JP2000047159A

JP2000047159A - 導波路型光デバイス

Info

Publication number: JP2000047159A
Application number: JP10212656A
Authority: JP
Inventors: Shinichi Shimozu; 臣一下津; Satoru Oikawa; 哲及川; Tsutomu Saito; 勉斉藤
Original assignee: Sumitomo Osaka Cement Co Ltd
Current assignee: Sumitomo Osaka Cement Co Ltd
Priority date: 1998-07-28
Filing date: 1998-07-28
Publication date: 2000-02-18
Anticipated expiration: 2018-07-28
Also published as: JP3559170B2

Abstract

(57)【要約】【課題】導波路型光デバイスを、高周波コネクタに結合
するのに際して、０−５０ＧＨｚといった極めて広い周
波数領域にわたって、良好なＲＦ反射特性および伝送特
性を得る。【解決手段】導波路型光デバイス２１Ａ、２１Ｂ、２１
Ｃは、光導波路３ｂが形成されている基板２と、基板２
上に設けられている進行波型信号電極２５と、接地電極
４とを備える。デバイス２１Ａ、２１Ｂ、２１Ｃが高周
波信号の入力部分２４および出力部分３４を備えてい
る。高周波信号が印加される信号電極２５の入力結合部
４３が入力部分２４に設けられている。終端抵抗に接続
される信号電極２５の出力結合部５３が出力部分３４に
設けられている。入力部分２４と出力部分３４との少な
くとも一方に、入力結合部４３と出力結合部５３との少
なくとも一方のインピーダンスを調整する調整手段２
６、２７、２８が設けられている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の技術分野】本発明は、ニオブ酸リチウム等の電
気光学効果を有する材質からなる基板上に光導波路、接
地電極および信号電極が形成されている導波路型光デバ
イスの実装構造に関するものであり、特に、高速長距離
用に適した導波路型光デバイスの実装構造に関するもの
である。

【０００２】

【従来の技術】電気光学効果を有する材質からなる基板
上に接地電極、信号電極および光導波路を形成し、信号
電極にマイクロ波信号電圧を印加し、光導波路を伝搬す
る光波を変調する変調器が知られている。図１は、こう
した変調器の一例を示す平面図である。この導波路型光
デバイス１は、いわゆるマッハツェンダー型の変調器で
ある。基板２はニオブ酸リチウム等の電気光学単結晶か
らなっている。基板２の主面には、例えばチタン拡散光
導波路３が形成されている。この光導波路３は、入力側
の端面２ｃと出力側の端面２ｄとの間に延びており、入
力部分３ａ、分岐部分３ｂおよび結合部分３ｃを備えて
いる。２ａ、２ｂは側面である。また、基板２の主面
に、特定形状の接地電極４、６と、信号電極５とが設け
られている。各接地電極４、６と信号電極５との間は、
絶縁領域である。この変調器においては、動作速度を一
層向上させる目的で、いわゆるコプレナーウエーブガイ
ド型（ＣＰＷ）の形態を有する接地電極および信号電極
を使用している。

【０００３】こうした導波路型光デバイスは、適切な筺
体に対して機械的に固定し、電気的に接続する必要があ
る。このように導波路型光デバイスを筺体に実装する方
法は幾つか知られている。即ち、高周波信号発生器７を
同軸ケーブル８等の供給手段に接続し、供給手段を信号
電極５の結合部５ｂに対して接続する。また、信号電極
５の他方の端部５ｃを、通常は５０Ωの終端抵抗９に接
続する。１０はアースである。

【０００４】同軸ケーブルの末端に設けられている高周
波コネクタの接続部分は、通常図２に示す形態をしてい
る。高周波コネクタの中心導体１３が円柱形状の保持部
１１によって保持されており、保持部１１が、図示しな
い筺体の内部にほぼ埋設されている。保持部１１の外周
面には、シールド導体である外部グランド１２が設けら
れている。中心導体１３の先端部分に、保持具１４によ
って平板形状の基板接続用導体１５が固定されており、
基板接続用導体１５が、信号電極５の結合部５ｂに対し
て接続されている。

