JP2000048726A - 透明導電膜付きガラス基板とその製法 - Google Patents
透明導電膜付きガラス基板とその製法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】焼成後に表面抵抗をいちいちチェック・分別す
ることなく、低抵抗且つ高品質の透明導電膜付きガラス
基板を安定且つ効率よく製造することが出来る導電膜付
き基板およびその製造方法に関する。 【解決手段】透明ガラス基板上に酸化インジウムを主成
分とする透明導電膜を形成し、その上にガラス質絶縁層
を形成する基板において、該透明導電膜は結晶方位の揃
った結晶子が複数個集合して形成された結晶粒子から構
成され、該結晶粒子の平均サイズは５００nm以上で且つ
格子常数が１.０１５nm〜１.０２２nmの範囲にあるこ
と。
ることなく、低抵抗且つ高品質の透明導電膜付きガラス
基板を安定且つ効率よく製造することが出来る導電膜付
き基板およびその製造方法に関する。 【解決手段】透明ガラス基板上に酸化インジウムを主成
分とする透明導電膜を形成し、その上にガラス質絶縁層
を形成する基板において、該透明導電膜は結晶方位の揃
った結晶子が複数個集合して形成された結晶粒子から構
成され、該結晶粒子の平均サイズは５００nm以上で且つ
格子常数が１.０１５nm〜１.０２２nmの範囲にあるこ
と。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマディスプ
レイ（以下、ＰＤＰと略す）の前面ガラス基板に用いる
ことのできる透明導電膜付きガラス基板に関するもので
ある。
レイ（以下、ＰＤＰと略す）の前面ガラス基板に用いる
ことのできる透明導電膜付きガラス基板に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】カラーＰＤＰは、液晶ディスプレイやエ
レクトロルミネッセンスディスプレイなどのフラットパ
ネルディスプレイに比べて大型化しやすいために、２０
〜６０インチ型の産業用ディスプレイや民生用の大画面
壁掛けテレビとして開発が進められ、既に４０インチ型
クラスが実用化されている。
レクトロルミネッセンスディスプレイなどのフラットパ
ネルディスプレイに比べて大型化しやすいために、２０
〜６０インチ型の産業用ディスプレイや民生用の大画面
壁掛けテレビとして開発が進められ、既に４０インチ型
クラスが実用化されている。
【０００３】実用化が進んでいる面放電型ＰＤＰに用い
られるガラス基板は、導電膜をパターニングした前面ガ
ラス基板と、蛍光体層などを形成した背面ガラス基板の
２枚のガラス基板から構成されている。その内、前面ガ
ラス基板は、ガラス基板上に成膜した透明導電膜をパタ
ーニングし、セル内にプラズマを放電させる透明櫛形電
極を形成し、該電極表面の一部にバス電極を設けた後に
ガラス質絶縁層を全面に被覆し、最後に耐プラズマ保護
層としてのＭgＯ膜をさらに成膜する構成となってい
る。この際、ガラス質絶縁層を被覆したのち焼成する場
合に、該ガラス質絶縁層と透明櫛形電極を形成している
導電膜が反応し、該透明電極が浸食され、該櫛形電極の
シート抵抗が増加する現象が生じる。櫛形電極の抵抗が
大きくなり過ぎると、同一電力で駆動しても発光度が低
下し、ＰＤＰの輝度が下がるという問題が生じ、従来、
例えば特願平９−６５８４６号（当社出願）ではガラス
組成に酸化インジュウム成分を添加することでＩＴＯ膜
とガラス質絶縁層間の濃度勾配を少なくし、焼成時の浸
食を軽減する方法が提案されているが、未だ充分なもの
とは言えない。
られるガラス基板は、導電膜をパターニングした前面ガ
ラス基板と、蛍光体層などを形成した背面ガラス基板の
２枚のガラス基板から構成されている。その内、前面ガ
ラス基板は、ガラス基板上に成膜した透明導電膜をパタ
ーニングし、セル内にプラズマを放電させる透明櫛形電
