JPH11106651A - 感光性耐熱性樹脂前駆体組成物 - Google Patents

感光性耐熱性樹脂前駆体組成物

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JPH11106651A
JPH11106651A JP26865597A JP26865597A JPH11106651A JP H11106651 A JPH11106651 A JP H11106651A JP 26865597 A JP26865597 A JP 26865597A JP 26865597 A JP26865597 A JP 26865597A JP H11106651 A JPH11106651 A JP H11106651A
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JP
Japan
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organic group
carbon atoms
general formula
precursor composition
mol
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Application number
JP26865597A
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English (en)
Inventor
Masao Tomikawa
真佐夫 富川
Tomoyuki Yoshida
智之 吉田
Yasuo Miura
康男 三浦
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Toray Industries Inc
Original Assignee
Toray Industries Inc
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】アルカリ現像可能な感光性耐熱性樹脂前駆体組
成物を提供する。 【解決手段】(a)一般式(1)で表される構造単位を
主成分とするポリマーと、(b)キノンジアジド化合物
を含有することを特徴とする感光性耐熱性樹脂前駆体組
成物。 【化1】 (R1は少なくとも2個以上の炭素原子を有する3価ま
たは4価の有機基、R2は、少なくとも2個以上の炭素
原子を有する2価の有機基、R3は水酸基、または炭素
数1から10までのアルキル基、アルコキシル基。nは
5から100000までの整数、mは1または2の整
数、pは1から4までの整数を示す。)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体素子の表
面保護膜、層間絶縁膜などに適した紫外線で露光した部
分がアルカリ水溶液に溶解するポジ型の感光性ポリイミ
ド前駆体樹脂組成物に関する。
【0002】
【従来の技術】露光した部分が現像により溶解するポジ
型の耐熱性樹脂前駆体組成物としては、ポリアミド酸に
ナフトキノンジアジドを添加したもの(例えば特開昭5
2−13315号公報)、水酸基を有した可溶性ポリイ
ミドにナフトキノンジアジドを添加したもの(例えば特
開昭64−60630号公報)、水酸基を有したポリア
ミドにナフトキノンジアジドを添加したもの(例えば特
開昭56−27140号公報)などが知られていた。
【0003】しかしながら、通常のポリアミド酸にナフ
トキノンジアジドを添加したものではナフトキノンジア
ジドのアルカリに対する溶解阻害効果よりポリアミド酸
のカルボキシル基の溶解性が高いために、ほとんどの場
合希望するパターンを得ることが出来ないという問題点
があった。また、水酸基を有した可溶性ポリイミド樹脂
を添加したものでは、今述べたような問題点は少なくな
ったものの、可溶性にするために構造が限定されるこ
と、得られるポリイミド樹脂の耐溶剤性が悪い点などが
問題であった。水酸基を有したポリアミド樹脂にナフト
キノンジアジドを添加したものも、溶解性を出すために
構造にある限定はあること、そのために熱処理後に得ら
れる樹脂の耐溶剤性に劣ることなどが問題であった。
【0004】以上の欠点を考慮し、本発明は新規な水酸
基を有した酸成分とジアミンよりなるポリイミド前駆体
にナフトキノンジアジドを添加することで、得られる樹
脂組成物が露光前はアルカリ現像液にほとんど溶解せ
ず、露光すると容易にアルカリ現像液に溶解することを
見いだし、発明に至ったものである。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、かかる問題
を解決せしめ、環境に優しいアルカリ現像可能であり、
かつ熱処理後の対溶剤性に優れたポリイミド系の感光性
耐熱性樹脂前駆体組成物を提供することを目的とするも
のである。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記目的を解決するため
のこの発明は、次に構成からなる。すなわち、(a)一
般式(1)で表される構造単位を主成分とするポリマー
と、(b)キノンジアジド化合物を含有することを特徴
とする感光性耐熱性樹脂前駆体組成物である。
【0007】
【化8】 またR1は少なくとも2個以上の炭素原子を有する4価
から8価の有機基、R2は、少なくとも2個以上の炭素
原子を有する3価から6価の有機基、R3は水素、また
は炭素数1から10までの有機基。nは10から100
000までの整数、mは1または2の整数、p、qは1
から4までの整数を示す。
【0008】
【発明の実施の形態】本発明における一般式(1)で表
される構造単位を主成分とするポリマーとは、加熱ある
いは適当な触媒により、イミド環、オキサゾール環、そ
の他の環状構造を有するポリマーとなり得るものであ
る。環構造となることで、耐熱性、耐溶剤性が飛躍的に
向上する。
【0009】上記一般式(1)は、水酸基を有したポリ
アミド酸を表しており、この水酸基の存在のために、ア
ルカリ水溶液に対する溶解性が水酸基を有さないポリア
ミド酸よりも良好になる。特に、水酸基の中でもフェノ
ール性の水酸基がアルカリ水溶液に対する溶解性より好
ましい。また、フッ素原子を一般式(1)中に10重量
%以上有することで、アルカリ水溶液で現像する際に、
膜の界面に撥水性が適度に出るために、界面のしみこみ
などが抑えられる。しかしながら、フッ素原子含有量が
20重量%を越えると、アルカリ水溶液に対する溶解性
が低下すること、熱処理により環状構造にしたポリマー
の耐有機溶媒性が低下すること、発煙硝酸に対する溶解
