JP2000086673A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2000086673A5 JP2000086673A5 JP1999259968A JP25996899A JP2000086673A5 JP 2000086673 A5 JP2000086673 A5 JP 2000086673A5 JP 1999259968 A JP1999259968 A JP 1999259968A JP 25996899 A JP25996899 A JP 25996899A JP 2000086673 A5 JP2000086673 A5 JP 2000086673A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- formula
- carbon atoms
- alkyl group
- integer
- aluminum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 12
- 125000004432 carbon atoms Chemical group C* 0.000 description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminum Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 6
- SJRJJKPEHAURKC-UHFFFAOYSA-N n-methylmorpholine Chemical compound CN1CCOCC1 SJRJJKPEHAURKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Chemical group N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 6
- 239000002879 Lewis base Substances 0.000 description 4
- 150000007527 lewis bases Chemical class 0.000 description 4
- RXYPXQSKLGGKOL-UHFFFAOYSA-N 1,4-dimethylpiperazine Chemical compound CN1CCN(C)CC1 RXYPXQSKLGGKOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- JSHASCFKOSDFHY-UHFFFAOYSA-N 1-butylpyrrolidine Chemical compound CCCCN1CCCC1 JSHASCFKOSDFHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PAMIQIKDUOTOBW-UHFFFAOYSA-N 1-methylpiperidine Chemical compound CN1CCCCC1 PAMIQIKDUOTOBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- AVFZOVWCLRSYKC-UHFFFAOYSA-N 1-methylpyrrolidine Chemical compound CN1CCCC1 AVFZOVWCLRSYKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QMDFJHAAWUGVKQ-UHFFFAOYSA-N 2H-thiopyran Chemical compound C1SC=CC=C1 QMDFJHAAWUGVKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HTLZVHNRZJPSMI-UHFFFAOYSA-N N-ethylpiperidine Chemical compound CCN1CCCCC1 HTLZVHNRZJPSMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Chemical group 0.000 description 3
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N oxygen Chemical group O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000005010 perfluoroalkyl group Chemical group 0.000 description 3
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHHIBMOFPCBJQ-UHFFFAOYSA-N 1,2-dimethylpyrrolidine Chemical group CC1CCCN1C PXHHIBMOFPCBJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XULIXFLCVXWHRF-UHFFFAOYSA-N Pempidine Chemical compound CN1C(C)(C)CCCC1(C)C XULIXFLCVXWHRF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- -1 heterocyclic amine Chemical class 0.000 description 2
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N precursor Substances N#CC(C)(C)N=NC(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 2
