JP2000025369A

JP2000025369A - プラスチックカード基材

Info

Publication number: JP2000025369A
Application number: JP19304398A
Authority: JP
Inventors: Yoshikazu Niide; 義和新出; Hidekazu Ito; 英和伊藤
Original assignee: Teijin Chemicals Ltd
Current assignee: Teijin Ltd
Priority date: 1998-07-08
Filing date: 1998-07-08
Publication date: 2000-01-25

Abstract

(57)【要約】【課題】磁気カード、クレジットカード、およびＩＣ
カード等各種プラスチックカードに利用できるエンボス
加工性及び耐熱性に優れ、且つ耐衝撃強度、機械的特性
が良好であり、燃焼時に有害なガスを発生しないカード
基材を提供する。【解決手段】芳香族ポリカーボネート樹脂（Ａ成分）
８０〜９９重量％、オレフィン系重合体（Ｂ成分）１〜
２０重量％からなる芳香族ポリカーボネート樹脂組成物
１００重量部に対して、平均粒子径０．５〜５０μｍの
粒状充填材、平均粒子径０．５〜５０μｍの板状充填
材、及び平均繊維径が０．５〜２０μｍの繊維状充填材
から選択される少なくとも１種の無機充填材（Ｃ成分）
５〜４０重量部を配合した充填材含有樹脂組成物からな
り、かつＡＳＴＭＤ−６４８に従って測定した荷重た
わみ温度が１２０℃以上である充填材含有樹脂組成物か
らなる層を有するエンボス加工性に優れたプラスチック
カード基材。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は磁気カード、クレジ
ットカード、及びＩＣカード等各種カードに利用できる
エンボス加工性に優れ、且つ耐熱性、耐衝撃強度、及び
機械的特性に優れ、燃焼時に有害なガスを発生しないプ
ラスチックカード基材（以下カード基材と略称すること
がある）に関する。

【０００２】

【従来の技術】キャッシュカード、クレジットカード、
会員カード、及びＩＣカード等の一般的なカードには、
特に日本においてはエンボス加工により個人名や登録番
号等が浮き出し文字として表示されているのが一般的で
あり、この種のプラスチックカード基材にはエンボス加
工が容易なポリ塩化ビニル樹脂（ＰＶＣ）が用いられて
いる。

【０００３】しかし、ＰＶＣは燃焼時に有害な塩素ガス
を発生する為環境的に問題があり、またＰＶＣは熱変形
温度が５０〜８０℃と低く、車載等高温に晒される環境
下での使用に不安がある。更には、ＰＶＣは機械強度が
弱く、衝撃及び曲げに対する割れやクラックの問題があ
り、ＩＣカード等の精密な部分を含むカードに対しては
十分なものとはいえず、この様な背景で、ＰＶＣから他
のプラスチックへの切り替えが望まれている。

【０００４】特に車載や、機器に挿入したまま用途で
は、高温に晒される機会が高く、従来のＰＶＣカードで
は熱変形、エンボス文字が元にもどる（引っ込む）こと
により、読み取りのエラーが発生したり、機器への挿入
ができない、及びカードの使用ができない等の不具合が
生じることがあった。特に近年はＩＣカード、電子マネ
ー用途等、カードは極めて高機能化されており、それに
伴い機能が集約されるカードの信頼性を更に高める要求
が高まっているのが現状である。

【０００５】なかでも高速料金自動支払いシステム等に
使用するカードのように、車載の中でも特に高温に晒さ
れるダッシュボード等の場所に設置する必要のあるカー
ドでは、耐熱性が高く信頼性に優れるカード及びカード
基材の要求が高まっている。

【０００６】一方ポリカーボネート樹脂製のカードは優
れた耐熱性、耐衝撃性、機械的強度を有し、エンボス加
工を特に行わない欧米では、ＰＶＣ代替として使用され
ている。日本でも、耐熱及び強度に優れるポリカーボネ
ート樹脂、ポリカーボネート−ＡＢＳアロイ樹脂等が検
討されている。しかし、これらの樹脂では、エンボス加
工時に反り（エンボスソリ）を生じ、エンボス文字の高
さ（エンボスハイツ）も低いという問題があった。エン
ボスソリが大きいとカードを読み取り機械で処理する際
に不具合が生じたり、ＩＣチップが十分に保持できず脱
落したり、またカード自体の質感の低下を招く等の問題
があった。またエンボスハイツが十分にならない場合は
文字が不鮮明であったり、長期の使用により不鮮明とな
りやすいとの問題が生じていた。

【０００７】例えば、特開平１−１３０９９４号公報に
はポリカーボネート−ＡＢＳアロイ樹脂からなるＩＣカ
ード、特開平９−１４１７８５号公報にはポリカーボネ
ート−ＡＢＳアロイのコアシートと全光線透過率８０％
以上のオーバーシートからなる積層シートから製造する
カードが開示されているが、これらのカードではエンボ
ス加工時にエンボスソリや割れ等を生じ、エンボスハイ
ツも低いという問題があった。