性が低下するために好ましくない。このように、フッ素
原子は10重量%から20重量%含まれることが好まし
い。
【0010】上記一般式(1)中、R1(COOR3
m(OH)pは酸2無水物の構造成分を表しており、こ
の酸2無水物は芳香族環を含有し、かつ、水酸基を1個
から4個有した、炭素数6〜30の4価から8価の基が
好ましい。
【0011】具体的には、一般式(4)に示されるよう
な構造のものが好ましく、この場合、R9、R11は3価
あるいは4価の酸の骨格を表している。得られるポリマ
ーの耐熱性より芳香族環を含んだものが好ましく、その
中でも特に好ましい構造としてトリメリット酸、トリメ
シン酸、ナフタレントリカルボン酸残基のようなものを
挙げることができる。また、脂肪族の3価の酸であるク
エン酸なども使用することが出来る。
【0012】R10は水酸基を有した炭素数3から20の
3価から6価の有機基が好ましい。さらに、水酸基はア
ミド結合と隣り合った位置にあることが好ましい。この
ような例として、フッ素原子を含んだ、ビス(3−アミ
ノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパ
ン、ビス(3−ヒドロキシ−4−アミノフェニル)ヘキ
サフルオロプロパン、フッ素原子を含まない、ビス(3
−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、ビス
(3−ヒドロキシ−4−アミノフェニル)プロパン、
3,3’−ジアミノ−4,4’−ジヒドロキシビフェニ
ル、3,3’−ジアミノ−4,4’−ジヒドロキシビフ
ェニル、2,4−ジアミノ−フェノール、2,5−ジア
ミノフェノール、1,4−ジアミノ−2,5−ジヒドロ
キシベンゼンのアミノ基が結合したものなどを挙げるこ
とができる。
【0013】また、R12、R13は水素、または炭素数1
から20の有機基が良い。炭素数20以上になるとアル
カリ現像液に対する溶解性が低下する。
【0014】t、vは1または2の整数をあらわしてお
り、uは1から4までの整数を表している。uが5以上
の整数になると、得られる感光性耐熱性組成物のアルカ
リ現像液に対する溶解性が高くなりすぎるために、未露
光部と露光部の溶解度差の比が小さくなり、感光性能が
低下する。さらにアミド結合とオルトの位置以外に存在
する水酸基は熱処理で環化することができず、得られる
ポリマーの吸水率が高くなるなどの問題があり好ましく
ない。
【0015】一般式(4)の化合物の中で、好ましい化
合物を例示すると次の式に示したような構造のもの、あ
るいはこれらの位置異性体などが挙げられるが、これら
に限定されない。
【0016】
【化9】 また、アルカリに対する溶解性、感光性能、耐熱性を損
なわない範囲で、水酸基を有していないテトラカルボン
酸、ジカルボン酸で変性することもできる。このような
ものの例としては、ピロメリット酸、ベンゾフェノンテ
トラカルボン酸、ビフェニルテトラカルボン酸、ジフェ
ニルエーテルテトラカルボン酸、ジフェニルスルホンテ
トラカルボン酸などの芳香族テトラカルボン酸やそのカ
ルボキシル基2個をメチル基やエチル基にしたジエステ
ル化合物、ブタンテトラカルボン酸、シクロペンタンテ
トラカルボン酸などの脂肪族のテトラカルボン酸やその
カルボキシル基2個をメチル基やエチル基にしたジエス
テル化合物、テレフタル酸、イソフタル酸、ジフェニル
エーテルジカルボン酸、ナフタレンジカルボン酸などの
芳香族ジカルボン酸、アジピン酸などの脂肪族ジカルボ
ン酸などを挙げることが出来る。これらは、酸成分の5
0モル%以下の変性が好ましいが、さらに好ましくは3
0モル%以下である。50モル%以上の変性を行うと、
アルカリに対する溶解性、感光性が損なわれる恐れがあ
る。
【0017】上記一般式(1)中、R2 はジアミンの構
造成分を表している。この中で、R2の好ましい例とし
ては、得られるポリマーの耐熱性より芳香族を有し、か
つ水酸基を有するものが好ましく、具体的な例としては
フッ素原子を有した、ビス(アミノ−ヒドロキシ−フェ
ニル)ヘキサフルオロプロパン、フッ素原子を有さな
い、ジアミノジヒドロキシピリミジン、ジアミノジヒド
ロキシピリジン、ヒドロキシ−ジアミノ−ピリミジン、
ジアミノフェノール、ジヒドロキシベンチジンなどの化
合物やR2(OH)qとして一般式(5)、(6)、
(7)に示す構造のものをあげることができる。
【0018】また一般式(5)で表されるものの具体
例、一般式(6)で表されるものの具体例、一般式
(7)で表されるものの具体例を下記に示す。
【0019】
【化10】
【化11】
【化12】 一般式(5)において、R14、R16は水酸基を有した3
価から4価の有機基を示しており、得られるポリマーの
耐熱性より芳香族環を有したものが好ましい。具体的に
はヒドロキシフェニル基、ジヒドロキシフェニル基、ヒ
ドロキシナフチル基、ジヒドロキシナフチル基、ヒドロ
キシビフェニル基、ジヒドロキシビフェニル基、ビス
(ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン基、ビ
ス(ヒドロキシフェニル)プロパン基、ビス(ヒドロキ
シフェニル)スルホン基、ヒドロキシジフェニルエーテ
ル基、ジヒドロキシジフェニルエーテル基などを表す。
また、ヒドロキシシクロヘキシル基、ジヒドロキシシク
ロヘキシル基などの脂肪族の基も使用することができ
る。R15は炭素数2から30の2価の有機基を表してい
る。得られるポリマーの耐熱性よりは芳香族を有した2
価の基がよく、このような例としてはフェニル基、ビフ
ェニル基、ジフェニルエーテル基、ジフェニルヘキサフ
ルオロプロパン基、ジフェニルプロパン基、ジフェニル
スルホン基などをあげることができるが、これ以外にも
脂肪族のシクロヘキシル基なども使用することができ
る。
【0020】一般式(6)において、R17、R19は炭素
数2から30の2価の有機基を表している。得られるポ
リマーの耐熱性より芳香族を有した2価の基がよく、こ
のような例としてはフェニル基、ビフェニル基、ジフェ
ニルエーテル基、ジフェニルヘキサフルオロプロパン
基、ジフェニルプロパン基、ジフェニルスルホン基など
をあげることができるが、これ以外にも脂肪族のシクロ
ヘキシル基なども使用することができる。R18は、水酸
基を有した3価から4価の有機基を示しており、得られ
るポリマーの耐熱性より芳香族環を有したものが好まし
い。具体的にはヒドロキシフェニル基、ジヒドロキシフ
ェニル基、ヒドロキシナフチル基、ジヒドロキシナフチ
ル基、ヒドロキシビフェニル基、ジヒドロキシビフェニ
