JP2000165041A - 薄膜配線基板の修正方法 - Google Patents
薄膜配線基板の修正方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】薄膜配線パターンの一部に不良がある場合で
も、その不良部分を修正することが可能な薄膜配線基板
の修正方法を提供することにある。 【解決手段】絶縁膜８０及び配線パターン９０の上に、
絶縁膜８０よりもエッチング速度の速い修正保護膜ＰＬ
を形成し、欠陥を有する接続用パッド９０Ａの部分の修
正保護膜ＰＬをエッチングし、欠陥を有する配線パター
ン９０Ａを除去した後、新たな修正配線パターン９０Ｙ
を形成する。
も、その不良部分を修正することが可能な薄膜配線基板
の修正方法を提供することにある。 【解決手段】絶縁膜８０及び配線パターン９０の上に、
絶縁膜８０よりもエッチング速度の速い修正保護膜ＰＬ
を形成し、欠陥を有する接続用パッド９０Ａの部分の修
正保護膜ＰＬをエッチングし、欠陥を有する配線パター
ン９０Ａを除去した後、新たな修正配線パターン９０Ｙ
を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板上に薄膜配線
を有する薄膜配線基板の修正方法に関する。
を有する薄膜配線基板の修正方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の薄膜配線基板においては、基板上
に、配線パターンを形成している。また、薄膜多層配線
基板においては、基板上に、配線パターンを形成し、さ
らに、絶縁層を形成した上で、配線パターンを積層する
ようにしている。
に、配線パターンを形成している。また、薄膜多層配線
基板においては、基板上に、配線パターンを形成し、さ
らに、絶縁層を形成した上で、配線パターンを積層する
ようにしている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の薄膜配線基板の
中でも、例えば、ＬＳＩチップ等を搭載するための薄膜
配線基板においては、その表面に形成される配線パター
ンである半田接続用のパッドは、１基板辺り、４万〜６
万個形成される。半田接続用パッドの形成後、形成され
たパッドの検査を行い、パッドの接続面積が小さいもの
や、パッドに異物が混入している場合は、パッド不良と
なり、数万個のパッドの内、１つでもパッド不良がある
と、薄膜配線基板自体が不良となるという問題があっ
た。なお、電源接続用パッドなどは、同一の電圧を供給
する目的で、複数個形成される場合があり、このような
場合には、一つのパッドが不良でも他のパッドで代替え
可能である場合には、薄膜配線基板自体は使用可能であ
るが、信号用パッドでは、代替えが不可能な場合が多
く、薄膜配線基板自体が不良となることが一般的であ
る。
中でも、例えば、ＬＳＩチップ等を搭載するための薄膜
配線基板においては、その表面に形成される配線パター
ンである半田接続用のパッドは、１基板辺り、４万〜６
万個形成される。半田接続用パッドの形成後、形成され
たパッドの検査を行い、パッドの接続面積が小さいもの
や、パッドに異物が混入している場合は、パッド不良と
なり、数万個のパッドの内、１つでもパッド不良がある
と、薄膜配線基板自体が不良となるという問題があっ
た。なお、電源接続用パッドなどは、同一の電圧を供給
する目的で、複数個形成される場合があり、このような
場合には、一つのパッドが不良でも他のパッドで代替え
可能である場合には、薄膜配線基板自体は使用可能であ
るが、信号用パッドでは、代替えが不可能な場合が多
く、薄膜配線基板自体が不良となることが一般的であ
る。
【０００４】本発明の目的は、薄膜配線パターンの一部
に不良がある場合でも、その不良部分を修正することが
可能な薄膜配線基板の修正方法を提供することにある。
に不良がある場合でも、その不良部分を修正することが
可能な薄膜配線基板の修正方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】（１）上記目的を達成す
るため、本発明は、基板上に絶縁膜が形成され、その絶
縁膜上に配線パターンを形成した薄膜配線基板の修正方
法において、上記絶縁膜及び上記配線パターンの上に、
上記絶縁膜のエッチング特性とは異なるエッチング特性
を有する修正保護膜を形成し、欠陥を有する配線パター
ンの部分の上記修正保護膜をエッチングし、欠陥を有す
る配線パターンを除去した後、新たな修正配線パターン
を形成するようにしたものである。かかる方法により、
欠陥のある配線パターンのみを除去して、新たに、修正
配線パターンを形成し得るものとなる。
るため、本発明は、基板上に絶縁膜が形成され、その絶
縁膜上に配線パターンを形成した薄膜配線基板の修正方
法において、上記絶縁膜及び上記配線パターンの上に、