極を形成し、該電極表面の一部にバス電極を設けた後に
ガラス質絶縁層を全面に被覆し、最後に耐プラズマ保護
層としてのＭgＯ膜をさらに成膜する構成となってい
る。この際、ガラス質絶縁層を被覆したのち焼成する場
合に、該ガラス質絶縁層と透明櫛形電極を形成している
導電膜が反応し、該透明電極が浸食され、該櫛形電極の
シート抵抗が増加する現象が生じる。櫛形電極の抵抗が
大きくなり過ぎると、同一電力で駆動しても発光度が低
下し、ＰＤＰの輝度が下がるという問題が生じ、従来、
例えば特願平９−６５８４６号（当社出願）ではガラス
組成に酸化インジュウム成分を添加することでＩＴＯ膜
とガラス質絶縁層間の濃度勾配を少なくし、焼成時の浸
食を軽減する方法が提案されているが、未だ充分なもの
とは言えない。
【０００４】また、櫛形電極は、ガラス質絶縁層を被覆
後焼成したのちの膜付きガラス基板について表面抵抗値
を測定して初めて、該表面抵抗値が所定の数値範囲に入
っているかどうかいちいちチェック・分別されるため、
非常に手間がかかり生産効率が悪かった。
後焼成したのちの膜付きガラス基板について表面抵抗値
を測定して初めて、該表面抵抗値が所定の数値範囲に入
っているかどうかいちいちチェック・分別されるため、
非常に手間がかかり生産効率が悪かった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、前記のこ
れらの問題について検討した結果、電極をパターニング
する前の透明導電膜の結晶の格子定数及び結晶粒子の大
きさを管理することにより、従来のように焼成後に表面
抵抗値をいちいちチェックしなくともガラス質絶縁層を
被覆・焼成後の透明電極付きガラス基板の表面抵抗は、
５９０℃で３０分焼成後で４０Ω／□を越えない低抵抗
のものが安定して製造することができることを見出した
ものである。
れらの問題について検討した結果、電極をパターニング
する前の透明導電膜の結晶の格子定数及び結晶粒子の大
きさを管理することにより、従来のように焼成後に表面
抵抗値をいちいちチェックしなくともガラス質絶縁層を
被覆・焼成後の透明電極付きガラス基板の表面抵抗は、
５９０℃で３０分焼成後で４０Ω／□を越えない低抵抗
のものが安定して製造することができることを見出した
ものである。
【０００６】すなわち本発明は、透明ガラス基板上に酸
化インジュウムを主成分とする透明導電膜を形成し、そ
の上にガラス質絶縁層を形成する基板において、該透明
導電膜は結晶方位の揃った結晶子が複数個集合して形成
された結晶粒子から構成され、該結晶粒子の平均サイズ
は５００ｎｍ以上で且つ格子定数ａ0 が１.０１５ｎｍ
〜１.０２２ｎｍの範囲にあるプラズマディスプレイ用
透明導電膜付きガラス基板に関する。
化インジュウムを主成分とする透明導電膜を形成し、そ
の上にガラス質絶縁層を形成する基板において、該透明
導電膜は結晶方位の揃った結晶子が複数個集合して形成
された結晶粒子から構成され、該結晶粒子の平均サイズ
は５００ｎｍ以上で且つ格子定数ａ0 が１.０１５ｎｍ
〜１.０２２ｎｍの範囲にあるプラズマディスプレイ用
透明導電膜付きガラス基板に関する。
【０００７】また、透明導電膜上にガラス質絶縁層を被
覆した表面抵抗値の小さいプラズマディスプレイ用透明
導電膜付きガラス基板とすることが好ましい。さらに本
発明は、初期表面抵抗値が２０Ω/□以下である透明導
電膜付きガラス基板上に、ガラスペーストを塗布して絶
縁層を被覆した後、焼成することにより５８０℃で３０
分間焼成した後の表面抵抗値が２５Ω/□以下、５９０
℃で３０分間焼成した後の表面抵抗値が４０Ω/□以下
の条件を満たすプラズマディスプレイ用透明導電膜付き
ガラス基板の製法に関する。
覆した表面抵抗値の小さいプラズマディスプレイ用透明
導電膜付きガラス基板とすることが好ましい。さらに本
発明は、初期表面抵抗値が２０Ω/□以下である透明導