【０００８】特開平９−１７５０６２号公報にはエンボ
ス可能なカードとして、カードの引張り強度を６００ｋ
ｇｆ／ｃｍ²以上、破壊伸びを４０％以下とするプラス
チックカードが開示されているが、エンボスソリ・エン
ボスハイツに問題があり、エンボス加工性は不充分であ
る。

【０００９】このように、ＰＶＣからの他のプラスチッ
クへの切り替えが望まれているにもかかわらず、エンボ
ス加工性と耐熱性を十分に両立するカード基材は未だな
いため、特に日本において重要視されるエンボス加工性
を考慮してＰＶＣのカード基材が使用され続けているの
が現状である。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、磁気
カード、クレジットカード、およびＩＣカード等各種プ
ラスチックカードに利用できる、エンボス加工性及び耐
熱性に優れ、且つ耐衝撃強度、機械的特性が良好で、更
に燃焼時に有害なガスを発生しないカード基材を提供す
るものである。

【００１１】本発明者は、鋭意検討した結果、芳香族ポ
リカーボネートに少量のオレフィン系重合体、及び無機
充填材を配合した樹脂組成物がエンボス加工性及び耐熱
性に優れることを見出し、本発明を完成するに至った。

【００１２】

【課題を解決するための手段】すなわち本発明は、芳香
族ポリカーボネート樹脂（Ａ成分）８０〜９９重量％、
オレフィン系重合体（Ｂ成分）１〜２０重量％からなる
芳香族ポリカーボネート樹脂組成物１００重量部に対し
て、平均粒子径０．５〜５０μｍの粒状充填材、平均粒
子径０．５〜５０μｍの板状充填材、及び平均繊維径が
０．５〜２０μｍの繊維状充填材から選択される少なく
とも１種の無機充填材（Ｃ成分）５〜４０重量部を配合
した充填材含有樹脂組成物からなり、かつＡＳＴＭＤ
−６４８に従って測定した荷重たわみ温度が１２０℃以
上である充填材含有樹脂組成物からなる層を有するエン
ボス加工性に優れたプラスチックカード基材に関するも
のである。

【００１３】本発明でＡ成分として使用する芳香族ポリ
カーボネート樹脂とは、二価フェノールとカーボネート
前駆体とを溶液法あるいは溶融法で反応させて製造され
る芳香族ポリカーボネート樹脂である。二価フェノール
の代表的な例を挙げると、２，２−ビス（４−ヒドロキ
シフェニル）プロパン［ビスフェノールＡ］、ビス（４
−ヒドロキシフェニル）メタン、２，２−ビス（４−ヒ
ドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）プロパン、２，
２−（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）プロパ
ン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルフォン、１，
１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、１，１−
ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン等があ
げられる。好ましい二価フェノールはビス（４−ヒドロ
キシフェニル）アルカン、特にビスフェノールＡを主原
料とするものである。

【００１４】カーボネート前駆体としてはカルボニルハ
ライド、カルボニルエステルまたはハロホルメート等が
挙げられ、具体的にはホスゲン、ジフェニルカーボネー
ト、二価フェノールのジハロホルメート及びそれらの混
合物である。ポリカーボネート樹脂を製造するに当た
り、前記二価フェノールを単独で使用してもまたは２種
以上を使用してもよい。また、適当な分子量調節剤、分
岐剤、反応を促進するための触媒等も使用できる。芳香
族ポリカーボネート樹脂の分子量は粘度平均分子量で表
して１０，０００〜５０，０００、好ましくは１４，０
００〜３０，０００のものである。また芳香族ポリカー
ボネート樹脂の２種以上を混合しても差し支えない。本
発明でいう粘度平均分子量は塩化メチレン１００ｍｌに
芳香族ポリカーボネート樹脂０．７ｇを２０℃で溶解し
た溶液から求めた比粘度（η_sp）を次式に挿入して求め
る。