上記絶縁膜のエッチング特性とは異なるエッチング特性
を有する修正保護膜を形成し、欠陥を有する配線パター
ンの部分の上記修正保護膜をエッチングし、欠陥を有す
る配線パターンを除去した後、新たな修正配線パターン
を形成するようにしたものである。かかる方法により、
欠陥のある配線パターンのみを除去して、新たに、修正
配線パターンを形成し得るものとなる。
【０００６】（２）上記（１）において、好ましくは、
上記修正保護膜をエッチングする際に用いるエッチング
液に対する上記修正保護膜のエッチング速度は、このエ
ッチング液に対する上記保護膜のエッチング速度よりも
早いものとしたものである。
上記修正保護膜をエッチングする際に用いるエッチング
液に対する上記修正保護膜のエッチング速度は、このエ
ッチング液に対する上記保護膜のエッチング速度よりも
早いものとしたものである。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、図１〜図１３を用いて、本
発明の一実施形態による薄膜配線基板の製造及び修正方
法の工程について説明する。なお、図１〜図１３におい
て、同一符号は同一部分を示している。図１〜図６は、
薄膜配線基板の製造工程を示しており、図７及び図８
は、不良接続用パッドの一例を示しており、図９〜図１
３は、薄膜配線基板の修正工程を示している。
発明の一実施形態による薄膜配線基板の製造及び修正方
法の工程について説明する。なお、図１〜図１３におい
て、同一符号は同一部分を示している。図１〜図６は、
薄膜配線基板の製造工程を示しており、図７及び図８
は、不良接続用パッドの一例を示しており、図９〜図１
３は、薄膜配線基板の修正工程を示している。
【０００８】図１において、絶縁基板であるセラミック
基板１０は、その内部に、銅焼結メタライズ２０を有し
ている。セラミック基板１０は、アルミナと二酸化シリ
コンの混合物から形成されており、その厚さは、４〜６
ｍｍである。セラミック基板１０の表面である薄膜多層
配線形成面側には、銅ペーストの印刷パターンにより、
配線引出用パッド３０が形成されている。配線引出用パ
ッド３０は、搭載されるＬＳＩチップのチップサイズに
より異なるが、４万〜６万個である。セラミック基板１
０の裏面である外部接続面側には、銅ペーストの印刷パ
ターンにより、外部接続用印刷パッド４０が形成されて
いる。
基板１０は、その内部に、銅焼結メタライズ２０を有し
ている。セラミック基板１０は、アルミナと二酸化シリ
コンの混合物から形成されており、その厚さは、４〜６
ｍｍである。セラミック基板１０の表面である薄膜多層
配線形成面側には、銅ペーストの印刷パターンにより、
配線引出用パッド３０が形成されている。配線引出用パ
ッド３０は、搭載されるＬＳＩチップのチップサイズに
より異なるが、４万〜６万個である。セラミック基板１
０の裏面である外部接続面側には、銅ペーストの印刷パ
ターンにより、外部接続用印刷パッド４０が形成されて
いる。
【０００９】外部接続用印刷パッド４０側には、薄膜多
層配線を形成する際に、薬品等から外部接続用印刷パッ
ド４０を保護するため、裏面保護膜５０を形成する。裏
面保護膜５０は、感光性ポリイミド樹脂絶縁膜５２と、
ポリイミド樹脂絶縁膜５４が積層されて形成される。感
光性ポリイミド樹脂絶縁膜５２としては、ＰＨＯＴＯ−
ＰＩＱ（日立化成工業(株)製）膜を、４００℃の熱処理
後に厚さ１.４μｍとなるように形成する。さらに、ポ
リイミド樹脂絶縁膜５４としては、ＰＩＱ−Ｌ３００
(日立化成工業(株)製)膜を、４００℃の熱処理後に厚さ
６μｍとなるように重ねて成膜して形成している。
層配線を形成する際に、薬品等から外部接続用印刷パッ
ド４０を保護するため、裏面保護膜５０を形成する。裏
面保護膜５０は、感光性ポリイミド樹脂絶縁膜５２と、
ポリイミド樹脂絶縁膜５４が積層されて形成される。感
光性ポリイミド樹脂絶縁膜５２としては、ＰＨＯＴＯ−
ＰＩＱ（日立化成工業(株)製）膜を、４００℃の熱処理
後に厚さ１.４μｍとなるように形成する。さらに、ポ
リイミド樹脂絶縁膜５４としては、ＰＩＱ−Ｌ３００
(日立化成工業(株)製)膜を、４００℃の熱処理後に厚さ
６μｍとなるように重ねて成膜して形成している。
【００１０】次に、図２に示すように、配線引出用パッ
ド３０側に、感光性ポリイミド樹脂絶縁膜６２と、ポリ
イミド樹脂絶縁膜６４を積層して、第１の絶縁膜６０を
形成する。感光性ポリイミド樹脂絶縁膜６２としては、
ＰＨＯＴＯ−ＰＩＱ膜を、４００℃の熱処理後に厚さ
１.４μｍとなるように形成する。さらに、ポリイミド
樹脂絶縁膜６４としては、ＰＩＱ−Ｌ３００膜を１５０
℃の熱処理（プリベイク）後に厚さ９μｍとなるように
成膜する。
ド３０側に、感光性ポリイミド樹脂絶縁膜６２と、ポリ
