KR100867285B1

KR100867285B1 - 전극 피복용 무연 유리

Info

Publication number: KR100867285B1
Application number: KR1020060123803A
Authority: KR
Inventors: 도시히로 다케우치; 사토시 후지미네
Original assignee: 아사히 가라스 가부시키가이샤
Priority date: 2005-12-09
Filing date: 2006-12-07
Publication date: 2008-11-06
Also published as: KR20070061415A

Abstract

과제

화학적 내구성이 우수하고, PDP 배면 기판의 전극 피복에 사용하는 것이 가능한 전극 피복용 무연 유리의 제공.

해결 수단

하기 산화물 기준의 몰% 표시로, SiO₂ 25 ∼ 55%, B₂O₃ 4 ∼ 25%, ZnO 5 ∼ 30%, Al₂O₃ 0 ∼ 10%, TiO₂ 0 ∼ 10%, Li₂O 0 ∼ 17%, Na₂O+K₂O 0 ∼ 10%, Bi₂O₃ 0 ∼ 25%, CoO+CuO+CeO₂+SnO₂ 0 ∼ 3%, 로 본질적으로 이루어지고, Al₂O₃ 을 함유하는 경우 B₂O₃+Al₂O₃ 이 26 몰% 이하이고, TiO₂, Na₂O 또는 K₂O 를 함유하는 경우 (TiO₂+4 몰%)≥(Na₂O+K₂O) 인 전극 피복용 무연 유리.

전극 피복, 무연 유리

Description

전극 피복용 무연 유리{LEAD-FREE GLASS FOR ELECTRODE COATING}

특허 문헌 1 : 일본 공개특허공보 2002-249343호

특허 문헌 2 : 일본 공개특허공보 2000-95542호

본 발명은, 유리 기판 상에 형성된 은, ITO (주석이 도핑된 산화 인듐), 산화 주석, 산화 아연, 알루미늄, 크롬 등의 전극을 절연 피복하는 데 바람직한 전극 피복용 무연 유리, 및 플라즈마 디스플레이 장치 (이하, PDP 라고 한다) 의 제조에 사용되는 격벽 장착 유리 기판의 제조 방법에 관한 것이다.

최근, 박형의 평판형 컬러 표시 장치가 주목되고 있다. 이러한 표시 장치에서는 화상을 형성하는 화소에 있어서의 표시 상태를 제어하기 위하여 각 화소에 전극이 형성된다. 이러한 전극으로는 은, ITO, 산화 주석, 알루미늄, 크롬 등이 사용되고 있다.

상기 표시 장치의 표시면으로서 사용되는 유리 기판의 표면에 형성되는 전극은, 세밀한 화상을 실현하기 위하여 가는 선상으로 가공된다. 그리고 각 화소를 독자적으로 제어하기 위해서는, 이러한 미세하게 가공된 전극 상호의 절연성을 확보할 필요가 있다. 그런데, 유리 기판의 표면에 수분이 존재하는 경우나 유리 기판 중에 알칼리 성분이 존재하는 경우, 이 유리 기판의 표면을 통하여 약간의 전류가 흐르는 경우가 있다. 이러한 전류를 방지하기 위해서는, 전극간에 절연층을 형성하는 것이 유효하다. 이러한 절연층을 형성하는 절연 재료로는 여러 가지가 알려져 있지만, 그 중에서도, 신뢰성이 높은 절연 재료인 유리 재료가 널리 사용되고 있다. 많은 경우, 상기 피복용 절연층은 소결성, 절연성 등의 점에서 납을 함유하는 유리가 사용되고 있다.

전극 피복용 유리에는, 앞서 서술한 바와 같은 전기 절연성 외에, 전형적으로는, 연화점 (Ts) 이 450 ∼ 600℃ 인 것, 50 ∼ 350℃ 에 있어서의 평균 선팽창 계수 (α) 가 60×10^-7 ∼ 90×10^-7/℃ 인 것 등이 요구되고 있고, 여러 가지 유리가 종래에 제안되고 있다.

최근에는 납을 함유하지 않는 유리가 요망되고 있고, 예를 들어, 질량 백분율 표시로, B₂O₃ 34.0%, SiO₂ 4.4%, ZnO 49.9%, BaO 3.9%, K₂O 7.8% 로 이루어지는 전극 피복용 유리가 개시되어 있다 (특허 문헌 1 참조).

