JP5563102B2

JP5563102B2 - 焼結体スパッタリングターゲット

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Publication number: JP5563102B2
Application number: JP2012549709A
Authority: JP
Inventors: 敦佐藤; 祐一郎中村
Original assignee: JX Nippon Mining and Metals Corp
Current assignee: JX Nippon Mining and Metals Corp
Priority date: 2010-12-22
Filing date: 2011-12-02
Publication date: 2014-07-30
Anticipated expiration: 2031-12-02
Also published as: WO2012086388A1; US20130213802A1; TW201229279A; JPWO2012086388A1; CN103270190B; CN103270190A; TWI547581B; MY156203A; SG189256A1

Description

本発明は垂直磁気記録膜の製造に使用される磁性材スパッタリングターゲット、特に磁性層に使用されるＣｏ−Ｃｒ−酸化物系及びＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−酸化物系の磁性材からなる焼結体スパッタリングターゲット及びその製造方法に関する。

ハードディスク装置に代表される磁気記録再生装置の分野では、磁化容易軸を記録面に対し垂直方向に配向させた垂直磁気記録方式が実用化されている。特に垂直磁気記録方式を採用したハードディスク媒体では、高記録密度化と低ノイズ化のために、垂直方向に配向した磁性結晶粒子を非磁性材料で取り囲み、磁性粒子間の磁気的な相互作用を低減したグラニュラー構造を有する磁性膜が開発されている。

上記のグラニュラー構造型磁性膜には、磁性粒子材料としてＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金などのＣｏを主成分とした強磁性合金において、非磁性材料としてＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２などの金属酸化物が一般に用いられている。

また、上記のグラニュラー構造型磁性膜を作製する方法としては、Ｃｏ基合金と非磁性材料からなる複合スパッタリングターゲットをＤＣマグネトロンスパッタ装置にてスパッタリングする方法が知られている。下記に、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金を主成分とする強磁性材料に、非磁性材料を添加した公知文献を掲載する。

一般に、Ｃｏ基合金と非磁性材料からなる複合スパッタリングターゲットは、粉末冶金法によって作製される。これは非磁性材料粒子を合金素地中に均一に分散させる必要があるためである。例えば、急冷凝固法で作製した合金相を持つ合金粉末とセラミックス相を構成する粉末とをメカニカルアロイングし、セラミックス相を構成する粉末を合金粉末中に均一に分散させ、ホットプレスにより成形し磁気記録媒体用スパッタリングターゲットを得る方法が提案されている（特許文献１）。

ところで、上記の複合スパッタリングターゲットをスパッタすると、金属酸化物が金属と酸素に分離し、分解した金属が磁性結晶粒子内に入り込むことで磁気特性が低下してしまうことがある。この問題を解決するために、特許文献２ではコバルト酸化物を適当量含有したスパッタリングターゲットをスパッタすることを提案している。
これはスパッタリング時に分解した金属酸化物の金属元素が、コバルト酸化物が分解して生じた酸素と再結合することにより、安定して金属酸化物が磁性粒子間に偏析する効果を狙ったものである。
特許文献２のターゲットは、Ｃｏ合金と、第１の酸化物を形成するＴｉ酸化物及びＳｉ酸化物と、第２の酸化物を形成するＣｏ酸化物を含み、前記ターゲットの前記第１の酸化物の総量はモル分率で約１２ｍｏｌ％以下であることが記載されているが、これは磁気記録媒体に関する発明で、ターゲットとして有効な組成範囲の規定がない。

下記特許文献３には、Ｃｏ及びＰｔ又はＣｏ、Ｃｒ及びＰｔと、ＳｉＯ_２及び／又はＴｉＯ_２とＣｏ_３Ｏ_４及び/又はＣｏＯとを含有するスパッタリングターゲットが記載されている。この場合、Ｃｏ_３Ｏ_４及び/又はＣｏＯの含有量が０．１〜１０ｍｏｌ％である。原料粉末を１０００°Ｃ以下で焼結することにより、ＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２、Ｃｏ_３Ｏ_４およびＣｏＯ等の酸化物の還元を防止することができ、相対密度を９４％以上とすることが記載されている。
また、１０００°Ｃ以下で焼結することにより、ＣｏＯの還元を防止することができることが開示されているが、スパッタリングターゲット中でＣｏ_３Ｏ_４及び／又はＣｏＯがどの程度残存しているかについての具体的な検討がなされていない。

下記特許文献４には、Ｃｏ合金と、Ｓｉ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｗ，Ｎｂの酸化物からなるグループから選択された１以上の第１の酸化物と、第２の酸化物を構成するＣｏ酸化物を含む磁気記録媒体が記載されているが、ターゲットとして有効な組成範囲の規定がない。

特開平１０−０８８３３３号公報特開２００９−２３８３５７号公報国際公開ＷＯ２０１００７４１７１号公報特開２００９−１７００５２号公報

Ｃｏ−Ｃｒ−酸化物系ターゲット又はＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−酸化物系ターゲットにおいては、酸化物としてＳｉＯ_２やＣｒ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２が一般的に用いられている。
ところが、スパッタ時にターゲット中の金属酸化物が金属と酸素に分離し、分解した金属が磁性結晶粒子内に入り込むことにより磁気特性を低下させることがある。

この問題を解決するために、前述の通り一定量のコバルト酸化物をターゲット中に存在させる方法が提案されている。これは、スパッタリング時に分解した金属酸化物の金属元素が、コバルト酸化物が分解して生じた酸素と再結合することにより、安定して金属酸化物が磁性粒子間に偏析するという現象を狙ったものである。この方法は、従来に比べ大きな効果を生むものであった。

しかしながら、焼結用の粉末にＣｏ酸化物粉を添加し、焼結によりＣｏ−Ｃｒ−酸化物系ターゲット又はＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−酸化物系ターゲットを製造しようとすると、焼結温度によって、ＣｒによってＣｏ酸化物が還元され、Ｃｒ酸化物が形成されてしまうという問題が生じた。これは、ターゲット中のＣｏ酸化物が消失し、Ｃｏ酸化物を残存させるという初期の目的を達成できないことを意味した。

他方、焼結温度を極端に下げればＣｏ酸化物の残存量は増えることになるが、焼結反応が進まずターゲットの密度を十分に高めることは難しくなる。このような低密度ターゲットはスパッタ時にパーティクルが多く発生するなどの問題がある。
本発明は、必要量のコバルト酸化物を残存させると共に、スパッタ時のパーティクル発生が少ない十分な焼結密度を有するＣｏ−Ｃｒ−酸化物系及びＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−酸化物系磁性材ターゲットを提供することを課題とする。

上記の課題を解決するために、本発明者らは鋭意研究を行った結果、混合する粉末を調整することにより、ターゲット中に必要量のＣｏ酸化物を残存させると共に、十分な焼結密度を有する焼結体スパッタリングターゲットが得られることを見出した。

このような知見に基づき、本発明は、
１）金属成分として、Ｃｒ、Ｃｏを含有し、該金属成分の素地中に分散した酸化物からなる焼結体スパッタリングターゲットであって、該スパッタリングターゲットの組織が金属素地中に、Ｃｏ中にＣｏ酸化物が分散した領域（Ａ）と該領域（Ａ）の周縁にＣｒ酸化物を含む領域（Ｄ）を有することを特徴とする焼結体スパッタリングターゲット
２）金属成分として、Ｃｒが０．５ｍｏｌ％以上４５ｍｏｌ％以下を含有することを特徴とする上記１）記載の焼結体スパッタリングターゲット、を提供する。

また、本発明は、
３）金属成分として、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔを含有し、該金属成分の素地中に分散した酸化物からなる焼結体スパッタリングターゲットであって、該スパッタリングターゲットの組織が金属素地中に、Ｃｏ中にＣｏ酸化物が分散した領域（Ａ）若しくはＰｔ中にＣｏ酸化物が分散した領域（Ｂ）又はＣｏ−Ｐｔ中にＣｏ酸化物が分散した領域（Ｃ）と、該領域（Ａ）、（Ｂ）又は（Ｃ）の周縁に、Ｃｒ酸化物を含む領域（Ｄ）を有することを特徴とする焼結体スパッタリングターゲット
４）金属成分として、Ｃｒが０．５ｍｏｌ％以上３０ｍｏｌ％以下、Ｐｔが０．５ｍｏｌ％以上３０ｍｏｌ％以下であることを特徴とする上記３）記載の焼結体スパッタリングターゲット、を提供する。

また、本発明は、
５）前記Ｃｏ酸化物は、ＣｏＯ、Ｃｏ_２Ｏ_３、Ｃｏ_３Ｏ_４のいずれか１種以上であることを特徴とする上記１）〜４）のいずれか一項に記載の焼結体スパッタリングターゲット
６）前記Ｃｏ酸化物がスパッタリングターゲット中に占める体積率として１ｖｏｌ％以上、２０ｖｏｌ％以下であることを特徴とする上記１）〜５）のいずれか一項に記載の焼結体スパッタリングターゲット、を提供する。

また、本発明は、
７）前記焼結体スパッタリングターゲットが、前記領域（Ａ）、（Ｂ）又は（Ｃ）と前記領域（Ｄ）以外の金属素地に分散する酸化物として、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｂ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｅから選択した１種以上の元素の酸化物を含有することを特徴とする上記１）〜６）のいずれか一項に記載の焼結体スパッタリングターゲット、を提供する。

また、本発明は、
８）前記焼結体スパッタリングターゲットが、前記以外の金属成分としてＢ、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｔａ、Ｗ、Ｉｒ、Ａｕから選択した１元素以上を、１５ｍｏｌ％以下含有することを特徴とする上記１）〜７）いずれか一項に記載の焼結体スパッタリングターゲット
９）相対密度が９０％以上であることを特徴とする、上記１）〜８）のいずれか一項に記載の焼結体スパッタリングターゲット、を提供する。

