JP2000058266A - 有機発光構造体と陰極緩衝層との間に改質界面を与える電子注入層 - Google Patents
有機発光構造体と陰極緩衝層との間に改質界面を与える電子注入層Info
- Publication number
- JP2000058266A JP2000058266A JP21331299A JP21331299A JP2000058266A JP 2000058266 A JP2000058266 A JP 2000058266A JP 21331299 A JP21331299 A JP 21331299A JP 21331299 A JP21331299 A JP 21331299A JP 2000058266 A JP2000058266 A JP 2000058266A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cathode
- light emitting
- layer
- organic light
- organic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000000872 buffer Substances 0.000 title claims abstract description 47
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 36
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 36
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 19
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 23
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 44
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 44
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 abstract description 6
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 abstract description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 abstract description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 166
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 25
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 19
- -1 aromatic tertiary amines Chemical class 0.000 description 16
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 15
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 15
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 14
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 13
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 13
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 13
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 10
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 8
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 7
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 7
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 7
- 229960003540 oxyquinoline Drugs 0.000 description 7
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 6
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000000313 electron-beam-induced deposition Methods 0.000 description 6
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 5
- 125000000732 arylene group Chemical group 0.000 description 5
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 5
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 4
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 4
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 4
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 4
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 4
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N tris Chemical compound OCC(N)(CO)CO LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 3
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 3
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 description 3
- 150000004032 porphyrins Chemical group 0.000 description 3
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 3
- 125000005259 triarylamine group Chemical group 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 3
- LQRAULANJCQXAM-UHFFFAOYSA-N 1-n,5-n-dinaphthalen-1-yl-1-n,5-n-diphenylnaphthalene-1,5-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC(=C2C=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=CC2=CC=CC=C12 LQRAULANJCQXAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PTFCDOFLOPIGGS-UHFFFAOYSA-N Zinc dication Chemical compound [Zn+2] PTFCDOFLOPIGGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 239000002585 base Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- CTQMJYWDVABFRZ-UHFFFAOYSA-N cloxiquine Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=C(Cl)C2=C1 CTQMJYWDVABFRZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000000306 component Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UHVLDCDWBKWDDN-UHFFFAOYSA-N n-phenyl-n-[4-[4-(n-pyren-2-ylanilino)phenyl]phenyl]pyren-2-amine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C(C2=C43)C=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C3C=CC4=CC=CC5=CC=C(C3=C54)C=2)C=C1 UHVLDCDWBKWDDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004957 naphthylene group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 2
- YTDHEFNWWHSXSU-UHFFFAOYSA-N 2,3,5,6-tetrachloroaniline Chemical compound NC1=C(Cl)C(Cl)=CC(Cl)=C1Cl YTDHEFNWWHSXSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MVLOINQUZSPUJS-UHFFFAOYSA-N 2-n,2-n,6-n,6-n-tetrakis(4-methylphenyl)naphthalene-2,6-diamine Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=C2C=CC(=CC2=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 MVLOINQUZSPUJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MATLFWDVOBGZFG-UHFFFAOYSA-N 2-n,2-n,6-n,6-n-tetranaphthalen-1-ylnaphthalene-2,6-diamine Chemical compound C1=CC=C2C(N(C=3C=C4C=CC(=CC4=CC=3)N(C=3C4=CC=CC=C4C=CC=3)C=3C4=CC=CC=C4C=CC=3)C=3C4=CC=CC=C4C=CC=3)=CC=CC2=C1 MATLFWDVOBGZFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VXJRNCUNIBHMKV-UHFFFAOYSA-N 2-n,6-n-dinaphthalen-1-yl-2-n,6-n-dinaphthalen-2-ylnaphthalene-2,6-diamine Chemical compound C1=CC=C2C(N(C=3C=C4C=CC(=CC4=CC=3)N(C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C=3C4=CC=CC=C4C=CC=3)C3=CC4=CC=CC=C4C=C3)=CC=CC2=C1 VXJRNCUNIBHMKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VJEVAXUMNMFKDT-UHFFFAOYSA-N 5,10,15,20-tetrakis(2,3,4,5,6-pentafluorophenyl)-21,23-dihydroporphyrin Chemical compound Fc1c(F)c(F)c(c(F)c1F)-c1c2ccc(n2)c(-c2c(F)c(F)c(F)c(F)c2F)c2ccc([nH]2)c(-c2c(F)c(F)c(F)c(F)c2F)c2ccc(n2)c(-c2c(F)c(F)c(F)c(F)c2F)c2ccc1[nH]2 VJEVAXUMNMFKDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WPYMZALMVVFPJZ-UHFFFAOYSA-N 6,7,15,16,24,25,33,34-octamethyl-2,11,20,29,37,38,39,40-octazanonacyclo[28.6.1.13,10.112,19.121,28.04,9.013,18.022,27.031,36]tetraconta-1,3,5,7,9,11,13(18),14,16,19,21(38),22(27),23,25,28,30(37),31(36),32,34-nonadecaene Chemical compound N1=C(N=C2[C]3C=C(C)C(C)=CC3=C(N=C3C4=CC(C)=C(C)C=C4C(=N4)N3)N2)[C](C=C(C(C)=C2)C)C2=C1N=C1C2=CC(C)=C(C)C=C2C4=N1 WPYMZALMVVFPJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M Bromide Chemical compound [Br-] CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical group [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical group C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical group [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JJLKTTCRRLHVGL-UHFFFAOYSA-L [acetyloxy(dibutyl)stannyl] acetate Chemical compound CC([O-])=O.CC([O-])=O.CCCC[Sn+2]CCCC JJLKTTCRRLHVGL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000011149 active material Substances 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002877 alkyl aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical class 0.000 description 1
- 150000001491 aromatic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004104 aryloxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005605 benzo group Chemical group 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 125000002529 biphenylenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3C12)* 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- BEQNOZDXPONEMR-UHFFFAOYSA-N cadmium;oxotin Chemical compound [Cd].[Sn]=O BEQNOZDXPONEMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011203 carbon fibre reinforced carbon Substances 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 239000013522 chelant Substances 0.000 description 1
- FBLZWWDWBRMCSE-UHFFFAOYSA-N chembl3273857 Chemical compound C1=CC=C2C(O)=CC=C(O)C2=N1 FBLZWWDWBRMCSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002993 cycloalkylene group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000582 cycloheptyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001511 cyclopentyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004986 diarylamino group Chemical group 0.000 description 1
- SMBQBQBNOXIFSF-UHFFFAOYSA-N dilithium Chemical compound [Li][Li] SMBQBQBNOXIFSF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQQKMOJOCZFMSV-UHFFFAOYSA-N dilithium phthalocyanine Chemical compound [Li+].[Li+].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 HQQKMOJOCZFMSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005647 linker group Chemical group 0.000 description 1
- LBAIJNRSTQHDMR-UHFFFAOYSA-N magnesium phthalocyanine Chemical compound [Mg].C12=CC=CC=C2C(N=C2NC(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2N1 LBAIJNRSTQHDMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012533 medium component Substances 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- TXDKXSVLBIJODL-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-anthracen-9-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylanthracen-9-amine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=C2C=CC=CC2=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=C3C=CC=CC3=2)C=C1 TXDKXSVLBIJODL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLFVVZKSHYCRDR-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-2-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-2-amine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C=C2C=CC=CC2=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C3C=CC=CC3=CC=2)C=C1 BLFVVZKSHYCRDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LUBWJINDFCNHLI-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-perylen-2-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylperylen-2-amine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C=C2C=3C=CC=C4C=CC=C(C=34)C=3C=CC=C(C2=3)C=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C3C=4C=CC=C5C=CC=C(C=45)C=4C=CC=C(C3=4)C=2)C=C1 LUBWJINDFCNHLI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TUPXWIUQIGEYST-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-phenanthren-2-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylphenanthren-2-amine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C=C2C(C3=CC=CC=C3C=C2)=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C3C(C4=CC=CC=C4C=C3)=CC=2)C=C1 TUPXWIUQIGEYST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GNLSNQQRNOQFBK-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-[4-(dinaphthalen-2-ylamino)phenyl]phenyl]phenyl]-n-naphthalen-2-ylnaphthalen-2-amine Chemical group C1=CC=CC2=CC(N(C=3C=CC(=CC=3)C=3C=CC(=CC=3)C=3C=CC(=CC=3)N(C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C3=CC4=CC=CC=C4C=C3)=CC=C21 GNLSNQQRNOQFBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCILFNGBMCSVTF-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-[4-(n-anthracen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]phenyl]-n-phenylanthracen-1-amine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC3=CC=CC=C3C=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=CC=2)C=C1 QCILFNGBMCSVTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NBHXGUASDDSHGV-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 NBHXGUASDDSHGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBMXAWJSNIAHFR-UHFFFAOYSA-N n-naphthalen-2-ylnaphthalen-2-amine Chemical compound C1=CC=CC2=CC(NC=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)=CC=C21 SBMXAWJSNIAHFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FWRJQLUJZULBFM-UHFFFAOYSA-N n-phenyl-n-[4-[4-(n-tetracen-2-ylanilino)phenyl]phenyl]tetracen-2-amine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C=C2C=C3C=C4C=CC=CC4=CC3=CC2=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C3C=C4C=C5C=CC=CC5=CC4=CC3=CC=2)C=C1 FWRJQLUJZULBFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 125000006413 ring segment Chemical group 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JACPFCQFVIAGDN-UHFFFAOYSA-M sipc iv Chemical compound [OH-].[Si+4].CN(C)CCC[Si](C)(C)[O-].C=1C=CC=C(C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=N3)C=1C3=CC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 JACPFCQFVIAGDN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Chemical group 0.000 description 1
- 230000005469 synchrotron radiation Effects 0.000 description 1
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 description 1
- 125000003698 tetramethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000007736 thin film deposition technique Methods 0.000 description 1
- RPVGLMKJGQMQSN-UHFFFAOYSA-N tiliquinol Chemical compound C1=CC=C2C(C)=CC=C(O)C2=N1 RPVGLMKJGQMQSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/30—Doping active layers, e.g. electron transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
- H10K50/171—Electron injection layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/311—Phthalocyanine
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 有機発光構造体または有機EL媒体の作製に
当り、高エネルギー蒸着を用いる際の損傷を排除するこ
と、およびその有効な陰極の形成に当り、高仕事関数の
金属または金属酸化物の使用を可能にすること。 【解決手段】 基体702;基体上に配置した陽極70
4;陽極上に配置した有機発光構造体720;有機発光
構造体上に配置され、陰極の高エネルギー蒸着を可能に
するように選択される材料からなる陰極緩衝層730;
陰極緩衝層上に配置した陰極710;および有機発光構
造体と陰極緩衝層との間に電子注入材料を配備した界面
層750、を含む有機発光装置。
当り、高エネルギー蒸着を用いる際の損傷を排除するこ
と、およびその有効な陰極の形成に当り、高仕事関数の
金属または金属酸化物の使用を可能にすること。 【解決手段】 基体702;基体上に配置した陽極70
4;陽極上に配置した有機発光構造体720;有機発光
構造体上に配置され、陰極の高エネルギー蒸着を可能に
するように選択される材料からなる陰極緩衝層730;
陰極緩衝層上に配置した陰極710;および有機発光構
造体と陰極緩衝層との間に電子注入材料を配備した界面
層750、を含む有機発光装置。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機発光装置に関
する。より詳細には、本発明は、発光構造体と有機陰極
緩衝層との間に界面を与える電子注入層を有する。
する。より詳細には、本発明は、発光構造体と有機陰極
緩衝層との間に界面を与える電子注入層を有する。
【0002】
【従来の技術】有機発光装置、これはまた、有機エレク
トロルミネッセンス(EL)装置または有機内部接合発
光装置とも呼ばれるが、これは、電極間の電位差の印加
に応答して、電磁放射線、典型的には光を放射する有機
発光構造体(これはまた、有機EL媒体とも呼ばれる)
により間隔を離して設置された電極を含む。有機発光構
造体は、単に効率的に光を発生するだけでなく、連続形
態で(つまり、ピンホールや粒子欠陥が無い状態で)製
作できなければならず、更に、製作を容易にし、かつ動
作を支えるように十分安定でなければならない。
トロルミネッセンス(EL)装置または有機内部接合発
光装置とも呼ばれるが、これは、電極間の電位差の印加
に応答して、電磁放射線、典型的には光を放射する有機
発光構造体(これはまた、有機EL媒体とも呼ばれる)
により間隔を離して設置された電極を含む。有機発光構
造体は、単に効率的に光を発生するだけでなく、連続形
態で(つまり、ピンホールや粒子欠陥が無い状態で)製
作できなければならず、更に、製作を容易にし、かつ動
作を支えるように十分安定でなければならない。
【0003】最初、有機EL装置は、Mehl等の米国特許
第3,530,325号および同第3,621,321
号明細書に説明されているように、有機材料の単結晶を
用いて製作された。単一の有機結晶EL装置は、比較的
製作が困難であり、また、容易にこれを薄膜構造にでき
なかった。
第3,530,325号および同第3,621,321
号明細書に説明されているように、有機材料の単結晶を
用いて製作された。単一の有機結晶EL装置は、比較的
製作が困難であり、また、容易にこれを薄膜構造にでき
なかった。
【0004】最近では、好ましい有機EL装置は、薄膜
形成技術を使用して作製されてきた。装置の支持体とし
て陽極を用いて、有機エレクトロルミネッセンス媒体が
薄膜またはその組合せとして付着され、次いで陰極も薄
膜付着物として付着、形成されてきた。よって、陽極構
造体で出発して、薄膜付着技術によって有機EL装置の
完全能動構造体を形成することが可能である。本明細書
中で用いられるとき、用語“薄膜”とは、5μmより薄
い層厚、典型的には約2μm未満の層厚のことを言う。
有機エレクトロルミネッセンス媒体および薄膜形成技術
によって形成された陰極構造体を含む有機EL装置の例
は、Tangの米国特許第4,356,429号明細書、Va
n Slyke 等の米国特許第4,539,507号明細書、
およびTang等の米国特許第4,769,292号明細書
によって提供される。
形成技術を使用して作製されてきた。装置の支持体とし
て陽極を用いて、有機エレクトロルミネッセンス媒体が
薄膜またはその組合せとして付着され、次いで陰極も薄
膜付着物として付着、形成されてきた。よって、陽極構
造体で出発して、薄膜付着技術によって有機EL装置の
完全能動構造体を形成することが可能である。本明細書
中で用いられるとき、用語“薄膜”とは、5μmより薄
い層厚、典型的には約2μm未満の層厚のことを言う。
有機エレクトロルミネッセンス媒体および薄膜形成技術
によって形成された陰極構造体を含む有機EL装置の例
は、Tangの米国特許第4,356,429号明細書、Va
n Slyke 等の米国特許第4,539,507号明細書、
およびTang等の米国特許第4,769,292号明細書
によって提供される。
【0005】内部接合型有機EL装置のための全く受入
れ可能の安定な陽極を作製することにおいてはその薄膜
形成技術は、ほとんど困難に遭合することがなかったに
も拘らず、陰極構造体は、更に発展すべき究明事項であ
った。陰極金属の選定に当っては、最高の電子注入効率
を有する金属と最高レベルの安定度を有する金属との間
にバランスが採られねばならない。最高の電子注入効率
は、アルカリ金属で得られるが、これは簡便な使用のた
めには不安定であり過ぎ、一方、最高の安定度を有する
金属では、制限された電子注入効率しか示さないが、実
際上は、これの方が陽極構造体の場合には好適である。
れ可能の安定な陽極を作製することにおいてはその薄膜
形成技術は、ほとんど困難に遭合することがなかったに
も拘らず、陰極構造体は、更に発展すべき究明事項であ
った。陰極金属の選定に当っては、最高の電子注入効率
を有する金属と最高レベルの安定度を有する金属との間
にバランスが採られねばならない。最高の電子注入効率
は、アルカリ金属で得られるが、これは簡便な使用のた
めには不安定であり過ぎ、一方、最高の安定度を有する
金属では、制限された電子注入効率しか示さないが、実
際上は、これの方が陽極構造体の場合には好適である。
【0006】Tangの米国特許第4,356,429によ
れば、イリジウム、銀、錫、およびアルミニウムのよう
な金属から有機EL装置の陰極を形成することが教示さ
れている。Van Slyke 等の米国特許第4,539,50
7号明細書によれば、銀、錫、鉛、マグネシウム、マン
ガンおよびアルミニウムのような金属から有機EL装置
の陰極を形成することが教示されている。Tang等の米国
特許第4,885,211号明細書によれば、少なくと
も50%(原子基準)の陰極が4.0eV未満の仕事関数
を有する金属によって占められている金属の組合せから
なる有機EL装置の陰極を形成することが教示されてい
る。Van Slyke の米国特許第5,047,607号明細
書によれば、少なくともそのうちの一つがアルカリ金属
よりも低い仕事関数である複数の金属を含有する陰極を
使用することを教示している。陰極を覆うものは、少な
くとも1種の有機EL媒体の成分と少なくとも1種の
4.0〜4.5eVの範囲の仕事関数を有する金属との混
合物からなる保護層であって、周囲の大気の存在下で酸
化され易い。
れば、イリジウム、銀、錫、およびアルミニウムのよう
な金属から有機EL装置の陰極を形成することが教示さ
れている。Van Slyke 等の米国特許第4,539,50
7号明細書によれば、銀、錫、鉛、マグネシウム、マン
ガンおよびアルミニウムのような金属から有機EL装置
の陰極を形成することが教示されている。Tang等の米国
特許第4,885,211号明細書によれば、少なくと
も50%(原子基準)の陰極が4.0eV未満の仕事関数
を有する金属によって占められている金属の組合せから
なる有機EL装置の陰極を形成することが教示されてい
る。Van Slyke の米国特許第5,047,607号明細
書によれば、少なくともそのうちの一つがアルカリ金属
よりも低い仕事関数である複数の金属を含有する陰極を
使用することを教示している。陰極を覆うものは、少な
くとも1種の有機EL媒体の成分と少なくとも1種の
4.0〜4.5eVの範囲の仕事関数を有する金属との混
合物からなる保護層であって、周囲の大気の存在下で酸
化され易い。
【0007】慣用の蒸着によって、即ち高エネルギース
パッター蒸着または電子ビーム蒸着によって、低仕事関
数(<4.0eV)の電子注入金属と高仕事関数(>4.