【０００５】この変調器を動作させる際には、信号発生
器からのマイクロ波信号電圧を高周波コネクタを介して
信号電極５に印加し、終端抵抗９によって終端処理す
る。具体的には、信号発生器７からの信号を同軸ケーブ
ル８によって取り出し、基板接続用導体１５を介して信
号電極５に印加する。このマイクロ波信号電圧によっ
て、信号電極５の制御部５ａと接地電極４、６との間に
電界が発生する。基板２は電気光学効果を有しているの
で、信号電極と接地電極との間の電界によって、分岐部
分３ｂの間に屈折率の差が発生し、この結果、各分岐部
分３ｂをそれぞれ伝搬する光波の位相に、ずれが発生す
る。この位相差が２ｍπラジアン（ｍは整数）になった
場合には、光導波路３の合波部で導波モードが励起さ
れ、光出力が「ＯＮ」状態になる。一方、各光導波路３
ｂをそれぞれ伝搬する光波の位相差が（２ｍπ−１）ラ
ジアンになった場合には、光導波路３の合波部で高次モ
ードが励起され、光出力が「ＯＦＦ」状態になる。

【０００６】こうした導波路型光デバイスにおいては、
コプレナーウエーブガイド型の信号電極５および接地電
極４、６を、変調用のマイクロ波信号電圧を供給するた
めの変調電極として構成している。従って、これらの導
体４、５、６を伝搬する変調用のマイクロ波信号電圧
と、光導波路３内を伝搬する光との間に速度差がないも
のと仮定すると、光変調帯域には制限はないはずであ
る。しかし、現実には、各電極の内部で伝搬損失があ
り、またマイクロ波信号電圧と光との間に速度差がある
ために、変調帯域が制限されている。

【０００７】こうした導波路型光デバイスにおいては、
特定の周波数において、いわゆる「ロスディップ」と呼
ばれる伝送特性が劣化する問題があった。こうした変調
器の使用可能な周波数帯域は、ロスディップの生ずる周
波数以下に制限される。

【０００８】本発明者らは、特開平１０−１２３４７２
号公報において、高周波領域におけるロスディップを減
少させる実装構造を提案した。また、「TECHNICAL REPO
RT新材料と光エレクトロニクス１９９７」第３１−３
４頁の「４０Ｇｂ／ｓＬＮ強度変調器」によれば、特
定の実装構造を採用することによって、４０Ｇｂ／ｓま
での広帯域において、ロスディップの発生を防止できる
ことを開示した。

【０００９】しかし、前記文献「４０Ｇｂ／ｓＬＮ強
度変調器」にも記載されているように、４０−５０ＧＨ
ｚの領域では特性インピーダンスが低下するという問題
があった。具体的には、例えば４０ＧＨｚにおいて、強
度変調器の特性インピーダンスは、約２２Ωにまで低下
していたために、ＲＦ反射特性が低下し、変調器の動作
電圧の増加を招くことが分かった。文献「４０Ｇｂ／ｓ
ＬＮ強度変調器」においては、インピーダンスの整合
のために、約３３Ωとなる緩衝部分を設けることを試み
ており、これによって４０−５０ＧＨｚにおけるＲＦ反
射特性を−１０ｄＢ程度にまで抑圧することに成功し
た。しかし、逆に０−２０ＧＨｚにおける反射特性が逆
に劣化していた。

【００１０】本発明の課題は、光波を伝搬させるための
光導波路が形成されている基板と、光波を制御するため
に基板上に設けられている進行波型信号電極と、接地電
極とを備えている導波路型光デバイスを、高周波コネク
タに対して結合し、実装するのに際して、例えば０−５
０ＧＨｚといった極めて広い周波数領域にわたって、良
好なＲＦ反射特性および伝送特性を得ることである。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明に係る導波路型光
デバイスは、光波を伝搬させるための光導波路が形成さ
れている基板と、光波を制御するために基板上に設けら
れている進行波型の信号電極と、接地電極とを備えてお
り、導波路型光デバイスが、高周波信号の入力部分と出
力部分とを備えており、入力部分には、高周波信号が印
加される信号電極の入力結合部が設けられており、出力
部分には、終端抵抗に接続される信号電極の出力結合部
が設けられており、入力部分と出力部分との少なくとも
一方に、入力結合部または出力結合部のインピーダンス
を調整する調整手段が設けられていることを特徴とす
る。

【００１２】本発明者は、高周波信号の入力部分に、信
号電極の入力結合部を設け、出力部分に、信号電極の出
力結合部を設けた場合に、入力部分と出力部分との少な
くとも一方に、入力結合部または出力結合部のインピー
ダンスを調整する調整手段を、信号電極とは別に設ける
ことによって、実際に、例えば０−５０ＧＨｚといった
極めて広い周波数領域にわたって、ＲＦ反射特性および
伝送特性が著しく改善され、フラットな周波数特性が得
られることを見いだし、本発明に到達した。

