JP2000250239A - 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電子写真装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ３８０〜５００ｎｍの波長域で感度の波長依
存性が小さく、高い感度特性を有し、かつ感度の環境依
存性の小さな電子写真感光体を提供し、またこの感光体
と短波長レーザーを使用することによって、実用的で安
定した高画質な出力画像が得られる電子写真装置及びプ
ロセスカートリッジを提供することにある。 【解決手段】 半導体レーザーの発振波長が３８０〜５
００ｎｍの範囲にある露光光源で使用される電子写真感
光体において、電子写真感光体に用いられる電荷発生材
料が特定の構造を有するアゾ顔料又は多環キノン顔料と
フタロシアニン化合物とを含有する電子写真感光体、こ
の電子写真感光体を有するプロセスカートリッジ及び電
子写真装置。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は電子写真感光体、こ
の電子写真感光体を有するプロセスカートリッジ及び電
子写真装置に関し、詳しくは画像の高解像度化が可能な
短波長の半導体レーザーに適した電子写真感光体、この
電子写真感光体を有するプロセスカートリッジ及び電子
写真装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】現在、レーザープリンター等に代表され
るレーザーを光源として使用している電子写真装置にお
いて使用されているレーザーは、８００ｎｍ付近あるい
は６８０ｎｍ付近に発振波長を有する半導体レーザーが
主流である。近年、出力画像の高画質化のニーズが高ま
りかつ、高解像度化に向けた様々なアプローチがなされ
ている。レーザーの波長もこの高解像度化に深く関わっ
ており、特開平９−２４００５１号公報にも記載されて
いる様に、レーザーの発振波長が短くなるほど、レーザ
ーのスポット径を細くすることが可能となり、高解像度
の潜像形成が可能となる。

【０００３】レーザー発振波長の短波長化には、いくつ
かの手法が挙げられる。一つは、非線形光学材料を利用
し、第２高調波発生（ＳＨＧ）を用いてレーザー光の波
長を２分の１にするものである（特開平９−２７５２４
２号公報、特開平９−１８９９３０号公報、特開平５−
３１３０３３号公報等）。この系は、一次光源として、
既に技術が確立し高出力可能なＧａＡｓ系ＬＤやＹＡＧ
レーザーを使用することができるため、長寿命化や大出
力化が可能である。

【０００４】もう一つは、ワイドギャップ半導体を用い
るもので、ＳＨＧ利用のデバイスと比べ、装置の小型化
が可能である。ＺｎＳｅ系半導体（特開平７−３２１４
０９号公報、特開平６−３３４２７２号公報等）や、Ｇ
ａＮ系半導体（特開平８−８８４４１号公報、特開平７
−３３５９７５号公報等）を用いたＬＤが、その発光効
率の高さから、以前から多くの研究の対象となってい
る。

【０００５】しかし、これらのＬＤは素子構造、結晶成
長条件、電極等の最適化が難しく、結晶中の欠陥等によ
り、実用化に必須である室温での長時間発振が困難であ
った。しかし、基盤等の技術革新が進み、１９９７年１
０月には日亜化学工業から、ＧａＮ系半導体を用いたＬ
Ｄで１１５０時間連続発振（５０℃条件）が報告される
等、実用化が目前に迫っている状態である。

【０００６】一方、従来のレーザーを用いた電子写真装
置に使用される電子写真感光体では、７００〜８００ｎ
ｍ付近の波長域に大きな吸収帯を持ち実用的な感度特性
を発現する材料が用いられてきた。

【０００７】具体的には、無金属フタロシアニン、銅フ
タロシアニン、特開昭６２−６７０９４号公報、特開昭
６１−２３９２４８号公報等に記載の結晶形を有するオ
キシチタニウムフタロシアニン等が挙げられる。しか
し、従来のこうした長波長レーザー用の電荷発生材料
は、３８０〜５００ｎｍ付近にはフラットな吸収帯がな
く、かつ十分な吸収がないため、こうした波長域でフラ
ットでかつ十分な感度が得られない。

【０００８】特開平９−２４００５１号公報には、４０
０〜５００ｎｍのレーザーに適した感光体として、α型
チタニルフタロシアニン（特開昭６１−２３９２４８号
公報に記載）を用いた単層ないしは電荷発生層を最表面
層とした積層感光体が開示されているが、本発明者らの
検討によれば、この材料を用いた場合、こうした波長域
でフラットでかつ十分な感度が得られないことがわかっ
た。また、高温高湿・低温低湿等の環境下によって感度
の変化が生じることがわかった。

【０００９】本発明者らは、電荷発生材料としてフタロ
シアニンと特定の構造を有するアゾ顔料又は多環キノン
顔料を用いることによって、これらの問題を解決できる
ことを見出した。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、３８
０〜５００ｎｍの波長域で感度の波長依存性が小さく、
高い感度特性を有し、かつ感度の環境依存性の小さな電
子写真感光体を提供し、またこの感光体と短波長レーザ
ーを使用することによって、実用的で安定した高画質な
出力画像が得られる電子写真装置及びプロセスカートリ
ッジを提供することにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明に従って、半導体
レーザーの発振波長が３８０〜５００ｎｍの範囲にある
露光光源で使用される電子写真感光体において、電子写
真感光体に用いられる電荷発生材料が下記一般式（１）
で示されるアゾ顔料又は下記一般式（３）〜（５）で示
される多環キノン顔料と下記一般式（９）で示されるフ
タロシアニン化合物とを含有する電子写真感光体、この
電子写真感光体を有するプロセスカートリッジ及び電子
写真装置が提供される。

【００１２】

【化１５】

【００１３】式中、Ａｒは直接あるいは結合基を介して
結合していてもよい、置換基を有してもよい芳香族炭化
水素環基又は複素環基を表し、Ｃｐはフェノール性水酸
基を有するカプラー残基を表し、Ｃｐの少なくとも一つ
は下記一般式（２）で示されるカプラー残基である。ｎ
は１〜３の整数を表す。ただし、−Ｎ＝Ｎ−Ｃｐが同一
ベンゼン環に複数個結合することはない。

【００１４】

【化１６】

【００１５】式中、Ｒ¹は水素原子、ハロゲン原子、シ
アノ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、カ
ルバモイル基又はニトロ基を示し、Ｒ²はアルキル基又
はアリール基を示し、Ｒ³はハロゲン原子、アルキル
基、アルコキシ基、シアノ基又はニトロ基を示す。ｊは
０、１、２を示し、ｊ＝２の時、Ｒ³は相異なる基であ
ってもよい。

