JP2000038662A - スパッタリングターゲット - Google Patents
スパッタリングターゲットInfo
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- JP2000038662A JP2000038662A JP10209223A JP20922398A JP2000038662A JP 2000038662 A JP2000038662 A JP 2000038662A JP 10209223 A JP10209223 A JP 10209223A JP 20922398 A JP20922398 A JP 20922398A JP 2000038662 A JP2000038662 A JP 2000038662A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 放電特性の安定性やパーティクル特性が優
れ、磁気ディスクを構成する磁性薄膜の下地層として優
れた性能を有するＣｒ−Ｖ薄膜を形成することが可能な
スパッタリングターゲットを提供する。 【解決手段】 実質的にＣｒとＶからなる焼結合金であ
って、焼結合金を構成するＶ及びＣｒ粒子の粒径が２５
０μｍ以下、Ｖ含有量が１０〜５０ａｔ％、かつ、Ｖ含
有量をＣａｔ％としたとき、焼結合金の酸素含有量が
（０．００２８×Ｃ）ｗｔ％以下である焼結合金を用い
てスパッタリングターゲットを構成する。
れ、磁気ディスクを構成する磁性薄膜の下地層として優
れた性能を有するＣｒ−Ｖ薄膜を形成することが可能な
スパッタリングターゲットを提供する。 【解決手段】 実質的にＣｒとＶからなる焼結合金であ
って、焼結合金を構成するＶ及びＣｒ粒子の粒径が２５
０μｍ以下、Ｖ含有量が１０〜５０ａｔ％、かつ、Ｖ含
有量をＣａｔ％としたとき、焼結合金の酸素含有量が
（０．００２８×Ｃ）ｗｔ％以下である焼結合金を用い
てスパッタリングターゲットを構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は磁気ディスクを構成
する金属薄膜のうち磁性薄膜の下地層を形成するための
スパッタリングターゲットに関するものである。
する金属薄膜のうち磁性薄膜の下地層を形成するための
スパッタリングターゲットに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年磁気ディスクドライブの容量は増加
の一途をたどっており、そのため磁気ディスクの容量も
年々増加してきている。磁気ディスクは一般に、アルミ
ニウム等の非磁性基板上にＮｉ−Ｐ等の硬化膜を形成し
た後、磁気特性を向上させる下地層、次いで磁性層、Ｃ
保護層を形成しさらに潤滑層を設けて作製される。磁気
ディスクの記憶容量を向上させるためには線記録密度及
びトラック密度を向上させる必要があり、このためには
記録層の磁気特性すなわち保磁力（Ｈｃ），角型比（Ｍ
ｒ／Ｍｓ）を向上させる必要がある。従来磁気ディスク
はＣｒ下地層上にＣｏＣｒＴａ等の磁性層をエピタキシ
ャル成長させることで、磁性層の結晶性を向上させ磁気
特性の向上を行ってきたが、近年磁気特性をさらに向上
させるため下地層にＣｒ合金、磁性層にＣｏ−Ｐｔ合金
が採用されてきている。具体的には、ＣｒにＴｉ，Ｍ
ｏ，Ｖ，Ｗ，Ｔａ等の元素を含ませたＣｒ合金下地層上
にＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｔａ合金をエピタキシャル成長さ
せ、磁性層の結晶性を向上させさらに磁気特性を向上さ
せている。Ｃｏ−Ｐｔ合金系の磁性層を使用した場合従
来のＰｔを含まないＣｏ合金系の磁性層にくらべ保磁力
等磁気特性が増加する傾向があるが、Ｃｒ下地層上にＣ
ｏＰｔ合金系の磁性層を形成した場合よりも、Ｃｒ合金
下地層上にＣｏＰｔ合金系磁性層を形成した方がさらに
磁気特性は向上する。これはＣｏの中にＰｔが入ること
で結晶格子が歪むため、下地層のＣｒ結晶格子も第二元
素を添加し歪ませることで、下地層上に磁性層がエピタ
キシャル成長しやすくなりその結果、結晶性が向上し磁
気特性が向上する。
の一途をたどっており、そのため磁気ディスクの容量も
年々増加してきている。磁気ディスクは一般に、アルミ
ニウム等の非磁性基板上にＮｉ−Ｐ等の硬化膜を形成し
た後、磁気特性を向上させる下地層、次いで磁性層、Ｃ
保護層を形成しさらに潤滑層を設けて作製される。磁気
ディスクの記憶容量を向上させるためには線記録密度及
びトラック密度を向上させる必要があり、このためには
記録層の磁気特性すなわち保磁力（Ｈｃ），角型比（Ｍ
ｒ／Ｍｓ）を向上させる必要がある。従来磁気ディスク
はＣｒ下地層上にＣｏＣｒＴａ等の磁性層をエピタキシ
ャル成長させることで、磁性層の結晶性を向上させ磁気
特性の向上を行ってきたが、近年磁気特性をさらに向上
させるため下地層にＣｒ合金、磁性層にＣｏ−Ｐｔ合金
が採用されてきている。具体的には、ＣｒにＴｉ，Ｍ
ｏ，Ｖ，Ｗ，Ｔａ等の元素を含ませたＣｒ合金下地層上
にＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｔａ合金をエピタキシャル成長さ
せ、磁性層の結晶性を向上させさらに磁気特性を向上さ
せている。Ｃｏ−Ｐｔ合金系の磁性層を使用した場合従
来のＰｔを含まないＣｏ合金系の磁性層にくらべ保磁力
等磁気特性が増加する傾向があるが、Ｃｒ下地層上にＣ
ｏＰｔ合金系の磁性層を形成した場合よりも、Ｃｒ合金
下地層上にＣｏＰｔ合金系磁性層を形成した方がさらに
磁気特性は向上する。これはＣｏの中にＰｔが入ること
で結晶格子が歪むため、下地層のＣｒ結晶格子も第二元