【００１３】即ち、同軸ケーブルからコプレナー線路へ
の変換を行う場合、あるいはコプレナー線路から同軸ケ
ーブルへの変換を行う場合に、同軸ケーブルの先端部の
外径は例えば３００μｍであり、最適設計されたコプレ
ナー線路の寸法は例えば約７μｍであって、大きな差が
ある。従来は、信号電極の末端結合部を、図１に示すよ
うなテーパー形状とすることによって、この差を吸収し
ていたが、このテーパー形状それ自体が周波数特性を持
っていることから、変調帯域の上限は、実用的には２０
ＧＨｚであった。このため、従来は、前述した先行特許
にも記載されているように、高周波コネクタ側に工夫を
施すか、高周波コネクタと信号電極との接続方法に改善
を施すか、あるいは外部にインピーダンス調整回路を付
加していた。

【００１４】これに対して、本発明においては、基板上
の信号電極の末端結合部において、信号電極とは別にイ
ンピーダンスの調整手段を設けたことに特徴がある。こ
れまでは前述のように信号電極の結合部にテーパー構造
を設けることでインピーダンスを調整しており、これに
加えて基板の外部でインピーダンス整合を図っていたた
め、本発明のように、導波路型光デバイスの入力部分お
よび／または出力部分において、信号電極の末端結合部
のインピーダンスを増減させる手段を、信号電極とは別
に設けるという思想は、まったく新しいものである。

【００１５】基板の材質としては、ニオブ酸リチウム、
タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム−タンタル酸リ
チウム固溶体等の電気光学結晶が特に好ましい。

【００１６】光導波路の形成方法としては、チタン拡散
法等の内拡散法やプロトン交換法を利用できる。また、
本発明の導波路型光デバイスは、光変調器、光位相変調
器、偏波スクランブラ、光スイッチング素子、光コンピ
ューター用の光論理素子等として好適に使用できる。

【００１７】図３は、本発明の一実施形態に係る導波路
型光デバイスと高周波コネクタとの接続部分を概略的に
示す部分破断斜視図であり、図４は、この導波路型光デ
バイスの平面図であり、図５（ａ）−（ｃ）は、各デバ
イス２１Ａ、２１Ｂ、２１Ｃを示す、図４のＶ−Ｖ線断
面図である。

【００１８】図３、図４において、図１、図２と同じ部
分には同じ符号を付け、その説明は省略する。本例の導
波路型光デバイス２１Ａ（２１Ｂ、２１Ｃ）において
は、信号電極２５は、光導波路の分岐部分３ｂとほぼ平
行に延びる制御部分２５ａと、高周波信号が印加される
入力結合部４３と、終端抵抗に接続される出力結合部５
３とを備えている。信号電極２５および接地電極４、６
は、基板の主面上に、本例では絶縁バッファー層２３を
介して設けられている。例えば図５（ａ）に示すよう
に、デバイス２１Ａの入力結合部４３と出力結合部５３
とは、基板から立ち上がった立ち上がり部２５ｂと、基
板から離れた浮上部分２５ｃとを備えており、浮上部分
２５ｃと基板との間には、調整手段である空隙２６が設
けられており、これらがデバイス２１Ａの入力部分２４
や出力部分３４をそれぞれ構成している。調整手段であ
る空隙２６は、図４に示すように入力部分２４と出力部
分３４との双方に設けることが最も好ましいが、入力部
分２４または出力部分３４に設けてもよい。図３に示す
ように、浮上部分２５ｃに対して、基板接続用導体１５
が接続されている。

【００１９】図５（ｂ）に示すように、導波路型光デバ
イス２１Ｂは、基板上に、他の部分の絶縁バッファー層
よりも厚い、調整手段である低誘電率層２７と、低誘電
率層２７と絶縁バッファー層との段差の立ち上がり部２
５ｂと低誘電率層２７との上に位置する低インピーダン
ス部２５ｃとが設けられており、これらがデバイス２１
Ａの入力部分２４または出力部分３４を構成している。
調整手段である低誘電率層２７は、入力部分２４と出力
部分３４との双方に設けることが最も好ましいが、入力
部分２４または出力部分３４に設けてもよい。低インピ
ーダンス部２５ｃに対して、基板接続用導体１５が接続
されている。