【００１５】η_sp／ｃ＝［η］＋０．４５×［η］²ｃ
（但し［η］は極限粘度）［η］＝１．２３×１０^-4Ｍ^0.83 ｃ＝０．７次にポリカーボネート樹脂を製造する基本的な手段を簡
単に説明する。カーボネート前駆物質としてホスゲンを
用いる溶液法では、通常酸結合剤及び有機溶媒の存在下
に反応を行う。酸結合剤としては例えば水酸化ナトリウ
ムや水酸化カリウム等のアルカリ金属の水酸化物、及び
ピリジン等のアミン化合物が挙げられる。有機溶媒とし
ては例えば塩化メチレン、クロロベンゼン等のハロゲン
化炭化水素が用いられる。また反応促進のために例えば
第三級アミンや第四級アンモニウム塩等の触媒を用いる
ことができ、分子量調節剤として例えばフェノール、ｐ
−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール及び４−（２−フェニル
イソプロピル）フェノールのようなアルキル置換フェノ
ール等の末端停止剤を用いることが望ましいが、末端停
止剤及び必要に応じて分岐剤を、それぞれ反応の初期か
らまたは反応の途中から添加する。反応温度は通常０〜
４０℃、反応時間は数分〜５時間、反応中のｐＨは１０
以上に保つのが好ましい。尚結果として得られた分子鎖
末端の全てが末端停止剤に由来の構造を有する必要はな
い。

【００１６】カーボネート前駆物質として炭酸ジエステ
ルを用いるエステル交換反応（溶融法）では、不活性ガ
スの存在下に所定割合の二価フェノール及び必要に応じ
て分岐剤等を炭酸ジエステルと加熱しながら攪拌し、生
成するアルコールまたはフェノール類を留出させる方法
により行う。反応温度は生成するアルコールまたはフェ
ノール類の沸点等により異なるが、通常１２０〜３００
℃の範囲である。反応はその初期から減圧にして生成す
るアルコールまたはフェノール類を留出させながら反応
を完結させる。また反応を促進するために現在公知のエ
ステル交換反応に用いられる触媒を用いることができ
る。このエステル交換反応に用いられる炭酸ジエステル
としては、例えばジフェニルカーボネート、ジナフチル
カーボネート、ジメチルカーボネート、ジエチルカーボ
ネート、ジブチルカーボネート等があげられる。これら
のうち特にジフェニルカーボネートが好ましい。またか
かる反応の初期段階で二価フェノール等と同時にまたは
反応の途中段階で、末端停止剤としてジフェニルカーボ
ネートやメチル（２−フェニルオキシカルボニルオキ
シ）ベンゼンカルボキシレートを更に添加することも好
ましく行われる。

【００１７】本発明においてＢ成分として使用するオレ
フィン系重合体としては、ポリエチレン、ポリプロピレ
ン、ポリメチルペンテン、エチレン−酢酸ビニル共重合
体、エチレン−ビニルアルコール共重合体、エチレン−
アクリル酸エチル共重合体、エチレン−アクリル酸共重
合体、エチレン−一酸化炭素−アクリル酸エチル共重合
体、エチレン及び／又は炭素数３以上のα−オレフィン
と不飽和カルボン酸エステルとのオレフィン系共重合
体、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−グリシ
ジル（メタ）アクリレート共重合体、プロピレン−酢酸
ビニル共重合体、１−アルケン重合体が挙げられる。

【００１８】Ｂ成分のオレフィン系重合体を配合するこ
とでエンボス性が改良される機構は、明確ではないもの
の、基本的にＡ成分である芳香族ポリカーボネート樹脂
とは相溶性の乏しいものであるため、これらの成分が芳
香族ポリカーボネート樹脂中に層状の滑り成分として混
入することにより、エンボス加工のような高歪みの変形
においても、内部に高い応力集中を生ずることなくかか
る変形に追従が可能となり、割れの発生等なく高いエン
ボスハイツを可能としていると予想される。

【００１９】Ｂ成分のオレフィン系重合体としては、中
でも、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルペン
テン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−ビニ
ルアルコール共重合体、エチレン−アクリル酸エチル共
重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、エチレン及び
／又は炭素数３以上のα−オレフィンと不飽和カルボン
酸エステルとのオレフィン系共重合体、１−アルケン重
合体が好ましく使用できる。

【００２０】Ｂ成分においては特に、ポリエチレン、エ
チレン−アクリル酸エチル共重合体又はこれらの混合物
を使用することが特に好ましい。

【００２１】本発明でいうポリエチレンとしては、高密
度ポリエチレン、低密度ポリエチレン、線状低密度ポリ
エチレン等が挙げられ、またかかる製法についても特に
限定されず、例えば、線状低密度ポリエチレンにおいて
もチーグラー系の触媒、メタロセン系の触媒等現在公知
の各種触媒を使用することが可能である。またポリエチ
レン中に含有する残渣の触媒量、及び未反応の不飽和結
合量等の制限を受けるものでもない。更に一度作成した
ポリエチレンを熱分解等することにより低分子量化した
ものであってもよい。ポリエチレンの粘度平均分子量は
１，０００〜１，０００，０００のものが好ましく、特
に好ましくは３，０００〜３００，０００のものが挙げ
られる。

