを用いた陰極線管Info
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- JP2854635B2 JP2854635B2 JP31067689A JP31067689A JP2854635B2 JP 2854635 B2 JP2854635 B2 JP 2854635B2 JP 31067689 A JP31067689 A JP 31067689A JP 31067689 A JP31067689 A JP 31067689A JP 2854635 B2 JP2854635 B2 JP 2854635B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、高密度電子線照射に好適な緑線発光蛍光体
とこの蛍光体を用いた陰極線管に関する。
とこの蛍光体を用いた陰極線管に関する。
投射型ブラウン管においては直視管に比べ約100倍以
上の密度の電流が使用される。このため投射管に用いら
れる蛍光体には、発光効率が高いこと以外に、輝度の電
流特性や温度特性が優れ、かつ高密度の電子線を照射し
ても蛍光体の輝度が照射時間とともに変化し難いことが
要求される。
上の密度の電流が使用される。このため投射管に用いら
れる蛍光体には、発光効率が高いこと以外に、輝度の電
流特性や温度特性が優れ、かつ高密度の電子線を照射し
ても蛍光体の輝度が照射時間とともに変化し難いことが
要求される。
特に、画面の白色輝度に最も寄与している緑色蛍光体
には優れた発光特性が望まれる。このような状況のもと
で、「第217回蛍光体同学会講演予稿、P19〜26（198
7）；投写管用蛍光体」に見られるように、種々の蛍光
体の改良が行われており、特に緑色に関しては色々な材
料が検討されている。
には優れた発光特性が望まれる。このような状況のもと
で、「第217回蛍光体同学会講演予稿、P19〜26（198
7）；投写管用蛍光体」に見られるように、種々の蛍光
体の改良が行われており、特に緑色に関しては色々な材
料が検討されている。
例えばY2SiO5:Tbの組成を有する蛍光体が特開昭48−3
7670、米国特許3,758,413等に開示されており、EuとTb
を共付活したInBO3の組成を有する蛍光体が特開昭59−1
05075、米国特許3,394,084に開示されている。
7670、米国特許3,758,413等に開示されており、EuとTb
を共付活したInBO3の組成を有する蛍光体が特開昭59−1
05075、米国特許3,394,084に開示されている。
また、Y3（Al1-xGax）5O12:Tb（ここではｘは０≦ｘ
≦１の範囲の値である）の組成を有する蛍光体が特開昭
60−101175に開示されている。この蛍光体は、低電流密
度（10μA/cm2以下）では電流密度にほぼ比例して輝度
が増加するという優れた輝度の電流特性や蛍光体の温度
変化に対して輝度の変化が少ないという優れた温度特性
を有し、発光効率が高い蛍光体である。なお、ここで言
う電流密度とは電子線の電流値を走査面積が除した値で
ある。
≦１の範囲の値である）の組成を有する蛍光体が特開昭
60−101175に開示されている。この蛍光体は、低電流密
度（10μA/cm2以下）では電流密度にほぼ比例して輝度
が増加するという優れた輝度の電流特性や蛍光体の温度
変化に対して輝度の変化が少ないという優れた温度特性
を有し、発光効率が高い蛍光体である。なお、ここで言
う電流密度とは電子線の電流値を走査面積が除した値で
ある。
さらにまた、一般式M1-x-yOX:TbxYby（ここにＭはLa
とGbから成る群から選ばれた元素、ＸはClとBrとから成
る群から選ばれた元素である）で表わされた蛍光体が米
国特許3,666,676に開示されている。この例ではＸ線励
起後に観測される秒の桁の残光がYbの添加により減少す
ることが示されている。
とGbから成る群から選ばれた元素、ＸはClとBrとから成
る群から選ばれた元素である）で表わされた蛍光体が米
国特許3,666,676に開示されている。この例ではＸ線励
起後に観測される秒の桁の残光がYbの添加により減少す
ることが示されている。
上記従来のY2SiO5:Tb蛍光体や、EuとTbで共付活したI
nBO3蛍光体は、いずれも高密度の電子線を照射されると
着色し、照射時間と共に発光効率が低下し、輝度が下が
るという、いわゆる焼けと呼ばれる問題があった。
nBO3蛍光体は、いずれも高密度の電子線を照射されると
着色し、照射時間と共に発光効率が低下し、輝度が下が
るという、いわゆる焼けと呼ばれる問題があった。
また、上記従来のY3（Al1-xGax）5O12:Tb蛍光体は、
光電流密度（10μA/cm2以上）で輝度は電流密度に比例
しては上らず、飽和に近い傾向を示すという問題があっ
た。
光電流密度（10μA/cm2以上）で輝度は電流密度に比例
しては上らず、飽和に近い傾向を示すという問題があっ
た。
さらにまた、上記従来の一般式M1-x-yOX:TbxYby蛍光
体は電子線を照射されたときの輝度劣化が著しことが明
らかになった。本発明者の実験によれば、輝度維持率
（電子線照射後の輝度の初輝度に対する比）は、Y3Al5O
12:Tbが0.95のとき、LaOCl:Tb、Ybは0.5〜0.6にすぎな
い。
体は電子線を照射されたときの輝度劣化が著しことが明
らかになった。本発明者の実験によれば、輝度維持率
（電子線照射後の輝度の初輝度に対する比）は、Y3Al5O
12:Tbが0.95のとき、LaOCl:Tb、Ybは0.5〜0.6にすぎな
い。
本発明の第１の目的は、高電流密度下においても輝度
飽和が防止され、輝度維持率を向上させたY3（Al1-zG
az）5O12:Tb系蛍光体を提供することにある。
飽和が防止され、輝度維持率を向上させたY3（Al1-zG
az）5O12:Tb系蛍光体を提供することにある。
本発明の第２の目的は、輝度維持率を向上させたY2Si
O5:Tb系蛍光体を提供することにある。
O5:Tb系蛍光体を提供することにある。
本発明の第３の目的は、輝度維持率を向上させたInBO
3:Tb系蛍光体を提供することにある。
3:Tb系蛍光体を提供することにある。
本発明の第４の目的は、高密度電子線照射に好適な緑
色発光蛍光体を用いた陰極線管を提供することにある。
色発光蛍光体を用いた陰極線管を提供することにある。
上記第１の目的は、一般式 （Y1-x-yTbxYby）３（Al1-zGaz）5O12 （ただし、ｘ、ｙ、ｚはそれぞれ１×10-2≦ｘ≦0.20、
１×10-5≦ｙ≦２×10-2、０≦ｚ≦１の範囲の値であ
る）で表わされる緑色発光蛍光体により達成される。
１×10-5≦ｙ≦２×10-2、０≦ｚ≦１の範囲の値であ
る）で表わされる緑色発光蛍光体により達成される。
また、上記第１の目的は、一般式 （Y1-x-y-zTbxMy）３（Al1-zGaz）5O12 （ただし、ｘ、ｙ、ｚはそれぞれ１×10-2≦ｘ≦0.20、
１×10-6≦ｙ≦１×10-3、０≦ｚ≦１の範囲の値であ
り、ＭはTm及びSmの中の少なくとも一種の元素である）
で表わされる緑色発光蛍光体により達成される。