0eV)のより安定な金属との組合せから、有機EL媒体
上に陰極を形成することが考えられたが、高エネルギー
の蒸着は、陰極を形成するための実際のアプローチがあ
るまでそれ程発展してはいなかった。陰極のスパッター
蒸着または電子ビーム蒸着時での有機EL媒体の電子衝
撃または電子ビーム衝撃により、EL媒体に損傷をもた
らすことが観察されていた。その損傷は、慣用の熱蒸着
によって形成される陰極を有する装置のエレクトロルミ
ネッセンス性能と比較されるときに、実際的に低下した
エレクトロルミネッセンス性能によって明白に示され
る。
パッター蒸着または電子ビーム蒸着によって、低仕事関
数(<4.0eV)の電子注入金属と高仕事関数(>4.
0eV)のより安定な金属との組合せから、有機EL媒体
上に陰極を形成することが考えられたが、高エネルギー
の蒸着は、陰極を形成するための実際のアプローチがあ
るまでそれ程発展してはいなかった。陰極のスパッター
蒸着または電子ビーム蒸着時での有機EL媒体の電子衝
撃または電子ビーム衝撃により、EL媒体に損傷をもた
らすことが観察されていた。その損傷は、慣用の熱蒸着
によって形成される陰極を有する装置のエレクトロルミ
ネッセンス性能と比較されるときに、実際的に低下した
エレクトロルミネッセンス性能によって明白に示され
る。
【0008】スパッター蒸着または電子ビーム蒸着によ
り有機発光構造体上に形成された陰極は、改善される付
着力およびステップカバレージについての潜在的利点を
提供するが、かかる利点は、高エネルギー蒸着に関係す
る損傷の影響のために、実現されていない。
り有機発光構造体上に形成された陰極は、改善される付
着力およびステップカバレージについての潜在的利点を
提供するが、かかる利点は、高エネルギー蒸着に関係す
る損傷の影響のために、実現されていない。
【0009】同様に、高仕事関数の金属から作られる陰
極は、熱力学的に安定であるが、かかる利点は、その限
定された電子注入効率のため実現されなかった。
極は、熱力学的に安定であるが、かかる利点は、その限
定された電子注入効率のため実現されなかった。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、単数
陰極または複数陰極の高エネルギー蒸着中に、有機発光
構造体または有機EL媒体に持ち込まれる損傷を最小限
にするか、排除すること、および有効な陰極を形成する
ため高仕事関数をもつ金属または金属酸化物を使用する
ことである。
陰極または複数陰極の高エネルギー蒸着中に、有機発光
構造体または有機EL媒体に持ち込まれる損傷を最小限
にするか、排除すること、および有効な陰極を形成する
ため高仕事関数をもつ金属または金属酸化物を使用する
ことである。
【0011】本発明の他の目的は、緩衝層上の陰極の高
エネルギー蒸着時までの有機発光構造体の損傷に対する
保護層としての有機陰極緩衝層を提供すること、および
装置の性能を改善するために、陰極緩衝層下に電子注入
層を提供することである。
エネルギー蒸着時までの有機発光構造体の損傷に対する
保護層としての有機陰極緩衝層を提供すること、および
装置の性能を改善するために、陰極緩衝層下に電子注入
層を提供することである。
【0012】本発明の更なる目的は、陽極上に形成され
た有機発光構造体、有機発光構造体上に形成された電子
注入層、電子注入層上に配置された有機陰極緩衝層、お
よび有機陰極緩衝層上に配置された陰極を有する有機発
光装置を提供することである。
た有機発光構造体、有機発光構造体上に形成された電子
注入層、電子注入層上に配置された有機陰極緩衝層、お
よび有機陰極緩衝層上に配置された陰極を有する有機発
光装置を提供することである。
【0013】
【課題を解決するための手段】これらの目的は、 a)基体、 b)基体上に配置された陽極、 c)陽極上に配置された有機発光構造体、 d)有機発光構造体の上に配置され、かつ陰極の高エネ
ルギー蒸着を許容するように選択された材料からなる陰
極緩衝層、 e)陰極緩衝層上に配置された陰極、および f)有機発光構造体と陰極緩衝層との間に電子注入材料
が配備された界面層を含む、有機発光装置で達成され
る。
ルギー蒸着を許容するように選択された材料からなる陰
極緩衝層、 e)陰極緩衝層上に配置された陰極、および f)有機発光構造体と陰極緩衝層との間に電子注入材料
が配備された界面層を含む、有機発光装置で達成され
る。
【0014】
【発明の実施の形態】本発明の有機発光装置を記載する
前に、先行技術の2種の構成の有機発光装置について述
べよう。
前に、先行技術の2種の構成の有機発光装置について述
べよう。
【0015】図1において、有機発光装置100は、そ
の上に光透過性陽極104が配置されている光透過性基
体102を有する。有機発光構造体120は、陽極10
4と陰極110との間に形成される。有機発光構造体1
20は、順に、有機正孔輸送層122、有機発光層12
4、および有機電子輸送層126からなっている。電位
差(示していない)が、陽極104と陰極110間に、
陽極104が陰極110に対してより正の電位にあるよ
うに印加されるとき、陰極110は、界面128で電子
輸送層126中に電子を注入し、そしてその電子が電子
輸送層126および発光層124(これは、また電子を
輸送できる)を移動する。同時に、正孔が、陽極104
から正孔輸送層122に注入されて、正孔が正孔輸送層
122を横切って移行し、そして正孔輸送層122と発
光層124との間に形成される接合部123で、あるい
はその近くで電子と再結合する。このようにして、有機
発光装置100は、陽極104が陰極110よりも正電
位にあるときは、順方向バイアス条件のダイオードを表
わす内部接合型発光装置として考察される。これらの条
件下で、正孔(正電荷のキャリヤー)の注入が陽極10
4から正孔輸送層122中に起り、一方、電子は、陰極
110から電子輸送層126中に注入される。その注入
された正孔と電子は、互いに反対に荷電した電極に向っ
て移行して再結合し、正孔−電子再結合が接合部123
で起る。移行する電子がその伝導帯電位から価電子帯へ
と正孔を満たして落下すると、図1の装置100に描か
れているように、エネルギーが光として解放され、観察
者によって見えるように、光透過性陽極104および基
体102を通して光180として発光する。陰極110
のクロスハッチングは、その陰極110が光学的に不透
明であることを示す。
の上に光透過性陽極104が配置されている光透過性基
体102を有する。有機発光構造体120は、陽極10
4と陰極110との間に形成される。有機発光構造体1
20は、順に、有機正孔輸送層122、有機発光層12
4、および有機電子輸送層126からなっている。電位
差(示していない)が、陽極104と陰極110間に、
陽極104が陰極110に対してより正の電位にあるよ
うに印加されるとき、陰極110は、界面128で電子
輸送層126中に電子を注入し、そしてその電子が電子
輸送層126および発光層124(これは、また電子を
輸送できる)を移動する。同時に、正孔が、陽極104
から正孔輸送層122に注入されて、正孔が正孔輸送層
122を横切って移行し、そして正孔輸送層122と発
光層124との間に形成される接合部123で、あるい
はその近くで電子と再結合する。このようにして、有機
発光装置100は、陽極104が陰極110よりも正電
位にあるときは、順方向バイアス条件のダイオードを表
わす内部接合型発光装置として考察される。これらの条
件下で、正孔(正電荷のキャリヤー)の注入が陽極10
4から正孔輸送層122中に起り、一方、電子は、陰極
110から電子輸送層126中に注入される。その注入
された正孔と電子は、互いに反対に荷電した電極に向っ
て移行して再結合し、正孔−電子再結合が接合部123
で起る。移行する電子がその伝導帯電位から価電子帯へ
と正孔を満たして落下すると、図1の装置100に描か
れているように、エネルギーが光として解放され、観察
者によって見えるように、光透過性陽極104および基
体102を通して光180として発光する。陰極110
のクロスハッチングは、その陰極110が光学的に不透
明であることを示す。
【0016】図2について説明すると、先行技術の有機
発光装置200は、陰極210が光透過性で、一方、導
電性で光学的に不透明な基体202が、また陽極電極と
して働くという点で、図1の装置100と区別される。
有機発光構造体220およびその有機層222,22
4、および226、並びに結合部223および界面22
8は、図1のそれぞれの要素に相当する。発光した光2
80は、接合部223の個所またはその近くで有機発光
層224中のその出所から陰極210を通って、外部の
観察者に透過される。
発光装置200は、陰極210が光透過性で、一方、導
電性で光学的に不透明な基体202が、また陽極電極と
して働くという点で、図1の装置100と区別される。
有機発光構造体220およびその有機層222,22
4、および226、並びに結合部223および界面22
8は、図1のそれぞれの要素に相当する。発光した光2
80は、接合部223の個所またはその近くで有機発光
層224中のその出所から陰極210を通って、外部の
観察者に透過される。
【0017】再度、図1の先行技術の装置に戻ると、光
透過性の基体102は、ガラス、石英またはプラスチッ
ク材料から作られてよい。陽極104は、好ましくは、
光透過性で導電性の金属酸化物、例えば、酸化インジウ
ム、酸化チタン、または最適には、酸化インジウム錫
(ITO)の一つあるいはこれらの組合せから作られ
る。本明細書中で用いられるが、用語「光透過性」と
は、議論中の層または要素が、少なくともそれが受光す
る一波長で、かつ好ましくは100mmの間隔にわたって
受光する光の50%を超える光を透過することを意味す
る。有効な正孔注入電極として機能するために、陽極1
04は、4.0eVを超える仕事関数を有していなければ
ならない。ITOは約4.7eVの仕事関数を有する。
透過性の基体102は、ガラス、石英またはプラスチッ
ク材料から作られてよい。陽極104は、好ましくは、
光透過性で導電性の金属酸化物、例えば、酸化インジウ
ム、酸化チタン、または最適には、酸化インジウム錫
(ITO)の一つあるいはこれらの組合せから作られ
る。本明細書中で用いられるが、用語「光透過性」と
は、議論中の層または要素が、少なくともそれが受光す
る一波長で、かつ好ましくは100mmの間隔にわたって
受光する光の50%を超える光を透過することを意味す
る。有効な正孔注入電極として機能するために、陽極1
04は、4.0eVを超える仕事関数を有していなければ
ならない。ITOは約4.7eVの仕事関数を有する。
【0018】有機発光構造体120は、好ましくは、順
次、正孔輸送層122、発光層124および電子輸送層
126の蒸着によって構成される。Van Slyke 等の米国
特許第4,539,507号明細書(こゝで引用したこ
とにより本明細書中に含める)の教示によれば、正孔輸
送層122は、好ましくは少なくとも一つの芳香族第三
級アミンを含む。
次、正孔輸送層122、発光層124および電子輸送層
126の蒸着によって構成される。Van Slyke 等の米国
特許第4,539,507号明細書(こゝで引用したこ
とにより本明細書中に含める)の教示によれば、正孔輸
送層122は、好ましくは少なくとも一つの芳香族第三
級アミンを含む。
【0019】選択される芳香族第三級アミンの好ましい
種類は、少なくとも2個の芳香族第三級アミン部分を含
むものである。このような化合物には、構造式(I):
種類は、少なくとも2個の芳香族第三級アミン部分を含
むものである。このような化合物には、構造式(I):
【化1】 により示されるものが含まれる。式中、Q1 およびQ2
は、独立して、芳香族第三級アミン部分であり、そして
Gは、結合基、例えば、アリーレン、シクロアルキレ
ン、またはアルキレン基であるか、あるいは炭素−炭素
結合であり、Q1 およびQ2 およびGの少なくとも一つ
には、前述したような、縮合芳香族環の部分を含む。特
に好ましい形態では、Q1 およびQ2 のそれぞれには、
縮合芳香族環の部分、最も好ましくは、アミンの窒素原
子に結合した縮合ナフチルの部分が含まれる。Gがアリ
ーレン部分であるときは、それは好ましくは、フェニレ
ン、ビフェニレン、またはナフチレンの部分である。
は、独立して、芳香族第三級アミン部分であり、そして
Gは、結合基、例えば、アリーレン、シクロアルキレ
ン、またはアルキレン基であるか、あるいは炭素−炭素
結合であり、Q1 およびQ2 およびGの少なくとも一つ
には、前述したような、縮合芳香族環の部分を含む。特
に好ましい形態では、Q1 およびQ2 のそれぞれには、
縮合芳香族環の部分、最も好ましくは、アミンの窒素原
子に結合した縮合ナフチルの部分が含まれる。Gがアリ
ーレン部分であるときは、それは好ましくは、フェニレ
ン、ビフェニレン、またはナフチレンの部分である。
【0020】構造式(I)を満足し、かつ二個のトリア
リールアミン部分を含む、特に好ましい種類のトリアリ
ール−アミンは、次の構造式(II)を含むものである。
リールアミン部分を含む、特に好ましい種類のトリアリ
ール−アミンは、次の構造式(II)を含むものである。
【化2】 式中、R1 およびR2 は、それぞれ独立して、水素原
子、アリール基を表わすか、あるいは、アルキル基また
はR1 とR2 とが一緒になってシクロアルキル基を完結
する原子を表わし、そして、R3 およびR4 は、それぞ
れ独立して、構造式(III ):
子、アリール基を表わすか、あるいは、アルキル基また
はR1 とR2 とが一緒になってシクロアルキル基を完結
する原子を表わし、そして、R3 およびR4 は、それぞ
れ独立して、構造式(III ):
【化3】 (式中、R5 およびR6 は、独立して、アリール基から
選ばれるものであり、式(III )のアミン窒素原子に結
合するアリール基の少なくとも一つが、前述したような
縮合芳香族環部分である。特に、好ましい形態では、R
5 およびR6 の少なくとも一つが、縮合芳香族環部分、
最適にはナフチル部分である。)で示されるような、ジ
アリール置換アミノ基で順次置換されているアリール基
を表わす。
選ばれるものであり、式(III )のアミン窒素原子に結
合するアリール基の少なくとも一つが、前述したような
縮合芳香族環部分である。特に、好ましい形態では、R
5 およびR6 の少なくとも一つが、縮合芳香族環部分、
最適にはナフチル部分である。)で示されるような、ジ
アリール置換アミノ基で順次置換されているアリール基
を表わす。
【0021】選択される芳香族第三級アミンのその他の
好ましい種類は、テトラアリールジアミンである。好ま
しいテトラアリールジアミンには、アリーレン基を介し
て結合される式(III )で示されるような、二個のジア
リールアミノ基が含まれる。好ましいテトラアリールジ
アミンには、次の式(IV)で示されるものが含まれる。
好ましい種類は、テトラアリールジアミンである。好ま
しいテトラアリールジアミンには、アリーレン基を介し
て結合される式(III )で示されるような、二個のジア
リールアミノ基が含まれる。好ましいテトラアリールジ
アミンには、次の式(IV)で示されるものが含まれる。
【化4】 式中、Ar,Ar1 ,Ar2 およびAr3 は、独立し
て、フェニル、ビフェニルおよびナフチル部分から選ば
れ、Lは、二価のナフチレン部分またはdn であり、d
は、フェニレン部分であり、nは、1〜4からの整数で
あり、そして少なくとも一つのAr,Ar1 ,Ar2 お
よびAr3 は、Lがdn であるとき、ナフチル部分であ
る。
て、フェニル、ビフェニルおよびナフチル部分から選ば
れ、Lは、二価のナフチレン部分またはdn であり、d
は、フェニレン部分であり、nは、1〜4からの整数で
あり、そして少なくとも一つのAr,Ar1 ,Ar2 お
よびAr3 は、Lがdn であるとき、ナフチル部分であ
る。
【0022】前記構造式(I),(II),(III )およ
び(IV)の種々のアルキル、アルキレン、アリール、お
よびアリーレン部分は、それぞれ順に置換されてよい。
典型的な置換基には、アルキル基、アルコキシ基、アリ
ール基、アリールオキシ基、および弗化物、塩化物およ
び臭化物のようなハロゲンが含まれる。種々のアルキル
およびアルキレン部分には、典型的に1〜6個の炭素原
子が含まれる。シクロアルキル部分には、3〜約10個
の炭素原子が含まれてよいが、典型的には、5,6また
は7個の環炭素原子、例えば、シクロペンチル、シクロ
ヘキシルおよびシクロヘプチル環構造が含まれる。アリ
