JP2000040650A - 走査型露光装置およびデバイス製造方法 - Google Patents
走査型露光装置およびデバイス製造方法Info
- Publication number
- JP2000040650A JP2000040650A JP10208037A JP20803798A JP2000040650A JP 2000040650 A JP2000040650 A JP 2000040650A JP 10208037 A JP10208037 A JP 10208037A JP 20803798 A JP20803798 A JP 20803798A JP 2000040650 A JP2000040650 A JP 2000040650A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- stage
- laser
- exposure apparatus
- scanning exposure
- scanning
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 走査型露光装置において、主に干渉計測の改
良によって走査露光の転写精度を向上させる。 【解決手段】 被露光基板を保持して移動可能な第１ス
テージと、原版を保持して移動可能な第２ステージと、
該披露光基板上に原版の像を投影する投影光学系とを備
え、該投影光学系に対して該第１ステージと該第２ステ
ージを移動しながら走査露光する走査型露光装置におい
て、前記第１ステージの位置または姿勢を計測するレー
ザ干渉計用の第１のレーザヘッドと、前記第２ステージ
の位置または姿勢を計測するレーザ干渉計用の第２のレ
ーザヘッドとを備える。もしくは、前記第１又は第２ス
テージのＸ方向の位置を計測するレーザ干渉計用の第１
のレーザヘッドと、該第１又は第２ステージのＹ方向の
位置を計測するレーザ干渉計用の第２のレーザヘッドと
を備える。そして該第１及び第２のレーザヘッドの駆動
を同期させる。
良によって走査露光の転写精度を向上させる。 【解決手段】 被露光基板を保持して移動可能な第１ス
テージと、原版を保持して移動可能な第２ステージと、
該披露光基板上に原版の像を投影する投影光学系とを備
え、該投影光学系に対して該第１ステージと該第２ステ
ージを移動しながら走査露光する走査型露光装置におい
て、前記第１ステージの位置または姿勢を計測するレー
ザ干渉計用の第１のレーザヘッドと、前記第２ステージ
の位置または姿勢を計測するレーザ干渉計用の第２のレ
ーザヘッドとを備える。もしくは、前記第１又は第２ス
テージのＸ方向の位置を計測するレーザ干渉計用の第１
のレーザヘッドと、該第１又は第２ステージのＹ方向の
位置を計測するレーザ干渉計用の第２のレーザヘッドと
を備える。そして該第１及び第２のレーザヘッドの駆動
を同期させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、原版と被露光基板
とを同期走査して原版のパターンを被露光基板に露光転
写する走査型露光装置、およびその露光装置を用いたデ
バイス製造方法に関する。
とを同期走査して原版のパターンを被露光基板に露光転
写する走査型露光装置、およびその露光装置を用いたデ
バイス製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイス等の製造に用いられる露
光装置としては、基板（ウエハやガラス基板）をステッ
プ移動させながら基板上の複数の露光領域に原版（レチ
クルやマスク）のパターンを投影光学系を介して順次露
光するステップ・アンド・リピート型の露光装置（ステ
ッパと称することもある）や、ステップ移動と走査露光
とを繰り返すことにより、基板上の複数の領域に露光転
写を繰り返すステップ・アンド・スキャン型の露光装置
（スキャナまたは走査型露光装置と称することもある）
が代表的である。特にステップ・アンド・スキャン型
は、スリットにより制限して投影光学系の比較的光軸に
近い部分のみを使用しているため、より高精度旦つ広画
角な微細パターンの露光が可能となっており、今後の主
流になると見られている。
光装置としては、基板（ウエハやガラス基板）をステッ
プ移動させながら基板上の複数の露光領域に原版（レチ
クルやマスク）のパターンを投影光学系を介して順次露
光するステップ・アンド・リピート型の露光装置（ステ
ッパと称することもある）や、ステップ移動と走査露光
とを繰り返すことにより、基板上の複数の領域に露光転
写を繰り返すステップ・アンド・スキャン型の露光装置
（スキャナまたは走査型露光装置と称することもある）
が代表的である。特にステップ・アンド・スキャン型
は、スリットにより制限して投影光学系の比較的光軸に
近い部分のみを使用しているため、より高精度旦つ広画
角な微細パターンの露光が可能となっており、今後の主
流になると見られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】露光中にレチクルおよ
びウエハが静止しているステップ・アンド・リピート型
の露光装置とは違って、ステップ・アンド・スキャン型
の場合、露光中にレチクルステージとウエハステージを
ともに同期スキャン移動させるために、両者の同期精度
をいかに向上させるかが極めて重要な課題である。なぜ
なら、露光中にレチクル及びウエハを走査移動を行うた
めに、ステージの同期精度・移動精度がダイレクトに露
光転写精度に反映されるからである。
びウエハが静止しているステップ・アンド・リピート型
の露光装置とは違って、ステップ・アンド・スキャン型
の場合、露光中にレチクルステージとウエハステージを
ともに同期スキャン移動させるために、両者の同期精度
をいかに向上させるかが極めて重要な課題である。なぜ
なら、露光中にレチクル及びウエハを走査移動を行うた
めに、ステージの同期精度・移動精度がダイレクトに露
光転写精度に反映されるからである。
【０００４】このステージ位置を計測するためには、極
めて高精度な測長が可能なレーザ干渉計を用いるのが通
例であるが、とくに走査型露光装置の場合、ウエハステ
ージだけでなくマスクステージも走査移動するために、
位置計測すべき軸数つまりレーザビームの軸数が大きく
増加する。しかしながら、１つあたりのレーザヘッドの
出力向上には限界があり、１本のレーザビームを分割し
て所要軸数に分けて各計測光を作り出す方法では、計測
軸数が増えてくると、計測光１本当たりの光量が減少し
て測長精度が低下するという課題がある。
めて高精度な測長が可能なレーザ干渉計を用いるのが通
例であるが、とくに走査型露光装置の場合、ウエハステ
ージだけでなくマスクステージも走査移動するために、
位置計測すべき軸数つまりレーザビームの軸数が大きく
増加する。しかしながら、１つあたりのレーザヘッドの
出力向上には限界があり、１本のレーザビームを分割し
て所要軸数に分けて各計測光を作り出す方法では、計測
軸数が増えてくると、計測光１本当たりの光量が減少し
て測長精度が低下するという課題がある。
【０００５】また計測光が増えるに従い、レーザビーム
を分割したり導光したりするための光学素子が増加する
ため、光学素子を配したりレーザビームを通過させるた
めの空間配置が複雑になる等、設計上の制限が大きくな
るという課題もある。
を分割したり導光したりするための光学素子が増加する
ため、光学素子を配したりレーザビームを通過させるた
めの空間配置が複雑になる等、設計上の制限が大きくな
るという課題もある。
【０００６】本発明は、上述の走査型露光装置に特有の
課題を解決すべくなされたもので、主に干渉計測系の改
良によって移動ステージの精度を向上させることで極め
て高精度な走査露光転写が可能な走査型露光装置の提供
を目的とする。また、干渉計測のための光学配置を簡素
化して設計の自由度を向上させた走査型露光装置の提供
を目的とする。更には、該走査型露光装置を用いた優れ
たデバイス製造方法の提供を目的とする。
課題を解決すべくなされたもので、主に干渉計測系の改
良によって移動ステージの精度を向上させることで極め
て高精度な走査露光転写が可能な走査型露光装置の提供
を目的とする。また、干渉計測のための光学配置を簡素
化して設計の自由度を向上させた走査型露光装置の提供
を目的とする。更には、該走査型露光装置を用いた優れ
たデバイス製造方法の提供を目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成する本
発明のある形態は、被露光基板を保持して移動可能な第
１ステージと、原版を保持して移動可能な第２ステージ
と、該披露光基板上に原版の像を投影する投影光学系と
を備え、該投影光学系に対して該第１ステージと該第２
ステージを共に移動しながら走査露光する走査型露光装
置において、前記第１ステージの位置または姿勢を計測
するレーザ干渉計用の第１のレーザヘッドと、前記第２
ステージの位置または姿勢を計測するレーザ干渉計用の
第２のレーザヘッドと、該第１及び第２のレーザヘッド
を同期して駆動する手段を備えたことを特徴とするもの
である。
発明のある形態は、被露光基板を保持して移動可能な第
１ステージと、原版を保持して移動可能な第２ステージ
と、該披露光基板上に原版の像を投影する投影光学系と
を備え、該投影光学系に対して該第１ステージと該第２
ステージを共に移動しながら走査露光する走査型露光装
置において、前記第１ステージの位置または姿勢を計測
するレーザ干渉計用の第１のレーザヘッドと、前記第２
ステージの位置または姿勢を計測するレーザ干渉計用の
第２のレーザヘッドと、該第１及び第２のレーザヘッド
を同期して駆動する手段を備えたことを特徴とするもの
である。
【０００８】また、本発明の別の形態は、被露光基板を
保持して移動可能な第１ステージと、原版を保持して移
動可能な第２ステージと、該披露光基板上に原版の像を
投影する投影光学系とを備え、該投影光学系に対して該
第１ステージと該第２ステージを共に移動しながら走査
露光する走査型露光装置において、前記第１又は第２ス
テージのＸ方向の位置を計測するレーザ干渉計用の第１
のレーザヘッドと、該第１又は第２ステージのＹ方向の
位置を計測するレーザ干渉計用の第２のレーザヘッド
と、該第１及び第２のレーザヘッドを同期して駆動する
手段を備えたことを特徴とするものである。
保持して移動可能な第１ステージと、原版を保持して移
動可能な第２ステージと、該披露光基板上に原版の像を
投影する投影光学系とを備え、該投影光学系に対して該
第１ステージと該第２ステージを共に移動しながら走査
露光する走査型露光装置において、前記第１又は第２ス
テージのＸ方向の位置を計測するレーザ干渉計用の第１
のレーザヘッドと、該第１又は第２ステージのＹ方向の
位置を計測するレーザ干渉計用の第２のレーザヘッド
と、該第１及び第２のレーザヘッドを同期して駆動する
手段を備えたことを特徴とするものである。
【０００９】また、本発明の別の形態は、被露光基板を
保持して移動可能な第１ステージと、原版を保持して移
動可能な第２ステージと、該披露光基板上に原版の像を
投影する投影光学系とを備え、該投影光学系に対して該
第１ステージと該第２ステージを共に移動しながら走査
露光する走査型露光装置において、前記第１又は第２ス
テージの位置または姿勢を計測するレーザ干渉計用の第
