JP2000039714A - 感光性耐熱性樹脂前駆体組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】アルカリ現像可能な感光性耐熱性樹脂前駆体組
成物を提供する。 【解決手段】（ａ）一般式（１）で表される構造単位を
主成分とするポリマーと、（ｂ）キノンジアジド化合
物、（ｃ）硬化剤を含有することを特徴とする感光性耐
熱性樹脂前駆体組成物。 【化１】 （Ｒ１は少なくとも２個以上の炭素原子を有する４価か
ら８価の有機基、Ｒ２は、少なくとも２個以上の炭素原
子を有する２価から６価の有機基、Ｒ３は水素、または
炭素数１から２０までの有機基である。ｎは１０から１
０００００までの整数、ｍは０から２までの整数、ｐ、
ｑは０から４までの整数を示す。ｍ＋ｐ＋ｑは１以上の
整数を示す。）

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体素子の表
面保護膜、層間絶縁膜などに適した紫外線で露光した部
分がアルカリ水溶液に溶解するポジ型の感光性耐熱性ポ
リイミド樹脂組成物に関する。

【０００２】

【従来の技術】露光した部分が現像により溶解するポジ
型の耐熱性樹脂前駆体組成物としては、ポリアミド酸に
ナフトキノンジアジドを添加したもの（特開昭５２−１
３３１５号公報）、水酸基を有した可溶性ポリイミドに
ナフトキノンジアジドを添加したもの（特開昭６４−６
０６３０号公報）、水酸基を有したポリアミドにナフト
キノンジアジドを添加したもの（特開昭５６−２７１４
０号公報）などが知られていた。

【０００３】しかしながら、通常のポリアミド酸にナフ
トキノンジアジドを添加したものではナフトキノンジア
ジドのアルカリに対する溶解阻害効果よりポリアミド酸
のカルボキシル基の溶解性が高いために、ほとんどの場
合希望するパターンを得ることが出来ないという問題点
があった。また、水酸基を有した可溶性ポリイミド樹脂
を添加したものでは、今述べたような問題点は少なくな
ったものの、可溶性にするために構造が限定されるこ
と、得られるポリイミド樹脂の耐溶剤性が悪い点などが
問題であった。水酸基を有したポリアミド樹脂にナフト
キノンジアジドを添加したものも、溶解性を出すために
構造にある限定はあること、そのために熱処理後に得ら
れる樹脂の耐溶剤性に劣ることなどが問題であった。

【０００４】以上の欠点を考慮し、本発明は水酸基及び
カルボキシル基を有した樹脂前駆体にキノンジアジド化
合物及び硬化剤として作用するエポキシ化合物、アルミ
化合物、チタン化合物、ジルコニウム化合物などの金属
キレート剤を添加することで、現像後の膜減りが小さ
く、かつ熱処理後のパターン形状が良好であることを見
いだし、本発明に至ったものである。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、かかる問題
を解決せしめ、環境に配慮したアルカリ水溶液による短
時間での現像が可能であり、かつ熱処理後のパターン形
状が良好である感光性耐熱性樹脂前駆体組成物を提供す
ることを目的とするものである。

【０００６】

【課題を解決するための手段】（ａ）一般式（１）で表
される構造単位を主成分とするポリマーと、（ｂ）キノ
ンジアジド化合物、（ｃ）硬化剤を含有することを特徴
とする感光性耐熱性樹脂前駆体組成物である。

【０００７】

【化２】

【０００８】（Ｒ１は少なくとも２個以上の炭素原子を
有する２価から８価の有機基、Ｒ２は、少なくとも２個
以上の炭素原子を有する２価から６価の有機基、Ｒ３は
水素、または炭素数１から２０までの有機基である。ｎ
は１０から１０００００までの整数、ｍは０から２まで
の整数、ｐ、ｑは０から４までの整数。ｍ＋ｐ＋ｑは１
以上の整数を示す。）

【０００９】

【発明の実施の形態】本発明における一般式（１）で表
される構造単位を主成分とするポリマーとは、加熱ある
いは適当な触媒により、イミド環、オキサゾール環、そ
の他の環状構造を有するポリマーとなり得るものであ
る。環構造となることで、耐熱性、耐溶剤性が飛躍的に
向上する。

【００１０】上記一般式（１）で表される構造単位を主
成分とするポリマーは、水酸基を有することが好まし
い。この場合、この水酸基の存在のために、アルカリ水溶
液に対する溶解性が水酸基を有さないポリアミド酸より
も良好になる。特に、水酸基の中でもフェノール性の水
酸基がアルカリ水溶液に対する溶解性の観点より好まし
い。

【００１１】上記一般式（１）中、Ｒ１を含む残基は酸
の構造成分を表しており、この酸成分は芳香族環を含有
し、かつ、水酸基を０個から４個有した、炭素数６〜３
０の２価から８価の基が好ましい。このようなものとし
ては、２価の酸であるフタール酸、ジフェニルエーテル
ジカルボン酸、ジフェニルスルホンジカルボン酸、ジフ
ェニルジカルボン酸、ビス（カルボキシフェニル）ヘキ
サフルオロプロパン、ヒドロキシフタール酸、ヒドロキ
シジアミノジフェニルエーテルジカルボン酸、ビス（カ
ルボキシ−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパ
ン、ジヒドロキシジフェニルスルホンジカルボン酸、ジ
ヒドロキシジフェニルジカルボン酸など、３価の酸であ
るトリメリット酸、トリメシン酸、ナフタレントリカル
ボン酸、ビフェニルトリカルボン酸、ヒドロキシトリメ
リット酸、ジヒドロキシビフェニルトリカルボン酸な
ど、４価の酸であるブタンテトラカルボン酸、シクロペ
ンタンテトラカルボン酸、シクロヘキサンテトラカルボ
ン酸、ピロメリット酸、ベンゾフェノンテトラカルボン
酸、ビフェニルテトラカルボン酸、ジフェニルエーテル
テトラカルボン酸、ヒドロキシピロメリット酸、ジヒド
ロキシベンゾフェノンテトラカルボン酸、トリヒドロキ
シベンゾフェノンテトラカルボン酸、テトラヒドロキシ
ベンゾフェノンテトラカルボン酸などのものを挙げるこ
とができる。