イミド樹脂絶縁膜６４を積層して、第１の絶縁膜６０を
形成する。感光性ポリイミド樹脂絶縁膜６２としては、
ＰＨＯＴＯ−ＰＩＱ膜を、４００℃の熱処理後に厚さ
１.４μｍとなるように形成する。さらに、ポリイミド
樹脂絶縁膜６４としては、ＰＩＱ−Ｌ３００膜を１５０
℃の熱処理（プリベイク）後に厚さ９μｍとなるように
成膜する。
【００１１】さらに、第１の絶縁膜６０の上に形成した
第１の絶縁膜用ポジ型レジスト膜Ｒ１０を形成し、この
ポジ型レジスト膜Ｒ１０をエッチングマスクとして、ポ
リイミド樹脂絶縁膜６４であるＰＩＱ−Ｌ３００膜のエ
ッチング処理を行い、コンタクトホールを形成する。Ｐ
ＩＱ−Ｌ３００膜のエッチングは、第１の絶縁膜用ポジ
型レジスト膜Ｒ１０の現像と同時に、テトラメチルアン
モニウムハイドロオキサイドを用いて行う。
第１の絶縁膜用ポジ型レジスト膜Ｒ１０を形成し、この
ポジ型レジスト膜Ｒ１０をエッチングマスクとして、ポ
リイミド樹脂絶縁膜６４であるＰＩＱ−Ｌ３００膜のエ
ッチング処理を行い、コンタクトホールを形成する。Ｐ
ＩＱ−Ｌ３００膜のエッチングは、第１の絶縁膜用ポジ
型レジスト膜Ｒ１０の現像と同時に、テトラメチルアン
モニウムハイドロオキサイドを用いて行う。
【００１２】次に、図３に示すように、レジスト剥離剤
にて、ポジ型レジスト膜Ｒ１０を除去した後、ＰＩＱ−
Ｌ３００膜に対して３５０℃の熱処理（ベイキング）を
行い、ポリイミド樹脂絶縁膜６４を形成する。次に、酸
素プラズマ雰囲気中でのアッシング処理により、ポリイ
ミド樹脂絶縁膜６４のコンタクトホール内の感光性ポリ
イミド樹脂絶縁膜６２を除去し、配線引出用パッド３０
を露出させる。
にて、ポジ型レジスト膜Ｒ１０を除去した後、ＰＩＱ−
Ｌ３００膜に対して３５０℃の熱処理（ベイキング）を
行い、ポリイミド樹脂絶縁膜６４を形成する。次に、酸
素プラズマ雰囲気中でのアッシング処理により、ポリイ
ミド樹脂絶縁膜６４のコンタクトホール内の感光性ポリ
イミド樹脂絶縁膜６２を除去し、配線引出用パッド３０
を露出させる。
【００１３】次に、図４に示すように、スパッタリング
法により、下層クロム膜０.０５μｍ，中間層銅膜３μ
ｍ，上層クロム膜０.０５μｍを順次連続的に成膜した
後、配線パターン用ネガ型レジスト膜Ｒ２０をエッチン
グマスクとしてパターンニングし、上層クロム膜，中間
層銅膜，下層クロム膜の順にエッチングし、配線パター
ン７０を形成する。上下層クロム膜のエッチングには、
過マンガン酸カリウム：メタけい酸ナトリウム：水＝
２：３：４５の組成のエッチング液を用い、銅膜のエッ
チングには、７２.３％りん酸：９.５％酢酸：２０％硝
酸：水＝１５：３：１：１の組成のエッチング液を用い
る。配線パターン７０の形成後、配線パターン用ネガ型
レジスト膜Ｒ２０は、レジスト剥離剤にて除去する。
法により、下層クロム膜０.０５μｍ，中間層銅膜３μ
ｍ，上層クロム膜０.０５μｍを順次連続的に成膜した
後、配線パターン用ネガ型レジスト膜Ｒ２０をエッチン
グマスクとしてパターンニングし、上層クロム膜，中間
層銅膜，下層クロム膜の順にエッチングし、配線パター
ン７０を形成する。上下層クロム膜のエッチングには、
過マンガン酸カリウム：メタけい酸ナトリウム：水＝
２：３：４５の組成のエッチング液を用い、銅膜のエッ
チングには、７２.３％りん酸：９.５％酢酸：２０％硝
酸：水＝１５：３：１：１の組成のエッチング液を用い
る。配線パターン７０の形成後、配線パターン用ネガ型
レジスト膜Ｒ２０は、レジスト剥離剤にて除去する。
【００１４】次に、図５に示すように、図２に示した第
１の絶縁膜６０の形成工程と同様にして、第２の絶縁膜
８０を形成する。即ち、配線パターン７０側に、感光性
ポリイミド樹脂絶縁膜８２と、ポリイミド樹脂絶縁膜８
４を積層して、第２の絶縁膜８０を形成する。感光性ポ
リイミド樹脂絶縁膜８２としては、ＰＨＯＴＯ−ＰＩＱ
膜を、４００℃の熱処理後に厚さ１.４μｍとなるよう
に形成する。さらに、ポリイミド樹脂絶縁膜８４として
は、ＰＩＱ−Ｌ３００膜を１５０℃の熱処理（プリベイ
ク）後に厚さ９μｍとなるように成膜する。
１の絶縁膜６０の形成工程と同様にして、第２の絶縁膜
８０を形成する。即ち、配線パターン７０側に、感光性
ポリイミド樹脂絶縁膜８２と、ポリイミド樹脂絶縁膜８
４を積層して、第２の絶縁膜８０を形成する。感光性ポ
リイミド樹脂絶縁膜８２としては、ＰＨＯＴＯ−ＰＩＱ
膜を、４００℃の熱処理後に厚さ１.４μｍとなるよう
に形成する。さらに、ポリイミド樹脂絶縁膜８４として
は、ＰＩＱ−Ｌ３００膜を１５０℃の熱処理（プリベイ
ク）後に厚さ９μｍとなるように成膜する。
【００１５】さらに、第２の絶縁膜８０の上に形成した
第２の絶縁膜用ポジ型レジスト膜Ｒ３０を形成し、この
ポジ型レジスト膜Ｒ２０をエッチングマスクとして、ポ
リイミド樹脂絶縁膜８４であるＰＩＱ−Ｌ３００膜のエ