１×10-6≦ｙ≦１×10-3、０≦ｚ≦１の範囲の値であ
り、ＭはTm及びSmの中の少なくとも一種の元素である）
で表わされる緑色発光蛍光体により達成される。
また、上記第１の目的は、一般式 （Y1-x-yTbxEuy）３（Al1-zGaz）5O12 （ただし、ｘ、ｙ、ｚはそれぞれ１×10-2≦ｘ≦0.20、
１×10-6≦ｙ≦３×10-4、０≦ｚ≦１の範囲の値であ
る）で表わされる緑色発光蛍光体により達成される。
１×10-6≦ｙ≦３×10-4、０≦ｚ≦１の範囲の値であ
る）で表わされる緑色発光蛍光体により達成される。
また、上記第１の目的は、一般式 （Y1-x-yTbxRy）３（Al1-zGaz）5O12 （ただし、ｘ、ｙはそれぞれ１×10-2≦ｘ≦0.20、１×
10-6≦ｙ≦３×10-4、０≦ｚ≦１の範囲の値であり、Ｒ
はYb、Tm、Sm及びEuからなる群から選ばれた少なくとも
一種の元素である）で表わされる緑色発光蛍光体により
達成される。
10-6≦ｙ≦３×10-4、０≦ｚ≦１の範囲の値であり、Ｒ
はYb、Tm、Sm及びEuからなる群から選ばれた少なくとも
一種の元素である）で表わされる緑色発光蛍光体により
達成される。
また、上記第２の目的は、一般式 （Y1-x-y-zGdzTbxYby）2SiO5 （ただし、ｘ、ｙはそれぞれ0.05≦ｘ≦0.15、１×10-6
≦ｙ≦２×10-2、０≦ｚ≦0.45の範囲の値である）で表
わされる緑色発光蛍光体により達成される。
≦ｙ≦２×10-2、０≦ｚ≦0.45の範囲の値である）で表
わされる緑色発光蛍光体により達成される。
また、上記第２の目的は、一般式 （Y1-x-y-zGdzTbxMy）2SiO5 （ただし、ｘ、ｙ、ｚはそれぞれ0.05≦ｘ≦0.15、１×
10-6≦ｙ≦１×10-3、０≦ｚ≦0.45の範囲の値であり、
ＭはTm及びSmの中の少なくとも一種の元素である）で表
わされる緑色発光蛍光体により達成される。
10-6≦ｙ≦１×10-3、０≦ｚ≦0.45の範囲の値であり、
ＭはTm及びSmの中の少なくとも一種の元素である）で表
わされる緑色発光蛍光体により達成される。
また、上記第２の目的は、一般式 （Y1-x-y-zGdzTbxEuy）2SiO5 （ただし、ｘ、ｙ、ｚはそれぞれ0.05≦ｘ≦0.15、１×
10-6≦ｙ≦３×10-4、０≦ｚ≦0.45の範囲の値である）
で表わされる緑色発光蛍光体により達成される。
10-6≦ｙ≦３×10-4、０≦ｚ≦0.45の範囲の値である）
で表わされる緑色発光蛍光体により達成される。
また、上記第３の目的は、一般式 In1-x-yTbxYbyBO3 （ただし、ｘ、ｙはそれぞれ１×10-4≦ｘ≦0.04、１×
10-6≦ｙ≦２×10-2の範囲の値である）で表わされる緑
色発光蛍光体により達成される。
10-6≦ｙ≦２×10-2の範囲の値である）で表わされる緑
色発光蛍光体により達成される。
また、上記第３の目的は、一般式 In1-x-yTbxMyBO3 （ただし、ｘ、ｙはそれぞれ１×10-4≦ｘ≦0.04、１×
10-6≦ｙ≦１×10-3の範囲の値であり、ＭはTm及びSmの
中の少なくとも一種の元素である）で表わされる緑色発
光蛍光体により達成される。
10-6≦ｙ≦１×10-3の範囲の値であり、ＭはTm及びSmの
中の少なくとも一種の元素である）で表わされる緑色発
光蛍光体により達成される。
また、上記第３の目的は、一般式 In1-x-yTbxEuyBO3 （ただし、ｘ、ｙはそれぞれ１×10-4≦ｘ≦0.04、１×
10-6≦ｙ≦３×10-5の範囲の値である）で表わされる緑
色発光蛍光体により達成される。
10-6≦ｙ≦３×10-5の範囲の値である）で表わされる緑
色発光蛍光体により達成される。
上記の緑色発光蛍光体のいずれも発光の色調は、色度
座標で、0.235≦Ｘ≦0.36、0.54≦Ｙ≦0.625の範囲にあ
る。
座標で、0.235≦Ｘ≦0.36、0.54≦Ｙ≦0.625の範囲にあ
る。
また、上記第４の目的は、フェースプレートと、フェ
ースプレート内側の面に形成された上記のいずれか一に
記載の緑色発光蛍光体の膜と、この膜に電子線を照射
し、緑色発光蛍光体を発光させるための電子銃と、該電
子銃から照射される電子線を走査するための制御手段と
を含む陰極線管によって達成される。
ースプレート内側の面に形成された上記のいずれか一に
記載の緑色発光蛍光体の膜と、この膜に電子線を照射
し、緑色発光蛍光体を発光させるための電子銃と、該電
子銃から照射される電子線を走査するための制御手段と
を含む陰極線管によって達成される。
この電子銃は、上記の膜上において電流を電子線走査
面積で除した値が10μA/cm2以上となる電子線を照射す
ることが好ましい。
面積で除した値が10μA/cm2以上となる電子線を照射す
ることが好ましい。
酸化物を母体とするTb付活緑色蛍光体の輝度劣化防止
のために、３価元素の微量添加効果を検討した。その結
果、Sm、Eu、Tm及びYbの添加が輝度劣化防止に効果的で
あることが判明した。また、この元素添加により、蛍光
体の効率が数％から数十％向上し、さらに発光効率の電
流依存性も改善されることが判った。
のために、３価元素の微量添加効果を検討した。その結
果、Sm、Eu、Tm及びYbの添加が輝度劣化防止に効果的で
あることが判明した。また、この元素添加により、蛍光
体の効率が数％から数十％向上し、さらに発光効率の電
流依存性も改善されることが判った。
これらの添加元素の効果はいかなるTb付活蛍光体につ
いても現れるわけではなく、例えばY2O2S:Tbなどの酸硫
化物では認められない。蛍光体としては、特に、Tbの付
活の（Y1-xTbx）３（Al1-zGaz）5O12（１×10-2≦ｘ≦
0.20、０≦ｚ≦１）、（Y1-x-zGdzTbx）2SiO5（0.05≦
ｘ≦0.15、０≦ｚ≦0.45）、In1-xTbxBO3（１×10-4≦
ｘ≦0.04）等の酸化物を母体とする材料が好適である。
特に、（Y1-xTbx）３（Al1-zGaz）5O12、（0.04≦ｘ≦
0.14、0.1≦ｚ≦0.6）では効果が顕著である。
いても現れるわけではなく、例えばY2O2S:Tbなどの酸硫
化物では認められない。蛍光体としては、特に、Tbの付
活の（Y1-xTbx）３（Al1-zGaz）5O12（１×10-2≦ｘ≦
0.20、０≦ｚ≦１）、（Y1-x-zGdzTbx）2SiO5（0.05≦
ｘ≦0.15、０≦ｚ≦0.45）、In1-xTbxBO3（１×10-4≦
ｘ≦0.04）等の酸化物を母体とする材料が好適である。
特に、（Y1-xTbx）３（Al1-zGaz）5O12、（0.04≦ｘ≦
0.14、0.1≦ｚ≦0.6）では効果が顕著である。
添加元素の効果はテルビウムの入るサイトに対してモ
ル分率で（以下、単にモル分率という）1ppm程度の低濃
度で既に認められ、濃度が高くなるにつれ添加元素とTb
との相互作用による発光効率の低下と添加元素自身の発
光による色調の悪化が生ずる。従って添加濃度には特に
好ましい領域が存在する。高濃度側の限界は蛍光体の種
類と添加元素の種類によって異なる。添加元素のうちYb
3+の発光は近赤外部にあるためTb3+の発光色を損なうこ