【００１２】具体的には、下記の一般式（２）に示され
るような構造のものが好ましく、この場合、Ｒ４、Ｒ６
は得られるポリマーの耐熱性より芳香族環を含んだもの
が好ましく、その中でも特に好ましい構造としてトリメ
リット酸、トリメシン酸、ナフタレントリカルボン酸残
基のようなものを挙げることができる。またＲ５は水酸
基を有した炭素数３から２０の３価から６価の有機基が
好ましい。さらに、水酸基はアミド結合と隣り合った位
置にあることが好ましい。このような例として、ビス
（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオ
ロプロパン、ビス（３−ヒドロキシ−４−アミノフェニ
ル）ヘキサフルオロプロパン、ビス（３−アミノ−４−
ヒドロキシフェニル）プロパン、ビス（３−ヒドロキシ
−４−アミノフェニル）プロパン、３，３’−ジアミノ
−４，４’−ジヒドロキシビフェニル、３，３’−ジア
ミノ−４，４’−ジヒドロキシビフェニル、２，４−ジ
アミノ−フェノール、２，５−ジアミノフェノール、
１，４−ジアミノ−２，５−ジヒドロキシベンゼン残基
などを挙げることができる。

【００１３】

【化３】

【００１４】一般式（２）のＲ４、Ｒ６は炭素数２から
２０より選ばれる３価から４価の有機基、Ｒ５は、炭素
数３から２０より選ばれる、水酸基を有した３価から６
価の有機基、Ｒ７、Ｒ８は水素、または炭素数１〜２０
までの有機基、ｕ、ｗは１あるいは２、ｖは１から４ま
での整数を示す。

【００１５】また、Ｒ７、Ｒ８は水素、または炭素数１
から２０の有機基が好ましい。炭素数２０以上になると
アルカリ現像液に対する溶解性が低下する。

【００１６】ｕ、ｗは１または２をあらわしており、ｖ
は１から４までの整数を表している。ｖが５以上になる
と、得られる耐熱性樹脂膜の特性が低下する。

【００１７】一般式（２）の化合物の中で、好ましい化
合物を例示すると下記に示したような構造のものが挙げ
られるが、これらに限定されない。

【００１８】

【化４】

【００１９】上記一般式（１）中、Ｒ２を含む残基はジ
アミンの構造成分を表している。この中で、Ｒ２の好ま
しい例としては、得られるポリマーの耐熱性より芳香族
を有し、かつ水酸基を有するものが好ましく、具体的な
例としてはビス（アミノ−ヒドロキシ−フェニル）ヘキ
サフルオロプロパン、ジアミノジヒドロキシピリミジ
ン、ジアミノジヒドロキシピリジン、ヒドロキシ−ジア
ミノ−ピリミジン、ジアミノフェノール、ジヒドロキシ
ベンチジンなどの化合物や一般式（３）、（４）、
（５）に示す構造のものをあげることができる。

【００２０】

【化５】

【００２１】一般式（３）のＲ９、Ｒ１１は炭素数２か
ら２０より選ばれる３価から４価の有機基、Ｒ１０は、
炭素数２から３０から選ばれる２価の有機基、ｘ、ｙは
１あるいは２の整数を示す。

【００２２】

【化６】

【００２３】一般式（４）のＲ１２、Ｒ１４は炭素数２
から２０より選ばれる２価の有機基、Ｒ１３は、炭素数
３から２０より選ばれる３価から６価の有機基、ｚは１
から４までの整数を示す。

【００２４】

【化７】

【００２５】一般式（５）のＲ１５は炭素数２から２０
より選ばれる２価の有機基、Ｒ１６は、炭素数３から２
０より選ばれる３価から６価の有機基、ａは１から４ま
での整数を示す。

【００２６】この中で、一般式（３）のＲ９、Ｒ１１、
一般式（４）のＲ１３、一般式（５）のＲ１６は、得ら
れるポリマーの耐熱性より芳香族環を有した有機基が好
ましい。一般式（３）のＲ１０、一般式（４）のＲ１
２、Ｒ１４、一般式（５）のＲ１５は、得られるポリマ
ーの耐熱性より芳香族環を有した有機基が好ましい。

【００２７】一般式（３）において、Ｒ９、Ｒ１１を含
む残基は水酸基を有した３価から４価の有機基を示して
おり、得られるポリマーの耐熱性より芳香族環を有した
ものが好ましい。具体的にはヒロドキシフェニル基、ジ
ヒドロキシフェニル基、ヒドロキシナフチル基、ジヒド
ロキシナフチル基、ヒドロキシビフェニル基、ジヒドロ
キシビフェニル基、ビス（ヒドロキシフェニル）ヘキサ
フルオロプロパン基、ビス（ヒドロキシフェニル）プロ
パン基、ビス（ヒドロキシフェニル）スルホン基、ヒド
ロキシジフェニルエーテル基、ジヒドロキシジフェニル
エーテル基などを表す。また、ヒドロキシシクロヘキシ
ル基、ジヒドロキシシクロヘキシル基などの脂肪族の基
も使用することができる。

【００２８】一般式（３）のＲ１０は炭素数２から３０
の２価の有機基を表している。得られるポリマーの耐熱
性よりは芳香族を有した２価の基がよく、このような例
としてはフェニル基、ビフェニル基、ジフェニルエーテ
ル基、ジフェニルヘキサフルオロプロパン基、ジフェニ
ルプロパン基、ジフェニルスルホン基などをあげること
ができるが、これ以外にも脂肪族のシクロヘキシル基な
ども使用することができる。

【００２９】一般式（４）において、Ｒ１２、Ｒ１４は
炭素数２から３０の２価の有機基を表している。得られ
るポリマーの耐熱性よりは芳香族を有した２価の基がよ
く、このような例としてはフェニル基、ビフェニル基、
ジフェニルエーテル基、ジフェニルヘキサフルオロプロ
パン基、ジフェニルプロパン基、ジフェニルスルホン基
などをあげることができるが、これ以外にも脂肪族のシ
クロヘキシル基なども使用することができる。