- HVCNXQOWACZAFN-UHFFFAOYSA-N 4-ethylmorpholine Chemical compound CCN1CCOCC1 HVCNXQOWACZAFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 210000002381 Plasma Anatomy 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 239000008079 hexane Substances 0.000 description 1
- HPQVWDOOUQVBTO-UHFFFAOYSA-N lithium aluminium hydride Substances [Li+].[Al-] HPQVWDOOUQVBTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OCZDCIYGECBNKL-UHFFFAOYSA-N lithium;alumanuide Chemical compound [Li+].[AlH4-] OCZDCIYGECBNKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N pentane Chemical compound CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Description
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式
Ｈ（Ｒ’）２Ａｌ：Ｌｎ （Ｉ）
〔式中、Ｒ’は１〜４個の炭素原子を有するアルキルまたはパーフルオロアルキル基であり、
Ｌは非共有電子対をアルミニウムに与えることができる１以上のルイス塩基であって、チオフェン、チオピラン、または、式ＩＩまたはＩＩＩの有機アミンから選択される。〕
【化１】
〔式中、
Ｒは、１〜４の炭素数を有するアルキル基であり；
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ２３およびＲ２４はそれぞれ独立して水素または１〜２の炭素数を有するアルキル基であり；
Ｘは酸素またはアルキル基を有する窒素であり；
ｍは２〜８の整数であり；
ｋおよびｌはそれぞれ独立して１〜３の整数であり；さらに
ｎは１または２である。〕
の有機金属化合物。
【請求項２】
有機アミンがアルキルアジリジン、アルキルアゼチジン、アルキルピロリジン、アルキルピペリジン、アルキルヘキサメチレンイミン、アルキルヘプタメチレンイミン、アルキルモルホリンまたはアルキルピペラジンから選択される１以上である請求項１記載の化合物。
【請求項３】
有機アミンが１，２−ジメチルピロリジン、１−メチルピロリジン、１−ブチルピロリジン、１−メチルピペリジン、１−エチルピペリジン、１，２，２，６，６−ペンタメチルピペリジン、４−メチルモルホリン、４−エチルモルホリンまたは１，４−ジメチルピペラジンから選択される１以上である請求項２記載の化合物。
【請求項４】
請求項１記載の有機金属化合物を含む蒸着先駆物質組成物。
【請求項５】
複素環式アミン溶媒をさらに含む請求項４記載の組成物。
【請求項６】
複素環式アミン溶媒が１−メチルピロリジン、１−ブチルピロリジン、１−メチルピペリジン、１−エチルピペリジン、４−メチルモルホリン、４−エチルモルホリンまたは１，４−ジメチルピペラジンから選択される１以上である請求項５記載の組成物。
【請求項７】
基板上にアルミニウム膜を蒸着する工程を含み、該アルミニウム膜中のアルミニウムのソースが式
Ｈ（Ｒ’）２Ａｌ：Ｌｎ
〔式中、Ｒ’は１〜４個の炭素原子を有するアルキルまたはパーフルオロアルキル基であり、
Ｌは非共有電子対をアルミニウムに与えることができるルイス塩基であって、チオフェン、チオピラン、または、式ＩＩまたはＩＩＩの有機アミンから選択される。〕
【化２】
〔式中、
Ｒは１〜４の炭素数を有するアルキル基であり；
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ２３およびＲ２４はそれぞれ独立して水素または１〜２の炭素数を有するアルキル基であり；
Ｘは酸素またはアルキル基を有する窒素であり；
ｍは２〜８の整数であり；
ｋおよびｌはそれぞれ独立して１〜３の整数であり；さらに
ｎは１または２である。〕
の有機金属化合物を含む蒸着先駆物質である、アルミニウム膜形成方法。
【請求項８】
有機金属化合物が基板に適用される熱エネルギー、プラズマまたはバイアスによって気化される請求項７記載の方法。
【請求項９】
式
Ｈ（Ｒ’）２Ａｌ：Ｌｎ
〔式中、Ｒ’は１〜４個の炭素原子を有するアルキルまたはパーフルオロアルキル基である、
Ｌは非共有電子対をアルミニウムに与えることができる１以上のルイス塩基であって、チオフェン、チオピラン、または、式ＩＩまたはＩＩＩの有機アミンから選択される。〕
【化３】
〔式中、
Ｒは１〜４の炭素数を有するアルキル基であり；
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ２３およびＲ２４はそれぞれ独立して水素または１〜２の炭素数を有するアルキル基であり；
Ｘは酸素またはアルキル基を有する窒素であり；
ｍは２〜８の整数であり；
ｋおよびｌはそれぞれ独立して１〜３の整数であり；さらに
ｎは１または２である。〕
の有機金属化合物の製造方法であって、
ａ）ヘキサンまたはペンタン中で、Ｒ’３Ａｌ［式中、Ｒ’は前記の通りである］の式を有するトリアルキルアルミニウム、および水素化アルミニウムリチウムの懸濁液を形成し、さらに
ｂ）懸濁液に前記ルイス塩基を添加する工程を含む、製造方法。
【請求項１０】
有機アミンが１，２−ジメチルピロリジン、１−メチルピロリジン、１−ブチルピロリジン、１−メチルピペリジン、１−エチルピペリジン、１，２，２，６，６−ペンタメチルピペリジン、４−メチルモルホリン、４−エチルモルホリンまたは１，４−ジメチルピペラジンから選択される１以上である請求項９記載の方法。
【請求項１】
式
Ｈ（Ｒ’）２Ａｌ：Ｌｎ （Ｉ）
〔式中、Ｒ’は１〜４個の炭素原子を有するアルキルまたはパーフルオロアルキル基であり、
Ｌは非共有電子対をアルミニウムに与えることができる１以上のルイス塩基であって、チオフェン、チオピラン、または、式ＩＩまたはＩＩＩの有機アミンから選択される。〕
【化１】
Ｒは、１〜４の炭素数を有するアルキル基であり；
