JP2000047409A - 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電子写真装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 ３８０〜５００ｎｍの波長域でも高い感度特
性を有する電子写真感光体を提供する。 【解決手段】 波長３８０〜５００ｎｍの半導体レーザ
ー光光源で使用され、電荷発生材料が下記一般式
（１），（２）のアントラキノンアクリドン顔料、
（３），（４）のナフタレンテトラカルボン酸ジイミダ
ゾール顔料または（５）のナフタレンテトラカルボン酸
ジイミド顔料である電子写真感光体、これを有するプロ
セスカートリッジ及び電子写真装置。 （一般式（１）〜（４）中、Ａ及びＢは二価の芳香族炭
化水素基または二価の含窒素複素環基を表す。） （一般式（５）中、Ｃは水素原子、アルキル基、アルコ
キシ基、または芳香族炭化水素基を表す。）

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は電子写真感光体、こ
れを有するプロセスカートリッジ及び電子写真装置に関
し、詳しくは画像の高解像度化が可能な短波長の半導体
レーザーに適した電子写真感光体、プロセスカートリッ
ジ及び電子写真装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】現在レーザープリンターなどに代表され
るレーザーを光源として使用している電子写真装置にお
いて使用されているレーザーは、８００ｎｍ付近あるい
は６８０ｎｍ付近に発振波長を有する半導体レーザーが
主流である。近年、出力画像の高画質化のニーズの高ま
りから、高解像度化に向けた様々なアプローチがなされ
ている。レーザーの波長もこの高解像度化に深く関わっ
ており、特開平９−２４００５１号公報にも記載されて
いるように、レーザーの発振波長が短くなるほど、レー
ザーのスポット径を小さくすることが可能となり、高解
像度の潜像形成が可能となる。

【０００３】レーザー発振波長の短波長化には、いくつ
かの手法が挙げられる。

【０００４】一つは、非線形光学材料を利用し、第２高
調波発生（ＳＨＧ）を用いてレーザー光の波長を２分の
１にするものである（特開平９−２７５２４２、特開平
９−１８９９３０及び特開平５−３１３０３３号公報な
ど）。この系は、一次光源として、既に技術が確立し高
出力可能なＧａＡｓ系ＬＤやＹＡＧレーザーを使用する
ことができるため、長寿命化や大出力化が可能である。

【０００５】もう一つは、ワイドギャップ半導体を用い
るもので、ＳＨＧ利用のデバイスと比べ、装置の小型化
が可能である。ＺｎＳｅ系半導体（特開平７−３２１４
０９及び特開平６−３３４２７２号公報など）や、Ｇａ
Ｎ系半導体（特開平８−０８８４４１及び特開平７−３
３５９７５号公報など）を用いたＬＤが、その発光効率
の高さから、以前から多くの研究の対象となっている。

【０００６】しかし、これらのＬＤは素子構造、結晶成
長条件、電極などの最適化が難しく、結晶中の欠陥など
により、実用化に必須である室温での長時間発振が困難
であった。

【０００７】しかし、基盤などの技術革新が進み、１９
９７年１０月には日亜化学工業から、ＧａＮ系半導体を
用いたＬＤで１１５０時間連続発振（５０℃条件）が報
告されるなど、実用化が目前に迫っている状態である。

【０００８】特開平９−２４００５１号公報には、４０
０〜５００ｎｍのレーザーに適した感光体として、α型
チタニルフタロシアニンを用いた単層ないしは電荷発生
層を最表面層とした積層感光体が開示されているが、本
発明者らの検討によれば、この材料を用いた場合、感度
が悪い上に、特に４００ｎｍ付近の光に対するメモリー
が非常に大きいため、繰り返し使用した際の感光体の電
位変動が大きいという問題があることが分かった。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、３８
０〜５００ｎｍの波長域でも高い感度特性を有し、かつ
光メモリーが小さく繰り返し使用時の電位変動の小さい
電子写真感光体及びこれを有するプロセスカートリッジ
を提供し、またこの感光体と短波長レーザーを使用する
ことによって、実用的で安定して高画質な出力画像が得
られる電子写真装置を提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明は、半導体レーザ
ーの発振波長が３８０〜５００ｎｍの範囲にある露光光
源で使用される電子写真感光体において、該電子写真感
光体に用いられる電荷発生材料が一般式（１）または
（２）で示されるアントラキノンアクリドン、または一
般式（３）または（４）で示されるナフタレンテトラカ
ルボン酸ジイミダゾール顔料、または一般式（５）で示
されるナフタレンテトラカルボン酸ジイミド顔料である
ことを特徴とする電子写真感光体である。