とは無く、この点でモル分率で２×104ppm程度の高濃度
まで添加が可能である。これに対し、Eu3+の発光は赤色
部にあり、かつ発光効率が高いために低濃度でも障害が
発生する。Eu濃度の上限はモル分率で３×102ppmであっ
た。ただし母体がInBO3の場合は他の母体より低濃度で
発光が認められるため、Eu濃度の上限はモル分率で３×
1ppmまで低下する。Sm3+も赤色の発光を示すが、発光効
率がEu3+より低いために濃度の上限は高く、モル分率で
１×103ppm程度である。青色と赤色に発光するTm3+も発
光効率は低く、Tb3+の発光色を損なうに至る濃度はモル
分率で１×103ppm程度である。
ル分率で（以下、単にモル分率という）1ppm程度の低濃
度で既に認められ、濃度が高くなるにつれ添加元素とTb
との相互作用による発光効率の低下と添加元素自身の発
光による色調の悪化が生ずる。従って添加濃度には特に
好ましい領域が存在する。高濃度側の限界は蛍光体の種
類と添加元素の種類によって異なる。添加元素のうちYb
3+の発光は近赤外部にあるためTb3+の発光色を損なうこ
とは無く、この点でモル分率で２×104ppm程度の高濃度
まで添加が可能である。これに対し、Eu3+の発光は赤色
部にあり、かつ発光効率が高いために低濃度でも障害が
発生する。Eu濃度の上限はモル分率で３×102ppmであっ
た。ただし母体がInBO3の場合は他の母体より低濃度で
発光が認められるため、Eu濃度の上限はモル分率で３×
1ppmまで低下する。Sm3+も赤色の発光を示すが、発光効
率がEu3+より低いために濃度の上限は高く、モル分率で
１×103ppm程度である。青色と赤色に発光するTm3+も発
光効率は低く、Tb3+の発光色を損なうに至る濃度はモル
分率で１×103ppm程度である。
本発明では色を表わすためにCIE1931標準表色系の色
度座標を用い、本発明ではその記号をＸ、Ｙとする。
度座標を用い、本発明ではその記号をＸ、Ｙとする。
Tb付活緑色蛍光体のうちIn1-xTbxBO3は発光色が比較
的純緑色に近く、典型的には色度座標Ｘ＝0.325、Ｙ＝
0.625で表わされる。実用化されている他のTb付活蛍光
体はやや黄色味を帯びた緑色発光を示し、Ｘ＝0.33〜0.
34、Ｙ＝0.56付近が多い。色度座標はこの程度からより
緑色寄り、すなわちＸが小さくＹが大きくなる方向にあ
ることが望ましい。黄色に寄った限界は上記の値に近い
Ｘ＝0.36、Ｙ＝0.54程度である。
的純緑色に近く、典型的には色度座標Ｘ＝0.325、Ｙ＝
0.625で表わされる。実用化されている他のTb付活蛍光
体はやや黄色味を帯びた緑色発光を示し、Ｘ＝0.33〜0.
34、Ｙ＝0.56付近が多い。色度座標はこの程度からより
緑色寄り、すなわちＸが小さくＹが大きくなる方向にあ
ることが望ましい。黄色に寄った限界は上記の値に近い
Ｘ＝0.36、Ｙ＝0.54程度である。
このような基準にもとづくと、In1-x-yTbxEuyBO3にお
いてEu3+の発光が付け加わることによる色度座標のシフ
トはＸ＝0.34、Ｙ＝0.56まで、すなわち、Ｘは約５％、
Ｙは約10％の変化までに留まることが望ましく、Ｘ＝0.
36、Ｙ＝0.54を越えないこと、すなわちＸの変化は11
％、Ｙのシフトは14％を越えないことが必要である。
いてEu3+の発光が付け加わることによる色度座標のシフ
トはＸ＝0.34、Ｙ＝0.56まで、すなわち、Ｘは約５％、
Ｙは約10％の変化までに留まることが望ましく、Ｘ＝0.
36、Ｙ＝0.54を越えないこと、すなわちＸの変化は11
％、Ｙのシフトは14％を越えないことが必要である。
他のTb付活蛍光体についてはＸ、Ｙのシフトの許容量
は少なく、Ｘは約10％、Ｙは５％である。
は少なく、Ｘは約10％、Ｙは５％である。
一般式 （Y1-x-y-zGdxTbyMz）2SiO5 で表わされる蛍光体を合成する場合、Na、Ｋの臭化物、
塩化物あるいはNa I等適切なアルカリハライドをフラッ
クスとして用いることにより輝度の高いものを得ること
ができる。ただし、ＭがYb、Tm、Sm及びEuからなる群か
ら選ばれた少なくとも一種の添加元素である。フラック
スの添加量は上記蛍光体１モルに対し0.05ないし0.4モ
ルの範囲が好ましい。焼成の温度は1250ないし1800℃の
範囲であることが好ましい。なおＹあるいはGdの一部を
Scで、Siの一部をGeで置換して差し支えない。
塩化物あるいはNa I等適切なアルカリハライドをフラッ
クスとして用いることにより輝度の高いものを得ること
ができる。ただし、ＭがYb、Tm、Sm及びEuからなる群か
ら選ばれた少なくとも一種の添加元素である。フラック
スの添加量は上記蛍光体１モルに対し0.05ないし0.4モ
ルの範囲が好ましい。焼成の温度は1250ないし1800℃の
範囲であることが好ましい。なおＹあるいはGdの一部を
Scで、Siの一部をGeで置換して差し支えない。
本発明に用いられる添加元素は母体を構成するカチオ
ン、すなわちＹ、Gdよりも第三イオン化ポテンシャルが
小さいという点で共通している。この結果添加元素が母
体構成元素を置換したとき、添加元素は電子を捕獲する
能力を持つ。このことが焼けと輝度飽和の抑制になんら
かの関連を有すると推察される、酸素空孔もまた電子捕
獲能を有し、色中心を形成しうると考えられる。上記添
加元素が電子を捕獲する過程で酸素空孔と競合する結果
色中心の形成を抑制し、焼けが軽減されるという可能性
が考えられる。
ン、すなわちＹ、Gdよりも第三イオン化ポテンシャルが
小さいという点で共通している。この結果添加元素が母
体構成元素を置換したとき、添加元素は電子を捕獲する
能力を持つ。このことが焼けと輝度飽和の抑制になんら
かの関連を有すると推察される、酸素空孔もまた電子捕
獲能を有し、色中心を形成しうると考えられる。上記添
加元素が電子を捕獲する過程で酸素空孔と競合する結果
色中心の形成を抑制し、焼けが軽減されるという可能性
が考えられる。
（Y1-xTbx）３（Al1-zGaz）5O12についてはこのほか
に別の可能性も考えられる。Gaは通常３価の状態にある
が、一部は１価に成りうることが知られている。これに
より生成した酸素欠陥が、輝度の経時変化を引き起こす
要因と推測される。このことは、Gaを含まない蛍光体
（Y1-xTbx）3Al5O12とGaを結晶中に導入した蛍光体にお
いて、輝度の経時変化の度合いを比較した時、前者の方
が高密度の電子線照射に対して強いことから容易に推察
される。さて、結晶中に、Ybのような通常３価の元素を
導入すると、Ybが３価から２価の状態になるのに伴い、
Gaは３価の状態を維持する傾向になり、酸素欠陥の生成
を抑制する。Sm、Eu及びTmの場合も同様に考えられる。
その結果、高密度電子線の照射に対して輝度の経時変化
を小さい蛍光体となる。また、酸素欠陥は蛍光体の発光
効率を低下させる一因であるので、酸素欠陥濃度を低減
することは、蛍光体の効率向上及び発光効率の電流依存
性の改善に効果がある。
に別の可能性も考えられる。Gaは通常３価の状態にある
が、一部は１価に成りうることが知られている。これに