ールおよびアリーレン部分が縮合芳香族環部分でないと
きは、それらは、フェニルおよびフェニレン部分である
ことが好ましい。
び(IV)の種々のアルキル、アルキレン、アリール、お
よびアリーレン部分は、それぞれ順に置換されてよい。
典型的な置換基には、アルキル基、アルコキシ基、アリ
ール基、アリールオキシ基、および弗化物、塩化物およ
び臭化物のようなハロゲンが含まれる。種々のアルキル
およびアルキレン部分には、典型的に1〜6個の炭素原
子が含まれる。シクロアルキル部分には、3〜約10個
の炭素原子が含まれてよいが、典型的には、5,6また
は7個の環炭素原子、例えば、シクロペンチル、シクロ
ヘキシルおよびシクロヘプチル環構造が含まれる。アリ
ールおよびアリーレン部分が縮合芳香族環部分でないと
きは、それらは、フェニルおよびフェニレン部分である
ことが好ましい。
【0023】有機発光構造体120(220)の全体の
正孔輸送層は、上記の種類から選ばれる単一の芳香族第
三級アミンから形成されてもよいが、その選定された芳
香族アミンの組合わせを使用する方が利点をもたらすこ
とが認められ、また、前述したタイプの選定された芳香
族第三級アミンとVan Slyke 等の米国特許第4,72
0,432号明細書により開示されるタイプの芳香族ア
ミン、即ち、縮合芳香族環部分を有しない芳香族第三級
アミンとの組合せを用いることができることも認められ
る。特に述べた相違はともかく、Van Slyke 等の米国特
許第4,720,432号明細書(こゝで引用したこと
により、これを本明細書中に含める)の教示は、一般
に、本発明の内部結合型有機EL装置により適用され
る。
正孔輸送層は、上記の種類から選ばれる単一の芳香族第
三級アミンから形成されてもよいが、その選定された芳
香族アミンの組合わせを使用する方が利点をもたらすこ
とが認められ、また、前述したタイプの選定された芳香
族第三級アミンとVan Slyke 等の米国特許第4,72
0,432号明細書により開示されるタイプの芳香族ア
ミン、即ち、縮合芳香族環部分を有しない芳香族第三級
アミンとの組合せを用いることができることも認められ
る。特に述べた相違はともかく、Van Slyke 等の米国特
許第4,720,432号明細書(こゝで引用したこと
により、これを本明細書中に含める)の教示は、一般
に、本発明の内部結合型有機EL装置により適用され
る。
【0024】有用な選定される(縮合芳香族環含有)芳
香族第三級アミンの実証例は、以下のものである。 ATA−1 4,4′−ビス〔N−(1−ナフチル)
−N−フェニルアミノ〕ビフェニル ATA−2 4,4″−ビス〔N−(1−ナフチル)
−N−フェニルアミノ〕−p−ターフェニル ATA−3 4,4′−ビス〔N−(2−ナフチル)
−N−フェニルアミノ〕ビフェニル ATA−4 4,4′−ビス〔N−(3−アセトナフ
チル)−N−フェニルアミノ〕ビフェニル ATA−5 1,5−ビス〔N−(1−ナフチル)−
N−フェニルアミノ〕ナフタレン ATA−6 4,4′−ビス〔N−(9−アントリ
ル)−N−フェニルアミノ〕ビフェニル ATA−7 4,4″−ビス〔N−(1−アントリ
ル)−N−フェニルアミノ〕−p−ターフェニル ATA−8 4,4′−ビス〔N−(2−フェナント
リル)−N−フェニル−アミノ〕ビフェニル ATA−9 4,4′−ビス〔N−(8−フルオラン
テニル)−N−フェニル−アミノ〕ビフェニル ATA−10 4,4′−ビス〔N−(2−ピレニル)
−N−フェニルアミノ〕ビフェニル ATA−11 4,4′−ビス〔N−(2−ナフタセニ
ル)−N−フェニルアミノ〕ビフェニル ATA−12 4,4′−ビス〔N−(2−ペリレニ
ル)−N−フェニルアミノ〕ビフェニル ATA−13 4,4′−ビス〔N−(1−コロネニ
ル)−N−フェニルアミノ〕ビフェニル ATA−14 2,6−ビス(ジ−p−トリルアミノ)
ナフタレン ATA−15 2,6−ビス〔ジ−(1−ナフチル)ア
ミノ〕ナフタレン ATA−16 2,6−ビス〔N−(1−ナフチル)−
N−(2−ナフチル)−アミノ〕ナフタレン ATA−17 N,N,N′,N′−テトラ(2−ナフ
チル)−4,4″−ジ−アミノ−p−ターフェニル ATA−18 4,4′−ビス{N−フェニル−N−
〔4−(1−ナフチル)−フェニル〕アミノ}ビフェニ
ル ATA−19 4,4′−ビス〔N−フェニル−N−
(2−ピレニル)アミノ〕ビフェニル ATA−20 2,6−ビス〔N,N−ジ(2−ナフチ
ル)アミン〕フルオレン ATA−21 1,5−ビス〔N−(1−ナフチル)−
N−フェニルアミノ〕ナフタレン
香族第三級アミンの実証例は、以下のものである。 ATA−1 4,4′−ビス〔N−(1−ナフチル)
−N−フェニルアミノ〕ビフェニル ATA−2 4,4″−ビス〔N−(1−ナフチル)
−N−フェニルアミノ〕−p−ターフェニル ATA−3 4,4′−ビス〔N−(2−ナフチル)
−N−フェニルアミノ〕ビフェニル ATA−4 4,4′−ビス〔N−(3−アセトナフ
チル)−N−フェニルアミノ〕ビフェニル ATA−5 1,5−ビス〔N−(1−ナフチル)−
N−フェニルアミノ〕ナフタレン ATA−6 4,4′−ビス〔N−(9−アントリ
ル)−N−フェニルアミノ〕ビフェニル ATA−7 4,4″−ビス〔N−(1−アントリ
ル)−N−フェニルアミノ〕−p−ターフェニル ATA−8 4,4′−ビス〔N−(2−フェナント
リル)−N−フェニル−アミノ〕ビフェニル ATA−9 4,4′−ビス〔N−(8−フルオラン
テニル)−N−フェニル−アミノ〕ビフェニル ATA−10 4,4′−ビス〔N−(2−ピレニル)
−N−フェニルアミノ〕ビフェニル ATA−11 4,4′−ビス〔N−(2−ナフタセニ
ル)−N−フェニルアミノ〕ビフェニル ATA−12 4,4′−ビス〔N−(2−ペリレニ
ル)−N−フェニルアミノ〕ビフェニル ATA−13 4,4′−ビス〔N−(1−コロネニ
ル)−N−フェニルアミノ〕ビフェニル ATA−14 2,6−ビス(ジ−p−トリルアミノ)
ナフタレン ATA−15 2,6−ビス〔ジ−(1−ナフチル)ア
ミノ〕ナフタレン ATA−16 2,6−ビス〔N−(1−ナフチル)−
N−(2−ナフチル)−アミノ〕ナフタレン ATA−17 N,N,N′,N′−テトラ(2−ナフ
チル)−4,4″−ジ−アミノ−p−ターフェニル ATA−18 4,4′−ビス{N−フェニル−N−
〔4−(1−ナフチル)−フェニル〕アミノ}ビフェニ
ル ATA−19 4,4′−ビス〔N−フェニル−N−
(2−ピレニル)アミノ〕ビフェニル ATA−20 2,6−ビス〔N,N−ジ(2−ナフチ
ル)アミン〕フルオレン ATA−21 1,5−ビス〔N−(1−ナフチル)−
N−フェニルアミノ〕ナフタレン
【0025】有機発光層124と有機電子輸送層126
の両者は、電子輸送特性を有し、かつ薄膜形成ができる
有機材料の蒸着によって構成される。よって、その発光
層124と電子輸送層126の両者は、有機電子輸送物
質の単独、またはこれと、後で詳細に記載される正孔−
電子の再結合に応答して発光することができる色素を更
に含む発光層との組合せから構成されてもよい。
の両者は、電子輸送特性を有し、かつ薄膜形成ができる
有機材料の蒸着によって構成される。よって、その発光
層124と電子輸送層126の両者は、有機電子輸送物
質の単独、またはこれと、後で詳細に記載される正孔−
電子の再結合に応答して発光することができる色素を更
に含む発光層との組合せから構成されてもよい。
【0026】有機発光装置100の電子輸送層と発光層
とを形成するのに使用される特に好ましい薄膜形成材料
は、オキシン自体(通常、8−キノリノールもしくは8
−ヒドロキシキノリンとも呼ばれる。)のキレートを含
む、金属キレート化オキシノイド化合物である。このよ
うな化合物は、高レベルの性能を示すと共に、容易に薄
膜の形態に作られる。意図しているオキシノイド化合物
の実証例は、以下の構造式(V)を満たすものである。
とを形成するのに使用される特に好ましい薄膜形成材料
は、オキシン自体(通常、8−キノリノールもしくは8
−ヒドロキシキノリンとも呼ばれる。)のキレートを含
む、金属キレート化オキシノイド化合物である。このよ
うな化合物は、高レベルの性能を示すと共に、容易に薄
膜の形態に作られる。意図しているオキシノイド化合物
の実証例は、以下の構造式(V)を満たすものである。
【化5】 式中、Meは、金属を表わし、nは、1〜3の整数であ
り、そして、Zは、独立して、それぞれの場合に、少な
くとも2個の縮合芳香族環を有する核を完結する原子を
表わす。
り、そして、Zは、独立して、それぞれの場合に、少な
くとも2個の縮合芳香族環を有する核を完結する原子を
表わす。
【0027】前記から明らかなことは、金属が一価、二
価もしくは三価の金属であってよいことである。例え
ば、その金属は、リチウム、ナトリウムもしくはカリウ
ムのようなアルカリ金属;マグネシウムもしくはカルシ
ウムのようなアルカリ土類金属;または硼素もしくはア
ルミニウムのような土類金属であってよい。一般には、
有用なキレート金属であることが知られる一価、二価も
しくは三価の金属が使用される。
価もしくは三価の金属であってよいことである。例え
ば、その金属は、リチウム、ナトリウムもしくはカリウ
ムのようなアルカリ金属;マグネシウムもしくはカルシ
ウムのようなアルカリ土類金属;または硼素もしくはア
ルミニウムのような土類金属であってよい。一般には、
有用なキレート金属であることが知られる一価、二価も
しくは三価の金属が使用される。
【0028】Zは、その一方にアゾール環もしくはアジ
ン環がある少なくとも2個の縮合芳香族環を含む複素環
核を完結する。脂肪族環および芳香族環の両者を含む付
加環は、必要な場合には、その2個の必須環と縮合して
いてもよい。性能の改良がない分子の嵩を付加すること
を避けるために、環原子の数は、好ましくは18個以下
に維持される。
ン環がある少なくとも2個の縮合芳香族環を含む複素環
核を完結する。脂肪族環および芳香族環の両者を含む付
加環は、必要な場合には、その2個の必須環と縮合して
いてもよい。性能の改良がない分子の嵩を付加すること
を避けるために、環原子の数は、好ましくは18個以下
に維持される。
【0029】有用なキレート化オキシノイド化合物の実
証例は、以下のものである。 CO−1 トリスオキシンアルミニウム〔別名は、ト
リス(8−キノリノール)アルミニウム〕 CO−2 ビスオキシンマグネシウム〔別名は、ビス
(8−キノリノール)マグネシウム〕 CO−3 ビス〔ベンゾ{f}−8−キノリノール〕
亜鉛 CO−4 トリス(5−メチルオキシン)アルミニウ
ム〔別名は、トリス(5−メチル−8−キノリノール)
アルミニウム〕 CO−5 トリスオキシンインジウム〔別名は、トリ
ス(8−キノリノール)インジウム〕 CO−6 オキシンリチウム〔別名は、8−キノリノ
ールリチウム〕 CO−7 トリス(5−クロロオキシン)ガリウム
〔別名は、トリス(5−クロロ−8−キノリノール)ガ
リウム〕 CO−8 ビス(5−クロロオキシン)カルシウム
〔別名は、ビス(5−クロロ−8−キノリノール)カル
シウム〕 CO−9 ポリ〔亜鉛(II)−ビス(8−ヒドロキシ
−5−キノリノール)メタン〕 CO−10 エピンドリジオンジリチウム。
証例は、以下のものである。 CO−1 トリスオキシンアルミニウム〔別名は、ト
リス(8−キノリノール)アルミニウム〕 CO−2 ビスオキシンマグネシウム〔別名は、ビス
(8−キノリノール)マグネシウム〕 CO−3 ビス〔ベンゾ{f}−8−キノリノール〕
亜鉛 CO−4 トリス(5−メチルオキシン)アルミニウ
ム〔別名は、トリス(5−メチル−8−キノリノール)
アルミニウム〕 CO−5 トリスオキシンインジウム〔別名は、トリ
ス(8−キノリノール)インジウム〕 CO−6 オキシンリチウム〔別名は、8−キノリノ
ールリチウム〕 CO−7 トリス(5−クロロオキシン)ガリウム
〔別名は、トリス(5−クロロ−8−キノリノール)ガ
リウム〕 CO−8 ビス(5−クロロオキシン)カルシウム
〔別名は、ビス(5−クロロ−8−キノリノール)カル
シウム〕 CO−9 ポリ〔亜鉛(II)−ビス(8−ヒドロキシ
−5−キノリノール)メタン〕 CO−10 エピンドリジオンジリチウム。
【0030】発光層124からの放射波長を変えるこ
と、そしてある場合には、有機発光装置の動作中の安定
度を、正孔−電子の再結合に応答して発光できる色素を
発光層124中に含めることによって増大させることが
可能である。本発明のために有用であるためには、その
色素は、それが分散しているホスト材料のそれよりも大
きくないバンドギャップを有し、ホスト材料のそれより
も少ない負の還元電位を有していなければならない。Ta
ng等の米国特許第4,769,292号明細書(この開
示は、こゝで言及したことにより本明細書中に含める)
には、電子輸送ホスト材料中に分散される種々の種類の
ものから選択された色素を含む、内部結合型有機EL装
置が記載されている。
と、そしてある場合には、有機発光装置の動作中の安定
度を、正孔−電子の再結合に応答して発光できる色素を
発光層124中に含めることによって増大させることが
可能である。本発明のために有用であるためには、その
色素は、それが分散しているホスト材料のそれよりも大
きくないバンドギャップを有し、ホスト材料のそれより
も少ない負の還元電位を有していなければならない。Ta
ng等の米国特許第4,769,292号明細書(この開
示は、こゝで言及したことにより本明細書中に含める)
には、電子輸送ホスト材料中に分散される種々の種類の
ものから選択された色素を含む、内部結合型有機EL装
置が記載されている。
【0031】有機発光構造体120(220)を形成す
る好ましい活性材料は、それぞれのフィルム形成材料で
あって、真空蒸着が可能である。非常に薄くて欠陥の無
い連続層は、真空蒸着によって形成することができる。
特に、50オングストロームと同程度に薄い各層の厚さ
であれば、満足できるEL装置の性能を実現して、存在
しうる。真空蒸着したフィルム形成性芳香族第三級アミ
ンを正孔輸送層(これは、順次、トリアリールアミン層
およびテトラアリールアミン層から成ってもよい)とし
て、そしてキレート化オキシノイド化合物を電子輸送層
126および発光層124として使用すると、それぞれ
の層厚は、約50〜5000オングストロームの範囲に
あることが考えられるが、層厚が100〜2000オン
グストロームの範囲にあることが好ましい。一般に、該
有機装置100の全体の厚さは、少なくとも1000オ
ングストロームであることが好ましい。
る好ましい活性材料は、それぞれのフィルム形成材料で
あって、真空蒸着が可能である。非常に薄くて欠陥の無
い連続層は、真空蒸着によって形成することができる。
特に、50オングストロームと同程度に薄い各層の厚さ
であれば、満足できるEL装置の性能を実現して、存在
しうる。真空蒸着したフィルム形成性芳香族第三級アミ
ンを正孔輸送層(これは、順次、トリアリールアミン層
およびテトラアリールアミン層から成ってもよい)とし
て、そしてキレート化オキシノイド化合物を電子輸送層
126および発光層124として使用すると、それぞれ
の層厚は、約50〜5000オングストロームの範囲に
あることが考えられるが、層厚が100〜2000オン
グストロームの範囲にあることが好ましい。一般に、該
有機装置100の全体の厚さは、少なくとも1000オ
ングストロームであることが好ましい。
【0032】Tang等の米国特許第4,885,211号
明細書(その開示により、これを本明細書中に含める)
によると、好ましい陰極110は、仕事関数4.0eV未
満を有する金属とその他の金属の一種、好ましくは仕事
関数4.0eVを超えるものとの組合せから作製されるも
のである。高低仕事関数の金属は、非常に広い割合、そ
の他の金属、好ましくは陰極の残部を形成する高い仕事
関数の金属(例えば、4.0eVより大きい仕事関数をも
つ金属)に対して、1%未満から99%の範囲で、用い
てよい。Tang等の米国特許第4,885,211号明細
書のMg:Ag陰極は、一つの好ましい陰極構成を形成
している。少なくとも0.05(好ましくは少なくとも
0.1)%を構成要素とするマグネシウムと少なくとも
80(好ましくは少なくとも90)%を構成要素とする
アルミニウムを有するアルミニウムとマグネシウムの陰
極は、その他の好ましい陰極構成を形成する。アルミニ
ウムとマグネシウムの陰極は、Van Slyke 等の米国特許
第5,059,062号明細書(その開示は、それを引