素を添加し歪ませることで、下地層上に磁性層がエピタ
キシャル成長しやすくなりその結果、結晶性が向上し磁
気特性が向上する。
【０００３】ＣｏＰｔ合金系磁性層の下地層の組成とし
て現在知られている一つの合金としてＣｒ−Ｖ合金があ
り、その効果は例えば特公平４−１６８４８号公報に述
べられている。これによると下地層に従来のＣｒ層を形
成した場合に比べ角型比が向上することが開示されてい
る。
て現在知られている一つの合金としてＣｒ−Ｖ合金があ
り、その効果は例えば特公平４−１６８４８号公報に述
べられている。これによると下地層に従来のＣｒ層を形
成した場合に比べ角型比が向上することが開示されてい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このように磁気ディス
クの製造においては、下地層等の組成の変更により磁気
特性の改善が図られている一方、最近の研究によるとス
パッタリング中の雰囲気中に存在する酸素が、形成され
る薄膜の特性に悪影響を及ぼすことが認められており、
そのためスパッタリングガスや、スパッタリングチャン
バーを構成する材料はもちろん、使用するスパッタリン
グターゲットに対しても低酸素化が強く要求されてい
る。
クの製造においては、下地層等の組成の変更により磁気
特性の改善が図られている一方、最近の研究によるとス
パッタリング中の雰囲気中に存在する酸素が、形成され
る薄膜の特性に悪影響を及ぼすことが認められており、
そのためスパッタリングガスや、スパッタリングチャン
バーを構成する材料はもちろん、使用するスパッタリン
グターゲットに対しても低酸素化が強く要求されてい
る。
【０００５】Ｃｒ−Ｖスパッタリングターゲットは従来
粉末冶金法により製造されているが、原料として一般に
使用されるＶ（バナジウム）粉末の粒径は２５０μｍ以
下であり、その酸素含有量は０．２５ｗｔ％程度であ
る。これは通常使用されているＣｒ（クロム）粉末の酸
素含有量の約１０倍又はそれ以上である。
粉末冶金法により製造されているが、原料として一般に
使用されるＶ（バナジウム）粉末の粒径は２５０μｍ以
下であり、その酸素含有量は０．２５ｗｔ％程度であ
る。これは通常使用されているＣｒ（クロム）粉末の酸
素含有量の約１０倍又はそれ以上である。
【０００６】このことは以下のように説明される。すな
わち量産高純度Ｖは溶融塩電解法により作製されてお
り、この方法で作製される金属バナジウムでは、その酸
素含有量が０．１ｗｔ％以下のものも得られているが、
これを粉砕して得られる金属バナジウム粉末は、粉砕過
程で空気中の酸素と結合し酸化してしまうため、２５０
μｍ以下の粒径からなる粉末では酸素含有量が０．２５
ｗｔ％程度に増加してしまうのである。
わち量産高純度Ｖは溶融塩電解法により作製されてお
り、この方法で作製される金属バナジウムでは、その酸
素含有量が０．１ｗｔ％以下のものも得られているが、
これを粉砕して得られる金属バナジウム粉末は、粉砕過
程で空気中の酸素と結合し酸化してしまうため、２５０
μｍ以下の粒径からなる粉末では酸素含有量が０．２５
ｗｔ％程度に増加してしまうのである。
【０００７】このような理由により、上記のＶ粉末を用
いて製造するスパッタリングターゲットは通常のＣｒタ
ーゲットに比べ酸素含有量が増加してしまい、低酸素含
有量のＣｒ−Ｖスパッタリングターゲットの製造が困難
な状況であった。
いて製造するスパッタリングターゲットは通常のＣｒタ
ーゲットに比べ酸素含有量が増加してしまい、低酸素含
有量のＣｒ−Ｖスパッタリングターゲットの製造が困難
な状況であった。
【０００８】本発明はこのような事情に着目してなされ
たものであり、その目的は低酸素含有量のＣｒ−Ｖスパ
ッタリングターゲットを提供しようとするものである。
たものであり、その目的は低酸素含有量のＣｒ−Ｖスパ
ッタリングターゲットを提供しようとするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、鋭意検討
を行った結果、金属バナジウム粉末の表面に形成されて
いる酸化バナジウム皮膜を無機酸等にて溶解させること
により、きわめて酸素含有量の低い金属バナジウム粉末
が得られることを見出すとともに、こうして得られた酸
素含有量の低い金属バナジウム粉末を原料粉末として使
用することにより、きわめて酸素含有量の低いＣｒ−Ｖ
スパッタリングターゲットが得られることを見いだし本
発明を完成するに至った。
を行った結果、金属バナジウム粉末の表面に形成されて
いる酸化バナジウム皮膜を無機酸等にて溶解させること
により、きわめて酸素含有量の低い金属バナジウム粉末
が得られることを見出すとともに、こうして得られた酸
素含有量の低い金属バナジウム粉末を原料粉末として使
用することにより、きわめて酸素含有量の低いＣｒ−Ｖ
スパッタリングターゲットが得られることを見いだし本
発明を完成するに至った。
【００１０】すなわち、本発明のスパッタリングターゲ
ットは、実質的にＣｒ（クロム）とＶ（バナジウム）か
らなる焼結合金を用いてなるスパッタリングターゲット
において、前記焼結合金を構成するＶ（バナジウム）及
びＣｒ（クロム）粒子の粒径が２５０μｍ以下であり、
前記焼結合金のＶ（バナジウム）含有量が１０〜５０ａ
ｔ％の範囲で、かつ、そのＶ（バナジウム）含有量をＣ
ａｔ％としたとき、前記焼結合金の酸素含有量が（０．
００２８×Ｃ）ｗｔ％以下であることを特徴とするスパ
ッタリングターゲットである。
ットは、実質的にＣｒ（クロム）とＶ（バナジウム）か
らなる焼結合金を用いてなるスパッタリングターゲット
において、前記焼結合金を構成するＶ（バナジウム）及