ッチング処理を行う。ＰＩＱ−Ｌ３００膜のエッチング
は、第２の絶縁膜用ポジ型レジスト膜Ｒ３０の現像と同
時に、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドを
用いて行う。
第２の絶縁膜用ポジ型レジスト膜Ｒ３０を形成し、この
ポジ型レジスト膜Ｒ２０をエッチングマスクとして、ポ
リイミド樹脂絶縁膜８４であるＰＩＱ−Ｌ３００膜のエ
ッチング処理を行う。ＰＩＱ−Ｌ３００膜のエッチング
は、第２の絶縁膜用ポジ型レジスト膜Ｒ３０の現像と同
時に、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドを
用いて行う。
【００１６】次に、図６に示すように、スパッタリング
法により、下層クロム膜０.０５μｍ，上層ニッケル膜
２μｍを順次連続的に成膜した後、外部接続用パッド用
ネガ型レジスト膜Ｒ４０をエッチングマスクとしてパタ
ーンニングし、上層ニッケル膜，下層クロム膜の順にエ
ッチングし、外部接続用パッド９０を形成する。クロム
膜のエッチングには、過マンガン酸カリウム：メタけい
酸ナトリウム：水＝２：３：４５の組成のエッチング液
を用い、ニッケル膜のエッチングには、りん酸：酢酸：
硝酸：フッ化アンモニウム：水＝１.５：１.４：８.
３：０.４：４.９の組成のエッチング液を用いる。外部
接続用パッド９０の形成後、外部接続用パッド用ネガ型
レジスト膜Ｒ４０は、レジスト剥離剤にて除去する。
法により、下層クロム膜０.０５μｍ，上層ニッケル膜
２μｍを順次連続的に成膜した後、外部接続用パッド用
ネガ型レジスト膜Ｒ４０をエッチングマスクとしてパタ
ーンニングし、上層ニッケル膜，下層クロム膜の順にエ
ッチングし、外部接続用パッド９０を形成する。クロム
膜のエッチングには、過マンガン酸カリウム：メタけい
酸ナトリウム：水＝２：３：４５の組成のエッチング液
を用い、ニッケル膜のエッチングには、りん酸：酢酸：
硝酸：フッ化アンモニウム：水＝１.５：１.４：８.
３：０.４：４.９の組成のエッチング液を用いる。外部
接続用パッド９０の形成後、外部接続用パッド用ネガ型
レジスト膜Ｒ４０は、レジスト剥離剤にて除去する。
【００１７】ネガ型レジスト膜Ｒ４０を、レジスト剥離
剤にて除去することによって、外部接続用パッド９０が
形成された薄膜多層基板が形成される。しかしながら、
外部接続用パッド９０は、１個のＬＳＩチップ辺り、４
万〜６万個形成される。接続用パッドの形成後、形成さ
れたパッドの検査を行い、パッドの接続面積が小さいも
のや、パッドに異物が混入している場合は、パッド不良
となり、数万個のパッドの内、１つでもパッド不良があ
ると、薄膜配線基板自体が不良となる。
剤にて除去することによって、外部接続用パッド９０が
形成された薄膜多層基板が形成される。しかしながら、
外部接続用パッド９０は、１個のＬＳＩチップ辺り、４
万〜６万個形成される。接続用パッドの形成後、形成さ
れたパッドの検査を行い、パッドの接続面積が小さいも
のや、パッドに異物が混入している場合は、パッド不良
となり、数万個のパッドの内、１つでもパッド不良があ
ると、薄膜配線基板自体が不良となる。
【００１８】ここで、図７及び図８を用いて、外部接続
用パッド９０形成時の欠陥の例について説明する。図７
は、図６において、外部接続用パッド用ネガ型レジスト
膜Ｒ４０のレジスト欠陥またはエッチング異常等によ
り、欠損外部接続用パッド９０Ａが形成され、外部との
接続面積不足による機械的強度不足となった例である。
図８は、図６において、スパッタリングによる下層クロ
ム膜成膜前に異物ＦＢが混入し、配線パターン７０と異
物ＦＢの上に形成された外部接続用パッド９０Ｂとの接
続面積が小さくなり、電気的性能が確保できなくなった
例である。
用パッド９０形成時の欠陥の例について説明する。図７
は、図６において、外部接続用パッド用ネガ型レジスト
膜Ｒ４０のレジスト欠陥またはエッチング異常等によ
り、欠損外部接続用パッド９０Ａが形成され、外部との
接続面積不足による機械的強度不足となった例である。
図８は、図６において、スパッタリングによる下層クロ
ム膜成膜前に異物ＦＢが混入し、配線パターン７０と異
物ＦＢの上に形成された外部接続用パッド９０Ｂとの接
続面積が小さくなり、電気的性能が確保できなくなった
例である。
【００１９】そこで、図９以降に示すように、図７若し
くは図８に示したような外部接続用パッドの欠陥が生じ
た場合には、欠陥の生じた外部接続用パッド９０Ａを除
いて、それ以外の正常な外部接続用パッド９０を、修正
保護膜ＰＬで保護した上で、欠陥の生じた外部接続用パ
ッド９０Ａのみを除去するようにしている。なお、修正
保護膜ＰＬは、後述するように、第２の絶縁膜８０であ
る感光性ポリイミド樹脂絶縁膜８２（ＰＨＯＴＯ−ＰＩ