【００２２】本発明でいうエチレン−アクリル酸エチル
は、エチレン単位とアクリル酸エチル単位を重合するこ
とにより得られたものであり、重合方法はラジカル開始
剤の下でラジカル重合することを基本とするが、これに
限定されるものではなく現在公知の各種の重合方法が使
用できる。共重合体はランダム共重合体、ブロック共重
合体、グラフト共重合体等の任意の共重合形態が取り得
る。エチレン単位とアクリル酸エチル単位との共重合比
は、重量比で４０／６０〜９５／５が好ましく、特に好
ましくは５０／５０〜８５／１５のものが挙げられる。

【００２３】本発明においてＣ成分として使用する無機
充填材、平均粒子径が０．５〜５０μｍの板状または粒
状の充填材としては、タルク、マイカ、ガラスフレー
ク、ガラスビーズ、炭酸カルシウム、酸化チタン等があ
げられる。一方平均径が０．５〜２０μｍの繊維状充填
材としては、ガラス繊維、炭素繊維、ワラストナイト、
各種ウイスカー等を挙げることができる。尚繊維状充填
材とは、長さ（Ｌ）に対する径（Ｄ）の比Ｌ／Ｄが３以
上のものをいう。

【００２４】これらの無機充填材は、板状または粒状の
充填材において平均粒子径が０．５μｍ未満、また繊維
状充填材においては平均径が０．５μｍ未満ではエンボ
スソリが大きくなり、平均粒子径が５０μｍより大きく
なると、または平均径が２０μｍより大きくなるとカー
ド基材の表面外観が悪化するとともに、エンボス時に割
れ、クラックが発生しやすくなるため好ましくない。こ
れらの中で、板状の充填材がカード成形品自体の反りを
低減することが可能であるため好ましく使用される。更
にそのなかでも平均粒子径０．５〜１０μｍのものが良
好なエンボス加工性の点から特に好ましく、かかる板状
充填材の中でもタルク及びマイカが好ましい。

【００２５】尚ここにいう、平均粒子径及び平均径と
は、組成物中における大きさをいい、これらの大きさは
組成物を溶剤に溶解して濾取する、及び高温で樹脂成分
を焼失される等の処理により、充填材を取り出しその走
査型電子顕微鏡等の顕微鏡写真から、任意に２００個を
抽出し、大きさを測定しその平均値により算出すること
ができる。特に板状及び粒子状の場合には、顕微鏡写真
より画像解析装置によって面積を求め、そのメジアン値
の平方根の値を平均粒子径として求める。また繊維状充
填材の場合の平均径は同様に顕微鏡写真から、任意に２
００個を抽出して測定した繊維径のメジアン値を算出す
ればよい。

【００２６】Ｃ成分の特定の無機充填材を配合すること
でエンボス性が改良される機構は、明確ではないもの
の、１つにはかかる無機充填材により基本的に相溶しな
いＡ成分とＢ成分を無機充填材の近傍での剪断力の発生
等により、Ｂ成分のＡ成分中での分散径をより細かい分
散とすることが可能となり、これによりエンボス加工の
ような高歪みの変形においても、剥離等を生じることな
くかかる変形に追従が可能となると考えられる。もう１
つには、かかる充填材の添加により剛性が向上し、それ
によってエンボス加工時に付加される力に耐えることが
可能となり、エンボスソリが低減するのではないかと考
えられる。

【００２７】本発明のＡ成分、Ｂ成分、及びＣ成分の各
成分の配合割合は、Ａ成分８０〜９９重量％、Ｂ成分１
〜２０重量％からなる樹脂組成物１００重量部に対し、
Ｃ成分が５〜４０重量部である。好ましくはＡ成分８０
〜９９重量％、Ｂ成分１〜２０重量％からなる樹脂組成
物１００重量部に対し、Ｃ成分が６〜３０重量部であ
る。更に好ましくはＡ成分８８〜９８重量％、Ｂ成分２
〜１２重量％からなる樹脂組成物１００重量部に対し、
Ｃ成分が６〜３０重量部であり、特に好ましくは、Ａ成
分８８〜９８重量％、Ｂ成分２〜１２重量％からなる樹
脂組成物１００重量部に対し、Ｃ成分が７〜２５重量部
である。Ａ成分が８０重量％未満及びＢ成分が２０重量
％を越えると、Ｂ成分がＡ成分と十分に相溶しないため
に、カード基材成形時及び、エンボス加工時に層剥離を
生じるため良好なカードが得られない。一方Ａ成分が９
９重量％以上及びＢ成分が１重量％未満の場合には、エ
ンボス加工性が劣るために好ましくない。Ｃ成分の配合
量としては、Ａ成分及びＢ成分からなる樹脂組成物１０
０重量部に対して、５重量部未満ではエンボスソリが大
きく、４０重量部を超えるとエンボス加工時に割れ又は
クラックが発生し好ましくない。