ル基、ビス(ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロ
パン基、ビス(ヒドロキシフェニル)プロパン基、ビス
(ヒドロキシフェニル)スルホン基、ヒドロキシジフェ
ニルエーテル基、ジヒドロキシジフェニルエーテル基な
どを表す。また、ヒドロキシシクロヘキシル基、ジヒド
ロキシシクロヘキシル基などの脂肪族の基も使用するこ
とができる。
【0021】一般式(7)においてR20は炭素数2から
30の2価の有機基を表している。得られるポリマーの
耐熱性より芳香族を有した2価の基がよく、このような
例としてはフェニル基、ビフェニル基、ジフェニルエー
テル基、ジフェニルヘキサフルオロプロパン基、ジフェ
ニルプロパン基、ジフェニルスルホン基などをあげるこ
とができるが、これ以外にも脂肪族のシクロヘキシル基
なども使用することができる。R21は水酸基を有した3
価から4価の有機基を示しており、得られるポリマーの
耐熱性より芳香族環を有したものが好ましい。具体的に
はヒドロキシフェニル基、ジヒドロキシフェニル基、ヒ
ドロキシナフチル基、ジヒドロキシナフチル基、ヒドロ
キシビフェニル基、ジヒドロキシビフェニル基、ビス
(ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン基、ビ
ス(ヒドロキシフェニル)プロパン基、ビス(ヒドロキ
シフェニル)スルホン基、ヒドロキシジフェニルエーテ
ル基、ジヒドロキシジフェニルエーテル基などを表す。
また、ヒドロキシシクロヘキシル基、ジヒドロキシシク
ロヘキシル基などの脂肪族の基も使用することができ
る。
【0022】また、1モル%から40モル%の範囲で他
のジアミン成分を用いて変性することもできる。これら
の例としては、フェニレンジアミン、ジアミノジフェニ
ルエーテル、アミノフェノキシベンゼン、ジアミノジフ
ェニルメタン、ジアミノジフェニルスルホン、ビス(ト
リフルオロメチル)ベンチジン、ビス(アミノフェノキ
シフェニル)プロパン、ビス(アミノフェノキシフェニ
ル)スルホンあるいはこれらの芳香族環にアルキル基や
ハロゲン原子で置換した化合物などを挙げることができ
る。このような例として、フェニレンジアミン、ジアミ
ノジフェニルエーテル、アミノフェノキシベンゼン、ジ
アミノジフェニルメタン、ジアミノジフェニルスルホ
ン、ビス(トリフルオロメチル)ベンチジン、ビス(ア
ミノフェノキシフェニル)プロパン、ビス(アミノフェ
ノキシフェニル)スルホンあるいはこれらの芳香族環に
アルキル基やハロゲン原子で置換した化合物など、脂肪
族のシクロヘキシルジアミン、メチレンビスシクロヘキ
シルアミンなどが挙げられる。このようなジアミン成分
を40モル%以上共重合すると得られるポリマーの耐熱
性が低下する。
【0023】R3は水素、あるいは炭素数1〜20の有
機基を表している。得られる感光性耐熱性樹脂前駆体溶
液の安定性からは、R3は有機基が好ましいが、アルカ
リ水溶液の溶解性より見ると水素が好ましい。本発明に
おいては、水素原子とアルキル基を混在させることがで
きる。このR3の水素と有機基の量を制御することで、
アルカリ水溶液に対する溶解速度が変化するので、この
調整により適度な溶解速度を有した感光性耐熱性樹脂前
駆体組成物を得ることが出来る。R3は全てが水素原
子、全て有機基でも良いが、より好ましい範囲は、R3
の10%から90%が水素原子であることである。R3
の炭素数が20を越えるとアルカリ水溶液に溶解しなく
なる。
【0024】さらに、基板との接着性を向上させるため
に、耐熱性を低下させない範囲でR1、R2にシロキサン
構造を有する脂肪族の基を共重合してもよい。具体的に
は、ジアミン成分として、ビス(3−アミノプロピル)
テトラメチルジシロキサン、ビス(p−アミノ−フェニ
ル)オクタメチルペンタシロキサンなどを1〜10モル
%共重合したものなどがあげられる本発明を構成するポ
リマーは、一般式(1)で表される構造単位のみからな
るものであっても良いし、他の構造単位との共重合体あ
るいはブレンド体であっても良い。その際、一般式
(1)で表される構造単位を90モル%以上含有してい
ることが好ましい。共重合あるいはブレンドに用いられ
る構造単位の種類および量は、最終加熱処理によって得
られるポリイミド系ポリマの耐熱性を損なわない範囲で
選択することが好ましい。
【0025】本発明におけるR4は、ジカルボン酸を表
している。得られるポリマーの耐熱性より、芳香族環を
有するものがよいが、脂肪族のものを使用することもで
きる。このようなものを具体的に挙げると、テレフター
ル酸、イソフタル酸、ジフェニルエーテルジカルボン
酸、ナフタレンジカルボン酸などの芳香族ジカルボン
酸、アジピン酸などの脂肪族ジカルボン酸などを挙げる
ことが出来る。
【0026】本発明におけるR5は水酸基を有したジア
ミン化合物を示している。このような化合物の例として
は、ヒドロキシ−ジアミノ−ピリミジン、ジアミノフェ
ノール、ジアミノジヒドロキシピリミジン、ジアミノジ
ヒドロキシピリジン、ビス(アミノ−ヒドロキシ−フェ
ニル)ヘキサフルオロプロパン、ジヒドロキシベンチジ
ンなどを挙げることができる。
【0027】本発明においてR6は、ピロメリット酸、
ベンゾフェノンテトラカルボン酸、ビフェニルテトラカ
ルボン酸、ジフェニルエーテルテトラカルボン酸、ジフ
ェニルスルホンテトラカルボン酸などの芳香族テトラカ
ルボン酸やそのカルボキシル基2個をメチル基やエチル
基にしたジエステル化合物、ブタンテトラカルボン酸、
シクロペンタンテトラカルボン酸などの脂肪族のテトラ
カルボン酸やそのカルボキシル基2個をメチル基やエチ
ル基にしたジエステル化合物などを挙げることが出来
る。
【0028】本発明におけるR7はジアミン残基を表し
ている。このような化合物としては、ジシクロヘキシル
アミン、エチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミンな
どの脂肪族ジアミン、パラフェニレンジアミン、ジアミ
ノジフェニルエーテル、ジアミノジフェニルメタン、ア
ミノフェノキシベンゼン、ビス(アミノフェノキシフェ
ニル)スルホン、ビス(アミノフェノキシフェニル)ス
ルホンなどの芳香族ジアミンなどを使用することが出来
る。特に得られるポリマーの耐熱性より芳香族を有した
ジアミン化合物が望ましい。さらに、接着性を改良する
ために、ビス(アミノプロピル)テトラメチルジシロキ
サン、ビス(アミノフェニル)テトラメチルジシロキサ
ン、ビス(アミノプロピル)パーメチルポリシロキサン
などの脂肪族ジアミンをジアミン成分の1から40モル
%共重合するこのもできる。
