FR3088021A1 - Tampon de polissage mécano-chimique et procédé de polissage - Google Patents
Tampon de polissage mécano-chimique et procédé de polissage Download PDFInfo
- Publication number
- FR3088021A1 FR3088021A1 FR1912370A FR1912370A FR3088021A1 FR 3088021 A1 FR3088021 A1 FR 3088021A1 FR 1912370 A FR1912370 A FR 1912370A FR 1912370 A FR1912370 A FR 1912370A FR 3088021 A1 FR3088021 A1 FR 3088021A1
- Authority
- FR
- France
- Prior art keywords
- polishing
- hardener
- polishing pad
- chemical mechanical
- mechanical polishing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 216
- 239000000126 substance Substances 0.000 title claims abstract description 73
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 title abstract description 22
- 239000004848 polyfunctional curative Substances 0.000 claims description 86
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 64
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 claims description 36
- 150000002513 isocyanates Chemical class 0.000 claims description 36
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 28
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 26
- 125000001453 quaternary ammonium group Chemical group 0.000 claims description 23
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 18
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 16
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims description 12
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 claims description 9
- WLTHPEHYBIKNHR-UHFFFAOYSA-M methyl sulfate;tris(2-hydroxyethyl)-methylazanium Chemical group COS([O-])(=O)=O.OCC[N+](C)(CCO)CCO WLTHPEHYBIKNHR-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 9
- IBOFVQJTBBUKMU-UHFFFAOYSA-N 4,4'-methylene-bis-(2-chloroaniline) Chemical group C1=C(Cl)C(N)=CC=C1CC1=CC=C(N)C(Cl)=C1 IBOFVQJTBBUKMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 7
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims description 6
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 claims description 6
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 claims description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 4
- YSRQRFIVCMIJJE-UHFFFAOYSA-M 2,3-dihydroxypropyl(trimethyl)azanium;chloride Chemical group [Cl-].C[N+](C)(C)CC(O)CO YSRQRFIVCMIJJE-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- 239000000725 suspension Substances 0.000 abstract description 31
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 43
- 238000000034 method Methods 0.000 description 28
- 229920005862 polyol Polymers 0.000 description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 description 17
- 150000003077 polyols Chemical class 0.000 description 16
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 16
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 15
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N isocyanate group Chemical group [N-]=C=O IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 description 12
- -1 polyol diols Chemical class 0.000 description 11
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 10
- 210000003056 antler Anatomy 0.000 description 9
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 8
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 8
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 8
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 8
- 239000005056 polyisocyanate Substances 0.000 description 7
- 229920001228 polyisocyanate Polymers 0.000 description 7
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 7
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 6
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 5
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 5
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 5
- 238000013461 design Methods 0.000 description 5
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- PUPZLCDOIYMWBV-UHFFFAOYSA-N (+/-)-1,3-Butanediol Chemical compound CC(O)CCO PUPZLCDOIYMWBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UPMLOUAZCHDJJD-UHFFFAOYSA-N 4,4'-Diphenylmethane Diisocyanate Chemical compound C1=CC(N=C=O)=CC=C1CC1=CC=C(N=C=O)C=C1 UPMLOUAZCHDJJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 4
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 4
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- 239000004831 Hot glue Substances 0.000 description 3
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 3
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 3
- WERYXYBDKMZEQL-UHFFFAOYSA-N butane-1,4-diol Chemical compound OCCCCO WERYXYBDKMZEQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 3
- 229920000909 polytetrahydrofuran Polymers 0.000 description 3
- LCZVSXRMYJUNFX-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-hydroxypropoxy)propoxy]propan-1-ol Chemical compound CC(O)COC(C)COC(C)CO LCZVSXRMYJUNFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QWGRWMMWNDWRQN-UHFFFAOYSA-N 2-methylpropane-1,3-diol Chemical compound OCC(C)CO QWGRWMMWNDWRQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SXFJDZNJHVPHPH-UHFFFAOYSA-N 3-methylpentane-1,5-diol Chemical compound OCCC(C)CCO SXFJDZNJHVPHPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ALQSHHUCVQOPAS-UHFFFAOYSA-N Pentane-1,5-diol Chemical compound OCCCCCO ALQSHHUCVQOPAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 description 2
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 2
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000001143 conditioned effect Effects 0.000 description 2
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 2
- KQWGXHWJMSMDJJ-UHFFFAOYSA-N cyclohexyl isocyanate Chemical compound O=C=NC1CCCCC1 KQWGXHWJMSMDJJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000005442 diisocyanate group Chemical group 0.000 description 2