１のレーザヘッドと、前記投影光学系と前記第１ステー
ジとの間隔を計測するレーザ干渉計用の第２のレーザヘ
ッドと、該第１及び第２のレーザヘッドを同期して駆動
する手段を備えたことを特徴とするものである。
保持して移動可能な第１ステージと、原版を保持して移
動可能な第２ステージと、該披露光基板上に原版の像を
投影する投影光学系とを備え、該投影光学系に対して該
第１ステージと該第２ステージを共に移動しながら走査
露光する走査型露光装置において、前記第１又は第２ス
テージの位置または姿勢を計測するレーザ干渉計用の第
１のレーザヘッドと、前記投影光学系と前記第１ステー
ジとの間隔を計測するレーザ干渉計用の第２のレーザヘ
ッドと、該第１及び第２のレーザヘッドを同期して駆動
する手段を備えたことを特徴とするものである。
【００１０】
【発明の実施の形態】＜走査型露光装置の実施例＞以
下、図面を用いて本発明の実施例を説明する。図１は本
発明の一実施例に係る半導体デバイス製造用露光装置の
概略図である。本実施例は、レチクルとウエハを共に同
期走査しながら露光を行ってウエハの１つのショット領
域にレチクルパターンの露光転写を行い、ウエハをステ
ップ移動させることで複数のショット領域にパターンを
並べて転写する、いわゆるステップ・アンド・スキャン
型の露光装置に本発明を適用したものである。
下、図面を用いて本発明の実施例を説明する。図１は本
発明の一実施例に係る半導体デバイス製造用露光装置の
概略図である。本実施例は、レチクルとウエハを共に同
期走査しながら露光を行ってウエハの１つのショット領
域にレチクルパターンの露光転写を行い、ウエハをステ
ップ移動させることで複数のショット領域にパターンを
並べて転写する、いわゆるステップ・アンド・スキャン
型の露光装置に本発明を適用したものである。
【００１１】図１の装置は大きくは、露光装置本体の基
礎となるべースフレーム２、原版であるレチクル４を搭
載して移動可能なレチクルステージ５、被露光基板であ
るウエハ６（またはガラス基板）を搭載して移動可能な
ウエハステージ７、レチクル４を照明光で照明する照明
光学系８、レチクル４のパターンをウエハ６に所定の倍
率（例えば４：１）で縮小投影する投影光学系９、投影
光学系９を保持する鏡筒定盤１０、温度調節されたクリ
ーンな空気を供給する空調機械室１１を備えている。
礎となるべースフレーム２、原版であるレチクル４を搭
載して移動可能なレチクルステージ５、被露光基板であ
るウエハ６（またはガラス基板）を搭載して移動可能な
ウエハステージ７、レチクル４を照明光で照明する照明
光学系８、レチクル４のパターンをウエハ６に所定の倍
率（例えば４：１）で縮小投影する投影光学系９、投影
光学系９を保持する鏡筒定盤１０、温度調節されたクリ
ーンな空気を供給する空調機械室１１を備えている。
【００１２】照明光学系８は光源（超高圧水銀ランプな
どの放電灯）を内蔵するか、あるいは露光装置とは別に
床に置かれた不図示の光源装置（エキシマレーザ装置）
からビームラインを経て照明光を導入する。そして各種
レンズや絞りによってスリット光を生成して、レチクル
ステージ５に保持された原版であるレチクル４を上方か
らスリット照明する。
どの放電灯）を内蔵するか、あるいは露光装置とは別に
床に置かれた不図示の光源装置（エキシマレーザ装置）
からビームラインを経て照明光を導入する。そして各種
レンズや絞りによってスリット光を生成して、レチクル
ステージ５に保持された原版であるレチクル４を上方か
らスリット照明する。
【００１３】べースフレーム２は半導体製造工場のクリ
ーンルームの設置床１の上に設置している。べースフレ
ーム２は床１に対して高い剛性で固定されており、実質
的に床１と一体もしくは床１の延長と見なすことができ
る。べースフレーム２は、３本あるいは４本の高剛性の
支柱３を含み、各々のべースフレーム支柱３の上部でア
クティブマウント１２（３つまたは４つ）を介して鏡筒
定盤１０を鉛直方向に支えている。アクティブマウント
１２は空気ばねとダンパとアクチュエータを内蔵し、床
１からの振動が鏡筒定盤１０に伝わらないようにすると
共に、鏡筒定盤１０の傾きや揺れをアクティブに補償す
るものである。
ーンルームの設置床１の上に設置している。べースフレ
ーム２は床１に対して高い剛性で固定されており、実質
的に床１と一体もしくは床１の延長と見なすことができ
る。べースフレーム２は、３本あるいは４本の高剛性の
支柱３を含み、各々のべースフレーム支柱３の上部でア
クティブマウント１２（３つまたは４つ）を介して鏡筒
定盤１０を鉛直方向に支えている。アクティブマウント
１２は空気ばねとダンパとアクチュエータを内蔵し、床
１からの振動が鏡筒定盤１０に伝わらないようにすると
共に、鏡筒定盤１０の傾きや揺れをアクティブに補償す
るものである。
【００１４】投影光学系９を保持する鏡筒定盤１０はさ
らにレチクル支持フレーム１３を介してレチクルステー
ジ定盤１４も支持している。また、鏡筒定盤１０にはレ
チクル４とウエハ６のアライメント状態を検出するため
のアライメント検出器１５を取付けて、鏡筒定盤１０を
基準にしてアライメントを行う。さらに、鏡筒定盤１０
を基準にしてウエハステージ７の位置を検出するため
に、レーザ干渉計も鏡筒定盤１０に取付けている。これ
はＺ方向のウエハステージ７の位置を計測するＺ干渉計
１６と、ＸＹ方向のウエハステージ７位置を計測するＸ
Ｙ干渉計１７を有する。干渉計の参照ミラーがＺ干渉計
ミラー１８はウエハステージ定盤３１に、ＸＹ干渉計ミ
ラー１９はウエハステージ７に固定している。ここで、
Ｚ干渉計ミラー１８をステージベース部材３３にではな
くウエハステージ定盤３１に取付けた理由は、ステージ
定盤３１が最終位置決めすべきステージに近く、またス
テージベース部材３３は力アクチュエータ３８，３９を
作動させた際に僅かに変形する可能性があるが、ステー
ジ定盤３１はその影響が小さいから正確な測定ができる
ためである。１１０−１はウエハステージの位置を計測
するＸＹ干渉計１７用のレーザビームを供給するレーザ
ヘッド、１１０−２はレチクルステージの位置を計測す
る干渉計４０用のレーザビームを供給するレーザヘッド
であり、共に鏡筒定盤１０の上に設置している。
らにレチクル支持フレーム１３を介してレチクルステー
ジ定盤１４も支持している。また、鏡筒定盤１０にはレ
チクル４とウエハ６のアライメント状態を検出するため
のアライメント検出器１５を取付けて、鏡筒定盤１０を
基準にしてアライメントを行う。さらに、鏡筒定盤１０
を基準にしてウエハステージ７の位置を検出するため
に、レーザ干渉計も鏡筒定盤１０に取付けている。これ
はＺ方向のウエハステージ７の位置を計測するＺ干渉計
１６と、ＸＹ方向のウエハステージ７位置を計測するＸ
Ｙ干渉計１７を有する。干渉計の参照ミラーがＺ干渉計
ミラー１８はウエハステージ定盤３１に、ＸＹ干渉計ミ
ラー１９はウエハステージ７に固定している。ここで、
Ｚ干渉計ミラー１８をステージベース部材３３にではな
くウエハステージ定盤３１に取付けた理由は、ステージ
定盤３１が最終位置決めすべきステージに近く、またス
テージベース部材３３は力アクチュエータ３８，３９を
作動させた際に僅かに変形する可能性があるが、ステー
ジ定盤３１はその影響が小さいから正確な測定ができる
ためである。１１０−１はウエハステージの位置を計測
するＸＹ干渉計１７用のレーザビームを供給するレーザ
ヘッド、１１０−２はレチクルステージの位置を計測す
る干渉計４０用のレーザビームを供給するレーザヘッド
であり、共に鏡筒定盤１０の上に設置している。
【００１５】レチクルステージ５はレチクルステージ定
盤１４の上に設置しており、駆動源２０（リニアモー
タ）および静圧軸受けを含む駆動機構によって、走査露
光時には図中左右方向（Ｙ方向）に加速−定速−減速の
順で移動する。また後述するように、レチクルステージ
５の駆動源２０（リニアモータ）の固定子は、走査方向
に沿って、連結部材２１および力アクチュエータ２２
（リニアモータ）を介してレチクルステージ用の反力受
け構遺体である空調機械室１１に接続している。力アク
チュエータ２２が発生する可変の推力を駆動源２０と空
調機械室１１の両者の間で伝達することができる。
盤１４の上に設置しており、駆動源２０（リニアモー
タ）および静圧軸受けを含む駆動機構によって、走査露
光時には図中左右方向（Ｙ方向）に加速−定速−減速の
順で移動する。また後述するように、レチクルステージ
５の駆動源２０（リニアモータ）の固定子は、走査方向
に沿って、連結部材２１および力アクチュエータ２２
（リニアモータ）を介してレチクルステージ用の反力受
け構遺体である空調機械室１１に接続している。力アク
チュエータ２２が発生する可変の推力を駆動源２０と空
調機械室１１の両者の間で伝達することができる。
【００１６】次に、本実施例のウエハステージ周辺につ
いて説明する。ウエハステージ７はその上に基板である
ウエハ６を搭載し、搭載するウエハ６を水平面（ＸＹ方
向）、鉛直方向（Ｚ方向）への移動と、各方向周りの回
転（ωｘ、ωｙ、ωｚ）の計６軸方向に位置決めするこ
とができる。位置決めのための駆動源としてはリニアモ
ータを採用している。基本的にはＸ方向に直進移動する
ＸステージとＸリニアモータ、Ｘ方向と直交するＹ方向
に移動するＹステージとＹリニアモータによる二次元ス
テージを有し、この上にＺ方向、チルト（ωｘ、ωｙ）
方向、回転方向に移動可能なステージが載っている構造
となっている。各方向のガイドには静圧軸受けを用いて
いる。なお、ウエハステージ７のさらに詳細な構成につ
いては、例えば特開平１−１８８２４１号公報、特開平
３−２４５９３２号公報、特開平６−２６７８２３号公
報などを参照されたい。
いて説明する。ウエハステージ７はその上に基板である
ウエハ６を搭載し、搭載するウエハ６を水平面（ＸＹ方
向）、鉛直方向（Ｚ方向）への移動と、各方向周りの回
転（ωｘ、ωｙ、ωｚ）の計６軸方向に位置決めするこ
とができる。位置決めのための駆動源としてはリニアモ
ータを採用している。基本的にはＸ方向に直進移動する
ＸステージとＸリニアモータ、Ｘ方向と直交するＹ方向
に移動するＹステージとＹリニアモータによる二次元ス
テージを有し、この上にＺ方向、チルト（ωｘ、ωｙ）
方向、回転方向に移動可能なステージが載っている構造
となっている。各方向のガイドには静圧軸受けを用いて
いる。なお、ウエハステージ７のさらに詳細な構成につ
いては、例えば特開平１−１８８２４１号公報、特開平
３−２４５９３２号公報、特開平６−２６７８２３号公
報などを参照されたい。
【００１７】図２はウエハステージ周りのレーザ干渉計
の配置を示す。同図に示すようにＸＹ干渉計ミラー１９
はＸ干渉計ミラー１９xとＹ干渉計ミラー１９yとをＬ字
状に設けたものであり、２つのミラーは一体であっても
あるいは別体であってもよい。これらの各方向のミラー
に対してそれぞれ２個ずつのレーザ干渉計を、鏡筒定盤
１０（図１参照）を基準として取り付けている。ＸＹレ
ーザ干渉計１７としては、ウエハステージ７のＸ方向の
位置計測用にレーザ干渉計１７x1を、Ｙ方向の位置計測
用にレーザ干渉計１７y1を設け、さらに、ウエハステー
ジ７のヨー（Ｚ軸回りの回転量）ωｚを計測するために
レーザ干渉計１７x2および１７y2を追加して設けてい
る。なお、ヨーωｚは、レーザ干渉計１７x1とレーザ干
