JP3937602B2

JP3937602B2 - 電子写真装置

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Publication number: JP3937602B2
Application number: JP21778198A
Authority: JP
Inventors: 光弘國枝
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1998-07-31
Filing date: 1998-07-31
Publication date: 2007-06-27
Anticipated expiration: 2018-07-31
Also published as: JP2000047404A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電子写真装置に関し、詳しくは画像の高解像度化が可能な短波長の半導体レーザーに適した電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電子写真装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
現在、レーザープリンター等に代表されるレーザーを光源として使用している電子写真装置において使用されているレーザーは、８００ｎｍ付近あるいは６８０ｎｍ付近に発振波長を有する半導体レーザーが主流である。近年、出力画像の高画質化のニーズの高まりから、高解像度化に向けた様々なアプローチがなされている。レーザーの波長もこの高解像度化に深く関わっており、特開平９−２４００５１号公報にも記載されている様に、レーザーの発振波長が短くなるほど、レーザーのスポット径を細くすることが可能となり、高解像度の潜像形成が可能となる。
【０００３】
レーザーの発振波長の短波長化には、いくつかの手法が挙げられる。一つは、非線形光学材料を利用し、第２高調波発生（ＳＨＧ）を用いてレーザー光の波長を２分の１にするものである（特開平９−２７５２４２号公報、特開平９−１８９９３０号公報、特開平５−３１３０３３号公報等）。この系は、一次光源として、既に技術が確立し高出力可能なＧａＡｓ系ＬＤやＹＡＧレーザーを使用することができるため、長寿命化や大出力化が可能である。
【０００４】
もう一つは、ワイドギャップ半導体を用いるもので、ＳＨＧ利用のデバイスと比べ、装置の小型化が可能である。ＺｎＳｅ系半導体（特開平７−３２１４０９号公報、特開平６−３３４２７２号公報等）や、ＧａＮ系半導体（特開平８−０８８４４１号公報、特開平７−３３５９７５号公報等）を用いたＬＤが、その発光効率の高さから、以前から多くの研究の対象となっている。
【０００５】
しかし、これらのＬＤは素子構造、結晶成長条件、電極等の最適化が難しく、結晶中の欠陥等により、実用化に必須である室温での長時間発振が困難であった。しかし、基盤等の技術革新が進み、１９９７年１０月には日亜化学工業から、ＧａＮ系半導体を用いたＬＤで１１５０時間連続発振（５０℃条件）が報告される等、実用化が目前に迫っている状態である。
【０００６】
従来のレーザーを用いた電子写真装置に使用される電子写真感光体は、７００〜８００ｎｍ付近の波長域で実用的な感度特性を発現するよう設計されてきた。従来のこれらの電子写真感光体を、４００〜５００ｎｍに発振波長を有する半導体レーザーを用いた電子写真装置に組み込んでも、実用的な感度特性を得ることができない。その主な理由は、従来の長波長レーザー用感光体に使用されている電荷発生材料、具体的には無金属フタロシアニン、銅フタロシアニン、チタニルフタロシアニン等の金属フタロシアニン、及び一部のアゾ顔料等は、４００〜５００ｎｍ付近には十分な吸収帯がなく、こうした波長域では十分なキャリアが発生しないためである。
【０００７】