また、本発明は、
１０）金属成分として、Ｃｏ、Ｃｒを含有し、該金属成分の素地中に分散した酸化物からなる焼結体スパッタリングターゲットの製造方法であって、Ｃｏ中にＣｏ酸化物が分散した焼結体を粉砕して得た粉末とＣｏ粉末とＣｒ粉末とを混合して得た混合粉末を加圧焼結することにより、該スパッタリングターゲットの組織が金属素地中に、Ｃｏ中にＣｏ酸化物が分散した領域（Ａ）と該領域（Ａ）の周縁にＣｒ酸化物を含む領域（Ｄ）を有することを特徴とする焼結体スパッタリングターゲットの製造方法
１１）金属成分として、Ｃｒが０．５ｍｏｌ％以上４５ｍｏｌ％以下を含有することを特徴とする上記１０）記載の焼結体スパッタリングターゲットの製造方法、を提供する。

また、本発明は、
１２）金属成分として、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔを含有し、該金属成分の素地中に分散した酸化物からなる焼結体スパッタリングターゲットの製造方法であって、Ｃｏ又はＰｔ若しくはＣｏ−ＰｔにＣｏ酸化物が分散した焼結体を粉砕して得た粉末とＣｏ粉末とＰｔ粉末とＣｒ粉末とを混合して得た混合粉末を加圧焼結することにより、該スパッタリングターゲットの組織が金属素地中に、Ｃｏ中にＣｏ酸化物が分散した領域（Ａ）若しくはＰｔ中にＣｏ酸化物が分散した領域（Ｂ）又はＣｏ−Ｐｔ中にＣｏ酸化物が分散した領域（Ｃ）と、該領域（Ａ）、（Ｂ）又は（Ｃ）の周縁に、Ｃｒ酸化物を含む領域（Ｄ）を有することを特徴とする焼結体スパッタリングターゲットの製造方法
１３）金属成分として、Ｃｒが０．５ｍｏｌ％以上３０ｍｏｌ％以下、Ｐｔが０．５ｍｏｌ％以上３０ｍｏｌ％以下とすることを特徴とする上記１２）記載の焼結体スパッタリングターゲットの製造方法、を提供する。

また、本発明は、
１４）前記Ｃｏ酸化物として、ＣｏＯ、Ｃｏ_２Ｏ_３、Ｃｏ_３Ｏ_４のいずれか１種以上を用いることを特徴とする上記１０）〜１３）のいずれか一項に記載の焼結体スパッタリングターゲットの製造方法
１５）前記Ｃｏ酸化物がスパッタリングターゲット中に占める体積率を１ｖｏｌ％以上、２０ｖｏｌ％以下とすることを特徴とする上記１０）〜１４）のいずれか一項に記載の焼結体スパッタリングターゲットの製造方法、を提供する。

また、本発明は、
１６）焼結用混合粉末として、さらに前記領域（Ａ）、（Ｂ）又は（Ｃ）と前記領域（Ｄ）以外の金属素地に分散する酸化物として、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｂ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｅから選択した１種以上の元素の酸化物を混合して焼結することを特徴とする上記１０）〜１５）のいずれか一項に記載の焼結体スパッタリングターゲットの製造方法、を提供する。

また、本発明は、
１７）前記焼結用金属粉末として、前記以外の金属成分としてＢ、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｔａ、Ｗ、Ｉｒ、Ａｕから選択した１元素以上を、１５ｍｏｌ％以下含有させて焼結することを特徴とする上記１０）〜１６）いずれか一項に記載の焼結体スパッタリングターゲットの製造方法、
１８）焼結体ターゲットの相対密度を９０％以上とすることを特徴とする、上記１０）〜１７）のいずれか一項に記載の焼結体スパッタリングターゲットの製造方法、を提供する。

本発明は、Ｃｏ酸化物が分散した領域（Ａ）若しくは領域（Ｂ）又は領域（Ｃ）を有するＣｏ−Ｃｒ−酸化物系及びＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−酸化物系の焼結体スパッタリングターゲットを提供することができる。Ｃｏ−Ｃｒ系合金又はＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系合金の素地（マトリックス）中に、Ｃｏ中にＣｏ酸化物が分散した領域（Ａ）若しくはＰｔ中にＣｏ酸化物が分散した領域（Ｂ）又はＣｏ−Ｐｔ中にＣｏ酸化物が分散した領域（Ｃ）が分散しており、これらの領域（Ａ）、（Ｂ）又は（Ｃ）の周縁には、焼結中に拡散してきたＣｒとＣｏ酸化物が反応し、Ｃｒ酸化物を含む領域（Ｄ）が形成される。
この場合、焼結原料としてＣｏ中にＣｏ酸化物が分散した焼結体若しくはＰｔ中にＣｏ酸化物が分散した焼結体又はＣｏ−Ｐｔ中にＣｏ酸化物が分散した焼結体を粉砕して得た粉末を使用することにより、焼結反応が十分に進む温度域においても、Ｃｏ酸化物とＣｒの直接的かつ全面的な接触を抑制する、すなわちＣｏが緩衝材となり抑制効果を持つものである。

これによって、焼結体スパッタリングターゲット中に、Ｃｏ酸化物が分散した領域を形成することができる。このように、本発明は、必要量のＣｏ酸化物を残存させると共に、スパッタ時のパーティクル発生が少ない十分な焼結密度を有するＣｏ−Ｃｒ−酸化物系及びＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−酸化物系磁性材ターゲットターゲットを提供することができるという優れた効果を有する。

Ｃｏ中にＣｏＯが分散した焼結体を粉砕して得た粉末の研磨組織を示す顕微鏡写真である。Ｃｒ粉末、Ｃｏ粉末ならびにＣｏ中にＣｏＯが分散した焼結体を粉砕して得た粉末を混合した後、該混合粉末を加圧焼結した代表的な組織写真を示す図である。前記図２の説明図であり、焼結体組織において、Ｃｏ中にＣｏＯが分散した領域（Ａ）とその周縁に、Ｃｒ酸化物を含む領域（Ｄ）が存在する様子を示す説明図である。

本発明の焼結体スパッタリングターゲットは、金属成分として、Ｃｏ、Ｃｒを含有し、該金属成分の素地中に分散した酸化物からなる焼結体スパッタリングターゲット又は金属成分として、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔを含有し、該金属成分の素地中に分散した酸化物からなる焼結体スパッタリングターゲットからなり、該スパッタリングターゲットの組織が、金属素地中に、Ｃｏ中にＣｏ酸化物が分散した領域（Ａ）若しくはＰｔ中にＣｏ酸化物が分散した領域（Ｂ）又はＣｏ−Ｐｔ（合金）中にＣｏ酸化物が分散した領域（Ｃ）と、これらの領域（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）の周囲にＣｒ酸化物を含む領域（Ｄ）を有する焼結体スパッタリングターゲットである。

本発明のスパッタリングターゲットの組成を、前述の組成範囲に限定する理由は、垂直磁気記録方式を採用したハードディスク媒体の磁性層材料として好ましい組成となることを考慮したためである。また、スパッタリングターゲットの組織が金属素地（マトリックス）中に、Ｃｏ中にＣｏ酸化物が分散した領域（Ａ）若しくはＰｔ中にＣｏ酸化物が分散した領域（Ｂ）又はＣｏ−Ｐｔ（合金）中にＣｏ酸化物が分散した領域（Ｃ）及びＣｒ酸化物を含む領域（Ｄ）を有することにより、本発明のスパッタリングターゲットを用いて作製された磁性層は垂直磁気記録媒体として良好なグラニュラー構造を持つ。
Ｃｏ中にＣｏ酸化物が分散した領域（Ａ）若しくはＰｔ中にＣｏ酸化物が分散した領域（Ｂ）又はＣｏ−Ｐｔ中にＣｏ酸化物が分散した領域（Ｃ）の存在は、本発明の焼結体スパッタリングターゲットにおける重要な構成要件である。そして、前記領域（Ａ）、（Ｂ）又は（Ｃ）の周囲にＣｒ酸化物を含む領域（Ｄ）を有することが、本発明の大きな特徴である。

このように、Ｃｏ中にＣｏ酸化物が分散した領域（Ａ）若しくはＰｔ中にＣｏ酸化物が分散した領域（Ｂ）又はＣｏ−Ｐｔ中にＣｏ酸化物が分散した領域（Ｃ）の周縁には、焼結中に拡散してきたＣｒとＣｏ酸化物が反応し、Ｃｒ酸化物を含む領域（Ｄ）が形成される。この領域（Ｄ）において、Ｃｒ酸化物は必ずしも均一に分散して形成されるわけではない。Ｃｒの拡散によるＣｒ酸化物の形成は、原料粉末の種類、焼結条件によって変化する可能性があるからである。
しかし、焼結原料としてＣｏ若しくはＰｔ又はＣｏ−Ｐｔ（合金）中にＣｏ酸化物が分散した焼結体を粉砕して得た粉末を使用することにより、焼結反応が十分に進む温度域においても、Ｃｏ酸化物とＣｒの直接的かつ全面的な接触を抑制することができ、最終的には前記領域（Ａ）、（Ｂ）又は（Ｃ）の周縁に、領域（Ｄ）が周縁を取り囲む構造を持つようになる。

焼結条件によっては、Ｃｒの拡散により、領域（Ａ）、（Ｂ）又は（Ｃ）が消失することにもなるが、このような過度な焼結は避けなければならない。ターゲット中に必要量のＣｏ酸化物を残存させることが、本願発明の目的だからである。
これらの領域（Ａ）、（Ｂ）又は（Ｃ）の形状、又は領域（Ａ）、（Ｂ）又は（Ｃ）の周縁に形成された（Ｄ）との２層の形状は、図２に示すように断面が、円形（立体的には球状）、楕円形のもの、島状、アメーバー状の異形状（形が特定されない）のものも存在するが、本発明は、これらを全て包含する。