【００３０】一般式（４）のＲ１３を含む残基は、水酸
基を有した３価から４価の有機基を示しており、得られ
るポリマーの耐熱性より芳香族環を有したものが好まし
い。具体的にはヒロドキシフェニル基、ジヒドロキシフ
ェニル基、ヒドロキシナフチル基、ジヒドロキシナフチ
ル基、ヒドロキシビフェニル基、ジヒドロキシビフェニ
ル基、ビス（ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロ
パン基、ビス（ヒドロキシフェニル）プロパン基、ビス
（ヒドロキシフェニル）スルホン基、ヒドロキシジフェ
ニルエーテル基、ジヒドロキシジフェニルエーテル基な
どを表す。また、ヒドロキシシクロヘキシル基、ジヒド
ロキシシクロヘキシル基などの脂肪族の基も使用するこ
とができる。

【００３１】一般式（５）においてＲ１５は炭素数２か
ら３０の２価の有機基を表している。得られるポリマー
の耐熱性より芳香族を有した２価の基がよく、このよう
な例としてはフェニル基、ビフェニル基、ジフェニルエ
ーテル基、ジフェニルヘキサフルオロプロパン基、ジフ
ェニルプロパン基、ジフェニルスルホン基などをあげる
ことができるが、これ以外にも脂肪族のシクロヘキシル
基なども使用することができる。

【００３２】一般式（５）のＲ１６を含む残基は水酸基
を有した３価から４価の有機基を示しており、得られる
ポリマーの耐熱性より芳香族環を有したものが好まし
い。具体的にはヒロドキシフェニル基、ジヒドロキシフ
ェニル基、ヒドロキシナフチル基、ジヒドロキシナフチ
ル基、ヒドロキシビフェニル基、ジヒドロキシビフェニ
ル基、ビス（ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロ
パン基、ビス（ヒドロキシフェニル）プロパン基、ビス
（ヒドロキシフェニル）スルホン基、ヒドロキシジフェ
ニルエーテル基、ジヒドロキシジフェニルエーテル基な
どを表す。また、ヒドロキシシクロヘキシル基、ジヒド
ロキシシクロヘキシル基などの脂肪族の基も使用するこ
とができる。

【００３３】また、一般式（１）のＲ２として水酸基を
含まないジアミンを使用することも出来る。これらの例
としては、フェニレンジアミン、ジアミノジフェニルエ
ーテル、アミノフェノキシベンゼン、ジアミノジフェニ
ルメタン、ジアミノジフェニルスルホン、ビス（トリフ
ルオロメチル）ベンチジン、ビス（アミノフェノキシフ
ェニル）プロパン、ビス（アミノフェノキシフェニル）
スルホンあるいはこれらの芳香族環にアルキル基やハロ
ゲン原子で置換した化合物などを挙げることができる。
このような例として、フェニレンジアミン、ジアミノジ
フェニルエーテル、アミノフェノキシベンゼン、ジアミ
ノジフェニルメタン、ジアミノジフェニルスルホン、ビ
ス（トリフルオロメチル）ベンチジン、ビス（アミノフ
ェノキシフェニル）プロパン、ビス（アミノフェノキシ
フェニル）スルホンあるいはこれらの芳香族環にアルキ
ル基やハロゲン原子で置換した化合物など、脂肪族のシ
クロヘキシルジアミン、メチレンビスシクロヘキシルア
ミンなどが挙げられる。

【００３４】一般式（１）のＲ３は水素、あるいは炭素
数１〜２０の有機基を表している。得られる感光性耐熱
性樹脂前駆体溶液の安定性からは、Ｒ３は有機基が好ま
しいが、アルカリ水溶液の溶解性より見ると水素が好ま
しい。本発明においては、水素原子とアルキル基を混在
させることができる。このＲ３の水素と有機基の量を制
御することで、アルカリ水溶液に対する溶解速度が変化
するので、この調整により適度な溶解速度を有した感光
性耐熱性樹脂前駆体組成物を得ることが出来る。Ｒ３は
全てが水素原子、全て有機基でも良いが、より好ましい
範囲は、Ｒ３の１０％から９０％が水素原子であること
である。Ｒ３の炭素数が２０を越えるとアルカリ水溶液
に溶解しなくなる。

【００３５】さらに、基板との接着性を向上させるため
に、耐熱性を低下させない範囲でＲ１、Ｒ２にシロキサ
ン構造を有する脂肪族の基を共重合してもよい。具体的
には、ジアミン成分として、ビス（３−アミノプロピ
ル）テトラメチルジシロキサン、ビス（ｐ−アミノ−フ
ェニル）オクタメチルペンタシロキサンなどを１〜１０
モル％共重合したものなどがあげられる Ｒ３は、炭素数１から１６までの炭化水素基を少なくと
も１つ以上含有し、その他は水素原子であることが好ま
しい。

【００３６】本発明の感光性耐熱性樹脂前駆体組成は、
一般式（１）で表される構造単位のみからなるものであ
っても良いし、他の構造単位との共重合体あるいはブレ
ンド体であっても良い。その際、一般式（１）で表され
る構造単位を９０モル％以上含有していることが好まし
い。共重合あるいはブレンドに用いられる構造単位の種
類および量は最終加熱処理膜によって得られるポリイミ
ド系ポリマの耐熱性を損なわない範囲で選択することが
好ましい。

【００３７】本発明の耐熱性樹脂前駆体は公知の方法に
より合成される。例えば、低温中でテトラカルボン酸２
無水物とジアミン化合物を反応させる方法（Ｃ．Ｅ．Ｓ
ｒｏｏｇら、Ｊｏｕｒｎａｌ Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｓｃｉ
ｅｎｃｅ誌、ＰａｒｔＡ−３、１３７３（１９６
５））、テトラカルボン酸２無水物とアルコールとによ
りジエステルを得、その後アミンと縮合剤の存在下で反
応させる方法（特開昭６１−７２０２２号公報）、テト
ラカルボン酸２無水物とアルコールとによりジエステル
を得、その後残りのジカルボン酸を酸クロリド化し、ア
ミンと反応させる方法（特開昭５５−３０２０７号公
報）などで合成することができる。

【００３８】本発明に添加されるキノンジアジド化合物
としては、フェノール性の水酸基にナフトキノンジアジ
ドのスルホン酸がエステルで結合した化合物が好まし
い。このようなものとしては、下記に示すものを挙げる
ことができるがこれらに限られるわけではない。

【００３９】

【化８】

【００４０】また、ナフトキノンジアジド化合物の分子
量が１０００以上になると、その後の熱処理においてナ
フトキノンジアジド化合物が十分に熱分解しないため
に、得られる膜の耐熱性機械特性、接着性の低下などの
問題が生じる可能性がある。このような観点より見る
と、好ましいナフトキノンジアジド化合物の分子量は３
００から１０００である。さらに好ましくは、３５０か
ら８００である。