また、４００〜５００ｎｍ付近に十分な吸収帯を有する電荷発生材料を用いた場合でも、十分な感度特性が得られるとは限らない。電子写真感光体は近年、電荷キャリアの発生と電荷の移動の機能を別々の層に分担させる、いわゆる積層型（機能分離型）が高感度化に有利なことから、研究開発及び製品の主流となっている。導電性支持体上に電荷発生層、電荷輸送層がこの順に積層された感光体では、レーザー光が電荷輸送層を透過して電荷発生層に到達した場合にのみ感度を発現する。しかし４００〜５００ｎｍ付近の短波長光の吸収係数の大きい電荷輸送材料を用いた感光体は、電荷発生層まで光が十分に届かないため、４００〜５００ｎｍの光の吸収の大きな電荷発生材料を使用したとしても、十分な感度を示さない。
【０００８】
更に、４００〜５００ｎｍ付近に十分な吸収帯を有する電荷発生材料を使用した感光体と４００ｎｍ付近の光源を組み合わせた場合、従来の長波長光源用感光体と長波長光源を組み合わせた場合と比較して、繰り返し使用した際に感光体の電位変動が大きかったり、実機画像においてゴースト現象等の画像欠陥を生じ易い問題があることが本発明者らの検討により明らかになった。この一因として、短波長の強いエネルギーの光の照射により電荷発生層で発生した励起子、電荷キャリアの一部が、電子写真プロセスで消費されずに感光層内に蓄積していき、感光体の帯電能や感度特性を変化させることが考えられる。このような励起子やキャリアは、電荷輸送材料や他の化合物との電子移動反応により蓄積を抑えることが可能である。従って、繰り返し使用時の電位変動やメモリー現象を抑制させ、安定した高品位な画像を得るために、最適な電荷輸送材料の開発が望まれている。
【０００９】
また近年、電子写真感光体を使用したプリンター等は多種多様な分野で使用される様になり、より様々な環境においても常に安定した画像を提供することが更に厳しく要求されている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、３８０〜５００ｎｍの波長域でも高い感度特性を有し、かつ繰り返し使用や環境による電位変動の小さい電子写真感光体と短波長レーザーを使用することによって、実用的で安定して高品位な出力画像が得られる電子写真装置を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明に従って、電子写真感光体、該電子写真感光体を帯電させる帯電手段、帯電した該感光体の表面に対して露光を行い静電潜像を形成する露光手段、及び静電潜像が形成された該感光体に対しトナーで現像する現像手段を備えた電子写真装置において、該電子写真感光体が導電性支持体上に少なくとも電荷発生層と電荷輸送層をこの順に有する電子写真感光体であって、該電荷輸送層が下記一般式（１）及び（２）で示されるスチリル化合物の少なくとも一方を含有し、かつ該露光手段が少なくとも発振波長が３８０〜５００ｎｍの半導体レーザーを光源とすることを特徴とする電子写真装置が提供される。
【００１２】
【化３】
【００１３】
式中、Ａｒ₁及びＡｒ₂は置換基を有してもよいアリール基を示す、Ａｒ₃は置換基を有してもよいアリーレン基を示し、Ｒ₁は置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアラルキル基、又は置換基を有してもよいアリール基を示し、Ｒ₂は水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアラルキル基、又は置換基を有してもよいアリール基を示し、ｎは１又は２であり、またｎ＝１の場合は、Ｒ₁とＲ₂は直接又は他の−ＣＨ₂−、−ＣＨ₂ＣＨ₂−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｏ−、−Ｓ−等の有機残基を介して環を形成してもよい。
【００１４】
【化４】
【００１５】
