JP2000047408A - 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電子写真装置 - Google Patents
電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電子写真装置Info
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- JP2000047408A JP2000047408A JP10217774A JP21777498A JP2000047408A JP 2000047408 A JP2000047408 A JP 2000047408A JP 10217774 A JP10217774 A JP 10217774A JP 21777498 A JP21777498 A JP 21777498A JP 2000047408 A JP2000047408 A JP 2000047408A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 ３８０〜５００ｎｍの波長域でも高い感度特
性を有する電子写真感光体を提供する。 【解決手段】 波長３８０〜５００ｎｍの半導体レーザ
ー光光源で使用され、電荷発生材料が式（１）、（２）
または（３）の多環キノン顔料または式（４）、（５）
または（６）のペリレン顔料である電子写真感光体、こ
れを有するプロセスカートリッジ及び電子写真装置。 （一般式（１）〜（３）中、Ｘはハロゲン原子、アルキ
ル基などを、ｎは０〜４の、ｍは０〜６の整数を表
す。） （一般式（４）〜（６）中、Ａは水素原子、アルキル
基、などを、Ｂは二価の芳香族炭化水素基または二価の
含窒素複素環基を表す。）
性を有する電子写真感光体を提供する。 【解決手段】 波長３８０〜５００ｎｍの半導体レーザ
ー光光源で使用され、電荷発生材料が式（１）、（２）
または（３）の多環キノン顔料または式（４）、（５）
または（６）のペリレン顔料である電子写真感光体、こ
れを有するプロセスカートリッジ及び電子写真装置。 （一般式（１）〜（３）中、Ｘはハロゲン原子、アルキ
ル基などを、ｎは０〜４の、ｍは０〜６の整数を表
す。） （一般式（４）〜（６）中、Ａは水素原子、アルキル
基、などを、Ｂは二価の芳香族炭化水素基または二価の
含窒素複素環基を表す。）
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は電子写真感光体、こ
れを有するプロセスカートリッジ及び電子写真装置に関
し、詳しくは画像の高解像度化が可能な短波長の半導体
レーザーに適した電子写真感光体、プロセスカートリッ
ジ及び電子写真装置に関する。
れを有するプロセスカートリッジ及び電子写真装置に関
し、詳しくは画像の高解像度化が可能な短波長の半導体
レーザーに適した電子写真感光体、プロセスカートリッ
ジ及び電子写真装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在レーザープリンターなどに代表され
るレーザーを光源として使用している電子写真装置にお
いて使用されているレーザーは、８００ｎｍ付近あるい
は６８０ｎｍ付近に発振波長を有する半導体レーザーが
主流である。近年、出力画像の高画質化のニーズの高ま
りから、高解像度化に向けた様々なアプローチがなされ
ている。レーザーの波長もこの高解像度化に深く関わっ
ており、特開平９−２４００５１号公報にも記載されて
いるように、レーザーの発振波長が短くなるほど、レー
ザーのスポット径を小さくすることが可能となり、高解
像度の潜像形成が可能となる。
るレーザーを光源として使用している電子写真装置にお
いて使用されているレーザーは、８００ｎｍ付近あるい
は６８０ｎｍ付近に発振波長を有する半導体レーザーが
主流である。近年、出力画像の高画質化のニーズの高ま
りから、高解像度化に向けた様々なアプローチがなされ
ている。レーザーの波長もこの高解像度化に深く関わっ
ており、特開平９−２４００５１号公報にも記載されて
いるように、レーザーの発振波長が短くなるほど、レー
ザーのスポット径を小さくすることが可能となり、高解
像度の潜像形成が可能となる。
【０００３】レーザー発振波長の短波長化には、いくつ
かの手法が挙げられる。
かの手法が挙げられる。
【０００４】一つは、非線形光学材料を利用し、第２高
調波発生（ＳＨＧ）を用いてレーザー光の波長を２分の
１にするものである（特開平９−２７５２４２、特開平
９−１８９９３０及び特開平５−３１３０３３号公報な
ど）。この系は、一次光源として、既に技術が確立し高
出力可能なＧａＡｓ系ＬＤやＹＡＧレーザーを使用する
ことができるため、長寿命化や大出力化が可能である。
調波発生（ＳＨＧ）を用いてレーザー光の波長を２分の
１にするものである（特開平９−２７５２４２、特開平
９−１８９９３０及び特開平５−３１３０３３号公報な
ど）。この系は、一次光源として、既に技術が確立し高
出力可能なＧａＡｓ系ＬＤやＹＡＧレーザーを使用する
ことができるため、長寿命化や大出力化が可能である。
【０００５】もう一つは、ワイドギャップ半導体を用い
るもので、ＳＨＧ利用のデバイスと比べ、装置の小型化
が可能である。ＺｎＳｅ系半導体（特開平７−３２１４
０９及び特開平６−３３４２７２号公報など）や、Ｇａ
Ｎ系半導体（特開平８−０８８４４１及び特開平７−３
３５９７５号公報など）を用いたＬＤが、その発光効率
の高さから、以前から多くの研究の対象となっている。
るもので、ＳＨＧ利用のデバイスと比べ、装置の小型化
が可能である。ＺｎＳｅ系半導体（特開平７−３２１４
０９及び特開平６−３３４２７２号公報など）や、Ｇａ
Ｎ系半導体（特開平８−０８８４４１及び特開平７−３
３５９７５号公報など）を用いたＬＤが、その発光効率
の高さから、以前から多くの研究の対象となっている。
【０００６】しかし、これらのＬＤは素子構造、結晶成
長条件、電極などの最適化が難しく、結晶中の欠陥など
により、実用化に必須である室温での長時間発振が困難
であった。
長条件、電極などの最適化が難しく、結晶中の欠陥など
により、実用化に必須である室温での長時間発振が困難
であった。
【０００７】しかし、基盤などの技術革新が進み、１９