【００１１】

【化９】 （一般式（１）及び（２）中、Ａ及びＢは置換されても
よい二価の芳香族炭化水素基または二価の含窒素複素環
基を表す。）

【００１２】

【化１０】 （一般式（３）及び（４）中、Ａは置換されてもよい二
価の芳香族炭化水素基または二価の含窒素複素環基を表
す。）

【００１３】

【化１１】 （一般式（５）中、Ｃは水素原子、アルキル基、アルコ
キシ基、または置換されてもよい芳香族炭化水素基を表
す。）

【００１４】また、本発明は、上記電子写真感光体を有
するプロセスカートリッジ及び電子写真装置である。

【００１５】

【発明の実施の形態】一般式（１）、（２）、（３）及
び（４）中、Ａ及びＢが表す二価の芳香族炭化水素基と
してはｏ−フェニレン、ｏ−ナフチレン、ペリナフチレ
ン及び１，２−アンスリレンなどの基が挙げられ、二価
の含窒素複素環基としては３，４−ピラゾールジイル、
２，３−ピリジンジイル、４，５−ピリジンジイル、
６，７−イミダゾールジイル及び６，７−キノリンジイ
ルなどの２価の基が挙げられる。一般式（５）中、Ｃが
表すアルキル基としてはメチル、エチル及びプロピルな
どの基が挙げられ、アルコキシ基としてはメトキシ、エ
トキシ及びプロポキシなどの基が挙げられ、芳香族炭化
水素基としてはフェニル、ナフチル、アンスリル及びピ
レニルなどの基が挙げられる。

【００１６】上記基が有してもよい置換基としては、メ
チル、エチル、プロピル及びブチルなどのアルキル基、
メトキシ、エトキシ及びプロポキシなどのアルコキシ
基、フッ素原子、塩素原子及び臭素原子などのハロゲン
原子、ジメチルアミノ及びジエチルアミノなどのジアル
キルアミノ基、水酸基、ニトロ基、シアノ基及びハロメ
チル基などが挙げられる。

【００１７】以下に、一般式（１）または（２）で示さ
れるアントラキノンアクリドン顔料の具体的な化合物例
を列挙する。

【００１８】

【表１】

【００１９】

【表２】

【００２０】

【表３】

【００２１】

【表４】

【００２２】

【表５】

【００２３】以下に、一般式（３）または（４）で示さ
れるナフタレンテトラカルボン酸ジイミダゾール顔料、
または一般式（５）で示されるナフタレンテトラカルボ
ン酸ジイミド顔料の具体的な化合物例を列挙する。

【００２４】

【表６】

【００２５】

【表７】

【００２６】

【表８】

【００２７】次に、本発明の電子写真感光体について詳
しく説明する。

【００２８】感光体の構成は図１、２、３に示されるよ
うな公知のいかなる構成であってもさしつかえない。特
開平９−２４００５１号公報には、図１のような導電性
支持体上に電荷発生層と電荷輸送層の順に積層した感光
体では、４００〜５００ｎｍの光は電荷輸送材料に吸収
され、電荷発生層まで光が届かないため、原理上感度を
示さないとあるが、必ずしもそのようなことはなく、電
荷輸送層に使用される電荷輸送材料としてレーザーの発
振波長に透過性のある電荷輸送材料を用いれば、上記構
成の感光体でも十分な感度が得られ使用可能である。