より生成した酸素欠陥が、輝度の経時変化を引き起こす
要因と推測される。このことは、Gaを含まない蛍光体
（Y1-xTbx）3Al5O12とGaを結晶中に導入した蛍光体にお
いて、輝度の経時変化の度合いを比較した時、前者の方
が高密度の電子線照射に対して強いことから容易に推察
される。さて、結晶中に、Ybのような通常３価の元素を
導入すると、Ybが３価から２価の状態になるのに伴い、
Gaは３価の状態を維持する傾向になり、酸素欠陥の生成
を抑制する。Sm、Eu及びTmの場合も同様に考えられる。
その結果、高密度電子線の照射に対して輝度の経時変化
を小さい蛍光体となる。また、酸素欠陥は蛍光体の発光
効率を低下させる一因であるので、酸素欠陥濃度を低減
することは、蛍光体の効率向上及び発光効率の電流依存
性の改善に効果がある。
上記記載の蛍光体の少なくとも一種を用いた陰極線管
は、とくに電流密度（電子線電流を走査面積で除した
値）が10μA/cm2を越える高負荷型陰極線管として使用
することができる。
は、とくに電流密度（電子線電流を走査面積で除した
値）が10μA/cm2を越える高負荷型陰極線管として使用
することができる。
以下、本発明を実施例により説明する。
実施例１〜８ Y2O3、Al2O3及びTb4O7をモル比で0.93:1.667:0.035と
なるよう所定量秤量し、これにYb2（SO4）３水溶液を所
定量添加してメノウ製乳鉢で湿式混合した。混合の際、
フラックスとしてBaF2を10wt％添加した。乾燥後、アル
ミナルツボに入れ、空気中1500℃で２時間ほど焼成し
た。得られた白色粉末をビーカーに移し、１規定硝酸水
溶液を用いて２回洗浄し、その後イオン交換水で２回洗
浄し、140℃で乾燥した。
なるよう所定量秤量し、これにYb2（SO4）３水溶液を所
定量添加してメノウ製乳鉢で湿式混合した。混合の際、
フラックスとしてBaF2を10wt％添加した。乾燥後、アル
ミナルツボに入れ、空気中1500℃で２時間ほど焼成し
た。得られた白色粉末をビーカーに移し、１規定硝酸水
溶液を用いて２回洗浄し、その後イオン交換水で２回洗
浄し、140℃で乾燥した。
得られた蛍光体（Y1-x-yTbxYby）3Al5O12を膜重量約6
mg/cm2でステンレス製ホルダ上にケイ酸カリウムを用い
た凝集沈降により塗布した。以上の方法で得られた蛍光
膜を電子線照射装置にセットし、加速電圧20kV、電流12
00μＡの電子線を10×10mm2ラスタで10分間照射して蛍
光膜の輝度劣化の度合いを調べた。輝度劣化の尺度とし
て、上記の10分間照射の前後における発光出力の比（輝
度維持率）を採用した。同時に、照射開始時における輝
度の値をも測定した。
mg/cm2でステンレス製ホルダ上にケイ酸カリウムを用い
た凝集沈降により塗布した。以上の方法で得られた蛍光
膜を電子線照射装置にセットし、加速電圧20kV、電流12
00μＡの電子線を10×10mm2ラスタで10分間照射して蛍
光膜の輝度劣化の度合いを調べた。輝度劣化の尺度とし
て、上記の10分間照射の前後における発光出力の比（輝
度維持率）を採用した。同時に、照射開始時における輝
度の値をも測定した。
比較のためにYb無添加の試料も調べた。結果を表１及
び第１図、第２図に示す。第１図の曲線１は電子線電流
100μＡ、曲線２は10μＡで測定した輝度、第２図の曲
線３は輝度維持率のデータを示す。これらの結果から明
らかなように、Ybの添加量をモル分率で1ppmから２×10
4ppm（１×10-6≦ｙ≦２×10-2）の範囲とすることによ
り高電流域での輝度が高く、かつ輝度維持率が高い（輝
度劣化しにくい）蛍光体を実現できた。電流値が低い領
域ではYbの効果は減少する。またYbの濃度が高いとむし
ろ輝度が低下する。より好ましいYb濃度はモル分率で10
〜103ppm（１×10-5≦ｙ≦１×10-1）である。特に好ま
しくは50〜５×102ppmである。実用に供しうる水準の輝
度はTb濃度が104から２×10-5ppm（１×10-2≦ｘ≦0.2
0）の範囲で得られるが、とくに良好な輝度は４×104か
ら1.4×105ppm（0.04≦ｘ≦0.14）の範囲で得られる。
び第１図、第２図に示す。第１図の曲線１は電子線電流
100μＡ、曲線２は10μＡで測定した輝度、第２図の曲
線３は輝度維持率のデータを示す。これらの結果から明
らかなように、Ybの添加量をモル分率で1ppmから２×10
4ppm（１×10-6≦ｙ≦２×10-2）の範囲とすることによ
り高電流域での輝度が高く、かつ輝度維持率が高い（輝
度劣化しにくい）蛍光体を実現できた。電流値が低い領
域ではYbの効果は減少する。またYbの濃度が高いとむし
ろ輝度が低下する。より好ましいYb濃度はモル分率で10
〜103ppm（１×10-5≦ｙ≦１×10-1）である。特に好ま
しくは50〜５×102ppmである。実用に供しうる水準の輝
度はTb濃度が104から２×10-5ppm（１×10-2≦ｘ≦0.2
0）の範囲で得られるが、とくに良好な輝度は４×104か
ら1.4×105ppm（0.04≦ｘ≦0.14）の範囲で得られる。
実施例９〜19 Y2O3、Al2O3、Ga2O3及びTb4O7を所定量秤量し、これ
にYb2（SO4）３水溶液を所定量添加してメノウ製乳鉢で
湿式混合した。Y2O3、Al2O3、Ga2O3、Tb4O7モル比は0.9
3:1.111:0.556:0.035とした。以下の合成法は実施例１
〜８と同様にして一般式（Y1-x-yTbxYby）３（Al1-zG
az）O12で表わされる緑色発光蛍光体を得た。これらの
特性の評価条件はやはり実施例１〜８と同様にして行っ
た。比較のために、Ga無添加の試料とYb無添加の試料も
調べた。結果を表２に示す。
にYb2（SO4）３水溶液を所定量添加してメノウ製乳鉢で
湿式混合した。Y2O3、Al2O3、Ga2O3、Tb4O7モル比は0.9
3:1.111:0.556:0.035とした。以下の合成法は実施例１
〜８と同様にして一般式（Y1-x-yTbxYby）３（Al1-zG
az）O12で表わされる緑色発光蛍光体を得た。これらの
特性の評価条件はやはり実施例１〜８と同様にして行っ
た。比較のために、Ga無添加の試料とYb無添加の試料も
調べた。結果を表２に示す。
実施例20〜24 実施例９〜19と同様にして、組成A1/（Al＋Ga）を変
化させた蛍光体の発光特性を表３に示す。Yb添加量はTb
の入るＹサイトに対しモル分率で200ppmとした。蛍光体
の平均粒径はいずれも11〜12μｍである。
化させた蛍光体の発光特性を表３に示す。Yb添加量はTb
の入るＹサイトに対しモル分率で200ppmとした。蛍光体
の平均粒径はいずれも11〜12μｍである。
また、Yb添加量と発光出力の関係を第３図に示す。Yb
無添加の蛍光体輝度を１とした。第３図から明らかなよ
うに、Ybの添加量をモル比で1ppmから２×104ppm（１×
10-6≦ｙ≦２×10-2）の範囲とすることにより輝度向上
に効果があり、かつ輝度劣化しにくい蛍光体を実現でき
た。組成Al/（Al＋Ga）が０から１（１の場合は実施例
４）の範囲に渡ってYb添加の効果あり、特に0.1から0.6