９７年１０月には日亜化学工業から、ＧａＮ系半導体を
用いたＬＤで１１５０時間連続発振（５０℃条件）が報
告されるなど、実用化が目前に迫っている状態である。
９７年１０月には日亜化学工業から、ＧａＮ系半導体を
用いたＬＤで１１５０時間連続発振（５０℃条件）が報
告されるなど、実用化が目前に迫っている状態である。
【０００８】特開平９−２４００５１号公報には、４０
０〜５００ｎｍのレーザーに適した感光体として、α型
チタニルフタロシアニンを用いた単層ないしは電荷発生
層を最表面層とした積層感光体が開示されているが、本
発明者らの検討によれば、この材料を用いた場合、感度
が悪い上に、特に４００ｎｍ付近の光に対するメモリー
が非常に大きいため、繰り返し使用した際の感光体の電
位変動が大きいという問題があることが分かった。
０〜５００ｎｍのレーザーに適した感光体として、α型
チタニルフタロシアニンを用いた単層ないしは電荷発生
層を最表面層とした積層感光体が開示されているが、本
発明者らの検討によれば、この材料を用いた場合、感度
が悪い上に、特に４００ｎｍ付近の光に対するメモリー
が非常に大きいため、繰り返し使用した際の感光体の電
位変動が大きいという問題があることが分かった。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、３８
０〜５００ｎｍの波長域でも高い感度特性を有し、かつ
光メモリーが小さく繰り返し使用時の電位変動の小さい
電子写真感光体及びこれを有するプロセスカートリッジ
を提供し、またこの感光体と短波長レーザーを使用する
ことによって、実用的で安定して高画質な出力画像が得
られる電子写真装置を提供することにある。
０〜５００ｎｍの波長域でも高い感度特性を有し、かつ
光メモリーが小さく繰り返し使用時の電位変動の小さい
電子写真感光体及びこれを有するプロセスカートリッジ
を提供し、またこの感光体と短波長レーザーを使用する
ことによって、実用的で安定して高画質な出力画像が得
られる電子写真装置を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体レーザ
ーの発振波長が３８０〜５００ｎｍの範囲にある露光光
源で使用される電子写真感光体において、該電子写真感
光体に用いられる電荷発生材料が一般式（１）、（２）
または（３）で示される多環キノン顔料または一般式
（４）、（５）または（６）で示されるペリレン顔料で
あることを特徴とする電子写真感光体である。
ーの発振波長が３８０〜５００ｎｍの範囲にある露光光
源で使用される電子写真感光体において、該電子写真感
光体に用いられる電荷発生材料が一般式（１）、（２）
または（３）で示される多環キノン顔料または一般式
（４）、（５）または（６）で示されるペリレン顔料で
あることを特徴とする電子写真感光体である。
【００１１】
【化８】 （一般式（１）、（２）及び（３）中、Ｘはハロゲン原
子、アルキル基、ニトロ基、シアノ基、アシル基または
カルボキシル基を表し、ｎは０〜４の整数、ｍは０〜６
の整数を表す。）
子、アルキル基、ニトロ基、シアノ基、アシル基または
カルボキシル基を表し、ｎは０〜４の整数、ｍは０〜６
の整数を表す。）
【００１２】
【化９】 （一般式（４）、（５）及び（６）中、Ａは水素原子、
アルキル基、アルコキシ基、または置換されてもよい芳
香族炭化水素基、Ｂは置換されてもよい二価の芳香族炭
化水素基または二価の含窒素複素環基を表す。）
アルキル基、アルコキシ基、または置換されてもよい芳
香族炭化水素基、Ｂは置換されてもよい二価の芳香族炭
化水素基または二価の含窒素複素環基を表す。）
【００１３】また、本発明は、上記電子写真感光体を有
するプロセスカートリッジ及び電子写真装置である。
するプロセスカートリッジ及び電子写真装置である。
【００１４】
【発明の実施の形態】一般式（１）、（２）及び（３）
中、Ｘが表すハロゲン原子としてはフッ素、塩素及び臭
素などの原子が挙げられ、アルキル基としてはメチル、
エチル及びプロピルなどの基が挙げられ、アシル基とし
てはアセチル、プロピオニル及びベンゾイルなどの基が
挙げられる。
中、Ｘが表すハロゲン原子としてはフッ素、塩素及び臭
素などの原子が挙げられ、アルキル基としてはメチル、
エチル及びプロピルなどの基が挙げられ、アシル基とし
てはアセチル、プロピオニル及びベンゾイルなどの基が
挙げられる。
【００１５】一般式（４）、（５）及び（６）中、Ａが
表すアルキル基としてはメチル、エチル及びプロピルな
どの基が挙げられ、アルコキシ基としてはメトキシ、エ
トキシ及びプロポキシなどの基が挙げられ、芳香族炭化
水素基としてはフェニル、ナフチル、アンスリル及びピ
レニルなどの基が挙げられる。また、Ｂが表す二価の芳
香族炭化水素基としてはｏ−フェニレン、ｏ−ナフチレ
ン、ペリナフチレン及び１，２−アンスリレンなどの基
が挙げられ、二価の含窒素複素環基としては３，４−ピ
ラゾールジイル、２，３−ピリジンジイル、４，５−ピ
リジンジイル、６，７−イミダゾールジイル及び６，７
−キノリンジイルなどの２価の基が挙げられる。
表すアルキル基としてはメチル、エチル及びプロピルな
どの基が挙げられ、アルコキシ基としてはメトキシ、エ
トキシ及びプロポキシなどの基が挙げられ、芳香族炭化
水素基としてはフェニル、ナフチル、アンスリル及びピ
レニルなどの基が挙げられる。また、Ｂが表す二価の芳
香族炭化水素基としてはｏ−フェニレン、ｏ−ナフチレ
ン、ペリナフチレン及び１，２−アンスリレンなどの基
が挙げられ、二価の含窒素複素環基としては３，４−ピ
ラゾールジイル、２，３−ピリジンジイル、４，５−ピ
リジンジイル、６，７−イミダゾールジイル及び６，７
−キノリンジイルなどの２価の基が挙げられる。
【００１６】上記基が有してもよい置換基としては、メ
チル、エチル、プロピル及びブチルなどのアルキル基、
メトキシ、エトキシ及びプロポキシなどのアルコキシ
基、フッ素原子、塩素原子及び臭素原子などのハロゲン
原子、ジメチルアミノ及びジエチルアミノなどのジアル
キルアミノ基、水酸基、ニトロ基、シアノ基及びハロメ
チル基などが挙げられる。
チル、エチル、プロピル及びブチルなどのアルキル基、
メトキシ、エトキシ及びプロポキシなどのアルコキシ