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ２３およびＲ２４はそれぞれ独立して水素または１〜２の炭素数を有するアルキル基であり；
Ｘは酸素またはアルキル基を有する窒素であり；
ｍは２〜８の整数であり；
ｋおよびｌはそれぞれ独立して１〜３の整数であり；さらに
ｎは１または２である。〕
の有機金属化合物。
【請求項２】
有機アミンがアルキルアジリジン、アルキルアゼチジン、アルキルピロリジン、アルキルピペリジン、アルキルヘキサメチレンイミン、アルキルヘプタメチレンイミン、アルキルモルホリンまたはアルキルピペラジンから選択される１以上である請求項１記載の化合物。
【請求項３】
有機アミンが１，２−ジメチルピロリジン、１−メチルピロリジン、１−ブチルピロリジン、１−メチルピペリジン、１−エチルピペリジン、１，２，２，６，６−ペンタメチルピペリジン、４−メチルモルホリン、４−エチルモルホリンまたは１，４−ジメチルピペラジンから選択される１以上である請求項２記載の化合物。
【請求項４】
請求項１記載の有機金属化合物を含む蒸着先駆物質組成物。
【請求項５】
複素環式アミン溶媒をさらに含む請求項４記載の組成物。
【請求項６】
複素環式アミン溶媒が１−メチルピロリジン、１−ブチルピロリジン、１−メチルピペリジン、１−エチルピペリジン、４−メチルモルホリン、４−エチルモルホリンまたは１，４−ジメチルピペラジンから選択される１以上である請求項５記載の組成物。
【請求項７】
基板上にアルミニウム膜を蒸着する工程を含み、該アルミニウム膜中のアルミニウムのソースが式
Ｈ（Ｒ’）２Ａｌ：Ｌｎ
〔式中、Ｒ’は１〜４個の炭素原子を有するアルキルまたはパーフルオロアルキル基であり、
Ｌは非共有電子対をアルミニウムに与えることができるルイス塩基であって、チオフェン、チオピラン、または、式ＩＩまたはＩＩＩの有機アミンから選択される。〕
【化２】
Ｒは１〜４の炭素数を有するアルキル基であり；
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ２３およびＲ２４はそれぞれ独立して水素または１〜２の炭素数を有するアルキル基であり；
Ｘは酸素またはアルキル基を有する窒素であり；
ｍは２〜８の整数であり；
ｋおよびｌはそれぞれ独立して１〜３の整数であり；さらに
ｎは１または２である。〕
の有機金属化合物を含む蒸着先駆物質である、アルミニウム膜形成方法。
【請求項８】
有機金属化合物が基板に適用される熱エネルギー、プラズマまたはバイアスによって気化される請求項７記載の方法。
【請求項９】
式
Ｈ（Ｒ’）２Ａｌ：Ｌｎ
〔式中、Ｒ’は１〜４個の炭素原子を有するアルキルまたはパーフルオロアルキル基である、
Ｌは非共有電子対をアルミニウムに与えることができる１以上のルイス塩基であって、チオフェン、チオピラン、または、式ＩＩまたはＩＩＩの有機アミンから選択される。〕
【化３】
Ｒは１〜４の炭素数を有するアルキル基であり；
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ２３およびＲ２４はそれぞれ独立して水素または１〜２の炭素数を有するアルキル基であり；
Ｘは酸素またはアルキル基を有する窒素であり；
ｍは２〜８の整数であり；
ｋおよびｌはそれぞれ独立して１〜３の整数であり；さらに
ｎは１または２である。〕
の有機金属化合物の製造方法であって、
ａ）ヘキサンまたはペンタン中で、Ｒ’３Ａｌ［式中、Ｒ’は前記の通りである］の式を有するトリアルキルアルミニウム、および水素化アルミニウムリチウムの懸濁液を形成し、さらに
ｂ）懸濁液に前記ルイス塩基を添加する工程を含む、製造方法。
【請求項１０】
有機アミンが１，２−ジメチルピロリジン、１−メチルピロリジン、１−ブチルピロリジン、１−メチルピペリジン、１−エチルピペリジン、１，２，２，６，６−ペンタメチルピペリジン、４−メチルモルホリン、４−エチルモルホリンまたは１，４−ジメチルピペラジンから選択される１以上である請求項９記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR19980038572A KR100289945B1 (ko) | 1998-09-15 | 1998-09-15 | 알루미늄박막의화학증착용전구체화합물및이의제조방법 |
| KR38572/1998 | 1998-09-15 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000086673A JP2000086673A (ja) | 2000-03-28 |
| JP2000086673A5 true JP2000086673A5 (ja) | 2006-10-05 |
Family
ID=19551035
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11259968A Pending JP2000086673A (ja) | 1998-09-15 | 1999-09-14 | 化学蒸着のための化合物およびその製造方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6121443A (ja) |
| EP (1) | EP0987270B1 (ja) |
| JP (1) | JP2000086673A (ja) |
| KR (1) | KR100289945B1 (ja) |
| DE (1) | DE69904129T2 (ja) |
| SG (1) | SG79280A1 (ja) |
| TW (1) | TW486482B (ja) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100316760B1 (ko) * | 1999-06-11 | 2001-12-12 | 신현국 | 알루미나 박막의 화학 증착용 전구체 화합물 및 이의 제조방법 |
| US7098339B2 (en) * | 2005-01-18 | 2006-08-29 | Praxair Technology, Inc. | Processes for the production of organometallic compounds |