までの組成領域で添加効果が大きい。
無添加の蛍光体輝度を１とした。第３図から明らかなよ
うに、Ybの添加量をモル比で1ppmから２×104ppm（１×
10-6≦ｙ≦２×10-2）の範囲とすることにより輝度向上
に効果があり、かつ輝度劣化しにくい蛍光体を実現でき
た。組成Al/（Al＋Ga）が０から１（１の場合は実施例
４）の範囲に渡ってYb添加の効果あり、特に0.1から0.6
までの組成領域で添加効果が大きい。
Tb濃度（ｘ）に対する相対輝度を第４図に示す。実用
に供しうる水準の輝度はTb濃度１×104から２×105ppm
（１×10-2≦ｘ≦0.20）の範囲で得られるが、とくに良
好な輝度は0.04≦ｘ≦0.14の範囲で得られる。
に供しうる水準の輝度はTb濃度１×104から２×105ppm
（１×10-2≦ｘ≦0.20）の範囲で得られるが、とくに良
好な輝度は0.04≦ｘ≦0.14の範囲で得られる。
本実施例によれば、Ybを添加することにより、蛍光体
の輝度劣化を防止し、かつ輝度を約30％以上向上させる
ことができる。
の輝度劣化を防止し、かつ輝度を約30％以上向上させる
ことができる。
実施例25〜32 実施例24までにおけるYb2（SO4）３の代わりに、Sm
（SO4）３あるいはEu2（SO4）３を用いて、実施例１〜
８と同様の手法により蛍光体を合成した。また、Yb、Sm
及びEuの元素を混合した系に関しても蛍光体を合成し、
発光特性を検討した。電子線の照射条件は、実施例１〜
８と全く同様である。結果を表４に示す。
（SO4）３あるいはEu2（SO4）３を用いて、実施例１〜
８と同様の手法により蛍光体を合成した。また、Yb、Sm
及びEuの元素を混合した系に関しても蛍光体を合成し、
発光特性を検討した。電子線の照射条件は、実施例１〜
８と全く同様である。結果を表４に示す。
本実施例によれば。Sm、EuあるいはTmを添加した蛍光
体においても、蛍光体の輝度劣化を防止し、かつ輝度を
向上させる効果が確認された。また、これら希土類元素
の混合物の場合も、同様の効果があることが分かった。
体においても、蛍光体の輝度劣化を防止し、かつ輝度を
向上させる効果が確認された。また、これら希土類元素
の混合物の場合も、同様の効果があることが分かった。
実施例33 一般式 （Ｙ0.744−ｚGd0.186Tb0.07Euz）2O3 で表わされる酸化物粉末１×10-2モルを準備し、これに
SiO21×10-2モル、NaBr1.5×10-3モルを加え、乳鉢で良
く混合したのちアルミナルツボに詰め、N2とH2の混合ガ
ス（H25％）中で1600℃において２時間焼成した。焼成
物を水洗してから120℃で乾燥する。こうして得られた
蛍光体は （Ｙ0.744−ｚGd0.186Tb0.07Euz）2SiO5 の組成を有する。第５図は相対輝度のEu濃度（ｚ）依存
性を示す。ｚ＝１×10-4である試料の輝度はEu無添加の
試料に比べ約15％向上する。またEu無添加の試料の輝度
維持率は0.90であるが、ｚ＝１×10-4である試料の輝度
維持率は0.99である。
SiO21×10-2モル、NaBr1.5×10-3モルを加え、乳鉢で良
く混合したのちアルミナルツボに詰め、N2とH2の混合ガ
ス（H25％）中で1600℃において２時間焼成した。焼成
物を水洗してから120℃で乾燥する。こうして得られた
蛍光体は （Ｙ0.744−ｚGd0.186Tb0.07Euz）2SiO5 の組成を有する。第５図は相対輝度のEu濃度（ｚ）依存
性を示す。ｚ＝１×10-4である試料の輝度はEu無添加の
試料に比べ約15％向上する。またEu無添加の試料の輝度
維持率は0.90であるが、ｚ＝１×10-4である試料の輝度
維持率は0.99である。
なお以下の実施例を含め、輝度及び輝度維持率の測定
条件は実施例１〜８の場合と同一である。なお、少なく
とも上記ｚの範囲で、輝度維持率はEuの量の増加と共に
向上する。
条件は実施例１〜８の場合と同一である。なお、少なく
とも上記ｚの範囲で、輝度維持率はEuの量の増加と共に
向上する。
実施例34 一般式 （Ｙ0.93（１−ｘ）−ｚGd0.93xTb0.07Euz）2O3 （ただしｚ＝１×10-4）で表わされる酸化物粉末１×10
-2モルを準備し、これにSiO21×10-2モル、NaBr1.5×10
-3モルを加え、以下実施例33と同様の処理を行った。こ
うして得られた蛍光体は一般式 （Ｙ0.93（１−ｘ）−ｚGd0.93xTb0.07Euz）2SiO5 （ただしｚ＝１×10-4）の組成を有する。
-2モルを準備し、これにSiO21×10-2モル、NaBr1.5×10
-3モルを加え、以下実施例33と同様の処理を行った。こ
うして得られた蛍光体は一般式 （Ｙ0.93（１−ｘ）−ｚGd0.93xTb0.07Euz）2SiO5 （ただしｚ＝１×10-4）の組成を有する。
参照用として上の組成式において。ｘ＝０の系列の試
料を実施例33と同様の方法で合成した。第６図はｘ＝ｚ
＝０の試料の輝度に対する上記二系列の蛍光体の相対輝
度を示したものである。曲線８はｚ＝０の、曲線７はｚ
＝１×10-4の試料の輝度を示す。Euの添加により輝度は
約10％向上し、またｘ＝0.3だけGb置換を行うと試料の
輝度は約10％向上した。
料を実施例33と同様の方法で合成した。第６図はｘ＝ｚ
＝０の試料の輝度に対する上記二系列の蛍光体の相対輝
度を示したものである。曲線８はｚ＝０の、曲線７はｚ
＝１×10-4の試料の輝度を示す。Euの添加により輝度は
約10％向上し、またｘ＝0.3だけGb置換を行うと試料の
輝度は約10％向上した。
輝度維持率はEu添加により0.90から0.95ないし0.98ま
で改善された。
で改善された。
実施例35 一般式 （Ｙ0.774−ｚGd0.186Tb0.07Ybz）2O3 （ただしｚ＝１×10-4）で表わされる酸化物粉末１×10
-2モルを準備し、これにSiO21×10-2モル、NaBr1.5×10
-3モルを加え、以下実施例33と同様の処理を行った。こ
うして得られた蛍光体は （Ｙ0.774−ｚGd0.186Tb0.07Ybz）2SiO5 の組成を有する。Yb無添加の試料に比べてこの蛍光体の
輝度は12％、輝度維持率は８％高めることができた。
-2モルを準備し、これにSiO21×10-2モル、NaBr1.5×10
-3モルを加え、以下実施例33と同様の処理を行った。こ
うして得られた蛍光体は （Ｙ0.774−ｚGd0.186Tb0.07Ybz）2SiO5 の組成を有する。Yb無添加の試料に比べてこの蛍光体の
輝度は12％、輝度維持率は８％高めることができた。
実施例36 一般式 （Ｙ0.93−ｚTb0.07Euz）2O3 （ただしｚ＝１×10-4）で表わされる酸化物粉末１×10
-2モルを準備し、これにSiO21×10-2モル、NaBr1.5×10
-3モルを加え、以下実施例33と同様の処理を行った。こ
うして得られた蛍光体は （Ｙ0.93−ｚTb0.07Euz）2SiO5 の組成を有する。Eu無添加の試料に比べてこの蛍光体の
輝度は13％、輝度維持率は８％高めることができた。
-2モルを準備し、これにSiO21×10-2モル、NaBr1.5×10
