KR200183549Y1 - 반도체 트랙장비의 에지노광 모듈 - Google Patents

Abstract

본 고안은 반도체 트랙장비의 에지노광 모듈에 관한 것으로, 종래에는 통상적인 노광 이후에 피이비까지의 지연시간이 길어짐에 따라 전체 노광공정에 소요되는 시간도 길어지게 되는 것은 물론, 하나의 자외선용 광섬유 및 감광센서로만 웨이퍼의 정렬상태를 감지하게되어 불필요한 자외선광의 소모 및 에지노광의 소요시간이 증가를 야기시켜 결국 웨이퍼의 생산성이 저하되는 문제점이 있었던 바, 본 고안에서는 노광원으로부터 분리되어 웨이퍼 스테이지에 얹힌 웨이퍼의 가장자리부로 노광원을 유도하여 에지노광을 실시하기 위한 다수개의 광섬유와, 그 각 광섬유의 단부에 대향되도록 웨이퍼 스테이지의 상면에 부착되어 웨이퍼의 정열정도를 감지하기 위한 다수개의 감광센서를 포함하여 구성함으로써, 불필요한 자외선광의 소모를 최소화하여 자외선광의 사용효율을 극대화하는 것은 물론, 에지노광의 소요시간을 최소화하여 생산성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.

Description

반도체 트랙장비의 에지노광 모듈

본 고안은 반도체 제조장비중 트랙장비의 모듈에 관한 것으로, 특히 생산성 향상에 적합한 반도체 트랙장비의 에지노광 모듈에 관한 것이다.

일반적으로 원자외선(DUV)을 이용한 패터닝공정은 노광후 감광막의 화학적 변성을 막기 위해 화학적 분위기가 제어되는 인라인 시스템(in-line system)안에서 진행하게 되는데, 이러한 연속공정은 여러 가지 독립 모듈간의 유기적인 결합에 의하여 진행되는데, 각 모듈간의 공정시간 차이로 인해 특정 모듈에서 병목현상(bottle-neck)이 발생하게 된다.

특히, 트랙장비의 에지(Edge)노광 모듈은 피이비(Post Exposure Bake)에 앞서 진행되므로 노광후의 지연시간과 밀접하게 관련되고 이것은 패턴상태에 직접적인 영향을 준다.

제1도는 종래의 에지노광 모듈을 개략적으로 보인 것으로 이에 도시된 바와 같이, 종래의 에지노광 모듈은 노광될 웨이퍼(W)가 얹혀지는 웨이퍼 스테이지(1)와, 그 웨이퍼 스테이지(1)에 얹힌 웨이퍼(W)를 노광시키기 위한 노광원인 수은등(2)과 그 수은등(2)으로부터 분리되어 자외선광을 웨이퍼(W)의가장자리로 유도하기 위한 하나의 광섬유(Optical fiber)(3)와, 상기 웨이퍼(W)의 정렬상태를 인식하기 위하여 웨이퍼 스테이지(1)의 상면, 즉 웨이퍼(W)의 하측에 부착되는 하나의 자외선 감광센서(4)로 구성되어 있다.

상기와 같은 종래의 에지노광 모듈을 이용하여 웨이퍼의 에지부위를 노광하는 과정은 다음과 같다.

즉, 상기 웨이퍼 스테이지(1)에 웨이퍼(W)를 정렬시킨 후에, 그 웨이퍼(W)를 흡착하고 있는 웨이퍼 척(미부호)을 일정속도로 회전시키면서 수은등(2)에서 발생한 자외선광을 광섬유(3)를 이용하여 웨이퍼(W)의 가장자리에 대한 에지노광이 수행하는 것으로, 이때 상기 광섬유(3)로 유도된 노광원이 웨이퍼(W)의 가장자리에 정확히 맺히는지는 자외선 감광센서(4)를 이용하여 감지하게 되는 것이었다.

이렇게, 웨이퍼(W)의 가장자리 노광에 의해 패터닝이 완결되면, 통상적인 웨이퍼 핸드링(Handling)을 위한 척(미부호)의 사용위치, 특히 이온주입 및 전도성 박막 또는 절연막 증착공정을 형성해 주는 역할을 하게 되는 것이었다.

그러나, 상기와 같은 종래의 에지노광 모듈에 있어서는, 통상적인 노광 이후에 피이비까지의 지연시간이 길어짐에 따라 전체 노광공정에 소요되는 시간도 길어지게 되는 것은 물론, 하나의 자외선용 광섬유(3) 및 감광센서(4)로만 웨이퍼(W)의 정렬상태를 감지하게되어 불필요한 자외선광의 소모 및 에지노광의 소요시간이 증가를 야기시켜 결국 웨이퍼의 생산성이 저하되는 문제점이 있었다.

따라서, 본 고안은 상기와 같은 종래의 에지노광 모듈이 가지는 문제점을 감안하여 안출한 것으로, 불필요한 자외선광의 소모를 최소화하여 자외선광의 사용효율을 극대화하는 것은 물론, 에지노광의 소요시간을 최소화하여 생산성을 향상시킬 수 있는 반도체트랙장비의 에지노광 모듈을 제공하려는데 그 목적이 있다.