式中、Ａｒ₄、Ａｒ₅、Ａｒ₉及びＡｒ₁₀は置換基を有してもよいアリール基を示し、Ａｒ₃、Ａｒ₇及びＡｒ₈は置換基を有してもよいアリーレン基を示す。Ａｒ₄とＡｒ₅又はＡｒ₉とＡｒ₁₀が環を形成する場合、Ａｒ₄とＡｒ₅又はＡｒ₉とＡｒ₁₀は例えば直接結合、−ＣＨ₂−、−ＣＨ₂ＣＨ₂−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｏ−、−Ｓ−等によって結ばれる。
【００１６】
上記表現のアリール基としては、フェニル、ナフチル、アントラセニル、ピレニル等の芳香族炭化水素基、ピリジル、キノリル、チエニル、フリル、カルバゾリル、ベンゾイミダゾリル、ベンゾチアゾリル等の複素環基が挙げられる。アリーレン基としては、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、ピレン等の芳香族炭化水素又はピリジン、キノリン、チオフェン、フラン等の複素環から２個の水素原子を除いた、２価の芳香族炭化水素基又は複素環基が挙げられる。アルキル基としては、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ヘキシル等の基が挙げられる。アラルキル基としてはベンジル、フェネチル、ナフチルメチル、フルフリル等の基が挙げられる。
【００１７】
また、これらの基が有してもよい置換基としては、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ヘキシル等のアルキル基、メトキシ、エトキシ、ブトキシ等のアルコキシ基、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン原子、フェニル、ナフチル等の芳香族炭化水素基、ピリジル、キノリル、チエニル、フリル等の複素環基、アセチル、ベンジル等のアシル基、ジメチルアミノ等のアルキルアミノ基、トリフルオロメチル等のハロアルキル基、シアノ基、ニトロ基、フェニルカルバモイル基、カルボキシル基、ヒドロキシル基等がある。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下に一般式（１）又は一般式（２）で示されるスチリル化合物についてその代表例を挙げる。構造式は一般式（１）及び一般式（２）のＡｒ₁〜Ａｒ₁₀、Ｒ₁、Ｒ₂及びｎに相当する部分のみを記載した。但し、これらの化合物に限定されるものではない。
【００１９】
【表１】
【００２０】
【表２】
【００２１】
【表３】
【００２２】
【表４】
【００２３】
【表５】
【００２４】
【表６】
【００２５】
【表７】
【００２６】
【表８】
【００２７】
【表９】
【００２８】
【表１０】
【００２９】
【表１１】
【００３０】
【表１２】
【００３１】
【表１３】
【００３２】
次に本発明で用いる電子写真感光体について詳しく説明する。
【００３３】
感光体の構成は、図１〜図４に示される様に、導電性支持体上に少なくとも電荷発生層と電荷輸送層が、この順に積層された構成を有する積層型である。導電性支持体と感光層の間にバリヤー機能や接着機能を有する下引き層を設けたり、感光層を外部からの機械的及び化学的悪影響から保護すること等を目的として感光層上に保護層を設けたりしてもよい。
【００３４】
以下に導電性支持体上に電荷発生層と電荷輸送層をこの順に積層した機能分離型感光体について、その作成方法を述べる。
【００３５】
本発明における導電性支持体としては、例えば以下に示した形態のものを挙げることができる。
（１）アルミニウム、アルミニウム合金、ステンレス、銅等の金属を板形状又はドラム形状にしたもの。
（２）ガラス、樹脂、紙等の非導電性支持体や前記（１）の導電性支持体上にアルミニウム、パラジウム、ロジウム、金、白金等の金属を蒸着もしくはラミネートすることにより薄膜形成したもの。
（３）ガラス、樹脂、紙等の非導電性支持体や前記（１）の導電性支持体上に導電性高分子、酸化スズ、酸化インジウム等の導電性化合物の層を蒸着あるいは塗布することにより形成したもの。
【００３６】