【００２９】以下に、導電性支持体上に電荷発生層と電
荷輸送層を積層した機能分離型感光体についてその作成
方法を述べる。

【００３０】電荷発生層は一般式（１）または（２）で
示されるアントラキノンアクリドン顔料または一般式
（３）または（４）で示されるナフタレンテトラカルボ
ン酸ジイミダゾール顔料、または一般式（５）で示され
るナフタレンテトラカルボン酸ジイミド顔料を適当な溶
剤中でバインダー樹脂と共に分散した液を導電性支持体
上に公知の方法によって塗布することによって形成さ
れ、その膜厚は好ましくは５μｍ以下、より好ましくは
０．１〜１μｍの薄膜層とする。

【００３１】ここで用いられるバインダー樹脂として
は、例えば、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂、ポリビ
ニルカルバゾール樹脂、フェノキシ樹脂、ポリカーボネ
ート樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリビニルベン
ザール樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリビニルアセテート
樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリアリレート樹脂及び塩化
ビニリデン・アクリロニトリル共重合体樹脂などが主と
して挙げられる。

【００３２】導電性支持体としては導電性を有するもの
であればよく、アルミニウム及びステンレスなどの金
属、あるいは導電層を設けた金属、プラスチックまたは
紙などが挙げられ、形状としては円筒状またはフイルム
状などが挙げられる。

【００３３】また、導電性支持体と感光層の間にはバリ
ヤー機能と接着機能を持つ下引き層を設けることもでき
る。

【００３４】下引き層の材料としては、ポリビニルアル
コール、ポリエチレンオキシド、エチルセルロース、メ
チルセルロース、カゼイン、ポリアミド、ニカワ及びゼ
ラチンなどが用いられる。

【００３５】これらは、適当な溶剤に溶解して導電性支
持体上に塗布される。

【００３６】更に、支持体と下引き層との間に、支持体
のムラや欠陥の被覆、及び画像入力がレーザー光の場合
には散乱による干渉縞防止を目的とした導電層を設ける
ことが好適である。これは、カーボンブラック、金属粒
子及び金属酸化物などの導電性粉体を、バインダー樹脂
中に分散して形成することができる。導電層の膜厚は好
ましくは５〜４０μｍ、より好ましくは１０〜３０μｍ
である。

【００３７】電荷輸送層は主として電荷輸送材料とバイ
ンダー樹脂とを溶剤中に溶解させた塗料を塗工乾燥して
形成する。用いられる電荷輸送材料としては各種のトリ
アリールアミン系化合物、ヒドラゾン系化合物、スチル
ベンゼン系化合物、ピラゾリン系化合物、オキサゾール
系化合物、チアゾール系化合物及びトリアリルメタン系
化合物などが挙げられる。バインダー樹脂としては電荷
発生層に用いたものと同様の樹脂を用いることができ
る。ただし、図1 の構成の感光体を使用する場合は、前
述の通り使用する半導体レーザーの発振波長に対して透
過性のある電荷輸送材料やバインダー樹脂を選択する必
要がある。

【００３８】これらの感光層の塗布方法としては、ディ
ッピング法、スプレーコーティング法、スピンナーコー
ティング法、ビードコーティング法、ブレードコーティ
ング法及びビームコーティング法などを用いることがで
きる。

【００３９】また、感光層を外部からの機械的及び化学
的悪影響から保護することなどを目的として、保護層を
設けることもできる。

【００４０】なお、感光層には必要に応じて酸化防止剤
や紫外線吸収剤などの添加剤を使用してもさしつかえな
い。

【００４１】図４に本発明の電子写真感光体を有するプ
ロセスカートリッジを有する電子写真装置の概略構成を
示す。

【００４２】図において、１はドラム状の本発明の電子
写真感光体であり、軸２を中心に矢印方向に所定の周速
度で回転駆動される。感光体１は、回転過程において、
一次帯電手段３によりその周面に正または負の所定電位
の均一帯電を受け、次いで、３８０〜５００ｎｍに発振
波長を有する半導体レーザーを用いた像露光手段（不図
示）からの画像露光光４を受ける。こうして感光体１の
周面に静電潜像が順次形成されていく。