【００２８】本発明においては更に任意にＤ成分とし
て、カルボキシル基及び／又はカルボン無水物基を０．
１〜６ｍｅｑ／ｇの濃度で含有し、かつ数平均分子量が
１０００〜１５０００であるオレフィン系ワックス（以
下酸変性オレフィン系ワックスと略称することがある）
を添加することもできる。より好ましくは、０．５〜４
ｍｅｑ／ｇの濃度でカルボキシル基及び／又はカルボン
無水物基を含有し、かつ数平均分子量が２０００〜１２
０００のものである。かかる酸変性オレフィン系ワック
スはＡ成分〜Ｃ成分からなる樹脂組成物のエンボス加工
性を更に良好とするだけでなく、かかる樹脂組成物に熱
負荷がかかった際に本発明のＢ成分である無機充填材が
Ａ成分である芳香族ポリカーボネート樹脂を分解する作
用を抑制する効果があるため好ましく使用できるもので
ある。

【００２９】本発明で使用する酸変性オレフィン系ワッ
クスとは、オレフィン系ワックスを後処理により、カル
ボキシル基及び／またはカルボン酸無水物基を含有させ
た化合物、好ましくはマレイン酸及び／または無水マレ
イン酸で後処理により変性したものが挙げられる。ここ
でオレフィン系ワックスとは、数平均分子量が１０００
〜１５０００のポリエチレン、ポリプロピレン、及び１
−アルケン重合体をいう。更にエチレン及び／または１
−アルケンを重合または共重合する際にかかるモノマー
類と共重合可能なカルボキシル基及び／またはカルボン
酸無水物基を含有する化合物、好ましくはマレイン酸及
び／または無水マレイン酸を共重合したものも挙げら
れ、かかる共重合をしたものはカルボキシル基及び／ま
たはカルボン酸無水物基が高濃度かつ安定して含まれる
ので好ましい。又はこれらと通常の１−アルケン重合体
とを混合してもよい。

【００３０】カルボキシル基及び／またはカルボン酸無
水物基は、これらのオレフィン系ワックスのどの部分に
結合してもよい。尚、本発明のＤ成分において数平均分
子量とはＧＰＣ測定により標準ポリスチレンを基準に算
出される数値をいい、また１ｅｑ（１当量）とは、カル
ボキシル基の場合はカルボキシル基が１モル分存在する
ことをいい、カルボン酸無水物基の場合には、０．５モ
ル分存在することをいう。かかる酸変性オレフィン系ワ
ックスは、市販品としては例えばダイヤカルナ−ＰＡ３
０［三菱化学（株）の商品名］等が挙げられる。

【００３１】かかるＤ成分によってカード基材のエンボ
ス加工性が更に改良される機構は十分には解明されてい
ないが、かかるＤ成分が特定の低い分子量範囲であっ
て、且つカルボキシル基等の濃度が高い酸変性ワックス
であるために、選択的に無機充填剤の表面を覆うような
状態をとると考えられている。そのためマトリックス樹
脂と無機充填剤表面との接触を減少させ、これにより熱
負荷時のマトリックス樹脂であるポリカーボネート樹脂
への分解反応が抑制されると共に、無機充填剤によるマ
トリックス樹脂への拘束力が低下し、エンボス加工とい
う大変形時に生じる、無機充填剤近傍の応力集中を抑制
し、エンボス加工性を更に改良できると考えられる。す
なわちＢ成分のオレフィン系重合体はマトリックス樹脂
に直接に働き、エンボス加工という大変形への追従性を
向上させているのに対し、Ｄ成分は特にマトリックス樹
脂と無機充填剤の間に作用するものであり、両者の相乗
作用によってより良好なエンボス加工性が得られるもの
と考えられる。

【００３２】また、一般的にカードには白色度と遮光性
を付与する為に酸化チタンが添加されており、本発明に
おいても、Ｃ成分に含まれない平均粒子径０．５μｍ未
満の酸化チタンを必要量添加することが好ましい。

【００３３】更に、カード基材樹脂組成物は上記Ａ成分
〜Ｃ成分及び任意にＤ成分及び酸化チタンからなるもの
であるが、更に必要に応じ、各種添加剤等を本発明の目
的を阻害しない範囲ですなわちＡ成分〜Ｄ成分及び酸化
チタンの合計１００重量部に対して５重量部以下を目安
に配合することができる。かかる各種添加剤としては現
在公知の各種リン酸エステル又は亜リン酸エステル等の
熱安定剤、ヒンダードフェノール又はチオエーテル等の
酸化防止剤、光安定剤、ベンゾフェノン、ベンゾトリア
ゾール、ヒンダードアミン等の紫外線吸収剤、滑剤、可
塑剤、離型剤、帯電防止剤、酸化チタン以外の着色剤等
が挙げられる。