-3モルを加え、以下実施例33と同様の処理を行った。こ
うして得られた蛍光体は （Ｙ0.93−ｚTb0.07Euz）2SiO5 の組成を有する。Eu無添加の試料に比べてこの蛍光体の
輝度は13％、輝度維持率は８％高めることができた。
実施例37 一般式 （Y1-y-zTbyEuz）2O3 （ただしｚ＝１×10-4）で表わされる酸化物粉末１×10
-2モルを準備し、これにSiO21×10-2モル、NaBr1.5×10
-3モルを加え、以下実施例33と同様の処理を行った。こ
うして得られた蛍光体は （Y1-y-zTbyEuz）2SiO5 の組成を有する。第７図は輝度のTb濃度（ｙ）依存性を
示した。ｙが0.1のとき輝度が最大になる。またEuの添
加によって輝度の増加が見られる。輝度維持率はEuの無
添加の時の0.90から0.93ないし0.99までに改善された。
-2モルを準備し、これにSiO21×10-2モル、NaBr1.5×10
-3モルを加え、以下実施例33と同様の処理を行った。こ
うして得られた蛍光体は （Y1-y-zTbyEuz）2SiO5 の組成を有する。第７図は輝度のTb濃度（ｙ）依存性を
示した。ｙが0.1のとき輝度が最大になる。またEuの添
加によって輝度の増加が見られる。輝度維持率はEuの無
添加の時の0.90から0.93ないし0.99までに改善された。
実施例38 一般式 （Y1-y-zTbySmz）2O3 （ただしｙ＝0.07、ｚ＝２×10-4）で表わされる酸化物
粉末１×10-2モルを準備し、これにSiO21×10-2モル、N
aBr1.5×10-3モルを加え、以下実施例33と同様の処理を
行った。こうして得られた蛍光体は （Y1-y-zTbySmz）2SiO5 の組成を有する。輝度維持率はSm無添加の時の0.90から
0.95にまで改善され、輝度は10％向上した。
粉末１×10-2モルを準備し、これにSiO21×10-2モル、N
aBr1.5×10-3モルを加え、以下実施例33と同様の処理を
行った。こうして得られた蛍光体は （Y1-y-zTbySmz）2SiO5 の組成を有する。輝度維持率はSm無添加の時の0.90から
0.95にまで改善され、輝度は10％向上した。
実施例39 一般式 （Y1-y-zTbyTmz）2O3 （ただしｙ＝0.05、ｚ＝２×10-4）で表わされる酸化物
粉末１×10-2モルを準備し、これにSiO21×10-2モル、N
aBr1.5×10-3モルを加え、以下実施例33と同様の処理を
行った。こうして得られた蛍光体は （Y1-y-zTbyTmz）2SiO5 の組成を有する。輝度維持率はTm無添加の時の0.90から
0.93にまで改善され、輝度は７％向上した。
粉末１×10-2モルを準備し、これにSiO21×10-2モル、N
aBr1.5×10-3モルを加え、以下実施例33と同様の処理を
行った。こうして得られた蛍光体は （Y1-y-zTbyTmz）2SiO5 の組成を有する。輝度維持率はTm無添加の時の0.90から
0.93にまで改善され、輝度は７％向上した。
実施例40〜48 一般式 （Ｙ0.9−ｚTb0.1Euz）2O3 （ただしｚ＝１×10-4）で表わされる酸化物粉末１×10
-2モルを準備し、これにSiO21×10-2モル及び組成式MX
で表わされるフラックス1.5×10-3モルを加え、以下実
施例33と同様の処理を行った。ここでＭはNa、Ｋ、Rb又
はCs、ＸはCl又はBrを表わす。こうして得られた蛍光体
は一般式 （Ｙ0.9−ｚTb0.1Euz）2SiO5 で表わされる組成を有する。
-2モルを準備し、これにSiO21×10-2モル及び組成式MX
で表わされるフラックス1.5×10-3モルを加え、以下実
施例33と同様の処理を行った。ここでＭはNa、Ｋ、Rb又
はCs、ＸはCl又はBrを表わす。こうして得られた蛍光体
は一般式 （Ｙ0.9−ｚTb0.1Euz）2SiO5 で表わされる組成を有する。
表５に用いたフラックスの種類と得られた蛍光体の輝
度を示す。輝度の値はフラックスを用いない試料の輝度
は100として示した。フラックス添加により７〜13％の
向上が認められる。
度を示す。輝度の値はフラックスを用いない試料の輝度
は100として示した。フラックス添加により７〜13％の
向上が認められる。
実施例49〜53 In2O3を4.476g（0.016モル）、H3BO3を2.200g（0.008
8モル）、Tb4O7をIn2O3に対して0.15モル％秤り取り、
これにYbを1mg/ml含むほぼ中性の水溶液1.68mlを追加、
さらに3mlの純水を加えてスラリー状にして混合した。
これを140℃で３時間乾燥した後Li2B4O7を0.20g加え、
乳鉢にて混合した。この混合物を1000℃で１時間焼成し
た後乳鉢で粉砕、混合した。これをさらに1120℃で２時
間焼成し、冷却後乳鉢で軽く粉砕し、メッシュで粗大粒
子を除き希硝酸洗浄、水洗を経て乾燥させた。このよう
にして一般式 （In0.997−ｙTb0.003Yby）BO3 （ただしｙ＝３×10-4）で表わされる蛍光体を得た。
8モル）、Tb4O7をIn2O3に対して0.15モル％秤り取り、
これにYbを1mg/ml含むほぼ中性の水溶液1.68mlを追加、
さらに3mlの純水を加えてスラリー状にして混合した。
これを140℃で３時間乾燥した後Li2B4O7を0.20g加え、
乳鉢にて混合した。この混合物を1000℃で１時間焼成し
た後乳鉢で粉砕、混合した。これをさらに1120℃で２時
間焼成し、冷却後乳鉢で軽く粉砕し、メッシュで粗大粒
子を除き希硝酸洗浄、水洗を経て乾燥させた。このよう
にして一般式 （In0.997−ｙTb0.003Yby）BO3 （ただしｙ＝３×10-4）で表わされる蛍光体を得た。
同様の方法により上記Yb含有水溶液の添加量を変化さ
せて、Yb濃度の異なる蛍光体試料を合成した。また参照
用としてYb無添加の試料も合成し、この試料に対する相
対輝度と輝度維持率を実施例１〜８の場合と同じ条件で
測定した。その結果を表６にまとめて示す。
せて、Yb濃度の異なる蛍光体試料を合成した。また参照
用としてYb無添加の試料も合成し、この試料に対する相
対輝度と輝度維持率を実施例１〜８の場合と同じ条件で
測定した。その結果を表６にまとめて示す。
実施例54〜58 一般式 （Ｙ2.79−ｚTb0.21Ybz）（Al3.15Ga1.85）O12 で表わされる蛍光体を膜厚が6mg/cm2になるように７イ
ンチのバルブに沈降塗布し、電磁集束型電子銃をつけて
真空封止することにより液冷型投射管を作成した。また
比較のためにYb無添加の（Ｙ2.79Tb0.21）（Al3.15Ga
1.85）O12を用いて上記と同様にして投射管を作成し
た。
ンチのバルブに沈降塗布し、電磁集束型電子銃をつけて
真空封止することにより液冷型投射管を作成した。また
比較のためにYb無添加の（Ｙ2.79Tb0.21）（Al3.15Ga
1.85）O12を用いて上記と同様にして投射管を作成し
た。
これらの投射管について、輝度、輝度維持率及び輝度
の電流係数（γ値）を測定した。結果を表７に示す。
の電流係数（γ値）を測定した。結果を表７に示す。