基、フッ素原子、塩素原子及び臭素原子などのハロゲン
原子、ジメチルアミノ及びジエチルアミノなどのジアル
キルアミノ基、水酸基、ニトロ基、シアノ基及びハロメ
チル基などが挙げられる。
【００１７】以下に、一般式（１）、（２）または
（３）で示される多環キノン顔料の具体的な化合物例を
列挙する。
（３）で示される多環キノン顔料の具体的な化合物例を
列挙する。
【００１８】
【表１】
【００１９】
【表２】
【００２０】
【表３】
【００２１】以下に、一般式（４）、（５）または
（６）で示されるペリレン顔料の具体的な化合物例を列
挙する。
（６）で示されるペリレン顔料の具体的な化合物例を列
挙する。
【００２２】
【表４】
【００２３】
【表５】
【００２４】ペリレンテトラカルボン酸ジイミダゾール
顔料の具体例については、シス体及びシス体・トランス
体混合物については省略する。
顔料の具体例については、シス体及びシス体・トランス
体混合物については省略する。
【００２５】
【表６】
【表７】
【００２６】次に、本発明の電子写真感光体について詳
しく説明する。
しく説明する。
【００２７】感光体の構成は図１、２、３に示されるよ
うな公知のいかなる構成であってもさしつかえない。特
開平９−２４００５１号公報には、図１のような導電性
支持体上に電荷発生層と電荷輸送層の順に積層した感光
体では、４００〜５００ｎｍの光は電荷輸送材料に吸収
され、電荷発生層まで光が届かないため、原理上感度を
示さないとあるが、必ずしもそのようなことはなく、電
荷輸送層に使用される電荷輸送材料としてレーザーの発
振波長に透過性のある電荷輸送材料を用いれば、上記構
成の感光体でも十分な感度が得られ使用可能である。
うな公知のいかなる構成であってもさしつかえない。特
開平９−２４００５１号公報には、図１のような導電性
支持体上に電荷発生層と電荷輸送層の順に積層した感光
体では、４００〜５００ｎｍの光は電荷輸送材料に吸収
され、電荷発生層まで光が届かないため、原理上感度を
示さないとあるが、必ずしもそのようなことはなく、電
荷輸送層に使用される電荷輸送材料としてレーザーの発
振波長に透過性のある電荷輸送材料を用いれば、上記構
成の感光体でも十分な感度が得られ使用可能である。
【００２８】以下に、導電性支持体上に電荷発生層と電
荷輸送層を積層した機能分離型感光体についてその作成
方法を述べる。
荷輸送層を積層した機能分離型感光体についてその作成
方法を述べる。
【００２９】電荷発生層は一般式（１）、（２）または
（３）で示される多環キノン顔料または一般式（４）、
（５）または（６）で示されるペリレン顔料を適当な溶
剤中でバインダー樹脂と共に分散した液を導電性支持体
上に公知の方法によって塗布することによって形成さ
れ、その膜厚は好ましくは５μｍ以下、より好ましくは
０．１〜１μｍの薄膜層とする。
（３）で示される多環キノン顔料または一般式（４）、
（５）または（６）で示されるペリレン顔料を適当な溶
剤中でバインダー樹脂と共に分散した液を導電性支持体
上に公知の方法によって塗布することによって形成さ
れ、その膜厚は好ましくは５μｍ以下、より好ましくは
０．１〜１μｍの薄膜層とする。
【００３０】ここで用いられるバインダー樹脂として
は、例えば、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂、ポリビ
ニルカルバゾール樹脂、フェノキシ樹脂、ポリカーボネ
ート樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリビニルベン
ザール樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリビニルアセテート
樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリアリレート樹脂及び塩化
ビニリデン・アクリロニトリル共重合体樹脂などが主と
して挙げられる。
は、例えば、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂、ポリビ
ニルカルバゾール樹脂、フェノキシ樹脂、ポリカーボネ
ート樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリビニルベン
ザール樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリビニルアセテート
樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリアリレート樹脂及び塩化
ビニリデン・アクリロニトリル共重合体樹脂などが主と
して挙げられる。
【００３１】導電性支持体としては導電性を有するもの
であればよく、アルミニウム及びステンレスなどの金
属、あるいは導電層を設けた金属、プラスチックまたは
紙などが挙げられ、形状としては円筒状またはフイルム
状などが挙げられる。
であればよく、アルミニウム及びステンレスなどの金
属、あるいは導電層を設けた金属、プラスチックまたは
紙などが挙げられ、形状としては円筒状またはフイルム
状などが挙げられる。
【００３２】また、導電性支持体と感光層の間にはバリ
ヤー機能と接着機能を持つ下引き層を設けることもでき
る。
ヤー機能と接着機能を持つ下引き層を設けることもでき
る。
【００３３】下引き層の材料としては、ポリビニルアル
コール、ポリエチレンオキシド、エチルセルロース、メ
チルセルロース、カゼイン、ポリアミド、ニカワ及びゼ
ラチンなどが用いられる。
コール、ポリエチレンオキシド、エチルセルロース、メ
チルセルロース、カゼイン、ポリアミド、ニカワ及びゼ
ラチンなどが用いられる。
【００３４】これらは、適当な溶剤に溶解して導電性支
持体上に塗布される。
持体上に塗布される。
【００３５】更に、支持体と下引き層との間に、支持体
のムラや欠陥の被覆、及び画像入力がレーザー光の場合
には散乱による干渉縞防止を目的とした導電層を設ける
ことが好適である。これは、カーボンブラック、金属粒
子及び金属酸化物などの導電性粉体を、バインダー樹脂
中に分散して形成することができる。導電層の膜厚は好
ましくは５〜４０μｍ、より好ましくは１０〜３０μｍ
である。