用したことにより本明細書中に含める)の主題である。
明細書(その開示により、これを本明細書中に含める)
によると、好ましい陰極110は、仕事関数4.0eV未
満を有する金属とその他の金属の一種、好ましくは仕事
関数4.0eVを超えるものとの組合せから作製されるも
のである。高低仕事関数の金属は、非常に広い割合、そ
の他の金属、好ましくは陰極の残部を形成する高い仕事
関数の金属(例えば、4.0eVより大きい仕事関数をも
つ金属)に対して、1%未満から99%の範囲で、用い
てよい。Tang等の米国特許第4,885,211号明細
書のMg:Ag陰極は、一つの好ましい陰極構成を形成
している。少なくとも0.05(好ましくは少なくとも
0.1)%を構成要素とするマグネシウムと少なくとも
80(好ましくは少なくとも90)%を構成要素とする
アルミニウムを有するアルミニウムとマグネシウムの陰
極は、その他の好ましい陰極構成を形成する。アルミニ
ウムとマグネシウムの陰極は、Van Slyke 等の米国特許
第5,059,062号明細書(その開示は、それを引
用したことにより本明細書中に含める)の主題である。
【0033】陰極110から界面128を通って電子輸
送層126に至る最大の電子注入効率は、低い仕事関数
の金属としてのアルカリ金属を含む陰極から得られる
が、アルカリ金属は、先行装置100および200の陰
極110(または陰極210)での便宜的な使用にとっ
て不安定過ぎるという理由で排除されてきた。
送層126に至る最大の電子注入効率は、低い仕事関数
の金属としてのアルカリ金属を含む陰極から得られる
が、アルカリ金属は、先行装置100および200の陰
極110(または陰極210)での便宜的な使用にとっ
て不安定過ぎるという理由で排除されてきた。
【0034】陰極110および210用に利用できる低
仕事関数の金属選定(アルカリ金属を除く)の表、並び
に陰極および図2の陽極用に利用できる高仕事関数の金
属選定の表が、Tang等の米国特許第4,769,292
号明細書(その開示により、これを本明細書中に含め
る)に掲載されている。
仕事関数の金属選定(アルカリ金属を除く)の表、並び
に陰極および図2の陽極用に利用できる高仕事関数の金
属選定の表が、Tang等の米国特許第4,769,292
号明細書(その開示により、これを本明細書中に含め
る)に掲載されている。
【0035】先に示されるように、陰極110および2
10は、低(<4.0eV)仕事関数の陰極材料の一方の
蒸着源と高(>4.0eV)仕事関数の陰極材料の他の蒸
着源からの、慣用の共蒸着によって形成される。
10は、低(<4.0eV)仕事関数の陰極材料の一方の
蒸着源と高(>4.0eV)仕事関数の陰極材料の他の蒸
着源からの、慣用の共蒸着によって形成される。
【0036】図3について述べると、有機発光装置70
0は、本発明によって作製される。光透過性基体70
2、光透過性電極704および、順に、有機正孔輸送層
722、有機発光層724および有機電子輸送層726
からなる有機発光構造体720は、図1の先行装置のそ
れぞれ要素102,104,122,124,126お
よび120に相当する。同様に、接合部723および界
面728並びに放射光780は、図1の先行装置の接合
部123、界面128および放射光180に相当する。
したがって、有機発光装置700、並びにその構造およ
び機能の上記相当する要素については、更に記載する必
要は全くない。
0は、本発明によって作製される。光透過性基体70
2、光透過性電極704および、順に、有機正孔輸送層
722、有機発光層724および有機電子輸送層726
からなる有機発光構造体720は、図1の先行装置のそ
れぞれ要素102,104,122,124,126お
よび120に相当する。同様に、接合部723および界
面728並びに放射光780は、図1の先行装置の接合
部123、界面128および放射光180に相当する。
したがって、有機発光装置700、並びにその構造およ
び機能の上記相当する要素については、更に記載する必
要は全くない。
【0037】同じように、図4の有機発光装置800
は、光学的に不透明な基体および陽極電極802、その
上に配置された有機発光構造体820(これは、順に、
有機正孔輸送層822、有機発光層824および有機電
子輸送層826からなる。)、接合部823および界面
828を有し、これらの要素のそれぞれは、図2の先行
装置のそれぞれの要素202,220,222,22
4,226,223および228の構成および機能に相
当する構成および機能を有する。
は、光学的に不透明な基体および陽極電極802、その
上に配置された有機発光構造体820(これは、順に、
有機正孔輸送層822、有機発光層824および有機電
子輸送層826からなる。)、接合部823および界面
828を有し、これらの要素のそれぞれは、図2の先行
装置のそれぞれの要素202,220,222,22
4,226,223および228の構成および機能に相
当する構成および機能を有する。
【0038】電子輸送層726(826)の上には、
4.0eV未満の仕事関数を有する電子注入材料からなる
電子注入層750(850)が配置される。本発明の実
施では、電子注入層750(850)は、慣用の熱気相
蒸着によって好ましい0.1〜3.0nmの範囲の厚さに
蒸着された薄い界面電子注入層である。この厚さ範囲の
界面電子注入層は、電子輸送層と界面電子注入層750
(850)との間の界面728(828)で、電子輸送
層726(826)中に効果的な電子注入を与える。
4.0eV未満の仕事関数を有する電子注入材料からなる
電子注入層750(850)が配置される。本発明の実
施では、電子注入層750(850)は、慣用の熱気相
蒸着によって好ましい0.1〜3.0nmの範囲の厚さに
蒸着された薄い界面電子注入層である。この厚さ範囲の
界面電子注入層は、電子輸送層と界面電子注入層750
(850)との間の界面728(828)で、電子輸送
層726(826)中に効果的な電子注入を与える。
【0039】好ましい電子注入材料は、周期律表のIA
およびIIA群から選ばれる。かかる材料の例には、セシ
ウム、リチウム、カルシウムおよびマンガンがある。
およびIIA群から選ばれる。かかる材料の例には、セシ
ウム、リチウム、カルシウムおよびマンガンがある。
【0040】陰極緩衝層730(830)は、高エネル
ギー蒸着、例えばスパッター蒸着または電子ビーム蒸着
による陰極710(810)の蒸着時での損傷から電子
注入層および有機発光構造体720(820)を保護す
るために電子注入層750(850)上に形成される。
ギー蒸着、例えばスパッター蒸着または電子ビーム蒸着
による陰極710(810)の蒸着時での損傷から電子
注入層および有機発光構造体720(820)を保護す
るために電子注入層750(850)上に形成される。
【0041】保護層として有用な有機陰極緩衝層730
(830)は、慣用の熱蒸着によって5〜100nmの範
囲の好ましい厚さで、ポルフィリン化合物から形成され
てよい。ポルフィリン化合物は、ポルフィリン自体を含
むポルフィリン構造由来の、またはそれを含む、天然ま
たは合成のいかなる化合物であってもよい。Adler の米
国特許第3,935,031号明細書またはTangの米国
特許第4,356,429号明細書(これらの開示によ
って、これを本明細書中に含める)によって開示される
ポルフィリン化合物のいずれもが使用できる。
(830)は、慣用の熱蒸着によって5〜100nmの範
囲の好ましい厚さで、ポルフィリン化合物から形成され
てよい。ポルフィリン化合物は、ポルフィリン自体を含
むポルフィリン構造由来の、またはそれを含む、天然ま
たは合成のいかなる化合物であってもよい。Adler の米
国特許第3,935,031号明細書またはTangの米国
特許第4,356,429号明細書(これらの開示によ
って、これを本明細書中に含める)によって開示される
ポルフィリン化合物のいずれもが使用できる。
【0042】好ましいポルフィリン化合物は、次の構造
式(VI)の化合物である。
式(VI)の化合物である。
【化6】 式中、Qは、−N=または−C(R)=であり、Mは、
金属、金属酸化物または金属ハロゲン化物であり、R
は、水素、アルキル、アラルキル、アリールまたはアル
カリールであり、そして、T1 およびT2 は、水素また
は例えば、一緒になってアルキルまたはハロゲンのよう
な置換基を含む不飽和6員環を完結してもよい。好まし
い6員環は、炭素、硫黄および窒素環原子から形成され
るものである。好ましいアルキル部分には、1〜6個の
炭素原子が含まれるが、フェニルは、好ましいアリール
部分を構成する。
金属、金属酸化物または金属ハロゲン化物であり、R
は、水素、アルキル、アラルキル、アリールまたはアル
カリールであり、そして、T1 およびT2 は、水素また
は例えば、一緒になってアルキルまたはハロゲンのよう
な置換基を含む不飽和6員環を完結してもよい。好まし
い6員環は、炭素、硫黄および窒素環原子から形成され
るものである。好ましいアルキル部分には、1〜6個の
炭素原子が含まれるが、フェニルは、好ましいアリール
部分を構成する。
【0043】その他の好ましい形態では、このポルフィ
リン化合物が、以下の式(VII )に示されるように、金
属原子に代えて二個の水素が置換していることによっ
て、構造式(VI)のものと相違している。
リン化合物が、以下の式(VII )に示されるように、金
属原子に代えて二個の水素が置換していることによっ
て、構造式(VI)のものと相違している。
【化7】
【0044】有用なポルフィリン化合物の非常に好まし
い例は、金属を含まないフタロシアニンおよび金属含有
フタロシアニンである。一般のポルフィリン化合物およ
び特定のフタロシアニンには何らかの金属が含まれる
が、その金属は、好ましくは二価以上の正の原子価を有
する。実証的に好ましい金属は、コバルト、マグネシウ
ム、亜鉛、パラジウム、ニッケルであり、そして特に好
ましい金属は、銅、鉛および白金である。
い例は、金属を含まないフタロシアニンおよび金属含有
フタロシアニンである。一般のポルフィリン化合物およ
び特定のフタロシアニンには何らかの金属が含まれる
が、その金属は、好ましくは二価以上の正の原子価を有
する。実証的に好ましい金属は、コバルト、マグネシウ
ム、亜鉛、パラジウム、ニッケルであり、そして特に好
ましい金属は、銅、鉛および白金である。
【0045】有用なポルフィリン化合物の実証例は、以
下のものである。 PC−1 ポルフィリン PC−2 1,10,15,20−テトラフェニル−
21H,23H−ポルフィン銅(II) PC−3 1,10,15,20−テトラフェニル−
21H,23H−ポルフィン亜鉛(II) PC−4 5,10,15,20−テトラキス(ペン
タフルオロフェニル)−21H,23H−ポルフィン PC−5 珪素フタロシアニン酸化物 PC−6 アルミニウムフタロシアニン塩化物 PC−7 フタロシアニン(金属不含) PC−8 ジリチウムフタロシアニン PC−9 銅テトラメチルフタロシアニン PC−10 銅フタロシアニン PC−11 クロムフタロシアニン弗化物 PC−12 亜鉛フタロシアニン PC−13 鉛フタロシアニン PC−14 チタンフタロシアニン酸化物 PC−15 マグネシウムフタロシアニン PC−16 銅オクタメチルフタロシアニン
下のものである。 PC−1 ポルフィリン PC−2 1,10,15,20−テトラフェニル−
21H,23H−ポルフィン銅(II) PC−3 1,10,15,20−テトラフェニル−
21H,23H−ポルフィン亜鉛(II) PC−4 5,10,15,20−テトラキス(ペン
タフルオロフェニル)−21H,23H−ポルフィン PC−5 珪素フタロシアニン酸化物 PC−6 アルミニウムフタロシアニン塩化物 PC−7 フタロシアニン(金属不含) PC−8 ジリチウムフタロシアニン PC−9 銅テトラメチルフタロシアニン PC−10 銅フタロシアニン PC−11 クロムフタロシアニン弗化物 PC−12 亜鉛フタロシアニン PC−13 鉛フタロシアニン PC−14 チタンフタロシアニン酸化物 PC−15 マグネシウムフタロシアニン PC−16 銅オクタメチルフタロシアニン
【0046】フタロシアニン、特に金属含有フタロシア
ニン、および特定的には銅フタロシアニンからなる陰極
緩衝層は、約250nmの緩衝層の厚さ、つまり、好まし
い緩衝層の厚さの5〜100nmの範囲よりかなり大きい
厚さでさえも、実質的に光透過性である。
ニン、および特定的には銅フタロシアニンからなる陰極
緩衝層は、約250nmの緩衝層の厚さ、つまり、好まし
い緩衝層の厚さの5〜100nmの範囲よりかなり大きい
厚さでさえも、実質的に光透過性である。
【0047】陰極710は、光学的に不透明であって、
発光装置の保管および操作時に、化学的および機械的に
安定であるいかなる金属または金属合金から形成されて
もよい。陰極810は、好ましくは、スパッター蒸着ま
たは電子ビーム蒸着によって、例えば、ITOのような
電導性金属酸化物から形成される。
発光装置の保管および操作時に、化学的および機械的に
安定であるいかなる金属または金属合金から形成されて
もよい。陰極810は、好ましくは、スパッター蒸着ま
たは電子ビーム蒸着によって、例えば、ITOのような
電導性金属酸化物から形成される。
【0048】陰極710(810)に関して正の電位に
ある陽極704(802)を有する有機発光装置700
(800)の操作時に、電子が陰極から陰極緩衝層73
0(830)中に注入されて、それによって導通され、
また、電子を、電子注入層750(850)から界面7
28(828)を通して有機電子輸送層726(82
6)中に与える。
ある陽極704(802)を有する有機発光装置700
(800)の操作時に、電子が陰極から陰極緩衝層73
0(830)中に注入されて、それによって導通され、
また、電子を、電子注入層750(850)から界面7
28(828)を通して有機電子輸送層726(82
6)中に与える。
【0049】図5について説明すると、こゝには、有機
発光装置800(これは、図5中では単に説明の目的で
示している)上に陰極を蒸着させるのに有用なスパッタ
ー蒸着装置10の概略図が示されている。該装置10
は、基板12に真空封止(図示していない)を形成する
室11を有している。ポンプ導管13は、基板12を通
して伸びていて、コントロールバルブ14を介してポン
プ15に接続している。室11の上部に示されるガス導
管16は、スパッターガス17、例えばアルゴンガスま
たはキセノンガスの調整流を室中に導入する。スパッタ
ーガス17は、支持板19に形成されたガス流のディス
トリビュータ18を通して流れ、そこで、スパッターガ
ス17の流速が、ガス導管16を通って室に入るガス流
速およびポンプ導管13を経てポンプ15によって室か
ら排出されるガス流速を含む、数個の因子によって決定
される。図4の装置800が、その基板802の所で支
持板19に対して固定されている状態が、概略的に図示
されている。DC電力の供給またはRF電力の供給のい
ずれでもよいスパッター電力供給26は、リード23に
よって、フィードスルー25を通して支持板19に接続
され、また、スパッター電力供給26は、リード22を
介して、フィードスルー24を通してターゲットTを支
持しているターゲットバッキング板20に接続されてい
る。周知なように、ターゲットTおよびターゲットバッ
キング板20は、シールド21によって遮蔽されるが、
この点は、スパッター蒸着装置の分野での当業者によっ
て、暗い空間シールドとも呼ばれている。
発光装置800(これは、図5中では単に説明の目的で
示している)上に陰極を蒸着させるのに有用なスパッタ
ー蒸着装置10の概略図が示されている。該装置10
は、基板12に真空封止(図示していない)を形成する
室11を有している。ポンプ導管13は、基板12を通
して伸びていて、コントロールバルブ14を介してポン
プ15に接続している。室11の上部に示されるガス導
管16は、スパッターガス17、例えばアルゴンガスま
たはキセノンガスの調整流を室中に導入する。スパッタ
ーガス17は、支持板19に形成されたガス流のディス
トリビュータ18を通して流れ、そこで、スパッターガ
ス17の流速が、ガス導管16を通って室に入るガス流
速およびポンプ導管13を経てポンプ15によって室か
ら排出されるガス流速を含む、数個の因子によって決定
される。図4の装置800が、その基板802の所で支
持板19に対して固定されている状態が、概略的に図示
されている。DC電力の供給またはRF電力の供給のい