【００４１】本発明におけるナフトキノンジアジド化合
物の添加量は、一般式（１）で表されるポリマー１００
重量部に対して、５〜１００重量部、さらに好ましくは
７〜４０重量部である。添加量が５重量部より少ない
と、感光性能が十分でなく、１００重量部より多いと、
熱処理後の膜の機械特性が低下するために好ましくな
い。

【００４２】本発明に添加される硬化剤としては、エポ
キシ化合物、もしくは金属キレート、なかでもチタンキ
レート剤、アルミキレート剤、ジルコニウムキレート
剤、ニッケルキレート剤、クロムキレート剤などを挙げ
ることができる。このような化合物を加えるとポリマー
の水酸基、カルボキシル基と反応し、架橋構造を形成す
るために、現像前の形状を保つことができる。

【００４３】本発明に添加されるエポキシ化合物として
はポリマーとの架橋構造を形成させるために２価以上で
あることが望ましい。しかし、４価より大きくなると、
ポリマーがゲル化しやすくなる。そのため、エポキシ基
は２から４価であることが好ましい。また、これらの基
本構造としては、例えば、水酸基を有する化合物にエピ
クロルヒドリンを反応させたものが挙げられる。水酸基
を有する化合物の種類としては、芳香環を有するものと
してビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ノボラ
ック型、フェノールノボラック型、オルソクレゾールノ
ボラック型、アミノフェノール型、ビフェノール型、ナ
フタレン型、テトラブロムビスフェノール型などの臭素
化型などを挙げることができる。また、芳香環を含まな
いものとしてグリシジルアミン型、グリシジルエーテル
型、グリシジルエステル型、シリコン変性型、脂環型、
アルコールエーテル型、脂肪族アミン型などを挙げるこ
とができるが、これらに限られるわけではない。具体的
なエポキシ化合物としては、１，１，２，２−テトラ
(ｐ−ヒドロキシフェニル)エタン、テトラグリシジルエ
ーテル、グリセロールトリグリシジルエーテル、オルソ
セカンダリーブチルフェニルグリシジルエーテル、１，
６−ビス（２，３−エポキシプロポキシ）ナフタレン、
ジグリセロールポリグリシジルエーテル、ポリエチレン
グリコールジグリシジルエーテルなどが挙げられ、また
下記に示すものを挙げることができるがこれらに限られ
ない。

【００４４】

【化９】

【００４５】

【化１０】

【００４６】本発明において、金属キレートとしてマグ
ネシウムキレート剤、チタンキレート剤、アルミキレー
ト剤、ジルコニウムキレート剤、ニッケルキレート剤、
クロムキレート剤などを使用することもできる。このよ
うな化合物の例としては、アセチルアセトンアルミ（II
I）塩、アセチルアセトンチタン（IV）塩、アセチルア
セトンクロム（III）塩、アセチルアセトンマグネシウ
ム（II）塩、アセチルアセトンニッケル（II）塩、トリ
フルオロアセチルアセトンアルミ（III）塩、トリフル
オロアセチルアセトンチタン（IV）塩、トリフルオロア
セチルアセトンクロム（III）塩、トリフルオロアセチ
ルアセトンマグネシウム（II）塩、トリフルオロアセチ
ルアセトンニッケル（II）塩、などがある。また、これ
らの金属キレート剤に２つ以上のアルコキシル基が含ま
れていると、添加時にこれらのアルコキシル基が、ポリ
マーのカルボキシル基、水酸基と反応してゲル化するた
めに好ましくない。

【００４７】また、本発明では硬化剤の添加量が０．１
重量部より少ないと、効果が現れず、３０重量部を越え
ると、現像後の膜が劣化したり、耐熱性の低下などの問
題を生じる可能性がある。このような観点からみると、
硬化剤の添加量は０．１から３０重量部であることが好
ましい。さらに好ましくは、１から２０重量部である。

【００４８】また、必要に応じて上記、感光性耐熱性前
駆体組成物と基板との塗布性を向上させる目的で界面活
性剤、乳酸エチルやプロピレングリコールモノメチルエ
ーテルアセテートなどのエステル類、エタノールなどの
アルコール類、シクロヘキサノン、メチルイソブチルケ
トンなどのケトン類、テトラヒドロフラン、ジオキサン
などのエーテル類を混合しても良い。また、２酸化ケイ
素、２酸化チタンなどの無機粒子、あるいはポリイミド
の粉末などを添加することもできる。

【００４９】さらにシリコンウエハーなどの下地基板と
の接着性を高めるために、シランカップリング剤、チタ
ンキレート剤などを感光性耐熱性樹脂前駆体組成物のワ
ニスに０．５から１０重量部添加したり、下地基板をこ
のような薬液で前処理したりすることもできる。

【００５０】ワニスに添加する場合、メチルメタクリロ
キシジメトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキ
シシランなどのシランカップリング剤、チタンキレート
剤、アルミキレート剤をワニス中のポリマーに対して
０．５から１０重量部添加する。

【００５１】基板を処理する場合、上記で述べたカップ
リング剤をイソプロパノール、エタノール、メタノー
ル、水、テトラヒドロフラン、プロピレングリコールモ
ノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモ
ノメチルエーテル、乳酸エチル、アジピン酸ジエチルな
どの溶媒に０．５から２０重量部溶解させた溶液をスピ
ンコート、浸漬、スプレー塗布、蒸気処理などで表面処
理をする。場合によっては、その後５０℃から３００℃
までの温度をかけることで、基板と上記カップリング剤
との反応を進行させる。

【００５２】次に、本発明の感光性耐熱性前駆体組成物
を用いて耐熱性樹脂パターンを形成する方法について説
明する。

【００５３】感光性耐熱性前駆体組成物を基板上に塗布
する。基板としてはシリコンウエハー、セラミックス
類、ガリウムヒ素などが用いられるが、これらに限定さ
れない。塗布方法としてはスピンナを用いた回転塗布、
スプレー塗布、ロールコーティングなどの方法がある。
また、塗布膜厚は、塗布手法、組成物の固形分濃度、粘
度などによって異なるが通常、乾燥後の膜厚が、０．１
から１５０μｍになるように塗布される。