びＣｒ（クロム）粒子の粒径が２５０μｍ以下であり、
前記焼結合金のＶ（バナジウム）含有量が１０〜５０ａ
ｔ％の範囲で、かつ、そのＶ（バナジウム）含有量をＣ
ａｔ％としたとき、前記焼結合金の酸素含有量が（０．
００２８×Ｃ）ｗｔ％以下であることを特徴とするスパ
ッタリングターゲットである。
【００１１】なお、本発明における焼結合金とは粉末冶
金法で作られた合金であり、完全融解を行わず、粉末を
焼結することにより得られる合金である。
金法で作られた合金であり、完全融解を行わず、粉末を
焼結することにより得られる合金である。
【００１２】また、焼結合金を構成するＶ粒子及びＣｒ
粒子の粒径を２５０μｍ以下とすることにより放電特性
の安定性やパーティクル特性が良好なスパッタリングタ
ーゲットとを得ることができる。
粒子の粒径を２５０μｍ以下とすることにより放電特性
の安定性やパーティクル特性が良好なスパッタリングタ
ーゲットとを得ることができる。
【００１３】さらに、一般に、焼結合金のＶ含有量が多
いほど、焼結合金の酸素含有量が増加するが、本発明の
スパッタリングターゲットは、焼結合金のＶ含有量が１
０〜５０ａｔ％の範囲で、そのＶ含有量をＣａｔ％とし
たとき、焼結合金の酸素含有量が（０．００２８×Ｃ）
ｗｔ％以下であるようにしたものである。
いほど、焼結合金の酸素含有量が増加するが、本発明の
スパッタリングターゲットは、焼結合金のＶ含有量が１
０〜５０ａｔ％の範囲で、そのＶ含有量をＣａｔ％とし
たとき、焼結合金の酸素含有量が（０．００２８×Ｃ）
ｗｔ％以下であるようにしたものである。
【００１４】このような特徴を有するＣｒ−Ｖ焼結合金
からなる本発明のスパッタリングターゲットは、例え
ば、粒径が２５０μｍ以下の従来のＶ粉末を無機酸を用
いて洗浄することにより得られる低酸素Ｖ粉末を原料粉
末として得られる焼結合金により作製することができ
る。
からなる本発明のスパッタリングターゲットは、例え
ば、粒径が２５０μｍ以下の従来のＶ粉末を無機酸を用
いて洗浄することにより得られる低酸素Ｖ粉末を原料粉
末として得られる焼結合金により作製することができ
る。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下に本発明をさらに説明する。
【００１６】本発明において低酸素Ｖ粉末を製造するた
めの原料として用いられる金属Ｖ粉末としては、例えば
Ａｌ−Ｖ合金の溶融塩電解法で得られた金属バナジウム
を、ボールミル，遊星ボールミル，スタンプミル，振動
ミル等により粉砕し、振動ふるい等により分級して得ら
れた粉末を使用できる。Ｖ粉末の粒度は粉末冶金法で製
造することを考慮し、６０メッシュアンダーである事が
好ましい。原料粉末として６０メッシュアンダー、すな
わち粒径２５０μｍ以下の微細なバナジウム粉末を用い
ることにより、得られるスパッタリングターゲットの放
電特性の安定性や、パーティクル特性が改善される。
めの原料として用いられる金属Ｖ粉末としては、例えば
Ａｌ−Ｖ合金の溶融塩電解法で得られた金属バナジウム
を、ボールミル，遊星ボールミル，スタンプミル，振動
ミル等により粉砕し、振動ふるい等により分級して得ら
れた粉末を使用できる。Ｖ粉末の粒度は粉末冶金法で製
造することを考慮し、６０メッシュアンダーである事が
好ましい。原料粉末として６０メッシュアンダー、すな
わち粒径２５０μｍ以下の微細なバナジウム粉末を用い
ることにより、得られるスパッタリングターゲットの放
電特性の安定性や、パーティクル特性が改善される。
【００１７】本発明ではこれらのＶ粉末を無機酸にて洗
浄するが、使用する酸としてはフッ化水素酸、硝酸、塩
酸、硫酸またはこれらの２種類以上の混合酸を用いる事
ができる。特にフッ酸と硝酸を使用する場合、洗浄液を
加熱することは有効である。使用する酸の濃度は１ｗｔ
％以上、好ましくは５〜２０ｗｔ％であり、洗浄温度は
１０℃〜９５℃が良い。洗浄時間は１分以上、好ましく
は２〜６０分である。また洗浄に用いる酸の量は原料粉
末１重量部に対し酸０．５重量部以上、好ましくは１〜
３重量部である。
浄するが、使用する酸としてはフッ化水素酸、硝酸、塩
酸、硫酸またはこれらの２種類以上の混合酸を用いる事
ができる。特にフッ酸と硝酸を使用する場合、洗浄液を
加熱することは有効である。使用する酸の濃度は１ｗｔ
％以上、好ましくは５〜２０ｗｔ％であり、洗浄温度は
１０℃〜９５℃が良い。洗浄時間は１分以上、好ましく
は２〜６０分である。また洗浄に用いる酸の量は原料粉
末１重量部に対し酸０．５重量部以上、好ましくは１〜
３重量部である。
【００１８】洗浄したＶ粉末の乾燥にはアルコール等で
数回洗浄した後、減圧乾燥や風乾する方法で行うことが
出来る。
数回洗浄した後、減圧乾燥や風乾する方法で行うことが
出来る。
【００１９】上記により得られた粒径が２５０μｍ以下
のＶ粉末と粒径が２５０μｍ以下のＣｒ粉末を混合し、
熱間静水圧プレス（ＨＩＰ）法、ホットプレス（ＨＰ）
法等により１０００℃以上の温度にて加圧焼結させるこ
とにより、Ｃｒ及びＶの粒子径が２５０μｍ以下の微細
組織を有するＣｒ−Ｖ焼結合金インゴットが得られる。
特に、ホットプレス法は焼成中に生じる混合粉末の酸化
を防止することができ、より低酸素の焼結合金を得るこ
とができる。
のＶ粉末と粒径が２５０μｍ以下のＣｒ粉末を混合し、
熱間静水圧プレス（ＨＩＰ）法、ホットプレス（ＨＰ）
法等により１０００℃以上の温度にて加圧焼結させるこ
とにより、Ｃｒ及びＶの粒子径が２５０μｍ以下の微細
組織を有するＣｒ−Ｖ焼結合金インゴットが得られる。
特に、ホットプレス法は焼成中に生じる混合粉末の酸化
を防止することができ、より低酸素の焼結合金を得るこ