ずれでもよいスパッター電力供給26は、リード23に
よって、フィードスルー25を通して支持板19に接続
され、また、スパッター電力供給26は、リード22を
介して、フィードスルー24を通してターゲットTを支
持しているターゲットバッキング板20に接続されてい
る。周知なように、ターゲットTおよびターゲットバッ
キング板20は、シールド21によって遮蔽されるが、
この点は、スパッター蒸着装置の分野での当業者によっ
て、暗い空間シールドとも呼ばれている。
【0050】曲がった太字の矢印37に示されるよう
に、スパッターガス17のイオンがターゲットTに衝撃
を与え、ターゲットのエネルギー電子または分子をスパ
ッタさせる。その原子または分子40は、組成的にター
ゲットTの組成に相当し、そして、これらが高エネルギ
ーのスパッター蒸着による陰極の形成時に、陰極810
の上面が点線で図示されるように、陰極緩衝層830を
覆うように陰極810を形成する。
に、スパッターガス17のイオンがターゲットTに衝撃
を与え、ターゲットのエネルギー電子または分子をスパ
ッタさせる。その原子または分子40は、組成的にター
ゲットTの組成に相当し、そして、これらが高エネルギ
ーのスパッター蒸着による陰極の形成時に、陰極810
の上面が点線で図示されるように、陰極緩衝層830を
覆うように陰極810を形成する。
【0051】スパッター蒸着のターゲットTまたは電子
ビーム蒸着のターゲット(図示していない)は、当業者
によって複合ターゲットとして配合されて、構成され
る。複合ターゲットは、4.0eVを超える仕事関数を有
する少なくとも二種から選択される陰極材料を含む合金
ターゲットであってよい。例えば、アルミニウムと珪
素、またはクロムとニッケルの合金ターゲットは、容易
に作れる。光透過性層が形成される複合ターゲットに
は、インジウム−錫の酸化物(ITO)、アルミニウム
−またはインジウム−ドープ酸化亜鉛、およびカドミウ
ム−錫の酸化物が含まれる。
ビーム蒸着のターゲット(図示していない)は、当業者
によって複合ターゲットとして配合されて、構成され
る。複合ターゲットは、4.0eVを超える仕事関数を有
する少なくとも二種から選択される陰極材料を含む合金
ターゲットであってよい。例えば、アルミニウムと珪
素、またはクロムとニッケルの合金ターゲットは、容易
に作れる。光透過性層が形成される複合ターゲットに
は、インジウム−錫の酸化物(ITO)、アルミニウム
−またはインジウム−ドープ酸化亜鉛、およびカドミウ
ム−錫の酸化物が含まれる。
【0052】
【実施例】以下の実施例は、本発明を更に理解するため
に提示される。簡潔の目的で、材料およびそれから形成
される層は、以下に示されるように略される。 ITO :インジウム−錫の酸化物(陽極) CuPc:銅フタロシアニン(陰極緩衝層;陰極上に配
置された正孔注入層) NPB :4,4′−ビス−〔N−(1−ナフチル)−
N−フェニルアミノ〕−ビフェニル(正孔輸送層) Alq :トリス(8−キノリノラト−N1,08)−
アルミニウム(電子輸送層:結合発光層および電子輸送
層として機能する) MgAg:10:1の体積比のマグネシウム:銀(陰
極) Ag :銀(陰極) Al :アルミニウム(陰極) Li :リチウム(陰極緩衝層上に配置された電子注
入層)
に提示される。簡潔の目的で、材料およびそれから形成
される層は、以下に示されるように略される。 ITO :インジウム−錫の酸化物(陽極) CuPc:銅フタロシアニン(陰極緩衝層;陰極上に配
置された正孔注入層) NPB :4,4′−ビス−〔N−(1−ナフチル)−
N−フェニルアミノ〕−ビフェニル(正孔輸送層) Alq :トリス(8−キノリノラト−N1,08)−
アルミニウム(電子輸送層:結合発光層および電子輸送
層として機能する) MgAg:10:1の体積比のマグネシウム:銀(陰
極) Ag :銀(陰極) Al :アルミニウム(陰極) Li :リチウム(陰極緩衝層上に配置された電子注
入層)
【0053】I.有機発光構造体の作製 有機発光構造体は、以下のようにして構成した。 a)ITO被覆ガラスの光透過性陽極を、市販の洗浄剤
で超音波洗浄し、脱イオン水ですすぎ、トルエン蒸気で
脱脂して、強酸化剤により接触させた; b)15nm厚のCuPc正孔注入層を、慣用の熱蒸着に
より陽極上に蒸着させた; c)65nm厚のNPB正孔輸送層を、慣用の熱蒸着によ
りCuPc層上に蒸着させた; d)75nm厚のAlq電子輸送層および発光層を、慣用
の熱蒸着によりNPB層上に蒸着させた。 上記の構造体は、以下の実施例のそれぞれに対する基本
構成として役立ち、これは、ITO/CuPc(15)
/NPB(65)/Alq(75)のように略した形態
で示す。
で超音波洗浄し、脱イオン水ですすぎ、トルエン蒸気で
脱脂して、強酸化剤により接触させた; b)15nm厚のCuPc正孔注入層を、慣用の熱蒸着に
より陽極上に蒸着させた; c)65nm厚のNPB正孔輸送層を、慣用の熱蒸着によ
りCuPc層上に蒸着させた; d)75nm厚のAlq電子輸送層および発光層を、慣用
の熱蒸着によりNPB層上に蒸着させた。 上記の構造体は、以下の実施例のそれぞれに対する基本
構成として役立ち、これは、ITO/CuPc(15)
/NPB(65)/Alq(75)のように略した形態
で示す。
【0054】実施例A 有機発光装置を次のようにして作製した。MgAg陰極
を、先行技術の陰極を与えるように、約200nmの厚さ
に、2種のスパッター源(Mg;Ag)から慣用の熱共
蒸着によって、基本構成のAlq(75)層上に蒸着し
た。
を、先行技術の陰極を与えるように、約200nmの厚さ
に、2種のスパッター源(Mg;Ag)から慣用の熱共
蒸着によって、基本構成のAlq(75)層上に蒸着し
た。
【0055】実施例B 有機発光装置を次のようにして作製した。CuPc陰極
緩衝層を、15nmの厚さに、慣用の熱蒸着によって基本
構成のAlq(75)層上に蒸着した。MgAg陰極
を、実施例Aの蒸着によってCuPc陰極緩衝層上に蒸
着した。
緩衝層を、15nmの厚さに、慣用の熱蒸着によって基本
構成のAlq(75)層上に蒸着した。MgAg陰極
を、実施例Aの蒸着によってCuPc陰極緩衝層上に蒸
着した。
【0056】実施例C 有機発光装置を次のようにして作製した。1nm(10オ
ングストローム)厚のMgAg層を、基本構成のAlq
(75)層上に蒸着した。CuPc陰極緩衝層を、15
nmの厚さに、慣用の熱蒸着によって薄いMgAg層上に
蒸着し、次いで、MgAg陰極を、実施例Aの蒸着によ
って約200nmの厚さに、CuPc層上に蒸着した。
ングストローム)厚のMgAg層を、基本構成のAlq
(75)層上に蒸着した。CuPc陰極緩衝層を、15
nmの厚さに、慣用の熱蒸着によって薄いMgAg層上に
蒸着し、次いで、MgAg陰極を、実施例Aの蒸着によ
って約200nmの厚さに、CuPc層上に蒸着した。
【0057】実施例D 有機発光装置を次のようにして作製した。2nm(20オ
ングストローム)厚のMgAg層を、基本構成のAlq
(75)層上に蒸着した。CuPc陰極緩衝層を、15
nmの厚さに、慣用の熱蒸着によって薄いMgAg層上に
蒸着し、次いで、MgAg陰極を、実施例Aの蒸着によ
って約200nmの厚さに、CuPc層上に蒸着した。
ングストローム)厚のMgAg層を、基本構成のAlq
(75)層上に蒸着した。CuPc陰極緩衝層を、15
nmの厚さに、慣用の熱蒸着によって薄いMgAg層上に
蒸着し、次いで、MgAg陰極を、実施例Aの蒸着によ
って約200nmの厚さに、CuPc層上に蒸着した。
【0058】実施例E 有機発光装置を次のようにして作製した。2nm(20オ
ングストローム)厚のMgAg層を、基本構成のAlq
(75)層上に蒸着した。CuPc陰極緩衝層を、15
nmの厚さに、慣用の熱蒸着によって薄いMgAg層上に
蒸着し、次いで、Ag陰極を、熱蒸着によって約30nm
の厚さに、CuPc層上に蒸着した。
ングストローム)厚のMgAg層を、基本構成のAlq
(75)層上に蒸着した。CuPc陰極緩衝層を、15
nmの厚さに、慣用の熱蒸着によって薄いMgAg層上に
蒸着し、次いで、Ag陰極を、熱蒸着によって約30nm
の厚さに、CuPc層上に蒸着した。
【0059】実施例F 有機発光装置を次のようにして作製した。0.2nm(2
オングストローム)厚のLi層を、基本構成のAlq
(75)層上に蒸着した。CuPc陰極緩衝層を、15
nmの厚さに、慣用の熱蒸着によって薄いMgAg層上に
蒸着し、次いで、MgAg陰極を、実施例Aの蒸着によ
って約2000nmの厚さに、CuPc層上に蒸着した。
オングストローム)厚のLi層を、基本構成のAlq
(75)層上に蒸着した。CuPc陰極緩衝層を、15
nmの厚さに、慣用の熱蒸着によって薄いMgAg層上に
蒸着し、次いで、MgAg陰極を、実施例Aの蒸着によ
って約2000nmの厚さに、CuPc層上に蒸着した。
【0060】それぞれの装置を、陽極が陰極に対して正
となるように、陽極と陰極間に駆動電圧を印加すること
によって試験した。図6および8に示したように、電流
−駆動電圧の関係を測定し、また、図7および9に示し
たように、エレクトロルミネッセンス(EL)光の出力
と駆動電流(所定の駆動電圧下での)の間の関係を測定
した。
となるように、陽極と陰極間に駆動電圧を印加すること
によって試験した。図6および8に示したように、電流
−駆動電圧の関係を測定し、また、図7および9に示し
たように、エレクトロルミネッセンス(EL)光の出力
と駆動電流(所定の駆動電圧下での)の間の関係を測定
した。
【0061】図6および7を一緒に観ると、実施例Bの
AlqとMgAg間に介在するCuPc層は、基本構成
のAlq(75)層上に直接配置したMgAg陰極をも
つ実施例Aの先行技術に比して、電流−駆動電圧の関係
が極度に低下することが明らかである。実施例Bの装置
のEL出力は、ほとんど無視できるのに対して、実施例
Aの装置は、約2.5×10W/Aの効率をもつ強いエレ
クトロルミネッセンスを示したことは、更に驚くべきこ
とである。この二つの装置の間の顕著な差異は、CuP
cとAlq間には電子注入のバリアがあり、そのため電
子と正孔は、CuPc−Alq界面近傍のCuPcで再
結合し、それによって非常に弱いエレクトロルミネッセ
ンスが生ずることを明瞭に示している。
AlqとMgAg間に介在するCuPc層は、基本構成
のAlq(75)層上に直接配置したMgAg陰極をも
つ実施例Aの先行技術に比して、電流−駆動電圧の関係
が極度に低下することが明らかである。実施例Bの装置
のEL出力は、ほとんど無視できるのに対して、実施例
Aの装置は、約2.5×10W/Aの効率をもつ強いエレ
クトロルミネッセンスを示したことは、更に驚くべきこ
とである。この二つの装置の間の顕著な差異は、CuP
cとAlq間には電子注入のバリアがあり、そのため電
子と正孔は、CuPc−Alq界面近傍のCuPcで再
結合し、それによって非常に弱いエレクトロルミネッセ
ンスが生ずることを明瞭に示している。
【0062】1〜2nm厚のMgAgをCuPc上に蒸着
するときは、図6および7の陰極としてMgAgまたは
Agを有する装置は、MgとAgとの間の仕事関数にお
ける顕著な差異とは無関係に、実施例Aの先行技術に比
して、ほとんど同一の電気的、光学的特性を示してい
る。Alq−CuPc界面でのMgの存在は、実質的に
電子注入のバリア性を低下させた。結果として、NTB
−Alq界面でのAlq中で電子と正孔が再結合する
と、それによって強いエレクトロルミネッセンスが発生
する。また、Alq−CuPc界面でCuPc層と薄い
MgAg層との再結合があると、効率的な陰極を形成す
るために高い仕事関数の金属を利用することが可能とな
るということを、実施例C,DおよびEから気ずくこと
も重要である。Agの仕事関数(4.74eV)は、かな
りMgのそれ(3.66eV)よりも高い。
するときは、図6および7の陰極としてMgAgまたは
Agを有する装置は、MgとAgとの間の仕事関数にお
ける顕著な差異とは無関係に、実施例Aの先行技術に比
して、ほとんど同一の電気的、光学的特性を示してい
る。Alq−CuPc界面でのMgの存在は、実質的に
電子注入のバリア性を低下させた。結果として、NTB
−Alq界面でのAlq中で電子と正孔が再結合する
と、それによって強いエレクトロルミネッセンスが発生
する。また、Alq−CuPc界面でCuPc層と薄い
MgAg層との再結合があると、効率的な陰極を形成す
るために高い仕事関数の金属を利用することが可能とな
るということを、実施例C,DおよびEから気ずくこと
も重要である。Agの仕事関数(4.74eV)は、かな
りMgのそれ(3.66eV)よりも高い。
【0063】図8および9は、AlqとCuPc間に介
在する薄いLi層をもつ実施例Fの装置の電気的、光学
的特性を示している。その結果は、実施例Aの先行技術
とほとんど同じであり、Alq−CuPc界面にLi層
の無い実施例Fの装置よりもはるかに良好である。
在する薄いLi層をもつ実施例Fの装置の電気的、光学
的特性を示している。その結果は、実施例Aの先行技術
とほとんど同じであり、Alq−CuPc界面にLi層
の無い実施例Fの装置よりもはるかに良好である。
【0064】Alq上にCuPc層が存在すると、充分
に装置を放射損傷から保護し、したがって、陰極の作製
に当って電子ビーム蒸着やスパッター蒸着が利用でき
る。共有のHungおよびMadathilの「有機発光構造体のた
めのドーパント層から形成された電子注入層」と称す
る、1998年7月28日出願の米国特許出願番号第0
9/123,602号(この開示により、これを本明細
書中に含める)の明細書を参照されたい。
に装置を放射損傷から保護し、したがって、陰極の作製
に当って電子ビーム蒸着やスパッター蒸着が利用でき
る。共有のHungおよびMadathilの「有機発光構造体のた
めのドーパント層から形成された電子注入層」と称す
る、1998年7月28日出願の米国特許出願番号第0
9/123,602号(この開示により、これを本明細
書中に含める)の明細書を参照されたい。
【0065】
【発明の効果】陰極の高エネルギー蒸着、例えば、スパ
ッター蒸着は、有機層への陰極の付着力を高める。ま
た、スパッター蒸着は、多くの横方向に間隔をとって並
ぶ陽極と多くの交差する横方向に間隔をとって並ぶ陰極
とによって形成される発光画素の配列を有する有機発光
装置に存在しうる下層の位相特徴に応じた陰極を与え
る。
ッター蒸着は、有機層への陰極の付着力を高める。ま
た、スパッター蒸着は、多くの横方向に間隔をとって並
ぶ陽極と多くの交差する横方向に間隔をとって並ぶ陰極
とによって形成される発光画素の配列を有する有機発光
装置に存在しうる下層の位相特徴に応じた陰極を与え
る。
【0066】スパッター蒸着または電子ビーム蒸着のよ
うな、高エネルギー蒸着によれば、通常の熱蒸着では容
易に蒸着できない陰極材料からの陰極の蒸着が可能とな
る。
うな、高エネルギー蒸着によれば、通常の熱蒸着では容
易に蒸着できない陰極材料からの陰極の蒸着が可能とな
る。
【0067】本発明では、有機発光構造体上に形成され
る有機陰極緩衝層が安定であり、陰極の高エネルギー蒸
着時での損傷からその発光構造体を保護する。陰極緩衝
層上の低仕事関数の層は、陰極緩衝層と発光構造体との
間の界面に電子注入界面層を与え、これによって装置性
能が向上する。
る有機陰極緩衝層が安定であり、陰極の高エネルギー蒸
着時での損傷からその発光構造体を保護する。陰極緩衝
層上の低仕事関数の層は、陰極緩衝層と発光構造体との
間の界面に電子注入界面層を与え、これによって装置性
能が向上する。
【0068】陰極緩衝層の下層での陰極緩衝層とドーパ
ント層との組合せによって、高エネルギー蒸着を用いて
陰極を形成すること、および高仕事関数の金属または金
属酸化物を使用して陰極を形成することができるように
なり、これによって、装置構成における望ましい製作選
定が可能となる。
ント層との組合せによって、高エネルギー蒸着を用いて
陰極を形成すること、および高仕事関数の金属または金
属酸化物を使用して陰極を形成することができるように
なり、これによって、装置構成における望ましい製作選
定が可能となる。
【0069】本発明は、その一定の好ましい実施態様に
ついて特に言及して詳しく述べてきたが、その変形およ
び変更も、本発明の技術的思想および技術的範囲に入る
ことが理解されよう。
ついて特に言及して詳しく述べてきたが、その変形およ
び変更も、本発明の技術的思想および技術的範囲に入る
ことが理解されよう。
【図1】光が陽極および支持体を通って放射され、慣用