【００１６】

【化１７】

【００１７】

【化１８】

【００１８】

【化１９】

【００１９】上記各式中、Ｘはハロゲン原子、ニトロ
基、シアノ基、アシル基又はカルボキシル基を示し、ｎ
は０〜４の整数、ｍは０〜６の整数を示す。

【００２０】具体的には、Ａｒとしてはベンゼン、ナフ
タレン、フルオレン、フェナンスレン、アントラセン、
ピレン等の芳香族炭化水素環、フラン、チオフェン、ピ
リジン、インドール、ベンゾチアゾール、カルバゾー
ル、アクリドン、ジベンゾチオフェン、ベンゾオキサゾ
ール、オキサジアゾール、チアゾール等の芳香族複素
環、更に上記芳香族環を直接あるいは芳香族性基又は非
芳香族性基で結合したもの、例えば、トリフェニルアミ
ン、ジフェニルアミン、Ｎ−メチルジフェニルアミン、
ビフェニル、ターフェニル、ビナフチル、フルオレノ
ン、フェナンスレンキノン、アンスラキノン、ベンズア
ンスロン、ジフェニルオキサジアゾール、フェニルベン
ズオキサゾール、ジフェニルメタン、ジフェニルスルホ
ン、ジフェニルエーテル、ベンゾフェノン、スチルベ
ン、ジスチリルベンゼン、テトラフェニル−ｐ−フェニ
レンジアミン、アゾベンゼン、アゾキシベンゼン、テト
ラフェニルベンジジン等から誘導される有機基が挙げら
れる。

【００２１】上記結合基を介して結合してよい芳香族炭
化水素基又は芳香族複素基が有してもよい置換基として
は、メチル基、エチル基、プロピル基又はブチル基等の
アルキル基、メトキシ基、エトキシ基又はプロポキシ基
等のアルコキシ基、ジメチルアミノ基又はジエチルアミ
ノ基等のジアルキルアミノ基、フッ素原子、塩素原子又
は臭素原子等のハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、シア
ノ基、ハロメチル基等が挙げられる。

【００２２】また一般式（２）におけるＲ¹、Ｒ²及びＲ
³において、ハロゲン原子としては、臭素原子、塩素原
子等が挙げられ、アルコキシカルボニル基としては、メ
トキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等が挙げら
れ、カルバモイル基としては、カルバモイル基、フェニ
ルカルバモイル基等が挙げられ、アルキル基としては、
メチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられ、アルコ
キシ基としては、メトキシ基、エトキシ基等が挙げら
れ、アリール基としては、フェニル基、トリル基、メト
キシフェニル基、クロロフェニル基等が挙げられる。

【００２３】また一般式（１）中、Ｃｐにおいて一般式
（２）で示されるカプラー残基以外に共存してもいフェ
ノール性水酸基を有するカプラー残基の好ましい例とし
て、下記一般式（８）で示されるカプラー残基が挙げら
れる。

【００２４】

【化２０】

【００２５】式中、Ｒ⁴及びＲ⁵は水素原子、置換基を有
してもよいアルキル基、アリール基、又は複素環基を示
す。また、Ｒ⁴及びＲ⁵は窒素原子を介して環状アミノ基
を形成していてもよい。Ｚは酸素原子又は硫黄原子を示
し、ｍは０又は１を示す。

【００２６】Ｒ⁴及びＲ⁵のアルキル基としてはメチル
基、エチル基、プロピル基等の基、アリール基としては
フェニル基、ナフチル基、アンスリル基等の基、複素環
基としてはピリジル基、チエニル基、カルバゾリル基、
ベンゾイミダゾリル基、ベンゾチアゾリル基等の基、窒
素原子を環内に含む環状アミノ基としてはピロール基、
ピロリン基、ピロリジン基、ピロリドン基、インドール
基、インドリン基、カルバゾール基、イミダゾール基、
ピラゾール基、ピリゾリン基、オキサジン基、フェノキ
サジン基等が挙げられる。

【００２７】置換基としては、メチル基、エチル基又は
プロピル基等のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基又
はプロポキシ基等のアルコキシ基、フッ素原子、塩素原
子、臭素原子又はヨウ素原子等のハロゲン原子、ジメチ
ルアミノ基又はジエチルアミノ基等のジアルキルアミノ
基、フェニルカルバモイル基、ニトロ基、シアノ基又は
トリフルオロメチル等のハロメチル基等が挙げられる。

【００２８】前記フタロシアニン化合物は、下記一般式
（９）で示される。

【００２９】

【化２１】

【００３０】式中、Ｘ⁹〜Ｘ¹²は塩素又は臭素を示し、
ｗ、ｘ、ｙ、ｚは０〜４の整数を示す。Ｍは水素原子あ
るいは任意の２価の基を示す。

【００３１】Ｍは２個の水素原子あるいはいかなる２価
の基でもよく、またいかなる結晶型のフタロシアニンを
用いてもよいが、その中でもＭ＝Ｈ₂、Ｃｕ、ＴｉＯ、
ＨＯＧａ、ＣｌＧａが好ましい。

【００３２】また、その中でも更に好ましいフタロシア
ニン化合物は、χ型無金属フタロシアニン、ε型銅フタ
ロシアニン、α型オキシチタニウムフタロシアニン、Ｃ
ｕＫαの特性Ｘ線回折におけるブラッグ角（２θ±０．
２°）が、９．０°、１４．２°、２３．９°、２７．
２°に強いピークを有し、２７．２°が最も強いピーク
である結晶型のオキシチタニウムフタロシアニン（例え
ば、特開平３−１２８９７号公報に記載；図１）、９．
５°、９．７°、１５．０°、２４．１°、２７．２°
に強いピークを有し、２７．２°が最も強いピークであ
る結晶型のオキシチタニウムフタロシアニン（例えば、
特開平１−１７０６６号公報に記載；図２）、９．３
°、１０．６°、１３．２°、１５．１°、２６．３°
に強いピークを有する結晶型のオキシチタニウムフタロ
シアニン（例えば、特開昭６２−６７０９４号公報に記
載；図３）、７．６°、１０．２°、２２．５°、２
５．３°、２８．６°に強いピークを有する結晶型のオ
キシチタニウムフタロシアニン（例えば、特開昭６１−
２３９２４８号公報に記載；図４）、７．４°、１６．
６°、２５．５°、２８．２°に強いピークを有する結
晶型のクロロガリウムフタロシアニン（例えば、特開平
５−９８１８１号公報に記載；図５）、７．４°、２
８．２°に強いピークを有する結晶型のヒドロキシガリ
ウムフタロシアニン（例えば、特開平５−２６３００７
号公報に記載；図６）である。