本発明に用いられる有効な電荷発生材料としては、例えば以下のような材料が挙げられる。これらの電荷発生材料は単独で用いてもよく、２種類以上組み合わせてもよい。
（１）モノアゾ、ビスアゾ、トリスアゾ等のアゾ系顔料
（２）インジゴ、チオインジゴ等のインジゴ系顔料
（３）金属フタロシアニン、非金属フタロシアニン等のフタロシアニン系
（４）ペリレン酸無水物、ペリレン酸イミド等のペリレン系顔料
（５）アンスラキノン、ピレンキノン等の多環キノン系顔料
（６）スクアリリウム色素
（７）ピリリウム塩、チオピリリウム塩類
（８）トリフェニルメタン系色素
（９）セレン、非晶質シリコン等の無機材料
【００３７】
電荷発生材料を含有する層、即ち電荷発生層は前記のような電荷発生材料を適当なバインダー樹脂に分散し、これを導電性支持体上に塗工することにより形成することができる。また、導電性支持体上に蒸着、スパッタ、ＣＶＤ等の乾式法で薄膜を形成することによっても形成することができる。
【００３８】
上記バインダー樹脂としては、広範囲なバインダー樹脂から選択でき、例えば、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアリレート樹脂、ブチラール樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ジアリルフタレート樹脂、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、酢酸ビニル樹脂、フェノール樹脂、シリコン樹脂、ポリスルホン樹脂、スチレン−ブタジエン共重合体樹脂、アルキッド樹脂、エポキシ樹脂、尿素樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体樹脂等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。これらは単独又は共重合体ポリマーとして１種又は２種以上混合して用いてもよい。
【００３９】
電荷発生層中に含有するバインダー樹脂は、好ましくは８０重量％以下、より好ましくは４０重量％以下である。また、電荷発生層の膜厚は、好ましくは５μｍ以下、より好ましくは０．０１μｍ〜２μｍである。また、電荷発生層には種々の増感剤を添加してもよい。
【００４０】
電荷輸送材料を含有する層、即ち電荷輸送層は、前記一般式（１）又は一般式（２）で示されるスチリル化合物を少なくとも１種含む電荷輸送材料と、適当なバインダー樹脂とを組み合わせて形成することができる。ここで電荷輸送層に用いられるバインダー樹脂としては、前記電荷発生層に用いられているものが挙げられ、更にポリビニルカルバゾール、ポリビニルアントラセン等の光導電性高分子が挙げられる。
【００４１】
電荷輸送材料は、電子輸送性材料と正孔輸送性材料があり、電子輸送性材料としては、例えば、２，４，７−トリニトロフルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロフルオレノン、クロラニル、テトラシアノキノジメタン等の電子吸引性材料やこれら電子吸引性材料を高分子化したもの等が挙げられる。
【００４２】
正孔輸送性材料としては、前記一般式（１）又は一般式（２）で示されるスチリル化合物の他に、例えば、ピレン、アントラセン等の多環芳香族化合物、カルバゾール系、インドール系、オキサゾール系、チアゾール系、オキサジアゾール系、ピラゾール系、ピラゾリン系、チアジアゾール系、トリアゾール系化合物等の複素環化合物、ヒドラゾン系化合物、トリアリールメタン系化合物、スチルベン系化合物、あるいは、これらの化合物からなる基を主鎖又は側鎖に有するポリマー（例えばポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルアントラセン等）が挙げられる。
【００４３】
使用する電荷輸送材料は、前記一般式（１）又は一般式（２）で示されるスチリル化合物を１種類単独で用いても２種類以上組み合わせてもよく、また先に挙げた他の構造の電荷輸送材料と組み合わせてもよい。