【0029】本発明におけるR8は一般式(1)中のR3
と同一のものを用いることが出来る。
【0030】本発明の耐熱性樹脂前駆体の合成の1例を
下記に示す。例えば、低温中でテトラカルボン酸2無水
物とジアミン化合物を反応させる方法、テトラカルボン
酸2無水物とアルコールとによりジエステルを得、その
後アミンと縮合剤の存在下で反応させる方法、テトラカ
ルボン酸2無水物とアルコールとによりジエステルを
得、その後残りのジカルボン酸を酸クロリド化し、アミ
ンと反応させる方法などで合成することができる。
【0031】本発明に添加されるナフトキノンジアジド
化合物としては、フェノール性の水酸基にナフトキノン
ジアジドのスルホニル酸がエステルで結合した化合物が
好ましい。このようなものとしては、下記の式に示すも
のを挙げることができるがこれらに限られるわけではな
い。
【0032】
【化13】 また、ナフトキノンジアジド化合物の分子量が1200
以上になると、その後の熱処理においてナフトキノンジ
アジド化合物が十分に熱分解しないために、得られる膜
の耐熱性が低下する、機械特性が低下する、接着性が低
下するなどの問題が生じる可能性がある。このような観
点より見ると、好ましいナフトキノンジアジド化合物の
分子量は300から1200である。さらに好ましく
は、350から1000である。
【0033】また、必要に応じて上記、感光性耐熱性前
駆体組成物と基板との塗れ性を向上させる目的で界面活
性剤、乳酸エチルやプロピレングリコ−ルモノメチルエ
−テルアセテ−トなどのエステル類、エタノ−ルなどの
アルコ−ル類、シクロヘキサノン、メチルイソブチルケ
トンなどのケトン類、テトラヒドロフラン、ジオキサン
などのエ−テル類を混合しても良い。また、2酸化ケイ
素、2酸化チタンなどの無機粒子、あるいはポリイミド
の粉末などを添加することもできる。
【0034】さらにシリコンウェハーなどの下地基板と
の接着性を高めるために、シランカップリング剤、チタ
ンキレート剤などを感光性耐熱性樹脂前駆体組成物のワ
ニスに0.5から10重量%添加したり、下地基板をこ
のような薬液で前処理したりすることもできる。
【0035】ワニスに添加する場合、メチルメタクリロ
キシジメトキシシラン、3−アミノプロピルトリメトキ
シシラン、などのシランカップリング剤、チタンキレー
ト剤、アルミキレート剤をワニス中のポリマーに対して
0.5から10重量%添加する。
【0036】基板を処理する場合、上記で述べたカップ
リング剤をイソプロパノール、エタノール、メタノー
ル、水、テトラヒドロフラン、プロピレングリコールモ
ノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモ
ノメチルエーテル、乳酸エチル、アジピン酸ジエチルな
どの溶媒に0.5から20重量%溶解させた溶液をスピ
ンコート、浸漬、スプレー塗布、蒸気処理などで表面処
理をする。場合によっては、その後50℃から300℃
までの温度をかけることで、基板と上記カップリング剤
との反応を進行させる。
【0037】次に、本発明の感光性耐熱性前駆体組成物
を用いて耐熱性樹脂パタ−ンを形成する方法について説
明する。
【0038】感光性耐熱性前駆体組成物を基板上に塗布
する。基板としてはシリコンウエハ−、セラミックス
類、ガリウムヒ素などが用いられるが、これらに限定さ
れない。塗布方法としてはスピンナを用いた回転塗布、
スプレ−塗布、ロ−ルコ−ティングなどの方法がある。
また、塗布膜厚は、塗布手法、組成物の固形分濃度、粘
度などによって異なるが通常、乾燥後の膜厚が、0.1
から150μmになるように塗布される。
【0039】次に感光性耐熱性前駆体組成物を塗布した
基板を乾燥して、感光性耐熱性前駆体組成物皮膜を得
る。乾燥はオ−ブン、ホットプレ−ト、赤外線などを使
用し、50度から150度の範囲で1分から数時間行う
のが好ましい。
【0040】次に、この感光性耐熱性前駆体組成物皮膜
上に所望のパタ−ンを有するマスクを通して化学線を照
射し、露光する。露光に用いられる化学線としては紫外
線、可視光線、電子線、X線などがあるが、本発明では
水銀灯のi線(365nm)、h線(405nm)、g
線(436nm)を用いるのが好ましい。
【0041】耐熱性樹脂のパタ−ンを形成するには、露
光後、現像液を用いて露光部を除去することによって達
成される。現像液としては、テトラメチルアンモニウム
の水溶液、ジエタノールアミン、ジエチルアミノエタノ
ール、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリ
ウム、炭酸カリウム、トリエチルアミン、ジエチルアミ
ン、メチルアミン、ジメチルアミン、酢酸ジメチルアミ
ノエチル、ジメチルアミノエタノール、ジメチルアミノ
エチルメタクリレート、シクロヘキシルアミン、エチレ
ンジアミン、ヘキサメチレンジアミンなどのアルカリ性
を示す化合物の水溶液が好ましい。また場合によって
は、これらのアルカリ水溶液にN−メチル−2−ピロリ
ドン、N、N−ジメチルホルムアミド、N、N−ジメチ
ルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、γ−ブチロラ
クロン、ジメチルアクリルアミドなどの極性溶媒、メタ
ノ−ル、エタノ−ル、イソプロパノ−ルなどのアルコ−
ル類、乳酸エチル、プロピレングリコ−ルモノメチルエ
−テルアセテ−トなどのエステル類、シクロペンタノ
ン、シクロヘキサノン、イソブチルケトン、メチルイソ
ブチルケトンなどのケトン類などを単独あるいは数種を
組み合わせたものを添加してもよい。現像後は水にてリ
ンス処理をする。ここでもエタノ−ル、イソプロピルア
ルコ−ルなどのアルコ−ル類、乳酸エチル、プロピレン
グリコ−ルモノメチルエ−テルアセテ−トなどのエステ
ル類などを水に加えてリンス処理をしても良い。
【0042】現像後、200度から500度の温度を加
えて耐熱性樹脂皮膜に変換する。この加熱処理は温度を
選び、段階的に昇温するか、ある温度範囲を選び連続的
に昇温しながら5分から5時間実施する。一例として
は、130度、200度、350度で各30分づつ熱処
理する。あるいは室温より400度まで2時間かけて直
線的に昇温するなどの方法が挙げられる。
【0043】本発明による感光性耐熱性前駆体組成物に
より形成した耐熱性樹脂皮膜は、半導体のパッシベ−シ
ョン膜、半導体素子の保護膜、高密度実装用多層配線の
層間絶縁膜などの用途に用いられる。
【0044】
【実施例】以下発明をより詳細に説明するために、実施
例で説明する。実施例で使用したナフトキノンジアジド
化合物は下記にその構造を示した。
【0045】