최근 대형 평면 컬러 디스플레이 장치로서 기대되고 있는 PDP 에 있어서는, 표시면으로서 사용되는 전면 기판, 배면 기판 및 격벽에 의해 셀이 구획 형성되어 있고, 그 셀 중에서 플라즈마 방전을 발생시킴으로써 화상이 형성된다. 상기 전면 기판 및 배면 기판의 표면에는 전극이 형성되어 있고, 이 전극을 플라즈마로부터 보호하기 위하여, 플라즈마 내구성이 우수한 유리로 상기 전극을 피복할 필요 가 있다.

이러한 전극 피복에 사용되는 유리는, 통상적으로는 유리 분말로 하여 사용된다. 예를 들어, 상기 유리 분말에 필요에 따라 필러 등을 첨가한 후에 수지, 용제 등과 혼합하여 유리 페이스트로 하고 이것을 전극이 형성되어 있는 유리 기판에 도포 후 소성하는, 상기 유리 분말에 수지, 추가로 필요에 따라 무기 산화물 필러를 혼합하여 얻어진 페이스트를 전극이 형성되어 있는 유리 기판 상에 도포, 건조 후에 소성하는, 슬러리를 그린 시트로 성형하고 이것을 전극이 형성되어 있는 유리 기판 상에 적층(laminate) 후 소성하는, 등의 방법에 따라 상기 전극을 피복한다.

PDP 에서는 배면 기판 상의 전극을 피복한 절연층 (전극 피복 유리층) 위에 격벽을 형성한다. 격벽의 형성 방법은 다양한 것이 제안되어 있고, 그 하나로서 에칭법이 알려져 있다.

에칭법에서는 격벽용 페이스트를 절연층 위에 도포, 소성하여 격벽 형성용 유리층을 형성한 후, 격벽 형성에 불필요한 부분을 패터닝에 의해 노출시키고, 산 등으로 선택적으로 제거함으로써 격벽의 형성을 행한다 (특허 문헌 2 참조).

에칭법에서는, 산 등에 의해 격벽 형성용 유리층을 침식시킴으로써 격벽 구획을 형성하기 때문에, 그 과정에서, 격벽 하에 위치하는 전극 피복 유리층의 일부도 산 등에 노출된다. 이 때문에, 에칭법에 사용하는 전극 피복 재료는 화학적 내구성이 강한 것이 요구된다.

에칭법에 사용되는 전극 피복 유리층으로는 납 함유 유리가 사용되고 있지만, 이것을 납에 함유하지 않는 것으로 하고자 하면 화학적 내구성이 저하되어 에칭시에 전극 피복 유리층이 침식되기 쉬워지는 문제가 있었다.

본 발명은, 화학적 내구성이 우수하고, PDP 배면 기판의 전극 피복에 사용하는 것이 가능한 전극 피복용 무연 유리의 제공을 목적으로 한다.

과제를 해결하기 위한 수단

본 발명은, 하기 산화물 기준의 몰% 표시로, SiO₂ 25 ∼ 55%, B₂O₃ 4 ∼ 25%, ZnO 5 ∼ 30%, Al₂O₃ 0 ∼ 10%, TiO₂ 0 ∼ 10%, Li₂O 0 ∼ 17%, Na₂O+K₂O 0 ∼ 10%, Bi₂O₃ 0 ∼ 25%, CoO+CuO+CeO₂+SnO₂ 0 ∼ 3%, 로 본질적으로 이루어지고, Al₂O₃을 함유하는 경우 B₂O₃+Al₂O₃ 이 26 몰% 이하이고, TiO₂, Na₂O 또는 K₂O 를 함유하는 경우 (TiO₂+4 몰%)≥(Na₂O+K₂O) 인 전극 피복용 무연 유리 (이하, 제 1 유리라고 하는 경우가 있다) 를 제공한다.

또, 하기 산화물 기준의 몰% 표시로, SiO₂ 25 ∼ 55%, B₂O₃ 4 ∼ 25%, ZnO 5 ∼ 30%, Al₂O₃ 0 ∼ 10%, TiO₂ 2 ∼ 10%, Li₂O 0 ∼ 17%, Na₂O+K₂O 0 ∼ 10%, Bi₂O₃ 0 ∼ 25%, CoO+CuO+CeO₂+SnO₂ 0 ∼ 3%, 로 본질적으로 이루어지고, Al₂O₃ 을 함유하는 경우 B₂O₃+Al₂O₃ 이 26 몰% 이하인 전극 피복용 무연 유리 (이하, 제 2 유리라고 하 는 경우가 있다) 를 제공한다.