【００５４】次に感光性耐熱性前駆体組成物を塗布した
基板を乾燥して、感光性耐熱性前駆体組成物皮膜を得
る。乾燥はオーブン、ホットプレート、赤外線などを使
用し、５０℃から１５０℃の範囲で１分から数時間行う
のが好ましい。

【００５５】次に、この感光性耐熱性前駆体組成物皮膜
上に所望のパターンを有するマスクを通して化学線を照
射し、露光する。露光に用いられる化学線としては紫外
線、可視光線、電子線、Ｘ線などがあるが、本発明では
水銀灯のｉ線（３６５ｎｍ）、ｈ線（４０５ｎｍ）、ｇ
線（４３６ｎｍ）を用いるのが好ましい。

【００５６】耐熱性樹脂のパターンを形成するには、露
光後、現像液を用いて露光部を除去することによって達
成される。現像液としては、テトラメチルアンモニウム
の水溶液、ジエタノールアミン、ジエチルアミノエタノ
ール、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリ
ウム、炭酸カリウム、トリエチルアミン、ジエチルアミ
ン、メチルアミン、ジメチルアミン、酢酸ジメチルアミ
ノエチル、ジメチルアミノエタノール、ジメチルアミノ
エチルメタクリレート、シクロヘキシルアミン、エチレ
ンジアミン、ヘキサメチレンジアミンなどのアルカリ性
を示す化合物の水溶液が好ましい。また場合によって
は、これらのアルカリ水溶液にＮ−メチル−２−ピロリ
ドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、γ−ブチロラ
クロン、ジメチルアクリルアミドなどの極性溶媒、メタ
ノール、エタノール、イソプロパノールなどのアルコー
ル類、乳酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエ
ーテルアセテートなどのエステル類、シクロペンタノ
ン、シクロヘキサノン、イソブチルケトン、メチルイソ
ブチルケトンなどのケトン類などを単独あるいは数種を
組み合わせたものを添加してもよい。現像後は水にてリ
ンス処理をする。ここでもエタノール、イソプロピルア
ルコールなどのアルコール類、乳酸エチル、プロピレン
グリコールモノメチルエーテルアセテートなどのエステ
ル類などを水に加えてリンス処理をしても良い。

【００５７】現像後、２００度から５００度の温度を加
えて耐熱性樹脂皮膜に変換する。この加熱処理は温度を
選び、段階的に昇温するか、ある温度範囲を選び連続的
に昇温しながら５分から５時間実施する。一例として
は、１３０度、２００度、３５０度で各３０分づつ熱処
理する。あるいは室温より４００度まで２時間かけて直
線的に昇温するなどの方法が挙げられる。

【００５８】本発明による感光性耐熱性前駆体組成物に
より形成した耐熱性樹脂皮膜は、半導体のパッシベーシ
ョン膜、半導体素子の保護膜、高密度実装用多層配線の
層間絶縁膜などの用途に用いられる。

【００５９】

【実施例】以下発明をより詳細に説明するために、実施
例で説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されな
い。 特性の測定方法 膜厚の測定 大日本スクリーン製造社製ラムダエースＳＴＭ−６０２
を使用し、屈折率１．６４で測定を行った。 膜の加熱処理方法 ４インチシリコンウエハーに本実施例中に示すとおりに
感光性耐熱性樹脂前駆体膜のパターンを形成した。つい
で、光洋リンドバーグ社製のイナートオーブンＣＬＨ−
２１ＣＤを用いて１４０℃で３０分、次いで３５０℃ま
で１時間かけて昇温して３５０℃で１時間、酸素濃度２
０ｐｐｍ以下にて熱処理を行い、硬化膜を得た。

【００６０】合成例１ ヒドロキシル基含有酸無水物
（１）の合成 乾燥窒素気流下、２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒド
ロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン（ＢＡＨＦ）
１８．３ｇ（０．０５モル）とアリルグリシジルエーテ
ル３４．２ｇ（０．３モル）をガンマブチロラクトン
（ＧＢＬ）１００ｇに溶解させ、−１５℃に冷却した。
ここにＧＢＬ５０ｇに溶解させた無水トリメリット酸ク
ロリド２２．１ｇ（０．１１モル）を反応液の温度が０
℃を越えないように滴下した。滴下終了後、０℃で４時
間反応させた。この溶液をロータリーエバポレーターで
濃縮して、トルエン１ｌに投入して酸無水物（１）を得
た。これを下記に示す。得られた物質は３５０℃までに
明確な融点が見られなかった。

【００６１】

【化１１】

【００６２】合成例２ ヒドロキシル基含有酸無水物
（２）の合成 乾燥窒素気流下、３−ヒドロキシ−４−アミノビフェニ
ル（ＨＡＢ）１０．８ｇ（０．０５モル）とグリシジル
メチルエーテル３０ｇ（０．３４モル）をＧＢＬ３００
ｇに溶解させ、−１５℃に冷却した。ここにＧＢＬ５０
ｇに溶解させた無水トリメリット酸クロリド２２．１ｇ
（０．１１モル）を反応液の温度が０℃を越えないよう
に滴下した。滴下終了後、０℃で４時間反応させた。こ
の溶液をアセトン５ｌに投入して酸無水物（２）を得
た。これを下記に示す。得られた物質は３５０℃までに
明確な融点が見られなかった。

【００６３】

【化１２】

【００６４】合成例３ ヒドロキシル基含有ジアミン化
合物（１）の合成 ＢＡＨＦ１８．３ｇ（０．０５モル）をアセトン１００
ｍｌ、プロピレンオキシド１７．４ｇ（０．３モル）に
溶解させ、−１５℃に冷却した。ここに４−ニトロベン
ゾイルクロリド２０．４ｇ（０．１１モル）をアセトン
１００ｍｌに溶解させた溶液を滴下した。滴下終了後、
−１５℃で４時間反応させ、その後室温に戻した。溶液
をロータリーエバポレーターで濃縮し、得られた固体を
テトラヒドロフランとエタノールの溶液で再結晶した。

【００６５】再結晶して集めた固体をエタノール１００
ｍｌとテトラヒドロフラン３００ｍｌに溶解させて、５
％パラジウム−炭素を２ｇ加えて、激しく攪拌させた。
ここに水素を風船で導入して、還元反応を室温で行っ
た。約２時間後、風船がこれ以上しぼまないことを確認
して反応を終了させた。反応終了後、ろ過して触媒であ
るパラジウム化合物を除き、ロータリーエバポレーター
で濃縮し、ジアミン化合物（１）を得た。これを下記に
示す。得られた固体をそのまま反応に使用した。