渉計１７x2、およびレーザ干渉計１７y1と１７y2のいず
れの組み合わせによっても計測できるので、ヨーωｚ計
測用としてはレーザ干渉計１７x2およびおよび１７y2の
いずれか一方を追加するだけでもよい。これらのレーザ
干渉計のそれぞれに供給する４本のレーザビームは、鏡
筒定盤１０の上面に設置した（図１参照）第１のレーザ
ヘッド１１０−１のレーザ出力をハーフミラー等の分割
光学素子で４つに分割して生成する。
の配置を示す。同図に示すようにＸＹ干渉計ミラー１９
はＸ干渉計ミラー１９xとＹ干渉計ミラー１９yとをＬ字
状に設けたものであり、２つのミラーは一体であっても
あるいは別体であってもよい。これらの各方向のミラー
に対してそれぞれ２個ずつのレーザ干渉計を、鏡筒定盤
１０（図１参照）を基準として取り付けている。ＸＹレ
ーザ干渉計１７としては、ウエハステージ７のＸ方向の
位置計測用にレーザ干渉計１７x1を、Ｙ方向の位置計測
用にレーザ干渉計１７y1を設け、さらに、ウエハステー
ジ７のヨー（Ｚ軸回りの回転量）ωｚを計測するために
レーザ干渉計１７x2および１７y2を追加して設けてい
る。なお、ヨーωｚは、レーザ干渉計１７x1とレーザ干
渉計１７x2、およびレーザ干渉計１７y1と１７y2のいず
れの組み合わせによっても計測できるので、ヨーωｚ計
測用としてはレーザ干渉計１７x2およびおよび１７y2の
いずれか一方を追加するだけでもよい。これらのレーザ
干渉計のそれぞれに供給する４本のレーザビームは、鏡
筒定盤１０の上面に設置した（図１参照）第１のレーザ
ヘッド１１０−１のレーザ出力をハーフミラー等の分割
光学素子で４つに分割して生成する。
【００１８】またレチクルステージ５に関しても上述の
ウエハステージと同様に、レチクルステージ用の４つの
ＸＹレーザ干渉計４１を鏡筒定盤１０を基準としたレチ
クルステージ定盤１４上に設けている。そしてＸＹレー
ザ干渉計４１に対して、鏡筒定盤１０の上面に設置した
第２のレーザヘッド１１０−２からのレーザビームを４
本に分割して供給している。
ウエハステージと同様に、レチクルステージ用の４つの
ＸＹレーザ干渉計４１を鏡筒定盤１０を基準としたレチ
クルステージ定盤１４上に設けている。そしてＸＹレー
ザ干渉計４１に対して、鏡筒定盤１０の上面に設置した
第２のレーザヘッド１１０−２からのレーザビームを４
本に分割して供給している。
【００１９】さらに、Ｚ干渉計１６はウエハステージ定
盤３１の４隅に対応して鏡筒定盤１０の下面に４つ設け
ているが、これら４個のＺ干渉計１６に対しては鏡筒定
盤１０の下面に設置した第３のレーザヘッドからのレー
ザビームを４本に分割して供給している。
盤３１の４隅に対応して鏡筒定盤１０の下面に４つ設け
ているが、これら４個のＺ干渉計１６に対しては鏡筒定
盤１０の下面に設置した第３のレーザヘッドからのレー
ザビームを４本に分割して供給している。
【００２０】以上のように、ウエハステージの位置また
は姿勢を計測する４つのレーザ干渉計、レチクルステー
ジの位置または姿勢を計測する４つのレーザ干渉計、鏡
筒定盤とウエハステージの間隔を計測する４つのレーザ
干渉計、ならびに３つのレーザヘッドは、すべて実質的
に鏡筒定盤１０を基準として設置しているので、干渉計
同士の間での相対位置変動を軽減することができる。
は姿勢を計測する４つのレーザ干渉計、レチクルステー
ジの位置または姿勢を計測する４つのレーザ干渉計、鏡
筒定盤とウエハステージの間隔を計測する４つのレーザ
干渉計、ならびに３つのレーザヘッドは、すべて実質的
に鏡筒定盤１０を基準として設置しているので、干渉計
同士の間での相対位置変動を軽減することができる。
【００２１】本実施例においては、レーザヘッドを個別
に３個用いて計１２本の計測ビームを作り出している
が、比較例として１個のレーザヘッドから計測ビームを
１２本に分割する場合に比べると、同一出力のレーザで
あれば１本の計測ビームあたり単純には３倍の光量とな
る。実際には、分割する場合はハーフミラーや導光用光
学素子での損失があるので、この損失を含めて考慮すれ
ば１本当たりのレーザ光量は３倍よりも大きなものとな
る。すなわち、複数（ｎ個）のレーザヘッドを用いた本
実施例は、１つのレーザヘッドのレーザビームを分割す
る場合の、各計測軸のレーザ光量に比べて、ｎ倍あるい
はそれよりも大きな光量とすることができる。裏をかえ
せば、各計測軸で測定に必要な計測ビーム光量を得るの
に、ｎ分の１あるいはそれよりも小さな出力の小型・軽
量のレーザヘッド（レーザチューブ）でよいということ
である。
に３個用いて計１２本の計測ビームを作り出している
が、比較例として１個のレーザヘッドから計測ビームを
１２本に分割する場合に比べると、同一出力のレーザで
あれば１本の計測ビームあたり単純には３倍の光量とな
る。実際には、分割する場合はハーフミラーや導光用光
学素子での損失があるので、この損失を含めて考慮すれ
ば１本当たりのレーザ光量は３倍よりも大きなものとな
る。すなわち、複数（ｎ個）のレーザヘッドを用いた本
実施例は、１つのレーザヘッドのレーザビームを分割す
る場合の、各計測軸のレーザ光量に比べて、ｎ倍あるい
はそれよりも大きな光量とすることができる。裏をかえ
せば、各計測軸で測定に必要な計測ビーム光量を得るの
に、ｎ分の１あるいはそれよりも小さな出力の小型・軽
量のレーザヘッド（レーザチューブ）でよいということ
である。
【００２２】ところで、上述のようにレーザヘッドを複
数個に分けた場合、、特に走査露光時にレチクルステー
ジとウエハステージを正確に同期走査できなくなる可能
性がある。この原因の１つは、複数の各レーザヘッドの
データエイジが一致していないために、各計測軸での相
対的な計測誤差が生じることによる。そこで本実施例で
は、ウエハステージ計測用の第１のレーザヘッドとレチ
クルステージ計測用の第２のレーザヘッドを同期して駆
動（レーザ発振）させて、両者の間でデータエイジに差
が生じないようにしている。
数個に分けた場合、、特に走査露光時にレチクルステー
ジとウエハステージを正確に同期走査できなくなる可能
性がある。この原因の１つは、複数の各レーザヘッドの
データエイジが一致していないために、各計測軸での相
対的な計測誤差が生じることによる。そこで本実施例で
は、ウエハステージ計測用の第１のレーザヘッドとレチ
クルステージ計測用の第２のレーザヘッドを同期して駆
動（レーザ発振）させて、両者の間でデータエイジに差
が生じないようにしている。
【００２３】図３は本実施例で用いたレーザヘッド１１
０の回路構成を示す模式図である。同図において、１１
１は基準周波数発振回路、１１２は基準周波数発振回路
１１１の出力信号の周波数を１／Ｎに分周する分周回
路、１１３は分周回路１１２で発生した励振信号と参照
信号入力端子ref-inから入力される励振信号のいずれか
一方を選択するためのスイッチ、１１４は励振信号を増
幅するアンブ、１１５はアンプ１１４の出力する励振信
号によって所望の周波数でレーザ発振してレーザビーム
（干渉計の参照光）を出力するレーザチューブである。
０の回路構成を示す模式図である。同図において、１１
１は基準周波数発振回路、１１２は基準周波数発振回路
１１１の出力信号の周波数を１／Ｎに分周する分周回
路、１１３は分周回路１１２で発生した励振信号と参照
信号入力端子ref-inから入力される励振信号のいずれか
一方を選択するためのスイッチ、１１４は励振信号を増
幅するアンブ、１１５はアンプ１１４の出力する励振信
号によって所望の周波数でレーザ発振してレーザビーム
（干渉計の参照光）を出力するレーザチューブである。
【００２４】図４は、ｎ個（本実施例ではｎ＝３）のレ
ーザヘッドを同期して駆動するための接続図である。同
図において、１１０−１〜１１０−ｎはそれぞれ図３で
示したレーザヘッドであり、各レーザヘッド間を光ファ
イバ等のケーブル１２０で直列に接続して同期信号を伝
達するようになっている。レーザヘッド１１０−１は、
スイッチ１１３を接点ａの側に設定して（図３参照）、
自身が内蔵する回路内で発生した励振信号を、アンプ１
１４と参照信号出力端子ref-outに供給する。他のレー
ザヘッド１１０−２〜１１０−ｎは、スイッチ１１３を
接点ｂの側に設定して、別のレーザヘッドから参照信号
入力端子ref-inに入力される参照信号を、励振信号とし
てアンプ１１４に供給するようになっている。このアン
ブ１１４に供給される励振信号は自身の参照信号出力端
子ref-outにも供給している。その結果、レーザヘッド
１１０−１〜１１０−ｎのアンプ１１４には、すべてレ
ーザヘッド１１０−１の基準周波数発振回路１１１と分
周回路１１２で作成される励振信号が供給され、各レー
ザヘッドのレーザチューブ１１５はすべてレーザヘッド
１１０−１と同一の励振信号の周波数でレーザ発振す
る。すなわち、各レーザヘッド１１０−１〜１１０−ｎ
のレーザチューブは、互いに同期のとれたすなわち位相
の一致したレーザビームを出力するる。これにより、各
レーザヘッド毎のデータエイジを一致させて、サンプリ
ングした位置情報間の相対誤差を小さくし、これらの位
置情報を用いて位置制御されるウエハステージとレチク
ルステージの走査移動を高い同期精度で行なうことがで
きる。
ーザヘッドを同期して駆動するための接続図である。同
図において、１１０−１〜１１０−ｎはそれぞれ図３で
示したレーザヘッドであり、各レーザヘッド間を光ファ
イバ等のケーブル１２０で直列に接続して同期信号を伝
達するようになっている。レーザヘッド１１０−１は、
スイッチ１１３を接点ａの側に設定して（図３参照）、
自身が内蔵する回路内で発生した励振信号を、アンプ１
１４と参照信号出力端子ref-outに供給する。他のレー
ザヘッド１１０−２〜１１０−ｎは、スイッチ１１３を
接点ｂの側に設定して、別のレーザヘッドから参照信号
入力端子ref-inに入力される参照信号を、励振信号とし
てアンプ１１４に供給するようになっている。このアン
ブ１１４に供給される励振信号は自身の参照信号出力端
子ref-outにも供給している。その結果、レーザヘッド
１１０−１〜１１０−ｎのアンプ１１４には、すべてレ
ーザヘッド１１０−１の基準周波数発振回路１１１と分
周回路１１２で作成される励振信号が供給され、各レー
ザヘッドのレーザチューブ１１５はすべてレーザヘッド
１１０−１と同一の励振信号の周波数でレーザ発振す
る。すなわち、各レーザヘッド１１０−１〜１１０−ｎ
のレーザチューブは、互いに同期のとれたすなわち位相
の一致したレーザビームを出力するる。これにより、各
レーザヘッド毎のデータエイジを一致させて、サンプリ
ングした位置情報間の相対誤差を小さくし、これらの位
置情報を用いて位置制御されるウエハステージとレチク
ルステージの走査移動を高い同期精度で行なうことがで
きる。
【００２５】図１に戻って、ウエハステージ７はウエハ
ステージ定盤３１によって支えており、ウエハステージ
定盤３１が有するＸＹ水平案内面（ガイド面）上を移動
する。ウエハステージ定盤３１は３本（または４本）の
支持足３２によってステージベース部材３３上に支持し
ている。この支持足３２は高剛性でありダンピング作用
は持っていない。ステージベース部材３３は３つのマウ
ント３４を介して３ヶ所でべースフレーム２によって鉛
直方向に支持している。ステージベース部材３３および
それに搭載された部材の荷重は、基本的には３つのマウ