【化14】 また実施例および比較例で用いた評価方法を示す。
【0046】特性の測定方法 粘度の測定 トキメック社製E型粘度計を使用し、25℃にて測定を
行った。
【0047】膜厚の測定 大日本スクリーン製造社製ラムダエースSTM−602
を使用し、屈折率1.64で測定を行った。
【0048】融点の測定 島津製作所製示差熱分析装置(DSC−50)を用い、
アルミのセル内に目的物を入れ、窒素気流下、昇温速度
20℃/分で室温より350℃まで測定した。融点は、
示差熱曲線の吸熱ピーク部分とした。
【0049】耐有機溶媒性 4インチシリコンウエハに本実施例の感光性耐熱性樹脂
前駆体組成物のワニスを350℃の熱処理後に約5ミク
ロンとなるように大日本スクリーン製のコーターデベロ
ッパーSCW−636のコーター部を使用して塗布し
た。塗布後、大日本スクリーン製のコーターデベロッパ
ーSCW−636のホットプレートを使用して100℃
で3分熱処理した。その後、1%のジエチルアミノエタ
ノール水溶液に1分間、次いで水に1分浸漬した。浸漬
処理終了後、光洋リンドバーグ社製のイナートオーブン
CLH−21CDを用いて140℃で30分、次いで3
50℃まで1時間かけて昇温して350℃で1時間、酸
素濃度20ppm以下にて熱処理を行った。熱処理終了
後、ウエハを半分に切断して、半分は後述の耐発煙硝酸
性の試験に用いた。残り半分のウエハ上に、N−メチル
−2−ピロリドンを1滴滴下して、200℃になってい
るヤマト科学製のイナートオーブンDT−42に10分
入れ、熱処理を行った。熱処理終了後、N−メチル−2
−ピロリドンを滴下した周辺の部分が溶解しているか、
クラックが入っているかを光学顕微鏡にて観察した。こ
の場合、溶解、溶解した跡、クラックが観察されると耐
有機溶媒性が悪いことになり、LSI、液晶表示素子な
どの保護膜として使用した場合、後の工程で使用される
薬品などで問題が生じる可能性がある。
【0050】耐発煙硝酸性 比重1.52の発煙硝酸を直径10センチ、深さ5セン
チのポリテトラフルオロエチレン製のシャーレー状の容
器に入れ、60℃に加熱する。ここに、耐有機溶媒性を
測定した試料の残り半分を入れ、10分間処理する。処
理後、膜が完全に溶解しているか、残膜が残っているか
を目視にて確認した。残膜が残った場合、LSIの内部
を解析する必要のあるときにLSIのプラスティックパ
ッケージを開封する。この時によく使用される発煙硝酸
に完全に溶解しないために、不良原因を解析することが
困難になるという問題があるために好ましくない。
【0051】合成例1 酸無水物(1)の合成 乾燥窒素気流下、2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒド
ロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン(BAHF)
18.3g(0.05モル)とアリルグリシジルエーテ
ル34.2g(0.3モル)をガンマブチロラクトン1
00gに溶解させ、−15℃に冷却した。ここにガンマ
ブチロラクトン50gに溶解させた無水トリメリット酸
クロリド22.1g(0.11モル)を反応液の温度が
0℃を越えないように滴下した。滴下終了後、0℃で4
時間反応させた。
【0052】この溶液をロータリーエバポレーターで濃
縮して、トルエン1lに投入して酸無水物(1)を得
た。得られた物質の融点は282℃であった。また、こ
の物質の構造を下記に示す。
【0053】
【化15】 合成例2 酸無水物(2)の合成 乾燥窒素気流下、3−ヒドロキシ−4−アミノビフェニ
ル(HAB)10.8g(0.05モル)とグリシジル
メチルエーテル30g(0.34モル)をガンマブチロ
ラクトン300gに溶解させ、−15℃に冷却した。こ
こにガンマブチロラクトン50gに溶解させた無水トリ
メリット酸クロリド22.1g(0.11モル)を反応
液の温度が0℃を越えないように滴下した。滴下終了
後、0℃で4時間反応させた。
【0054】この溶液をアセトン5lに投入して酸無水
物(2)を得た。得られた物質は350℃までに明確な
融点が見られなかった。また、この物質の構造を下記に
示す。
【0055】
【化16】 合成例3 ヒドロキシル基含有ジアミン化合物(1)の合成 BAHF18.3g(0.05モル)をアセトン100
ml、プロピレンオキシド17.4g(0.3モル)に
溶解させ、−15℃に冷却した。ここに4−ニトロベン
ゾイルクロリド20.4g(0.11モル)をアセトン
100mlに溶解させた溶液を滴下した。滴下終了後、
−15℃で4時間反応させ、その後室温に戻した。溶液
をロータリーエバポレーターで濃縮し、得られた固体を
テトラヒドロフランとエタノールの溶液で再結晶した。
【0056】再結晶して集めた固体をエタノール100
mlとテトラヒドロフラン300mlに溶解させて、5
%パラジウム−炭素を2g加えて、激しく攪拌させた。
ここに水素を風船で導入して、還元反応を室温で行っ
た。約2時間後、風船がこれ以上しぼまないことを確認
して反応を終了させた。反応終了後、ろ過して触媒であ
るパラジウム化合物を除き、ロータリーエバポレーター
で濃縮し、ジアミン化合物(1)を得た。得られた固体
をそのまま反応に使用した。得られた物質の融点は29
3℃であった。また、この物質の構造を下記に示す。
【0057】
【化17】 合成例4 ヒドロキシル基含有ジアミン(2)の合成 2−アミノ−4−ニトロフェノール15.4g(0.1
モル)をアセトン50ml、プロピレンオキシド30g
(0.34モル)に溶解させ、−15℃に冷却した。こ
こにイソフタル酸クロリド11.2g(0.055モ
ル)をアセトン60mlに溶解させた溶液を徐々に滴下
した。滴下終了後、−15℃で4時間反応させた。その
後、室温に戻して生成している沈殿をろ過で集めた。
【0058】この沈殿をガンマブチロラクトン200m
lに溶解させて、5%パラジウム−炭素3gを加えて、
激しく攪拌した。ここに水素ガスを入れた風船を取り付
け、室温で水素ガスの風船がこれ以上縮まない状態にな
るまで攪拌を続け、さらに2時間水素ガスの風船を取り
付けた状態で攪拌した。攪拌終了後、ろ過でパラジウム
化合物を除き、溶液をロータリーエバポレーターで半量
になるまで濃縮した。ここにエタノールを加えて、再結
晶を行い、目的の化合物の結晶を得た。得られた物質の
融点は293℃であった。また、この物質の構造を下記
に示す。
【0059】
【化18】 実施例1 乾燥窒素気流下、合成例(3)で合成したジアミン化合
物(1)57.4g(0.095モル)、1、3−ビス
(3−アミノプロピル)テトラメチルジシロキサン1.