本発明のスパッタリングターゲットは粉末焼結法によって作製されるため、上記の各領域は必ずしも明確に分離することができない場合もあるが、上記の形態を有する組織を、本発明のスパッタリングターゲットにおいて観察することができる。
焼結時の相互拡散や原料粉末中に含まれる微量不純物の影響で、Ｃｏ中にＣｏ酸化物が分散した領域（Ａ）若しくはＰｔ中にＣｏ酸化物が分散した領域（Ｂ）又はＣｏ−Ｐｔ中にＣｏ酸化物が分散した領域（Ｃ）において、Ｃｏ又はＰｔ以外の元素やＣｏ酸化物以外の酸化物が確認される場合もあるが、領域（Ａ）の主な構成要素はＣｏとＣｏ酸化物であり、これらが主たる成分として含有されているならば、多少の混入は無視できるものであり、本願発明はこれらを包含するものである。

前記Ｃｏ酸化物としては、ＣｏＯ、Ｃｏ_２Ｏ_３、Ｃｏ_３Ｏ_４のいずれか１種以上を用いることができる。このＣｏ酸化物の存在形態は、特に問題となることはない。前記の通り、Ｃｏ酸化物が存在することは、上記の通り磁性材の成膜から見て望ましいことであり、スパッタリングターゲット中に占める体積率は１ｖｏｌ％以上、２０ｖｏｌ％以下とすることが良い。この体積率は１ｖｏｌ％未満では、その効果を上げるのが難しく、また２０ｖｏｌ％を超える場合には、Ｃｏ酸化物を特別な条件として存続させることが難しく、また磁気記録膜としての特性を損なうおそれがあるので、上記の範囲とするのが望ましいと言える。

垂直磁気記録膜の製造に使用される磁性材スパッタリングターゲットとしては、Ｃｏ酸化物及びＣｒ酸化物以外の酸化物として、Ｂ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｅから選択した１種以上の元素の酸化物を添加することができる。
これらの酸化物はコバルト酸化物より標準生成自由エネルギーが大きく、スパッタ時にコバルト酸化物が分解して生じた酸素と再結合して酸化物となって粒界に析出するため、磁性層の材料として好適である。

酸化物の添加量としては、Ｃｏ酸化物及びＣｒ酸化物も含めてスパッタリングターゲット中に占める体積率で４０ｖｏｌ％以下含有させることが望ましい。これは４０ｖｏｌ％を越えると垂直磁気記録膜用のスパッタリングターゲットとしての特性を低下させる傾向を持つので、上記範囲が好ましい条件と言える。

さらに、添加元素としてＢ、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｔａ、Ｗ、Ｉｒ、Ａｕから選択した１元素以上を、スパッタリングターゲットにおける金属成分の配合比として１５ｍｏｌ％以下含有させることができる。これらはＣｏ、Ｃｒ、Ｐｔと共に、垂直磁気記録膜の製造に使用される磁性材として有効な成分であり、これらの元素は磁気記録膜の特性を、さらに向上させるために、必要に応じて添加されるものである。

本発明のスパッタリングターゲットは、密度不足によるパーティクル発生を抑制するために、ターゲットの相対密度を９０％以上とすることができる。より好ましくは９５％以上であり、本発明は、このように相対密度を向上させることが可能である。

ここでの相対密度とは、スパッタリングターゲットの実測密度を計算密度（理論密度ともいう）で割り返して求めた値である。計算密度とはターゲットの構成成分が互いに拡散あるいは反応せずに混在していると仮定したときの密度で、次式で計算される。
式：計算密度＝Σ（構成成分の分子量×構成成分のモル比）／Σ（構成成分の分子量×構成成分のモル比／構成成分の文献値密度）
ここでΣは、ターゲットの構成成分の全てについて、和をとることを意味する。なお、スパッタリングターゲットの実測密度はアルキメデス法で測定される。

本発明のスパッタリングターゲットは粉末焼結法により作製される。出発原料として、事前に作製したＣｏ又はＰｔ又はＣｏ−Ｐｔ（合金）中にＣｏ酸化物が分散した焼結体を粉砕して得た粉末を用いる。この粉砕粉の平均粒径は、３０〜２００μｍとすることが望ましい。さらに組成調整用として平均粒径が２０μｍ以下の金属（Ｃｏ、Ｐｔ、Ｃｒ、添加元素）粉末を用いることができる。また、単元素の金属粉末だけでなく、合金粉末を用いることもできる。その場合も平均粒径が２０μｍ以下とすることが望ましい。金属粉末の平均粒径が２０μｍ以上の場合、焼結時に焼結の駆動力が少なく焼結体の密度が上がりにくいといった問題が生じるからである。

一方、粒径が小さ過ぎると、金属粉末の酸化が促進されて成分組成が範囲内に入らないなどの問題があるため、０．５μｍ以上とすることがさらに望ましい。
これらは、成分組成及び焼結条件（温度、圧力）によって調整すべきもので、通常行われる好適な範囲である。したがって、上記サイズ以外にすることが当然可能であることは、容易に理解されるべきものである。

Ｃｏ酸化物以外の酸化物粉末としては金属中に微細分散させる必要があるため、最大粒径が５μｍ以下のものを用いることが望ましい。一方、粒径が小さ過ぎると凝集しやすくなるため、０．１μｍ以上のものを用いることがさらに望ましい。

まず、上記のＣｏ又はＰｔ若しくはＣｏ−Ｐｔ（合金）中にＣｏ酸化物が分散した焼結体を粉砕して得た粉末、金属粉末及び必要に応じて酸化物粉末を、所望の組成になるように秤量する。次に秤量した粉末をボールミルやミキサーなど既知の方法で混合する。こうして得られた混合粉末をホットプレスで成型・焼結する。ホットプレス以外にも、プラズマ放電焼結法、熱間静水圧焼結法を使用することもできる。
焼結時の保持温度は、８００〜１２００°Ｃの範囲に設定する。好ましくは８５０〜１１００°Ｃである。以上の工程により、本発明のスパッタリングターゲット用焼結体を製造することができる。

ここで、Ｃｏ中にＣｏ酸化物（ＣｏＯ）が分散した焼結体を粉砕して得た粉末の研磨組織の顕微鏡写真を図１に示す。この図１において、粒子の白い素地（マトリックス）はＣｏを示し、やや黒っぽく見える片状の部分は、ＣｏＯを示す。このように、Ｃｏ素地中にＣｏＯが分散している。Ｐｔ中にＣｏ酸化物が分散した焼結体を粉砕して得た粉末又はＣｏ−Ｐｔ（合金）中にＣｏ酸化物が分散した焼結体を粉砕して得た粉末も、同様の組織を有している。

図１に示した粉末とＣｒ粉末とＣｏ粉末を混合した後、該混合粉末を加圧焼結した代表的な組織写真を図２に示す。また、この説明図を、図３に示す。
図２及び図３に示すように、焼結体組織はＣｏ中にＣｏＯが分散した領域（Ａ）を有している。そして、該領域（Ａ）の周縁にＣｒ酸化物を含む領域（Ｄ）が観察される。
このＣｒ酸化物を含む領域（Ｄ）は、焼結過程で元のＣｏ中にＣｏＯが分散した原料粉中のＣｏＯが、その周囲から拡散してきたＣｒにより還元され新たに形成されたものである。このＣｒ酸化物を含む領域（Ｄ）の厚さは、焼結温度が高く焼結時間が長い場合には厚くなり、最後にはＣｏにＣｏＯが分散した領域（Ａ）が消失する。

このＣｏ酸化物が分散した領域（Ａ）の消失は好ましいことではない。なぜなら上記に述べたように、スパッタリング時に分解した金属酸化物の金属元素が、コバルト酸化物が分解して生じた酸素と再結合することにより、安定して金属酸化物が磁性粒子間に偏析するという効果を得ることができないことを意味するからである。
前記図２及び図３では、Ｃｏ中にＣｏ酸化物が分散した領域（Ａ）を有するので、好ましい形態と言える。
上記については、焼結体スパッタリングターゲットの組織が、金属素地中にＣｏにＣｏＯが分散した領域（Ａ）を有している場合について説明したが、焼結体スパッタリングターゲット組織が、Ｐｔ中にＣｏ酸化物が分散した領域（Ｂ）を有している又はＣｏ−Ｐｔ中にＣｏ酸化物が分散した領域（Ｃ）を有している場合も、同様の組織と機能を有している。

以下、実施例及び比較例に基づいて説明する。なお、本実施例はあくまで一例であり、この例によって何ら制限されるものではない。すなわち、本発明は特許請求の範囲によってのみ制限されるものであり、本発明に含まれる実施例以外の種々の変形を包含するものである。

（実施例１）
（Ｃｏ−Ｃｒ−Ｃｒ_２Ｏ_３−ＣｏＯスパッタリングターゲットの製造において、Ｃｏ−ＣｏＯ粉を使用した場合）
金属粉末として平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末を、さらにＣｏ中にＣｏＯが分散した焼結体を粉砕して得た平均粒径１５０μｍのＣｏ−ＣｏＯ粉末（組成：Ｃｏ−２５ｍｏｌ％ＣｏＯ）を用意した。
これらの粉末を以下の重量比で合計重量が１８３６．１ｇとなるように秤量した。
重量比：２５．３９Ｃｏ−１２．０６Ｃｒ−６２．５５（Ｃｏ−ＣｏＯ）[ｗｔ％]
また、このときの重量比を分子量比で表すと以下のとおりであった。
分子量比：７１Ｃｏ−１４Ｃｒ−１５ＣｏＯ[ｍｏｌ％]

次に、秤量した金属粉末を粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、２時間回転させて混合・粉砕した。さらに、ボールミルから取り出した混合粉末をＣｏ−ＣｏＯ粉末とともにボール容量約７リットルの遊星運動型ミキサーで１０分間混合した。そして遊星運動型ミキサーから取り出した混合粉末をカーボン製の型に充填しホットプレスした。
ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１０５０°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時から保持終了まで３０ＭＰａで加圧した。
また保持終了後は自然冷却させた。こうして作製された焼結体を旋盤で切削加工して直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のスパッタリングターゲットを得た。