ント３４で大半を支えており、マウント３４で受けた荷
重は床１と実質一体のべースフレーム２で受けているた
め、実質的にはウエハステージ７の基本的な荷重は床１
で支えているのに等しい。マウント３４には大きな荷重
を支えることができる空気ばねを用いている。
ステージ定盤３１によって支えており、ウエハステージ
定盤３１が有するＸＹ水平案内面（ガイド面）上を移動
する。ウエハステージ定盤３１は３本（または４本）の
支持足３２によってステージベース部材３３上に支持し
ている。この支持足３２は高剛性でありダンピング作用
は持っていない。ステージベース部材３３は３つのマウ
ント３４を介して３ヶ所でべースフレーム２によって鉛
直方向に支持している。ステージベース部材３３および
それに搭載された部材の荷重は、基本的には３つのマウ
ント３４で大半を支えており、マウント３４で受けた荷
重は床１と実質一体のべースフレーム２で受けているた
め、実質的にはウエハステージ７の基本的な荷重は床１
で支えているのに等しい。マウント３４には大きな荷重
を支えることができる空気ばねを用いている。
【００２６】一方、ステージベース部材３３の真下に
は、大きな質量の反力受け構造体３５（反力受げパレッ
ト）が位置している。反力受け構造体３５はステージベ
ース部材３３の下方に位置しているため、床１への装置
の設置占有面積いわゆるフットプリントを小さくするこ
とができる。
は、大きな質量の反力受け構造体３５（反力受げパレッ
ト）が位置している。反力受け構造体３５はステージベ
ース部材３３の下方に位置しているため、床１への装置
の設置占有面積いわゆるフットプリントを小さくするこ
とができる。
【００２７】反力受け構造体３５の支持は、鉛直方向に
関しては床１に対して４つの鉛直弾性支持体３６で行っ
ている。また、水平方向に関してはステージベース部材
３３を支柱３の側面（もしくは床１に固定した部材の側
面）に対して、ＸＹの２方向に対応してそれぞれ設けた
水平弾性支持体３７で支持している（図１ではＹ方向の
水平弾性支持体３７のみを図示している）。これら鉛直
弾性支持体３６や水平弾性支持体３７は、ともにばね要
素とダンパ要素を有しており、例えば防振ゴム、空気ば
ね、あるいはばね要素としてスプリングや板ばね、ダン
パ要素としてオイル粘性や電磁流体などが好適である。
ばね要素とダンピング要素を有しているということは、
見方を変えれば、所定の周波数範囲の振動転違を遮断す
る機械的フィルタ機能を有しているということである。
本実施例では、少なくとも床の固有振動数および装置の
固有振動数を含む高周波振動の伝達を遮断する。なお、
図１では水平弾性支持体３７は反力受け構造体３５とへ
ースフレーム２の支柱３との間に設けているが、床１に
固定した固定部材と反力受け構造体３５との間に設ける
ようにしても良い。
関しては床１に対して４つの鉛直弾性支持体３６で行っ
ている。また、水平方向に関してはステージベース部材
３３を支柱３の側面（もしくは床１に固定した部材の側
面）に対して、ＸＹの２方向に対応してそれぞれ設けた
水平弾性支持体３７で支持している（図１ではＹ方向の
水平弾性支持体３７のみを図示している）。これら鉛直
弾性支持体３６や水平弾性支持体３７は、ともにばね要
素とダンパ要素を有しており、例えば防振ゴム、空気ば
ね、あるいはばね要素としてスプリングや板ばね、ダン
パ要素としてオイル粘性や電磁流体などが好適である。
ばね要素とダンピング要素を有しているということは、
見方を変えれば、所定の周波数範囲の振動転違を遮断す
る機械的フィルタ機能を有しているということである。
本実施例では、少なくとも床の固有振動数および装置の
固有振動数を含む高周波振動の伝達を遮断する。なお、
図１では水平弾性支持体３７は反力受け構造体３５とへ
ースフレーム２の支柱３との間に設けているが、床１に
固定した固定部材と反力受け構造体３５との間に設ける
ようにしても良い。
【００２８】また、ステージベース部材３３と反力受け
構造体３５の間には、鉛直および水平方向のそれぞれの
方向に推力を発生する力アクチュエータが介在してい
る。鉛直方向に関しては複数（４つ）の鉛直力アクチュ
エータ３８を有し、水平方向に関しては走査露光の方向
（Ｙ方向）に対応して複数（２つ）設けている。上方か
ら見たとき、４つの鉛直力アクチュエータ３８は４つの
鉛直弾性支持体３６とにほぼ同位置に設けている。これ
ら力アクチュエータが発生する可変の推力によって両者
の間での力伝達を制御可能となっている。ここで、ウエ
ハステージ７の重心高さ（図１の重心記号４５で示す）
と水平力アクチュエータ３９の力作用位置の高さとはほ
ぼ等しくなっている。このため、反力と同一高さに補償
力を与えることができるので効果的に反力をキャンセル
することができる。
構造体３５の間には、鉛直および水平方向のそれぞれの
方向に推力を発生する力アクチュエータが介在してい
る。鉛直方向に関しては複数（４つ）の鉛直力アクチュ
エータ３８を有し、水平方向に関しては走査露光の方向
（Ｙ方向）に対応して複数（２つ）設けている。上方か
ら見たとき、４つの鉛直力アクチュエータ３８は４つの
鉛直弾性支持体３６とにほぼ同位置に設けている。これ
ら力アクチュエータが発生する可変の推力によって両者
の間での力伝達を制御可能となっている。ここで、ウエ
ハステージ７の重心高さ（図１の重心記号４５で示す）
と水平力アクチュエータ３９の力作用位置の高さとはほ
ぼ等しくなっている。このため、反力と同一高さに補償
力を与えることができるので効果的に反力をキャンセル
することができる。
【００２９】さらに、ステージベース部材３３の上には
加速度センサ４０を取付け、鉛直ならびに水平（Ｙ方
向）の加速度を測定することができる。なお、加速度セ
ンサ４０はウエハステージ定盤３１土に取付けてもよ
い。力アクチュエータ２２，３７，３８としては微小ス
トロークタイプのリニアモータが制御応答性が高く、固
定子と可動子が非接触であるため機械的振動の遮断能が
高い点などから好ましいが、電磁マグネット力を利用し
た電磁アクチュエータ、空気圧や油圧等の流体圧による
流体アクチュエータ、あるいはピエゾ素子を用いた機械
的アクチュエータなどを用いることもできる。
加速度センサ４０を取付け、鉛直ならびに水平（Ｙ方
向）の加速度を測定することができる。なお、加速度セ
ンサ４０はウエハステージ定盤３１土に取付けてもよ
い。力アクチュエータ２２，３７，３８としては微小ス
トロークタイプのリニアモータが制御応答性が高く、固
定子と可動子が非接触であるため機械的振動の遮断能が
高い点などから好ましいが、電磁マグネット力を利用し
た電磁アクチュエータ、空気圧や油圧等の流体圧による
流体アクチュエータ、あるいはピエゾ素子を用いた機械
的アクチュエータなどを用いることもできる。
【００３０】本実施例においては、鏡筒定盤１０で実質
一体化されたレチクルステージ５と投影光学系９は、ア
クティブマウント１２によってべースフレーム２の支柱
３を介して実質的に床１に対して鉛直方向に支持してい
る。一方、ウエハステージ７およびステージベース部材
３３はマウント３４によってべースフレームを介して実
質的に床１に対して鉛直方向に支持している。このマウ
ント３４を第１マウント、アクティブマウント１２を第
２マウントと考えると、第１マウントと第２マウントに
よって、ウエハステージ７とレチクルステージ５とは床
１に対して互いに独立に支持された構成となっており、
振動や揺れに対して相互干渉が起きないような系になっ
ている。
一体化されたレチクルステージ５と投影光学系９は、ア
クティブマウント１２によってべースフレーム２の支柱
３を介して実質的に床１に対して鉛直方向に支持してい
る。一方、ウエハステージ７およびステージベース部材
３３はマウント３４によってべースフレームを介して実
質的に床１に対して鉛直方向に支持している。このマウ
ント３４を第１マウント、アクティブマウント１２を第
２マウントと考えると、第１マウントと第２マウントに
よって、ウエハステージ７とレチクルステージ５とは床
１に対して互いに独立に支持された構成となっており、
振動や揺れに対して相互干渉が起きないような系になっ
ている。
【００３１】また、ステージベース部材３３はマウント
３４で鉛直方向に床に対して鉛直方向に支持し、反力受
け構造体３５は弾性鉛直支持体３６によって実質的に床
に対して鉛直方向に支持しており、両者は力アクチュエ
ータ（３８，３９）を除けば独立して床に支持された構
成となっている。
３４で鉛直方向に床に対して鉛直方向に支持し、反力受
け構造体３５は弾性鉛直支持体３６によって実質的に床
に対して鉛直方向に支持しており、両者は力アクチュエ
ータ（３８，３９）を除けば独立して床に支持された構
成となっている。
【００３２】Ｚ干渉計１６はウエハステージ７とレチク
ルステージ５および投影光学系９とが独立に振動する結
果生じるウエハステージ７とレチクルステージ５および
投影光学系９との相対位置関係、特に露光時のＺ軸方向
の間隔を制御するために設けられている。
ルステージ５および投影光学系９とが独立に振動する結
果生じるウエハステージ７とレチクルステージ５および
投影光学系９との相対位置関係、特に露光時のＺ軸方向
の間隔を制御するために設けられている。
【００３３】レチクルステージの反力受げ構造体である
空調機械室１１は、ダンピング作用を持った弾性支持体
２３を介して床１の上に支持している。弾性支持体２３
は機械的フィルタとして捉えることもでき、少なくとも
床の固有振動数（例えば２０〜４０Ｈｚ）および露光装
置の固有振動数（例えば１０〜３０Ｈｚ）とそれ以上の
周波数成分を含む振動の伝達を遮断する。
空調機械室１１は、ダンピング作用を持った弾性支持体
２３を介して床１の上に支持している。弾性支持体２３
は機械的フィルタとして捉えることもでき、少なくとも
床の固有振動数（例えば２０〜４０Ｈｚ）および露光装
置の固有振動数（例えば１０〜３０Ｈｚ）とそれ以上の
周波数成分を含む振動の伝達を遮断する。
【００３４】空調機械室１１内には送風ファン、温調装
置（加熱器や冷凍器）、ケミカルフィルタなどを内蔵し
ており、露光装置チャンバ内に温度調節された気体を循
環させる。基本的には上方からダウンフローによって温
嗣気体を供給するが、投影光学系９ならびにウエハステ
ージ７（特にレーザ干渉計光路付近）に向けても局所的
に温調気体を吹出す。このための吹出口を設けて、吹出
口には気体中の微粒子をトラップする気体フィルタを取
付けている。
置（加熱器や冷凍器）、ケミカルフィルタなどを内蔵し
ており、露光装置チャンバ内に温度調節された気体を循
環させる。基本的には上方からダウンフローによって温
嗣気体を供給するが、投影光学系９ならびにウエハステ
ージ７（特にレーザ干渉計光路付近）に向けても局所的
に温調気体を吹出す。このための吹出口を設けて、吹出
口には気体中の微粒子をトラップする気体フィルタを取
付けている。
【００３５】空鯛機械室１１内の下方の空間には露光装
置の制御装置３０を内蔵している。制御装置３０は露光
装置の動作シーケンス制御、力アクチュエータの駆動制
御、アクティブマウントの駆動制御などを行う。
置の制御装置３０を内蔵している。制御装置３０は露光
装置の動作シーケンス制御、力アクチュエータの駆動制
御、アクティブマウントの駆動制御などを行う。
【００３６】次に、上記構成の装置の動作について説明