電膜付きガラス基板上に、ガラスペーストを塗布して絶
縁層を被覆した後、焼成することにより５８０℃で３０
分間焼成した後の表面抵抗値が２５Ω/□以下、５９０
℃で３０分間焼成した後の表面抵抗値が４０Ω/□以下
の条件を満たすプラズマディスプレイ用透明導電膜付き
ガラス基板の製法に関する。
【０００８】
【発明の実施形態】次に本発明の実施の態様について説
明する。本発明に用いられる透明ガラス基板としては、
ＰＤＰ用の高歪み点ガラス、アルカリバリアーとして酸
化シリコンを被覆したソーダ石灰ガラス、無アルカリガ
ラス等を、主として用いることが出来るがこれらに限定
されるものではない。
明する。本発明に用いられる透明ガラス基板としては、
ＰＤＰ用の高歪み点ガラス、アルカリバリアーとして酸
化シリコンを被覆したソーダ石灰ガラス、無アルカリガ
ラス等を、主として用いることが出来るがこれらに限定
されるものではない。
【０００９】本発明の透明導電膜については、酸化イン
ジュウムを主成分とする膜としては、酸化インジュウム
膜に酸化錫を添加させた膜（以下、ＩＴＯ膜と略す）が
好ましく、ＳｎＯ2単独膜よりも比抵抗が低く、１００〜
２００ｎｍまで薄膜化が可能なために、９０％ 程度の
高い透過率（５５０ｎｍ）が得られるとともに、エッチ
ング特性に優れ、櫛形電極へのパターンニングも容易で
あるため、前面ガラス基板に被覆する透明導電膜として
は特に好ましい。なお、ＩＴＯ膜中に添加する酸化錫の
量は、約５〜１０重量％程度が特に適する。なお、この
ＩＴＯ膜の成膜は、熱分解法、スパッタリング法等特に
その被覆方法は限定するものではない。
ジュウムを主成分とする膜としては、酸化インジュウム
膜に酸化錫を添加させた膜（以下、ＩＴＯ膜と略す）が
好ましく、ＳｎＯ2単独膜よりも比抵抗が低く、１００〜
２００ｎｍまで薄膜化が可能なために、９０％ 程度の
高い透過率（５５０ｎｍ）が得られるとともに、エッチ
ング特性に優れ、櫛形電極へのパターンニングも容易で
あるため、前面ガラス基板に被覆する透明導電膜として
は特に好ましい。なお、ＩＴＯ膜中に添加する酸化錫の
量は、約５〜１０重量％程度が特に適する。なお、この
ＩＴＯ膜の成膜は、熱分解法、スパッタリング法等特に
その被覆方法は限定するものではない。
【００１０】透明導電膜上にガラス質絶縁層を被覆する
のは、ガラスの粉末ペーストを電極上にパターン印刷し
たのち、５８０℃〜５９０℃で焼成して形成することが
できる。これらに用いるガラスは、ガラス層内部に気泡
が多量に存在すると、絶縁破壊や光散乱による色のにじ
みが生じるため、ガラスとしては絶縁性能に優れると同
時に、比較的軟化点が低く（５００℃程度)、泡切れの良
いガラス組成のものが好ましい。
のは、ガラスの粉末ペーストを電極上にパターン印刷し
たのち、５８０℃〜５９０℃で焼成して形成することが
できる。これらに用いるガラスは、ガラス層内部に気泡
が多量に存在すると、絶縁破壊や光散乱による色のにじ
みが生じるため、ガラスとしては絶縁性能に優れると同
時に、比較的軟化点が低く（５００℃程度)、泡切れの良
いガラス組成のものが好ましい。
【００１１】実施例１ 透明導電膜の成膜；厚み２．５ｍｍ、大きさ１５０ｍ
ｍ×１５０ｍｍのフロート法により製造されたソーダ石
灰ガラス基板表面に、スパッタ法により８重量％の酸化
錫を含有した厚さ９０ｎｍの透明導電膜であるＩＴＯ膜
を成膜する。
ｍ×１５０ｍｍのフロート法により製造されたソーダ石
灰ガラス基板表面に、スパッタ法により８重量％の酸化
錫を含有した厚さ９０ｎｍの透明導電膜であるＩＴＯ膜
を成膜する。
【００１２】格子常数；成膜したＩＴＯ膜のＸ線回折
（ＣｕＫα）を測定し、式ａ0＝ｄh kl×（ｈ2＋ｋ2＋ｌ
2）1/2（ここで、ａ0：格子常数（ｎｍ）、ｄhkl：面間
隔（Ａ）により全ての回折線の面間隔から格子常数を算
出し、その値を平均して求めた格子常数（ａ0）が１．
０２１２ｎｍのサンプルを選別し、実施例１のサンプル