| JP4711113B2 (ja) * | 2005-03-14 | 2011-06-29 | 株式会社トリケミカル研究所 | ＣＨ３ＡｌＨ２：Ｌの製造方法、Ａｌ系膜形成材料、Ａｌ系膜形成方法、及びＡｌ系配線膜形成方法 |
| KR100696858B1 (ko) | 2005-09-21 | 2007-03-20 | 삼성전자주식회사 | 유기 알루미늄 전구체 및 이를 이용한 금속배선 형성방법 |
| KR100689668B1 (ko) | 2005-09-26 | 2007-03-08 | 삼성전자주식회사 | 유기 알루미늄 전구체 및 이를 이용한 알루미늄 배선형성방법 |
| KR100724084B1 (ko) * | 2005-11-16 | 2007-06-04 | 주식회사 유피케미칼 | 디알킬아미도디하이드로알루미늄 화합물을 이용한 박막증착방법 |
| KR100829472B1 (ko) * | 2006-05-18 | 2008-05-16 | (주)디엔에프 | 알루미늄 박막의 화학증착용 전구체 화합물 및 이의제조방법 |
| KR100756403B1 (ko) * | 2006-05-18 | 2007-09-10 | (주)디엔에프 | 알루미늄 박막의 화학증착용 전구체 화합물의 제조방법 |
| WO2009082031A1 (ja) | 2007-12-26 | 2009-07-02 | Jsr Corporation | アルミニウム膜形成用組成物及びアルミニウム膜の形成方法 |
| US8268722B2 (en) * | 2009-06-03 | 2012-09-18 | Novellus Systems, Inc. | Interfacial capping layers for interconnects |
| US20110206844A1 (en) * | 2010-02-24 | 2011-08-25 | Jacob Grant Wiles | Chromium-free passivation of vapor deposited aluminum surfaces |
| US9633896B1 (en) | 2015-10-09 | 2017-04-25 | Lam Research Corporation | Methods for formation of low-k aluminum-containing etch stop films |
| EP3728688B1 (en) * | 2017-12-20 | 2021-11-10 | Basf Se | Process for the generation of metal-containing films |
| JP7401928B2 (ja) | 2018-07-30 | 2023-12-20 | ユーピー ケミカル カンパニー リミテッド | アルミニウム化合物及びこれを使用したアルミニウム含有膜の形成方法 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB905985A (en) | 1959-02-24 | 1962-09-19 | Ethyl Corp | Preparing metal-alumino hydrides |
| JPS57188026A (en) | 1981-05-14 | 1982-11-18 | Minolta Camera Co Ltd | Driving device for photographing lens of automatic focusing camera |
| US4923717A (en) * | 1989-03-17 | 1990-05-08 | Regents Of The University Of Minnesota | Process for the chemical vapor deposition of aluminum |
| JP2721023B2 (ja) * | 1989-09-26 | 1998-03-04 | キヤノン株式会社 | 堆積膜形成法 |
| US5113025A (en) | 1989-10-02 | 1992-05-12 | Ethyl Corporation | Selective reducing agents |
| US5178911A (en) * | 1989-11-30 | 1993-01-12 | The President And Fellows Of Harvard College | Process for chemical vapor deposition of main group metal nitrides |
| DE69120446T2 (de) * | 1990-02-19 | 1996-11-14 | Canon Kk | Verfahren zum Herstellen von abgeschiedener Metallschicht, die Aluminium als Hauptkomponente enthält, mit Anwendung von Alkylaluminiumhydrid |
| US5130459A (en) * | 1990-06-08 | 1992-07-14 | Nec Corporation | Selective chemical vapor deposition of aluminum, aluminum CVD materials and process for preparing the same |
| US5136046A (en) | 1990-09-28 | 1992-08-04 | Ethyl Corporation | Preparation of amine alanes |
| US5191099A (en) * | 1991-09-05 | 1993-03-02 | Regents Of The University Of Minnesota | Chemical vapor deposition of aluminum films using dimethylethylamine alane |