する。ステップ・アンド・スキャンの基本的な動作シー
ケンスは、ウエハステージをＸ方向もしくはＹ方向にス
テップ移動させて転写すべきショット領域を位置決めす
るステップ動作と、レチクルステージとウエハステージ
をＹ方向に同期移動させながら走査露光を行うスキャン
動作とを繰り返すものである。スキャン動作において
は、スリット形状の照明光に対して、レチクルステージ
５とウエハステージ７を共に同期的に所定の速度比（本
実施例では４：１）で定速で移動させることによって、
レチクル４のパターン全体をウエハ６の１つのショット
領域に走査露光転写する。
する。ステップ・アンド・スキャンの基本的な動作シー
ケンスは、ウエハステージをＸ方向もしくはＹ方向にス
テップ移動させて転写すべきショット領域を位置決めす
るステップ動作と、レチクルステージとウエハステージ
をＹ方向に同期移動させながら走査露光を行うスキャン
動作とを繰り返すものである。スキャン動作において
は、スリット形状の照明光に対して、レチクルステージ
５とウエハステージ７を共に同期的に所定の速度比（本
実施例では４：１）で定速で移動させることによって、
レチクル４のパターン全体をウエハ６の１つのショット
領域に走査露光転写する。
【００３７】レチクルステージ５ならびにウエハステー
ジ７の駆動に際しては、走査開始時には加速、終了時に
は減速によってそれぞれ加速度が生じ、ステージを移動
させる駆動源であるリニアモータは、＜ステージ移動体
の質景＞×＜加速度＞だけの駆動力を発生する必要があ
る。そして、この駆動力の反力がリニアモータ固定子に
水平方向に作用し、固定子からこれを支持するステージ
定盤を介してステージベース部材３３に伝わる。反力は
本来は水平方向（Ｙ方向）にのみ生ずるが、ステージの
駆動源とステージベース部材３３の重心位置高さが異な
ることでモーメントを生じ、これによりステージベース
部材３３には水平方向のみならず鉛直方向にも反力の影
響が作用する。この反力によって露光装置の機構系の固
有振動が励起されると大きな振動となる。
ジ７の駆動に際しては、走査開始時には加速、終了時に
は減速によってそれぞれ加速度が生じ、ステージを移動
させる駆動源であるリニアモータは、＜ステージ移動体
の質景＞×＜加速度＞だけの駆動力を発生する必要があ
る。そして、この駆動力の反力がリニアモータ固定子に
水平方向に作用し、固定子からこれを支持するステージ
定盤を介してステージベース部材３３に伝わる。反力は
本来は水平方向（Ｙ方向）にのみ生ずるが、ステージの
駆動源とステージベース部材３３の重心位置高さが異な
ることでモーメントを生じ、これによりステージベース
部材３３には水平方向のみならず鉛直方向にも反力の影
響が作用する。この反力によって露光装置の機構系の固
有振動が励起されると大きな振動となる。
【００３８】この反力の影響による振動や揺れを軽減す
るための反力受けシステムの基本的な技術思想は、ステ
ージの駆動に伴う反力を、所定範囲の振動周波数に関し
て床からアイソレーションされた反力受け構造体に逃が
すというものである。この所定範囲の振動周波数とは、
少なくとも床の固有振動数である２０〜４０Ｈｚをカバ
ーする、例えば１０Ｈｚ以上の振動である。つまり、床
の加振を軽減するために反力受け構造体それ自体は振動
しても構わないという考え方をとっている。なお、上記
所定範囲の下限値は１０Ｈｚに限らず、１０〜４０Ｈｚ
程度の範囲で、床の固有振動数以下であれば良い。
るための反力受けシステムの基本的な技術思想は、ステ
ージの駆動に伴う反力を、所定範囲の振動周波数に関し
て床からアイソレーションされた反力受け構造体に逃が
すというものである。この所定範囲の振動周波数とは、
少なくとも床の固有振動数である２０〜４０Ｈｚをカバ
ーする、例えば１０Ｈｚ以上の振動である。つまり、床
の加振を軽減するために反力受け構造体それ自体は振動
しても構わないという考え方をとっている。なお、上記
所定範囲の下限値は１０Ｈｚに限らず、１０〜４０Ｈｚ
程度の範囲で、床の固有振動数以下であれば良い。
【００３９】これを実現するために本実施例では、被露
光基板を搭載して移動可能なステージと、該ステージを
支持するステージベース部材と、該ステージを駆動した
際の反力を受ける前記ステージベース部材とは異なる反
力受け構造体とを有し、該反力受け構造体と床との間で
所定周波数以上の振動伝達が遮断されている。
光基板を搭載して移動可能なステージと、該ステージを
支持するステージベース部材と、該ステージを駆動した
際の反力を受ける前記ステージベース部材とは異なる反
力受け構造体とを有し、該反力受け構造体と床との間で
所定周波数以上の振動伝達が遮断されている。
【００４０】ここで、制御手段３０は、ステージの駆動
に応じてフィードフォワード制御（予測制御）によって
前記力アクチュエータの駆動を制御する。これには以下
の２種類がある。
に応じてフィードフォワード制御（予測制御）によって
前記力アクチュエータの駆動を制御する。これには以下
の２種類がある。
【００４１】第１に、ステージの加速または減速に対応
して力アクチュエータをフィードフォワード制御して、
加減速時の反力によるステージベース部材３３の振動や
揺れを軽減する。具体的には、反力によって各アクチュ
エータに作用する力に相当する力を予測して、各力アク
チュエータで同等の力を発生することで、反力をキャン
セルする。力アクチュエータが発生した力はステージベ
ース部材３３と共に反力受け構造体３５にも作用する
が、反力受け構造体３５は弾性支持体３６，３７（機械
的フィルタ手段に相当）で床１またはべースフレーム２
に支持されているため、床１への高周波振動転違がフィ
ルタリングされる。
して力アクチュエータをフィードフォワード制御して、
加減速時の反力によるステージベース部材３３の振動や
揺れを軽減する。具体的には、反力によって各アクチュ
エータに作用する力に相当する力を予測して、各力アク
チュエータで同等の力を発生することで、反力をキャン
セルする。力アクチュエータが発生した力はステージベ
ース部材３３と共に反力受け構造体３５にも作用する
が、反力受け構造体３５は弾性支持体３６，３７（機械
的フィルタ手段に相当）で床１またはべースフレーム２
に支持されているため、床１への高周波振動転違がフィ
ルタリングされる。
【００４２】第２に、ステージの移動に伴う荷重移動に
対応して力アクチュエータをフィードフォワード制御す
る。これはステージの移動に伴ってステージの重心位置
が水平方向で変化するために、ステージベース部材３３
が傾く力がステージからステージベース部材３３に作用
する。これを軽減するためにステージの移動に伴って偏
荷重を予測して、複数の鉛直力アクチュエータ３８の発
生力を個別に変化させる。ステージベース部材３３なら
びにその上の移動部材の荷重は基本的には３つのマウン
ト３４で支えているが、移動に伴う荷重の変化分だけを
力アクチュエータによってアクティブに補償している。
対応して力アクチュエータをフィードフォワード制御す
る。これはステージの移動に伴ってステージの重心位置
が水平方向で変化するために、ステージベース部材３３
が傾く力がステージからステージベース部材３３に作用
する。これを軽減するためにステージの移動に伴って偏
荷重を予測して、複数の鉛直力アクチュエータ３８の発
生力を個別に変化させる。ステージベース部材３３なら
びにその上の移動部材の荷重は基本的には３つのマウン
ト３４で支えているが、移動に伴う荷重の変化分だけを
力アクチュエータによってアクティブに補償している。
【００４３】また、制御手段３０はフィードフォワード
制御だけでなく、フィードバック制御も行っている。こ
れはステージベース部材３３上に取付けた加速度センサ
４０の検出加速度（鉛直方向、水平方向）を、鉛直力ア
クチュエータ３８ならびに水平力アクチュエータ３９の
制御にフィードバックすることで、予期しない外乱振動
の影響を軽減しウエハステージ７の揺れをより小さくす
るものである。
制御だけでなく、フィードバック制御も行っている。こ
れはステージベース部材３３上に取付けた加速度センサ
４０の検出加速度（鉛直方向、水平方向）を、鉛直力ア
クチュエータ３８ならびに水平力アクチュエータ３９の
制御にフィードバックすることで、予期しない外乱振動
の影響を軽減しウエハステージ７の揺れをより小さくす
るものである。
【００４４】ところで、マウント３４はステージベース
部材３３を実質的に床１またはべースフレーム２に弾性
支持するものであるが、マウント３４は一種の機械的フ
ィルタ手段となっており、床１からの振動がステージベ
ース部材３３に伝わらないようになっている。これによ
り本実施例の装置は、（１）ステージの駆動反力による
振動を床に伝えない、（２）床の振動をステージに伝え
ない、の両方を満たす優れたものとなっている。
部材３３を実質的に床１またはべースフレーム２に弾性
支持するものであるが、マウント３４は一種の機械的フ
ィルタ手段となっており、床１からの振動がステージベ
ース部材３３に伝わらないようになっている。これによ
り本実施例の装置は、（１）ステージの駆動反力による
振動を床に伝えない、（２）床の振動をステージに伝え
ない、の両方を満たす優れたものとなっている。
【００４５】なお、以上はウエハステージ側の反力受け
システムについて詳細に説明してきたが、レチクルステ
ージ側も同様の思想の反力受けシステムとなっている。
すなわち、レチクルステージ５を支持する鏡筒定盤１０
と、鏡筒定盤１０を実質的に床１またはべースフレーム
２に鉛直方向に弾性支持するマウント（アクティブマウ
ント１２）と、該レチクルステージ５を駆動した際の反
力を受ける力アクチュエータ２２を含む反力受け構造体
（空調機械室１１）と、反力受け構造体を実質的に床１
もしくはべースフレーム２に弾性支持する弾性支持体２
３とを備えた構成になっており、制御手段３０は力アク
チュエータ２２をフィードフォワード制御することによ
って、レチクルステージ５の移動に伴う反力の影響を補
償している。これにより、同期移動するウエハステージ
ならびにレチクルステージをともに反力受けを行なうた
め、床の加振が極めて小さい優れたステップ・アンド・
スキャン型の走査型露光装置を提供することができる。
システムについて詳細に説明してきたが、レチクルステ
ージ側も同様の思想の反力受けシステムとなっている。
すなわち、レチクルステージ５を支持する鏡筒定盤１０
と、鏡筒定盤１０を実質的に床１またはべースフレーム
２に鉛直方向に弾性支持するマウント（アクティブマウ
ント１２）と、該レチクルステージ５を駆動した際の反
力を受ける力アクチュエータ２２を含む反力受け構造体
（空調機械室１１）と、反力受け構造体を実質的に床１
もしくはべースフレーム２に弾性支持する弾性支持体２
３とを備えた構成になっており、制御手段３０は力アク
チュエータ２２をフィードフォワード制御することによ
って、レチクルステージ５の移動に伴う反力の影響を補
償している。これにより、同期移動するウエハステージ
ならびにレチクルステージをともに反力受けを行なうた
め、床の加振が極めて小さい優れたステップ・アンド・
スキャン型の走査型露光装置を提供することができる。
【００４６】なお上述においては、ステップ・アンド・
スキャン型露光装置のウエハステージ測長系とレチクル
ステージ測長系とで別々のレーザヘッドを用いる例を示