【００４３】形成された静電潜像は、次いで現像手段５
によりトナー現像され、現像されたトナー現像像は、不
図示の給紙部から感光体１と転写手段６との間に感光体
１の回転と同期取り出されて給紙された転写材７に、転
写手段６により順次転写されていく。

【００４４】像転写を受けた転写材７は、感光体面から
分離されて像定着手段８へ導入されて像定着を受けるこ
とにより複写物（コピー）として装置外へプリントアウ
トされる。

【００４５】像転写後の感光体１の表面は、クリーニン
グ手段９によって転写残りトナーの除去を受けて清浄面
化され、更に前露光手段（不図示）からの前露光光１０
により除電処理された後、繰り返し画像形成に使用され
る。なお、一次帯電手段３が帯電ローラー等を用いた接
触帯電手段である場合は、前露光は必ずしも必要ではな
い。

【００４６】本発明においては、上述の電子写真感光体
１、一次帯電手段３、現像手段５及びクリーニング手段
９等の構成要素のうち、複数のものをプロセスカートリ
ッジとして一体に結合して構成し、このプロセスカート
リッジを複写機やレーザービームプリンター等の電子写
真装置本体に対して着脱可能に構成してもよい。例え
ば、一次帯電手段３、現像手段５及びクリーニング手段
９の少なくとも１つを感光体１と共に一体に支持してカ
ートリッジ化して、装置本体のレール１２等の案内手段
を用いて装置本体に着脱可能なプロセスカートリッジ１
１とすることができる。

【００４７】また、画像露光光４は、電子写真装置が複
写機やプリンターである場合には、原稿からの反射光や
透過光、あるいは、センサーで原稿を読取り、信号化
し、この信号に従って行われるレーザービームの走査に
より照射される光である。

【００４８】以下、実施例に従って説明する。実施例
中、「部」は重量部を表す。

【００４９】

【実施例】［実施例１−１］アルミニウム基板上にメト
キシメチル化ナイロン（平均分子量３２０００）５部と
アルコール可溶性共重合ナイロン（平均分子量２９００
０）１０部をメタノール９５部に溶解した液をマイヤー
バーで塗布し、乾燥後の膜厚が０．３μｍの下引き層を
形成した。

【００５０】次に、化合物例１−１のアントラキノンア
クリドン顔料１０部をテトラヒドロフラン９５部にブチ
ラール樹脂（ブチラール化度６３モル％）４部を溶かし
た液に加え、サンドミルで２０時間分散した。この分散
液を下引き層の上に乾燥後の膜厚が０．５μｍとなるよ
うにマイヤーバーで塗布し、電荷発生層を形成した。

【００５１】次いで、下記構造式を有する電荷輸送材料
５部

【００５２】

【化１２】 とビスフェノールＺ型ポリカーボネート樹脂（数平均分
子量２００００）５．５部をクロロベンゼン４０部に溶
解し、この溶液を電荷発生層の上に乾燥後の膜厚が２０
μｍとなるようにマイヤーバーで塗布し、電荷輸送層を
形成し、実施例１−１の電子写真感光体を作成した。

【００５３】［実施例１−２〜１−４及び比較例１−
１］化合物例１−１に代えて表１−１に示すアントラキ
ノンアクリドン顔料を用いた他は、実施例１−１と全く
同様にして実施例１−２〜１−４の電子写真感光体を作
成した。また、比較対照する電子写真感光体として特開
昭６１−２３９２４８号公報（ＵＳＰ４、７２８、５９
２）に開示されている製造例に従って、いわゆるα型と
呼ばれている結晶形のオキシチタニウムフタロシアニン
（ＴｉＯＰｃ）を用い実施例１−１と全く同様にして電
子写真感光体を作成した（比較例１−１）。