【００３３】その中でも、特にＣｕＫαの特性Ｘ線回折
におけるブラッグ角（２θ±０．２°）が、２７．２°
に最も強いピークを有する結晶型のオキシチタニウムフ
タロシアニン、７．４°及び２８．２°に強いピークを
有する結晶型のヒドロキシガリウムフタロシアニンが好
ましい。

【００３４】

【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態を詳
細に説明する。

【００３５】以下に本発明に用いられる、アゾ顔料の具
体的な化合物例を列挙する。構造式は、一般式（１）の
Ａｒ、Ｃｐに相当する部分のみを記載した。なお、ｎが
２、３の場合でＣｐが相異なる場合はＣｐ１、Ｃｐ２及
びＣｐ３としてその構造を示した。

【００３６】

【表１】

【００３７】

【表２】

【００３８】

【表３】

【００３９】

【表４】

【００４０】

【表５】

【００４１】

【表６】

【００４２】以下に、本発明に用いられる多環キノン顔
料の具体的な化合物例を列挙する。

【００４３】

【表７】

【００４４】

【表８】

【００４５】

【表９】

【００４６】

【表１０】

【００４７】

【表１１】

【００４８】

【表１２】

【００４９】以下に、本発明に用いられるフタロシアニ
ン化合物の具体例を列挙する。

【００５０】一般式（９）のＭに相当する部分のＣｕＫ
αの特性Ｘ線回折におけるブラッグ角（２θ±０．２
°）を示した。

【００５１】

【表１３】

【００５２】次に、本発明の電子写真感光体について詳
しく説明する。

【００５３】感光体の構成は、図７、図８及び図９に示
される様な公知のいかなる構成であってもかまわない。
特開平９−２４００５１号公報には、図７の様な導電性
支持体上に電荷発生層、電荷輸送層の順に積層した感光
体では、３８０〜５００ｎｍの光は電荷輸送材料に吸収
され、電荷発生層まで光が届かないため、原理上感度を
示さないとあるが、必づしもその様なことはなく、電荷
輸送層に使用される電荷輸送材料としてレーザーの発振
波長に透過性のある電荷輸送材料を用いれば、本構成の
感光体でも十分な感度が得られ使用可能である。

【００５４】以下に導電性支持体上に電荷発生層と電荷
輸送層を積層した機能分離型感光体について述べる。

【００５５】電荷発生層は、本発明のフタロシアニン顔
料とアゾ顔料又は多環キノン顔料と混合して形成する
が、それぞれ個別に積層して形成してもよい。上記フタ
ロシアニン顔料とアゾ顔料又は多環キノン顔料を混合す
る場合（図１０）、フタロシアニン顔料／アゾ顔料又は
多環キノン顔料の混合比は、好ましくは９／１〜２／８
（重量％）である。

【００５６】電荷発生層は、上記混合比で混合した顔料
を適当なバインダー樹脂と溶剤と共にサンドミル等によ
って分散するか、あるいは個別に分散した液を所定の混
合比に成るように調製して得られる液を塗布することに
よって形成される。その膜厚は、好ましくは５μｍ以
下、より好ましくは０．１〜１μｍの薄膜層である。

【００５７】また、上記フタロシアニン顔料と上記アゾ
顔料又は上記多環キノン顔料を個別に積層する場合の層
構造は、アゾ顔料又は多環キノン顔料を含む電荷発生層
が電荷輸送層と接する形態の場合（図１１及び図１
３）、フタロシアニン顔料を含む電荷発生層が電荷輸送
層と接する形態の場合（図１２及び図１４）にいずれで
もよいが、後者の層構造の形態の方が好ましい。各層の
膜厚は、好ましくは５μｍ以下、より好ましくは０．１
〜１μｍである。

【００５８】この際用いられるバインダー樹脂として
は、広範な絶縁性樹脂あるいは有機光導電性ポリマーか
ら選択されるが、ポリビニルブチラール、ポリビニルベ
ンザール、ポリアリレート、ポリカーボネート、ポリエ
ステル、フェノキシ樹脂、セルロース系樹脂、アクリル
樹脂、ポリウレタン等が好ましく、これらのバインダー
樹脂は置換基を有してもよく、置換基としてはハロゲン
原子、アルキル基、アルコキシ基、ニトロ基、シアノ
基、トリフルオロメチル基等が好ましい。また、バイン
ダー樹脂の使用量は、電荷発生層中の含有率で好ましく
は８０重量％以下、より好ましくは４０重量％以下であ
る。

【００５９】また、使用する溶剤は、前記のバインダー
樹脂を溶解し、後述の電荷輸送層や下引き層を溶解しな
いものから選択することが好ましい。具体的には、テト
ラヒドロフラン、１，４−ジオキサン等のエーテル類、
シクロヘキサノン、メチルエチルケトン等のケトン類、
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミン類、酢酸メチ
ル、酢酸エチル等のエステル類、トルエン、キシレン、
クロロベンゼン等の芳香族類、メタノール、エタノー
ル、２−プロパノール等のアルコール類、クロロホル
ム、塩化メチレン、ジクロロエチレン、四塩化炭素、ト
リクロロエチレン等の脂肪族ハロゲン化炭化水素類等が
挙げられる。

【００６０】電荷輸送層は、電荷発生層の上又は下に積
層され電界の存在下にて電荷発生層から電荷キャリアを
受け取り、これを輸送する機能を有している。電荷輸送
層は、電荷輸送材料を必要に応じて適当なバインダー樹
脂と共に溶剤中に溶解した塗布液を塗布することによっ
て形成され、その膜厚は一般的には５〜４０μｍが好ま
しく、１５〜３０μｍがより好ましい。

【００６１】電荷輸送材料は、電子輸送性材料と正孔輸
送性材料があり、電子輸送性材料としては、例えば、
２，４，７−トリニトロフルオレノン、２，４，５，７
−テトラニトロフルオレノン、クロラニル、テトラシア
ノキノジメタン等の電子吸引性材料やこれらの電子吸引
性材料を高分子化したもの等が挙げられる。

【００６２】正孔輸送材料としては、例えば、ピレン、
アントラセン等の多環芳香族化合物、カルバゾール系、
インドール系、オキサゾール系、チアゾール系、オキサ
ジアゾール系、ピラゾール系、ピラゾリン系、チアジア
ゾール系、トリアゾール系化合物等の複素環化合物、ヒ
ドラゾン系化合物、スチリル系化合物、ベンジジン系化
合物、トリアリールメタン系化合物、トリフェニルアミ
ン系化合物、あるいは、これらの化合物からなる基を主
鎖又は側鎖に有するポリマー（例えば、ポリ−Ｎ−ビニ
ルカルバゾール、ポリビニルアントラセン等）が挙げら
れる。