とができる。
【００２０】この焼結合金インゴットを研削加工等によ
り所定のターゲット形状に加工し、表面仕上げを行った
後、必要に応じてバッキングプレートに取り付けること
により本発明にかかるＣｒ−Ｖスパッタリングターゲッ
トを作製することができる。
り所定のターゲット形状に加工し、表面仕上げを行った
後、必要に応じてバッキングプレートに取り付けること
により本発明にかかるＣｒ−Ｖスパッタリングターゲッ
トを作製することができる。
【００２１】なお、原料粉末として用いるＣｒ粉末は、
粒径が２５０μｍ以下で、できるだけ酸素含有量の少な
い粉末を用いることが好ましいが、例えば、酸素含有量
０．０１〜０．０２ｗｔ％程度の粉末は、例えば登録特
許２７４４８６７号に記載されている方法等により得る
ことができる。
粒径が２５０μｍ以下で、できるだけ酸素含有量の少な
い粉末を用いることが好ましいが、例えば、酸素含有量
０．０１〜０．０２ｗｔ％程度の粉末は、例えば登録特
許２７４４８６７号に記載されている方法等により得る
ことができる。
【００２２】
【実施例】以下、本発明を実施例をもってさらに詳細に
説明するが、本発明は何らこれらに限定されるものでは
無い。
説明するが、本発明は何らこれらに限定されるものでは
無い。
【００２３】（実施例１）電解法により得られた樹枝状
金属バナジウムを、遊星ボールミルにより粉砕したのち
粒径が２５０μｍ以下に分級を行い、酸素含有量０．２
５ｗｔ％、Ｆｅ含有量０．０７ｗｔ％の金属バナジウム
粉砕粉末を作製した。この粉砕粉末をフッ化水素酸（１
０ｗｔ％、２５℃）にて撹拌洗浄を５ｍｉｎ行ったの
ち、洗液を濾過により取り除いた。引き続きイオン交換
水により十分洗浄し、吸引ろ過により余分な水分を取り
除いた後、真空中で乾燥することにより、粒径が２５０
μｍ以下、酸素含有量が０．１５ｗｔ％、Ｆｅ含有量
０．０６ｗｔ％のＶ原料粉末を得た。得られたＶ原料粉
末に、粒径が２５０μｍ以下、酸素含有量が０．０１ｗ
ｔ％、Ｆｅ含有量０．０１ｗｔ％のＣｒ粉末をＶ組成が
５〜６０ａｔ％になるように調整し混合した。
金属バナジウムを、遊星ボールミルにより粉砕したのち
粒径が２５０μｍ以下に分級を行い、酸素含有量０．２
５ｗｔ％、Ｆｅ含有量０．０７ｗｔ％の金属バナジウム
粉砕粉末を作製した。この粉砕粉末をフッ化水素酸（１
０ｗｔ％、２５℃）にて撹拌洗浄を５ｍｉｎ行ったの
ち、洗液を濾過により取り除いた。引き続きイオン交換
水により十分洗浄し、吸引ろ過により余分な水分を取り
除いた後、真空中で乾燥することにより、粒径が２５０
μｍ以下、酸素含有量が０．１５ｗｔ％、Ｆｅ含有量
０．０６ｗｔ％のＶ原料粉末を得た。得られたＶ原料粉
末に、粒径が２５０μｍ以下、酸素含有量が０．０１ｗ
ｔ％、Ｆｅ含有量０．０１ｗｔ％のＣｒ粉末をＶ組成が
５〜６０ａｔ％になるように調整し混合した。
【００２４】これらの混合粉をゴム型に充填し、封止処
理を行い、ＣＩＰ圧力が３０００ｋｇ／ｃｍ2の条件に
より一次成形を実施した。この時の成形体の密度はＣｒ
−Ｖの理論密度に対し相対密度が約７５％であった。
理を行い、ＣＩＰ圧力が３０００ｋｇ／ｃｍ2の条件に
より一次成形を実施した。この時の成形体の密度はＣｒ
−Ｖの理論密度に対し相対密度が約７５％であった。
【００２５】この一次成形体をＦｅ基材質からなる缶に
入れ、到達真空度１×１０―3ｔｏｒｒ以下になるまで
脱気処理を行い封止したのち温度１２００℃，圧力１０
００ｋｇ／ｃｍ2の条件にてＨＩＰ処理を実施し相対密
度９９％以上のＣｒ−Ｖ焼結合金を得た。得られた焼結
合金を機械加工により整形してスパッタリングターゲッ
トを作製した。
入れ、到達真空度１×１０―3ｔｏｒｒ以下になるまで
脱気処理を行い封止したのち温度１２００℃，圧力１０
００ｋｇ／ｃｍ2の条件にてＨＩＰ処理を実施し相対密
度９９％以上のＣｒ−Ｖ焼結合金を得た。得られた焼結
合金を機械加工により整形してスパッタリングターゲッ
トを作製した。
【００２６】（実施例２）実施例１により得られたＶ組
成が２０ａｔ％の混合粉末をホットプレスにて温度１４
００℃、荷重２００ｋｇ／ｃｍ2、保持時間２ｈの条件
により、真空焼成し相対密度９５％以上のＣｒ−Ｖ焼結
合金を得た。得られた焼結合金を機械加工により整形し
てスパッタリングターゲットを作製した。
成が２０ａｔ％の混合粉末をホットプレスにて温度１４
００℃、荷重２００ｋｇ／ｃｍ2、保持時間２ｈの条件
により、真空焼成し相対密度９５％以上のＣｒ−Ｖ焼結
合金を得た。得られた焼結合金を機械加工により整形し
てスパッタリングターゲットを作製した。
【００２７】（実施例３）電解法により得られた樹枝状
金属バナジウムから、実施例１と同様の方法で金属バナ
ジウム粉砕粉末を作製した。得られた金属バナジウム粉
末を１０ｗｔ％硝酸により７５℃で５分間撹拌洗浄を行
った。この洗浄の際に発生する黒色スラリーをデカンテ
ーションによりある程度分離し、更に１０ｗｔ％の硝酸
を加えて２０分間攪拌することにより、黒色スラリーを
完全に溶解した。その後、洗浄・乾燥し、粒径が２５０
μｍ以下、酸素含有量が０．０７ｗｔ％，Ｆｅ含有量
０．０５５ｗｔ％のＶ原料粉末を得た。
金属バナジウムから、実施例１と同様の方法で金属バナ
ジウム粉砕粉末を作製した。得られた金属バナジウム粉
末を１０ｗｔ％硝酸により７５℃で５分間撹拌洗浄を行
った。この洗浄の際に発生する黒色スラリーをデカンテ
ーションによりある程度分離し、更に１０ｗｔ％の硝酸
を加えて２０分間攪拌することにより、黒色スラリーを
完全に溶解した。その後、洗浄・乾燥し、粒径が２５０
μｍ以下、酸素含有量が０．０７ｗｔ％，Ｆｅ含有量
０．０５５ｗｔ％のＶ原料粉末を得た。