【００５４】このようにして作成した電子写真感光体
を、静電複写紙試験装置（川口電機製：ＥＰＡ−８１０
０）を用いて、以下のように評価した。

【００５５】（感度）感光体の表面電位を−７００Ｖに
なるようにコロナ帯電器で帯電し、次いでモノクロメー
タで分離した４００ｎｍの単色光で露光し、表面電位が
−３５０Ｖまで減衰するのに必要な光量を測定し、感度
（Ｅ 1/2）を求めた。

【００５６】同様に、４５０ｎｍ、５００ｎｍの単色光
における感度を測定した。

【００５７】（繰り返し特性）次に初期暗部電位（Ｖ
ｄ）及び初期明部電位（Ｖｌ）をそれぞれ−７００Ｖ、
−２００Ｖ付近に設定し、４００ｎｍの単色光を用いて
帯電、露光を３０００回繰り返し、Ｖｄ、Ｖｌの変動量
（ΔＶｄ、ΔＶｌ）を測定した。

【００５８】（光メモリー）感光体の初期Ｖｄ、４００
ｎｍの単色光での初期Ｖｌをそれぞれ−７００Ｖ、−２
００Ｖ付近に設定した。次に、感光体の一部に光強度２
０μＷ／ｃｍ² の４００ｎｍの単色光を１５分照射した
後、再度感光体のＶｄ、Ｖｌを測定し、光メモリーとし
て非照射部と照射部のＶｄの差（ΔＶｄ_PM）及び非照射
部と照射部のＶｌの差（ΔＶｌ_PM）を測定した。

【００５９】以上の結果を表１−１に示す。

【００６０】なお、以下表中のマイナス記号は電位の低
下を表し、プラス記号は電位の上昇を表す。

【００６１】

【表９】

【００６２】［実施例１−５〜１−８及び比較例１−
２］実施例１−１〜１−４及び比較例１−１において、
電荷発生層と電荷輸送層の層構成を逆にした感光体を作
成し実施例１−１と同様にして、初期の感度を測定し
た。ただし電荷輸送材料は下記構造式の化合物に代え、
帯電極性はプラスとした。これらの結果を表１−２に示
す。

【００６３】

【化１３】

【００６４】

【表１０】

【００６５】以上の結果から本発明に用いる電子写真感
光体は比較例の感光体に比べ、短波長レーザーの発振波
長領域での感度が非常に優れている上、短波長光に対す
る光メモリーが小さく、繰り返し使用時の電位の安定性
に優れていることが分かる。

【００６６】［実施例１−９］１０％酸化アンチモンを
含有する酸化スズで被覆した酸化チタン粉体５０部、レ
ゾール型フェノール樹脂２５部、メチルセロソルブ２０
部、メタノール５部及びシリコーンオイル（ポリジメチ
ルシロキサンポリオキシアルキレン共重合体、平均分子
量３０００）０．００２部をΦ１ｍｍガラスビーズを用
いたサンドミル装置で２時間分散して導電層用塗料を調
製した。

【００６７】アルミニウムシリンダー上に、上記塗料を
浸漬塗布し、１４０℃で３０分間乾燥させ、膜厚２０μ
ｍの導電層を形成した。

【００６８】この上に６−６６−６１０−１２四元系ポ
リアミド共重合体樹脂５部をメタノール７０部とブタノ
ール２５部の混合溶媒に溶解した溶液をディッピング法
で塗布乾燥して０．８μｍ厚の下引き層を設けた。

【００６９】次に、化合物例１−１のアントラキノンア
クリドン顔料１０部をポリビニルブチラール樹脂（商品
名：エスレックＢＭ−Ｓ、積水化学社製）４部をテトラ
ヒドロフラン１００部に溶解した液に添加し、１ｍｍΦ
のガラスビーズを用いたサンドミルで３時間分散し、こ
れに１００部のシクロヘキサノンを加えて、希釈した後
回収して、これを下引き層上に塗布した後、１００℃で
１０分間乾燥して、膜厚０．５μｍの電荷発生層を形成
した。