또, 상기 전극 피복용 무연 유리의 분말과, 그 분말 100 질량부에 대하여 0.1 ∼ 40 질량부의 비율의 무기 산화물 분말을 함유하는 유리 세라믹스 조성물을 제공한다.

또, PDP 의 제조에 사용되는 격벽 장착 유리 기판의 제조 방법으로서, 유리 기판 상에 형성된 전극을 상기 전극 피복용 무연 유리로 피복하고, 그 전극을 피복한 유리 위에 에칭법에 의해 격벽을 형성하는 격벽 장착 유리 기판의 제조 방법을 제공한다.

또, PDP 의 제조에 사용되는 격벽 장착 유리 기판의 제조 방법으로서, 유리 기판 상에 형성된 전극을 상기 유리 세라믹스 조성물을 함유하는 그린 시트 또는 동일 유리 세라믹스 조성물을 함유하는 유리 페이스트로 피복하여 소성하고, 그 그린 시트 또는 유리 페이스트의 소성체 위에 에칭법에 의해 격벽을 형성하는 격벽 장착 유리 기판의 제조 방법을 제공한다.

발명을 실시하기 위한 최선의 형태

본 발명의 전극 피복용 무연 유리 (이하, 본 발명의 유리라고 한다) 는 통상적으로, 분말상으로 하여 사용된다.

예를 들어, 본 발명의 유리의 분말, 또는 본 발명의 유리의 분말에 광학 특성, 전기 특성 혹은 색조 조정을 위하여 무기 산화물 필러를 첨가한 유리 세라믹스 조성물을, 인쇄성을 부여하기 위한 유기 비히클 등을 사용하여 유리 페이스트로 하고, 유리 기판 상에 형성된 전극 상에 상기 유리 페이스트를 도포, 소성하여 전극 을 피복한다.

또한, 유기 비히클이란 에틸셀룰로오스 등의 바인더를 α-테르피네올 등의 유기 용제에 용해시킨 것이다. 또, 유리 페이스트에 한정하지 않고 앞서 서술한 바와 같은 그린 시트법을 사용하여 전극을 피복해도 된다.

PDP 에 있어서는, 본 발명의 유리는 은 전극의 피복에 바람직하게 사용된다.

본 발명의 유리를 사용한 PDP 의 제조는, 예를 들어 교류 방식인 것이면 다음과 같이 하여 행해진다.

패터닝된 투명 전극 및 버스선 (전형적으로는 은선) 을 유리 기판의 표면에 형성하고, 그 위에 투명 전극 피복용 유리의 분말을 유리 페이스트법 또는 그린 시트법에 따라 도포·소성하여 유리층을 형성하고, 마지막으로 보호막으로서 산화 마그네슘의 층을 형성하여 전면 기판으로 한다.

한편, 패터닝된 어드레스용 전극을 다른 유리 기판의 표면에 형성하고, 그 위에 본 발명의 유리 분말 또는 본 발명의 유리 분말과 무기 산화물 분말의 혼합물 (유리 세라믹스 조성물) 을 유리 페이스트로 한 것을 도포·소성하여 유리층 또는 유리 함유층 (이하, 이것도 유리층이라고 하는 경우가 있다) 을 형성하고, 그 위에 에칭법이나 샌드블라스트법 등으로 격벽을 형성한다.

에칭법으로 격벽을 형성하는 경우, 종래의 전극 피복용 무연 유리에서는 침식이 발생하기 쉬웠지만, 본 발명의 유리를 사용함으로써 그 문제는 없어지거나 경감된다.

격벽을 형성하여 격벽 장착 유리 기판으로 한 후, 추가로 형광체층을 인쇄· 소성하여 배면 기판으로 한다. 또한, 상기 유리층을 형성하는 데 유리 페이스트를 사용하지 않고, 그린 시트법 등을 사용해도 된다.

전면 기판과 배면 기판의 주연 (周緣) 에 시일재를 디스펜서로 도포하고, 상기 투명 전극과 상기 어드레스용 전극이 대향하도록 조립한 후, 소성하여 PDP 로 한다. 그리고 PDP 내부를 배기하고, 방전 공간 (셀) 에 Ne 나 He-Xe 등의 방전 가스를 봉입한다.