【００６６】

【化１３】

【００６７】合成例４ ヒドロキシル基含有ジアミン化
合物（２）の合成 ２−アミノ−４−ニトロフェノール１５．４ｇ（０．１
モル）をアセトン５０ｍｌ、プロピレンオキシド３０ｇ
（０．３４モル）に溶解させ、−１５℃に冷却した。こ
こに３−ニトロ安息香酸クロリド２０．４ｇ（０．１１
モル）をアセトン６０ｍｌに溶解させた溶液を滴下し
た。滴下終了後、−１５℃で４時間反応させ、その後室
温に戻し、生成した沈殿を濾過により集めた。

【００６８】この沈殿をメチルセロソルブ２００ｍｌに
分散させて、５％パラジウム−炭素を３ｇ加えて、激し
く攪拌させた。ここに水素ガスを入れた風船を取り付
け、室温で水素ガスの風船がこれ以上縮まない状態にな
るまで撹拌を続け、さらに２時間水素ガスの風船を取り
付けた状態で撹拌した。反応終了後、ろ過でパラジウム
化合物を除き、炉液をロータリーエバポレーターで半量
になるまで濃縮した。ここにエタノールを加えて洗浄を
行い、ジアミン化合物（２）を得た。これを下記に示
す。

【００６９】

【化１４】

【００７０】実施例１ 乾燥窒素気流下、１ｌの４つ口フラスコに合成例３で合
成したジアミン化合物（１）５７．４ｇ（０．０９５モ
ル）、１、３−ビス（３−アミノプロピル）テトラメチ
ルジシロキサン１．２４ｇ（０．００５モル）をＧＢＬ
３５０ｇに溶解させた。ここに合成例１で合成した酸無
水物（１）７１．４ｇ（０．１モル）をＧＢＬ４０ｇと
ともに加えて、２０℃で１時間反応させ、次いで５０℃
で４時間反応させた。

【００７１】得られた溶液（うちポリマーは１３０ｇ）
に下記に示したキノンジアジド化合物（ａ）１３．０ｇ
およびエポキシ化合物（ｂ）（油化シェルエポキシ
（株）製”エピコート”−８２８）６．５ｇをＧＢＬ１
０ｇと共に加えて感光性耐熱性樹脂前駆体組成物のワニ
スＡを得た。

【００７２】４インチシリコンウエハー上に、感光性耐
熱性樹脂前駆体のワニスＡをプリベ−ク後の膜厚が１０
μｍとなるように塗布し、ついでホットプレ−ト（大日
本スクリ−ン社製ＳＫＷ−６３６）を用いて、１００℃
で３分プリベ−クすることにより、感光性耐熱性樹脂前
駆体膜を得た。ついで、露光機（キャノン社製コンタク
トアライナーＰＬＡ−５０１Ｆ）に、パターンの切られ
たマスクをセットし、露光量３００ｍＪ／ｃｍ²（３６
５ｎｍの強度）で露光を行った。

【００７３】現像は、大日本スクリ−ン製造社製ＳＣＷ
−６３６の現像装置を用い、５０回転で水酸化テトラメ
チルアンモニウムの２．３８％水溶液を１０秒間噴霧し
た。この後、０回転で１００秒間静置し、４００回転で
１０秒間水にてリンス処理、３０００回転で１０秒振り
切り乾燥した。

【００７４】現像後の未露光部の膜厚は９．４μｍであ
り、現像により膜の減少は０．６μｍと少なく良好であ
った。また現像後のパターンを観察した結果、半導体用
バッファーコートとして要求される５μｍのパターンが
解像しており、パターン形状も問題なかった。その後、
所定の方法によって熱処理を行い、硬化膜を得た。この
膜のパターン断面形状をＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）に
より観察したところ、非常にテーパー角が小さく、形状
に問題はなかった。

【００７５】

【化１５】

【００７６】

【化１６】

【００７７】実施例２ 乾燥窒素気流下、１ｌの４つ口フラスコにＢＡＨＦ１
１．０ｇ（０．０３モル）と４，４’−ジアミノジフェ
ニルエーテル４．０ｇ（０．０２モル）をアセトン３０
ｇとプロピレンオキシド５８ｇ（１．０モル）に溶解さ
せ、−１０℃に冷却した。ここに、無水トリメリット酸
クロリド２１．１ｇ（０．１モル）をアセトン４０ｇに
溶解させた溶液を反応溶液の温度が０℃を越えないよう
に徐々に滴下した。滴下終了後、１時間−５℃以下で反
応を行い、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル９．
０ｇ（０．０４５モル）と１、３−ビス（３−アミノプ
ロピル）テトラメチルジシロキサン１．２４ｇ（０．０
０５モル）をＮ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）８０ｇに
溶解させた溶液を加えて、０℃で１時間反応させ、次い
で３０℃で４時間反応させた。

【００７８】反応終了後、溶液を水１０ｌに投入してポ
リヒドロキシアミド酸の沈殿を生成させた。この沈殿を
ろ過で集めて、水で洗浄して５０℃の真空乾燥機で２０
時間乾燥させた。ここでポリマー１０ｇと実施例１のキ
ノンジアジド化合物（ａ）を２．５ｇおよびエポキシ化
合物（ｂ）１ｇを混合し、ＧＢＬ４０ｇに溶解させ、感
光性耐熱性樹脂前駆体組成物のワニスＢを得た。

【００７９】ウエハー上へのワニスＢの塗布、およびプ
リベークは実施例１と同様に、露光は露光量５００ｍＪ
／ｃｍ²（４０５ｎｍの強度）にした他は実施例１と同
様に行った。

【００８０】現像は、リンス処理前に静置時間を５０秒
間とした他は実施例１と同様に行った。現像後の未露光
部の膜厚は９．０μｍであり、現像による膜の減少は
１．０μｍと少なく良好であった。また現像後のパター
ンを観察した結果、半導体用バッファーコートとして要
求される５μｍのパターンが解像しており、パターン形
状も問題なかった。その後、所定の方法によって熱処理
を行い、硬化膜を得た。この膜のパターン断面形状をＳ
ＥＭにより観察したところ、実施例１と同様に非常にテ
ーパー角が小さく、形状に問題はなかった。