のムラや欠陥の被覆、及び画像入力がレーザー光の場合
には散乱による干渉縞防止を目的とした導電層を設ける
ことが好適である。これは、カーボンブラック、金属粒
子及び金属酸化物などの導電性粉体を、バインダー樹脂
中に分散して形成することができる。導電層の膜厚は好
ましくは５〜４０μｍ、より好ましくは１０〜３０μｍ
である。
【００３６】電荷輸送層は主として電荷輸送材料とバイ
ンダー樹脂とを溶剤中に溶解させた塗料を塗工乾燥して
形成する。用いられる電荷輸送材料としては各種のトリ
アリールアミン系化合物、ヒドラゾン系化合物、スチル
ベンゼン系化合物、ピラゾリン系化合物、オキサゾール
系化合物、チアゾール系化合物及びトリアリルメタン系
化合物などが挙げられる。バインダー樹脂としては電荷
発生層に用いたものと同様の樹脂を用いることができ
る。ただし、図1 の構成の感光体を使用する場合は、前
述の通り使用する半導体レーザーの発振波長に対して透
過性のある電荷輸送材料やバインダー樹脂を選択する必
要がある。
ンダー樹脂とを溶剤中に溶解させた塗料を塗工乾燥して
形成する。用いられる電荷輸送材料としては各種のトリ
アリールアミン系化合物、ヒドラゾン系化合物、スチル
ベンゼン系化合物、ピラゾリン系化合物、オキサゾール
系化合物、チアゾール系化合物及びトリアリルメタン系
化合物などが挙げられる。バインダー樹脂としては電荷
発生層に用いたものと同様の樹脂を用いることができ
る。ただし、図1 の構成の感光体を使用する場合は、前
述の通り使用する半導体レーザーの発振波長に対して透
過性のある電荷輸送材料やバインダー樹脂を選択する必
要がある。
【００３７】これらの感光層の塗布方法としては、ディ
ッピング法、スプレーコーティング法、スピンナーコー
ティング法、ビードコーティング法、ブレードコーティ
ング法及びビームコーティング法などを用いることがで
きる。
ッピング法、スプレーコーティング法、スピンナーコー
ティング法、ビードコーティング法、ブレードコーティ
ング法及びビームコーティング法などを用いることがで
きる。
【００３８】また、感光層を外部からの機械的及び化学
的悪影響から保護することなどを目的として、保護層を
設けることもできる。
的悪影響から保護することなどを目的として、保護層を
設けることもできる。
【００３９】なお、感光層には必要に応じて酸化防止剤
や紫外線吸収剤などの添加剤を使用してもさしつかえな
い。
や紫外線吸収剤などの添加剤を使用してもさしつかえな
い。
【００４０】図４に本発明の電子写真感光体を有するプ
ロセスカートリッジを有する電子写真装置の概略構成を
示す。
ロセスカートリッジを有する電子写真装置の概略構成を
示す。
【００４１】図において、１はドラム状の本発明の電子
写真感光体であり、軸２を中心に矢印方向に所定の周速
度で回転駆動される。感光体１は、回転過程において、
一次帯電手段３によりその周面に正または負の所定電位
の均一帯電を受け、次いで、３８０〜５００ｎｍに発振
波長を有する半導体レーザーを用いた像露光手段（不図
示）からの画像露光光４を受ける。こうして感光体１の
周面に静電潜像が順次形成されていく。
写真感光体であり、軸２を中心に矢印方向に所定の周速
度で回転駆動される。感光体１は、回転過程において、
一次帯電手段３によりその周面に正または負の所定電位
の均一帯電を受け、次いで、３８０〜５００ｎｍに発振
波長を有する半導体レーザーを用いた像露光手段（不図
示）からの画像露光光４を受ける。こうして感光体１の
周面に静電潜像が順次形成されていく。
【００４２】形成された静電潜像は、次いで現像手段５
によりトナー現像され、現像されたトナー現像像は、不
図示の給紙部から感光体１と転写手段６との間に感光体
１の回転と同期取り出されて給紙された転写材７に、転
写手段６により順次転写されていく。
によりトナー現像され、現像されたトナー現像像は、不
図示の給紙部から感光体１と転写手段６との間に感光体
１の回転と同期取り出されて給紙された転写材７に、転
写手段６により順次転写されていく。
【００４３】像転写を受けた転写材７は、感光体面から
分離されて像定着手段８へ導入されて像定着を受けるこ
とにより複写物（コピー）として装置外へプリントアウ
トされる。
分離されて像定着手段８へ導入されて像定着を受けるこ
とにより複写物（コピー）として装置外へプリントアウ
トされる。
【００４４】像転写後の感光体１の表面は、クリーニン
グ手段９によって転写残りトナーの除去を受けて清浄面
化され、更に前露光手段（不図示）からの前露光光１０
により除電処理された後、繰り返し画像形成に使用され
る。なお、一次帯電手段３が帯電ローラー等を用いた接
触帯電手段である場合は、前露光は必ずしも必要ではな
い。
グ手段９によって転写残りトナーの除去を受けて清浄面
化され、更に前露光手段（不図示）からの前露光光１０
により除電処理された後、繰り返し画像形成に使用され
る。なお、一次帯電手段３が帯電ローラー等を用いた接
触帯電手段である場合は、前露光は必ずしも必要ではな
い。
【００４５】本発明においては、上述の電子写真感光体
１、一次帯電手段３、現像手段５及びクリーニング手段
９等の構成要素のうち、複数のものをプロセスカートリ
ッジとして一体に結合して構成し、このプロセスカート
リッジを複写機やレーザービームプリンター等の電子写
真装置本体に対して着脱可能に構成してもよい。例え
ば、一次帯電手段３、現像手段５及びクリーニング手段
９の少なくとも１つを感光体１と共に一体に支持してカ
ートリッジ化して、装置本体のレール１２等の案内手段
を用いて装置本体に着脱可能なプロセスカートリッジ１
１とすることができる。
１、一次帯電手段３、現像手段５及びクリーニング手段
９等の構成要素のうち、複数のものをプロセスカートリ
ッジとして一体に結合して構成し、このプロセスカート
リッジを複写機やレーザービームプリンター等の電子写
真装置本体に対して着脱可能に構成してもよい。例え
ば、一次帯電手段３、現像手段５及びクリーニング手段
９の少なくとも１つを感光体１と共に一体に支持してカ
ートリッジ化して、装置本体のレール１２等の案内手段
を用いて装置本体に着脱可能なプロセスカートリッジ１
１とすることができる。
【００４６】また、画像露光光４は、電子写真装置が複
写機やプリンターである場合には、原稿からの反射光や