したが、ウエハステージのＸ方向の測長系とＹ方向の測
長系というように、同一のステージについて計測の方向
毎に個別にレーザヘッドを設けるようにしても良い。極
端には、露光装置で計測が必要な各測長軸毎に１個のレ
ーザヘッドを用いるようにしても良い。レーザヘッドの
数が少なくなるほどに小出力レーザで足りるので、レー
ザヘッドの小型化、分割や引き回しのための光学部品数
の軽減といった効果が大きくなる。
スキャン型露光装置のウエハステージ測長系とレチクル
ステージ測長系とで別々のレーザヘッドを用いる例を示
したが、ウエハステージのＸ方向の測長系とＹ方向の測
長系というように、同一のステージについて計測の方向
毎に個別にレーザヘッドを設けるようにしても良い。極
端には、露光装置で計測が必要な各測長軸毎に１個のレ
ーザヘッドを用いるようにしても良い。レーザヘッドの
数が少なくなるほどに小出力レーザで足りるので、レー
ザヘッドの小型化、分割や引き回しのための光学部品数
の軽減といった効果が大きくなる。
【００４７】上記構成の走査型露光装置によれば、複数
の軸上のステージ位置を複数のレーザヘッドを用いて干
渉計測しているので、計測軸数が増えても各軸でのレー
ザビームの光量の低下を防ぐことができ、加えてこれら
のレーザヘッドを同期して駆動することにより、発振の
周波数や位相等の相違に起因する計測値の相対誤差の発
生を防止することができる。この結果、各軸の計測値の
相対誤差を減らして、ステージ移動の同期精度や位置決
め精度を高めることができる。
の軸上のステージ位置を複数のレーザヘッドを用いて干
渉計測しているので、計測軸数が増えても各軸でのレー
ザビームの光量の低下を防ぐことができ、加えてこれら
のレーザヘッドを同期して駆動することにより、発振の
周波数や位相等の相違に起因する計測値の相対誤差の発
生を防止することができる。この結果、各軸の計測値の
相対誤差を減らして、ステージ移動の同期精度や位置決
め精度を高めることができる。
【００４８】また、ビームを分割したり所望の光路を引
き回すための光学素子を減らすことができ、かつ装置の
部材の配置や形状もそれらが光路を遮るとか、または光
路が発熱部の近傍または上方を通るとかを考慮しなくて
よいため、装置設計の自由度が増す。つまり、上記構成
の走査型露光装置によれば、レーザビームを分割したり
導光したりするための光学素子を少なくすことができ、
且つレーザビームを通過させるための空間を設ける等の
設計上の制限が少なくなるという効果もある。
き回すための光学素子を減らすことができ、かつ装置の
部材の配置や形状もそれらが光路を遮るとか、または光
路が発熱部の近傍または上方を通るとかを考慮しなくて
よいため、装置設計の自由度が増す。つまり、上記構成
の走査型露光装置によれば、レーザビームを分割したり
導光したりするための光学素子を少なくすことができ、
且つレーザビームを通過させるための空間を設ける等の
設計上の制限が少なくなるという効果もある。
【００４９】＜微小デバイス製造の実施例＞次に上記説
明した露光装置を利用したデバイス製造方法の例を説明
する。図５は微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チ
ップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロ
マシン等）の製造のフローを示す。ステップ１（回路設
計）ではデバイスのパターン設計を行なう。ステップ２
（レチクル製作）では設計したパターンを形成したレチ
クルを製作する。一方、ステップ３（基板製造）ではシ
リコンやガラス等の材料を用いて基板を製造する。ステ
ップ４（基板プロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意し
たレチクルと基板を用いて、リソグラフィ技術によって
基板上に実際の回路を形成する。次のステップ５（組み
立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって作製され
た基板を用いて半導体チップ化する工程であり、アッセ
ンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージ
ング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ６
（検査）ではステップ５で作製された半導体デバイスの
動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行なう。こう
した工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷
（ステップ７）される。
明した露光装置を利用したデバイス製造方法の例を説明
する。図５は微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チ
ップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロ
マシン等）の製造のフローを示す。ステップ１（回路設
計）ではデバイスのパターン設計を行なう。ステップ２
（レチクル製作）では設計したパターンを形成したレチ
クルを製作する。一方、ステップ３（基板製造）ではシ
リコンやガラス等の材料を用いて基板を製造する。ステ
ップ４（基板プロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意し
たレチクルと基板を用いて、リソグラフィ技術によって
基板上に実際の回路を形成する。次のステップ５（組み
立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって作製され
た基板を用いて半導体チップ化する工程であり、アッセ
ンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージ
ング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ６
（検査）ではステップ５で作製された半導体デバイスの
動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行なう。こう
した工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷
（ステップ７）される。
【００５０】図６は上記基板プロセスの詳細なフローを
示す。ステップ１１（酸化）では基板の表面を酸化させ
る。ステップ１２（ＣＶＤ）では基板表面に絶縁膜を形
成す孔ステップ１３（電極形成）では基板上に電極を蒸
着によって形成する。ステップ１４（イオン打込み）で
は基板にイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処
理）では基板にレジストを塗布する。ステップ１６（露
光）では上記説明した露光装置によってレチクルの回路
パターンを基板の複数のショット領域に並べて脇付露光
する。ステップ１７（現像）では露光した基板を現像す
る。ステップ１８（エッチング）では現像したレジスト
像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥
離）ではエッチングが済んで不要となったレジストを取
り除く。これらのステップを繰り返し行なうことによっ
て、基板上に多重に回路パターンが形成される。本実施
例の生産方法を用いれば、従来は製造が難しかった高精
度デバイスを高い生産性すなわち低コストで製造するこ
とができる。
示す。ステップ１１（酸化）では基板の表面を酸化させ
る。ステップ１２（ＣＶＤ）では基板表面に絶縁膜を形
成す孔ステップ１３（電極形成）では基板上に電極を蒸
着によって形成する。ステップ１４（イオン打込み）で
は基板にイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処
理）では基板にレジストを塗布する。ステップ１６（露
光）では上記説明した露光装置によってレチクルの回路
パターンを基板の複数のショット領域に並べて脇付露光
する。ステップ１７（現像）では露光した基板を現像す
る。ステップ１８（エッチング）では現像したレジスト
像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥
離）ではエッチングが済んで不要となったレジストを取
り除く。これらのステップを繰り返し行なうことによっ
て、基板上に多重に回路パターンが形成される。本実施
例の生産方法を用いれば、従来は製造が難しかった高精
度デバイスを高い生産性すなわち低コストで製造するこ
とができる。
【００５１】
【発明の効果】本発明の走査型露光装置によれば、主に
干渉計測系の改良によって移動ステージの精度を向上さ
せることで極めて高精度な走査露光転写が可能な走査型
露光装置を提供することができる。また、干渉計測のた
めの光学配置を簡素化して設計の自由度を向上させた走
査型露光装置を提供することができる。
干渉計測系の改良によって移動ステージの精度を向上さ
せることで極めて高精度な走査露光転写が可能な走査型
露光装置を提供することができる。また、干渉計測のた
めの光学配置を簡素化して設計の自由度を向上させた走
査型露光装置を提供することができる。
【００５２】また、本発明の走査型露光装置を用いれば
従来以上に高精度なデバイス製造が可能なデバイス製造
方法を提供することができる。
従来以上に高精度なデバイス製造が可能なデバイス製造
方法を提供することができる。
【図１】本発明の一実施例に係る露光装置の概略構成因
である。
である。
【図２】図１の装置におけるウエハステージ周りのレー
ザ干渉計の配置図である。
ザ干渉計の配置図である。
【図３】レーザヘッドの回路構成を示す図である。
【図４】図３のレーザヘッドをｎ個接続して同期駆動す
るための接続図である。
るための接続図である。
【図５】半導体デバイスの製造フローを示す図である。
【図６】基板プロセスの詳細なフローを示す図である。
１ 製造工場の設置床 ２ べースフレーム ３ 支柱 ４ レチクル ５ レチクルステージ ６ ウエハ ７ ウエハステージ ８ 照明光学系 ９ 投影光学系 １０ 鏡筒定盤 １１ 空調機械室 １２ アクティブマウント １３ レチクルステージ支持フレーム １４ レチクルステージ定盤 １５ アライメント検出器 １６ Ｚ干渉計 １７ ＸＹ干渉計 １７ｘ１、１７ｘ２ Ｘ干渉計 １７ｙ１、１７ｙ２ Ｙ干渉計 １８ Ｚ干渉計ミラー １９ ＸＹ干渉計ミラー １９ｘ Ｘ干渉計ミラー １９ｙ Ｙ干渉計干渉計ミラー ２０ レチクルステージ駆動源（リニアモータ） ２１ 連結部材 ２２ 力アクチュエータ（リニアモータ） ２３ 弾性支持体 ３０ 制御装置 ３１ ウエハステージ定盤 ３２ 支持足 ３３ ステージベース部材 ３４ マウント ３５ 反力受け構造体 ３６ 鉛直弾性支持体 ３７ 水平弾性支持体 ３８ 鉛直力アクチュエータ ３９ 水平力アクチュエータ ４０ 加速度センサ ４１ ＸＹ干渉計 １１０−１〜１１０−ｎ レーザヘッド １１１ 基準周波数発振回路 １１２ １／Ｎ分周回路 １１３ 励振信号選択スイッチ １１４ アンブ １１５ レーザチューブ １２０ 光ファイバケーブル
Claims (24)
- 【請求項１】 被露光基板を保持して移動可能な第１ス