Ｑ膜）やポリイミド樹脂絶縁膜８４（ＰＩＱ−Ｌ３００
膜）とは、異なるエッチング特性を有するポリイミド樹
脂絶縁膜を使用している。
くは図８に示したような外部接続用パッドの欠陥が生じ
た場合には、欠陥の生じた外部接続用パッド９０Ａを除
いて、それ以外の正常な外部接続用パッド９０を、修正
保護膜ＰＬで保護した上で、欠陥の生じた外部接続用パ
ッド９０Ａのみを除去するようにしている。なお、修正
保護膜ＰＬは、後述するように、第２の絶縁膜８０であ
る感光性ポリイミド樹脂絶縁膜８２（ＰＨＯＴＯ−ＰＩ
Ｑ膜）やポリイミド樹脂絶縁膜８４（ＰＩＱ−Ｌ３００
膜）とは、異なるエッチング特性を有するポリイミド樹
脂絶縁膜を使用している。
【００２０】即ち、図９に示すように、ポリイミド樹脂
絶縁膜であるＰＩＱ膜（日立化成工業（株）製）を３５
０℃の熱処理後４μｍとなるよう形成した後、修正保護
膜用ネガ型レジスト膜Ｒ５０をエッチングマスクとして
パターンニングし、ＰＩＱ膜のエッチングを行い、絶縁
膜からなる修正保護膜ＰＬを形成する。ＰＩＱ膜のエッ
チングには、３０℃に加熱したヒドラジン溶液を用い
る。修正保護膜ＰＬの形成後、修正保護膜用ネガ型レジ
スト膜Ｒ５０は、レジスト剥離剤にて除去する。
絶縁膜であるＰＩＱ膜（日立化成工業（株）製）を３５
０℃の熱処理後４μｍとなるよう形成した後、修正保護
膜用ネガ型レジスト膜Ｒ５０をエッチングマスクとして
パターンニングし、ＰＩＱ膜のエッチングを行い、絶縁
膜からなる修正保護膜ＰＬを形成する。ＰＩＱ膜のエッ
チングには、３０℃に加熱したヒドラジン溶液を用い
る。修正保護膜ＰＬの形成後、修正保護膜用ネガ型レジ
スト膜Ｒ５０は、レジスト剥離剤にて除去する。
【００２１】ここで、修正保護膜ＰＬとして、ポリイミ
ド樹脂絶縁膜であるＰＩＱ膜を用いた理由としては、以
下の２つが挙げられる。 １）第一に、ＰＩＱ膜（修正保護膜ＰＬ）は、基板を構
成するポリイミド樹脂絶縁膜ＰＩＱ−Ｌ３００（第２の
絶縁膜８０の上層）に比べ、エッチング液であるヒドラ
ジン溶液に対するエッチング速度が、ＰＩＱ：ＰＩＱ−
Ｌ３００＝１４：１と速いものである。そのため、ＰＩ
Ｑ４μｍの除去を目的としてエッチング処理を施した際
に基板構成材料であるＰＩＱ−Ｌ３００は約０．３μｍ
しかエッチングされないため、６μｍの厚さを有するＰ
ＩＱ−Ｌ３００は、殆どダメージを受けることなく、選
択的に修正保護膜ＰＬであるＰＩＱを除去可能である。
なお、図１において説明したように、外部接続用パッド
４０側に形成される裏面保護膜５０も、その表面側に
は、ＰＩＱ−３００からなる厚さ６μｍのポリイミド樹
脂絶縁膜５４が形成されているため、エッチング処理さ
れた場合のダメージは少ないものである。 ２）第２に、ＰＩＱ膜は、後述するように、欠陥のある
外部接続用パッドを除去した後、新たな外部接続用パッ
ドを形成する金属膜の成膜時の予備加熱および成膜その
ものによる基板の温度上昇および成膜された金属膜の膜
応力に耐え得るものである。なお、一般的なホトレジス
ト膜等では、この耐熱性，耐応力性の面で性能が劣るた
め、修正保護膜としては用いることができないものであ
る。
ド樹脂絶縁膜であるＰＩＱ膜を用いた理由としては、以
下の２つが挙げられる。 １）第一に、ＰＩＱ膜（修正保護膜ＰＬ）は、基板を構
成するポリイミド樹脂絶縁膜ＰＩＱ−Ｌ３００（第２の
絶縁膜８０の上層）に比べ、エッチング液であるヒドラ
ジン溶液に対するエッチング速度が、ＰＩＱ：ＰＩＱ−
Ｌ３００＝１４：１と速いものである。そのため、ＰＩ
Ｑ４μｍの除去を目的としてエッチング処理を施した際
に基板構成材料であるＰＩＱ−Ｌ３００は約０．３μｍ
しかエッチングされないため、６μｍの厚さを有するＰ
ＩＱ−Ｌ３００は、殆どダメージを受けることなく、選
択的に修正保護膜ＰＬであるＰＩＱを除去可能である。
なお、図１において説明したように、外部接続用パッド
４０側に形成される裏面保護膜５０も、その表面側に
は、ＰＩＱ−３００からなる厚さ６μｍのポリイミド樹
脂絶縁膜５４が形成されているため、エッチング処理さ
れた場合のダメージは少ないものである。 ２）第２に、ＰＩＱ膜は、後述するように、欠陥のある
外部接続用パッドを除去した後、新たな外部接続用パッ
ドを形成する金属膜の成膜時の予備加熱および成膜その
ものによる基板の温度上昇および成膜された金属膜の膜
応力に耐え得るものである。なお、一般的なホトレジス
ト膜等では、この耐熱性，耐応力性の面で性能が劣るた
め、修正保護膜としては用いることができないものであ
る。
【００２２】次に、図１０に示すように、図９に示した
欠陥の生じた外部接続パッド９０Ａを除去する。欠陥の
ある外部接続パッドの除去には、エキシマレーザを用い
る。また、図８に示したように、異物ＦＢが混入してお
り、図８における異物上に形成された欠陥外部接続用パ