【００３４】本発明のプラスチックカード基材は、上記
各成分及び必要に応じて用いられる各種添加剤をタンブ
ラー、Ｖ型ブレンダー、ナウターミキサー、ヘンシェル
ミキサー、バンバリーミキサー、混練ロール、押出機等
の混合機により混合し得られた樹脂組成物を使用し以下
の方法により作成する。

【００３５】カード基材の作成方法としては、射出成形
によるものが挙げられる。上記の方法で得た樹脂組成物
を、一般の射出成形法、射出圧縮成形法、及び高速射出
成形法等の成形法によりカード基材を作成することがで
きる。この方法ではカード基材を直接作成できるが、工
程を単純化できる。一方、印刷を施した場合に印刷面が
カード表面となる為、傷つき易い、または高級感（ツ
ヤ）が出しにくい等の問題点があるが、カード製造工程
を大幅に単純化できるという利点がより優勢であるため
好ましい作成方法である。

【００３６】一方上記の方法で得られた樹脂組成物をシ
ート化し、打ち抜き、カッティング、裁断等の方法でカ
ード基材を得ることもできる。詳しくは、カレンダー成
形法又はＴダイ押出成形法等により厚み０．０１５〜
０．８０ｍｍのシートを作成し、これらの厚みの異なる
シートを熱融着法又は接着剤により接着積層し使用する
のが一般的である。詳しいシートの接着方法としては、
ウレタン系、エポキシ系、アクリル系、ビニル系、アミ
ド系等の従来既知の接着剤による方法、及びオーバーシ
ートの材質により異なるが１００〜１８０℃、１５〜３
０ｋｇｆ／ｃｍ²荷重の条件で５〜２０分程度熱融着
（プレスラミネート）する方法等があげられる。

【００３７】シートの組み合わせとしては、厚み０．６
０〜０．８０ｍｍ程度のコアシートの両面又は片面に印
刷を施し、印刷面に更にオーバーシートを積層するのが
一般的である。またコアシートには厚み０．１０〜０．
３０ｍｍ程度のシートを２層以上積層したものも使用で
きる。オーバーシートとしては、全光線透過率７０％以
上のものが印刷絵柄の色調・美観を損なわず好ましく、
更に全光線透過率を８０％以上のものがより好ましい。

【００３８】本発明では、コアシートに上記の方法で得
た樹脂組成物を使用する。一方オーバーシートとして
は、上記の方法で得た樹脂組成物以外にも、本発明のカ
ード基材の特性を損なわない範囲で芳香族ポリエステ
ル、酢酸セルロース、ナイロン、エチレン−酢酸ビニル
共重合体鹸化物、ポリプロピレン、ポリビニルブチラー
ル、ＡＢＳ樹脂、ＡＳ樹脂、ポリカーボネート、ポリメ
タクリル酸メチル、メタクリル酸メチル−ブタジエン−
スチレン共重合体もしくはそれらのアロイ樹脂であり未
延伸シート（フィルム）の厚みが０．０１５〜０．１０
ｍｍのものが使用できる。中でも、ポリエチレンテレフ
タレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリカーボネ
ート、ポリメタクリル酸メチル、ＡＢＳ樹脂、ＡＳ樹脂
等が本発明のカード基材の特性を損なうことなく好まし
く使用できる。

【００３９】本発明では、上記のような２層以上のコア
シート及びオーバーシート１層又は２層を上記の方法で
接着積層したシートを打ち抜き、カッティング、裁断等
の方法でカード基材とすることができる。

【００４０】更に、上記の方法で得られたカード基材
に、磁気ストライプ、ＩＣモジュール、光記録部材、転
写による画像情報、転写による文字情報、転写によるバ
ーコード、ホログラム、及び繰り返し表示及び書き換え
が可能な部材等を１種又は２種類以上を組み合わせて設
けてもよい。かくして得られたプラスチックカードは、
磁気カード、クレジットカード、およびＩＣカード等各
種プラスチックカードに利用できるものである。

【００４１】

【発明の実施の形態】［実施例１〜１４、比較例１〜６
及び参考例１］以下に実施例をあげて本発明を更に詳細
に説明する。実施例及び比較例は、表１〜表３に示す各
成分を表記載の配合割合にてＶ型ブレンダーで混合した
後、スクリュー径３０ｍｍのベント式二軸押出機［神戸
製鋼（株）製ＫＴＸ−３０］によりシリンダー温度２７
０℃でペレット化した。このペレットを１２０℃で６時
間乾燥した後、射出成形機［ＦＡＮＵＣ（株）製Ｔ−１
５０Ｄ］によりシリンダー温度２８０℃、金型温度８０
℃でカード基材成形品（８５．５ｍｍ×５４．０ｍｍ×
厚み０．８０ｍｍ）、及び耐熱性試験用試験片を作成
し、評価結果を表１〜表３に示した。得られたカード基
材成形品は下記の（１）、（３）及び（４）の評価に使
用した。但し、参考例１はコアシートに白色ＰＶＣ、オ
ーバーシートに透明ＰＶＣを配した市販のＰＶＣのカー
ドを使用しエンボス加工性のみ評価を行った。