【００２８】得られたＶ原料粉末に、粒径が２５０μｍ
以下、酸素含有量が０．０１ｗｔ％のＣｒ粉末をＶ組成
が２０ａｔ％になるように調整し混合した。
以下、酸素含有量が０．０１ｗｔ％のＣｒ粉末をＶ組成
が２０ａｔ％になるように調整し混合した。
【００２９】この混合粉末をゴム型に充填し、封止処理
を行い、ＣＩＰ圧力が３０００ｋｇ／ｃｍ2の条件によ
り一次成形を実施した。この時の成形体の密度はＣｒ−
Ｖの理論密度に対し相対密度が７４％であった。
を行い、ＣＩＰ圧力が３０００ｋｇ／ｃｍ2の条件によ
り一次成形を実施した。この時の成形体の密度はＣｒ−
Ｖの理論密度に対し相対密度が７４％であった。
【００３０】この一次成形体をＦｅ基材質からなる缶に
入れ、到達真空度１×１０―3ｔｏｒｒ以下になるまで
加熱脱気処理を行い封止したのち温度１２００℃、圧力
１０００ｋｇ／ｃｍ2の条件にてＨＩＰ処理を実施し相
対密度９９％以上のＣｒ−Ｖ焼結合金を得た。得られた
焼結合金を機械加工により整形してスパッタリングター
ゲットを作製した。
入れ、到達真空度１×１０―3ｔｏｒｒ以下になるまで
加熱脱気処理を行い封止したのち温度１２００℃、圧力
１０００ｋｇ／ｃｍ2の条件にてＨＩＰ処理を実施し相
対密度９９％以上のＣｒ−Ｖ焼結合金を得た。得られた
焼結合金を機械加工により整形してスパッタリングター
ゲットを作製した。
【００３１】（実施例４）実施例１にて得られたＶ原料
粉末に、粒径が１５０μｍ以下、酸素含有量が０．０２
ｗｔ％、Ｆｅ含有量０．０３ｗｔ％のＣｒ粉末をＶ組成
が２０ａｔ％になるように調整し混合した。この混合粉
末をゴム型に充填し、封止処理を行い、ＣＩＰ圧力が３
０００ｋｇ／ｃｍ2の条件により一次成形を実施した。
この時の成形体の密度はＣｒ−Ｖの理論密度に対し相対
密度が７５％であった。この一次成形体をＦｅ基材質か
らなる缶に入れ、到達真空度１×１０―3ｔｏｒｒ以下
になるまで加熱脱気処理を行い封止したのち温度１２０
０℃、圧力１０００ｋｇ／ｃｍ2の条件にてＨＩＰ処理
を実施し相対密度９９％以上のＣｒ−Ｖ焼結合金を得
た。得られた焼結合金を機械加工により整形してスパッ
タリングターゲットを作製した。
粉末に、粒径が１５０μｍ以下、酸素含有量が０．０２
ｗｔ％、Ｆｅ含有量０．０３ｗｔ％のＣｒ粉末をＶ組成
が２０ａｔ％になるように調整し混合した。この混合粉
末をゴム型に充填し、封止処理を行い、ＣＩＰ圧力が３
０００ｋｇ／ｃｍ2の条件により一次成形を実施した。
この時の成形体の密度はＣｒ−Ｖの理論密度に対し相対
密度が７５％であった。この一次成形体をＦｅ基材質か
らなる缶に入れ、到達真空度１×１０―3ｔｏｒｒ以下
になるまで加熱脱気処理を行い封止したのち温度１２０
０℃、圧力１０００ｋｇ／ｃｍ2の条件にてＨＩＰ処理
を実施し相対密度９９％以上のＣｒ−Ｖ焼結合金を得
た。得られた焼結合金を機械加工により整形してスパッ
タリングターゲットを作製した。
【００３２】（実施例５）実施例３にて得られたＶ原料
粉末に、粒径が１５０μｍ以下、酸素含有量が０．０２
ｗｔ％のＣｒ粉末をＶ組成が２０ａｔ％になるように調
整し混合した。この混合粉末をゴム型に充填し、封止処
理を行い、ＣＩＰ圧力が３０００ｋｇ／ｃｍ2の条件に
より一次成形を実施した。この時の成形体の密度はＣｒ
−Ｖの理論密度に対し相対密度が７５％であった。この
一次成形体をＦｅ基材質からなる缶に入れ、到達真空度
１×１０―3ｔｏｒｒ以下になるまで加熱脱気処理を行
い封止したのち温度１２００℃、圧力１０００ｋｇ／ｃ
ｍ2の条件にてＨＩＰ処理を実施し相対密度９９％以上
のＣｒ−Ｖ焼結合金を得た。得られた焼結合金を機械加
工により整形してスパッタリングターゲットを作製し
た。
粉末に、粒径が１５０μｍ以下、酸素含有量が０．０２
ｗｔ％のＣｒ粉末をＶ組成が２０ａｔ％になるように調
整し混合した。この混合粉末をゴム型に充填し、封止処
理を行い、ＣＩＰ圧力が３０００ｋｇ／ｃｍ2の条件に
より一次成形を実施した。この時の成形体の密度はＣｒ
−Ｖの理論密度に対し相対密度が７５％であった。この
一次成形体をＦｅ基材質からなる缶に入れ、到達真空度
１×１０―3ｔｏｒｒ以下になるまで加熱脱気処理を行
い封止したのち温度１２００℃、圧力１０００ｋｇ／ｃ
ｍ2の条件にてＨＩＰ処理を実施し相対密度９９％以上
のＣｒ−Ｖ焼結合金を得た。得られた焼結合金を機械加
工により整形してスパッタリングターゲットを作製し
た。
【００３３】（比較例１）電解法により得られた樹枝状
金属バナジウムを、遊星ボールミルにより粉砕したのち
２５０μｍ以下に分級を行い、酸素含有量が０．２５ｗ
ｔ％の金属バナジウム粉末を原料粉末としたこと以外は
実施例１と同様な方法にて相対密度９９％以上のＣｒ−
Ｖ焼結合金を得た。得られた焼結合金を機械加工により
整形してスパッタリングターゲットを作製した。
金属バナジウムを、遊星ボールミルにより粉砕したのち
２５０μｍ以下に分級を行い、酸素含有量が０．２５ｗ
ｔ％の金属バナジウム粉末を原料粉末としたこと以外は
実施例１と同様な方法にて相対密度９９％以上のＣｒ−
Ｖ焼結合金を得た。得られた焼結合金を機械加工により
整形してスパッタリングターゲットを作製した。
【００３４】（比較例２）電解法により得られた樹枝状
金属バナジウムを、遊星ボールミルにより粉砕したのち
２５０μｍ以下に分級を行い、酸素含有量が０．２５ｗ
ｔ％の金属バナジウム粉末を原料粉末としたこと以外は
実施例４と同様な方法にて相対密度９９％以上のＣｒ−
Ｖ焼結合金を得た。得られた焼結合金を機械加工により
整形してスパッタリングターゲットを作製した。
金属バナジウムを、遊星ボールミルにより粉砕したのち