実施例59 実施例33で得られた蛍光体（Ｙ0.774−ｚGd0.186Tb
0.07Euz）2SiO5を膜厚が6mg/cm2になるように７インチ
のバルブに沈降塗布し、電磁集束型電子銃をつけて真空
封止することにより投射管を作成した。また比較のため
にEu無添加の（Ｙ0.744Gd0.186Tb0.07）2SiO5について
上記と同様にして投射管を作成した。投射管断面の模式
図を第８図に示す。上記蛍光膜12はフェースプレート11
上に形成されている。ネック管14中の電子銃15から発せ
られる電子線は偏向ヨーク16によって画像走査線に対応
した偏向を受け、フォーカスコイル17により集束されて
アルミ蒸着膜13を貫いて蛍光膜を励起する。蛍光膜上の
電子線スポット径は場所と電流値により異なるが0.3〜
0.6mm程度である。
0.07Euz）2SiO5を膜厚が6mg/cm2になるように７インチ
のバルブに沈降塗布し、電磁集束型電子銃をつけて真空
封止することにより投射管を作成した。また比較のため
にEu無添加の（Ｙ0.744Gd0.186Tb0.07）2SiO5について
上記と同様にして投射管を作成した。投射管断面の模式
図を第８図に示す。上記蛍光膜12はフェースプレート11
上に形成されている。ネック管14中の電子銃15から発せ
られる電子線は偏向ヨーク16によって画像走査線に対応
した偏向を受け、フォーカスコイル17により集束されて
アルミ蒸着膜13を貫いて蛍光膜を励起する。蛍光膜上の
電子線スポット径は場所と電流値により異なるが0.3〜
0.6mm程度である。
これらの投射管について、輝度、輝度維持率及び輝度
の電流係数（γ値）を測定した。結果を表８に示す。
の電流係数（γ値）を測定した。結果を表８に示す。
なお投射管における輝度維持率の測定な次のように行
った。加速電圧30kV、カソード電流0.55mA、ラスターサ
イズ５インチ、照射時間2000時間の条件で蛍光膜に電子
線を照射し、この時の輝度の値を照射前の輝度に対する
相対値として表わした。
った。加速電圧30kV、カソード電流0.55mA、ラスターサ
イズ５インチ、照射時間2000時間の条件で蛍光膜に電子
線を照射し、この時の輝度の値を照射前の輝度に対する
相対値として表わした。
また上記の電流係数（γ）の値はカソード電流が0.2
〜1mAの間における値である。
〜1mAの間における値である。
表８から明らかなように、本発明の蛍光体（Ｙ
0.744−ｚGd0.186Tb0.07Euz）2SiO5はEu無添加のものに
比べ輝度及び輝度維持率が改善される。
0.744−ｚGd0.186Tb0.07Euz）2SiO5はEu無添加のものに
比べ輝度及び輝度維持率が改善される。
本発明によれば、色度座標において、0.325≦ｘ≦0.3
6、0.54≦ｙ≦0.625の範囲の色調の発光する蛍光体が得
られた。また、高密度電子線照射時の輝度劣化を軽減
し、かつ輝度飽和を小さくして高電流域における輝度を
数％から数十％高くできるので、大画面、高精細、高輝
度の陰極線管が得られた。
6、0.54≦ｙ≦0.625の範囲の色調の発光する蛍光体が得
られた。また、高密度電子線照射時の輝度劣化を軽減
し、かつ輝度飽和を小さくして高電流域における輝度を
数％から数十％高くできるので、大画面、高精細、高輝
度の陰極線管が得られた。
第１図は（Y1-x-yTbxYby）3Al5O12蛍光体の輝度のYb濃
度依存性を示す図、第２図は同蛍光体の輝度維持率のYb
濃度依存性を示す図、第３図は（Y1-x-yTbxYby）３（Al
1-zGaz）5O12蛍光体（ただし、モル比Al/（Al＋Ga）＝
0.67）の相対輝度のYb濃度依存性を示す図、第４図は
（Y1-x-yTbxYby）３（Al1-zGaz）5O12蛍光体（ただし、
モル比Al/（Al＋Ga）＝0.60）の相対輝度のTb濃度依存
性を示す図、第５図は（Ｙ0.93−ｚTb0.07Euz）2SiO5蛍
光体の相対輝度のEu濃度（ｚ）依存性を示す図、第６図
は（Ｙ0.93（１−ｘ）−ｚGd0.93xTb0.07Euz）2SiO5蛍
光体（ただしｚ＝０（曲線８）及び１×10-4（曲線７）
の相対輝度のGd濃度（ｘ）依存性を示す図、第７図は
（Y1-x-yTbyEuz）2SiO5蛍光体（ただしｚ＝１×10-4）
の相対輝度のTb濃度（ｙ）依存性を示した図、第８図は
本発明の蛍光体を塗布した投射型ブラウン管の概略図で
ある。 11……フェースプレート 12……蛍光膜、12……Al蒸着膜 14……ネック管、15……電子銃 16……偏向ヨーク、17……フォーカスコイル
度依存性を示す図、第２図は同蛍光体の輝度維持率のYb
濃度依存性を示す図、第３図は（Y1-x-yTbxYby）３（Al
1-zGaz）5O12蛍光体（ただし、モル比Al/（Al＋Ga）＝
0.67）の相対輝度のYb濃度依存性を示す図、第４図は
（Y1-x-yTbxYby）３（Al1-zGaz）5O12蛍光体（ただし、
モル比Al/（Al＋Ga）＝0.60）の相対輝度のTb濃度依存
性を示す図、第５図は（Ｙ0.93−ｚTb0.07Euz）2SiO5蛍
光体の相対輝度のEu濃度（ｚ）依存性を示す図、第６図
は（Ｙ0.93（１−ｘ）−ｚGd0.93xTb0.07Euz）2SiO5蛍
光体（ただしｚ＝０（曲線８）及び１×10-4（曲線７）
の相対輝度のGd濃度（ｘ）依存性を示す図、第７図は
（Y1-x-yTbyEuz）2SiO5蛍光体（ただしｚ＝１×10-4）
の相対輝度のTb濃度（ｙ）依存性を示した図、第８図は
本発明の蛍光体を塗布した投射型ブラウン管の概略図で
ある。 11……フェースプレート 12……蛍光膜、12……Al蒸着膜 14……ネック管、15……電子銃 16……偏向ヨーク、17……フォーカスコイル
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山元 明 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 松清 秀次 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 森田 安一 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日 立製作所茂原工場内 (72)発明者 上原 保彦 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日 立製作所茂原工場内 (72)発明者 小関 悦弘 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日 立製作所茂原工場内 (72)発明者 山田 勉 神奈川県小田原市成田1060番地 化成オ プトニクス株式会社内 (72)発明者 大纒 進 神奈川県小田原市成田1060番地 化成オ プトニクス株式会社内 (72)発明者 藤野 茂雄 神奈川県小田原市成田1060番地 化成オ プトニクス株式会社内 (72)発明者 長谷 尭 神奈川県小田原市成田1060番地 化成オ プトニクス株式会社内 (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C09K 11/00 - 11/89