【００４４】
バインダー樹脂と電荷輸送材料との配合割合は、バインダー樹脂１００重量部あたり電荷輸送材料を１０〜５００重量部とすることが好ましい。電荷輸送層は、上述の電荷発生層と電気的に接続されており、電界の存在下で電荷発生層から注入された電荷キャリアを受け取ると共に、これらの電荷キャリアを表面まで輸送できる機能を有している。この電荷輸送層は、電荷キャリアを輪送できる限界があるので、必要以上に膜厚を厚くすることができないが、好ましくは５μｍ〜４０μｍ、より好ましは１０μｍ〜３０μｍの範囲である。更に、電荷輸送層中に酸化防止剤、紫外線吸収剤、可塑剤又は公知の電荷輸送材料を必要に応じ添加することもできる。
【００４５】
このような電荷輸送層を形成する際は、適当な有機溶媒を用い、浸漬コーティング法、スプレーコーティング法、スピンナーコーティング法、ローラーコーティング法、マイヤーバーコーティング法、ブレードコーティング法等のコーティング法を用いて行うことができる。
【００４６】
図５に本発明の電子写真感光体を有するプロセスカートリッジを有する電子写真装置の概略構成を示す。図５において、１はドラム状の電子写真感光体であり、軸２を中心に矢印方向に所定の周速度で回転駆動される。感光体１は、回転過程において、一次帯電手段３によりその周面に正又は負の所定電位の均一帯電を受け、次いで、レーザービーム走査露光等の像露光手段（不図示）からの画像露光光４を受ける。こうして感光体１の周面に静電潜像が順次形成されていく。
【００４７】
形成された静電潜像は、次いで現像手段５によりトナー現像され、現像されたトナー現像像は、不図示の給紙部から感光体１と転写手段６との間に感光体１の回転と同期取り出されて給紙された転写材７に、転写手段６により順次転写されていく。
【００４８】
像転写を受けた転写材７は、感光体面から分離されて像定着手段８へ導入されて像定着を受けることにより装置外へプリントアウトされる。像転写後の感光体１の表面は、クリーニング手段９によって転写残りトナーの除去を受けて清浄面化され、更に前露光手段（不図示）からの前露光光１０により除電処理された後、繰り返し画像形成に使用される。なお、一次帯電手段３が帯電ローラー等を用いた接触帯電手段である場合は、前露光は必ずしも必要ではない。
【００４９】
本発明においては、上述の電子写真感光体１、一次帯電手段３、現像手段５及びクリーニング手段９等の構成要素のうち、複数のものをプロセスカートリッジとして一体に結合して構成し、このプロセスカートリッジをレーザービームプリンター等の電子写真装置本体に対して着脱可能に構成してもよい。例えば、一次帯電手段３、現像手段５及びクリーニング手段９の少なくとも一つを感光体１と共に一体に支持してカートリッジ化して、装置本体のレール１２等の案内手段を用いて装置本体に着脱可能なプロセスカートリッジ１１とすることができる。また、画像露光光４は、センサーで原稿を読取り、信号化し、この信号に従って行われるレーザービームの走査により照射される光である。
【００５０】
【実施例】
以下、本発明を実施例によって具体的に説明するが、本発明は、その要旨を超えない限り、以下の実施例によって限定されるものではない。なお、以下の実施例中「部」とあるは「重量部」を示す。
【００５１】
（実施例１−１）
アルミニウム支持体上に、Ｎ−メトキシメチル化６ナイロン樹脂（重量平均分子量３００００）５．５部とアルコール可溶性共重合ナイロン樹脂（重量平均分子量２８０００）８部をメタノール３０部／ブタノール８０部の混合溶液に溶解した液をマイヤーバーで塗布し、乾燥後の膜厚が約１μｍの下引き層を設けた。
【００５２】
次に、下記構造式（３）で示されるアゾ化合物２０部とブチラール樹脂（ブチラール化度６５ｍｏｌ％、重量平均分子量３００００）１０部をテトラヒドロフラン４００部に添加し、φ１ｍｍのガラスビーズを用いたサンドミル装置で２０時間分散した。この分散液を先に作成した下引き層の上にマイヤーバーで塗布し、乾燥することによって、膜厚が約０．２５μｍの電荷発生層を形成した。