２５０μｍ以下に分級を行い、酸素含有量が０．２５ｗ
ｔ％の金属バナジウム粉末を原料粉末としたこと以外は
実施例４と同様な方法にて相対密度９９％以上のＣｒ−
Ｖ焼結合金を得た。得られた焼結合金を機械加工により
整形してスパッタリングターゲットを作製した。
【００３５】上記実施例１〜５並びに比較例１及び比較
例２にて作製したＣｒ−Ｖスパッタリングターゲットを
構成する焼結合金の組織観察を実施したところ、いずれ
のターゲットにおいても、焼結合金を構成するＣｒ粒子
及びＶ粒子の粒径が２５０μｍ以下であり微細な組織を
有していた。
例２にて作製したＣｒ−Ｖスパッタリングターゲットを
構成する焼結合金の組織観察を実施したところ、いずれ
のターゲットにおいても、焼結合金を構成するＣｒ粒子
及びＶ粒子の粒径が２５０μｍ以下であり微細な組織を
有していた。
【００３６】これらのＣｒ−Ｖスパッタリングターゲッ
トを構成する焼結合金の酸素含有量及びＦｅ含有量をそ
れぞれガス分析装置（ＬＥＣＯ社製）及びＩＣＰ発光分
析装置（セイコー電子製）にて測定した。得られた測定
結果を表１に示す。さらに、これらの焼結合金のＶ含有
量（Ｃ）と酸素含有量の関係を図１に示す。
トを構成する焼結合金の酸素含有量及びＦｅ含有量をそ
れぞれガス分析装置（ＬＥＣＯ社製）及びＩＣＰ発光分
析装置（セイコー電子製）にて測定した。得られた測定
結果を表１に示す。さらに、これらの焼結合金のＶ含有
量（Ｃ）と酸素含有量の関係を図１に示す。
【００３７】図１に示されるように、実施例１〜５のス
パッタリングターゲットは同一のＶ含有量で比較した場
合、比較例１及び比較例２に示すような従来のものに比
べ低酸素のスパッタリングターゲットであった。具体的
な酸素含有量としてはＶ含有量が１０ａｔ％以上の組成
のものが０．００２８×Ｃｗｔ％以下（Ｃはａｔ％で表
したＶ含有量）であった。
パッタリングターゲットは同一のＶ含有量で比較した場
合、比較例１及び比較例２に示すような従来のものに比
べ低酸素のスパッタリングターゲットであった。具体的
な酸素含有量としてはＶ含有量が１０ａｔ％以上の組成
のものが０．００２８×Ｃｗｔ％以下（Ｃはａｔ％で表
したＶ含有量）であった。
【００３８】
【表１】
【００３９】また、上記実施例１〜５並びに比較例１及
び比較例２のスパッタリングターゲットを使用して、磁
気ディスク媒体をＤＣマグネトロンスパッタリング装置
を用いて作製し、得られた磁気ディスク媒体の保磁力を
ＶＳＭにより評価した。得られた結果を表１に示す。な
お、磁気ディスクを作成するにあたり基板は３．５イン
チのＮｉＰメッキ層を有するＡｌ基板を使用した。ＢＧ
Ｐは４×１０-7ｔｏｒｒで成膜時のＡｒガス圧は２ｍｔ
ｏｒｒに設定した。成膜はＣｒ−Ｖ，Ｃｏ−１３Ｃｒ−
１１Ｐｔ（ａｔ％），Ｃと順次行ない膜厚はそれぞれ５
５ｎｍ，３７ｎｍ，２０ｎｍとした。成膜時の基板温度
は２８０〜３００℃であった。
び比較例２のスパッタリングターゲットを使用して、磁
気ディスク媒体をＤＣマグネトロンスパッタリング装置
を用いて作製し、得られた磁気ディスク媒体の保磁力を
ＶＳＭにより評価した。得られた結果を表１に示す。な
お、磁気ディスクを作成するにあたり基板は３．５イン
チのＮｉＰメッキ層を有するＡｌ基板を使用した。ＢＧ
Ｐは４×１０-7ｔｏｒｒで成膜時のＡｒガス圧は２ｍｔ
ｏｒｒに設定した。成膜はＣｒ−Ｖ，Ｃｏ−１３Ｃｒ−
１１Ｐｔ（ａｔ％），Ｃと順次行ない膜厚はそれぞれ５
５ｎｍ，３７ｎｍ，２０ｎｍとした。成膜時の基板温度
は２８０〜３００℃であった。
【００４０】表１に示されるように、同一のＶ含有量で
比較した場合、実施例１〜５のスパッタリングターゲッ
トを使用して作製した磁気ディスクの保磁力は、比較例
１及び比較例２のような従来のターゲットを使用して作
製した磁気ディスクに比べて５〜１０％程度高い値を示
した。
比較した場合、実施例１〜５のスパッタリングターゲッ
トを使用して作製した磁気ディスクの保磁力は、比較例
１及び比較例２のような従来のターゲットを使用して作
製した磁気ディスクに比べて５〜１０％程度高い値を示
した。
【００４１】今回の結果によりＶ含有量が５〜６０ａｔ
％の範囲において、本発明のターゲットを用いて作製さ
れた磁気ディスクの保磁力は比較例の場合と比べ向上す
ることが明らかになった。しかしながらＶ含有量が６０
ａｔ％のものについては同実施例におけるＶ含有量が５
０ａｔ％のものに比べ保磁力が低下しているため、Ｖ含
有量が５０ａｔ％より大きい領域は実用的でない。ま
た、Ｖ含有量が５ａｔ％のものについては比較例におけ
るＶ含有量が５ａｔ％のものに比べ保磁力の増加は１０
０エルステッド以下と小さい。これはＣｒ含有量に比べ
てＶ含有量が少ないため低酸素Ｖ粉末を使用することに
よるＣｒ−Ｖターゲットの酸素含有量低減効果が小さい
ことによるものである。したがって低酸素Ｖ粉末を使用
したＣｒ−Ｖターゲット組成としてはＶ含有量が１０〜
５０ａｔ％の範囲とすることが実用的であり磁気特性向
上への効果も大きいといえる。
％の範囲において、本発明のターゲットを用いて作製さ
れた磁気ディスクの保磁力は比較例の場合と比べ向上す
ることが明らかになった。しかしながらＶ含有量が６０
ａｔ％のものについては同実施例におけるＶ含有量が５
０ａｔ％のものに比べ保磁力が低下しているため、Ｖ含
有量が５０ａｔ％より大きい領域は実用的でない。ま
た、Ｖ含有量が５ａｔ％のものについては比較例におけ
るＶ含有量が５ａｔ％のものに比べ保磁力の増加は１０
０エルステッド以下と小さい。これはＣｒ含有量に比べ
てＶ含有量が少ないため低酸素Ｖ粉末を使用することに
よるＣｒ−Ｖターゲットの酸素含有量低減効果が小さい