【００７０】次に、下記構造式で示される電荷輸送材料
９部とビスフェノールＺ型ポリカーボネート樹脂（数平
均分子量２００００）１０部をモノクロルベンゼン６０
部に溶解した溶液を作成し、電荷発生層上にディッピン
グ法により塗布した。これを１１０℃の温度で１時間乾
燥して２０μｍ厚の電荷輸送層を形成し、実施例１−９
の電子写真感光体を作成した。

【００７１】

【化１４】

【００７２】［実施例１−１０〜１−１２］化合物例１
−１に代えて表１−３に示すアントラキノンアクリドン
顔料を用いた他は、実施例１−９と全く同様にして実施
例１−１０〜１−１２の電子写真感光体を作成した。

【００７３】実施例１−９〜１−１２で作成した電子写
真感光体を、パルス変調装置を搭載しているキヤノン製
プリンターＬＢＰ−２０００改造機（光源として日立金
属株式会社製全固体青色ＳＨＧレーザーＩＣＤ−４３０
／発振波長４３０ｎｍを搭載。また、反転現像系で６０
０ｄｐｉ相当の画像入力に対応できる帯電−露光−現像
−転写−クリーニングからなるカールソン方式の電子写
真システムに改造。）に装着。暗部電位Ｖｄ＝−６５０
Ｖ，明部電位Ｖｌ＝−２００Ｖに設定し、１ドット１ス
ペース画像と文字（５ポイント）画像の出力を行った。

【００７４】［比較例１−３］電荷発生材料に比較例１
−１で用いた電荷発生材料用いた他は、実施例１−９と
同様にして感光体を作成し、画像評価を行った。これら
の結果を表１−３に示す。

【００７５】

【表１１】

【００７６】これらの結果から、本発明の電子写真装置
は、ドットの再現性や文字の再現性に優れ高解像度の出
力画像が得られることが分かる。

【００７７】［実施例２−１〜２−４］実施例１−１に
用いた電荷発生材料を表２−１に記載したナフタレンテ
トラカルボン酸ジイミダゾール顔料またはナフタレンテ
トラカルボン酸ジイミド顔料に代えた以外は、実施例１
−１と全く同様にして電子写真感光体を作成し、同様に
評価した。これらの結果を表２−１に示す。

【００７８】

【表１２】

【００７９】［実施例２−５〜２−８］実施例２−１〜
２−４において、電荷発生層と電荷輸送層の層構成を逆
にした感光体を作成し実施例２−１と同様にして、初期
の感度を測定した。ただし電荷輸送材料は実施例１−５
に用いたものに代え、帯電極性はプラスとした。これら
の結果を表２−２に示す。

【００８０】

【表１３】

【００８１】以上の結果から本発明に用いる電子写真感
光体は比較例の感光体に比べ、短波長レーザーの発振波
長領域での感度が非常に優れている上、短波長光に対す
る光メモリーが小さく、繰り返し使用時の電位の安定性
に優れていることが分かる。

【００８２】［実施例２−９〜２−１２］実施例１−９
に用いた電荷発生材料を表２−３に記載したナフタレン
テトラカルボン酸ジイミダゾール顔料またはナフタレン
テトラカルボン酸ジイミド顔料に代えた以外は、実施例
１−９と全く同様に電子写真感光体を作成し、同様に評
価した。これらの結果を表２−３に示す。

【００８３】

【表１４】

【００８４】これらの結果から、本発明の電子写真装置
は、ドットの再現性や文字の再現性に優れ高解像度の出
力画像が得られることがわかる。

【００８５】

【発明の効果】本発明によれば、特定の構造を有する電
荷発生材料を用いることにより、３８０〜５００ｎｍ付
近の短波長の半導体レーザーの発振波長領域において、
感度特性に優れ、光メモリーが小さく繰り返し特性の良
好な電子写真感光体及びこれを有するプロセスカートリ
ッジが提供され、またこの電子写真感光体と上記半導体
レーザーを組み合わせることにより、高解像度の画像形
成が可能で繰り返し使用にも安定して使用し得る電子写
真装置が提供される。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の電子写真感光体の層構成の例を示す断
面図である。