또한, 상기의 예는 교류 방식인 것이지만, 본 발명의 유리는 직류 방식인 것에도 적용할 수 있다.

본 발명의 유리의 Ts 는 450 ∼ 600℃ 인 것이 바람직하다. 600℃ 초과에서는, 통상 사용되고 있는 유리 기판 (유리 전이점 : 550 ∼ 620℃) 이 소성시에 변형될 우려가 있다.

상기 유리 기판으로는 통상적으로, α 가 80×10^-7 ∼ 90×10^-7/℃ 인 것이 사용된다. 따라서 이러한 유리 기판과 팽창 특성을 매칭시키고, 유리 기판의 휨이나 강도의 저하를 방지하기 위해서는, 본 발명의 유리 또는 본 발명의 세라믹스 조성물의 소성체의 α 는 바람직하게는 60×10^-7 ∼ 90×10^-7/℃, 보다 바람직하게는 70×10^-7 ∼ 85×10^-7/℃ 이다.

본 발명의 유리는, Ts 가 450 ∼ 600℃, α 가 60×10^-7 ∼ 90×10^-7/℃ 인 것이 바람직하다.

본 발명의 유리의 250℃ 에 있어서의 비저항 (ρ) 은 10⁹Ω㎝ 이상인 것이 바람직하다. 10⁹Ω㎝ 미만에서는 전기 절연 불량이 일어날 우려가 있다.

다음으로, 본 발명의 유리의 조성에 대하여 몰 백분율 표시를 사용하여 설명한다.

SiO₂ 는 화학적 내구성을 향상시키는 성분이며, 필수이다. SiO₂ 가 25% 미만에서는 화학적 내구성이 저하되고, 바람직하게는 30% 이상, 보다 바람직하게는 35% 이상이다. SiO₂ 가 55% 초과에서는 Ts 가 높아지고, 바람직하게는 50% 이하, 보다 바람직하게는 48% 이하이다.

B₂O₃ 은 SiO₂ 정도로는 Ts 를 올리지 않고 유리를 안정화시킬 수 있는 성분이며, 필수이다. B₂O₃ 이 4% 미만에서는 Ts 가 높아지고, 바람직하게는 6% 이상, 보다 바람직하게는 8% 이상이다. B₂O₃ 이 25% 초과에서는 화학적 내구성이 저하되고, 바람직하게는 20% 이하, 보다 바람직하게는 18% 이하이다.

ZnO 는 Ts 를 저하시키는 성분이며, 필수이다. ZnO 가 5% 미만에서는 Ts 가 높아지고, 바람직하게는 9% 이상, 보다 바람직하게는 11% 이상이다. ZnO 가 30% 초과에서는 화학적 내구성이 저하되고, 또, 소성시에 결정이 석출되기 쉬워지고, 바람직하게는 28% 이하, 보다 바람직하게는 27% 이하, 특히 바람직하게는 26% 이하, 전형적으로는 24% 이하이다.

Al₂O₃ 은 필수는 아니지만, 유리를 안정화시키기 위하여 10% 까지 함유해도 된다. Al₂O₃ 이 10% 초과에서는 Ts 가 높아지고, 바람직하게는 8% 이하, 보다 바람직하게는 5% 이하이다.

Al₂O₃ 을 함유하는 경우 그 함유량은 1% 이상인 것이 바람직하다.

또, 그 경우 B₂O₃ 및 Al₂O₃의 함유량 합계 B₂O₃+Al₂O₃ 은 26% 이하이다. 이것이 26% 초과에서는 화학적 내구성이 저하된다.

제 1 유리에 있어서는, TiO₂ 는 필수는 아니지만, 화학적 내구성을 향상시킬 목적으로 10% 까지 함유해도 되고, 그 경우의 함유량은 전형적으로는 2% 이상이다. TiO₂ 가 10% 초과에서는 유리가 실투(失透)되기 쉬워지고, 바람직하게는 8% 이하, 보다 바람직하게는 7% 이하이다.

제 2 유리에 있어서는, TiO₂ 는 화학적 내구성을 향상시키는 성분이며, 필수이다. TiO₂ 는 전형적으로는 3% 이상, 바람직하게는 3.2% 이상이다. TiO₂ 가 10% 초과에서는 유리가 실투되기 쉬워지고, 바람직하게는 8% 이하, 보다 바람직하게는 7% 이하이다.