の熱蒸着によって不透明な陰極材料組成物から形成され
た陰極を有する、先行技術の有機発光装置を示す略線図
である。
の熱蒸着によって不透明な陰極材料組成物から形成され
た陰極を有する、先行技術の有機発光装置を示す略線図
である。
【図2】光が、慣用の熱蒸着によって光透明性陰極材料
組成物から形成された陰極を通って放射される、先行技
術の有機発光装置を示す略線図である。
組成物から形成された陰極を通って放射される、先行技
術の有機発光装置を示す略線図である。
【図3】光が陽極および支持体を通って放射され、高エ
ネルギー蒸着によって有機陰極緩衝層上に形成された陰
極を有し、界面電子注入層が、発光構造体の電子輸送層
と陰極緩衝層との間の界面に配置される、本発明による
有機発光装置の略線図である。
ネルギー蒸着によって有機陰極緩衝層上に形成された陰
極を有し、界面電子注入層が、発光構造体の電子輸送層
と陰極緩衝層との間の界面に配置される、本発明による
有機発光装置の略線図である。
【図4】光が陰極を通って放射され、高エネルギー蒸着
によって有機陰極緩衝層上に形成された陰極を有し、界
面電子注入層が、発光体の電子輸送層と陰極緩衝層との
間の界面に配置される、本発明による有機発光装置の略
線図である。
によって有機陰極緩衝層上に形成された陰極を有し、界
面電子注入層が、発光体の電子輸送層と陰極緩衝層との
間の界面に配置される、本発明による有機発光装置の略
線図である。
【図5】本発明による有機発光装置の陰極を、有機陰極
緩衝層上に高エネルギー蒸着を施すのに有用なスパッタ
ー蒸着装置の略線図である。
緩衝層上に高エネルギー蒸着を施すのに有用なスパッタ
ー蒸着装置の略線図である。
【図6】有機陰極緩衝層の有無、Mg界面層の有無、お
よび異なる陰極層の使用に伴う有機発光装置の電流−電
圧関係を示すグラフである。
よび異なる陰極層の使用に伴う有機発光装置の電流−電
圧関係を示すグラフである。
【図7】図6の装置のエレクトロルミネッセンス光の出
力と駆動電流間の関係を示すグラフである。
力と駆動電流間の関係を示すグラフである。
【図8】有機陰極緩衝層の有無、およびLi界面層の有
無に伴う有機発光装置の電流−電圧関係を示すグラフで
ある。
無に伴う有機発光装置の電流−電圧関係を示すグラフで
ある。
【図9】図8の装置のエレクトロルミネッセンス光の出
力と駆動電流間の関係を示すグラフである。
力と駆動電流間の関係を示すグラフである。
10…スパッター蒸着装置 11…室 12…基板 13…ポンプ導管 14…コントロールバルブ 15…ポンプ 16…ガス導管 17…スパッターガス 18…ガス流ディストリビュータ 19…支持板 20…ターゲットバッキング板 21…シールド 22…リード 23…リード 24…フィードスルー 25…フィードスルー 26…スパッター電力供給 37…ガスイオン T…スパッターターゲット 100…有機発光装置(先行技術) 102…光透過性基体 104…光透過性陽極 110…光学的不透明陰極 120…有機発光構造体 122…正孔輸送層 123…接合部 124…発光層 126…電子輸送層 128…界面 180…放射光 200…有機発光装置(先行技術) 202…光学的不透明基体、陽極 210…光透過性陰極 220…有機発光構造体 222…正孔輸送層 223…接合部 224…発光層 226…電子輸送層 228…界面 280…放射光 700…有機発光構造体 702…光透過性基体 704…光透過性陽極 710…光学的不透明陰極 720…有機発光構造体 722…正孔輸送層 723…接合部 724…発光層 726…電子輸送層 728…界面 730…有機陰極緩衝層 750…電子注入層 780…放射光 800…有機発光装置 802…光学的不透明基体、陽極 810…光透過性陰極 820…有機発光構造体 822…正孔輸送層 823…接合部 824…発光層 826…電子輸送層 828…界面 830…有機陰極緩衝層 850…電子注入層 880…放射光
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 プラナブ ケー.レイチャウドハリ アメリカ合衆国,ニューヨーク 14612, ロチェスター,ジェイ ビー レーン 147
Claims (3)
- 【請求項1】 a)基体、 b)基体上に配置された陽極、 c)陽極上に配置された有機発光構造体、 d)有機発光構造体上に配置され、かつ陰極の高エネル
ギー蒸着を許容するように選択された材料からなる陰極
緩衝層、 e)陰極緩衝層上に配置された陰極、および f)有機発光構造体と陰極緩衝層との間に電子注入材料
が配備された界面層を含む、有機発光装置。 - 【請求項2】 前記有機発光構造体が、 (i)陽極上に形成された有機正孔輸送層、 (ii)有機正孔輸送層上に形成された有機発光層、およ
び (iii )有機発光層上に形成された有機電子輸送層から
なる、請求項1に記載の有機発光装置。 - 【請求項3】 以下の段階: a)基体を供給すること、 b)基体上に陽極を配置すること、 c)陽極上に有機発光構造体を形成すること、 d)有機発光構造体上に電子注入材料が配備された界面
層を形成すること、 e)界面層上に陰極緩衝層を供給すること、および f)陰極緩衝層上に陰極を形成することを含んでなる、
有機発光装置の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US09/123,601 US6172459B1 (en) | 1998-07-28 | 1998-07-28 | Electron-injecting layer providing a modified interface between an organic light-emitting structure and a cathode buffer layer |
US09/123601 | 1998-07-28 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000058266A true JP2000058266A (ja) | 2000-02-25 |
JP2000058266A5 JP2000058266A5 (ja) | 2006-07-20 |
Family
ID=22409655
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21331299A Withdrawn JP2000058266A (ja) | 1998-07-28 | 1999-07-28 | 有機発光構造体と陰極緩衝層との間に改質界面を与える電子注入層 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6172459B1 (ja) |
EP (1) | EP0977286B1 (ja) |
JP (1) | JP2000058266A (ja) |
DE (1) | DE69933414D1 (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002531467A (ja) * | 1998-12-02 | 2002-09-24 | サウス バンク ユニバーシティー エンタープライジズ リミテッド | エレクトロルミネセンスキノレート |
JP2002280184A (ja) * | 2001-03-16 | 2002-09-27 | Nippon Seiki Co Ltd | 有機電界発光素子 |
JP2004247309A (ja) * | 2003-02-14 | 2004-09-02 | Eastman Kodak Co | 有機発光デバイス |
JP2004247310A (ja) * | 2003-02-14 | 2004-09-02 | Eastman Kodak Co | 有機発光デバイスの形成方法 |
JP2004296410A (ja) * | 2003-03-28 | 2004-10-21 | Seiko Epson Corp | エレクトロルミネセンス素子及びその製造方法 |
JP2010192455A (ja) * | 2002-08-09 | 2010-09-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
KR101292144B1 (ko) | 2005-05-23 | 2013-08-09 | 톰슨 라이센싱 | 콤포지트 투명 상단 전극이 마련된, 조명 또는 이미지를 디스플레이하는 발광 패널 |
Families Citing this family (99)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB9609282D0 (en) | 1996-05-03 | 1996-07-10 | Cambridge Display Tech Ltd | Protective thin oxide layer |
US6248458B1 (en) * | 1997-11-17 | 2001-06-19 | Lg Electronics Inc. | Organic electroluminescent device with improved long-term stability |
EP0966050A3 (de) * | 1998-06-18 | 2004-11-17 | Osram Opto Semiconductors GmbH & Co. OHG | Organische Leuchtdiode |
JP2000331782A (ja) * | 1999-05-19 | 2000-11-30 | Pioneer Electronic Corp | 有機el素子及びその修理方法 |
KR100720066B1 (ko) | 1999-11-09 | 2007-05-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광장치 제작방법 |
KR100721656B1 (ko) * | 2005-11-01 | 2007-05-23 | 주식회사 엘지화학 | 유기 전기 소자 |
AU3056301A (en) * | 2000-02-02 | 2001-08-14 | Mitsubishi Chemical Corporation | Organic electroluminescent element and method of manufacture thereof |
US6639357B1 (en) | 2000-02-28 | 2003-10-28 | The Trustees Of Princeton University | High efficiency transparent organic light emitting devices |
US6924594B2 (en) * | 2000-10-03 | 2005-08-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
US20020110673A1 (en) | 2001-02-14 | 2002-08-15 | Ramin Heydarpour | Multilayered electrode/substrate structures and display devices incorporating the same |
US6762124B2 (en) | 2001-02-14 | 2004-07-13 | Avery Dennison Corporation | Method for patterning a multilayered conductor/substrate structure |
US6551725B2 (en) * | 2001-02-28 | 2003-04-22 | Eastman Kodak Company | Inorganic buffer structure for organic light-emitting diode devices |
US6879618B2 (en) * | 2001-04-11 | 2005-04-12 | Eastman Kodak Company | Incoherent light-emitting device apparatus for driving vertical laser cavity |
TW548860B (en) | 2001-06-20 | 2003-08-21 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device and method of manufacturing the same |
US7211828B2 (en) * | 2001-06-20 | 2007-05-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and electronic apparatus |
US6956240B2 (en) * | 2001-10-30 | 2005-10-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
KR100474891B1 (ko) * | 2001-12-20 | 2005-03-08 | 엘지전자 주식회사 | 유기 el 디스플레이 소자 |
US6770502B2 (en) * | 2002-04-04 | 2004-08-03 | Eastman Kodak Company | Method of manufacturing a top-emitting OLED display device with desiccant structures |
US7230271B2 (en) | 2002-06-11 | 2007-06-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device comprising film having hygroscopic property and transparency and manufacturing method thereof |
TW200402012A (en) * | 2002-07-23 | 2004-02-01 | Eastman Kodak Co | OLED displays with fiber-optic faceplates |
US7254331B2 (en) * | 2002-08-09 | 2007-08-07 | Micron Technology, Inc. | System and method for multiple bit optical data transmission in memory systems |
US7061175B2 (en) * | 2002-08-16 | 2006-06-13 | Universal Display Corporation | Efficiency transparent cathode |
US6747618B2 (en) | 2002-08-20 | 2004-06-08 | Eastman Kodak Company | Color organic light emitting diode display with improved lifetime |
AU2003256025A1 (en) * | 2002-10-07 | 2004-04-23 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method for manufacturing a light emitting display |
US6831407B2 (en) * | 2002-10-15 | 2004-12-14 | Eastman Kodak Company | Oled device having improved light output |
US7230594B2 (en) | 2002-12-16 | 2007-06-12 | Eastman Kodak Company | Color OLED display with improved power efficiency |
US7042444B2 (en) * | 2003-01-17 | 2006-05-09 | Eastman Kodak Company | OLED display and touch screen |
CN100391025C (zh) * | 2003-01-27 | 2008-05-28 | 友达光电股份有限公司 | 具缓冲层结构的有机发光二极管及其制作方法 |