24g(0.005モル)をGBL350gに溶解させ
た。ここに合成例1で合成した酸無水物(1)71.4
g(0.1モル)をGBL40gとももに加えて、20
℃で1時間反応させ、次いで50℃で4時間反応させた
(フッ素原子含有量:17.1%)。
【0060】得られた溶液にナフトキノンジアジド化合
物(1)26.0gをGBL10gと共に加えて感光性
ポリイミド前駆体組成物のワニスAを得た。
【0061】6インチシリコンウエハ上に、感光性ポリ
イミド前駆体のワニスAをプリベ−ク後の膜厚が5μm
となるように塗布し、ついでホットプレ−ト(大日本ス
クリ−ン社製SKW−636)を用いて、100℃で3
分プリベ−クすることにより、感光性ポリイミド前駆体
膜を得た。ついで、露光機(ニコン社製i線スッテパ−
NSR−1755−i7A)に、パターンの切られたレ
チクルをセットし、露光量200mJ/cm2 (365nm
の強度)でi線露光を行った。
【0062】現像は、大日本スクリ−ン製造社製SCW
−636の現像装置を用い、50回転で水酸化テトラメ
チルアンモニウムの2.38%水溶液を10秒間噴霧し
た。この後、0回転で50秒間静置し、400回転で水
にてリンス処理、3000回転で10秒振り切り乾燥し
た。現像後の未露光部の膜厚は4.4μmであり、現像
により膜の減少は0.6μmと少なく良好であった。
【0063】現像後のパターンを観察した結果、半導体
用バッファーコートとして要求される3μmのパターン
が解像しており、パターン形状も問題なかった。
【0064】耐有機溶媒性の試験でも問題なく、また発
煙硝酸での溶解性試験で完全に溶解した。
【0065】実施例2 乾燥窒素気流下、合成例(4)で合成したジアミン化合
物(2)15.1g(0.025モル)と4、4’−ジ
アミノジフェニルエーテル4.5g(0.0225モ
ル)と1、3−ビス(3−アミノプロピル)テトラメチ
ルジシロキサン0.62g(0.0025モル)をN−
メチルピロリドン100gに溶解させた。ここに合成例
2で合成した酸無水物(2)19.7g(0.035モ
ル)、3、3’、4、4’−ビフェニルテトラカルボン
酸2無水物4.42g(0.015モル)を室温でN−
メチルピロリドン33gとともに加え、そのまま室温で
1時間、その後50℃で4時間反応させた(フッ素原子
含有量:13.0%)。
【0066】このポリマー溶液50gにナフトキノンジ
アジド化合物(2)3gを溶解させて感光性ポリイミド
前駆体組成物のワニスBを得た。
【0067】4インチシリコンウエハ上に、感光性ポリ
イミド前駆体のワニスBをプリベ−ク後の膜厚が5μm
となるように塗布し、ついでホットプレ−ト(大日本ス
クリ−ン社製SKW−636)を用いて、100℃で3
分プリベ−クすることにより、感光性ポリイミド前駆体
膜を得た。ついで、露光機(キャノン社製コンタクトア
ライナーPLA−501F)に、パターンの切られたマ
スクをセットし、露光量300mJ/cm2 (365nmの
強度)で露光を行った。
【0068】現像は、大日本スクリ−ン製造社製SCW
−636の現像装置を用い、50回転で5%ジエチルア
ミノエタノール水溶液を10秒間噴霧した。この後、0
回転で80秒静置し、400回転で10秒間水を噴霧し
てリンス処理、3000回転で10秒振り切り乾燥し
た。現像後の未露光部の膜厚は4.2μmであり、現像
により膜の減少は0.8μmと少なく良好であった。
【0069】現像後のパタ−ンを光学顕微鏡で目視した
結果、10ミクロンのラインが解像しており、パターン
形状も問題なかった。
【0070】耐有機溶媒性の試験でも問題なく、また発
煙硝酸での溶解性試験で完全に溶解した。
【0071】実施例3 乾燥窒素気流下、BAHF11.0g(0.03モ
ル)、4−DAE4.0g(0.02モル)とグリシジ
ルメチルエーテル88g(1モル)をGBL100ml
に溶解させ、ドライアイス−アセトンの冷媒を用いて、
−15℃にした。ここにトリメリット酸クロリド(TM
C)21.1g(0.1モル)をGBL100gに溶解
させた溶液を1時間かけて滴下した。滴下終了後、この
温度で1時間反応を行った。
【0072】次いで、溶液の温度を5℃にして、パラフ
ェニレンジアミン4.87g(0.045モル)、2、
2’−ビス(トリフルオロメチル)−4、4’−ジアミ
ノビフェニル9.6g(0.03モル)、1、3−ビス
テトラメチルジシロキサン1.24g(0.005モ
ル)、3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカル
ボン酸2無水物9.67g(0.03モル)をGBL1
00mlとともに加え、この温度で30分、次いで50
℃で2時間反応させた(フッ素原子含有量:11.8
%)。
【0073】反応終了後、反応液を5lの水に投入して
ポリアミド酸の沈殿を生成した。この沈殿を集めて、水
で十分に洗浄の後に真空乾燥機で50度で24時間乾燥
した。
【0074】このポリマー10gとナフトキノンジアジ
ド化合物(3)2gをGBL45gに溶解させて感光性
ポリイミド前駆体組成物のワニスCを得た。
【0075】4インチシリコンウエハ上に、感光性ポリ
イミド前駆体のワニスCをプリベ−ク後の膜厚が5μm
となるように塗布し、ついでホットプレ−ト(大日本ス
クリ−ン社製SKW−636)を用いて、100℃で3
分プリベ−クすることにより、感光性ポリイミド前駆体
膜を得た。ついで、露光機(キャノン社製コンタクトア
ライナーPLA−501F)に、パターンの切られたマ
スクをセットし、露光量500mJ/cm2 (405nmの
強度)で露光を行った。
【0076】現像は、大日本スクリ−ン製造社製SCW
−636の現像装置を用い、50回転で0.8%テトラ
メチルアンモニウム水溶液を10秒間噴霧した。この
後、70秒間静置し、400回転で10秒間水を噴霧し
てリンス処理、3000回転で10秒振り切り乾燥し
た。現像後の未露光部の膜厚は4.5μmであり、現像
により膜の減少は0.5μmと少なく良好であった。
【0077】現像後のパタ−ンを光学顕微鏡で目視した
結果、10ミクロンのラインが解像しており、パターン
の形状も問題なかった。耐有機溶媒性の試験でも問題な
く、また発煙硝酸での溶解性試験で完全に溶解した。
【0078】実施例4 BAHF36.6g(0.1モル)をジメチルアセトア
ミド100mlとピリジン9.5g(0.12モル)に
溶解させ、−15℃に冷却した。この溶液にシクロヘキ
サノン80mlに溶解させたイソフタル酸クロリド2
1.3g(0.105モル)を徐々に滴下した。滴下終
了後、反応溶液の温度を20℃にして5時間反応させ
た。
【0079】反応終了後、溶液を水10lに投入してポ
リヒドロキシアミド(ポリマー(ア))の沈殿を生成さ
せた。この沈殿をろ過で集めて、水で洗浄して50℃の
真空乾燥機で20時間乾燥させた。
【0080】乾燥窒素気流下、BAHF11.0g
(0.03モル)と4、4’−ジアミノジフェニルエー
テル4.0g(0.02モル)をアセトン30gとプロ
ピレンオキシド58g(1.0モル)に溶解させ、−1
0℃に冷却した。ここに、TMC21.1g(0.1モ
ル)をアセトン40gに溶解させた溶液を反応溶液の温