Li₂O 는 필수는 아니지만, Ts 를 저하시키는 효과를 갖고 17% 까지 함유해도 된다. Li₂O 가 17% 초과에서는 α 가 지나치게 커지고, 바람직하게는 15% 이하, 전형적으로는 13% 이하이다. Li₂O 를 함유하는 경우 그 함유량은 2% 이상인 것 이 바람직하다. Li₂O 가 2% 미만에서는 Ts 를 저하시키는 효과가 작고, 바람직하게는 4% 이상이다.

Na₂O 및 K₂O 는 모두 필수는 아니지만, Ts 를 저하시키기 위하여 어느 일방 또는 양자를 합계로 10% 까지의 범위에서 함유해도 된다. Na₂O+K₂O 가 10% 초과에서는 화학적 내구성이 저하되고, 또는 α 가 지나치게 커지고, 바람직하게는 8% 이하, 보다 바람직하게는 7% 이하, 전형적으로는 6% 이하이다.

제 1 유리에 있어서는, 화학적 내구성을 향상시키기 위하여, TiO₂, Na₂O 또는 K₂O 를 함유하는 경우에 있어서 TiO₂ 함유량에 4 몰% 를 가산한 값은 Na₂O 및 K₂O 의 함유량의 합계 이상이 된다. 예를 들어, TiO₂를 함유하지 않고 Na₂O 또는 K₂O 를 함유하는 경우에는 Na₂O+K₂O 는 4% 이하가 된다. (TiO₂+2%) 가 (Na₂O+K₂O) 이상인 것이 바람직하다.

제 1 유리에 있어서 Ts 를 저하시키고자 하는 경우에는, TiO₂ 는 함유하지 않도록 하거나 2% 미만의 범위에서 함유하도록 하는 것이 바람직하다.

Bi₂O₃ 은 필수는 아니지만, Ts 를 저하시키기 위하여 25% 까지 함유해도 된다. Bi₂O₃ 이 25% 초과에서는 α 가 높아질 우려가 있고, 바람직하게는 20% 이하, 보다 바람직하게는 15% 이하이다. Bi₂O₃ 을 함유하는 경우 그 함유량은 1% 이상인 것이 바람직하다. Bi₂O₃ 이 1% 미만에서는 Ts 를 저하시키는 효과가 작다.

CoO, CuO, CeO₂ 및 SnO₂ 는 모두 필수는 아니지만, 이들 성분의 1 이상을 함유하는 경우, 이들 4 성분의 함유량의 합계는 3% 이하이다.

CoO, CuO 및 CeO₂ 는 은 발색 현상을 억제하고자 하는 등의 경우에 바람직한 성분이며, 이들 성분의 1 이상을 합계로 2% 까지 함유해도 된다.

SnO₂ 는 내후성을 높이고자 하는 등의 경우에 바람직한 성분이며, 2% 까지 함유해도 된다.

제 2 유리에 있어서는, 전형적으로는, SiO₂ 가 30 ∼ 50%, B₂O₃ 이 6 ∼ 20%, ZnO 가 9 ∼ 28%, Al₂O₃ 이 0 ∼ 8%, TiO₂ 가 2 ∼ 8%, Li₂O 가 2 ∼ 17%, Na₂O+K₂O 가 0 ∼ 8% 이며, 또, Bi₂O₃ 을 1% 이상 함유하는 경우의 전형적인 양태로서, SiO₂ 가 35 ∼ 48%, B₂O₃ 이 8 ∼ 18%, ZnO 가 11 ∼ 26%, Al₂O₃ 이 0 ∼ 5%, TiO₂ 가 2 ∼ 7%, Li₂O 가 4 ∼ 15%, Na₂O+K₂O 가 0 ∼ 6%, Bi₂O₃ 이 1 ∼ 15% 인 것을 들 수 있다.

제 2 유리는 화학적 내구성을 보다 향상시키고자 하는 경우에 바람직한 양태이다.

본 발명의 유리는 본질적으로 상기 성분으로 이루어지지만, 본 발명의 목적 을 손상시키지 않는 범위에서 그 외의 성분을 함유해도 된다. 그러한 성분을 함유하는 경우, 그들의 함유량의 합계는, 바람직하게는 10% 이하, 보다 바람직하게는 7% 이하이다.