このときのスパッタリングターゲットの相対密度は９７．５％であった。またスパッタリングターゲットから採取した小片をＩＣＰ発光分光分析装置で組成分析し、その分析結果をもとにスパッタリングターゲットの組成を計算したところ、以下の通りであった。
７９．２３Ｃｏ−９．５６Ｃｒ−３．０１Ｃｒ_２Ｏ_３−８．２０ＣｏＯ[ｍｏｌ％]
ターゲット組成から算出したＣｏ酸化物の体積率は、１２．３ｖｏｌ％であった。またスパッタリングターゲットの一部を切り出し、その断面を研磨して組織を観察したところ、Ｃｏ中にＣｏＯが分散した領域（Ａ）とその周囲にＣｒ酸化物を含む領域（Ｄ）が観察された。
以上の結果から、実施例１ではＣｏＯがスパッタリングターゲット中に、一定量残存していることを確認した。

（比較例１）
（Ｃｏ−Ｃｒ−Ｃｒ_２Ｏ_３−ＣｏＯスパッタリングターゲットの製造において、Ｃｏ−ＣｏＯ粉を使用しない場合）
金属粉末として平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末を、酸化物粉末として平均粒径１μｍのＣｏＯ粉末を用意した。これらの粉末を以下の重量比で合計重量が１８３６．１ｇとなるように秤量した。
重量比：６９．３２Ｃｏ−１２．０６Ｃｒ−１８．６２ＣｏＯ[ｗｔ％]
また、このときの重量比を分子量比で表すと以下のとおりであった。
分子量比：７１Ｃｏ−１４Ｃｒ−１５ＣｏＯ[ｍｏｌ％]

次に、秤量した金属粉末と酸化物粉末を粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、２時間回転させて混合・粉砕した。そしてボールミルからから取り出した混合粉末をカーボン製の型に充填しホットプレスした。
ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１０５０°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時から保持終了まで３０ＭＰａで加圧した。
また保持終了後は自然冷却させた。こうして作製された焼結体を旋盤で切削加工して直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のスパッタリングターゲットを得た。

このときのスパッタリングターゲットの相対密度は９８．１％であった。またターゲットから採取した小片をＩＣＰ発光分光分析装置で組成分析し、その分析結果をもとにスパッタリングターゲットの組成を計算したところ、以下の通りであった。
９０．５２Ｃｏ−４．０５Ｃｒ−５．３５Ｃｒ_２Ｏ_３−０．０８ＣｏＯ[ｍｏｌ％]
ターゲット組成から算出したＣｏ酸化物の体積率は、０．１ｖｏｌ％であった。またスパッタリングターゲットの一部を切り出し、その断面を研磨して組織を観察したところ、Ｃｏ−Ｃｒ合金素地中にＣｒ酸化物が均一に分散した組織となっていて、ＣｏＯの存在は明確に確認できなかった。
以上の結果から、比較例１ではＣｏＯがスパッタリングターゲット中では分解しほとんど残存していないことを確認した。

（実施例２）
（Ｃｏ−Ｃｒ−ＳｉＯ_２−Ｃｒ_２Ｏ_３−ＣｏＯスパッタリングターゲットの製造において、Ｃｏ−ＣｏＯ粉を使用した場合）
金属粉末として平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末、酸化物粉末として平均粒径１μｍのＳｉＯ_２粉末を、さらにＣｏ中にＣｏＯが分散した焼結体を粉砕して得た平均粒径１５０μｍのＣｏ−ＣｏＯ粉末（組成：Ｃｏ−２５ｍｏｌ％ＣｏＯ）を用意した。
これらの粉末を以下の重量比で合計重量が１５１３．４ｇとなるように秤量した。
秤量比：５０．８７Ｃｏ−１３．２０Ｃｒ−６．１０ＳｉＯ_２−２９．８３（Ｃｏ−ＣｏＯ）[ｗｔ％]
また、このときの重量比を分子量比で表すと以下のとおりであった。
分子量比：７２Ｃｏ−１５Ｃｒ−６ＳｉＯ_２−７ＣｏＯ[ｍｏｌ％]

次に、秤量した金属粉末と酸化物粉末を粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、２０時間回転させて混合・粉砕した。さらに、ボールミルから取り出した混合粉末をＣｏ−ＣｏＯ粉末とともにボール容量約７リットルの遊星運動型ミキサーで１０分間混合した。そして遊星運動型ミキサーから取り出した混合粉末をカーボン製の型に充填しホットプレスした。
ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１１００°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時から保持終了まで３０ＭＰａで加圧した。
また保持終了後は自然冷却させた。こうして作製された焼結体を旋盤で切削加工して直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のスパッタリングターゲットを得た。

このときのスパッタリングターゲットの相対密度は９６．３％であった。またスパッタリングターゲットから採取した小片をＩＣＰ発光分光分析装置で組成分析し、その分析結果をもとにスパッタリングターゲットの組成を計算したところ、以下の通りであった。
７６．８３Ｃｏ−１２．１Ｃｒ−５．９７ＳｉＯ_２−１．１２Ｃｒ_２Ｏ_３−３．９８ＣｏＯ[ｍｏｌ％]
ターゲット組成から算出したＣｏ酸化物の体積率は、５．５ｖｏｌ％であった。またスパッタリングターゲットの一部を切り出し、その断面を研磨して組織を観察したところ、Ｃｏ中にＣｏＯが分散した領域（Ａ）とその周囲にＣｒ酸化物を含む領域（Ｄ）が観察された。
以上の結果から、実施例２ではＣｏＯがスパッタリングターゲット中に、一定量残存していることを確認した

（比較例２）
（Ｃｏ−Ｃｒ−ＳｉＯ_２−Ｃｒ_２Ｏ_３−ＣｏＯスパッタリングターゲットの製造において、Ｃｏ−ＣｏＯ粉を使用しない場合）
比較例２では金属粉末として平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末を、酸化物粉末として平均粒径１μｍのＳｉＯ_２粉末、平均粒径1μｍのＣｏＯ粉末を用意した。これらの粉末を以下の重量比で合計重量が１５１３．４ｇとなるように秤量した。秤量比：７１．８２Ｃｏ−１３．２０Ｃｒ−６．１０ＳｉＯ_２−８．８８ＣｏＯ[ｗｔ％] また、このときの重量比を分子量比で表すと以下のとおりであった。
分子量比：７２Ｃｏ−１５Ｃｒ−６ＳｉＯ_２−７ＣｏＯ[ｍｏｌ％]

次に、秤量した粉末を粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、２０時間回転させて混合・粉砕した。次にボールミルから取り出した混合粉末をカーボン製の型に充填しホットプレスした。
ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１１００°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時から保持終了まで３０ＭＰａで加圧した。また保持終了後は自然冷却させた。こうして作製された焼結体を旋盤で切削加工して直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のスパッタリングターゲットを得た。

このときのスパッタリングターゲットの相対密度は９６．９％であった。またスパッタリングターゲットから採取した小片をＩＣＰ発光分光分析装置で組成分析し、その分析結果をもとにスパッタリングターゲットの組成を計算したところ、以下の通りであった。
８０．８０Ｃｏ−１０．５Ｃｒ−６．１２ＳｉＯ_２−２．５１Ｃｒ_２Ｏ_３−０．０７ＣｏＯ[ｍｏｌ％]
ターゲット組成から算出したＣｏ酸化物の体積率は、０．１ｖｏｌ％であった。またスパッタリングターゲットの一部を切り出し、その断面を研磨して組織を観察したところ、Ｃｏ−Ｃｒ合金素地中にＳｉＯ_２とＣｒ酸化物が均一に分散した組織となっていて、ＣｏＯの存在は明確に確認できなかった。
以上の結果から、比較例２ではスパッタリングターゲット中にＣｏＯがほとんど残っていないことが確認された。

（実施例３）
（Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−ＳｉＯ_２−Ｃｒ_２Ｏ_３−ＣｏＯスパッタリングターゲットの製造において、Ｃｏ−ＣｏＯ粉を使用した場合）
金属粉末として平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末、平均粒径３μｍのＰｔ粉末を、酸化物粉末として平均粒径１μｍのＳｉＯ_２粉末を、さらにＣｏ中にＣｏＯが分散した焼結体を粉砕して得た平均粒径１５０μｍのＣｏ−ＣｏＯ粉末（組成：Ｃｏ−２５ｍｏｌ％ＣｏＯ）を用意した。
これらの粉末を以下の重量比で合計重量が１８６４．６ｇとなるように秤量した。
秤量比：３０．４８Ｃｏ−１０．３４Ｃｒ−３１．０４Ｐｔ−４．７８ＳｉＯ_２−２３．３６（Ｃｏ−ＣｏＯ）[ｗｔ％]
また、このときの重量比を分子量比で表すと以下のとおりであった。
分子量比：６０Ｃｏ−１５Ｃｒ−１２Ｐｔ−６ＳｉＯ_２−７ＣｏＯ[ｍｏｌ％]

このときのスパッタリングターゲットの相対密度は９５．８％であった。またスパッタリングターゲットから採取した小片をＩＣＰ発光分光分析装置で組成分析し、その分析結果をもとにスパッタリングターゲットの組成を計算したところ、以下の通りであった。
６３．７４Ｃｏ−１２．９２Ｃｒ−１２．１３Ｐｔ−６．０７ＳｉＯ_２−１．１２Ｃｒ_２Ｏ_３−４．０２ＣｏＯ[ｍｏｌ％]
ターゲット組成から算出したＣｏ酸化物の体積率は、５．４ｖｏｌ％であった。またスパッタリングターゲットの一部を切り出し、その断面を研磨して組織を観察したところ、Ｃｏ中にＣｏＯが分散した領域（Ａ）とその周囲にＣｒ酸化物を含む領域（Ｄ）が観察された。
以上の結果から、実施例３ではＣｏＯがスパッタリングターゲット中に、一定量残存していることを確認した