【００２０】図５（ｃ）に示すデバイス２１Ｃの入力部
分２４や出力手段３４においては、基板上に、絶縁バッ
ファー層２３と、調整手段である低誘電率層２８とが積
層されており、低誘電率層２８の段差部分には、立ち上
がり部２５ｂが設けられており、低誘電率層２８上には
低インピーダンス部２５ｃが設けられている。調整手段
である低誘電率層２８は、入力部分２４と出力部分３４
との双方に設けることが最も好ましいが、入力部分２４
または出力部分３４に設けてもよい。

【００２１】このように信号電極の入力部分と出力部分
の一方または双方において、信号電極と基板との間に、
調整手段である空隙や低誘電率層を介在させることによ
って、この部分の特性インピーダンスを調整できる。低
誘電率層２７、２８の材質は、絶縁性であり、かつ基板
よりも低い誘電率を有していなければならず、低誘電率
層の比誘電率は、１１以下であることが好ましい。低誘
電率層を構成する材質は、具体的には、ＳｉＯ２、Ｓｉ
３Ｎ４、テフロン、サファイヤ、Ａｌ２Ｏ３から選択す
ることが好ましい。

【００２２】図６は、本発明の他の実施形態に係る導波
路型光デバイスと高周波コネクタとの接続部分を概略的
に示す部分破断斜視図であり、図７は、この導波路型光
デバイスの平面図であり、図８（ａ）は、図７のＶＩＩ
Ｉａ−ＶＩＩＩａ線断面図であり、図８（ｂ）は、図７
のＶＩＩＩｂ−ＶＩＩＩｂ線断面図である。

【００２３】本例の導波路型光デバイス３１Ａにおけ
る、信号電極３５および接地電極４、６は、基板の主面
上に、絶縁バッファー層２３を介して設けられている。
デバイス３１Ａの入力部分においては、信号電極３５の
入力結合部４３は、基板から立ち上がった立ち上がり部
３５ｂを、離れた位置に二つ備えており、各立ち上がり
部３５ｂから見て側面２ａ側には、基板から離れた浮上
部分３５ｃが二つ設けられている。各浮上部分３５ｃと
基板との間には、調整手段である空隙２６が、それぞれ
設けられている。各空隙２６は、それぞれ、立ち上がり
部３５ｂ、３５ｅおよび浮上部分３５ｃによって輪郭付
けられている。各浮上部分３５ｃの間には、基板に対し
て絶縁バッファー層２３を介して接合されている接合部
分３５ｄが設けられている。これらがデバイス３１Ａの
入力部分２４を構成している。図６に示すように、各浮
上部分３５ｃに対して、それぞれ各基板接続用導体１５
Ａが接続されている。なお、調整手段として、空隙の代
わりに、低誘電率層を設けることもできる。これらの調
整手段は、デバイス３１Ａの入力部分と出力部分との双
方に設けることができ、あるいは出力部分だけに設ける
ことができる。

【００２４】このように信号電極の結合部において、信
号電極と基板との間に、調整手段である空隙や低誘電率
層を介在させることによって、この部分の特性インピー
ダンスを調整できる。これと共に、基板に対して直接に
または絶縁バッファー層を介して接合されている接合部
分３５ｄをも設けることによって、入力結合部および／
または出力結合部の構造強度を向上させることができ
る。

【００２５】なお、前記の各例においては、基板と信号
電極の末端結合部との間に、空隙や低誘電率層を設けた
が、この結合部のインピーダンスを変化させることがで
きれば、空隙や低誘電率層の位置を適宜に変化させてよ
い。

【００２６】次に、前述のような各導波路型光デバイス
の好適な製造プロセスについて、図９、図１０を参照し
つつ、説明する。図９（ａ）においては、基板２に光導
波路３と絶縁バッファー層２３とが形成されている。こ
れらの形成方法は公知である。次いで、図９（ｂ）に示
すように、空隙を設けるべき領域にレジスト４０を形成
し、図９（ｃ）に示すように、絶縁バッファー層２３上
およびレジスト４０上に信号電極２５を形成する。次い
で、レジスト４０をエッチングによって除去し、図５
（ａ）に示すように空隙２６を形成する。