【００６３】また、これらの電荷輸送材料は１種又は２
種以上組み合わせて用いることができる。電荷輸送材料
が成膜性を有していない時には、適当なバインダー樹脂
を用いることができる。具体的には、アクリル樹脂、ポ
リアリレート、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリ
スチレン、アクリロニトリル−スチレンコポリマー、ポ
リアクリルアミド、ポリアミド、塩素化ゴム等の絶縁性
樹脂あるいはポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニ
ルアントラセン等の有機光導電性ポリマー等が挙げられ
る。

【００６４】ただし、図７の構成の感光体に使用する場
合は、前述の通り使用する半導体レーザーの発振波長に
対して透過性のある電荷輸送材料やバインダー樹脂を選
択する必要がある。

【００６５】導電性支持体の材質としては、例えば、ア
ルミニウム、アルミニウム合金、銅、亜鉛、ステンレ
ス、バナジウム、モリブデン、クロム、チタン、ニッケ
ル、インジウム、金や白金等が挙げられる。また、これ
らの金属又は合金を真空蒸着法によって被膜形成したプ
ラスチック（例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、
ポリ塩化ビニル、ポリエチレンテレフタレート及びアク
リル樹脂等の支持体）や導電性粒子（例えば、カーボン
ブラック、銀粒子等）を適当なバインダー樹脂と共に上
記のようなプラスチック、金属又は合金上に被覆した支
持体あるいは導電性粒子をプラスチックや紙に含浸させ
た支持体等を用いることができる。形状としては、ドラ
ム状、シート状及びベルト状等が挙げられる。

【００６６】導電性支持体と感光層の間にバリヤー機能
と接着機能を有する下引き層を設けることもできる。ま
た、感光層を外部からの機械的及び化学的悪影響から保
護すること等を目的として、保護層を設けることもでき
る。なお、感光層には必要に応じて酸化防止剤や紫外線
吸収剤等の添加剤を使用してもかまわない。

【００６７】次に、本発明の電子写真装置について説明
する。

【００６８】本発明の電子写真装置は、前述の電子写真
感光体と３８０〜５００ｎｍの発振波長を有する半導体
レーザーを用いた像露光手段、帯電手段、現像手段、及
び転写手段から構成される。

【００６９】図１５に本発明の電子写真感光体を有する
プロセスカートリッジを用いた電子写真装置の概略構成
を示す。

【００７０】図１５において、１１はドラム状の本発明
の電子写真感光体であり、軸１２を中心に矢印方向に所
定の周速度で回転駆動される。感光体１１は、回転過程
において、一次帯電手段１３によりその周面に正又は負
の所定電位の均一帯電を受け、次いで、スリット露光や
レーザービーム走査露光等の露光手段（不図示）から出
力される目的の画像情報の時系列電気デジタル画像信号
に対応して強調変調された露光光１４を受ける。こうし
て感光体１１の周面に対し、目的の画像情報に対応した
静電潜像が順次形成されていく。

【００７１】形成された静電潜像は、次いで現像手段１
５によりトナー現像され、現像されたトナー像は、不図
示の給紙部から感光体１１と転写手段１６との間に感光
体１１の回転と同期して取り出されて給紙された転写材
１７に、感光体１１の表面に形成担持されているトナー
画像が転写手段１６により順次転写されていく。

【００７２】トナー画像の転写を受けた転写材１７は、
感光体面から分離されて像定着手段１８へ導入されて像
定着を受けることにより画像形成物（プリント、コピ
ー）として装置外へプリントアウトされる。

【００７３】像転写後の感光体１１の表面は、クリーニ
ング手段１９によって転写残りトナーの除去を受けて清
浄面化され、更に前露光手段（不図示）からの前露光光
２０により除電処理された後、繰り返し画像形成に使用
される。なお、一次帯電手段１３が帯電ローラー等を用
いた接触帯電手段である場合は、前露光は必ずしも必要
ではない。

【００７４】本発明においては、上述の電子写真感光体
１１、一次帯電手段１３、現像手段１５及びクリーニン
グ手段１９等の構成要素のうち、複数のものをプロセス
カートリッジとして一体に結合して構成し、このプロセ
スカートリッジを複写機やレーザービームプリンター等
の電子写真装置本体に対して着脱自在に構成してもよ
い。例えば、一次帯電手段１３、現像手段１５及びクリ
ーニング手段１９の少なくとも一つを感光体１１と共に
一体に支持してカートリッジ化して、装置本体のレール
２２等の案内手段を用いて装置本体に着脱自在なプロセ
スカートリッジ２１とすることができる。

【００７５】また、露光光１４は、電子写真装置が複写
機やプリンターである場合には、原稿からの反射光や透
過光、あるいは、センサーで原稿を読取り、信号化し、
この信号に従って行われるレーザービームの走査、ＬＥ
Ｄアレイの駆動及び液晶シャッターアレイの駆動等によ
り照射される光である。

【００７６】

【実施例】以下、実施例を挙げて本発明を更に詳細に説
明する。なお実施例中の「部」は重量部を示す。

【００７７】（実施例１−１）アルミニウム支持体上に
メトキシメチル化ナイロン（重量平均分子量３２００
０）５部とアルコール可溶性共重合ナイロン（重量平均
分子量２９０００）１０部をメタノール９５部に溶解し
た液をマイヤーバーで塗布し、乾燥後の膜厚が１μｍの
下引き層を形成した。

【００７８】次に、アゾ顔料Ｐ¹−４ ２．５部とフタ
ロシアニン顔料Ｆ−１ ２．５部をシクロヘキサノン９
５部にブチラール樹脂（ブチラール化度６３モル％、重
量平均分子量３５０００）２．５部を溶かした溶液に加
え、サンドミルを用いて５時間分散した。この液を下引
き層上にマイヤーバーで塗布し、乾燥することによっ
て、膜厚が０．２５μｍの電荷発生層を形成した。

【００７９】次いで、下記構造式（１０）で示される電
荷輸送材料５部

【００８０】

【化２２】 とポリカーボネートＺ樹脂（数平均分子量２００００）
５部をモノクロルベンゼン４０部に溶解した溶液を電荷
発生層上にマイヤーバーで塗布し、乾燥することによっ
て、膜厚が２０μｍの電荷輸送層を形成した。