度が0℃を越えないように徐々に滴下した。滴下終了
後、1時間−5℃以下で反応を行い、ここに合成例
(3)で合成したジアミン化合物(1)18.1g
(0.03モル)、4、4’−ジアミノジフェニルエー
テル3.0g(0.015モル)と1、3−ビス(3−
アミノプロピル)テトラメチルジシロキサン1.24g
(0.005モル)をNMP80gに溶解させた溶液を
加えて、0℃で1時間反応させ、次いで30℃で4時間
反応させた。
【0081】反応終了後、溶液を水10lに投入してポ
リヒドロキシアミド酸(ポリマー(イ)の沈殿を生成さ
せた。この沈殿をろ過で集めて、水で洗浄して50℃の
真空乾燥機で20時間乾燥させた。
【0082】ここでポリマー(ア)2gとポリマー
(イ)8gとナフトキノンジアジド化合物(1)を4g
を混合し、GBL40gに溶解させ、ポジ型感光性耐熱
性樹脂前駆体組成物のワニスDを得た(フッ素原子含有
量:14.8%)。
【0083】4インチシリコンウエハ上に、感光性ポリ
イミド前駆体のワニスDをプリベ−ク後の膜厚が5μm
となるように塗布し、ついでホットプレ−ト(大日本ス
クリ−ン社製SKW−636)を用いて、100℃で3
分プリベ−クすることにより、感光性ポリイミド前駆体
膜を得た。ついで、露光機(キャノン社製コンタクトア
ライナーPLA−501F)に、パターンの切られたマ
スクをセットし、露光量500mJ/cm2 (405nmの
強度)で露光を行った。
【0084】現像は、大日本スクリ−ン製造社製SCW
−636の現像装置を用い、50回転で1.4%テトラ
メチルアンモニウム水溶液を10秒間噴霧した。この
後、50秒間静置し、400回転で10秒間水を噴霧し
てリンス処理、3000回転で10秒振り切り乾燥し
た。現像後の未露光部の膜厚は4.0μmであり、現像
により膜の減少は1.0μmと少なく良好であった。
【0085】現像後のパタ−ンを光学顕微鏡で目視した
結果、5ミクロンのラインが解像しており、パターンの
形状も問題なかった。耐有機溶媒性の試験でも問題な
く、また発煙硝酸での溶解性試験で完全に溶解した。 比較例1 窒素気流下、1lの4つ口フラスコに、4,4−ジアミ
ノジフェニルエーテル10.1g(0.95モル)、S
iDA1.24g(0.005モル)をNMP200g
に溶解させ、ここにBTDA16.1g(0.05モ
ル)、PMDA(0.048モル)を加えて、室温で1
時間、その後50℃で3時間反応させてポリアミド酸を
得た(フッ素原子含有量:0%)。このポリアミド酸の
溶液に実施例1と同様な比率で感光成分を加え、感光性
ポリイミド前駆体のワニスEを得た。
【0086】6インチシリコンウエハ上に、感光性ポリ
イミド前駆体のワニスEをプリベ−ク後の膜厚が5μm
となるように塗布し、ついでホットプレ−ト(大日本ス
クリ−ン社製SCW−636)を用いて、100℃で3
分プリベ−クすることにより、感光性ポリイミド前駆体
膜を得た。ついで、露光機(ニコン社製g線スッテパ−
NSR−1505−g6E)に、パターンの切られたレ
チクルをセットし、露光量500mJ/cm2 (436nm
の強度)でg線露光を行った。
【0087】現像は、大日本スクリ−ン製造社製SCW
−636の現像装置を用い、50回転で0.5%のテト
ラメチルアンモニウム水溶液を10秒間噴霧した。この
後、60秒静止し、次いで400回転で5秒間現像液を
噴霧、400回転で10秒間水を噴霧してリンス処理、
3000回転で10秒振り切り乾燥した。
【0088】現像後のパターンは露光部が溶解するポジ
像にならずネガ像となった。また、現像後の膜厚は2μ
mと非常に薄く、感度が低いことが判った。
【0089】耐有機溶媒性の試験でも問題なく、また発
煙硝酸での溶解性試験で完全に溶解した。
【0090】比較例2 乾燥窒素気流下、PMDA10.9g(0.05モ
ル)、BTDA16.1g(0.05モル)をガンマブ
チロラクトン(GBL)200gに溶解させた。ここに
9.2gのエタノール(0.2モル)、ピリジン14g
を加えて50度で3時間反応を行った。この溶液に氷浴
で冷却し、内部の温度を5℃にした。ここに21.0g
ジシクロヘキシルカルボジイミド(0.1モル)をGB
L50gに溶解させた溶液を1時間かけてこの溶液に滴
下した。さらにBAHF10.9g(0.03モル)、
4,4’−ジアミノジフェニルエーテル14.0g
(0.07モル)をGBL150gに溶解させた溶液を
30分かけて滴下した。この溶液を氷冷下3時間反応さ
せた。反応終了後、析出した尿素化合物を濾過で除い
た。濾液を5lの水に投入してポリアミドエステルの沈
殿を生成した。この沈殿を集めて、水とメタノ−ルで洗
浄の後に真空乾燥機で50度で24時間乾燥した(フッ
素原子含有量:5.6%)。
【0091】このポリマー10gとナフトキノンジアジ
ド化合物(3)2gをGBL40gに溶解させて感光性
ポリイミド前駆体組成物のワニスFを得た。
【0092】4インチシリコンウエハ上に、感光性ポリ
イミド前駆体のワニスFをプリベ−ク後の膜厚が5μm
となるように塗布し、ついでホットプレ−ト(大日本ス
クリ−ン社製SKW−636)を用いて、100℃で3
分プリベ−クすることにより、感光性ポリイミド前駆体
膜を得た。ついで、露光機(キャノン社製コンタクトア
ライナーPLA−501F)に、パターンの切られたマ
スクをセットし、露光量500mJ/cm2 (405nmの
強度)で露光を行った。
【0093】現像は、大日本スクリ−ン製造社製SCW
−636の現像装置を用い、50回転で2.4%テトラ
メチルアンモニウム水溶液を10秒間噴霧した。この
後、300秒間静置し、400回転で10秒間水を噴霧
してリンス処理、3000回転で10秒振り切り乾燥し
たが、パターンを得ることは出来なかった。
【0094】耐有機溶媒性の試験でも問題なく、また発
煙硝酸での溶解性試験で完全に溶解した。
【0095】比較例3 乾燥窒素気流下、BAHF22.0g(0.06モ
ル)、2、2’−ビス(トリフルオロメチル)−4、
4’−ジアミノビフェニル11.2g(0.035モ
ル)と1、3−ビス(3−アミノプロピル)テトラメチ
ルジシロキサン1.24g0.005モル)をジメチル
アセトアミド200gに溶解させた。ここに4、4’−
(ヘキサフルオロイソプロピリデン)ジフタル酸無水物
44.4g(0.1モル)をジメチルアセトアミド35
gともに加え、室温で1時間、その後50℃で4時間反
応させ、ヒドロキシル基含有ポリアミド酸のワニスを得
た(フッ素原子含有量:28.4%)。
【0096】このポリマー溶液30gにナフトキノンジ
アジド化合物(3)1.5gを溶解させて感光性ポリイ
ミド前駆体組成物のワニスGを得た。
【0097】4インチシリコンウエハ上に、感光性ポリ
イミド前駆体のワニスGをプリベ−ク後の膜厚が5μm
となるように塗布し、ついでホットプレ−ト(大日本ス
クリ−ン社製SKW−636)を用いて、100℃で3
分プリベ−クすることにより、感光性ポリイミド前駆体
膜を得た。ついで、露光機(キャノン社製コンタクトア
ライナーPLA−501F)に、パターンの切られたマ
スクをセットし、露光量500mJ/cm2 (405nmの
強度)で露光を行った。