とした。
（ＣｕＫα）を測定し、式ａ0＝ｄh kl×（ｈ2＋ｋ2＋ｌ
2）1/2（ここで、ａ0：格子常数（ｎｍ）、ｄhkl：面間
隔（Ａ）により全ての回折線の面間隔から格子常数を算
出し、その値を平均して求めた格子常数（ａ0）が１．
０２１２ｎｍのサンプルを選別し、実施例１のサンプル
とした。
【００１３】Ｘ線回折装置で測定（ＣuＫα1）したとこ
ろ、回折線はＩn2Ｏ3の面指数（ＡＳＴＭカードＮo.６-
０４１６）で指数付けができ、ＳnＯ2などの回折線は検
出されなかった。そこで、試料は全てＳnＯ2を固溶した
Ｉn2Ｏ3（ＩＴＯ）１相からなるものとして回折線の面
間隔（ｄhkl）から式１を用いて格子常数（ａ0）を求め
た。選別したサンプルのＩＴＯ膜のＸ線回折（ＣｕＫ
α）パターンを図１に、またＸ線回折データ（面間隔、
強度）を表１に示す。
ろ、回折線はＩn2Ｏ3の面指数（ＡＳＴＭカードＮo.６-
０４１６）で指数付けができ、ＳnＯ2などの回折線は検
出されなかった。そこで、試料は全てＳnＯ2を固溶した
Ｉn2Ｏ3（ＩＴＯ）１相からなるものとして回折線の面
間隔（ｄhkl）から式１を用いて格子常数（ａ0）を求め
た。選別したサンプルのＩＴＯ膜のＸ線回折（ＣｕＫ
α）パターンを図１に、またＸ線回折データ（面間隔、
強度）を表１に示す。
【００１４】
【表１】
【００１５】なおＸ線回折は、理学電機製Ｘ線回折装置
（型式：ＲＩＮＴ１０００）を用いて測定した。このサ
ンプルのＩＴＯ膜の結晶性は、図１に示す回折パターン
に示すように、最も強度の高い（２２２）面のピーク強
度（Ｉ222）は非常に高く、ＩＴＯ膜の結晶性は優れて
いることが確認出来る。
（型式：ＲＩＮＴ１０００）を用いて測定した。このサ
ンプルのＩＴＯ膜の結晶性は、図１に示す回折パターン
に示すように、最も強度の高い（２２２）面のピーク強
度（Ｉ222）は非常に高く、ＩＴＯ膜の結晶性は優れて
いることが確認出来る。
【００１６】結晶子サイズ；選別したサンプルのＩＴ
Ｏ膜のＸ線回折において、２θ＝２０°〜４５°の範囲
を走査速度２°／分で精密測定したのち、下記の式を用
いて、（２２２）面方向と（４００）面方向のＩＴＯ粒
子を形成する結晶子（単結晶）の結晶子サイズ
（Ｄ222）及び（Ｄ400）を求めた。
Ｏ膜のＸ線回折において、２θ＝２０°〜４５°の範囲
を走査速度２°／分で精密測定したのち、下記の式を用
いて、（２２２）面方向と（４００）面方向のＩＴＯ粒
子を形成する結晶子（単結晶）の結晶子サイズ
（Ｄ222）及び（Ｄ400）を求めた。
【００１７】Ｄhkl＝ｋ×λ／βcosθ ここで、 Ｄhkl：（ｈｋｌ）方向に垂直な結晶子サイズ（Ａ） λ ：測定Ｘ線波長（ここでは、ＣuＫα1=１.５４０５
６Ａ） β ：結晶子の大きさによる回折線の拡がり β=半値幅（ＦＷＨＭ(°)）×π／３６０° θ ：回折線のブラッグ角 Ｋ ：定数 なお、結晶サイズを求める計算の基礎データを表２に示
す。
６Ａ） β ：結晶子の大きさによる回折線の拡がり β=半値幅（ＦＷＨＭ(°)）×π／３６０° θ ：回折線のブラッグ角 Ｋ ：定数 なお、結晶サイズを求める計算の基礎データを表２に示
す。
【００１８】
【表２】
【００１９】結晶粒子の平均サイズ；サンプルのＩＴ
Ｏ膜の膜表面を日立製作所製ＦＥ−ＳＥＭ（型式：Ｓ−
４５００）を用いて、観察した。図２にその表面写真を
示す。図２の写真より、結晶粒子の平均サイズを次のよ
うな方法で測定する。ＩＴＯ膜の表面をＳＥＭ写真で撮
影し、該ＳＥＭ写真上に直線を引き、直線と交わる粒子
の長さ(インターセプト長）から粒径を求め、各粒子の
値を平均して平均粒径を求める。
Ｏ膜の膜表面を日立製作所製ＦＥ−ＳＥＭ（型式：Ｓ−
４５００）を用いて、観察した。図２にその表面写真を
示す。図２の写真より、結晶粒子の平均サイズを次のよ
うな方法で測定する。ＩＴＯ膜の表面をＳＥＭ写真で撮