상기 그 외의 성분으로는 유리의 안정화 등을 목적으로 하는 MgO, CaO, SrO, BaO 등이 예시된다. MgO, CaO, SrO 또는 BaO 를 함유하는 경우 이들 성분의 함유량의 합계는 5% 이하인 것이 바람직하다.

또한, 본 발명의 유리는 PbO 를 함유하지 않고, Sb₂O₃ 도 함유하지 않는 것이 바람직하다.

실시예

표의 SiO₂ 부터 BaO 까지의 란에 몰 백분율 표시로 나타내는 조성이 되도록, 원료를 조합하여 혼합하고, 1200 ∼ 1350℃ 의 전기로 중에서 백금 도가니를 사용하여 1 시간 용융하고, 박판상 유리로 성형한 후, 볼밀로 분쇄하여 유리 분말을 얻었다. 또한, 표의 B+Al 란에는 B₂O₃+Al₂O₃ 을 나타낸다.

예 1 ∼ 9 는 실시예, 예 10 ∼ 19 는 비교예이다.

이들 유리 분말에 대하여, 연화점 Ts (단위 : ℃), 상기 평균 선팽창 계수 α (단위 : 10^-7/℃) 를 이하에 서술하는 바와 같이 하여 측정하였다. 결과를 표에 나타낸다.

Ts : 800℃ 까지의 범위에서 시차 열분석계를 사용하여 측정하였다.

α : 유리 분말을 가압 성형 후, Ts 보다 30℃ 높은 온도에서 10 분간 소성 하여 얻은 소성체를 직경 5㎜, 길이 2㎝ 의 원주상으로 가공하고, 열팽창계로 50 ∼ 350℃ 의 평균 선팽창 계수를 측정하였다.

또, 예 1 ∼ 19 의 각 유리 분말 70g 과 티타니아 분말 10g 을 유기 비히클 20g 과 혼련하여 유리 페이스트를 제조하였다. 또한, 유기 비히클은, α-테르피네올에 에틸셀룰로오스를 질량 백분율 표시로 12% 용해하여 제조하였다.

다음으로, 크기 50㎜×75㎜, 두께 2.8㎜ 의 유리 기판을 준비하였다. 또한, 상기 유리 기판은, 질량 백분율 표시 조성이, SiO₂ 58%, Al₂O₃ 7%, Na₂O 4%, K₂O 6.5%, MgO 2%, CaO 5%, SrO 7%, BaO 7.5%, ZrO₂ 3% 이고, 또 유리 전이점이 626℃, α 가 83×10^-7/℃ 인 유리로 이루어진다.

상기 유리 기판의 50㎜×50㎜ 의 부분에 상기 유리 페이스트를 균일하게 스크린 인쇄 후, 120℃ 에서 10 분간 건조시켰다. 이들 유리 기판을 승온 속도 10℃/분에서 온도가 Ts 에 달할 때까지 가열하고, 추가로 그 온도를 Ts 에 10 분간 유지시켜 소성하였다. 이와 같이 하여 유리 기판 상에 형성된 유리층의 두께는 10 ∼ 15㎛ 이었다.

유리 기판 상에 상기 유리층이 형성된 시료에 대하여, 화학적 내구성을 이하에 서술하는 바와 같이 하여 측정하였다. 결과를 표에 나타낸다.

화학적 내구성 : 42℃ 로 유지한 3.0 질량% 의 질산 용액에 상기 시료를 90 초 침지시키고, 침지 전후에서의 막두께의 감소 정도에 따라 화학적 내구성을 평가하였다. 바람직한 내구성을 갖고 있는 것을 ○, 막두께 감소가 발생되어 내구 성이 떨어지는 것을 △, 소성막 자체가 소실되어 매우 떨어지는 것을 × 라고 표기하였다. 또한, 상기 평가에 있어서 바람직한 내구성을 갖고 있는 것 중에서 침지 시간을 180 초로 하여도 소성막면의 성상 변화가 인정되지 않은 것은 높은 내구성을 갖는 것으로 하여 ◎ 로 표기하였다.

산업상 이용 가능성

PDP의 배면 기판의 전극 피복 및 배면 기판에 이용할 수 있다.

본 발명에 의하면, 에칭법을 사용한 격벽 형성을 행할 때의 전극 피복에 사용되는 유리를 납을 함유하지 않는 것으로 할 수 있다.