【００８１】この様にして作成した電子写真感光体を、
静電複写紙試験装置（川口電機製：ＥＰＡ−８１００）
を用いて、以下の様に評価した。結果を表１−１に示
す。

【００８２】（感度）温度２３℃／湿度５０％の環境下
で、感光体の表面電位を−７００Ｖになる様にコロナ帯
電器で帯電し、次いでモノクロメータで分離した４００
ｎｍの単色光で露光し、表面電位が−３５０Ｖまで減衰
するのに必要な光量を測定し、感度（Ｅ_1/2）を求め
た。同様に、４５０ｎｍ、５００ｎｍの単色光における
感度を測定した。

【００８３】（感度の環境依存性）高温高湿度環境下
（３５℃／８５％）、低温低湿度環境下（１５℃／１０
％）において、同様に４００ｎｍの単色光を照射し感度
（Ｅ_1/2）を求めた。

【００８４】（実施例１−２〜１−８）実施例１−１で
用いた電荷発生材料を表１−１に記載の顔料に代えた以
外は、実施例１−１と同様に電子写真感光体を作成し、
評価した。結果を表１−１に示す。

【００８５】（比較例１−１）電荷発生材料を実施例１
−１の混合顔料の代わりにα型オキシチタニウムフタロ
シアニンＦ−９ ５部を用いた以外は、実施例１−１と
同様に電子写真感光体を作成し、評価した。結果を表１
−１に示す。

【００８６】（比較例１−２）電荷発生材料を実施例１
−１の混合顔料の代わりにフタロシアニン顔料Ｆ−３５
部を用いた以外は、実施例１−１と同様に電子写真感光
体を作成し、評価した。結果を表１−１に示す。

【００８７】（実施例２−１）実施例１−１で用いた電
荷発生材料をアゾ顔料Ｐ²−５ ２部とフタロシアニン
顔料Ｆ−１に代えた以外は、実施例１−１と同様に電子
写真感光体を作成し、評価した。結果を表２−１に示
す。

【００８８】（実施例２−２〜２−８）実施例２−１で
用いた電荷発生材料を表２−１に記載の顔料に代えた以
外は、実施例２−１と同様に電子写真感光体を作成し、
評価した。結果を表２−１に示す。

【００８９】（比較例２−１）電荷発生材料を実施例２
−１の混合顔料の代わりにα型オキシチタニウムフタロ
シアニンＦ−９ ５部を用いた以外は、実施例２−１と
同様に電子写真感光体を作成し、評価した。結果を表２
−１に示す。

【００９０】（比較例２−２）電荷発生材料を実施例２
−１の混合顔料の代わりにフタロシアニン顔料Ｆ−３５
部を用いた以外は、実施例２−１と同様に電子写真感光
体を作成し、評価した。結果を表２−１に示す。

【００９１】

【表１４】

【００９２】

【表１５】

【００９３】（実施例１−９）実施例１−１で用いたア
ゾ顔料Ｐ¹−４をＰ¹−６に代え、電荷輸送材料を下記構
造式（１１）の化合物に代えた以外は、実施例１−１と
全く同様に電子写真感光体を作成し、同様に評価した。
これらの結果を表１−２に示す。

【００９４】

【化２３】

【００９５】（実施例１−１０〜１−１６）実施例１−
９で用いた電荷発生材料を表１−２に記載の顔料に代え
た以外は、実施例１−９と同様に電子写真感光体を作成
し、評価した。結果を表１−２に示す。

【００９６】（比較例１−３）電荷発生材料を実施例１
−９の混合顔料の代わりにα型オキシチタニウムフタロ
シアニンＦ−９ ５部を用いた以外は、実施例１−９と
同様に電子写真感光体を作成し、評価した。結果を表１
−２に示す。

【００９７】（比較例１−４）電荷発生材料を実施例１
−９の混合顔料の代わりにフタロシアニン顔料Ｆ−３５
部を用いた以外は、実施例１−９と同様に電子写真感光
体を作成し、評価した。結果を表１−２に示す。

【００９８】（実施例２−９）実施例２−１で用いたア
ゾ顔料Ｐ²−５をＰ²−８に代え、電荷輸送材料を上記構
造式（１１）の化合物に代えた以外は、実施例２−１と
全く同様に電子写真感光体を作成し、同様に評価した。
これらの結果を表２−２に示す。

【００９９】（実施例２−１０〜１−１６）実施例２−
９で用いた電荷発生材料を表２−２に記載の顔料に代え
た以外は、実施例２−９と同様に電子写真感光体を作成
し、評価した。結果を表２−２に示す。

【０１００】（比較例２−３）電荷発生材料を実施例２
−９の混合顔料の代わりにα型オキシチタニウムフタロ
シアニンＦ−９ ５部を用いた以外は、実施例２−９と
同様に電子写真感光体を作成し、評価した。結果を表２
−２に示す。

【０１０１】（比較例２−４）電荷発生材料を実施例２
−９の混合顔料の代わりにフタロシアニン顔料Ｆ−３５
部を用いた以外は、実施例２−９と同様に電子写真感光
体を作成し、評価した。結果を表２−２に示す。

【０１０２】

【表１６】

【表１７】

【０１０３】（実施例１−１７）実施例１−１と同様に
下引き層を形成した。

【０１０４】次に、アゾ顔料Ｐ¹−４ ５部をシクロヘ
キサノン９５部にブチラール樹脂（ブチラール化度６３
モル％、重量平均分子量３５０００）２．５部を溶かし
た溶液に加え、サンドミルを用いて２０時間分散した。
また、フタロシアニン顔料Ｆ−６（ヒドロキシガリウム
フタロシアニン）５部をシクロヘキサノン９５部にブチ
ラール樹脂（ブチラール化度６３モル％、重量平均分子
量３５０００）２．５部を溶かした溶液に加え、サンド
ミルを用いて２０時間分散した。

【０１０５】アゾ顔料の分散液を前記下引き層上にマイ
ヤーバーで塗布し、乾燥することによって膜厚が０．１
μｍのアゾ顔料層を形成し、この上に更にヒドロキシガ
リウムフタロシアニンの分散液を同様に塗布、乾燥し膜
厚が０．１μｍのヒドロキシガリウムフタロシアニン層
を形成した。

【０１０６】次いで、実施例１−１と同様に電荷発生層
を形成し、実施例１−１と同様に電子写真感光体を作成
し、評価を行った。結果を表１−３に示す。

【０１０７】（実施例１−１８）実施例１−１７におい
て、アゾ顔料層とヒドロキシガリウムフタロシアニン層
の塗布順を代えて、電荷発生層の層構造を逆にした以外
は、実施例１−１７と同様に電子写真感光体を作成し、
評価した。結果を表１−３に示す。

【０１０８】（実施例１−１９）実施例１−１７で作成
したアゾ顔料の分散液とヒドロキシガリウムフタロシア
ニンの分散液を、２：８（重量％）で混合した分散液を
用いた以外は、実施例１−１７と同様に電子写真感光体
を作成し、評価した。結果を表１−３に示す。