影し、該ＳＥＭ写真上に直線を引き、直線と交わる粒子
の長さ(インターセプト長）から粒径を求め、各粒子の
値を平均して平均粒径を求める。
【００２０】結果、スパッタ法で成膜したＩＴＯ膜に一
般に見られる多数の結晶粒子からなる表面構造が認めら
れ、これらの結晶粒子は結晶軸が揃った多数の結晶子
（単結晶）が格子の乱れが殆どない状態で密に集合して
形成された領域であり、粒界を介して他の結晶粒子と接
している。なお、上記の結晶子サイズから式２により求
めた結晶粒子の平均サイズは、平均粒径が５９０ｎｍと
大きいものであった。
般に見られる多数の結晶粒子からなる表面構造が認めら
れ、これらの結晶粒子は結晶軸が揃った多数の結晶子
（単結晶）が格子の乱れが殆どない状態で密に集合して
形成された領域であり、粒界を介して他の結晶粒子と接
している。なお、上記の結晶子サイズから式２により求
めた結晶粒子の平均サイズは、平均粒径が５９０ｎｍと
大きいものであった。
【００２１】絶縁層の被覆；上記サンプルのＩＴＯ膜
の表面にガラス質の絶縁層を次のように被覆した。ガラ
スは、焼成時の膜浸食を抑制するためにIｎ2Ｏ3とＳｎ
Ｏ2を添加した軟化点が５１０℃の誘電体ガラス（当社
出願：特願平９ー６５８４６号）を使用した。この誘電
体ガラスから調整したガラスペーストを、絶縁層の膜厚
が１０μｍになるようにＩＴＯ膜付きガラス板にスクリ
ーン（ ２５０）印刷法で塗布した。
の表面にガラス質の絶縁層を次のように被覆した。ガラ
スは、焼成時の膜浸食を抑制するためにIｎ2Ｏ3とＳｎ
Ｏ2を添加した軟化点が５１０℃の誘電体ガラス（当社
出願：特願平９ー６５８４６号）を使用した。この誘電
体ガラスから調整したガラスペーストを、絶縁層の膜厚
が１０μｍになるようにＩＴＯ膜付きガラス板にスクリ
ーン（ ２５０）印刷法で塗布した。
【００２２】表面抵抗値の測定；上記ガラスペースト
を塗布したサンプルを自然乾燥したのち電気炉に入れ、
室温〜３３０℃を昇温速度１０℃／分で、３３０〜３８
０℃を昇温速度１．７℃／分で、３８０〜所定温度を昇
温速度１０℃／分で昇温した。所定温度に達したのち３
０分間保持し、その後電源を切って放冷した。焼成後、
７モル％の硝酸水溶液に３分間浸漬して表面のガラス質
絶縁層を除去し、ＩＴＯ膜の表面抵抗値をＮＡＰＳＯＮ
製４探針器（型式：ＲＴ−８Ｓ）で測定した。なお、ガ
ラス質絶縁層を被覆する前のサンプルについても同様に
表面抵抗値（初期値）を測定した。表面抵抗値の測定結
果を、表３に示す。
を塗布したサンプルを自然乾燥したのち電気炉に入れ、
室温〜３３０℃を昇温速度１０℃／分で、３３０〜３８
０℃を昇温速度１．７℃／分で、３８０〜所定温度を昇
温速度１０℃／分で昇温した。所定温度に達したのち３
０分間保持し、その後電源を切って放冷した。焼成後、
７モル％の硝酸水溶液に３分間浸漬して表面のガラス質
絶縁層を除去し、ＩＴＯ膜の表面抵抗値をＮＡＰＳＯＮ
製４探針器（型式：ＲＴ−８Ｓ）で測定した。なお、ガ
ラス質絶縁層を被覆する前のサンプルについても同様に
表面抵抗値（初期値）を測定した。表面抵抗値の測定結
果を、表３に示す。
【００２３】
【表３】
【００２４】また、５９０℃で焼成したガラス質絶縁層
を除去したＩＴＯ膜と、ガラス質絶縁層を被覆する前の
ＩＴＯ膜のＸ線回折パターンの比較を図３に示す。この
図３から（２２２）面等の各回折線の強度は、焼成後ほ
ぼ同率で減少しており、浸食は全ての結晶面にほぼ均等
に生じているものと考えられる。
を除去したＩＴＯ膜と、ガラス質絶縁層を被覆する前の
ＩＴＯ膜のＸ線回折パターンの比較を図３に示す。この
図３から（２２２）面等の各回折線の強度は、焼成後ほ
ぼ同率で減少しており、浸食は全ての結晶面にほぼ均等
に生じているものと考えられる。
【００２５】表面抵抗値については、ガラス質絶縁層を
被覆する前の初期値よりも焼成後の表面抵抗値は増加し
ており、ガラス質絶縁層をＩＴＯ膜上に被覆・焼成する