【００５３】
【化５】
【００５４】
次に、例示スチリル化合物１−３を１０部、ビスフェノールＺ型ポリカーボネート（重量平均分子量４５０００）１０部をモノクロルベンゼン６５部に溶解した電荷輸送層溶液を調製し、この溶液を電荷発生層上にマイヤーバーで塗布し、１００℃で１時間乾燥し、膜厚２２μｍの電荷輸送層を形成し、電子写真感光体を作成した。
【００５５】
（実施例１−２〜１−５）
上記実施例１−１で用いた例示スチリル化合物の代わりに下記の表１−１に示した化合物を用いた以外は、実施例１−１と同様に電子写真感光体を作成した。
【００５６】
（比較例１）
上記実施例１−１で用いた例示スチリル化合物の代わりに下記構造式（４）で示される比較化合物１を用いた以外は、実施例１−１と同様に電子写真感光体を作成した。
【００５７】
【化６】
【００５８】
（比較例２）
上記実施例１−１で用いた例示スチリル化合物の代わりに下記構造式（５）で示される比較化合物２を用いた以外は、実施例１−１と同様に電子写真感光体を作成した。
【００５９】
【化７】
【００６０】
以上の様にして作成した実施例１−１〜１−５及び比較例１及び２の感光体の電子写真特性は、静電複写紙試験装置（川口電機製：ＥＰＡ−８１００）を用いて以下の様に測定した。
【００６１】
（初期特性）
感光体の表面電位を−７００Ｖになる様にコロナ帯電器で帯電し、次いでモノクロメータで分離した４５０ｎｍの単色光で露光し、表面電位が−３５０Ｖまで減衰するのに必要な光量を測定し、半減露光感度（Ｅ_1/2）を求めた。また、露光３０秒後の残留表面電位（Ｖｒ）を測定した。
【００６２】
（繰り返し特性及び環境特性）
常温常湿下（２３℃、湿度５５％ＲＨ：Ｎ／Ｎ）で初期暗部電位（Ｖｄ）及び初期明部電位（Ｖｌ）をそれぞれ−７００Ｖ、−２００Ｖ付近に設定し、４５０ｎｍの単色光を用いて帯電、露光を５０００回繰り返し、Ｖｄ及びＶｌの変動量（ΔＶｄ、ΔＶｌ）を測定した。その後環境を高温高湿（３３℃、湿度８５％ＲＨ：Ｈ／Ｈ）に変え、Ｖｌの常温常湿下からの変動量を測定した。電位変動における負符号は電位の絶対値の低下を表し、正符号は電位の絶対値の増加を表す。
【００６３】
（光メモリー）
感光体の初期Ｖｄ、４５０ｎｍの単色光での初期Ｖｌをそれぞれ−７００Ｖ、−２００Ｖ付近に設定した。次に感光体の一部に光強度２０μＷ／ｃｍ²の４５０ｎｍの単色光を２０分間照射した後、再度感光体のＶｄ、Ｖｌを測定し、光メモリーとして非照射部と照射部のＶｄの差（ΔＶｄ）及び非照射部と照射部のＶｌの差（ΔＶｌ）を測定した。電位差における負符号は照射部電位が非照射部より絶対値が低いことを表し、正符号はその逆を表す。以上の結果を表１−１に示す。
【００６４】
（実施例２−１〜２−４）
上記実施例１−１で用いた例示スチリル化合物の代わりに表２−１に示した化合物を用いた以外は、実施例１−１と同様に電子写真感光体を作成し、同様に評価を行った。結果を表２−１に示す。
【００６５】
【表１４】
【００６６】
【表１５】
【００６７】
（実施例１−６〜１−８及び比較例３）
上記実施例１−１で用いた電荷発生材料を下記構造式（６）で示される化合物に代え、また電荷輸送材料を表１−２に示した例示スチリル化合物を用いた以外は、実施例１−１と同様に電子写真感光体を作成し、実施例１−１と同様に評価を行った。以上の結果を表１−２に示す。
【００６８】
【化８】
【００６９】
（実施例２−５〜２−７）
上記実施例１−６で用いた電荷輸送材料を表２−２に示した例示スチリル化合物に代えた以外は、実施例１−６と同様に電子写真感光体を作成し、実施例１−１と同様に評価を行った。以上の結果を表２−２に示す。
【００７０】
【表１６】
【００７１】
【表１７】
【００７２】
この結果から本発明の電子写真感光体は、比較例の感光体に比べ短波長露光光源を用いた電子写真装置に組み込んだ場合に、優れた感度を発現し、繰り返し使用時の電位や感度の安定性に優れ、環境依存性が小さく、短波長光に対する光メモリーが小さいことがわかる。