【００２７】ここでレジスト４０の材質は、例えば、ノ
ーボラック樹脂が好ましく、エッチングは例えばアセト
ン等の溶剤等によって行う。

【００２８】図１０（ａ）においては、基板２に光導波
路３と、絶縁バッファー層４１とを形成している。次い
で、図１０（ｂ）に示すように、低誘電率層を設けるべ
き領域にマスク４２を形成し、図１０（ｃ）に示すよう
に、絶縁バッファー層４１のうちマスク４２を形成して
いない領域を、適当な厚みになるまで除去して薄い絶縁
バッファー層２３を形成する。マスク４２を形成した領
域には、厚い絶縁バッファー層２７を残す。この絶縁バ
ッファー層２７を、調整手段である低誘電率層として使
用する。従って、図１０（ａ）において形成した絶縁バ
ッファー層４１の材質は、前述した低誘電材料の特性を
満足するものであり、かつ基板上のバッファー層として
も利用可能でなければならない。こうした材質として
は、ＳｉＯ２が好ましい。

【００２９】

【実施例】（実施例１）図９（ａ）−（ｃ）に示す製造
プロセスに従って、図３、図４、図５（ａ）に示す導波
路型光デバイス２１Ａを作製した。具体的には、Ｚカッ
トのニオブ酸リチウムのウエハー上に、フォトリソグラ
フィー法によって、チタンをパターニングし、熱拡散法
によってチタンを拡散させ、光導波路３を形成した。な
お、その条件は、チタンの厚さは８００オングストロー
ムとし、制御部３ｂの幅は７μｍとし、拡散温度は１０
００℃とし、拡散時間は２０時間とした。基板２の主面
に、ＳｉＯ２の絶縁バッファー層２３を形成した（厚さ
０．５−２μｍ）。

【００３０】次いでレジスト４０を形成し、これらの上
に厚さ１５−３０μｍの金属メッキからなる信号電極パ
ターン２５を形成した。レジスト４０を溶剤で除去し、
調整手段である空隙２６を形成した。次いでウエハーを
切断し、厚さ０．５ｍｍ、幅０．８ｍｍ，長さ４０−６
０ｍｍの導波路型光デバイス２１Ａを作製した。このデ
バイスについて、高周波コネクタと、５０μｍ以下の精
度で位置調整を行い、同軸ケーブルの先端部の基板接続
用導体１５に対して接続した。

【００３１】実施例のデバイスと測定器との間を高周波
ケーブルで接続した。測定器から、周波数が徐々に変わ
るスイープ信号を出力し、０−５０ＧＨｚの各周波数に
おける伝送特性およびＲＦ反射特性を測定した。伝送特
性とＲＦ反射特性とを図１１に示す。

【００３２】（実施例２）図１０（ａ）−（ｃ）に示す
製造プロセスに従って、図６、図７、図８に示す導波路
型光デバイス３１Ａを作製した。具体的には、Ｚカット
のニオブ酸リチウムのウエハー上に、フォトリソグラフ
ィー法によって、チタンをパターニングし、熱拡散法に
よってチタンを拡散させ、光導波路３を形成した。チタ
ンの厚さは８００オングストロームとし、制御部２５ａ
の幅は７μｍとし、拡散温度は１０００℃とし、拡散時
間は２０時間とした。基板２の主面に、酸化珪素の絶縁
バッファー層２３を形成した（厚さ１−５μｍ）。

【００３３】次いでマスク４２を形成し、ＥＣＲドライ
エッチング法により、マスク４２を形成していない領域
を、適当な厚さまで除去して、図１０（ｃ）の状態と
し、マスク４２を除去した。この上に、厚さ１５−３０
μｍの金属メッキからなる信号電極パターン３５を形成
した。次いでウエハーを切断し、厚さ０．５ｍｍ、幅
０．８ｍｍ，長さ４０−６０ｍｍの導波路型光デバイス
を３１Ａを作製した。このデバイスについて、高周波コ
ネクタと、５０μｍ以下の精度で位置調整を行い、同軸
ケーブルの先端部の基板接続用導体１５に対して接続し
た。

【００３４】このデバイスについて、実施例１と同様に
して、０−５０ＧＨｚの各周波数における伝送特性およ
びＲＦ反射特性を測定した。伝送特性とＲＦ反射特性と
を図１２に示す。

【００３５】（比較例）実施例１と同様にして、図１の
デバイスを作製した。ただし、調整手段は設けなかっ
た。このデバイスについて、実施例１と同様にして、０
−５０ＧＨｚの各周波数における伝送特性およびＲＦ反
射特性を測定した。伝送特性とＲＦ反射特性とを図１３
に示す。