（実施例４）
（Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−ＳｉＯ_２−Ｃｒ_２Ｏ_３−ＣｏＯスパッタリングターゲットの製造において、Ｐｔ−ＣｏＯ粉を使用した場合）
金属粉末として平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末、平均粒径３μｍのＰｔ粉末を、酸化物粉末として平均粒径１μｍのＳｉＯ_２粉末を、さらにＰｔ中にＣｏＯが分散した焼結体を粉砕して得た平均粒径１５０μｍのＰｔ−ＣｏＯ粉末（組成：Ｐｔ−４０ｍｏｌ％ＣｏＯ）を用意した。
これらの粉末を以下の重量比で合計重量が１８６４．６ｇとなるように秤量した。
秤量比：４６．８９Ｃｏ−１０．３４Ｃｒ−３．８８Ｐｔ−４．７８ＳｉＯ_２−３４．１１（Ｐｔ−ＣｏＯ）[ｗｔ％]
また、このときの重量比を分子量比で表すと以下のとおりであった。
分子量比：６０Ｃｏ−１５Ｃｒ−１２Ｐｔ−６ＳｉＯ_２−７ＣｏＯ[ｍｏｌ％]

次に、秤量した金属粉末と酸化物粉末を粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、２０時間回転させて混合・粉砕した。さらに、ボールミルから取り出した混合粉末をＰｔ−ＣｏＯ粉末とともにボール容量約７リットルの遊星運動型ミキサーで１０分間混合した。そして遊星運動型ミキサーから取り出した混合粉末をカーボン製の型に充填しホットプレスした。
ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１１００°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時から保持終了まで３０ＭＰａで加圧した。
また保持終了後は自然冷却させた。こうして作製された焼結体を旋盤で切削加工して直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のスパッタリングターゲットを得た。

このときのスパッタリングターゲットの相対密度は９６．１％であった。またスパッタリングターゲットから採取した小片をＩＣＰ発光分光分析装置で組成分析し、その分析結果をもとにスパッタリングターゲットの組成を計算したところ、以下の通りであった。
６３．２９Ｃｏ−１２．９９Ｃｒ−１２．１３Ｐｔ−６．００ＳｉＯ_２−１．０２Ｃｒ_２Ｏ_３−４．５７ＣｏＯ[ｍｏｌ％]
ターゲット組成から算出したＣｏ酸化物の体積率は、６．１ｖｏｌ％であった。またスパッタリングターゲットの一部を切り出し、その断面を研磨して組織を観察したところ、Ｐｔ中にＣｏＯが分散した領域（Ｂ）とその周囲にＣｒ酸化物を含む領域（Ｄ）が観察された。
以上の結果から、実施例４ではＣｏＯがスパッタリングターゲット中に、一定量残存していることを確認した。

（実施例５）
（Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−ＳｉＯ_２−Ｃｒ_２Ｏ_３−ＣｏＯスパッタリングターゲットの製造において、Ｃｏ−Ｐｔ−ＣｏＯ粉を使用した場合）
金属粉末として平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末、平均粒径３μｍのＰｔ粉末を、酸化物粉末として平均粒径１μｍのＳｉＯ_２粉末を、さらにＣｏ−Ｐｔ合金中にＣｏＯが分散した焼結体を粉砕して得た平均粒径１５０μｍのＣｏ−Ｐｔ−ＣｏＯ粉末（組成：３７．５Ｃｏ−３７．５Ｐｔ−２５ＣｏＯ[ｍｏｌ％]）を用意した。
これらの粉末を以下の重量比で合計重量が１８６４．６ｇとなるように秤量した。
秤量比：３８．６８Ｃｏ−１０．３４Ｃｒ−３．８８Ｐｔ−４．７８ＳｉＯ_２−４２．３２（Ｃｏ−Ｐｔ−ＣｏＯ）[ｗｔ％]
また、このときの重量比を分子量比で表すと以下のとおりであった。
分子量比：６０Ｃｏ−１５Ｃｒ−１２Ｐｔ−６ＳｉＯ_２−７ＣｏＯ[ｍｏｌ％]

次に、秤量した金属粉末と酸化物粉末を粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、２０時間回転させて混合・粉砕した。さらに、ボールミルから取り出した混合粉末をＣｏ−Ｐｔ−ＣｏＯ粉末とともにボール容量約７リットルの遊星運動型ミキサーで１０分間混合した。そして遊星運動型ミキサーから取り出した混合粉末をカーボン製の型に充填しホットプレスした。
ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１１００°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時から保持終了まで３０ＭＰａで加圧した。
また保持終了後は自然冷却させた。こうして作製された焼結体を旋盤で切削加工して直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のスパッタリングターゲットを得た。

このときのスパッタリングターゲットの相対密度は９６．１％であった。またターゲットから採取した小片をＩＣＰ発光分光分析装置で組成分析し、その分析結果をもとにスパッタリングターゲットの組成を計算したところ、以下の通りであった。
６３．８３Ｃｏ−１２．６７Ｃｒ−１２．０８Ｐｔ−６．０３ＳｉＯ_２−１．１８Ｃｒ_２Ｏ_３−４．２１ＣｏＯ[ｍｏｌ％]
ターゲット組成から算出したＣｏ酸化物の体積率は、５．６ｖｏｌ％であった。またスパッタリングターゲットの一部を切り出し、その断面を研磨して組織を観察したところ、Ｃｏ−Ｐｔ中にＣｏＯが分散した領域（Ｃ）とその周囲にＣｒ酸化物を含む領域（Ｄ）が観察された。
以上の結果から、実施例５ではＣｏＯがスパッタリングターゲット中に、一定量残存していることを確認した。

（比較例３）
（Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−ＳｉＯ_２−Ｃｒ_２Ｏ_３−ＣｏＯスパッタリングターゲットの製造において、Ｃｏ−ＣｏＯ粉、Ｐｔ−ＣｏＯ粉、Ｃｏ−Ｐｔ−ＣｏＯ粉を使用しない場合）
比較例３では金属粉末として平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末、平均粒径３μｍのＰｔ粉末を、酸化物粉末として平均粒径１μｍのＳｉＯ_２粉末、平均粒径1μｍのＣｏＯ粉末を用意した。これらの粉末を以下の重量比で合計重量が１８６４．６ｇとなるように秤量した。
秤量比：４６．８９Ｃｏ−１０．３４Ｃｒ−３１．０４Ｐｔ−４．７８ＳｉＯ_２−６．９５ＣｏＯ[ｗｔ％]
また、このときの重量比を分子量比で表すと以下のとおりであった。
分子量比：６０Ｃｏ−１５Ｃｒ−１２Ｐｔ−６ＳｉＯ_２−７ＣｏＯ[ｍｏｌ％]

このときのスパッタリングターゲットの相対密度は９６．５％であった。またスパッタリングターゲットから採取した小片をＩＣＰ発光分光分析装置で組成分析し、その分析結果をもとにスパッタリングターゲットの組成を計算したところ、以下の通りであった。
６８．６３Ｃｏ−１０．４８Ｃｒ−１２．３０Ｐｔ−６．１０ＳｉＯ_２−２．４６Ｃｒ_２Ｏ_３−０．０３ＣｏＯ［ｍｏｌ％］
ターゲット組成から算出したＣｏ酸化物の体積率は、０．０４ｖｏｌ％であった。またスパッタリングターゲットの一部を切り出し、その断面を研磨して組織を観察したところ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ素地中にＳｉＯ_２とＣｒ酸化物が均一に分散した組織となっていて、ＣｏＯの存在は明確に確認できなかった。
以上の結果から、比較例３ではスパッタリングターゲット中にＣｏＯがほとんど残っていないことが確認された。

（実施例６）
（Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｗ−ＳｉＯ_２−Ｃｒ_２Ｏ_３−ＣｏＯスパッタリングターゲットの製造においてＣｏ−ＣｏＯを使用した場合）
金属粉末として平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末、平均粒径３μｍのＰｔ粉末、平均粒径２μｍのＷ粉末を、酸化物粉末として平均粒径１μｍのＳｉＯ_２粉末を、さらにＣｏ中にＣｏＯが分散した焼結体を粉砕して得た平均粒径１５０μｍのＣｏ−ＣｏＯ粉末（組成：Ｃｏ−２５ｍｏｌ％ＣｏＯ）を用意した。
これらの粉末を以下の重量比で合計重量が１９４０．６ｇとなるように秤量した。
秤量比：２７．５２Ｃｏ−９．１９Ｃｒ−２９．５４Ｐｔ−６．９６Ｗ−４．５５ＳｉＯ_２−２２．２４（Ｃｏ−ＣｏＯ）[ｗｔ％]
また、このときの重量比を分子量比で表すと以下のとおりであった。
分子量比：５８Ｃｏ−１４Ｃｒ−１２Ｐｔ−３Ｗ−６ＳｉＯ_２−７ＣｏＯ[ｍｏｌ％]

次に、秤量した金属粉末と酸化物粉末を粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、２０時間回転させて混合・粉砕した。さらに、ボールミルから取り出した混合粉末をＣｏ−ＣｏＯ粉末とともにボール容量約７リットルの遊星運動型ミキサーで１０分間混合した。そして遊星運動型ミキサーから取り出した混合粉末をカーボン製の型に充填しホットプレスした。
ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１１００°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時から保持終了まで３０ＭＰａで加圧した。
また保持終了後は自然冷却させた。こうして作製された焼結体を旋盤で切削加工して直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のターゲットを得た。

このときのスパッタリングターゲットの相対密度は９７．３％であった。またターゲットから採取した小片をＩＣＰ発光分光分析装置で組成分析し、その分析結果をもとにスパッタリングターゲットの組成を計算したところ、以下の通りであった。
６１．２６Ｃｏ−１２．２２Ｃｒ−１２．１４Ｐｔ−２．９８Ｗ−６．０３ＳｉＯ_２−０．９６Ｃｒ_２Ｏ_３−４．４１ＣｏＯ[ｍｏｌ％]
ターゲット組成から算出したＣｏ酸化物の体積率は、５．８ｖｏｌ％であった。またスパッタリングターゲットの一部を切り出し、その断面を研磨して組織を観察したところ、Ｃｏ中にＣｏＯが分散した領域（Ａ）とその周囲にＣｒ酸化物を含む領域（Ｄ）が観察された。
以上の結果から、実施例６ではＣｏＯがスパッタリングターゲット中に、一定量残存していることを確認した