透過光、あるいは、センサーで原稿を読取り、信号化
し、この信号に従って行われるレーザービームの走査に
より照射される光である。
写機やプリンターである場合には、原稿からの反射光や
透過光、あるいは、センサーで原稿を読取り、信号化
し、この信号に従って行われるレーザービームの走査に
より照射される光である。
【００４７】以下、実施例に従って説明する。実施例
中、「部」は重量部を表す。
中、「部」は重量部を表す。
【００４８】
【実施例】［実施例１−１］アルミニウム基板上にメト
キシメチル化ナイロン（平均分子量３２０００）５部と
アルコール可溶性共重合ナイロン（平均分子量２９００
０）１０部をメタノール９５部に溶解した液をマイヤー
バーで塗布し、乾燥後の膜厚が０．３μｍの下引き層を
形成した。
キシメチル化ナイロン（平均分子量３２０００）５部と
アルコール可溶性共重合ナイロン（平均分子量２９００
０）１０部をメタノール９５部に溶解した液をマイヤー
バーで塗布し、乾燥後の膜厚が０．３μｍの下引き層を
形成した。
【００４９】次に、化合物例１−５の多環キノン顔料１
０部をテトラヒドロフラン９５部にブチラール樹脂（ブ
チラール化度６３モル％）４部を溶かした液に加え、サ
ンドミルで２０時間分散した。この分散液を下引き層の
上に乾燥後の膜厚が０．５μｍとなるようにマイヤーバ
ーで塗布し、電荷発生層を形成した。
０部をテトラヒドロフラン９５部にブチラール樹脂（ブ
チラール化度６３モル％）４部を溶かした液に加え、サ
ンドミルで２０時間分散した。この分散液を下引き層の
上に乾燥後の膜厚が０．５μｍとなるようにマイヤーバ
ーで塗布し、電荷発生層を形成した。
【００５０】次いで、下記構造式を有する電荷輸送材料
５部
５部
【００５１】
【化１０】 とビスフェノールＺ型ポリカーボネート樹脂（数平均分
子量２００００）５．５部をクロロベンゼン４０部に溶
解し、この溶液を電荷発生層の上に乾燥後の膜厚が２０
μｍとなるようにマイヤーバーで塗布し、電荷輸送層を
形成し、実施例１−１の電子写真感光体を作成した。
子量２００００）５．５部をクロロベンゼン４０部に溶
解し、この溶液を電荷発生層の上に乾燥後の膜厚が２０
μｍとなるようにマイヤーバーで塗布し、電荷輸送層を
形成し、実施例１−１の電子写真感光体を作成した。
【００５２】［実施例１−２〜１−４及び比較例１−
１］化合物例１−５に代えて表１−１に示す多環キノン
顔料を用いた他は、実施例１−１と全く同様にして実施
例１−２〜１−４の電子写真感光体を作成した。また、
比較対照する電子写真感光体として特開昭６１−２３９
２４８号公報（ＵＳＰ４、７２８、５９２）に開示され
ている製造例に従って、いわゆるα型と呼ばれている結
晶形のオキシチタニウムフタロシアニン（ＴｉＯＰｃ）
を用い実施例１−１と全く同様にして電子写真感光体を
作成した（比較例１−１）。
１］化合物例１−５に代えて表１−１に示す多環キノン
顔料を用いた他は、実施例１−１と全く同様にして実施
例１−２〜１−４の電子写真感光体を作成した。また、
比較対照する電子写真感光体として特開昭６１−２３９
２４８号公報（ＵＳＰ４、７２８、５９２）に開示され
ている製造例に従って、いわゆるα型と呼ばれている結
晶形のオキシチタニウムフタロシアニン（ＴｉＯＰｃ）
を用い実施例１−１と全く同様にして電子写真感光体を
作成した（比較例１−１）。
【００５３】このようにして作成した電子写真感光体
を、静電複写紙試験装置（川口電機製：ＥＰＡ−８１０
０）を用いて、以下のように評価した。
を、静電複写紙試験装置（川口電機製：ＥＰＡ−８１０
０）を用いて、以下のように評価した。
【００５４】（感度）感光体の表面電位を−７００Ｖに
なるようにコロナ帯電器で帯電し、次いでモノクロメー
タで分離した４００ｎｍの単色光で露光し、表面電位が
−３５０Ｖまで減衰するのに必要な光量を測定し、感度
（Ｅ 1/2）を求めた。
なるようにコロナ帯電器で帯電し、次いでモノクロメー
タで分離した４００ｎｍの単色光で露光し、表面電位が
−３５０Ｖまで減衰するのに必要な光量を測定し、感度
（Ｅ 1/2）を求めた。
【００５５】同様に、４５０ｎｍ、５００ｎｍの単色光
における感度を測定した。
における感度を測定した。
【００５６】（繰り返し特性）次に初期暗部電位（Ｖ
ｄ）及び初期明部電位（Ｖｌ）をそれぞれ−７００Ｖ、
−２００Ｖ付近に設定し、４００ｎｍの単色光を用いて
帯電、露光を３０００回繰り返し、Ｖｄ、Ｖｌの変動量
（ΔＶｄ、ΔＶｌ）を測定した。
ｄ）及び初期明部電位（Ｖｌ）をそれぞれ−７００Ｖ、
−２００Ｖ付近に設定し、４００ｎｍの単色光を用いて
帯電、露光を３０００回繰り返し、Ｖｄ、Ｖｌの変動量
（ΔＶｄ、ΔＶｌ）を測定した。
【００５７】（光メモリー）感光体の初期Ｖｄ、４００
ｎｍの単色光での初期Ｖｌをそれぞれ−７００Ｖ、−２
００Ｖ付近に設定した。次に、感光体の一部に光強度２
０μＷ／ｃｍ2 の４００ｎｍの単色光を１５分照射した
後、再度感光体のＶｄ、Ｖｌを測定し、光メモリーとし
て非照射部と照射部のＶｄの差（ΔＶｄPM）及び非照射
部と照射部のＶｌの差（ΔＶｌPM）を測定した。
ｎｍの単色光での初期Ｖｌをそれぞれ−７００Ｖ、−２
００Ｖ付近に設定した。次に、感光体の一部に光強度２
０μＷ／ｃｍ2 の４００ｎｍの単色光を１５分照射した
後、再度感光体のＶｄ、Ｖｌを測定し、光メモリーとし
て非照射部と照射部のＶｄの差（ΔＶｄPM）及び非照射
部と照射部のＶｌの差（ΔＶｌPM）を測定した。
【００５８】以上の結果を表１−１に示す。
【００５９】なお、以下表中のマイナス記号は電位の低
下を表し、プラス記号は電位の上昇を表す。
下を表し、プラス記号は電位の上昇を表す。
【００６０】
【表８】
【００６１】［実施例１−５〜１−８及び比較例１−
２］実施例１−１〜１−４及び比較例１−１において、
電荷発生層と電荷輸送層の層構成を逆にした感光体を作
成し実施例１−１と同様にして、初期の感度を測定し
た。ただし電荷輸送材料は下記構造式の化合物に代え、
帯電極性はプラスとした。これらの結果を表１−２に示
す。
２］実施例１−１〜１−４及び比較例１−１において、
電荷発生層と電荷輸送層の層構成を逆にした感光体を作
成し実施例１−１と同様にして、初期の感度を測定し