Claims (12)
- 【請求項１】一般式 （Y1-x-yTbxYby）３（Al1-zGaz）5O12 （ただし、ｘ、ｙ、ｚはそれぞれ１×10-2≦ｘ≦0.20、
１×10-5≦ｙ≦２×10-2、０≦ｚ≦１の範囲の値であ
る）で表わされることを特徴とする緑色発光蛍光体。 - 【請求項２】一般式 （Y1-x-yTbxMy）３（Al1-zGaz）5O12 （ただし、ｘ、ｙ、ｚはそれぞれ１×10-2≦ｘ≦0.20、
１×10-6≦ｙ≦１×10-3、０≦ｚ≦１の範囲の値であ
り、ＭはTm及びSmの中の少なくとも一種の元素である）
で表わされることを特徴とする緑色発光蛍光体。 - 【請求項３】一般式 （Y1-x-yTbxEuy）３（Al1-zGaz）5O12 （ただし、ｘ、ｙ、ｚはそれぞれ１×10-2≦ｘ≦0.20、
１×10-6≦ｙ≦３×10-4、０≦ｚ≦１の範囲の値であ
る）で表わされることを特徴とする緑色発光蛍光体。 - 【請求項４】一般式 （Y1-x-yTbxRy）３（Al1-zGaz）5O12 （ただし、ｘ、ｙ、ｚはそれぞれ１×10-2≦ｘ≦0.20、
１×10-6≦ｙ≦３×10-4、０≦ｚ≦１の範囲の値であ
り、ＲはYb、Tm、Sm及びEuからなる群から選ばれた少な
くとも一種の元素である）で表わされることを特徴とす
る緑色発光蛍光体。 - 【請求項５】一般式 （Y1-x-y-zGdzTbxYby）2SiO5 （ただし、ｘ、ｙ、ｚはそれぞれ0.05≦ｘ≦0.15、１×
10-6≦ｙ≦２×10-2、０≦ｚ≦0.45の範囲の値である）
で表わされることを特徴とする緑色発光蛍光体。 - 【請求項６】一般式 （Y1-x-y-zGdzTbxMy）2SiO5 （ただし、ｘ、ｙ、ｚはそれぞれ0.05≦ｘ≦0.15、１×
10-6≦ｙ≦１×10-3、０≦ｚ≦0.45の範囲の値であり、
ＭはTm及びSmの中の少なくとも一種の元素である）で表
わされることを特徴とする緑色発光蛍光体。 - 【請求項７】一般式 （Y1-x-y-zGdzTbxEuy）2SiO5 （ただし、ｘ、ｙ、ｚはそれぞれ0.05≦ｘ≦0.15、１×
10-6≦ｙ≦３×10-4、０≦ｚ≦0.45の範囲の値である）
で表わされることを特徴とする緑色発光蛍光体。 - 【請求項８】一般式 In1-x-yTbxYbyBO3 （ただし、ｘ、ｙはそれぞれ１×10-4≦ｘ≦0.04、１×
10-6≦ｙ≦２×10-2の範囲の値である）で表わされるこ
とを特徴とする緑色発光蛍光体。 - 【請求項９】一般式 In1-x-yTbxMyBO3 （ただし、ｘ、ｙはそれぞれ１×10-4≦ｘ≦0.04、１×
10-6≦ｙ≦１×10-3の範囲の値であり、ＭはTm及びSmの
中の少なくとも一種の元素である）で表わされることを
特徴とする緑色発光蛍光体。 - 【請求項１０】一般式 In1-x-yTbxEuyBO3 （ただし、ｘ、ｙ、ｚはそれぞれ１×10-4≦ｘ≦0.04、
１×10-6≦ｙ≦３×10-5の範囲の値である）で表わされ
ることを特徴とする緑色発光蛍光体。 - 【請求項１１】フェースプレートと、該フェースプレー
ト内側の面に形成された請求項１から10までのいずれか
一に記載の緑色発光蛍光体の膜と、該膜に電子線を照射
し、該緑色発光蛍光体を発光させるための電子銃と、該
電子銃から照射される電子線を走査するための制御手段
とを含むことを特徴とする陰極線管。 - 【請求項１２】上記電子銃は、上記膜上において電流を
電子線走査面積で除した値が10μA/cm2以上となる電子
線を照射するための電子銃である請求項11記載の陰極線
管。
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|---|---|---|---|
| JP31067689A JP2854635B2 (ja) | 1988-12-05 | 1989-12-01 | 蛍光体及びそれを用いた陰極線管 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30593188 | 1988-12-05 | ||
| JP63-305931 | 1988-12-05 | ||
| JP31067689A JP2854635B2 (ja) | 1988-12-05 | 1989-12-01 | 蛍光体及びそれを用いた陰極線管 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02289679A JPH02289679A (ja) | 1990-11-29 |
| JP2854635B2 true JP2854635B2 (ja) | 1999-02-03 |
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ID=26564504
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31067689A Expired - Lifetime JP2854635B2 (ja) | 1988-12-05 | 1989-12-01 | 蛍光体及びそれを用いた陰極線管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2854635B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6940221B2 (en) | 2002-10-10 | 2005-09-06 | Hitachi Displays, Ltd. | Display device |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3859493B2 (ja) | 2001-11-20 | 2006-12-20 | 株式会社日立製作所 | 蛍光体およびそれを用いた画像表示装置 |
| JP4927352B2 (ja) | 2005-05-31 | 2012-05-09 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 画像表示装置 |
| JP2007254723A (ja) * | 2006-02-23 | 2007-10-04 | Fujifilm Corp | Ｅｕ含有無機化合物、これを含む発光性組成物と発光体、固体レーザ装置、発光装置 |
-
1989
- 1989-12-01 JP JP31067689A patent/JP2854635B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6940221B2 (en) | 2002-10-10 | 2005-09-06 | Hitachi Displays, Ltd. | Display device |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02289679A (ja) | 1990-11-29 |
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