【００７８】
（実施例１−９〜１−１１及び比較例４）
１０％酸化アンチモンを含有する酸化スズで被覆した酸化チタン粉体５０部、レゾール型フェノール樹脂２５部、メチルセロソルブ２０部、メタノール５部及びシリコーンオイル（ポリジメチルシロキサンポリオキシアルキレン共重合体、平均分子量３０００）０．００２部を１ｍｍφガラスビーズを用いたサンドミル装置で２時間分散して導電層塗料を調製し、この塗料をアルミニウムシリンダー（３０ｍｍφ×２６１ｍｍ）上に浸漬塗布し、１４０℃で３０分乾燥させ、膜厚が２０μｍの導電層を形成した。
【００７９】
この導電層の上に、Ｎ−メトキシメチル化６ナイロン樹脂（重量平均分子量５２０００）５部とアルコール可溶性共重合ナイロン樹脂（重量平均分子量４８０００）１０部をメタノール９５部に溶解した液を浸漬塗布し、乾燥して膜厚が０．８μｍの下引き層を形成した。
【００８０】
次に、実施例１−１で用いたアゾ化合物２０部を、ポリビニルブチラール（商品名エスレックＢＭ−Ｓ、積水化学（株）製）１０部をシクロヘキサノン２００部に溶解した液に添加し、１ｍｍφのガラスビーズを用いたサンドミル装置で２０時間分散し、これに２００部の酢酸エチルを加えて希釈した後回収して、これを下引き層上に浸漬塗布し、９５℃で１０分間乾燥し、膜厚が０．４μｍの電荷発生層を形成した。
【００８１】
次に、表１−３に示した例示スチリル化合物又は比較化合物９部、ビスフェノールＺ型ポリカーボネート（重量平均分子量４５０００）１０部をモノクロロベンゼン６５部に溶解した溶液を調製し、この溶液を電荷発生層上に浸漬塗布し、１００℃で１時間乾燥し、膜厚が２２μｍの電荷輸送層を形成し、実施例１−９〜１−１１及び比較例４の電子写真感光体を作成した。
【００８２】
この様にして作成した電子写真感光体を、パルス変調装置を搭載しているキヤノン製プリンターＬＢＰ−２０００改造機（光源として日立金属（株）製全固体青色ＳＨＧレーザーＩＣＤ−４３０／発振波長４３０ｎｍを搭載；また、反転現像系で６００ｄｐｉ相当の画像入力に対応できる帯電−露光−現像−転写−クリーニングからなるカールソン方式の電子写真システムに改造）に装着し、以下の画像評価を行った。
【００８３】
（ドット、文字再現性の評価）
暗部電位Ｖｄ＝−６５０Ｖ、明部電位Ｖｌ＝−２００Ｖに設定し、１ドット１スペース画像と文字（５ポイント）画像の出力を行った。
【００８４】
（ゴーストの評価）
常温常湿下（２３℃、湿度５５％ＲＨ：Ｎ／Ｎ）で、初期に、ドラム一周分適当な文字パターンを印字し、その後全面ハーフトーン画像を取りゴースト現象が出ているかどうかを確認した。次に、下記耐久パターンを５０００枚連続プリントし耐久後に全面ハーフトーン画像を取り耐久後のゴースト現象が出ているかどうかを確認した。耐久パターンは約２ｍｍ幅の線を縦横７ｍｍおきに印字した。画像サンプルは全面黒と、１ドット１スペースのドット密度の画像を用い、機械の現像ヴォリューム、Ｆ５（中心値）とＦ９（濃度薄い）で各々サンプリングした。評価基準は、ゴーストが見えないものをランク５とし、１ドット１スペースＦ９で見えるものをランク４、１ドット１スペースＦ５で見えるものをランク３、全面黒Ｆ９で見えるものをランク２、全面黒Ｆ５で見えるものをランク１とした。
【００８５】
（比較例５）
実施例１−９で用いた電荷発生材料を下記構造式（７）の化合物に代えた以外は、実施例１−９と同様にして比較例５の電子写真感光体を作成した。
【００８６】
【化９】
【００８７】
（比較例６）
比較例５で用いた電荷輸送材料を前記比較化合物１に代えた以外は、比較例５と同様にして比較例６の電子写真感光体を作成した。
【００８８】
比較例５及び比較例６で作成した感光体を、実施例１−９で用いた評価機の光源を発振波長７８０ｎｍのＧａＡｓ系半導体レーザーに代えた以外は、同様の評価機を用いて、実施例１−９と同様に画像評価を行った。以上の結果を表１−３に示す。