た。ただし電荷輸送材料は下記構造式の化合物に代え、
帯電極性はプラスとした。これらの結果を表１−２に示
す。
【００６２】
【化１１】
【００６３】
【表９】
【００６４】以上の結果から本発明に用いる電子写真感
光体は比較例の感光体に比べ、短波長レーザーの発振波
長領域での感度が非常に優れている上、短波長光に対す
る光メモリーが小さく、繰り返し使用時の電位の安定性
に優れていることが分かる。
光体は比較例の感光体に比べ、短波長レーザーの発振波
長領域での感度が非常に優れている上、短波長光に対す
る光メモリーが小さく、繰り返し使用時の電位の安定性
に優れていることが分かる。
【００６５】［実施例１−９］１０％酸化アンチモンを
含有する酸化スズで被覆した酸化チタン粉体５０部、レ
ゾール型フェノール樹脂２５部、メチルセロソルブ２０
部、メタノール５部及びシリコーンオイル（ポリジメチ
ルシロキサンポリオキシアルキレン共重合体、平均分子
量３０００）０．００２部をΦ１ｍｍガラスビーズを用
いたサンドミル装置で２時間分散して導電層用塗料を調
製した。
含有する酸化スズで被覆した酸化チタン粉体５０部、レ
ゾール型フェノール樹脂２５部、メチルセロソルブ２０
部、メタノール５部及びシリコーンオイル（ポリジメチ
ルシロキサンポリオキシアルキレン共重合体、平均分子
量３０００）０．００２部をΦ１ｍｍガラスビーズを用
いたサンドミル装置で２時間分散して導電層用塗料を調
製した。
【００６６】アルミニウムシリンダー上に、上記塗料を
浸漬塗布し、１４０℃で３０分間乾燥させ、膜厚２０μ
ｍの導電層を形成した。
浸漬塗布し、１４０℃で３０分間乾燥させ、膜厚２０μ
ｍの導電層を形成した。
【００６７】この上に６−６６−６１０−１２四元系ポ
リアミド共重合体樹脂５部をメタノール７０部とブタノ
ール２５部の混合溶媒に溶解した溶液をディッピング法
で塗布乾燥して０．８μｍ厚の下引き層を設けた。
リアミド共重合体樹脂５部をメタノール７０部とブタノ
ール２５部の混合溶媒に溶解した溶液をディッピング法
で塗布乾燥して０．８μｍ厚の下引き層を設けた。
【００６８】次に、化合物例１−５の多環キノン顔料１
０部をポリビニルブチラール樹脂（商品名：エスレック
ＢＭ−Ｓ、積水化学社製）４部をテトラヒドロフラン１
００部に溶解した液に添加し、１ｍｍΦのガラスビーズ
を用いたサンドミルで３時間分散し、これに１００部の
シクロヘキサノンを加えて、希釈した後回収して、これ
を下引き層上に塗布した後、１００℃で１０分間乾燥し
て、膜厚０．５μｍの電荷発生層を形成した。
０部をポリビニルブチラール樹脂（商品名：エスレック
ＢＭ−Ｓ、積水化学社製）４部をテトラヒドロフラン１
００部に溶解した液に添加し、１ｍｍΦのガラスビーズ
を用いたサンドミルで３時間分散し、これに１００部の
シクロヘキサノンを加えて、希釈した後回収して、これ
を下引き層上に塗布した後、１００℃で１０分間乾燥し
て、膜厚０．５μｍの電荷発生層を形成した。
【００６９】次に、下記構造式で示される電荷輸送材料
９部とビスフェノールＺ型ポリカーボネート樹脂（数平
均分子量２００００）１０部をモノクロルベンゼン６０
部に溶解した溶液を作成し、電荷発生層上にディッピン
グ法により塗布した。これを１１０℃の温度で１時間乾
燥して２０μｍ厚の電荷輸送層を形成し、実施例１−９
の電子写真感光体を作成した。
９部とビスフェノールＺ型ポリカーボネート樹脂（数平
均分子量２００００）１０部をモノクロルベンゼン６０
部に溶解した溶液を作成し、電荷発生層上にディッピン
グ法により塗布した。これを１１０℃の温度で１時間乾
燥して２０μｍ厚の電荷輸送層を形成し、実施例１−９
の電子写真感光体を作成した。
【００７０】
【化１２】
【００７１】［実施例１−１０〜１−１２］化合物例１
−５に代えて表１−３に示す多環キノン顔料を用いた他
は、実施例１−９と全く同様にして実施例１−１０〜１
−１２の電子写真感光体を作成した。
−５に代えて表１−３に示す多環キノン顔料を用いた他
は、実施例１−９と全く同様にして実施例１−１０〜１
−１２の電子写真感光体を作成した。
【００７２】実施例１−９〜１−１２で作成した電子写
真感光体を、パルス変調装置を搭載しているキヤノン製
プリンターＬＢＰ−２０００改造機（光源として日立金
属株式会社製全固体青色ＳＨＧレーザーＩＣＤ−４３０
／発振波長４３０ｎｍを搭載。また、反転現像系で６０
０ｄｐｉ相当の画像入力に対応できる帯電−露光−現像
−転写−クリーニングからなるカールソン方式の電子写
真システムに改造。）に装着。暗部電位Ｖｄ＝−６５０
Ｖ，明部電位Ｖｌ＝−２００Ｖに設定し、１ドット１ス
ペース画像と文字（５ポイント）画像の出力を行った。
真感光体を、パルス変調装置を搭載しているキヤノン製
プリンターＬＢＰ−２０００改造機（光源として日立金
属株式会社製全固体青色ＳＨＧレーザーＩＣＤ−４３０
／発振波長４３０ｎｍを搭載。また、反転現像系で６０
０ｄｐｉ相当の画像入力に対応できる帯電−露光−現像
−転写−クリーニングからなるカールソン方式の電子写
真システムに改造。）に装着。暗部電位Ｖｄ＝−６５０
Ｖ，明部電位Ｖｌ＝−２００Ｖに設定し、１ドット１ス
ペース画像と文字（５ポイント）画像の出力を行った。
【００７３】［比較例１−３］電荷発生材料に比較例１
−１で用いた電荷発生材料用いた他は、実施例１−９と
同様にして感光体を作成し、画像評価を行った。これら
の結果を表１−３に示す。
−１で用いた電荷発生材料用いた他は、実施例１−９と
同様にして感光体を作成し、画像評価を行った。これら
の結果を表１−３に示す。
【００７４】
【表１０】
【００７５】これらの結果から、本発明の電子写真装置
は、ドットの再現性や文字の再現性に優れ高解像度の出
力画像が得られることが分かる。
は、ドットの再現性や文字の再現性に優れ高解像度の出
力画像が得られることが分かる。
【００７６】［実施例２−１〜２−４］実施例１−１に
用いた電荷発生材料を表２−１に記載したペリレン顔料
に代えた以外は、実施例１−１と全く同様にして電子写
真感光体を作成し、同様に評価した。これらの結果を表
２−１に示す。
用いた電荷発生材料を表２−１に記載したペリレン顔料
に代えた以外は、実施例１−１と全く同様にして電子写
真感光体を作成し、同様に評価した。これらの結果を表