Claims

하기 산화물 기준의 몰% 표시로, SiO₂ 25 ∼ 55%, B₂O₃ 4 ∼ 25%, ZnO 5 ∼ 30%, Al₂O₃ 0% 초과 10% 이하, TiO₂ 0 ∼ 10%, Li₂O 0% 초과 17% 이하, Na₂O+K₂O 0% 초과 10% 이하, Bi₂O₃ 0% 초과 25% 이하, CoO+CuO+CeO₂+SnO₂ 0 ∼ 3% 를 함유하고, B₂O₃+Al₂O₃ 이 26 몰% 이하이고, TiO₂ 를 함유하는 경우 (TiO₂+4 몰%)≥(Na₂O+K₂O) 인 전극 피복용 무연 유리.
제 1 항에 있어서,

SiO₂ 가 30 ∼ 50 몰%, B₂O₃ 이 6 ∼ 20 몰%, ZnO 가 9 ∼ 27 몰%, TiO₂ 가 0 ∼ 8 몰%, Li₂O 가 2 ∼ 15 몰%, Na₂O+K₂O 가 0 몰% 초과 8 몰% 이하인 전극 피복용 무연 유리.
하기 산화물 기준의 몰% 표시로, SiO₂ 25 ∼ 55%, B₂O₃ 4 ∼ 25%, ZnO 5 ∼ 30%, Al₂O₃ 0% 초과 10% 이하, TiO₂ 2 ∼ 10%, Li₂O 0% 초과 17% 이하, Na₂O+K₂O 0% 초과 10% 이하, Bi₂O₃ 0% 초과 25% 이하, CoO+CuO+CeO₂+SnO₂ 0 ∼ 3% 를 함유하고, B₂O₃+Al₂O₃ 이 26 몰% 이하인 전극 피복용 무연 유리.
제 3 항에 있어서,

SiO₂ 가 30 ∼ 50 몰%, B₂O₃ 이 6 ∼ 20 몰%, ZnO 가 9 ∼ 27 몰%, TiO₂가 2 ∼ 8 몰%, Li₂O 가 2 ∼ 15 몰%, Na₂O+K₂O 가 0 몰% 초과 8 몰% 이하인 전극 피복용 무연 유리.
제 3 항에 있어서,

TiO₂ 가 3.2 몰% 이상인 전극 피복용 무연 유리.
제 4 항에 있어서,

TiO₂ 가 3.2 몰% 이상인 전극 피복용 무연 유리.
제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,

Bi₂O₃을 1 ∼ 15 몰% 함유하는 전극 피복용 무연 유리.
제 7 항에 있어서,

SiO₂ 가 35 ∼ 48 몰%, B₂O₃ 이 8 ∼ 18 몰%, ZnO 가 11 ∼ 27 몰%, Li₂O 가 2 ∼ 15 몰% 인 전극 피복용 무연 유리.
제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항의 전극 피복용 무연 유리의 분말과, 그 분말 100 질량부에 대하여 0.1 ∼ 40 질량부의 비율의 무기 산화물 분말을 함유하는 유리 세라믹스 조성물.
제 9 항에 있어서,

무기 산화물 분말이, TiO₂, ZnO, SiO₂, Al₂O₃, ZrO₂, P₂O₅, Fe₂O₃, MnO₂, Cr₂O₃ 및 Co₂O₃ 으로 이루어지는 군에서 선택된 1 종 이상의 무기 산화물의 분말인 유리 세라믹스 조성물.
플라즈마 디스플레이 장치의 제조에 사용되는 격벽 장착 유리 기판의 제조 방법으로서, 유리 기판 상에 형성된 전극을 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항의 전극 피복용 무연 유리로 피복하고, 상기 전극을 피복한 유리 위에 에칭법에 의해 격벽을 형성하는 격벽 장착 유리 기판의 제조 방법.
플라즈마 디스플레이 장치의 제조에 사용되는 격벽 장착 유리 기판의 제조 방법으로서, 유리 기판 상에 형성된 전극을 제 9 항의 유리 세라믹스 조성물을 함유하는 그린 시트 또는 동일 유리 세라믹스 조성물을 함유하는 유리 페이스트로 피복하여 소성하고, 상기 그린 시트 또는 유리 페이스트의 소성체 위에 에칭법에 의해 격벽을 형성하는 격벽 장착 유리 기판의 제조 방법.