제1(a)도는 종래 반도체 트랙장비의 에지노광 모듈을 보인 개략도.

제1(b)도는 종래 에지노광 모듈의 감광센서 위치를 보인 평면도.

제2(a)도는 본 고안에 의한 반도체 트랙장비의 에지노광 모듈을 보인 개략도.

제2(b)도는 본 고안에 의한 에지노광 모듈의 감광센서 위치를 보인 평면도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

1 : 웨이퍼 스테이지 2 : 수은등

11 : 광섬유 12 : 감광센서

13 : 빔 스플리터 W : 웨이퍼

이와 같은 본 고안의 목적을 달성하기 위하여, 노광원으로부터 분리되어 웨이퍼 스테이지에 얹힌 웨이퍼의 가장자리부로 노광원을 유도하여 에지노광을 실시하기 위한 다수개의 광섬유와, 그 각 광섬유의 단부에 대향되도록 웨이퍼 스테이지의 상면에 부착되어 웨이퍼의 정열정도를 감지하기 위한 다수개의 감광센서를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 트랙장비의 에지노광 모듈이 제공된다.

이하, 본 고안에 의한 반도체 트랙장비의 에지노광 모듈을 첨부도면에 도시된 일실시예에 의거하여 상세하게 설명한다.

제2(a)도는 본 고안에 반도체 트랙장비의 에지노광 모듈을 보인 개략도이고, 제2(b)도는 본 고안에 의한 에지노광 모듈의 감광센서 위치를 보인 평면도이다.

이에 도시된 바와 같이 본 고안에 의한 에지노광 모듈은, 노광원인 수은등(2)으로부터 자외선광을 전달하기 위한 다수개의 자외선용 광섬유(11)가 상기 수은등으로부터 분리되어 웨이퍼(W)의 가장자리부 상측에 배치되도록 설치되고, 그 각 광섬유(11)로부터의 자외선광을 수광하여 웨이퍼(W)의 정렬상태를 감지하기 위한 다수개의 자외선 감광센서(12)가 상기 각 광섬유(11)의 단부와 대칭되도록 웨이퍼 스테이지(1)의 상면에 부착 설치된다.

상기 광섬유(11) 및 감광센서(12)는 웨이퍼(W)의 중심을 기준으로 동일간격을 두고 방사상 배치되는 것이 바람직하다.

도면중 종래와 동일한 부분에 대하여는 동일한 부호를 부여하였다.

도면중 미설명 부호인 13은 빔 스플리터이다.

상기와 같은 본 고안에 의한 에지노광 모듈의 기본적인 동작은 종래와 동일하다.

즉, 상기 웨이퍼 스테이지(1)에 웨이퍼(W)를 정렬시킨 후에, 수은등(2)에서 발생한 자외선을 수개의 광섬유(11)를 이용하여 웨이퍼(W)의 가장자리로 유도하여 웨이퍼(W)에 대한 에지노광을 수행하면서 상기 웨이퍼 스테이지(1) 상면의 자외선 감광센서(12)로 웨이퍼(W)의 정렬상태를 감지하게 된다.

이때, 상기 광섬유(11)는 수은등(2)으로부터 수개가 분리되어 웨이퍼(W)의 중심을 기준으로하여 방사상으로 일정간격을 두고 설치되고, 그 각 광섬유(11)의 단부에는 웨이퍼(W)를 사이에 두고 자외선 감광센서(12)가 대칭되게 설치되어 있으므로, 웨이퍼(W)를 에지노광시키기 위하여 그 웨이퍼(W)를 흡착하고 있는 웨이퍼 척(미부호)을 일정속도로 회전시킬 필요가 없게 되는 것이다.

한편, 기존에는 노광후에 웨이퍼의 에지노광을 실시하였으나, 본 고안에서는 노광전에 먼저 에지노광을 실시하게 되어 노광후부터 피이비사이의 지연시간을 제거하게 되어 공정이 현저하게 수월하게 된다.

이상에서 설명한 바와 같이 본 고안에 의한 반도체 트랙장비의 에지노광 모듈은, 노광원으로부터 분리되어 웨이퍼 스테이지에 얹힌 웨이퍼의 가장자리부로 노광원을 유도하여 에지노광을 실시하기 위한 다수개의 광섬유와, 그 각 광섬유의 단부에 대향되도록 웨이퍼 스테이지의 상면에 부착되어 웨이퍼의 정열정도를 감지하기 위한 다수개의 감광센서를 포함하여 구성함으로써, 불필요한 자외선광의 소모를 최소화하여 자외선광의 사용효율을 극대화하는 것은 물론, 에지노광의 소요시간을 최소화하여 생산성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.

Claims (1)

1. 노광원으로부터 분리되어 웨이퍼 스테이지에 얹힌 웨이퍼의 가장자리부로 노광원을 유도하여 에지노광을 실시하기 위한 다수개의 광섬유와, 그 각 광섬유의 단부에 대향되도록 웨이퍼 스테이지의 상면에 부착되어 웨이퍼의 정열정도를 감지하기 위한 다수개의 감광센서를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 트랙장비의 에지노광 모듈.