テージと、原版を保持して移動可能な第２ステージと、
該披露光基板上に原版の像を投影する投影光学系とを備
え、該投影光学系に対して該第１ステージと該第２ステ
ージを共に移動しながら走査露光する走査型露光装置に
おいて、前記第１ステージの位置または姿勢を計測する
レーザ干渉計用の第１のレーザヘッドと、前記第２ステ
ージの位置または姿勢を計測するレーザ干渉計用の第２
のレーザヘッドと、該第１及び第２のレーザヘッドを同
期して駆動する手段を備えたことを特徴とする走査型露
光装置。 - 【請求項２】 被露光基板を保持して移動可能な第１ス
テージと、原版を保持して移動可能な第２ステージと、
該披露光基板上に原版の像を投影する投影光学系とを備
え、該投影光学系に対して該第１ステージと該第２ステ
ージを共に移動しながら走査露光する走査型露光装置に
おいて、前記第１又は第２ステージのＸ方向の位置を計
測するレーザ干渉計用の第１のレーザヘッドと、該第１
又は第２ステージのＹ方向の位置を計測するレーザ干渉
計用の第２のレーザヘッドと、該第１及び第２のレーザ
ヘッドを同期して駆動する手段を備えたことを特徴とす
る走査型露光装置。 - 【請求項３】 被露光基板を保持して移動可能な第１ス
テージと、原版を保持して移動可能な第２ステージと、
該披露光基板上に原版の像を投影する投影光学系とを備
え、該投影光学系に対して該第１ステージと該第２ステ
ージを共に移動しながら走査露光する走査型露光装置に
おいて、前記第１又は第２ステージの位置または姿勢を
計測するレーザ干渉計用の第１のレーザヘッドと、前記
投影光学系と前記第１ステージとの間隔を計測するレー
ザ干渉計用の第２のレーザヘッドと、該第１及び第２の
レーザヘッドを同期して駆動する手段を備えたことを特
徴とする走査型露光装置。 - 【請求項４】 基準周波数の信号を発振する発振器を備
え、該信号を基にして前記第１及び第２のレーザヘッド
のレーザ発振を同期させることを特徴とする請求項１乃
至３のいずれか記載の走査型露光装置。 - 【請求項５】 前記第１及び第２のレーザヘッドの間で
前記信号を伝達する光ファイバを有する請求項４記載の
走査型露光装置。 - 【請求項６】 前記投影光学系を支持する定盤を有し、
該定盤がマウントによって弾性支持されていることを特
徴とする請求項１乃至５のいずれか記載の走査型露光装
置。 - 【請求項７】 前記定盤は、振動伝達に関して前記第１
ステージとは分離して支持されていることを特徴とする
請求項６記載の走査型露光装置。 - 【請求項８】 前記レーザ干渉計の少なくとも一部は、
前記定盤を基準として設置されていることを特徴とする
請求項６又は７記載の走査型露光装置。 - 【請求項９】 前記第１及び第２のレーザヘッドを用い
た干渉計、もしくは前記第１及び第２のレーザヘッド
は、共に前記定盤を基準として設置され、両者の間での
相対位置変動が軽減されるようになっていることを特徴
とする請求項８記載の走査型露光装置。 - 【請求項１０】 前記第１ステージもしくは第２ステー
ジを駆動した際の反力を受ける反力受け手段を有するこ
とを特徴とする請求項１乃至９のいずれか記載の走査型
露光装置。 - 【請求項１１】 前記第１ステージを支持するステージ
ベース部材と、該第１ステージを駆動した際の反力を受
けるための該ステージベース部材とは異なる反力受け構
造体とを有することを特徴とする請求項１乃至９のいず
れか記載の走査型露光装置。 - 【請求項１２】 前記反力受け構造体と床との間で所定
周波数以上の振動伝達が遮断されていることを特徴とす
る請求項１１記載の走査型露光装置。 - 【請求項１３】 前記反力受け構造体を床もしくはべー
スフレームに対して弾性支持する弾性支持体を有し、該
弾性支持体によって振動伝達が遮断されることを特徴と
する請求項１２記載の走査型露光装置。 - 【請求項１４】 前記ステージベース部材と前記反力受
け構造体の間で力を発生する力アクチュエータを有する
ことを特徴とする請求項１２又は１３記載の走査型露光
装置。 - 【請求項１５】 前記弾性支持体もしくは前記力アクチ
ュエータは鉛直方向と水平方向の少なくとも一方の方向
に対応して設けられていることを特徴とする請求項１３
または１４記載の走査型露光装置。 - 【請求項１６】 前記力アクチュエータはリニアモータ
であることを特徴とする請求項１４記載の走査型露光装
置。 - 【請求項１７】 前記第１ステージの重心高さと前記力
アクチュエータの力作用位置の高さとがほぼ等しいこと
を特徴とする請求項１４乃至１６のいずれか記載の走査
型露光装置。 - 【請求項１８】 前記ステージベース部材を実質的に床
又はべースフレームに弾性支持するマウントをさらに有
することを特徴とする請求項１２乃至１７のいずれか記
載の走査型露光装置。 - 【請求項１９】 前記反力受け構造体は前記ステージベ
ース部材の下方に位置することを特徴とする請求項１２
乃至１８のいずれか記載の走査型露光装置。 - 【請求項２０】 前記所定周波数は床の固有振動数以下
であることを特徴とする請求項１２乃至１９のいずれか
記載の走査型露光装置。 - 【請求項２１】 前記所定周波数は１０Ｈｚよりも大き
いことを特徴とする請求項１２乃至２０のいずれか記載
の走査型露光装置。 - 【請求項２２】 ステップ・アンド・スキャンの動作手
順によって、被露光基板の複数の領域に順に走査露光を
行うことを特徴とする請求項１乃至２１のいずれか記載
の走査型露光装置。 - 【請求項２３】 請求項１〜２２のいずれか記載の走査
型露光装置を用意する工程と、該走査型露光装置を用い
て基板に露光を行う工程を含む製造工程によってデバイ
スを製造することを特徴とするデバイス製造方法。 - 【請求項２４】 露光前に基板にレジストを塗布する工
程と、露光後に現像を行う工程をさらに有することを特
徴とする請求項２３記載のデバイス製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20803798A JP3825921B2 (ja) | 1998-07-23 | 1998-07-23 | 走査露光装置およびデバイス製造方法 |
| US09/356,697 US6462828B1 (en) | 1998-07-23 | 1999-07-20 | Exposure apparatus |
| EP99305803A EP0974868A3 (en) | 1998-07-23 | 1999-07-22 | Exposure apparatus |
| KR1019990030125A KR100299504B1 (ko) | 1998-07-23 | 1999-07-23 | 노광장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20803798A JP3825921B2 (ja) | 1998-07-23 | 1998-07-23 | 走査露光装置およびデバイス製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000040650A true JP2000040650A (ja) | 2000-02-08 |
| JP3825921B2 JP3825921B2 (ja) | 2006-09-27 |
Family
ID=16549616
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20803798A Expired - Lifetime JP3825921B2 (ja) | 1998-07-23 | 1998-07-23 | 走査露光装置およびデバイス製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6462828B1 (ja) |
| EP (1) | EP0974868A3 (ja) |
| JP (1) | JP3825921B2 (ja) |
| KR (1) | KR100299504B1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100482267B1 (ko) * | 2001-02-15 | 2005-04-13 | 캐논 가부시끼가이샤 | 간섭계시스템을 포함한 노광장치 |
| JP2010008956A (ja) * | 2008-06-30 | 2010-01-14 | Yokohama National Univ | ステージ装置、露光装置、及びステージ制御方法 |
| US7944166B2 (en) | 2007-07-31 | 2011-05-17 | Sumitomo Heavy Industries | Reaction force cancel system |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6597459B2 (en) | 2000-05-16 | 2003-07-22 | Zygo Corporation | Data age adjustments |
| JP2004510129A (ja) * | 2000-05-17 | 2004-04-02 | ザイゴ コーポレイション | 干渉装置および干渉方法 |
| DE10062786A1 (de) | 2000-12-15 | 2002-06-20 | Zeiss Carl | System zur Dämpfung von Schwingungen |
| US6975406B2 (en) | 2001-08-02 | 2005-12-13 | Zygo Corporation | Glitch filter for distance measuring interferometry |
| JP3870058B2 (ja) * | 2001-10-05 | 2007-01-17 | キヤノン株式会社 | スキャン露光装置及び方法並びにデバイスの製造方法 |
| JP2005051245A (ja) | 2003-07-30 | 2005-02-24 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置 |
| DE102005052757B4 (de) * | 2005-11-04 | 2007-07-26 | Vistec Semiconductor Systems Gmbh | Vorrichtung zur Positionsmessung eines Objekts mit einem Laser-Interferometersystem |
| KR100876912B1 (ko) * | 2006-07-13 | 2009-01-08 | 부산대학교 산학협력단 | 변위증폭측정 메카니즘을 구비한 스테이지 |
| DE102007034942A1 (de) * | 2007-04-05 | 2008-10-16 | Carl Zeiss Sms Gmbh | Vorrichtung zur Vermessung von Substraten |
| NL1036160A1 (nl) * | 2007-11-20 | 2009-05-25 | Asml Netherlands Bv | Combination of structure and two or more active damping systems, lithographic apparatus, and projection assembly. |