【００８１】実施例３ 乾燥窒素気流下、１ｌの４つ口フラスコに合成例４で合
成したジアミン化合物（２）６．１ｇ（０．０２５モ
ル）と４，４’−ジアミノジフェニルエーテル４．５ｇ
（０．０２２５モル）と１，３−ビス（３−アミノプロ
ピル）テトラメチルジシロキサン０．６２ｇ（０．００
２５モル）をＮＭＰ１００ｇに溶解させた。ここに３，
３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸２無水物
１４．７ｇ（０．０５モル）を室温でＮＭＰ３３ｇとと
もに加え、そのまま室温で１時間、その後５０℃で４時
間反応させた。このポリマー３０ｇを含む溶液に実施例
１のキノンジアジド化合物（ａ）３ｇおよびエポキシ化
合物（ｂ）１ｇを溶解させて感光性耐熱性樹脂前駆体組
成物のワニスＣを得た。

【００８２】ウエハー上へのワニスＣの塗布およびプリ
ベーク、ならびに露光は実施例１と同様に行った。

【００８３】現像は、リンス処理前に静置時間を８０秒
間とした他は、実施例１と同様に行った。現像後の未露
光部の膜厚は９．２μｍであり、現像による膜の減少は
０．８μｍと少なく良好であった。また現像後のパター
ンを光学顕微鏡で観察した結果、１０μｍのラインが解
像しており、パターン形状も問題なかった。その後、所
定の方法によって熱処理を行い、硬化膜を得た。この膜
のパターン断面形状をＳＥＭにより観察したところ、実
施例１と同様に非常にシャープな形状であり問題はなか
った。

【００８４】実施例４ 乾燥窒素気流下、１ｌの４つ口フラスコに４，４’−ジ
アミノジフェニルエーテル２０．０ｇ（０．１モル）を
ＮＭＰ２００ｇに溶解させ、ここに、ＢＴＤＡ１６．１
ｇ（０．０５モル）、ＰＭＤＡ１０．５ｇ（０．０４８
モル）を加えて、室温で１時間、その後、５０℃で３時
間反応させてポリアミド酸を得た。このポリアミド酸の
溶液（うちポリマーは４６．６ｇ）に実施例１のキノン
ジアジド化合物（ａ）を１１．７ｇおよびエポキシ化合
物（ｂ）１１．７ｇを加え、感光性耐熱性樹脂前駆体組
成物のワニスＤを得た。

【００８５】ウエハー上へのワニスＤの塗布およびプリ
ベークは実施例１と同様に行った。ついで、露光機（ニ
コン社製ｇ線ステッパー−ＮＳＲ−１５０５−ｇ６Ｅ）
に、パターンの切られたレチクルをセットし、露光量５
００ｍＪ／ｃｍ²（４３６ｎｍの強度）で露光を行っ
た。

【００８６】現像は、実施例１と同様の装置を用い、現
像液として０．５％テトラメチルアンモニウム水溶液を
用い、リンス処理前に静置時間を６０秒間とした他は、
実施例１と同様に行った。現像後の未露光部の膜厚は
８．８μｍであり、現像による膜の減少は１．２μｍと
少なく良好であった。現像後のパターンを観察した結
果、１０μｍのパターンが解像しており、パターン形状
も問題なかった。その後、所定の方法によって熱処理を
行い、硬化膜を得た。この膜のパターン断面形状をＳＥ
Ｍにより観察したところ、実施例１と同様に非常にシャ
ープな形状であり問題なかった。

【００８７】比較例１ エポキシ化合物を添加しないこと以外は実施例１と同様
にして感光性耐熱性樹脂前駆体組成物のワニスＥを得
た。

【００８８】ウエハー上へのワニスＥの塗布およびプリ
ベーク、ならびに露光は実施例１と同様に行った。現像
は、リンス処理前に静置時間を５０秒間とした他は実施
例１と同様に行った。現像後の未露光部の膜厚は８．１
μｍであり、現像による膜の減少が実施例１よりも大き
かった。また現像後のパターンを観察した結果、解像度
は１５μｍ程度であった。また、熱処理後のパターン形
状をＳＥＭにより観察したところ、パターンエッジに若
干のテーパーがついていることがわかった。

【００８９】実施例５ 実施例２において、エポキシ化合物の代わりにアセチル
アセトンアルミ（III）塩１ｇを加えた以外は、実施例
２と同様にして感光性耐熱性樹脂前駆体組成物のワニス
Ｆを得た。

【００９０】現像は、リンス処理前に静置時間を９０秒
間とした他は実施例１と同様に行った。現像後の未露光
部の膜厚は９．０μｍであり、現像による膜の減少は
１．０μｍと少なく良好であった。また現像後のパター
ンを観察した結果、半導体用バッファーコートとして要
求される５μｍのパターンが解像しており、パターン形
状も問題なかった。その後、所定の方法によって熱処理
を行い、硬化膜を得た。この膜のパターン断面形状をＳ
ＥＭにより観察したところ、実施例１と同様に非常にテ
ーパー角が小さく、形状に問題はなかった。

【００９１】実施例６ 実施例２において、エポキシ化合物の代わりにトリフル
オロアセチルアセトンクロム（III）塩１ｇを加えた以
外は、実施例２と同様にして感光性耐熱性樹脂前駆体組
成物のワニスＦを得た。

【００９２】現像は、リンス処理前に静置時間を９０秒
間とした他は実施例１と同様に行った。現像後の未露光
部の膜厚は９．０μｍであり、現像による膜の減少は
１．０μｍと少なく良好であった。また現像後のパター
ンを観察した結果、半導体用バッファーコートとして要
求される５μｍのパターンが解像しており、パターン形
状も問題なかった。その後、所定の方法によって熱処理
を行い、硬化膜を得た。この膜のパターン断面形状をＳ
ＥＭにより観察したところ、実施例１と同様に非常にテ
ーパー角が小さく、形状に問題はなかった。

【００９３】実施例７ 実施例２において、エポキシ化合物の代わりにアセチル
アセトンチタン（IV）塩１ｇを加えた以外は、実施例２
と同様にして感光性耐熱性樹脂前駆体組成物のワニスＦ
を得た。