US7133032B2 (en) | 2003-04-24 | 2006-11-07 | Eastman Kodak Company | OLED display and touch screen |
US6807211B1 (en) * | 2003-05-27 | 2004-10-19 | Eastman Kodak Company | White-light laser |
US6939012B2 (en) * | 2003-06-02 | 2005-09-06 | Eastman Kodak Company | Laser image projector |
JP4207818B2 (ja) * | 2003-07-16 | 2009-01-14 | 日本ビクター株式会社 | 反射型液晶表示装置 |
EP2276088B1 (en) * | 2003-10-03 | 2018-02-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Light emitting element, and light emitting device using the light emitting element |
JP4243237B2 (ja) * | 2003-11-10 | 2009-03-25 | 淳二 城戸 | 有機素子、有機el素子、有機太陽電池、及び、有機fet構造、並びに、有機素子の製造方法 |
US7221332B2 (en) * | 2003-12-19 | 2007-05-22 | Eastman Kodak Company | 3D stereo OLED display |
US7202504B2 (en) | 2004-05-20 | 2007-04-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element and display device |
US7375701B2 (en) * | 2004-07-01 | 2008-05-20 | Carestream Health, Inc. | Scanless virtual retinal display system |
EP1624502B1 (en) * | 2004-08-04 | 2015-11-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display device, and electronic appliance |
US20060062899A1 (en) * | 2004-09-17 | 2006-03-23 | Eastman Kodak Company | Method of discontinuous stripe coating |
US9040170B2 (en) * | 2004-09-20 | 2015-05-26 | Global Oled Technology Llc | Electroluminescent device with quinazoline complex emitter |
CN100565963C (zh) * | 2004-09-30 | 2009-12-02 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光元件 |
GB0424294D0 (en) * | 2004-11-03 | 2004-12-01 | Elam T Ltd | Buffer layer |
JP4797361B2 (ja) * | 2004-11-05 | 2011-10-19 | 富士電機株式会社 | 有機el素子 |
CN100592548C (zh) * | 2004-11-30 | 2010-02-24 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光元件、发光器件和电子器件 |
US20060115673A1 (en) * | 2004-12-01 | 2006-06-01 | Au Optronics Corporation | Organic light emitting device with improved electrode structure |
US20060204784A1 (en) * | 2005-03-10 | 2006-09-14 | Begley William J | Organic light-emitting devices with mixed electron transport materials |
US7517595B2 (en) | 2005-03-10 | 2009-04-14 | Eastman Kodak Company | Electroluminescent devices with mixed electron transport materials |
US7649197B2 (en) * | 2005-03-23 | 2010-01-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Composite material, and light emitting element and light emitting device using the composite material |
EP1866984B1 (en) | 2005-03-23 | 2017-08-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Composite material, light emitting element and light emitting device |
US8057916B2 (en) * | 2005-04-20 | 2011-11-15 | Global Oled Technology, Llc. | OLED device with improved performance |
US20060240281A1 (en) * | 2005-04-21 | 2006-10-26 | Eastman Kodak Company | Contaminant-scavenging layer on OLED anodes |
JP4596977B2 (ja) * | 2005-05-20 | 2010-12-15 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 有機発光表示装置 |
US7635858B2 (en) * | 2005-08-10 | 2009-12-22 | Au Optronics Corporation | Organic light-emitting device with improved layer conductivity distribution |
US20070048545A1 (en) * | 2005-08-31 | 2007-03-01 | Eastman Kodak Company | Electron-transporting layer for white OLED device |
US8956738B2 (en) * | 2005-10-26 | 2015-02-17 | Global Oled Technology Llc | Organic element for low voltage electroluminescent devices |
US9666826B2 (en) * | 2005-11-30 | 2017-05-30 | Global Oled Technology Llc | Electroluminescent device including an anthracene derivative |
WO2007083918A1 (en) * | 2006-01-18 | 2007-07-26 | Lg Chem. Ltd. | Oled having stacked organic light-emitting units |
US20070207345A1 (en) * | 2006-03-01 | 2007-09-06 | Eastman Kodak Company | Electroluminescent device including gallium complexes |
US20070236140A1 (en) * | 2006-04-05 | 2007-10-11 | Hsiang-Lun Hsu | System for displaying images including electroluminescent device and method for fabricating the same |
US9118020B2 (en) * | 2006-04-27 | 2015-08-25 | Global Oled Technology Llc | Electroluminescent devices including organic eil layer |
EP2016633A1 (en) | 2006-05-08 | 2009-01-21 | Eastman Kodak Company | Oled electron-injecting layer |
US20080024059A1 (en) * | 2006-07-27 | 2008-01-31 | Tpo Displays Corp. | System for displaying images incluidng electroluminescent device and method for fabricating the same |
US20080032123A1 (en) * | 2006-08-02 | 2008-02-07 | Spindler Jeffrey P | Dual electron-transporting layer for oled device |
US8795855B2 (en) | 2007-01-30 | 2014-08-05 | Global Oled Technology Llc | OLEDs having high efficiency and excellent lifetime |
US20080284317A1 (en) * | 2007-05-17 | 2008-11-20 | Liang-Sheng Liao | Hybrid oled having improved efficiency |
US20080284318A1 (en) * | 2007-05-17 | 2008-11-20 | Deaton Joseph C | Hybrid fluorescent/phosphorescent oleds |
US8034465B2 (en) * | 2007-06-20 | 2011-10-11 | Global Oled Technology Llc | Phosphorescent oled having double exciton-blocking layers |
US20090004485A1 (en) * | 2007-06-27 | 2009-01-01 | Shiying Zheng | 6-member ring structure used in electroluminescent devices |
JP5208591B2 (ja) * | 2007-06-28 | 2013-06-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置、及び照明装置 |
WO2009037155A1 (en) * | 2007-09-20 | 2009-03-26 | Basf Se | Electroluminescent device |
US8498464B2 (en) * | 2007-09-27 | 2013-07-30 | Siemens Medical Solutions Usa, Inc. | Intrinsic co-registration for modular multimodality medical imaging systems |
US20090091242A1 (en) * | 2007-10-05 | 2009-04-09 | Liang-Sheng Liao | Hole-injecting layer in oleds |
US8431242B2 (en) * | 2007-10-26 | 2013-04-30 | Global Oled Technology, Llc. | OLED device with certain fluoranthene host |
US8420229B2 (en) * | 2007-10-26 | 2013-04-16 | Global OLED Technologies LLC | OLED device with certain fluoranthene light-emitting dopants |
US20090110956A1 (en) * | 2007-10-26 | 2009-04-30 | Begley William J | Oled device with electron transport material combination |
US8076009B2 (en) | 2007-10-26 | 2011-12-13 | Global Oled Technology, Llc. | OLED device with fluoranthene electron transport materials |
US8129039B2 (en) * | 2007-10-26 | 2012-03-06 | Global Oled Technology, Llc | Phosphorescent OLED device with certain fluoranthene host |
US8900722B2 (en) | 2007-11-29 | 2014-12-02 | Global Oled Technology Llc | OLED device employing alkali metal cluster compounds |
US20090162612A1 (en) * | 2007-12-19 | 2009-06-25 | Hatwar Tukaram K | Oled device having two electron-transport layers |
US20090191427A1 (en) * | 2008-01-30 | 2009-07-30 | Liang-Sheng Liao | Phosphorescent oled having double hole-blocking layers |
US7947974B2 (en) * | 2008-03-25 | 2011-05-24 | Global Oled Technology Llc | OLED device with hole-transport and electron-transport materials |
US8324800B2 (en) * | 2008-06-12 | 2012-12-04 | Global Oled Technology Llc | Phosphorescent OLED device with mixed hosts |
US8247088B2 (en) * | 2008-08-28 | 2012-08-21 | Global Oled Technology Llc | Emitting complex for electroluminescent devices |
EP2161272A1 (en) | 2008-09-05 | 2010-03-10 | Basf Se | Phenanthrolines |
US7931975B2 (en) * | 2008-11-07 | 2011-04-26 | Global Oled Technology Llc | Electroluminescent device containing a flouranthene compound |
US8088500B2 (en) * | 2008-11-12 | 2012-01-03 | Global Oled Technology Llc | OLED device with fluoranthene electron injection materials |