ッド９０Ｂについてのみ、外部接続パッド９０のエッチ
ングに用いたエッチング液を用いてのエッチングが可能
な場合、及び欠陥の生じた外部接続パッド９０Ｂについ
てのみ電気的性能の確保が不要な場合、外部接続パッド
９０のエッチングに用いたエッチング液を用いて、エッ
チングにて欠陥のある外部接続パッド９０Ｂを除去す
る。
欠陥の生じた外部接続パッド９０Ａを除去する。欠陥の
ある外部接続パッドの除去には、エキシマレーザを用い
る。また、図８に示したように、異物ＦＢが混入してお
り、図８における異物上に形成された欠陥外部接続用パ
ッド９０Ｂについてのみ、外部接続パッド９０のエッチ
ングに用いたエッチング液を用いてのエッチングが可能
な場合、及び欠陥の生じた外部接続パッド９０Ｂについ
てのみ電気的性能の確保が不要な場合、外部接続パッド
９０のエッチングに用いたエッチング液を用いて、エッ
チングにて欠陥のある外部接続パッド９０Ｂを除去す
る。
【００２３】次に、図１１に示すように、スパッタリン
グ法により、図６における外部接続用パッド９０の形成
工程と同様にして、下層クロム膜０．０５μｍ，上層ニ
ッケル膜２μｍを順次連続的に成膜し、修正外部接続パ
ッド用メタル膜９０Ｘを形成する。さらに、修正外部接
続用パッド用ネガ型レジスト膜Ｒ６０をエッチングマス
クとして修正外部接続パッド用メタル膜９０Ｘをパター
ンニングし、上層ニッケル膜，下層クロム膜の順にエッ
チングし、外部接続用パッド９０Ｙを形成する。このよ
うにして形成された外部接続用パッド９０Ｙは、図６に
おいて形成された外部接続用パッド９０と同様のものと
なる。
グ法により、図６における外部接続用パッド９０の形成
工程と同様にして、下層クロム膜０．０５μｍ，上層ニ
ッケル膜２μｍを順次連続的に成膜し、修正外部接続パ
ッド用メタル膜９０Ｘを形成する。さらに、修正外部接
続用パッド用ネガ型レジスト膜Ｒ６０をエッチングマス
クとして修正外部接続パッド用メタル膜９０Ｘをパター
ンニングし、上層ニッケル膜，下層クロム膜の順にエッ
チングし、外部接続用パッド９０Ｙを形成する。このよ
うにして形成された外部接続用パッド９０Ｙは、図６に
おいて形成された外部接続用パッド９０と同様のものと
なる。
【００２４】修正外部接続用パッド用ネガ型レジスト膜
Ｒ６０のパターンニングは、上述した各ポジ型，ネガ型
のレジストがガラスマスクを用いた一括露光にて露光処
理を行っていたのに対し、スポット露光法により、欠陥
修正を要する外部接続用パッド上のみを露光する。クロ
ム膜及びニッケル膜のエッチングには、外部接続パッド
９０の形成と同様に、クロム膜のエッチングには、過マ
ンガン酸カリウム：メタけい酸ナトリウム：水＝２：
３：４５の組成のエッチング液を用い、ニッケル膜のエ
ッチングには、りん酸：酢酸：硝酸：フッ化アンモニウ
ム：水＝１.５：１.４：８.３：０.４：４.９の組成の
エッチング液を用いる。
Ｒ６０のパターンニングは、上述した各ポジ型，ネガ型
のレジストがガラスマスクを用いた一括露光にて露光処
理を行っていたのに対し、スポット露光法により、欠陥
修正を要する外部接続用パッド上のみを露光する。クロ
ム膜及びニッケル膜のエッチングには、外部接続パッド
９０の形成と同様に、クロム膜のエッチングには、過マ
ンガン酸カリウム：メタけい酸ナトリウム：水＝２：
３：４５の組成のエッチング液を用い、ニッケル膜のエ
ッチングには、りん酸：酢酸：硝酸：フッ化アンモニウ
ム：水＝１.５：１.４：８.３：０.４：４.９の組成の
エッチング液を用いる。
【００２５】次に、図１２に示すように、外部接続用パ
ッド用ネガ型レジスト膜Ｒ４０を、レジスト剥離剤にて
除去することにより、新たに修正された外部接続用パッ
ド９０Ｙを有する薄膜多層基板を形成することができ
る。
ッド用ネガ型レジスト膜Ｒ４０を、レジスト剥離剤にて
除去することにより、新たに修正された外部接続用パッ
ド９０Ｙを有する薄膜多層基板を形成することができ
る。
【００２６】さらに、図１３に示すように、修正用保護
膜ＰＬを、上述したヒドラジン溶液にて除去する。これ
により、図６における外部接続用パッド用レジスト膜Ｒ
４０を除去した後の図７に示す構造と同一となる。ヒド
ラジン溶液によるＰＩＱ膜の除去の際に、基板構成材料
であるＰＩＱ−Ｌ３００膜がダメージを受けるが０．３
μｍ程度であり、問題のないレベルである。
膜ＰＬを、上述したヒドラジン溶液にて除去する。これ
により、図６における外部接続用パッド用レジスト膜Ｒ
４０を除去した後の図７に示す構造と同一となる。ヒド
ラジン溶液によるＰＩＱ膜の除去の際に、基板構成材料
であるＰＩＱ−Ｌ３００膜がダメージを受けるが０．３
μｍ程度であり、問題のないレベルである。
【００２７】なお、以上の説明では、第２の絶縁膜の上
層をＰＩＱ−Ｌ３００膜として、修正保護膜にＰＩＱ膜
を用いているが、第２の絶縁膜がＰＨＯＴＯ−ＰＩＱ膜