【００４２】評価は下記の方法によった。（１）エンボス加工性エンボス加工は（株）クスダ製小型電動エンボッサーＫ
Ｅ−７０００ＥＳ（文字はＪＩＳＸ９００１準拠）を用
いて行った。エンボス時のソリは、カードに「１２３４
５６７８９０９８７６５４３２１」という特定の数字の
列を図１に示す位置に２列エンボスした後、カードを水
平な台に乗せ、エンボス文字の無い部分のうち台から最
も離れた点の高さをエンボスソリとして（株）ミツトヨ
製ハイトゲージ（Ｎｏ．５７０−２２３）を用いて測定
した。この場合エンボスソリは２ｍｍ以下が好ましい。
エンボスハイツは、カードに数字の“１“をエンボス
し、エンボス文字の高さを（株）ミツトヨ製マイクロゲ
ージ（Ｎｏ．２９３−１１１）にて測定した。ここの場
合エンボスハイツは０．４５ｍｍ以上が好ましい。ま
た、エンボス加工後のカードについて、割れ・クラック
の有無を目視にて観察した。

【００４３】（２）荷重たわみ温度ＡＳＴＭＤ−６４８に従い、荷重たわみ温度を測定し
た。

【００４４】なお、表１記載の各成分を示す記号は下記
の通りである。（３）カード基材の耐熱性上記（１）の評価で使用したエンボス加工後のカード基
材を、１１５℃の熱風型オーブン中で２４時間処理後、
室温にて放置冷却した後、カードを水平な台に乗せ、エ
ンボス文字の無い部分のうち台から最も離れた点の高さ
をエンボスソリとして（株）ミツトヨ製ハイトゲージ
（Ｎｏ．５７０−２２３）を用いてエンボスソリを再度
測定した。かかる場合に２ｍｍ以下のエンボスソリであ
るものは○、２ｍｍより大きい場合は×とした。

【００４５】（４）充填材の平均粒子径成形により得られたカード基材サンプルを電気炉にて５
００℃で３時間燃焼させ灰分を得た。得られた灰分を日
本電子（株）製ＪＳＭ−６１００型でタルク入りサンプ
ルについて４０００倍にて電子顕微鏡画像を異なる箇所
で撮り、この画像を（株）ピアス製ＰＩＡＳ−IIIシス
テムにより画像解析することにより平均粒径を算出し
た。画像解析は電子顕微鏡画像を２値化処理した後、原
画像との比較によりフィラー同士が重なったものや着色
剤等の不適切な画像を除去した後、それぞれの画像上の
ドット数から画像上の充填材個々の面積を算出した。こ
れを繰り返し測定総数を２００個とした後、測定総面積
を算出し、更に面積の小さなものから面積を積算しこれ
が総面積の５０％となる部分を挟む２つ充填材の面積の
平均値を５０％面積として算出した。この平方根を平均
粒子径として算出した。

【００４６】（Ａ成分）ＰＣ：ビスフェノールＡとホスゲンより製造される粘度
平均分子量２５，０００の直鎖状芳香族ポリカーボネー
ト樹脂：帝人化成（株）製「パンライトＬ−１２５０」（Ｂ成分）ＰＥ−１：粘度平均分子量６０，０００の高密度ポリエ
チレン（三井化学（株）製「ハイゼックス２１００Ｊ
Ｐ」）ＰＥ−２：粘度平均分子量３，０００のポリエチレン
（三井化学（株）製「ハイワックス３１０ＭＰ」）ＥＥＡ：アクリル酸エチル含有量が２５重量％であるエ
チレン−アクリル酸エチル共重合体（日本石油化学
（株）製「レクスロンＥＥＡＡ４２５０」）（Ｃ成分）タルク：ＵｐｎＨ−ＳＴ０．８（林化成工業（株）
製、測定された平均粒子径：３．０μｍ）（Ｄ成分）オレフィン系ＷＡＸ：１−アルケンと無水マレイン酸と
の共重合によるオレフィン系ワックス（ダイヤカルナ−
ＰＡ３０；三菱化学（株）製（無水マレイン酸濃度：２
ｍｅｑ／ｇ、数平均分子量９，０００）（その他）酸化チタン：ＴｉｏｘｉｄｅＲ−ＴＣ３０（タイオキ
サイドジャパン（株）製、平均粒子径：０．２μｍ）