【０１０９】（実施例１−２０〜２２）実施例１−１９
において、アゾ顔料の分散液とヒドロキシガリウムフタ
ロシアニンの分散液の混合比を表１−３に記載の様に変
更した以外は、実施例１−１９と同様に電子写真感光体
を作成し、評価した。結果を表１−３に示す。

【０１１０】（実施例２−１７）実施例１−１７で用い
たアゾ顔料Ｐ¹−４をＰ²−５に代えた以外は、実施例１
−１７と同様に電子写真感光体を作成し、評価を行っ
た。その結果を表１−３に示す。

【０１１１】（実施例２−１８）実施例２−１７におい
て、アゾ顔料層とヒドロキシガリウムフタロシアニン層
の塗布順を代えて、電荷発生層の層構造を逆にした以外
は、実施例２−１７と同様に電子写真感光体を作成し、
評価した。結果を表２−３に示す。

【０１１２】（実施例２−１９）実施例２−１７で作成
したアゾ顔料の分散液とヒドロキシガリウムフタロシア
ニンの分散液を、２：８（重量％）で混合した分散液を
用いた以外は、実施例２−１７と同様に電子写真感光体
を作成し、評価した。結果を表２−３に示す。

【０１１３】（実施例２−２０〜２２）実施例２−１９
において、アゾ顔料の分散液とヒドロキシガリウムフタ
ロシアニンの分散液の混合比を表２−３に記載の様に変
更した以外は、実施例２−１９と同様に電子写真感光体
を作成し、評価した。結果を表２−３に示す。

【０１１４】

【表１８】

【０１１５】

【表１９】

【０１１６】（実施例１−２３、２４及び比較例１−
５、６）実施例１−１〜１−８及び比較例１−１、２で
作成した感光体の電荷発生層と電荷輸送層の構成を逆に
した感光体を作成し、実施例１−１と同様に感度を測定
した。ただし、電荷輸送材料は下記構造式（１２）の化
合物に代え、帯電極性はプラスとした。これらの結果を
表１−４に示す。

【０１１７】（実施例２−２３〜２−２４及び比較例２
−５、６）実施例２−１〜２−８及び比較例２−１、２
で作成した感光体の電荷発生層と電荷輸送層の構成を逆
にした感光体を作成し、実施例２−１と同様に感度を測
定した。ただし、電荷輸送材料は下記構造式（１２）の
化合物に代え、帯電極性はプラスとした。これらの結果
を表２−４に示す。

【０１１８】

【化２４】

【０１１９】

【表２０】

【０１２０】

【表２１】

【０１２１】以上の結果から本発明に用いる電子写真感
光体は、比較例の感光体に比べ短波長レーザーの発振波
長領域での感度が非常に優れ、フラットである上に、環
境変動に対する感度の変動が小さいことがわかる。

【０１２２】（実施例１−２５）１０％酸化アンチモン
を含有する酸化スズで被覆した酸化チタン粉体５０部、
レゾール型フェノール樹脂２５部、メチルセルソルブ２
０部、メタノール５部及びシリコーンオイル（ポリジメ
チルシロキサンポリオキシアルキレン共重合体、平均分
子量３０００）０．００２部を１ｍｍφガラスビーズを
用いたサンドミル装置で２時間分散して導電層用塗料を
調製した。アルミニウムシリンダー上に、上記塗料を浸
漬塗布し、１４０℃で３０分間乾燥させ、膜厚が２０μ
ｍの導電層を形成した。

【０１２３】この導電層上に、６−６６−６１０−１２
四元系ポリアミド共重合体樹脂５部をメタノール７０部
／ブタノール２５部の混合溶媒に溶解した溶液をディッ
ピング法で塗布乾燥し、膜厚が０．８μｍの下引き層を
設けた。

【０１２４】次に、アゾ顔料Ｐ¹−４ ５部とフタロシ
アニン顔料Ｆ−１ ５部及びポリビニルブチラール樹脂
（商品名：エスレックＢＭ−Ｓ、積水化学社製）５部を
シクロヘキサノン１００部に溶解した液に添加し、１ｍ
ｍφのガラスビーズを用いたサンドミルで５時間分散
し、これに１００部の酢酸エチルを加えて希釈し、これ
を下引き層上に塗布した後、１００℃で１０分間乾燥し
て、膜厚が０．２μｍの電荷発生層を形成した。

【０１２５】次に、下記構造式（１３）で示される電荷
輸送材料９部とビスフェノールＺ型ポリカーボネート樹
脂（数平均分子量２００００）１０部をモノクロルベン
ゼン６０部に溶解した溶液を作成し、電荷発生層上にデ
ィッピング法により塗布した。これを１１０℃の温度で
１時間乾燥して、膜厚が２０μｍの電荷輸送層を形成
し、電子写真感光体を作成した。

【０１２６】

【化２５】

【０１２７】この様にして作成した電子写真感光体を、
パルス変調装置を搭載しているキヤノン製プリンターＬ
ＢＰ−２０００改造機（光源として日立金属株式会社製
全固体青色ＳＨＧレーザーＩＣＤ−４３０／発振波長４
３０ｎｍを搭載。また、反転現像系で６００ｄｐｉ相当
の画像入力に対応できる帯電−露光−現像−転写−クリ
ーニングからなるカールソン方式の電子写真システムに
改造）に装着し、暗部電位Ｖｄ＝−６５０Ｖ、明部電位
Ｖｌ＝−２００Ｖに設定し、１ドット１スペース画像と
文字（５ポイント）画像の出力し、画像評価をＮ／Ｎ、
Ｈ／Ｈ、Ｌ／Ｌの３環境下で行った。結果を表１−５に
示す。

【０１２８】（実施例１−２６〜３２）電荷発生材料と
して表１−５に示す顔料を用いた以外は、実施例１−２
５と同様に電子写真感光体を作成し、画像評価を行っ
た。結果を表１−５に示す。

【０１２９】（比較例１−７）実施例１−２５で用いた
評価機の光源を発振波長７８０ｎｍのＧａＡｓ系半導体
レーザーに代えた以外は、実施例１−２５と同様に電子
写真感光体を作成し、画像評価を行った。結果を表１−
５に示す。

【０１３０】（比較例１−８及び９）電荷発生材料とし
て実施例１−２５の混合顔料の代わりに表１−５に示す
顔料を用いた以外は、実施例１−２５と同様に電子写真
感光体を作成し、画像評価を行った。結果を表１−５に
示す。