【００９４】現像は、リンス処理前に静置時間を９０秒
間とした他は実施例１と同様に行った。現像後の未露光
部の膜厚は９．０μｍであり、現像による膜の減少は
１．０μｍと少なく良好であった。また現像後のパター
ンを観察した結果、半導体用バッファーコートとして要
求される５μｍのパターンが解像しており、パターン形
状も問題なかった。その後、所定の方法によって熱処理
を行い、硬化膜を得た。この膜のパターン断面形状をＳ
ＥＭにより観察したところ、実施例１と同様に非常にテ
ーパー角が小さく、形状に問題はなかった。

【００９５】実施例８ 実施例２において、エポキシ化合物の代わりにアセチル
アセトンジルコン（IV）塩１ｇを加えた以外は、実施例
２と同様にして感光性耐熱性樹脂前駆体組成物のワニス
Ｆを得た。

【００９６】現像は、リンス処理前に静置時間を９０秒
間とした他は実施例１と同様に行った。現像後の未露光
部の膜厚は９．０μｍであり、現像による膜の減少は
１．０μｍと少なく良好であった。また現像後のパター
ンを観察した結果、半導体用バッファーコートとして要
求される５μｍのパターンが解像しており、パターン形
状も問題なかった。その後、所定の方法によって熱処理
を行い、硬化膜を得た。この膜のパターン断面形状をＳ
ＥＭにより観察したところ、実施例１と同様に非常にテ
ーパー角が小さく、形状に問題はなかった。

【００９７】実施例９ ＢＡＨＦ３６．６ｇ（０．１モル）をＮＭＰ１５０ｇに
溶解させた。この溶液を−１０℃に冷却し、プロピレン
オキシド５８ｇ（１モル）を加えた。４，４’−ジカル
ボキシジフェニルエーテルクロリド１６．４ｇ（０．０
５モル）、イソフタール酸クロリド１０．２ｇ（０．０
５モル）をアセトン１００ｍｌに溶解させた溶液を上記
ＢＡＨＦ溶液に内部の温度が０℃を越えないように滴下
した。

【００９８】滴下終了後、−１０℃で１時間、その後２
時間かけて反応溶液の温度を２０℃にまで上昇させた。
この温度で１時間攪拌を続けた後、溶液を水３ｌに投入
し、ポリマーの沈殿を生成させた。この沈殿をろ過で集
め、水とメタノールで洗浄した。その後、８０℃で２４
時間、真空乾燥させた。

【００９９】乾燥させたポリマー１０ｇを計り取り、こ
こにナフトキノンジアジド化合物っとして、ビスフェノ
ールＡのヒドロキシル基２つに４−ナフトキノンジアジ
ドスルホン酸をエステル結合で導入した化合物１．５
ｇ、トリフルオロアセチルアセトンアルミ（III）塩
０．５ｇを混合し、ＮＭＰ３０ｇに溶解させワニスＧを
得た。

【０１００】ウエハー上へのワニスＦの塗布およびプリ
ベークは実施例１と同様に行った。ついで、露光機（ニ
コン社製ｇ線ステッパーＮＳＲ−１５０５−ｇ６Ｅ）
に、パターンの切られたレチクルをセットし、露光量５
００ｍＪ／ｃｍ²（４３６ｎｍの強度）で露光を行っ
た。

【０１０１】現像は、実施例１と同様の装置を用い、現
像液として２．３８％テトラメチルアンモニウム水溶液
を用い、リンス処理前に静置時間を９０秒間とした他
は、実施例１と同様に行った。現像後の未露光部の膜厚
は９．２μｍであり、現像による膜の減少は０．８μｍ
と少なく良好であった。現像後のパターンを観察した結
果、１０μｍのパターンが解像しており、パターン形状
も問題なかった。その後、所定の方法によって熱処理を
行い、硬化膜を得た。この膜のパターン断面形状をＳＥ
Ｍにより観察したところ、実施例１と同様に非常にシャ
ープな形状であり問題なかった。

【０１０２】

【発明の効果】本発明によって、アルカリ現像処理後の
膜減りが小さく、かつ加熱硬化後のパターン形状が非常
に良好である感光性耐熱性樹脂前駆体組成物を得ること
ができる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/312 Ｃ０８Ｌ 79/08 Ａ 23/29 Ｃ０９Ｄ 179/04 Ｚ 23/31 179/08 Ｚ // Ｃ０８Ｌ 79/08 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５０２Ｒ Ｃ０９Ｄ 179/04 23/30 Ｄ 179/08 (Ｃ０８Ｌ 79/08 63:00）

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】（ａ）一般式（１）で表される構造単位を
   主成分とするポリマーと、（ｂ）キノンジアジド化合
   物、（ｃ）硬化剤を含有することを特徴とする感光性耐
   熱性樹脂前駆体組成物。 【化１】 （Ｒ１は少なくとも２個以上の炭素原子を有する２価か
   ら８価の有機基、Ｒ２は、少なくとも２個以上の炭素原
   子を有する２価から６価の有機基、Ｒ３は水素、または
   炭素数１から２０までの有機基である。ｎは１０から１
   ０００００までの整数、ｍは０から２までの整数、ｐ、
   ｑは０から４までの整数を示す。ｍ＋ｐ＋ｑは１以上の
   整数を示す。）
2. 【請求項２】（ａ）一般式（１）で表される構造単位を
   主成分とするポリマーと、（ｂ）キノンジアジド化合
   物、（ｃ）エポキシ化合物を含有することを特徴とする
   請求項１記載の感光性耐熱性樹脂前駆体組成物。
3. 【請求項３】一般式（１）で表されるポリマー１００重
   量部に対して、キノンジアジド化合物が５〜１００重量
   部、エポキシ化合物が０．１〜３０重量部含まれること
   を特徴とする請求項１記載の感光性耐熱性樹脂前駆体組
   成物。
4. 【請求項４】エポキシ化合物中に含まれるエポキシ基が
   ２以上であることを特徴とする請求項１記載の感光性耐
   熱性樹脂前駆体組成物。
5. 【請求項５】硬化剤が金属キレート剤であることを特徴
   とする請求項１記載の感光性耐熱性樹脂前駆体組成物。
6. 【請求項６】金属キレート剤がチタン化合物、アルミ化
   合物、ジルコニウム化合物から選ばれる少なくとも１つ
   を含有することを特徴とする請求項１記載の感光性耐熱
   性樹脂前駆体組成物。