ことにより、ＩＴＯ膜が浸食され、抵抗値が増加したも
のと考えられる。焼成条件を５８０℃−３０分で焼成し
た場合の表面抵抗値は、２１．２Ω／□であり、５９０
℃−３０分で焼成した場合の表面抵抗値は、３５．３Ω
／□であり、５９０℃で焼成した場合の目標値である焼
成後の表面抵抗値が４０Ω／□以下を充分クリアーして
おり、好ましいものであった。
被覆する前の初期値よりも焼成後の表面抵抗値は増加し
ており、ガラス質絶縁層をＩＴＯ膜上に被覆・焼成する
ことにより、ＩＴＯ膜が浸食され、抵抗値が増加したも
のと考えられる。焼成条件を５８０℃−３０分で焼成し
た場合の表面抵抗値は、２１．２Ω／□であり、５９０
℃−３０分で焼成した場合の表面抵抗値は、３５．３Ω
／□であり、５９０℃で焼成した場合の目標値である焼
成後の表面抵抗値が４０Ω／□以下を充分クリアーして
おり、好ましいものであった。
【００２６】実施例２〜５ 実施例１と同条件でＩＴＯ導電膜をスパッタし、Ｘ線回
折法による透明導電膜の格子常数が１．Ｏ２１ｎｍ以下
の値のものを選別し、実施例２〜５のサンプルとした。
なお、各サンプルのＸ線回折データを表１に示す。
折法による透明導電膜の格子常数が１．Ｏ２１ｎｍ以下
の値のものを選別し、実施例２〜５のサンプルとした。
なお、各サンプルのＸ線回折データを表１に示す。
【００２７】次に、実施例１と同様の方法で、結晶粒子
の平均サイズを求めた。結果、結晶粒子の平均サイズ
は、何れも５６５〜６５０ｎｍの範囲であり、比較的大
きい粒径を有していた。なお、結晶子サイズおよび結晶
粒子の平均粒径の結果を表３に示す。また、実施例５の
（２２２）面と（４００）面の結晶子サイズ計算の基礎
データを表２に示す。
の平均サイズを求めた。結果、結晶粒子の平均サイズ
は、何れも５６５〜６５０ｎｍの範囲であり、比較的大
きい粒径を有していた。なお、結晶子サイズおよび結晶
粒子の平均粒径の結果を表３に示す。また、実施例５の
（２２２）面と（４００）面の結晶子サイズ計算の基礎
データを表２に示す。
【００２８】さらに、表面抵抗値も実施例１と同様な方
法で測定した。その結果、表３に示すように、何れのサ
ンプルも５８０℃で３０分間焼成したサンプルについて
は２２Ω／□以下であるとともに、５９０℃で３０分間
焼成下サンプルの表面抵抗値は４０Ω／□以下と低抵抗
であり、好ましいものであった。
法で測定した。その結果、表３に示すように、何れのサ
ンプルも５８０℃で３０分間焼成したサンプルについて
は２２Ω／□以下であるとともに、５９０℃で３０分間
焼成下サンプルの表面抵抗値は４０Ω／□以下と低抵抗
であり、好ましいものであった。
【００２９】比較例１〜５ 実施例１と同条件でＩＴＯ導電膜をスパッタし、Ｘ線回
折法による透明導電膜の格子常数が１．Ｏ２３ｎｍ以上
の値のものを選別し、比較例１〜４のサンプルとした。
なお、各サンプルのＸ線回折データを表１に示す。
折法による透明導電膜の格子常数が１．Ｏ２３ｎｍ以上
の値のものを選別し、比較例１〜４のサンプルとした。
なお、各サンプルのＸ線回折データを表１に示す。
【００３０】次に、実施例１と同様の方法で、結晶粒子
の平均サイズを求めた。結果、結晶子が集合して形成さ
れた結晶粒子の平均サイズは、３９０〜４５０ｎｍの範
囲であり、実施例１〜５のものに比較してかなり小さい
粒径を有している。なお、比較例２と比較例４の結晶子
サイズを計算する基礎データを表２に示す。また、比較
例２のＩＴＯ膜（焼成前）の膜表面を実施例１と同様の
方法でＳＥＭを用いて観察した写真を、図４に示す。結
果、上記の結晶子サイズから式２により求めた結晶子が
集合して形成された結晶粒子は平均粒径が４３０ｎｍ
で、実施例１に比べて１６０ｎｍ小さい値であった。さ
らに、表面抵抗値も実施例と同様な方法で測定し、その
結果を表３に示す。
の平均サイズを求めた。結果、結晶子が集合して形成さ
れた結晶粒子の平均サイズは、３９０〜４５０ｎｍの範