【０１３１】（実施例２−２５）実施例１−２５で用い
たアゾ顔料Ｐ¹−４をＰ²−５に代えた以外は、実施例１
−２５と同様に電子写真感光体を作成し、実施例１−２
５と同様に画像評価を行った。その結果を表２−５に示
す。

【０１３２】（実施例２−２６〜３２）電荷発生材料と
して表２−５に示す顔料を用いた以外は、実施例２−２
５と同様に電子写真感光体を作成し、画像評価を行っ
た。結果を表２−５に示す。

【０１３３】（比較例２−７）実施例２−２５で用いた
評価機の光源を発振波長７８０ｎｍのＧａＡｓ系半導体
レーザーに代えた以外は、実施例２−２５と同様に電子
写真感光体を作成し、画像評価を行った。結果を表２−
５に示す。

【０１３４】（比較例２−８及び９）電荷発生材料とし
て実施例２−２５の混合顔料の代わりに表２−５に示す
顔料を用いた以外は、実施例２−２５と同様に電子写真
感光体を作成し、画像評価を行った。結果を表２−５に
示す。

【０１３５】

【表２２】

【０１３６】

【表２３】

【０１３７】これらの結果から、本発明の電子写真装置
は、ドットの再現性や文字の再現性に優れ高解像度の出
力画像が得られることがわかる。

【０１３８】

【発明の効果】以上説明してきたように本発明によれ
ば、フタロシアニン顔料と特定の構造を有するアゾ顔料
又は多環キノン顔料を用いることにより、３８０〜５０
０ｎｍ付近の短波長の半導体レーザーの発振波長領域に
おいて、感度の波長依存性が小さく、高い感度特性を有
し、かつ感度の環境依存性が小さい電子写真感光体が提
供され、またこの電子写真感光体と上記半導体レーザー
を組み合わせることにより、高解像度の画像形成が可能
で繰り返し使用にも安定して使用しうる電子写真装置及
びプロセスカートリッジが提供される。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の電子写真感光体に用いられるオキシチ
タニウムフタロシアニンのＣｕＫαの特性Ｘ線回折図で
ある。

【図２】本発明の電子写真感光体に用いられるオキシチ
タニウムフタロシアニンのＣｕＫαの特性Ｘ線回折図で
ある。

【図３】本発明の電子写真感光体に用いられるオキシチ
タニウムフタロシアニンのＣｕＫαの特性Ｘ線回折図で
ある。

【図４】本発明の電子写真感光体に用いられるオキシチ
タニウムフタロシアニンのＣｕＫαの特性Ｘ線回折図で
ある。

【図５】本発明の電子写真感光体に用いられるヒドロキ
シガリウムフタロシアニンのＣｕＫαの特性Ｘ線回折図
である。

【図６】本発明の電子写真感光体に用いられるクロロガ
リウムフタロシアニンのＣｕＫαの特性Ｘ線回折図であ
る。

【図７】本発明の電子写真装置に使用される電子写真感
光体の層構造（電荷発生層上に電荷輸送層）の例を示す
断面図である。

【図８】本発明の電子写真装置に使用される電子写真感
光体の層構造（電荷輸送層上に電荷発生層）の例を示す
断面図である。

【図９】本発明の電子写真装置に使用される電子写真感
光体の層構造の例を示す断面図である。

【図１０】本発明の電子写真装置に使用される電子写真
感光体の層構造（感光層が単一層）の例を示す断面図で
ある。

【図１１】本発明の電子写真装置に使用される電子写真
感光体の層構造（アゾ顔料又は多環キノン顔料を含む電
荷発生層が電荷輸送層と接する）の例を示す断面図であ
る。

【図１２】本発明の電子写真装置に使用される電子写真
感光体の層構造（フタロシアニン顔料を含む電荷発生層
が電荷輸送層と接する）の例を示す断面図である。

【図１３】本発明の電子写真装置に使用される電子写真
感光体の層構造（アゾ顔料又は多環キノン顔料を含む電
荷発生層が電荷輸送層と接する）の例を示す断面図であ
る。

【図１４】本発明の電子写真装置に使用される電子写真
感光体の層構造（フタロシアニン顔料を含む電荷発生層
が電荷輸送層と接する）の例を示す断面図である。

【図１５】本発明の電子写真感光体を有するプロセスカ
ートリッジを有する電子写真装置の概略構成の例を示す
図である。

【符号の説明】

ａ 導電性支持体 ｂ 感光層 ｃ 電荷発生層 ｄ 電荷輸送層 ｅ 電荷発生材料 ｆ バインター樹脂 ｇ 電荷輸送層／バインダー樹脂 １ 電荷輸送層 ２ フタロシアニンとアゾ顔料を混合して電荷発生層 ３ 導電性支持体 ４ アゾ顔料を含む電荷発生層 ５ フタロシアニン顔料を含む電荷発生層 １１ 感光体 １２ 軸 １３ 帯電手段 １４ 露光光 １５ 現像手段 １６ 転写手段 １７ 転写材 １８ 定着手段 １９ クリーニング手段 ２０ 前露光光 ２１ プロセスカートリッジ ２２ レール

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H068 AA19 AA21 BA37 BA38 BA39 BA42 BA43 BA51 BA53 FB05 FC05 2H071 BA04 BA13 DA03 DA06 DA08 DA13 DA15