２−１に示す。
【００７７】
【表１１】
【００７８】［実施例２−５〜２−８］実施例２−１〜
２−４において、電荷発生層と電荷輸送層の層構成を逆
にした感光体を作成し実施例２−１と同様にして、初期
の感度を測定した。ただし電荷輸送材料は実施例１−５
に用いたものに代え、帯電極性はプラスとした。これら
の結果を表２−２に示す。
２−４において、電荷発生層と電荷輸送層の層構成を逆
にした感光体を作成し実施例２−１と同様にして、初期
の感度を測定した。ただし電荷輸送材料は実施例１−５
に用いたものに代え、帯電極性はプラスとした。これら
の結果を表２−２に示す。
【００７９】
【表１２】
【００８０】以上の結果から本発明に用いる電子写真感
光体は比較例の感光体に比べ、短波長レーザーの発振波
長領域での感度が非常に優れている上、短波長光に対す
る光メモリーが小さく、繰り返し使用時の電位の安定性
に優れていることが分かる。
光体は比較例の感光体に比べ、短波長レーザーの発振波
長領域での感度が非常に優れている上、短波長光に対す
る光メモリーが小さく、繰り返し使用時の電位の安定性
に優れていることが分かる。
【００８１】［実施例２−９〜２−１２］実施例１−９
に用いた電荷発生材料を表２−３に記載したペリレン顔
料に代えた以外は、実施例１−９と全く同様に電子写真
感光体を作成し、同様に評価した。これらの結果を表２
−３に示す。
に用いた電荷発生材料を表２−３に記載したペリレン顔
料に代えた以外は、実施例１−９と全く同様に電子写真
感光体を作成し、同様に評価した。これらの結果を表２
−３に示す。
【００８２】
【表１３】
【００８３】これらの結果から、本発明の電子写真装置
は、ドットの再現性や文字の再現性に優れ高解像度の出
力画像が得られることがわかる。
は、ドットの再現性や文字の再現性に優れ高解像度の出
力画像が得られることがわかる。
【００８４】
【発明の効果】本発明によれば、特定の構造を有する電
荷発生材料を用いることにより、３８０〜５００ｎｍ付
近の短波長の半導体レーザーの発振波長領域において、
感度特性に優れ、光メモリーが小さく繰り返し特性の良
好な電子写真感光体及びこれを有するプロセスカートリ
ッジが提供され、またこの電子写真感光体と上記半導体
レーザーを組み合わせることにより、高解像度の画像形
成が可能で繰り返し使用にも安定して使用し得る電子写
真装置が提供される。
荷発生材料を用いることにより、３８０〜５００ｎｍ付
近の短波長の半導体レーザーの発振波長領域において、
感度特性に優れ、光メモリーが小さく繰り返し特性の良
好な電子写真感光体及びこれを有するプロセスカートリ
ッジが提供され、またこの電子写真感光体と上記半導体
レーザーを組み合わせることにより、高解像度の画像形
成が可能で繰り返し使用にも安定して使用し得る電子写
真装置が提供される。
【図１】本発明の電子写真感光体の層構成の例を示す断
面図である。
面図である。
【図２】本発明の電子写真感光体の層構成の例を示す断
面図である。
面図である。
【図３】本発明の電子写真感光体の層構成の例を示す断
面図である。
面図である。
【図４】本発明の電子写真感光体を有するプロセスカー
トリッジを有する電子写真装置の概略構成の例を示す図
である。
トリッジを有する電子写真装置の概略構成の例を示す図
である。
ａ 導電性支持体 ｂ 感光層 ｃ 電荷発生層 ｄ 電荷輸送層 ｅ 電荷発生材料 ｆ バインダー樹脂 ｇ 電荷輸送材料／バインダー樹脂
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田中 正人 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 Ｆターム(参考） 2H068 AA19 AA21 AA37 BA36 BA37 FB05 FC01 FC05 FC08 FC15
Claims (10)
- 【請求項１】 半導体レーザーの発振波長が３８０〜５
００ｎｍの範囲にある露光光源で使用される電子写真感
光体において、該電子写真感光体に用いられる電荷発生
材料が一般式（１）、（２）または（３）で示される多
環キノン顔料または一般式（４）、（５）または（６）
で示されるペリレン顔料であることを特徴とする電子写
真感光体。 【化１】 （一般式（１）、（２）及び（３）中、Ｘはハロゲン原
子、アルキル基、ニトロ基、シアノ基、アシル基または
カルボキシル基を表し、ｎは０〜４の整数、ｍは０〜６
の整数を表す。） 【化２】 （一般式（４）、（５）及び（６）中、Ａは水素原子、
アルキル基、アルコキシ基、または置換されてもよい芳
香族炭化水素基、Ｂは置換されてもよい二価の芳香族炭
化水素基または二価の含窒素複素環基を表す。） - 【請求項２】 半導体レーザーの発振波長が４００から
４５０ｎｍの範囲にある、請求項１に記載の電子写真感
光体。 - 【請求項３】 電子写真感光体が、少なくとも電荷発生
層と電荷輸送層がこの順に積層された電子写真感光体で
ある、請求項１または２に記載の電子写真感光体。 - 【請求項４】 電荷発生材料が下記構造式で示される多
環キノン顔料である、請求項１乃至３のいずれかに記載
の電子写真感光体。 【化３】 - 【請求項５】 電荷発生材料が下記構造式で示されるペ
リレン顔料である、請求項１乃至３のいずれかに記載の
電子写真感光体。 【化４】 - 【請求項６】 電荷発生材料が下記構造式で示されるペ
リレン顔料である、請求項１乃至３のいずれかに記載の
電子写真感光体。 【化５】 - 【請求項７】 電荷発生材料が下記構造式で示されるペ
リレン顔料である、請求項１乃至３のいずれかに記載の
電子写真感光体。 【化６】 - 【請求項８】 電荷発生材料が下記構造式で示されるペ
リレン顔料である、請求項１乃至３のいずれかに記載の
電子写真感光体。 【化７】 - 【請求項９】 請求項１乃至８のいずれかに記載の電子
写真感光体、及び帯電手段、現像手段及びクリーニング
手段からなる群より選ばれた少なくともひとつの手段を
一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在であること
を特徴とするプロセスカートリッジ。 - 【請求項１０】 請求項１乃至８のいずれかに記載の電
子写真感光体、発振波長が３８０〜５００ｎｍの半導体