【００４７】

【表１】

【００４８】

【表２】

【００４９】

【表３】

【００５０】この表から明らかなように、本発明の組成
物から得られたカード基材は１２０℃以上の耐熱性及
び、現行汎用されているＰＶＣ製カードよりも良好なエ
ンボスソリ及びエンボスハイツを達成し、エンボス加工
性が極めて良好であることがわかる。一方比較例２に示
されるように樹脂単独で特定の無機充填材が配合されな
い場合は、エンボスハイツは高くなるものの、エンボス
ソリが大幅に劣ることがわかる。また比較例３に示され
るように特定のオレフィン系重合体が配合されない場合
には、エンボスハイツが極めて不十分であると共に、エ
ンボスソリも十分でないことが分かる。更に比較例４及
び５よりそれらが特定量より多い場合にはエンボスハイ
ツとエンボスソリの高いレベルでの両立はできず、また
荷重たわみ温度の条件を満足しない場合には、カード基
材の耐熱性が十分でなく、熱負荷により変形を生じるこ
とがわかる。尚、実施例２及び３の比較等から、酸変性
のオレフィン系ワックスを添加した場合にはエンボス加
工性がより良好であることがわかる。

【００５１】

【発明の効果】本発明のプラスチックカード基材は、エ
ンボス加工性に優れ、且つ耐熱性、耐衝撃強度、及び機
械的特性に優れ、更に燃焼時に有害なガスを発生せず、
磁気カード、クレジットカード、およびＩＣカード等各
種カードとして最適である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例において使用した、ＪＩＳＸ９
００１に準拠したカード成形品（長さ８５．５ｍｍ×幅
５４．０ｍｍ×厚み０．８０ｍｍ）にエンボスした位置
を示す正面図である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｇ０６Ｋ 19/02 Ｇ０６Ｋ 19/02 Ｆターム(参考） 2C005 HA10 HA21 HA30 HB01 HB09 JA01 KA02 KA03 KA07 KA38 KA61 LA03 LA04 LA09 LA29 MA11 MA28 MA40 PA03 PA04 PA15 PA19 PA29 QC12 RA04 RA05 RA09 2H113 AA03 BB07 BB22 BB32 CA00 DA25 DA47 DA58 EA02 EA08 EA13 FA16 4F100 AB01A AC05A AC10A AJ11A AK03A AK04A AK07A AK08A AK45A AK68A AK69A AK70A AL05A BA01 CA23A DD01 DE01A DE02A DG01A GB71 HB21 JA04A JA07A JD20A JJ03 JK01 JK10 YY00A 5B035 AA04 AA07 AA08 BA03 BB02 BB09 BC00 CA02 CA03

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】芳香族ポリカーボネート樹脂（Ａ成分）
８０〜９９重量％、オレフィン系重合体（Ｂ成分）１〜
２０重量％からなる芳香族ポリカーボネート樹脂組成物
１００重量部に対して、平均粒子径０．５〜５０μｍの
粒状充填材、平均粒子径０．５〜５０μｍの板状充填
材、及び平均繊維径が０．５〜２０μｍの繊維状充填材
から選択される少なくとも１種の無機充填材（Ｃ成分）
５〜４０重量部を配合した充填材含有樹脂組成物からな
り、かつＡＳＴＭＤ−６４８に従って測定した荷重た
わみ温度が１２０℃以上である充填材含有樹脂組成物か
らなる層を有するエンボス加工性に優れたプラスチック
カード基材。
【請求項２】Ｂ成分のオレフィン系重合体がポリエチ
レン、ポリプロピレン、ポリメチルペンテン、エチレン
−酢酸ビニル共重合体、エチレン−ビニルアルコール共
重合体、エチレン−アクリル酸エチル共重合体、エチレ
ン−アクリル酸共重合体、１−アルケン重合体より選ば
れる１種又は２種以上からなるオレフィン系重合体であ
る請求項１に記載のプラスチックカード基材。
【請求項３】Ｃ成分が１種又は２種以上の板状無機充
填材である請求項１又は２に記載のプラスチックカード
基材。
【請求項４】Ｂ成分がポリエチレン、エチレン−アク
リル酸エチル共重合体又はこれらの混合物である請求項
１〜３のいずれか１項に記載のプラスチックカード基
材。
【請求項５】Ｃ成分が平均粒子径０．５〜１０μｍの
タルク、マイカ又はその混合物からなる請求項１〜４の
いずれか１項に記載のプラスチックカード基材。
【請求項６】Ａ成分、Ｂ成分及びＣ成分からなる樹脂
組成物１００重量部に対して、更にカルボキシル基及び
／又はカルボン酸無水物基を０．１〜６ｍｅｑ／ｇの濃
度で含有し、かつ数平均分子量が１０００〜１５０００
であるオレフィン系ワックス（Ｄ成分）０．０２〜３重
量部を配合した樹脂組成物からなる請求項１〜５のいず
れか１項に記載のプラスチックカード基材。