（比較例４）
（Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｗ−ＳｉＯ_２−Ｃｒ_２Ｏ_３−ＣｏＯスパッタリングターゲットの製造においてＣｏ−ＣｏＯを使用しない場合）
比較例４では金属粉末として平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末、平均粒径３μｍのＰｔ粉末、平均粒径２μｍのＷ粉末を、酸化物粉末として平均粒径１μｍのＳｉＯ_２粉末、平均粒径1μｍのＣｏＯ粉末を用意した。これらの粉末を以下の重量比で合計重量が１９４０．６ｇとなるように秤量した。
秤量比：４３．１４Ｃｏ−９．１９Ｃｒ−２９．５４Ｐｔ−６．９６Ｗ−４．５５ＳｉＯ_２−６．６２ＣｏＯ[ｗｔ％]
また、このときの重量比を分子量比で表すと以下のとおりであった。
分子量比：５８Ｃｏ−１４Ｃｒ−１２Ｐｔ−３Ｗ−６ＳｉＯ_２−７ＣｏＯ[ｍｏｌ％]

このときのスパッタリングターゲットの相対密度は９７．８％であった。またスパッタリングターゲットから採取した小片をＩＣＰ発光分光分析装置で組成分析し、その分析結果をもとにスパッタリングターゲットの組成を計算したところ、以下の通りであった。
６６．５９Ｃｏ−９．４０Ｃｒ−１２．２５Ｐｔ−３．０２Ｗ−６．１０ＳｉＯ_２−２．５５Ｃｒ_２Ｏ_３−０．０９ＣｏＯ[ｍｏｌ％]
ターゲット組成から算出したＣｏ酸化物の体積率は、０．１ｖｏｌ％であった。またスパッタリングターゲットの一部を切り出し、その断面を研磨して組織を観察したところ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｗ素地中にＳｉＯ_２とＣｒ酸化物が均一に分散した組織となっていて、ＣｏＯの存在は明確に確認できなかった。
以上の結果から、比較例４ではスパッタリングターゲット中にＣｏＯがほとんど残っていないことが確認された。

（実施例７）
（Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｒｕ−ＴｉＯ_２−ＳｉＯ_２−Ｃｒ_２Ｏ_３−ＣｏＯスパッタリングターゲットの製造においてＣｏ−ＣｏＯを使用した場合）
金属粉末として平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末、平均粒径３μｍのＰｔ粉末、平均粒径５μｍのＲｕ粉末を、酸化物粉末として平均粒径１μｍのＴｉＯ_２、平均粒径１μｍのＳｉＯ_２を、さらにＣｏ中にＣｏＯが分散した焼結体を粉砕して得た平均粒径１５０μｍのＣｏ−ＣｏＯ粉末（組成：Ｃｏ−２５ｍｏｌ％ＣｏＯ）を用意した。
これらの粉末を以下の重量比で合計重量が１９３５．３ｇとなるように秤量した。
秤量比：２８．２６Ｃｏ−９．４４Ｃｒ−３０．３４Ｐｔ−３．９３Ｒｕ−２．０７ＴｉＯ_２−３．１２ＳｉＯ_２−２２．８４（Ｃｏ−ＣｏＯ）[ｗｔ％]
また、このときの重量比を分子量比で表すと以下のとおりであった。
分子量比：５８Ｃｏ−１４Ｃｒ−１２Ｐｔ−３Ｒｕ−２ＴｉＯ_２−４ＳｉＯ_２−７ＣｏＯ[ｍｏｌ％]

このときのスパッタリングターゲットの相対密度は９８．６％であった。またスパッタリングターゲットから採取した小片をＩＣＰ発光分光分析装置で組成分析し、その分析結果をもとにスパッタリングターゲットの組成を計算したところ、以下の通りであった。
６１．９１Ｃｏ−１２．１６Ｃｒ−１２．１４Ｐｔ−２．９８Ｒｕ−１．９６ＴｉＯ_２−４．０３ＳｉＯ_２−０．９６Ｃｒ_２Ｏ_３−３．８６ＣｏＯ[ｍｏｌ％]
ターゲット組成から算出したＣｏ酸化物の体積率は、５．３ｖｏｌ％であった。またスパッタリングターゲットの一部を切り出し、その断面を研磨して組織を観察したところ、Ｃｏ中にＣｏＯが分散した領域（Ａ）とその周囲にＣｒ酸化物を含む領域（Ｄ）が観察された。
以上の結果から、実施例７ではＣｏＯがスパッタリングターゲット中に、一定量残存していることを確認した

（比較例５）
（Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｒｕ−ＴｉＯ_２−ＳｉＯ_２−Ｃｒ_２Ｏ_３−ＣｏＯスパッタリングターゲットの製造においてＣｏ−ＣｏＯを使用しない場合）
比較例５では金属粉末として平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末、平均粒径３μｍのＰｔ粉末、平均粒径５μｍのＲｕ粉末を、酸化物粉末として平均粒径１μｍのＴｉＯ_２粉末、平均粒径１μｍのＳｉＯ_２粉末、平均粒径1μｍのＣｏＯ粉末を用意した。これらの粉末を以下の重量比で合計重量が１９３５．３ｇとなるように秤量した。
秤量比：４４．３０Ｃｏ−９．４４Ｃｒ−３０．３４Ｐｔ−３．９３Ｒｕ−２．０７ＴｉＯ_２−３．１２ＳｉＯ_２−６．８０ＣｏＯ[ｗｔ％]
また、このときの重量比を分子量比で表すと以下のとおりであった。
分子量比：５８Ｃｏ−１４Ｃｒ−１２Ｐｔ−３Ｒｕ−２ＴｉＯ_２−４ＳｉＯ_２−７ＣｏＯ[ｍｏｌ％]

このときのスパッタリングターゲットの相対密度は９８．３％であった。またスパッタリングターゲットから採取した小片をＩＣＰ発光分光分析装置で組成分析し、その分析結果をもとにスパッタリングターゲットの組成を計算したところ、以下の通りであった。
６６．６６Ｃｏ−８．９９Ｃｒ−１２．２８Ｐｔ−３．０２Ｒｕ−２．００ＴｉＯ_２−４．０７ＳｉＯ_２−２．９６Ｃｒ_２Ｏ_３−０．０２ＣｏＯ[ｍｏｌ％]
ターゲット組成から算出したＣｏ酸化物の体積率は、０．０３ｖｏｌ％であった。またスパッタリングターゲットの一部を切り出し、その断面を研磨して組織を観察したところ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｒｕ素地中にＴｉＯ_２とＳｉＯ_２とＣｒ酸化物が均一に分散した組織となっていて、ＣｏＯの存在は明確に確認できなかった。
以上の結果から、比較例５ではスパッタリングターゲット中にＣｏＯがほとんど残っていないことが確認された。

（実施例８）
（Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２−Ｃｒ_２Ｏ_３−ＣｏＯスパッタリングターゲットの製造においてＣｏ−ＣｏＯを使用した場合）
金属粉末として平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末、平均粒径３μｍのＰｔ粉末を、酸化物粉末として平均粒径２０μｍのＢ_２Ｏ_３、平均粒径１μｍのＳｉＯ_２を、さらにＣｏ中にＣｏＯが分散した焼結体を粉砕して得た平均粒径１５０μｍのＣｏ−ＣｏＯ粉末（組成：Ｃｏ−２５ｍｏｌ％ＣｏＯ）を用意した。
これらの粉末を以下の重量比で合計重量が１９００．０ｇとなるように秤量した。
秤量比：３０．３６Ｃｏ−９．６２Ｃｒ−３０．９３Ｐｔ−１．８４Ｂ_２Ｏ_３−３．９７ＳｉＯ_２−２３．２８（Ｃｏ−ＣｏＯ）[ｗｔ％]
また、このときの重量比を分子量比で表すと以下のとおりであった。
分子量比：６０Ｃｏ−１４Ｃｒ−１２Ｐｔ−２Ｂ_２Ｏ_３−５ＳｉＯ_２−７ＣｏＯ[ｍｏｌ％]

次に、秤量した金属粉末と酸化物粉末を粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、２０時間回転させて混合・粉砕した。さらに、ボールミルから取り出した混合粉末をＣｏ−ＣｏＯ粉末とともにボール容量約７リットルの遊星運動型ミキサーで１０分間混合した。そして遊星運動型ミキサーから取り出した混合粉末をカーボン製の型に充填しホットプレスした。
ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１０００°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時から保持終了まで３０ＭＰａで加圧した。
また保持終了後は自然冷却させた。こうして作製された焼結体を旋盤で切削加工して直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のスパッタリングターゲットを得た。

このときのスパッタリングターゲットの相対密度は９８．２％であった。またスパッタリングターゲットから採取した小片をＩＣＰ発光分光分析装置で組成分析し、その分析結果をもとにスパッタリングターゲットの組成を計算したところ、以下の通りであった。
６５．３２Ｃｏ−１１．２９Ｃｒ−１２．２０Ｐｔ−１．９３Ｂ２Ｏ３−５．１０ＳｉＯ_２−１．３２Ｃｒ_２Ｏ_３−２．８４ＣｏＯ[ｍｏｌ％]
ターゲット組成から算出したＣｏ酸化物の体積率は、３．６ｖｏｌ％であった。またスパッタリングターゲットの一部を切り出し、その断面を研磨して組織を観察したところ、Ｃｏ中にＣｏＯが分散した領域（Ａ）とその周囲にＣｒ酸化物を含む領域（Ｄ）が観察された。
以上の結果から、実施例８ではＣｏＯがスパッタリングターゲット中に、一定量残存していることを確認した