ことによるものである。したがって低酸素Ｖ粉末を使用
したＣｒ−Ｖターゲット組成としてはＶ含有量が１０〜
５０ａｔ％の範囲とすることが実用的であり磁気特性向
上への効果も大きいといえる。
【００４２】
【発明の効果】Ｃｒ−Ｖスパッタリングターゲットにお
いて、Ｖの粒径が２５０μｍ以下であり、酸素含有量が
０．００２８×Ｃｗｔ％以下（Ｃは焼結合金のＶ含有量
（ａｔ％））であるＣｒ−Ｖスパッタリングターゲット
は、従来のターゲットに比べＣｒ及びＶの粒径が微細で
不純物としての酸化物が少ないため、スパッタリング時
の放電特性が安定し、パーティクル発生量を減少させる
ことができる。また、形成される薄膜中の酸素含有量を
減少させることができるので形成されるＣｒ−Ｖ薄膜の
結晶性が向上し、そのＣｒ−Ｖ薄膜上に形成される磁性
層の磁気特性を向上させることができる。
いて、Ｖの粒径が２５０μｍ以下であり、酸素含有量が
０．００２８×Ｃｗｔ％以下（Ｃは焼結合金のＶ含有量
（ａｔ％））であるＣｒ−Ｖスパッタリングターゲット
は、従来のターゲットに比べＣｒ及びＶの粒径が微細で
不純物としての酸化物が少ないため、スパッタリング時
の放電特性が安定し、パーティクル発生量を減少させる
ことができる。また、形成される薄膜中の酸素含有量を
減少させることができるので形成されるＣｒ−Ｖ薄膜の
結晶性が向上し、そのＣｒ−Ｖ薄膜上に形成される磁性
層の磁気特性を向上させることができる。
【図１】本発明の実施例及び比較例のスパッタリングタ
ーゲットのバナジウム含有量と酸素含有量の関係を示す
図である。
ーゲットのバナジウム含有量と酸素含有量の関係を示す
図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4K018 AA40 BA20 BB04 BC08 CA23 EA16 HA08 KA29 4K029 AA02 BA21 BC06 BD11 CA05 DC04 DC09 FA07 5E049 AA10 BA30 GC02
Claims (1)
- 【請求項１】 実質的にＣｒとＶからなる焼結合金を用
いてなるスパッタリングターゲットにおいて、前記焼結
合金を構成するＶ及びＣｒ粒子の粒径が２５０μｍ以下
であり、前記焼結合金のＶ含有量が１０〜５０ａｔ％の
範囲で、かつ、そのＶ含有量をＣａｔ％としたとき、前
記焼結合金の酸素含有量が（０．００２８×Ｃ）ｗｔ％
以下であることを特徴とするスパッタリングターゲッ
ト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20922398A JP4491844B2 (ja) | 1998-07-24 | 1998-07-24 | スパッタリングターゲット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20922398A JP4491844B2 (ja) | 1998-07-24 | 1998-07-24 | スパッタリングターゲット |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000038662A true JP2000038662A (ja) | 2000-02-08 |
| JP4491844B2 JP4491844B2 (ja) | 2010-06-30 |
Family
ID=16569399
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20922398A Expired - Fee Related JP4491844B2 (ja) | 1998-07-24 | 1998-07-24 | スパッタリングターゲット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4491844B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100731832B1 (ko) | 2004-11-24 | 2007-06-25 | 헤래우스 인코포레이티드 | 탄소함유 스퍼터 타겟 합금 조성물 |
| JP2009197334A (ja) * | 2009-05-07 | 2009-09-03 | Toshiba Corp | スパッタリングターゲットの製造方法、それを用いた硬質被膜の形成方法および硬質被膜被覆部材 |
| WO2018131328A1 (ja) * | 2017-01-12 | 2018-07-19 | 日立金属株式会社 | Ｃｒ合金ターゲット材 |
Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62247001A (ja) * | 1986-04-18 | 1987-10-28 | Showa Kiyabotsuto Suupaa Metal Kk | 金属タンタル粉末の精製方法 |
| JPS6347344A (ja) * | 1986-08-15 | 1988-02-29 | Koujiyundo Kagaku Kenkyusho:Kk | 低酸素合金成形体の製造法 |
| JPS63105909A (ja) * | 1986-04-30 | 1988-05-11 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 光磁気記録媒体製造に用いるスパッタリング用焼結合金製ターゲットの製造方法 |
| JPS63142689A (ja) * | 1986-12-05 | 1988-06-15 | Hitachi Ltd | 磁気抵抗効果膜形成用材料 |