【0098】現像は、大日本スクリ−ン製造社製SCW
−636の現像装置を用い、50回転で2.4%テトラ
メチルアンモニウム水溶液を10秒間噴霧した。この
後、600秒間静置し、400回転で10秒間水を噴霧
してリンス処理、3000回転で10秒振り切り乾燥し
たが、露光部も未露光部も溶解しておらず、パターンを
得ることが出来なかった。
【0099】耐有機溶媒性の試験では溶媒を滴下した周
辺に溶解した跡が見られ、耐有機溶媒性が悪かった。発
煙硝酸での溶解性試験においても、完全に溶解せず、発
煙硝酸に対する溶解性が悪かった。
【0100】比較例4 BAHF36.6g(0.1モル)をジメチルアセトア
ミド100mlとピリジン9.5g(0.12モル)に
溶解させ、−15℃に冷却した。この溶液にシクロヘキ
サノン80mlに溶解させたイソフタル酸クロリド2
1.3g(0.105モル)を徐々に滴下した。滴下終
了後、反応溶液の温度を20℃にして5時間反応させた 反応終了後、溶液を水10lに投入してポリヒドロキシ
アミドの沈殿を生成させた。この沈殿をろ過で集めて、
水で洗浄して50℃の真空乾燥機で20時間乾燥させた
(フッ素原子含有量:23.0%)。
【0101】乾燥後にポリマーの固体10gと4NT−
300(東洋合成(株)製)2gをNMP30gに溶解
させ、ポジ型感光性ポリヒドロキシアミド(ポリベンゾ
オキサゾール前駆体)のワニスHを得た。
【0102】4インチシリコンウエハ上に、感光性ポリ
イミド前駆体のワニスHをプリベ−ク後の膜厚が5μm
となるように塗布し、ついでホットプレ−ト(大日本ス
クリ−ン社製SKW−636)を用いて、100℃で3
分プリベ−クすることにより、感光性ポリイミド前駆体
膜を得た。ついで、露光機(キャノン社製コンタクトア
ライナーPLA−501F)に、パターンの切られたマ
スクをセットし、露光量500mJ/cm2 (405nmの
強度)で露光を行った。
【0103】現像は、大日本スクリ−ン製造社製SCW
−636の現像装置を用い、50回転で1.4%テトラ
メチルアンモニウム水溶液を10秒間噴霧した。この
後、60秒間静置し、400回転で10秒間水を噴霧し
てリンス処理、3000回転で10秒振り切り乾燥し
た。現像後の未露光部の膜厚は4.6μmであり、現像
により膜の減少は0.4μmと少なく良好であった。
【0104】現像後のパタ−ンを光学顕微鏡で目視した
結果、5ミクロンのラインが解像しており、パターンの
形状も問題なかった。
【0105】耐有機溶媒性の試験では、NMPを滴下し
た周辺に溶解した跡が見られ、問題があった。耐発煙硝
酸性試験の結果、完全に膜が溶解せず溶解性に問題があ
った。
【0106】
【発明の効果】本発明によると、露光した部分が溶解す
るポジ型の像が得られる、アルカリ水溶液で現像可能な
感光性耐熱性樹脂前駆体組成物を得ることが出来た。さ
らにこの感光性耐熱性樹脂前駆体膜に熱処理を加えた膜
は、耐有機溶媒性に優れ、かつ熱処理後の膜が発煙硝酸
などの強酸に溶解するという、半導体用の表面保護膜と
しては理想的な特徴を有したものを得ることが出来る。

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 (a)一般式(1)で表される構造単位
    を主成分とするポリマーと、(b)キノンジアジド化合
    物を含有することを特徴とする感光性耐熱性樹脂前駆体
    組成物。 【化1】 (R1は少なくとも2個以上の炭素原子を有する4価か
    ら8価の有機基、R2は、少なくとも2個以上の炭素原
    子を有する3価から6価の有機基、R3は水素、または
    炭素数1から10までの有機基。nは5から10000
    0までの整数、mは、1または2の整数、p、qは1か
    ら4までの整数。)
  2. 【請求項2】感光性耐熱性樹脂前駆体組成物が一般式
    (1)で表されるポリマー100重量部に対して、一般
    式(2)で表されるポリマーが10から200重量部、
    キノンジアジド化合物が5〜100重量部含まれること
    を特徴とする請求項1記載の感光性耐熱性樹脂前駆体組
    成物。 【化2】 (R4は少なくとも2個以上の炭素原子を含む2価の有
    機基、R5は少なくとも2個以上の炭素原子を有する3
    から6価の基。oは5〜100000までの整数、rは
    1から4の整数。
  3. 【請求項3】感光性耐熱性樹脂前駆体組成物が一般式
    (1)で表されるポリマー100重量部に対して、一般
    式(3)で表されるポリマー1〜50重量部とキノンジ
    アジド化合物が5〜100重量部含まれることを特徴と
    する請求項1記載の感光性耐熱性樹脂前駆体組成物。 【化3】 (R6は少なくとも2個以上の炭素原子を含む3価また
    は4価の有機基、R7は少なくとも2個以上の炭素原子
    を有する2価の有機基。R8は水素あるいは、炭素数1
    から20までの有機基、sは5〜100000までの整
    数、tは1または2の整数。)
  4. 【請求項4】一般式(1)におけるR1(COOR3)m
    (OH)pが、一般式(4)で表されることを特徴とす
    る請求項1記載の感光性耐熱性樹脂前駆体組成物。 【化4】 (R9、R11は炭素数2から20より選ばれる3価から
    4価の有機基、R10は、炭素数3から20より選ばれ
    る、水酸基を有した3価から6価の有機基、R12、R13
    は水素、および/または炭素数1〜20までの有機基、
    u、wは0または1の整数であり、u、wの両方が0に
    なることはない、vは1から4までの整数。)
  5. 【請求項5】一般式(1)におけるR2(OH)qが、
    一般式(5)で表されることを特徴とする請求項1記載
    の感光性耐熱性樹脂前駆体組成物。 【化5】 (R14、R16は炭素数2から20より選ばれる水酸基を
    有した3価から4価の有機基、R15は炭素数2から30
    よりなる2価の有機基、x、yは1または2の整数。)
  6. 【請求項6】一般式(1)においてR2(OH)qが、
    一般式(6)で表されることを特徴とする請求項1記載
    の感光性耐熱性樹脂前駆体組成物。 【化6】 (R17、R19は炭素数2から20より選ばれる2価の有
    機基、R18は、炭素数3から20より選ばれる、水酸基
    を有した3価から6価の有機基、zは1から4までの整
    数。)
  7. 【請求項7】一般式(1)においてR2(OH)qが、
    一般式(7)で表されることを特徴とする請求項1記載
    の感光性耐熱性樹脂前駆体組成物。 【化7】 (R20は炭素数2から20より選ばれる2価の有機基、
    21は、炭素数3から20より選ばれる、水酸基を有し
    た3価から6価の有機基、aは1から4までの整数。)
  8. 【請求項8】一般式(1)で表されるポリマー中にフッ
    素原子が全体の10〜20重量%含まれることを特徴と
    する請求項1記載の感光性耐熱性樹脂前駆体組成物。
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