Claims (17)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体レーザーの発振波長が３８０〜５
   ００ｎｍの範囲にある露光光源で使用される電子写真感
   光体において、該電子写真感光体に用いられる電荷発生
   材料がフタロシアニン顔料と下記一般式（１）で示され
   るアゾ顔料とを含有することを特徴とする電子写真感光
   体。 【化１】 （式中、Ａｒは直接あるいは結合基を介して結合してい
   てもよい、置換基を有してもよい芳香族炭化水素環基又
   は複素環基を表し、Ｃｐはフェノール性水酸基を有する
   カプラー残基を示し、Ｃｐは下記一般式（２）で示され
   るカプラー残基である。ｎは１〜３の整数を示す。ただ
   し、−Ｎ＝Ｎ−Ｃｐが同一ベンゼン環に複数個結合する
   ことはない） 【化２】 （式中、Ｒ¹は水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、カ
   ルボキシル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル
   基又はニトロ基を示し、Ｒ²はアルキル基又はアリール
   基を示し、Ｒ³はハロゲン原子、アルキル基、アルコキ
   シ基、シアノ基又はニトロ基を示す。ｊは０、１、２を
   示し、ｊ＝２の時、Ｒ³は相異なる基であってもよい）
2. 【請求項２】 半導体レーザーの発振波長が３８０〜５
   ００ｎｍの範囲にある露光光源で使用される電子写真感
   光体において、該電子写真感光体に用いられる電荷発生
   材料がフタロシアニン顔料と下記一般式（３）、一般式
   （４）又は一般式（５）で示される多環キノン顔料とを
   含有することを特徴とする電子写真感光体。 【化３】 【化４】 【化５】 （上記各式中、Ｘはハロゲン原子、ニトロ基、シアノ
   基、アシル基又はカルボキシル基を示し、ｎは０〜４の
   整数、ｍは０〜６の整数を示す）
3. 【請求項３】 前記半導体レーザーの発振波長が４００
   〜４５０ｎｍの範囲にある請求項１又は２に記載の電子
   写真感光体。
4. 【請求項４】 前記フタロシアニン顔料が下記一般式
   （６）で示されるオキシチタニウムフタロシアニンであ
   る請求項１〜３のいずれかに記載の電子写真感光体。 【化６】 （式中、Ｘ¹〜Ｘ⁴は塩素又は臭素を示し、ｋ、ｌ、ｍ、
   ｎは０〜４の整数を示す）
5. 【請求項５】 前記フタロシアニン顔料が、下記一般式
   （７）で示されるガリウムフタロシアニンである請求項
   １〜３のいずれかに記載の電子写真感光体。 【化７】 （式中、Ｘ⁵〜Ｘ⁸は塩素又は臭素を示し、ｑ、ｒ、ｓ、
   ｔは０〜４の整数を示す。Ｚは水酸基又は塩素を示す）
6. 【請求項６】 前記フタロシアニン顔料が、ＣｕＫαの
   特性Ｘ線回折におけるブラッグ角（２θ±０．２°）の
   ２７．２°に最も強いピークを有するオキシチタニウム
   フタロシアニンである請求項４に記載の電子写真感光
   体。
7. 【請求項７】 前記フタロシアニン顔料が、ＣｕＫαの
   特性Ｘ線回折におけるブラッグ角（２θ±０．２°）の
   ７．４°及び２８．２°に強いピークを有するヒドロキ
   シガリウムフタロシアニンである請求項５に記載の電子
   写真感光体。
8. 【請求項８】 感光体が導電性支持体上に少なくとも電
   荷発生層と電荷輸送層がこの順に積層されている請求項
   １〜７のいずれかに記載の電子写真感光体。
9. 【請求項９】 少なくとも導電性支持体上に感光層を有
   する電子写真感光体と、レーザー光を光源とした露光装
   置を有する電子写真装置において、レーザーの発振波長
   が３８０〜５００ｎｍの範囲にあり、かつ該感光層の電
   荷発生材料がフタロシアニン顔料と下記一般式（１）で
   示されるアゾ化合物を共に含有することを特徴とする電
   子写真装置。 【化８】 （式中、Ａｒは直接あるいは結合基を介して結合してい
   てもよい、置換基を有してもよい芳香族炭化水素環基又
   は複素環基を表し、Ｃｐはフェノール性水酸基を有する
   カプラー残基を示し、Ｃｐは下記一般式（２）で示され
   るカプラー残基である。ｎは１〜３の整数を示す。ただ
   し、−Ｎ＝Ｎ−Ｃｐが同一ベンゼン環に複数個結合する
   ことはない） 【化９】 （式中、Ｒ¹は水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、カ
   ルボキシル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル
   基又はニトロ基を示し、Ｒ²はアルキル基又はアリール
   基を示し、Ｒ³はハロゲン原子、アルキル基、アルコキ
   シ基、シアノ基又はニトロ基を示す。ｊは０、１、２を
   示し、ｊ＝２の時、Ｒ³は相異なる基であってもよい）
10. 【請求項１０】 少なくとも導電性支持体上に感光層を
    有する電子写真感光体と、レーザー光を光源とした露光
    装置を有する電子写真装置において、レーザーの発振波
    長が３８０〜５００ｎｍの範囲にあり、かつ該感光層の
    電荷発生材料がフタロシアニン顔料と下記一般式
    （３）、一般式（４）又は一般式（５）で示される多環
    キノン顔料を共に含有することを特徴とする電子写真装
    置。 【化１０】 【化１１】 【化１２】 （上記各式中、Ｘはハロゲン原子、ニトロ基、シアノ
    基、アシル基又はカルボキシル基を示し、ｎは０〜４の
    整数、ｍは０〜６の整数を示す）
11. 【請求項１１】 前記半導体レーザーの発振波長が４０
    ０〜４５０ｎｍの範囲にある請求項９又は１０に記載の
    電子写真装置。
12. 【請求項１２】 前記フタロシアニン顔料が下記一般式
    （６）で示されるオキシチタニウムフタロシアニンであ
    る請求項９〜１１のいずれかに記載の電子写真装置。 【化１３】 （式中、Ｘ¹〜Ｘ⁴は塩素又は臭素を示し、ｋ、ｌ、ｍ、
    ｎは０〜４の整数を示す）
13. 【請求項１３】 前記フタロシアニン顔料が下記一般式
    （７）で示されるガリウムフタロシアニンである請求項
    ９〜１１のいずれかに記載の電子写真装置。 【化１４】 （式中、Ｘ⁵〜Ｘ⁸は塩素又は臭素を示し、ｑ、ｒ、ｓ、
    ｔは０〜４の整数を示す。Ｚは水酸基又は塩素を示す）
14. 【請求項１４】 前記フタロシアニン顔料が、ＣｕＫα
    の特性Ｘ線回折におけるブラッグ角（２θ±０．２°）
    の２７．２°に最も強いピークを有するオキシチタニウ
    ムフタロシアニンである請求項１２に記載の電子写真装
    置。
15. 【請求項１５】 前記フタロシアニン顔料が、ＣｕＫα
    の特性Ｘ線回折におけるブラッグ角（２θ±０．２°）
    の７．４°及び２８．２°に強いピークを有するヒドロ
    キシガリウムフタロシアニンである請求項１３に記載の
    電子写真装置。
16. 【請求項１６】 感光体が導電性支持体上に少なくとも
    電荷発生層と電荷輸送層がこの順に積層されている請求
    項９〜１５のいずれかに記載の電子写真装置。
17. 【請求項１７】 請求項１〜８のいずれかに記載の電子
    写真感光体を、該電子写真感光体を帯電させる帯電手
    段、静電潜像の形成された電子写真感光体をトナーで現
    像する現像手段、及び転写工程後の感光体上に残余する
    トナーを回収するクリーニング手段からなる群より選ば
    れた少なくとも一つの手段と共に一体に支持し、電子写
    真装置本体に着脱自在であることを特徴とするプロセス
    カートリッジ。