| JPH0480304A (ja) * | 1990-07-23 | 1992-03-13 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 希土類金属焼結体の製造方法 |
| JPH0416848B2 (ja) * | 1986-04-29 | 1992-03-25 | Intaanashonaru Bijinesu Mashiinzu Corp | |
| JPH06184740A (ja) * | 1992-12-17 | 1994-07-05 | Hitachi Metals Ltd | 光磁気記録媒体用ターゲットおよびその製造方法 |
| JPH06215346A (ja) * | 1992-12-22 | 1994-08-05 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 磁気記録媒体 |
| JP2744867B2 (ja) * | 1992-06-29 | 1998-04-28 | 日本重化学工業株式会社 | 高純度金属クロムの製造方法およびその装置 |
| JPH11335701A (ja) * | 1998-05-28 | 1999-12-07 | Tosoh Corp | 低酸素金属バナジウム粉末およびその製造方法 |
-
1998
- 1998-07-24 JP JP20922398A patent/JP4491844B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62247001A (ja) * | 1986-04-18 | 1987-10-28 | Showa Kiyabotsuto Suupaa Metal Kk | 金属タンタル粉末の精製方法 |
| JPH0416848B2 (ja) * | 1986-04-29 | 1992-03-25 | Intaanashonaru Bijinesu Mashiinzu Corp | |
| JPS63105909A (ja) * | 1986-04-30 | 1988-05-11 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 光磁気記録媒体製造に用いるスパッタリング用焼結合金製ターゲットの製造方法 |
| JPS6347344A (ja) * | 1986-08-15 | 1988-02-29 | Koujiyundo Kagaku Kenkyusho:Kk | 低酸素合金成形体の製造法 |
| JPS63142689A (ja) * | 1986-12-05 | 1988-06-15 | Hitachi Ltd | 磁気抵抗効果膜形成用材料 |
| JPH0480304A (ja) * | 1990-07-23 | 1992-03-13 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 希土類金属焼結体の製造方法 |
| JP2744867B2 (ja) * | 1992-06-29 | 1998-04-28 | 日本重化学工業株式会社 | 高純度金属クロムの製造方法およびその装置 |
| JPH06184740A (ja) * | 1992-12-17 | 1994-07-05 | Hitachi Metals Ltd | 光磁気記録媒体用ターゲットおよびその製造方法 |
| JPH06215346A (ja) * | 1992-12-22 | 1994-08-05 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 磁気記録媒体 |
| JPH11335701A (ja) * | 1998-05-28 | 1999-12-07 | Tosoh Corp | 低酸素金属バナジウム粉末およびその製造方法 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100731832B1 (ko) | 2004-11-24 | 2007-06-25 | 헤래우스 인코포레이티드 | 탄소함유 스퍼터 타겟 합금 조성물 |
| JP2009197334A (ja) * | 2009-05-07 | 2009-09-03 | Toshiba Corp | スパッタリングターゲットの製造方法、それを用いた硬質被膜の形成方法および硬質被膜被覆部材 |
| WO2018131328A1 (ja) * | 2017-01-12 | 2018-07-19 | 日立金属株式会社 | Ｃｒ合金ターゲット材 |
| CN110168129A (zh) * | 2017-01-12 | 2019-08-23 | 日立金属株式会社 | 铬合金靶材 |
| JPWO2018131328A1 (ja) * | 2017-01-12 | 2019-11-07 | 日立金属株式会社 | Ｃｒ合金ターゲット材 |
| US11118248B2 (en) | 2017-01-12 | 2021-09-14 | Hitachi Metals, Ltd. | Cr alloy target material |
| JP7103233B2 (ja) | 2017-01-12 | 2022-07-20 | 日立金属株式会社 | Ｃｒ合金ターゲット材 |
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|---|---|
| JP4491844B2 (ja) | 2010-06-30 |
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