であってもよいものである。即ち、ＰＩＱ膜：ＰＩＱ−
Ｌ３００膜のエッチング速度比は、１４：１であるのに
対して、ＰＩＱ膜：ＰＨＯＴＯ−ＰＩＱ膜のエッチング
速度比は、１４：４であるので、修正保護膜であるＰＩ
Ｑ膜をエッチングする際にも、ＰＨＯＴＯ−ＰＩＱ膜の
エッチングによるダメージは少なくなるからである。即
ち、本実施形態においては、保護膜の上に形成する修正
保護膜のエッチング速度を、保護膜のエッチング速度よ
り早いものを用いればよいものである。また、保護膜と
修正保護膜とに、エッチング速度だけでなく、エッチン
グ特性の異なるものを用いることによって、保護膜への
影響を少なくして、修正保護膜のみの選択的なエッチン
グを行うことにより、欠陥のある接続用パッドのみを露
出させ、除去することにより、欠陥のある接続用パッド
を新たに形成して、欠陥のない薄膜配線基板を形成する
ことができる。また、本実施形態においては、配線パタ
ーン７０と配線パターン９０の２層の配線パターンを有
する薄膜多層配線基板について説明したが、１層のみの
配線パターンを有する薄膜配線基板に対しても、同様
に、実施することができるものである。
層をＰＩＱ−Ｌ３００膜として、修正保護膜にＰＩＱ膜
を用いているが、第２の絶縁膜がＰＨＯＴＯ−ＰＩＱ膜
であってもよいものである。即ち、ＰＩＱ膜：ＰＩＱ−
Ｌ３００膜のエッチング速度比は、１４：１であるのに
対して、ＰＩＱ膜：ＰＨＯＴＯ−ＰＩＱ膜のエッチング
速度比は、１４：４であるので、修正保護膜であるＰＩ
Ｑ膜をエッチングする際にも、ＰＨＯＴＯ−ＰＩＱ膜の
エッチングによるダメージは少なくなるからである。即
ち、本実施形態においては、保護膜の上に形成する修正
保護膜のエッチング速度を、保護膜のエッチング速度よ
り早いものを用いればよいものである。また、保護膜と
修正保護膜とに、エッチング速度だけでなく、エッチン
グ特性の異なるものを用いることによって、保護膜への
影響を少なくして、修正保護膜のみの選択的なエッチン
グを行うことにより、欠陥のある接続用パッドのみを露
出させ、除去することにより、欠陥のある接続用パッド
を新たに形成して、欠陥のない薄膜配線基板を形成する
ことができる。また、本実施形態においては、配線パタ
ーン７０と配線パターン９０の２層の配線パターンを有
する薄膜多層配線基板について説明したが、１層のみの
配線パターンを有する薄膜配線基板に対しても、同様
に、実施することができるものである。
【００２８】以上説明したように、本実施形態によれ
ば、欠陥部分を除く正常な金属膜から成るパターン及び
金属膜下のパターンに影響を与えることなく欠陥部分を
修正することができ、従って、薄膜配線基板の不良を低
減することができる。
ば、欠陥部分を除く正常な金属膜から成るパターン及び
金属膜下のパターンに影響を与えることなく欠陥部分を
修正することができ、従って、薄膜配線基板の不良を低
減することができる。
【００２９】
【発明の効果】本発明によれば、薄膜配線パターンの一
部に不良がある場合でも、その不良部分を修正すること
が可能となる。
部に不良がある場合でも、その不良部分を修正すること
が可能となる。
【図１】本発明の一実施形態による薄膜配線基板の修正
方法における薄膜配線基板の製造工程を示す断面図であ
る。
方法における薄膜配線基板の製造工程を示す断面図であ
る。
【図２】本発明の一実施形態による薄膜配線基板の修正
方法における薄膜配線基板の製造工程を示す断面図であ
る。
方法における薄膜配線基板の製造工程を示す断面図であ
る。
【図３】本発明の一実施形態による薄膜配線基板の修正
方法における薄膜配線基板の製造工程を示す断面図であ
る。
方法における薄膜配線基板の製造工程を示す断面図であ
る。
【図４】本発明の一実施形態による薄膜配線基板の修正
方法における薄膜配線基板の製造工程を示す断面図であ
る。
方法における薄膜配線基板の製造工程を示す断面図であ
る。
【図５】本発明の一実施形態による薄膜配線基板の修正
方法における薄膜配線基板の製造工程を示す断面図であ
る。
方法における薄膜配線基板の製造工程を示す断面図であ
る。
【図６】本発明の一実施形態による薄膜配線基板の修正
方法における薄膜配線基板上の欠陥接続用パッドの一例
を示す断面図である。
方法における薄膜配線基板上の欠陥接続用パッドの一例
を示す断面図である。
【図７】本発明の一実施形態による薄膜配線基板の修正
方法における薄膜配線基板上の欠陥接続用パッドの一例
を示す断面図である。
方法における薄膜配線基板上の欠陥接続用パッドの一例
を示す断面図である。
【図８】本発明の一実施形態による薄膜配線基板の修正
方法における薄膜配線基板の上の欠陥接続用パッドの薄
膜配線基板の修正工程を示す断面図である。
方法における薄膜配線基板の上の欠陥接続用パッドの薄