囲であり、実施例１〜５のものに比較してかなり小さい
粒径を有している。なお、比較例２と比較例４の結晶子
サイズを計算する基礎データを表２に示す。また、比較
例２のＩＴＯ膜（焼成前）の膜表面を実施例１と同様の
方法でＳＥＭを用いて観察した写真を、図４に示す。結
果、上記の結晶子サイズから式２により求めた結晶子が
集合して形成された結晶粒子は平均粒径が４３０ｎｍ
で、実施例１に比べて１６０ｎｍ小さい値であった。さ
らに、表面抵抗値も実施例と同様な方法で測定し、その
結果を表３に示す。
【００３１】比較例１〜比較例５に用いたＩＴＯ膜の何
れの格子常数も１．０２３ｎｍ以上であり、さらにガラ
ス絶縁層を被覆した後の表面抵抗については、５８０℃
で３０分間焼成した場合がいずれのサンプルも３０Ω／
□以上であり、さらに５９０℃で焼成した場合の表面抵
抗値は、４９Ω／□以上であり、好ましいものでなかっ
た。
れの格子常数も１．０２３ｎｍ以上であり、さらにガラ
ス絶縁層を被覆した後の表面抵抗については、５８０℃
で３０分間焼成した場合がいずれのサンプルも３０Ω／
□以上であり、さらに５９０℃で焼成した場合の表面抵
抗値は、４９Ω／□以上であり、好ましいものでなかっ
た。
【００３２】
【発明の効果】本発明は、電極をパターニングする前の
透明導電膜の結晶の格子定数及び結晶粒子の大きさを予
め管理することにより、従来のように焼成後に表面抵抗
値をいちいちチェック・分別することなくガラス質絶縁
層を被覆・焼成後の透明電極付きガラス基板の表面抵抗
が５９０℃ー３０分間の焼成後も４０Ω／□を越えない
ものとすることが出来、低抵抗・高品質のものを安定し
て効率良く製造することができる効果を奏するものであ
る。
透明導電膜の結晶の格子定数及び結晶粒子の大きさを予
め管理することにより、従来のように焼成後に表面抵抗
値をいちいちチェック・分別することなくガラス質絶縁
層を被覆・焼成後の透明電極付きガラス基板の表面抵抗
が５９０℃ー３０分間の焼成後も４０Ω／□を越えない
ものとすることが出来、低抵抗・高品質のものを安定し
て効率良く製造することができる効果を奏するものであ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例１のＩＴＯ膜のＸ線回折パターン
【図２】実施例１のＩＴＯ膜の結晶組織を示すＳＥＭ写
真
真
【図３】実施例１のＩＴＯ膜の焼成前後のＸ線回折パタ
ーン
ーン
【図４】比較例２のＩＴＯ膜の結晶組織を示すＳＥＭ写
真
真
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｊ 17/16 Ｈ０１Ｊ 17/16 Ｆターム(参考） 4G059 AA07 AC12 AC20 EA03 EB04 GA01 GA04 GA12 5C027 AA03 AA06 5C040 AA04 DD02 DD03 DD07 EE06 5C094 AA03 AA42 AA43 BA31 CA19 DA13 EA05 EB02 FB02 FB12 FB15 GB10 JA08
Claims (3)
- 【請求項１】透明ガラス基板上に酸化インジュウムを主
成分とする透明導電膜を形成し、その上にガラス質絶縁
層を形成する基板において、該透明導電膜は結晶方位の
揃った結晶子が複数個集合して形成された結晶粒子から
構成され、該結晶粒子の平均サイズは５００ｎｍ以上で
且つ格子定数ａ0 が１.０１５ｎｍ〜１.０２２ｎｍの範
囲にあることを特徴とするプラズマディスプレイ用透明
導電膜付きガラス基板。 - 【請求項２】透明導電膜上にガラス質絶縁層を被覆した
表面抵抗値の小さい請求項１記載のプラズマディスプレ
イ用透明導電膜付きガラス基板。 - 【請求項３】初期表面抵抗値が２０Ω/□以下である請
求項１記載の透明導電膜付きガラス基板上に、ガラスペ
ーストを塗布して絶縁層を被覆した後、焼成することに