（比較例６）
（Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２−Ｃｒ_２Ｏ_３−ＣｏＯスパッタリングターゲットの製造においてＣｏ−ＣｏＯを使用しない場合）
比較例６では金属粉末として平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末、平均粒径３μｍのＰｔ粉末を、酸化物粉末として平均粒径２０μｍのＢ_２Ｏ_３粉末、平均粒径１μｍのＳｉＯ_２粉末、平均粒径1μｍのＣｏＯ粉末を用意した。これらの粉末を以下の重量比で合計重量が１９００．０ｇとなるように秤量した。
秤量比：４６．７１Ｃｏ−９．６２Ｃｒ−３０．９３Ｐｔ−１．８４Ｂ_２Ｏ_３−３．９７ＳｉＯ_２−６．９３ＣｏＯ[ｗｔ％]
また、このときの重量比を分子量比で表すと以下のとおりであった。
分子量比：６０Ｃｏ−１４Ｃｒ−１２Ｐｔ−２Ｂ_２Ｏ_３−５ＳｉＯ_２−７ＣｏＯ[ｍｏｌ％]

次に、秤量した粉末を粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、２０時間回転させて混合・粉砕した。次にボールミルから取り出した混合粉末をカーボン製の型に充填しホットプレスした。
ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１０００°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時から保持終了まで３０ＭＰａで加圧した。また保持終了後は自然冷却させた。こうして作製された焼結体を旋盤で切削加工して直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のスパッタリングターゲットを得た。

このときのスパッタリングターゲットの相対密度は９８．４％であった。またスパッタリングターゲットから採取した小片をＩＣＰ発光分光分析装置で組成分析し、その分析結果をもとにスパッタリングターゲットの組成を計算したところ、以下の通りであった。
分子量比：６８．５８Ｃｏ−９．４８Ｃｒ−１２．３２Ｐｔ−１．９５Ｂ_２Ｏ_３−５．２１ＳｉＯ_２−２．３６Ｃｒ_２Ｏ_３−０．１０ＣｏＯ[ｍｏｌ％]
ターゲット組成から算出したＣｏ酸化物の体積率は、０．１ｖｏｌ％であった。またスパッタリングターゲットの一部を切り出し、その断面を研磨して組織を観察したところ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ素地中にＢ_２Ｏ_３とＳｉＯ_２とＣｒ酸化物が均一に分散した組織となっていて、ＣｏＯの存在は明確に確認できなかった。
以上の結果から、比較例６ではスパッタリングターゲット中にＣｏＯがほとんど残っていないことが確認された。

（実施例９）
（Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｔａ_２Ｏ₅−Ｃｒ_２Ｏ_３−ＣｏＯスパッタリングターゲットの製造においてＣｏ−ＣｏＯを使用した場合）
金属粉末として平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末、平均粒径３μｍのＰｔ粉末を、酸化物粉末として平均粒径２μｍのＴａ_２Ｏ_５を、さらにＣｏ中にＣｏＯが分散した焼結体を粉砕して得た平均粒径１５０μｍのＣｏ−ＣｏＯ粉末（組成：Ｃｏ−２５ｍｏｌ％ＣｏＯ）を用意した。
これらの粉末を以下の重量比で合計重量が２２９０．０ｇとなるように秤量した。
秤量比：３４．５１Ｃｏ−９．８４Ｃｒ−２７．６９Ｐｔ−１３．０７Ｔａ_２Ｏ₅−１４．８９（Ｃｏ−ＣｏＯ）[ｗｔ％]
また、このときの重量比を分子量比で表すと以下のとおりであった。
分子量比：６４．５Ｃｏ−１６Ｃｒ−１２Ｐｔ−２．５Ｔａ２Ｏ５−５ＣｏＯ[ｍｏｌ％]

このときのスパッタリングターゲットの相対密度は９９．３％であった。またスパッタリングターゲットから採取した小片をＩＣＰ発光分光分析装置で組成分析し、その分析結果をもとにスパッタリングターゲットの組成を計算したところ、以下の通りであった。
６８．５０Ｃｏ−１３．９８Ｃｒ−１２．１０Ｐｔ−２．５７Ｔａ_２Ｏ_５−１．０２Ｃｒ_２Ｏ_３−１．８３ＣｏＯ[ｍｏｌ％]
ターゲット組成から算出したＣｏ酸化物の体積率は、２．５ｖｏｌ％であった。またスパッタリングターゲットの一部を切り出し、その断面を研磨して組織を観察したところ、Ｃｏ中にＣｏＯが分散した領域（Ａ）とその周囲にＣｒ酸化物を含む領域（Ｄ）が観察された。
以上の結果から、実施例９ではＣｏＯがスパッタリングターゲット中に、一定量残存していることを確認した

（比較例７）
（Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｔａ_２Ｏ_５−Ｃｒ_２Ｏ_３−ＣｏＯスパッタリングターゲットの製造においてＣｏ−ＣｏＯを使用しない場合）
比較例７では金属粉末として平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末、平均粒径３μｍのＰｔ粉末を、酸化物粉末として平均粒径２μｍのＴａ_２Ｏ_５粉末、平均粒径1μｍのＣｏＯ粉末を用意した。これらの粉末を以下の重量比で合計重量が２２９０．０ｇとなるように秤量した。
秤量比：４４．９７Ｃｏ−９．８４Ｃｒ−２７．６９Ｐｔ−１３．０７Ｔａ_２Ｏ_５−４．４３ＣｏＯ[ｗｔ％]
また、このときの重量比を分子量比で表すと以下のとおりであった。
分子量比：６４．５Ｃｏ−１６Ｃｒ−１２Ｐｔ−２．５Ｔａ２Ｏ５−５ＣｏＯ[ｍｏｌ％]

このときのスパッタリングターゲットの相対密度は９９．６％であった。またスパッタリングターゲットから採取した小片をＩＣＰ発光分光分析装置で組成分析し、その分析結果をもとにスパッタリングターゲットの組成を計算したところ、以下の通りであった。
７０．８２Ｃｏ−１２．７５Ｃｒ−１２．２５Ｐｔ−２．５５Ｔａ２Ｏ５−１．６０Ｃｒ_２Ｏ_３−０．０３ＣｏＯ[ｍｏｌ％]
ターゲット組成から算出したＣｏ酸化物の体積率は、０．０４ｖｏｌ％であった。またスパッタリングターゲットの一部を切り出し、その断面を研磨して組織を観察したところ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ素地中にＴａ_２Ｏ_５とＣｒ酸化物が均一に分散した組織となっていて、ＣｏＯの存在は明確に確認できなかった。
以上の結果から、比較例７ではスパッタリングターゲット中にＣｏＯがほとんど残っていないことが確認された。

（実施例１０）
（Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−ＳｉＯ_２−Ｃｒ_２Ｏ_３−Ｃｏ_３Ｏ_４スパッタリングターゲットの製造においてＰｔ−Ｃｏ_３Ｏ_４を使用した場合）
金属粉末として平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末、平均粒径３μｍのＰｔ粉末を、酸化物粉末として平均粒径２μｍのＳｉＯ_２粉末を、さらにＰｔ中にＣｏ_３Ｏ_４が分散した焼結体を粉砕して得た平均粒径１５０μｍのＰｔ−Ｃｏ_３Ｏ_４粉末（組成：Ｐｔ−１０ｍｏｌ％Ｃｏ_３Ｏ_４）を用意した。
これらの粉末を以下の重量比で合計重量が２０９０．０ｇとなるように秤量した。
秤量比：４６．１２Ｃｏ−７．６３Ｃｒ−１６．７０Ｐｔ−５．１４ＳｉＯ_２−２４．４１（Ｐｔ−Ｃｏ_３Ｏ_４）[ｗｔ％]
また、このときの重量比を分子量比で表すと以下のとおりであった。
分子量比：６４Ｃｏ−１２Ｃｒ−１６Ｐｔ−７ＳｉＯ_２−１Ｃｏ_３Ｏ_４[ｍｏｌ％]

次に、秤量した金属粉末と酸化物粉末を粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、２０時間回転させて混合・粉砕した。さらに、ボールミルから取り出した混合粉末をＰｔ−Ｃｏ_３Ｏ_４粉末とともにボール容量約７リットルの遊星運動型ミキサーで１０分間混合した。そして遊星運動型ミキサーから取り出した混合粉末をカーボン製の型に充填しホットプレスした。
ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１１００°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時から保持終了まで３０ＭＰａで加圧した。
また保持終了後は自然冷却させた。こうして作製された焼結体を旋盤で切削加工して直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のスパッタリングターゲットを得た。

このときのスパッタリングターゲットの相対密度は９６．８％であった。またスパッタリングターゲットから採取した小片をＩＣＰ発光分光分析装置で組成分析し、その分析結果をもとにスパッタリングターゲットの組成を計算したところ、以下の通りであった。
６５．６９Ｃｏ−１０．１７Ｃｒ−１５．９５Ｐｔ−７．０２ＳｉＯ_２−０．８０Ｃｒ_２Ｏ_３−０．３７Ｃｏ_３Ｏ_４[ｍｏｌ％]
ターゲット組成から算出したＣｏ酸化物の体積率は、１．７ｖｏｌ％であった。またスパッタリングターゲットの一部を切り出し、その断面を研磨して組織を観察したところ、Ｐｔ中にＣｏ_３Ｏ_４が分散した領域（Ｂ）とその周囲にＣｒ酸化物を含む領域（Ｄ）が観察された。
以上の結果から、実施例１０ではＣｏ_３Ｏ_４がスパッタリングターゲット中に、一定量残存していることを確認した