膜配線基板の修正工程を示す断面図である。
【図９】本発明の一実施形態による薄膜配線基板の修正
方法における薄膜配線基板の上の欠陥接続用パッドの薄
膜配線基板の修正工程を示す断面図である。
方法における薄膜配線基板の上の欠陥接続用パッドの薄
膜配線基板の修正工程を示す断面図である。
【図１０】本発明の一実施形態による薄膜配線基板の修
正方法における薄膜配線基板の上の欠陥接続用パッドの
薄膜配線基板の修正工程を示す断面図である。
正方法における薄膜配線基板の上の欠陥接続用パッドの
薄膜配線基板の修正工程を示す断面図である。
【図１１】本発明の一実施形態による薄膜配線基板の修
正方法における薄膜配線基板の上の欠陥接続用パッドの
薄膜配線基板の修正工程を示す断面図である。
正方法における薄膜配線基板の上の欠陥接続用パッドの
薄膜配線基板の修正工程を示す断面図である。
【図１２】本発明の一実施形態による薄膜配線基板の修
正方法における薄膜配線基板の上の欠陥接続用パッドの
薄膜配線基板の修正工程を示す断面図である。
正方法における薄膜配線基板の上の欠陥接続用パッドの
薄膜配線基板の修正工程を示す断面図である。
【図１３】本発明の一実施形態による薄膜配線基板の修
正方法における薄膜配線基板の上の欠陥接続用パッドが
修正された状態を示す断面図である。
正方法における薄膜配線基板の上の欠陥接続用パッドが
修正された状態を示す断面図である。
１０…セラミック基板 ２０…銅焼結メタライズ ３０…配線引出用パッド ４０…外部接続用印刷パッド ５０…裏面保護膜 ６０…第１の絶縁層 ７０…配線パターン ８０…第２の絶縁層 ９０…外部接続用パッド ＰＬ…修正保護膜 ９０Ｙ…修正外部接続用パッド
フロントページの続き Ｆターム(参考） 5E343 AA24 BB24 BB38 BB44 BB72 DD25 DD76 EE42 ER18 ER51 GG20 5E346 CC10 CC16 DD17 DD44 EE33 GG18 GG22 HH31
Claims (2)
- 【請求項１】基板上に絶縁膜が形成され、その絶縁膜上
に配線パターンを形成した薄膜配線基板の修正方法にお
いて、 上記絶縁膜及び上記配線パターンの上に、上記絶縁膜の
エッチング特性とは異なるエッチング特性を有する修正
保護膜を形成し、 欠陥を有する配線パターンの部分の上記修正保護膜をエ
ッチングし、 欠陥を有する配線パターンを除去した後、新たな修正配
線パターンを形成することを特徴とする薄膜配線基板の
修正方法。 - 【請求項２】請求項１記載の薄膜配線基板の修正方法に
おいて、 上記修正保護膜をエッチングする際に用いるエッチング
液に対する上記修正保護膜のエッチング速度は、このエ
ッチング液に対する上記絶縁膜のエッチング速度よりも
早いことを特徴とする薄膜配線基板の修正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33999998A JP2000165041A (ja) | 1998-11-30 | 1998-11-30 | 薄膜配線基板の修正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33999998A JP2000165041A (ja) | 1998-11-30 | 1998-11-30 | 薄膜配線基板の修正方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000165041A true JP2000165041A (ja) | 2000-06-16 |
Family
ID=18332785
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33999998A Pending JP2000165041A (ja) | 1998-11-30 | 1998-11-30 | 薄膜配線基板の修正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000165041A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100891076B1 (ko) | 2007-07-27 | 2009-03-31 | 강상광 | 인쇄회로기판 재생 방법 |
-
1998
- 1998-11-30 JP JP33999998A patent/JP2000165041A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100891076B1 (ko) | 2007-07-27 | 2009-03-31 | 강상광 | 인쇄회로기판 재생 방법 |
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