より５８０℃で３０分間焼成した後の表面抵抗値が２５
Ω/□以下、５９０℃で３０分間焼成した後の表面抵抗
値が４０Ω/□以下の条件を満たす請求項２記載のプラ
ズマディスプレイ用透明導電膜付きガラス基板の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21261998A JP3549089B2 (ja) | 1998-07-28 | 1998-07-28 | 透明導電膜付きガラス基板とその製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21261998A JP3549089B2 (ja) | 1998-07-28 | 1998-07-28 | 透明導電膜付きガラス基板とその製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000048726A true JP2000048726A (ja) | 2000-02-18 |
| JP3549089B2 JP3549089B2 (ja) | 2004-08-04 |
Family
ID=16625687
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21261998A Expired - Fee Related JP3549089B2 (ja) | 1998-07-28 | 1998-07-28 | 透明導電膜付きガラス基板とその製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3549089B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005302356A (ja) * | 2004-04-07 | 2005-10-27 | Nippon Soda Co Ltd | 透明導電膜膜、及び透明導電膜形成材料 |
| JP2007122994A (ja) * | 2005-10-27 | 2007-05-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
| JP2022033120A (ja) * | 2020-03-19 | 2022-02-28 | 日東電工株式会社 | 透明導電層および透明導電性フィルム |
-
1998
- 1998-07-28 JP JP21261998A patent/JP3549089B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005302356A (ja) * | 2004-04-07 | 2005-10-27 | Nippon Soda Co Ltd | 透明導電膜膜、及び透明導電膜形成材料 |
| JP4683525B2 (ja) * | 2004-04-07 | 2011-05-18 | 日本曹達株式会社 | 透明導電膜、及び透明導電膜形成材料 |
| JP2007122994A (ja) * | 2005-10-27 | 2007-05-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
| JP2022033120A (ja) * | 2020-03-19 | 2022-02-28 | 日東電工株式会社 | 透明導電層および透明導電性フィルム |
| JP7213941B2 (ja) | 2020-03-19 | 2023-01-27 | 日東電工株式会社 | 透明導電層および透明導電性フィルム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3549089B2 (ja) | 2004-08-04 |
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