（比較例８）
（Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−ＳｉＯ_２−Ｃｒ_２Ｏ_３−Ｃｏ_３Ｏ_４スパッタリングターゲットの製造においてＰｔ−Ｃｏ_３Ｏ_４を使用しない場合）
比較例８では金属粉末として平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末、平均粒径３μｍのＰｔ粉末を、酸化物粉末として平均粒径１μｍのＳｉＯ_２粉末、平均粒径1μｍのＣｏ_３Ｏ_４粉末を用意した。これらの粉末を以下の重量比で合計重量が２０９０．０ｇとなるように秤量した。
秤量比：４６．１２Ｃｏ−７．６３Ｃｒ−３８．１７Ｐｔ−５．１４ＳｉＯ_２−２．９４Ｃｏ_３Ｏ_４[ｗｔ％]
また、このときの重量比を分子量比で表すと以下のとおりであった。
分子量比：６４Ｃｏ−１２Ｃｒ−１６Ｐｔ−７ＳｉＯ_２−１Ｃｏ_３Ｏ_４[ｍｏｌ％]

このときのスパッタリングターゲットの相対密度は９７．３％であった。またスパッタリングターゲットから採取した小片をＩＣＰ発光分光分析装置で組成分析し、その分析結果をもとにスパッタリングターゲットの組成を計算したところ、以下の通りであった。
６６．７２Ｃｏ−９．２０Ｃｒ−１５．８７Ｐｔ−６．９８ＳｉＯ_２−１．２３Ｃｒ_２Ｏ_３−０．００Ｃｏ_３Ｏ_４[ｍｏｌ％]
Ｃｏ_３Ｏ_４は存在しないので、０．００とした。またスパッタリングターゲットの一部を切り出し、その断面を研磨して組織を観察したところ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ素地中にＳｉＯ_２とＣｒ酸化物が均一に分散した組織となっていて、Ｃｏ_３Ｏ_４の存在は明確に確認できなかった。
以上の結果から、比較例８ではスパッタリングターゲット中にＣｏ_３Ｏ_４がほとんど残っていないことが確認された。

上記実施例については代表的な例を示すものであり、特に請求項に記載する酸化コバルトの量が全てを網羅している訳ではないが、スパッタリングターゲット中に占めるＣｏ酸化物の体積率が１ｖｏｌ％以上、２０ｖｏｌ％以下の範囲において、上記に記載した実施例と同様の効果を確認している。

本発明は、Ｃｏ中にＣｏ酸化物が分散した領域（Ａ）を有するＣｏ−Ｃｒ−酸化物系及びＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−酸化物系の焼結体スパッタリングターゲットを提供することができる。前記Ｃｏ酸化物が分散した領域（Ａ）の周縁には、焼結中に拡散してきたＣｒとＣｏ酸化物が反応し、Ｃｒ酸化物を含む領域（Ｄ）が形成されるが、焼結原料としてＣｏ中にＣｏ酸化物が分散した焼結体を粉砕して得た粉末を使用することにより、焼結反応が十分に進む温度域においても、Ｃｏ酸化物とＣｒの直接的かつ全面的な接触が抑制される、すなわちＣｏが緩衝材となり抑制効果を持つので、焼結体スパッタリングターゲット中に有効なＣｏ酸化物が分散した領域が維持できる。

このように、本発明は、Ｃｏ中に分散したＣｏ酸化物を残存させると共に、スパッタ時のパーティクル発生が少ない十分な焼結密度を有するＣｏ−Ｃｒ−酸化物系及びＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−酸化物系磁性材ターゲットを提供することができるので、良好な磁気特性を有するグラニュラー型磁性膜を、パーティクル発生による歩留まり低下を招くことなく得ることができ、特に垂直磁気記録方式を採用したハードディスク媒体における、高記録密度化と低ノイズ化に貢献する。

Claims

金属成分として、Ｃｏ、Ｃｒを含有し、該金属成分の素地中に分散した酸化物からなる焼結体スパッタリングターゲットであって、該スパッタリングターゲットの組織が金属素地中に、Ｃｏ中にＣｏ酸化物が分散した領域（Ａ）と該領域（Ａ）の周縁にＣｒ酸化物を含む領域（Ｄ）を有し、領域（Ａ）にＣｒ酸化物を含まず、領域（Ｄ）にＣｏ酸化物を含まないことを特徴とする焼結体スパッタリングターゲット。
金属成分として、Ｃｒが０．５ｍｏｌ％以上４５ｍｏｌ％以下を含有することを特徴とする請求項１記載の焼結体スパッタリングターゲット。
金属成分として、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔを含有し、該金属成分の素地中に分散した酸化物からなる焼結体スパッタリングターゲットであって、該スパッタリングターゲットの組織が金属素地中に、Ｃｏ中にＣｏ酸化物が分散した領域（Ａ）若しくはＰｔ中Ｃｏ酸化物が分散した領域（Ｂ）又はＣｏ−Ｐｔ中にＣｏ酸化物が分散した領域（Ｃ）と、該領域（Ａ）、（Ｂ）又は（Ｃ）の周縁に、Ｃｒ酸化物を含む領域（Ｄ）を有し、領域（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）にＣｒ酸化物を含まず、領域（Ｄ）にＣｏ酸化物を含まないことを特徴とする焼結体スパッタリングターゲット。
金属成分として、Ｃｒが０．５ｍｏｌ％以上３０ｍｏｌ％以下、Ｐｔが０．５ｍｏｌ％以上３０ｍｏｌ％以下であることを特徴とする請求項３記載の焼結体スパッタリングターゲット。
前記Ｃｏ酸化物は、ＣｏＯ、Ｃｏ_２Ｏ_３、Ｃｏ_３Ｏ_４のいずれか１種以上であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の焼結体スパッタリングターゲット。
前記Ｃｏ酸化物がスパッタリングターゲット中に占める体積率が１ｖｏｌ％以上、２０ｖｏｌ％以下であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の焼結体スパッタリングターゲット。
前記焼結体スパッタリングターゲットが、前記領域（Ａ）、（Ｂ）又は（Ｃ）と前記領域（Ｄ）以外の金属素地に分散する酸化物として、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｍｇ、Ｂ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｅから選択した１種以上の元素の酸化物を含有することを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の焼結体スパッタリングターゲット。
前記焼結体スパッタリングターゲットが、前記以外の金属成分としてＢ、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｔａ、Ｗ、Ｉｒ、Ａｕから選択した１元素以上を、１５ｍｏｌ％以下含有することを特徴とする請求項１〜７いずれか一項に記載の焼結体スパッタリングターゲット。
相対密度が９０％以上であることを特徴とする、請求項１〜８のいずれか一項に記載の焼結体スパッタリングターゲット。
金属成分として、Ｃｏ、Ｃｒを含有し、該金属成分の素地中に分散した酸化物からなる焼結体スパッタリングターゲットの製造方法であって、Ｃｏ中にＣｏ酸化物が分散した焼結体を粉砕して得た粉末とＣｏ粉末とＣｒ粉末とを混合して得た混合粉末を加圧焼結することにより、該スパッタリングターゲットの組織が金属素地中に、Ｃｏ中にＣｏ酸化物が分散した領域（Ａ）と該領域（Ａ）の周縁にＣｒ酸化物を含む領域（Ｄ）を有し、領域（Ａ）にＣｒ酸化物を含まず、領域（Ｄ）にＣｏ酸化物を含まないことを特徴とする焼結体スパッタリングターゲットの製造方法。
金属成分として、Ｃｒが０．５ｍｏｌ％以上４５ｍｏｌ％以下を含有することを特徴とする請求項１０記載の焼結体スパッタリングターゲットの製造方法。
金属成分として、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔを含有し、該金属成分の素地中に分散した酸化物からなる焼結体スパッタリングターゲットの製造方法であって、Ｃｏ又はＰｔ若しくはＣｏ−ＰｔにＣｏ酸化物が分散した焼結体を粉砕して得た粉末とＣｏ粉末とＰｔ粉末とＣｒ粉末とを混合して得た混合粉末を加圧焼結することにより、該スパッタリングターゲットの組織が金属素地中に、Ｃｏ中にＣｏ酸化物が分散した領域（Ａ）若しくはＰｔ中Ｃｏ酸化物が分散した領域（Ｂ）又はＣｏ−Ｐｔ中にＣｏ酸化物が分散した領域（Ｃ）と、該領域（Ａ）、（Ｂ）又は（Ｃ）の周縁に、Ｃｒ酸化物を含む領域（Ｄ）を有し、領域（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）にＣｒ酸化物を含まず、領域（Ｄ）にＣｏ酸化物を含まないことを特徴とする焼結体スパッタリングターゲットの製造方法。
金属成分として、Ｃｒが０．５ｍｏｌ％以上３０ｍｏｌ％以下、Ｐｔが０．５ｍｏｌ％以上３０ｍｏｌ％以下とすることを特徴とする請求項１２に記載の焼結体スパッタリングターゲットの製造方法。
前記Ｃｏ酸化物として、ＣｏＯ、Ｃｏ_２Ｏ_３、Ｃｏ_３Ｏ_４のいずれか１種以上を用いることを特徴とする請求項１０〜１３のいずれか一項に記載の焼結体スパッタリングターゲットの製造方法。
前記Ｃｏ酸化物がスパッタリングターゲット中に占める体積率を１ｖｏｌ％以上、２０ｖｏｌ％以下とすることを特徴とする請求項１０〜１４のいずれか一項に記載の焼結体スパッタリングターゲットの製造方法。
焼結用混合粉末として、さらに前記領域（Ａ）、（Ｂ）又は（Ｃ）と前記領域（Ｄ）以外の金属素地に分散する酸化物として、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｂ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｅから選択した１種以上の元素の酸化物を混合して焼結することを特徴とする請求項１０〜１５のいずれか一項に記載の焼結体スパッタリングターゲットの製造方法。
前記焼結用金属粉末として、前記以外の金属成分としてＢ、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｔａ、Ｗ、Ｉｒ、Ａｕから選択した１元素以上を、１５ｍｏｌ％以下含有させて焼結することを特徴とする請求項１０〜１６のいずれか一項に記載の焼結体スパッタリングターゲットの製造方法。
焼結体ターゲットの相対密度を９０％以上とすることを特徴とする、請求項１０〜１７のいずれか一項に記載の焼結体スパッタリングターゲットの製造方法。