【図２】本発明の電子写真感光体の層構成の例を示す断
面図である。

【図３】本発明の電子写真感光体の層構成の例を示す断
面図である。

【図４】本発明の電子写真感光体を有するプロセスカー
トリッジを有する電子写真装置の概略構成の例を示す図
である。

【符号の説明】

ａ 導電性支持体 ｂ 感光層 ｃ 電荷発生層 ｄ 電荷輸送層 ｅ 電荷発生材料 ｆ バインダー樹脂 ｇ 電荷輸送材料／バインダー樹脂

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田中 正人 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 Ｆターム(参考） 2C362 AA03 AA19 CB71 2H068 AA19 AA21 BA31 BA37 FA27 FB05 FC01 FC05 FC08 FC11 FC15 2H076 AB05

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体レーザーの発振波長が３８０〜５
   ００ｎｍの範囲にある露光光源で使用される電子写真感
   光体において、該電子写真感光体に用いられる電荷発生
   材料が一般式（１）または（２）で示されるアントラキ
   ノンアクリドン、または一般式（３）または（４）で示
   されるナフタレンテトラカルボン酸ジイミダゾール顔
   料、または一般式（５）で示されるナフタレンテトラカ
   ルボン酸ジイミド顔料であることを特徴とする電子写真
   感光体。 【化１】 （一般式（１）及び（２）中、Ａ及びＢは置換されても
   よい二価の芳香族炭化水素基または二価の含窒素複素環
   基を表す。） 【化２】 （一般式（３）及び（４）中、Ａは置換されてもよい二
   価の芳香族炭化水素基または二価の含窒素複素環基を表
   す。） 【化３】 （一般式（５）中、Ｃは水素原子、アルキル基、アルコ
   キシ基、または置換されてもよい芳香族炭化水素基を表
   す。）
2. 【請求項２】 半導体レーザーの発振波長が４００から
   ４５０ｎｍの範囲にある、請求項１に記載の電子写真感
   光体。
3. 【請求項３】 電子写真感光体が、少なくとも電荷発生
   層と電荷輸送層がこの順に積層された電子写真感光体で
   ある、請求項１または２に記載の電子写真感光体。
4. 【請求項４】 電荷発生材料が下記構造式で示されるア
   ントラキノンアクリドン顔料である、請求項１乃至３の
   いずれかに記載の電子写真感光体。 【化４】
5. 【請求項５】 電荷発生材料が下記構造式で示されるア
   ントラキノンアクリドン顔料である、請求項１乃至３の
   いずれかに記載の電子写真感光体。 【化５】
6. 【請求項６】 電荷発生材料が下記構造式で示されるナ
   フタレンテトラカルボン酸ジイミダゾール顔料である、
   請求項１乃至３のいずれかに記載の電子写真感光体。 【化６】
7. 【請求項７】 電荷発生材料が下記構造式で示されるナ
   フタレンテトラカルボン酸ジイミド顔料である、請求項
   １乃至３のいずれかに記載の電子写真感光体。 【化７】
8. 【請求項８】 電荷発生材料が下記構造式で示されるナ
   フタレンテトラカルボン酸ジイミド顔料である、請求項
   １乃至３のいずれかに記載の電子写真感光体。 【化８】
9. 【請求項９】 請求項１乃至８のいずれかに記載の電子
   写真感光体、及び帯電手段、現像手段及びクリーニング
   手段からなる群より選ばれた少なくともひとつの手段を
   一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在であること
   を特徴とするプロセスカートリッジ。
10. 【請求項１０】 請求項１乃至８のいずれかに記載の電
    子写真感光体、発振波長が３８０〜５００ｎｍの半導体
    レーザーを光源とした露光手段、帯電手段、現像手段及
    び転写手段を有することを特徴とする電子写真装置。