US7968215B2 (en) * | 2008-12-09 | 2011-06-28 | Global Oled Technology Llc | OLED device with cyclobutene electron injection materials |
US8216697B2 (en) * | 2009-02-13 | 2012-07-10 | Global Oled Technology Llc | OLED with fluoranthene-macrocyclic materials |
US8147989B2 (en) * | 2009-02-27 | 2012-04-03 | Global Oled Technology Llc | OLED device with stabilized green light-emitting layer |
US20100244677A1 (en) * | 2009-03-31 | 2010-09-30 | Begley William J | Oled device containing a silyl-fluoranthene derivative |
US8206842B2 (en) | 2009-04-06 | 2012-06-26 | Global Oled Technology Llc | Organic element for electroluminescent devices |
JP5591328B2 (ja) | 2009-06-18 | 2014-09-17 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア | エレクトロルミネセントデバイスのための正孔輸送材料としてのフェナントロアゾール化合物 |
KR101912675B1 (ko) | 2010-10-04 | 2018-10-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 복합 재료, 발광 소자, 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치 |
JP6023461B2 (ja) | 2011-05-13 | 2016-11-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子、発光装置 |
WO2014070888A1 (en) | 2012-10-30 | 2014-05-08 | Massachusetts Institute Of Technology | Organic conductive materials and devices |
US10236450B2 (en) | 2015-03-24 | 2019-03-19 | Massachusetts Institute Of Technology | Organic conductive materials and devices |
CN104917993A (zh) * | 2015-05-29 | 2015-09-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示装置及视频通讯终端 |
CN105185303B (zh) | 2015-09-08 | 2017-10-31 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机发光二极管驱动电路和驱动方法 |
CN111244317B (zh) * | 2018-11-27 | 2022-06-07 | 海思光电子有限公司 | 一种光发射器件、终端设备 |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3530325A (en) | 1967-08-21 | 1970-09-22 | American Cyanamid Co | Conversion of electrical energy into light |
US3621321A (en) | 1969-10-28 | 1971-11-16 | Canadian Patents Dev | Electroluminescent device with light emitting aromatic, hydrocarbon material |
US3935031A (en) | 1973-05-07 | 1976-01-27 | New England Institute, Inc. | Photovoltaic cell with enhanced power output |
US4356429A (en) | 1980-07-17 | 1982-10-26 | Eastman Kodak Company | Organic electroluminescent cell |
US4539507A (en) | 1983-03-25 | 1985-09-03 | Eastman Kodak Company | Organic electroluminescent devices having improved power conversion efficiencies |
CH671726A5 (ja) | 1987-01-30 | 1989-09-29 | Charmilles Technologies | |
US4720432A (en) | 1987-02-11 | 1988-01-19 | Eastman Kodak Company | Electroluminescent device with organic luminescent medium |
US4885211A (en) | 1987-02-11 | 1989-12-05 | Eastman Kodak Company | Electroluminescent device with improved cathode |
US4769292A (en) | 1987-03-02 | 1988-09-06 | Eastman Kodak Company | Electroluminescent device with modified thin film luminescent zone |
US5364654A (en) * | 1990-06-14 | 1994-11-15 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Process for production of a thin film electrode and an electroluminescence device |
US5059062A (en) | 1990-06-14 | 1991-10-22 | Pat Bresnahan | Concrete path paver with removeable slip-forming screed |
US5047687A (en) * | 1990-07-26 | 1991-09-10 | Eastman Kodak Company | Organic electroluminescent device with stabilized cathode |
EP0549345B1 (en) * | 1991-12-24 | 1997-03-05 | MITSUI TOATSU CHEMICALS, Inc. | EL element comprising organic thin film |
US5429884A (en) * | 1992-01-17 | 1995-07-04 | Pioneer Electronic Corporation | Organic electroluminescent element |
US5405709A (en) * | 1993-09-13 | 1995-04-11 | Eastman Kodak Company | White light emitting internal junction organic electroluminescent device |
WO1997020355A1 (en) * | 1995-11-28 | 1997-06-05 | International Business Machines Corporation | Organic/inorganic alloys used to improve organic electroluminescent devices |
JPH10270171A (ja) * | 1997-01-27 | 1998-10-09 | Junji Kido | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
US5739545A (en) * | 1997-02-04 | 1998-04-14 | International Business Machines Corporation | Organic light emitting diodes having transparent cathode structures |
JPH10223372A (ja) * | 1997-02-10 | 1998-08-21 | Sony Corp | 有機電界発光素子およびこれを用いたフラットパネルディスプレイ |
US5989737A (en) * | 1997-02-27 | 1999-11-23 | Xerox Corporation | Organic electroluminescent devices |
EP1044586B1 (en) * | 1997-10-09 | 2006-02-01 | The Trustees of Princeton University | Method for fabricating highly transparent non-metallic cathodes |
CN1155115C (zh) * | 1997-11-17 | 2004-06-23 | Lg电子株式会社 | 有机场致发光器件 |
-
1998
- 1998-07-28 US US09/123,601 patent/US6172459B1/en not_active Expired - Lifetime
-
1999
- 1999-07-15 EP EP99202335A patent/EP0977286B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-07-15 DE DE69933414T patent/DE69933414D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1999-07-28 JP JP21331299A patent/JP2000058266A/ja not_active Withdrawn
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002531467A (ja) * | 1998-12-02 | 2002-09-24 | サウス バンク ユニバーシティー エンタープライジズ リミテッド | エレクトロルミネセンスキノレート |
JP2002280184A (ja) * | 2001-03-16 | 2002-09-27 | Nippon Seiki Co Ltd | 有機電界発光素子 |
JP2010192455A (ja) * | 2002-08-09 | 2010-09-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
JP2004247309A (ja) * | 2003-02-14 | 2004-09-02 | Eastman Kodak Co | 有機発光デバイス |
JP2004247310A (ja) * | 2003-02-14 | 2004-09-02 | Eastman Kodak Co | 有機発光デバイスの形成方法 |
JP2004296410A (ja) * | 2003-03-28 | 2004-10-21 | Seiko Epson Corp | エレクトロルミネセンス素子及びその製造方法 |
KR101292144B1 (ko) | 2005-05-23 | 2013-08-09 | 톰슨 라이센싱 | 콤포지트 투명 상단 전극이 마련된, 조명 또는 이미지를 디스플레이하는 발광 패널 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0977286A2 (en) | 2000-02-02 |
US6172459B1 (en) | 2001-01-09 |
DE69933414D1 (de) | 2006-11-16 |
EP0977286B1 (en) | 2006-10-04 |
EP0977286A3 (en) | 2003-09-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2000058266A (ja) | 有機発光構造体と陰極緩衝層との間に改質界面を与える電子注入層 | |
JP4718643B2 (ja) | 有機発光素子及びその製造方法 | |
US6140763A (en) | Interfacial electron-injecting layer formed from a doped cathode for organic light-emitting structure | |
JP2851185B2 (ja) | 有機エレクトロルミネセンス媒体を有するエレクトロルミネセンス装置 | |
JP2846977B2 (ja) | 安定化カソードを有する有機エレクトロルミネセンス装置 | |
JP2879080B2 (ja) | 電界発光素子 | |
JP2846980B2 (ja) | 改良されたカソードを有するエレクトロルミネセンス装置 | |
JP2723242B2 (ja) | カソードを改善した電界発光デバイス | |
EP0278758B1 (en) | Electroluminescent device with organic luminescent medium | |
EP1083612A2 (en) | Efficient electron-injection for organic electroluminescent devices | |
JP3551475B2 (ja) | 薄膜型el素子 | |
JPH11149985A (ja) | 無機電子輸送層を有する有機エレクトロルミネセンスデバイス | |
JPH04308688A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JPH05101892A (ja) | 安定化溶融金属粒子カソードを有する有機エレクトロルミネセンス装置 | |
JP2001085158A (ja) | 有機電界発光素子 | |
US6597109B1 (en) | Organic EL device and method for production thereof | |
JP2004335143A (ja) | 発光素子 | |
US20040076854A1 (en) | Thin film EL device | |
US6917158B2 (en) | High-qualty aluminum-doped zinc oxide layer as transparent conductive electrode for organic light-emitting devices | |
JPWO2002094965A1 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JPH01313892A (ja) | 画像表示装置及びその製造方法 | |
JPH07166160A (ja) | 有機薄膜el素子 | |
JP2000007604A (ja) | ジスチリルアリーレン誘導体および有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JPH11121172A (ja) | 有機el素子 | |
JP4154869B2 (ja) | 有機電界発光素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060606 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060606 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20060913 |