【００３６】

【発明の効果】本発明によれば、光導波路が形成されて
いる基板と、基板上の進行波型信号電極と、基板上の接
地電極とを備えている導波路型光デバイスを、高周波コ
ネクタに対して結合し、実装するのに際して、極めて広
い周波数領域にわたって、良好なＲＦ反射特性および伝
送特性が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来例の導波路型光デバイス１を示す平面図で
ある。

【図２】高周波コネクタの先端部の構造を示す斜視図で
ある。

【図３】本発明の導波路型光デバイスと高周波コネクタ
との接続部分を示す斜視図である。

【図４】本発明の導波路型光デバイス２１Ａ、２１Ｂ、
２１Ｃを示す平面図である。

【図５】（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、各導波路型光デバ
イス２１Ａ、２１Ｂ、２１Ｃを示す、図４のＶ−Ｖ線断
面図である。

【図６】本発明の他の導波路型光デバイスと高周波コネ
クタとの接続部分を示す斜視図である。

【図７】本発明の導波路型光デバイス３１Ａを示す平面
図である。

【図８】（ａ）は、導波路型光デバイス３１Ａを示す、
図７のＶＩＩＩａ−ＶＩＩＩａ線断面図であり、（ｂ）
は、デバイス３１Ａを示す、図７のＶＩＩＩｂ−ＶＩＩ
Ｉｂ線断面図である。

【図９】（ａ）−（ｃ）は、図５（ａ）の導波路型光デ
バイスの製造プロセスの好適例を示す断面図である。

【図１０】（ａ）−（ｃ）は、図５（ｂ）の導波路型光
デバイスの製造プロセスの好適例を示す断面図である。

【図１１】本発明の実施例１における伝送特性およびＲ
Ｆ反射特性を示すグラフである。

【図１２】本発明の実施例２における伝送特性およびＲ
Ｆ反射特性を示すグラフである。

【図１３】比較例における伝送特性およびＲＦ反射特性
を示すグラフである。

【符号の説明】

２基板３光導波路４、６接地電極７高周波発生器８同軸ケーブル９終
端抵抗１３中心導体１５基板接続用導
体２１Ａ、２１Ｂ、２１Ｃ、３１Ａ導波路型光
デバイス２３絶縁バッファー層２４導
波路型光デバイスの入力部分２５、３５信号電
極２５ａ、３５ａ制御部２５ｃ、３５ｃ
浮上部分（低インピーダンス部分）２６空隙
２７、２８低誘電率層３４導波路型光
デバイスの出力部分３５ｄ接合部分４３
信号電極の入力結合部５３信号電極の出力結合
部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者斉藤勉千葉県船橋市豊富町585番地住友大阪セメント株式会社新規技術研究所内Ｆターム(参考） 2H079 AA02 AA12 BA01 CA04 DA03 EA05 HA15 HA16

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】光波を伝搬させるための光導波路が形成
されている基板と、光波を制御するために基板上に設け
られている進行波型の信号電極と、接地電極とを備えて
いる導波路型光デバイスであって、導波路型光デバイスが、高周波信号の入力部分と出力部
分とを備えており、入力部分には、高周波信号が印加さ
れる前記信号電極の入力結合部が設けられており、出力
部分には、終端抵抗に接続される信号電極の出力結合部
が設けられており、前記入力部分と前記出力部分との少
なくとも一方に、前記入力結合部と前記出力結合部との
少なくとも一方のインピーダンスを調整する調整手段が
設けられていることを特徴とする、導波路型光デバイ
ス。
【請求項２】前記調整手段が、前記結合部と基板との
間に形成されている空隙であることを特徴とする、請求
項１記載の導波路型光デバイス。
【請求項３】前記結合部が、基板に対して接合されて
いる接合部分と、基板から離れた位置に基板との間に前
記空隙を挟むように設けられている浮上部分とを備えて
いることを特徴とする、請求項２記載の導波路型光デバ
イス。
【請求項４】前記調整手段が、基板の誘電率よりも低
い誘電率からなる低誘電率層であることを特徴とする、
請求項１記載の導波路型光デバイス。
【請求項５】基板上に前記低誘電率層が設けられてお
り、前記結合部が、基板に対して接合されている接合部
分と、低誘電率層上に設けられている低インピーダンス
部分とを備えていることを特徴とする、請求項４記載の
導波路型光デバイス。