【００８９】
（実施例２−８〜２−１０）
実施例１−９で用いた電荷輸送材料を表２−３に記載の例示スチリル化合物に代えた以外は、実施例１−９と同様に実施例２−８〜２−１０の電子写真感光体を作成した。実施例１−９と同様に画像評価を行った。その結果を表２−３に示す。
【００９０】
（比較例７）
実施例２−８で用いた電荷発生材料を構造式（７）の化合物に代えた以外は、実施例２−８と同様にして比較例７の電子写真感光体を作成した。
【００９１】
比較例７で作成した感光体を、実施例１−９で用いた評価機の光源を発振波長７８０ｎｍのＧａＡｓ系半導体レーザーに代えた以外は、同様の評価機を用いて、実施例１−９と同様に画像評価を行った。以上の結果を表２−３に示す。
【００９２】
【表１８】
【００９３】
【表１９】
【００９４】
これらの結果から、本発明の電子写真装置は、ドットの再現性や文字の再現性に優れ高解像度の出力画像が得られることがわかる。また、欠陥がなく鮮明な画像が安定して得られることが知られる。
【００９５】
【発明の効果】
以上説明した様に、本発明で用いる電子写真感光体は、４００〜５００ｎｍ付近の短波長の半導体レーザーの発振波長領域において、高感度であり、また繰り返し帯電、露光による連続画像形成及び環境の変化に際して明部電位と暗部電位の変動が小さく、高品位な画像が安定して得られるという顕著な効果を奏する。また、この電子写真感光体と上記半導体レーザーを組み合わせることにより、高解像度の画像形成が可能で繰り返し使用や環境変化にも安定して使用しうる電子写真装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【図１】電子写真感光体の層構成の例を示す断面図である。
【図２】電子写真感光体の層構成の例を示す断面図である。
【図３】電子写真感光体の層構成の例を示す断面図である。
【図４】電子写真感光体の層構成の例を示す断面図である。
【図５】本発明の電子写真感光体を有するプロセスカートリッジを有する電子写真装置の概略構成の例を示す図である。
【符号の説明】
ａ導電性支持体
ｂ電荷発生層
ｃ電荷輸送層
ｄ感光層（単層）
ｅ下引き層
ｆ保護層

Claims

電子写真感光体、該電子写真感光体を帯電させる帯電手段、帯電した該感光体の表面に対して露光を行い静電潜像を形成する露光手段、及び静電潜像が形成された該感光体に対しトナーで現像する現像手段を備えた電子写真装置において、該電子写真感光体が導電性支持体上に少なくとも電荷発生層と電荷輸送層をこの順に有する電子写真感光体であって、該電荷輸送層が下記一般式（１）及び（２）で示されるスチリル化合物の少なくとも一方を含有し、かつ該露光手段が少なくとも発振波長が３８０〜５００ｎｍの半導体レーザーを光源とすることを特徴とする電子写真装置。
（上記式（１）中、Ａｒ ₁ 及びＡｒ ₂ は置換基を有してもよいアリール基を示し、Ａｒ ₃ は置換基を有してもよいアリーレン基を示し、Ｒ ₁ は置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアラルキル基、又は置換基を有してもよいアリール基を示し、Ｒ ₂ は水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアラルキル基、又は置換基を有してもよいアリール基を示し、ｎは１又は２であり、またｎ＝１の場合は、Ｒ ₁ とＲ ₂ は直接又は他の有機残基を介して環を形成してもよい）、
（上記式（２）中、Ａｒ ₄ 、Ａｒ ₅ 、Ａｒ ₉ 及びＡｒ ₁₀ は置換基を有してもよいアリール基を示し、Ａｒ ₆ 、Ａｒ ₇ 及びＡｒ ₈ は置換基を有してもよいアリーレン基を示す；Ａｒ ₄ とＡｒ ₅ 又はＡｒ ₉ とＡｒ ₁₀ は直接又は他の有機残基を介して環を形成してもよい）
半導体レーザーの発振波長が４００〜４５０ｎｍの範囲にある請求項１に記載の電子写真装置。