| NL1036167A1 (nl) * | 2007-11-20 | 2009-05-25 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method. |
| JP2009302490A (ja) * | 2008-06-17 | 2009-12-24 | Canon Inc | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| CN110716391A (zh) * | 2018-07-11 | 2020-01-21 | 上海微电子装备（集团）股份有限公司 | 大尺寸基板曝光机 |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DD256439A3 (de) * | 1986-01-09 | 1988-05-11 | Halle Feinmech Werke Veb | Verfahren zur steuerung der inneren und unterdrueckung der aeusseren strahlungsrueckkopplung eines co tief 2-hochleistungslasers |
| JPH01188241A (ja) | 1988-01-22 | 1989-07-27 | Canon Inc | 移動案内装置 |
| JP3031940B2 (ja) | 1990-02-21 | 2000-04-10 | キヤノン株式会社 | 移動案内装置 |
| JP2974535B2 (ja) | 1993-03-11 | 1999-11-10 | キヤノン株式会社 | 位置決め装置 |
| JPH08330219A (ja) * | 1995-06-02 | 1996-12-13 | Nikon Corp | 走査型露光装置 |
| JP3624984B2 (ja) | 1995-11-29 | 2005-03-02 | 株式会社ニコン | 投影露光装置 |
| US5995198A (en) | 1995-06-01 | 1999-11-30 | Nikon Corporation | Exposure apparatus |
| US5907392A (en) * | 1995-07-20 | 1999-05-25 | Nikon Corporation | Exposure apparatus |
| EP1369896A3 (en) * | 1996-03-04 | 2004-12-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron beam exposure apparatus and method and device manufacturing method |
| JPH09289155A (ja) * | 1996-04-19 | 1997-11-04 | Nikon Corp | 走査型露光装置 |
| JP3659529B2 (ja) | 1996-06-06 | 2005-06-15 | キヤノン株式会社 | 露光装置およびデバイス製造方法 |
| US5682240A (en) | 1996-09-24 | 1997-10-28 | Zygo Corporation | Interferometric measurements with multiple light sources |
| KR0179935B1 (ko) * | 1996-10-24 | 1999-04-01 | 문정환 | 노광장치의 스테이지장치 |
| JPH10144596A (ja) | 1996-11-05 | 1998-05-29 | Canon Inc | 露光装置およびデバイス製造方法 |
| KR100250155B1 (ko) * | 1997-11-27 | 2000-03-15 | 유무성 | 노광장치 |
| KR200183549Y1 (ko) * | 1997-12-30 | 2000-06-01 | 김영환 | 반도체 트랙장비의 에지노광 모듈 |
-
1998
- 1998-07-23 JP JP20803798A patent/JP3825921B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1999
- 1999-07-20 US US09/356,697 patent/US6462828B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1999-07-22 EP EP99305803A patent/EP0974868A3/en not_active Withdrawn
- 1999-07-23 KR KR1019990030125A patent/KR100299504B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100482267B1 (ko) * | 2001-02-15 | 2005-04-13 | 캐논 가부시끼가이샤 | 간섭계시스템을 포함한 노광장치 |
| US7944166B2 (en) | 2007-07-31 | 2011-05-17 | Sumitomo Heavy Industries | Reaction force cancel system |
| JP2010008956A (ja) * | 2008-06-30 | 2010-01-14 | Yokohama National Univ | ステージ装置、露光装置、及びステージ制御方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0974868A3 (en) | 2002-04-17 |
| EP0974868A2 (en) | 2000-01-26 |
| JP3825921B2 (ja) | 2006-09-27 |
| KR100299504B1 (ko) | 2001-09-22 |
| KR20000011944A (ko) | 2000-02-25 |
| US6462828B1 (en) | 2002-10-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3554186B2 (ja) | 露光装置、デバイス製造方法および反力受け方法 | |
| US6894449B2 (en) | Vibration control device, stage device and exposure apparatus | |
| US6512571B2 (en) | Anti-vibration system for exposure apparatus | |
| KR100636755B1 (ko) | 이중 격리 시스템을 갖는 리소그래피 공구 및 그를 구성하기 위한 방법 | |
| JP4834439B2 (ja) | ステージ装置及びその制御方法、露光装置及びデバイス製造方法 | |
| JP3814453B2 (ja) | 位置決め装置、半導体露光装置およびデバイス製造方法 | |
| US20020080339A1 (en) | Stage apparatus, vibration control method and exposure apparatus | |
| JPH11307448A (ja) | 投影露光装置 | |
| JP2019070815A (ja) | 移動体装置、露光装置、フラットパネルディスプレイの製造方法、デバイス製造方法、及び移動体駆動方法 | |
| US6342942B1 (en) | Exposure apparatus, exposure control method, and device fabrication method using the exposure apparatus | |
| JP3825921B2 (ja) | 走査露光装置およびデバイス製造方法 | |
| JPH1050586A (ja) | 露光装置、デバイス製造方法およびステージ装置 | |
| WO2001027978A1 (fr) | Substrat, dispositif a etage, procede d'attaque d'etage, systeme d'exposition et procede d'exposition | |
| US20090161082A1 (en) | Exposure apparatus and exposure method | |
| JPWO2009031654A1 (ja) | 駆動制御方法、駆動制御装置、ステージ制御方法、ステージ制御装置、露光方法、露光装置及び計測装置 | |
| KR19990007368A (ko) | 리니어모터와 스테이지장치 및 이것을 이용한 주사형 노광장치 및 디바이스제조방법 | |
| EP1688988A1 (en) | Stage drive method, stage apparatus, and exposure apparatus | |
| JP2004193425A (ja) | 移動制御方法及び装置、露光装置、並びにデバイス製造方法 | |
| JP2000173884A (ja) | デバイス製造装置および方法ならびにデバイス製造装置の配線・配管実装方法 | |
| JP2001023896A (ja) | ステージ装置及び露光装置 | |
| JPH11316607A (ja) | ステージ装置、露光装置およびデバイス製造方法 | |
| JP2005322720A (ja) | ステージ制御装置及び方法、露光装置及び方法、並びにデバイス製造方法 | |
| JP2002175963A (ja) | ステージ装置とその位置制御方法および露光装置並びに露光方法 | |
| JPH11317350A (ja) | ステージ装置、露光装置およびデバイス製造方法 | |
| JP2001345256A (ja) | ステージ装置および露光装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040413 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20051026 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20051108 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060106 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060620 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060703 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090707 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100707 Year of fee payment: 4 |