| JPH0912581A (ja) * | 1995-04-28 | 1997-01-14 | Sumitomo Chem Co Ltd | ジメチルアルミニウムハイドライド組成物及びその製造方法ならびにジメチルアルミニウムハイドライドの粘度調製方法 |
| US5900279A (en) | 1995-11-20 | 1999-05-04 | Tri Chemical Laboratory Inc. | Processes for the chemical vapor deposition and solvent used for the processes |
| JP2913583B2 (ja) * | 1996-09-24 | 1999-06-28 | 株式会社トリケミカル研究所 | Ａｌ膜形成材料及びＡｌ膜形成方法 |
-
1998
- 1998-09-15 KR KR19980038572A patent/KR100289945B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1999
- 1999-03-31 US US09/283,317 patent/US6121443A/en not_active Expired - Fee Related
- 1999-08-19 TW TW088114186A patent/TW486482B/zh not_active IP Right Cessation
- 1999-09-01 DE DE69904129T patent/DE69904129T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1999-09-01 EP EP99306952A patent/EP0987270B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-09-13 SG SG9904472A patent/SG79280A1/en unknown
- 1999-09-14 JP JP11259968A patent/JP2000086673A/ja active Pending
-
2000
- 2000-06-16 US US09/595,109 patent/US6380383B1/en not_active Expired - Fee Related
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2000026474A5 (ja) | ||
| JP2000086673A5 (ja) | ||
| JP2579169B2 (ja) | 有機金属化合物からなる基体上金属気相沈着用材料 | |
| JP3723597B2 (ja) | メタロセン錯体および配位子系 | |
| KR101367827B1 (ko) | 하프늄계 화합물, 하프늄계 박막형성재료 및 하프늄계박막형성방법 | |
| US7329768B2 (en) | Chemical vapor deposition precursors for deposition of tantalum-based materials | |
| US6620956B2 (en) | Nitrogen analogs of copper II β-diketonates as source reagents for semiconductor processing | |
| JPS6169969A (ja) | 遷移金属窒化物の薄膜蒸着方法 | |
| KR20120078025A (ko) | 실릴아민 리간드가 포함된 유기금속화합물, 및 이를 전구체로 이용한 금속 산화물 또는 금속-규소 산화물의 박막 증착 방법 | |
| US7592471B2 (en) | Tantalum compound, method for producing same, tantalum-containing thin film and method for forming same | |
| JP2004323513A (ja) | Ｉｖａ族およびｖｉａ族化合物の調製 | |
| JP2000026474A (ja) | 化学蒸着のためのアルミニウム錯体誘導体およびその製造方法 | |
| US6121443A (en) | Compound for the aluminum film from chemical vapor depositions and the method of synthesis | |
| KR20130049020A (ko) | 탄탈륨 전구체 화합물 및 이의 제조방법 | |
| KR100246155B1 (ko) | 알루미늄 화학 증착법을 위한 새로운 아마이도 알란 전구체 | |
| JPH03190884A (ja) | 異節環式有機金属化合物 | |
| KR20210058370A (ko) | 텅스텐 화합물, 이의 제조방법 및 이를 이용한 텅스텐 함유 박막 및 이의 제조방법 | |
| KR100863063B1 (ko) | 화학 증착용 유기 알루미늄 전구체 용액 및 그 제조 방법 | |
| KR102327450B1 (ko) | 4족 전이금속 화합물, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 박막증착용 조성물 | |
| JP4120925B2 (ja) | 銅錯体およびこれを用いた銅含有薄膜の製造方法 | |
| KR20220168834A (ko) | 박막 증착을 위한 유기 주석 화합물 및 이를 이용한 주석 함유 박막의 형성 방법 | |
| EP0994118A3 (en) | Complex for the high dielectric film deposition and the method of deposition | |
| KR102548031B1 (ko) | 신규한 유기 인듐 화합물 및 이를 이용한 박막의 제조방법 | |
| JP2003252885A5 (ja) | ||
| WO2024117809A1 (ko) | 이트륨 또는 스칸듐 함유 박막 형성용 전구체, 이를 이용한 이트륨 또는 스칸듐 함유 박막 형성 방법 및 상기 이트륨 또는 스칸듐 함유 박막을 포함하는 반도체 소자. |