レーザーを光源とした露光手段、帯電手段、現像手段及
び転写手段を有することを特徴とする電子写真装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21777498A JP3937601B2 (ja) | 1998-07-31 | 1998-07-31 | 電子写真装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21777498A JP3937601B2 (ja) | 1998-07-31 | 1998-07-31 | 電子写真装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000047408A true JP2000047408A (ja) | 2000-02-18 |
| JP3937601B2 JP3937601B2 (ja) | 2007-06-27 |
Family
ID=16709530
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21777498A Expired - Fee Related JP3937601B2 (ja) | 1998-07-31 | 1998-07-31 | 電子写真装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3937601B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007052091A (ja) * | 2005-08-16 | 2007-03-01 | Ricoh Co Ltd | 画像形成装置及び画像形成方法 |
| US8076047B2 (en) | 2008-03-28 | 2011-12-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photoreceptor and image formation device provided with the same |
| US8158314B2 (en) | 2008-02-19 | 2012-04-17 | Konica Minolta Business Technologies, Inc. | Organic photoreceptor and image forming apparatus |
| US8216752B2 (en) | 2007-12-18 | 2012-07-10 | Konica Minolta Business Technologies, Inc. | Organic photoreceptor and image forming apparatus |
| US8227157B2 (en) | 2008-06-18 | 2012-07-24 | Sharp Kabushiki Kaisha | Single-layer electrophotographic photoreceptor and image forming apparatus provided with the same |
| US8288065B2 (en) | 2008-02-26 | 2012-10-16 | Konica Minolta Business Technologies, Inc. | Electrophotographic photoreceptor and image formation apparatus |
-
1998
- 1998-07-31 JP JP21777498A patent/JP3937601B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007052091A (ja) * | 2005-08-16 | 2007-03-01 | Ricoh Co Ltd | 画像形成装置及び画像形成方法 |
| JP4568659B2 (ja) * | 2005-08-16 | 2010-10-27 | 株式会社リコー | 画像形成装置及び画像形成方法 |
| US8216752B2 (en) | 2007-12-18 | 2012-07-10 | Konica Minolta Business Technologies, Inc. | Organic photoreceptor and image forming apparatus |
| US8158314B2 (en) | 2008-02-19 | 2012-04-17 | Konica Minolta Business Technologies, Inc. | Organic photoreceptor and image forming apparatus |
| US8288065B2 (en) | 2008-02-26 | 2012-10-16 | Konica Minolta Business Technologies, Inc. | Electrophotographic photoreceptor and image formation apparatus |
| US8076047B2 (en) | 2008-03-28 | 2011-12-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photoreceptor and image formation device provided with the same |
| US8227157B2 (en) | 2008-06-18 | 2012-07-24 | Sharp Kabushiki Kaisha | Single-layer electrophotographic photoreceptor and image forming apparatus provided with the same |
Also Published As
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| JP3937601B2 (ja) | 2007-06-27 |
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