- 150000002009 diols Chemical class 0.000 description 2
- SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N dipropylene glycol Chemical compound OCCCOCCCO SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002296 dynamic light scattering Methods 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- RRAMGCGOFNQTLD-UHFFFAOYSA-N hexamethylene diisocyanate Chemical compound O=C=NCCCCCCN=C=O RRAMGCGOFNQTLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XXMIOPMDWAUFGU-UHFFFAOYSA-N hexane-1,6-diol Chemical compound OCCCCCCO XXMIOPMDWAUFGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 2
- SLCVBVWXLSEKPL-UHFFFAOYSA-N neopentyl glycol Chemical compound OCC(C)(C)CO SLCVBVWXLSEKPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229920002239 polyacrylonitrile Polymers 0.000 description 2
- YPFDHNVEDLHUCE-UHFFFAOYSA-N propane-1,3-diol Chemical compound OCCCO YPFDHNVEDLHUCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007655 standard test method Methods 0.000 description 2
- XSCLFFBWRKTMTE-UHFFFAOYSA-N 1,3-bis(isocyanatomethyl)cyclohexane Chemical compound O=C=NCC1CCCC(CN=C=O)C1 XSCLFFBWRKTMTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ROHUXHMNZLHBSF-UHFFFAOYSA-N 1,4-bis(isocyanatomethyl)cyclohexane Chemical compound O=C=NCC1CCC(CN=C=O)CC1 ROHUXHMNZLHBSF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATOUXIOKEJWULN-UHFFFAOYSA-N 1,6-diisocyanato-2,2,4-trimethylhexane Chemical compound O=C=NCCC(C)CC(C)(C)CN=C=O ATOUXIOKEJWULN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JIABEENURMZTTI-UHFFFAOYSA-N 1-isocyanato-2-[(2-isocyanatophenyl)methyl]benzene Chemical class O=C=NC1=CC=CC=C1CC1=CC=CC=C1N=C=O JIABEENURMZTTI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LKAWQFHWVVSFTR-UHFFFAOYSA-N 2-(methylamino)ethanol;hydrochloride Chemical compound [Cl-].C[NH2+]CCO LKAWQFHWVVSFTR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VIOMIGLBMQVNLY-UHFFFAOYSA-N 4-[(4-amino-2-chloro-3,5-diethylphenyl)methyl]-3-chloro-2,6-diethylaniline Chemical compound CCC1=C(N)C(CC)=CC(CC=2C(=C(CC)C(N)=C(CC)C=2)Cl)=C1Cl VIOMIGLBMQVNLY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004821 Contact adhesive Substances 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 229920002396 Polyurea Polymers 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920013701 VORANOL™ Polymers 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 1
- 239000003139 biocide Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- BMRWNKZVCUKKSR-UHFFFAOYSA-N butane-1,2-diol Chemical compound CCC(O)CO BMRWNKZVCUKKSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000013877 carbamide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 230000007717 exclusion Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 238000007542 hardness measurement Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- NIMLQBUJDJZYEJ-UHFFFAOYSA-N isophorone diisocyanate Chemical compound CC1(C)CC(N=C=O)CC(C)(CN=C=O)C1 NIMLQBUJDJZYEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003041 laboratory chemical Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 239000002480 mineral oil Substances 0.000 description 1
- 235000010446 mineral oil Nutrition 0.000 description 1
- 238000005191 phase separation Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920001610 polycaprolactone Polymers 0.000 description 1
- 239000004632 polycaprolactone Substances 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920005906 polyester polyol Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000582 polyisocyanurate Polymers 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920003226 polyurethane urea Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 1
- 150000003672 ureas Chemical class 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/11—Lapping tools
- B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
- B24B37/24—Lapping pads for working plane surfaces characterised by the composition or properties of the pad materials
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/046—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces using electric current
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/042—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
- B24B37/044—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor characterised by the composition of the lapping agent
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/11—Lapping tools
- B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/11—Lapping tools
- B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
- B24B37/205—Lapping pads for working plane surfaces provided with a window for inspecting the surface of the work being lapped
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/11—Lapping tools
- B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
- B24B37/24—Lapping pads for working plane surfaces characterised by the composition or properties of the pad materials
- B24B37/245—Pads with fixed abrasives
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B57/00—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents
- B24B57/02—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents for feeding of fluid, sprayed, pulverised, or liquefied grinding, polishing or lapping agents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G18/00—Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates
- C08G18/06—Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen
- C08G18/08—Processes
- C08G18/10—Prepolymer processes involving reaction of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen in a first reaction step
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G18/00—Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates
- C08G18/06—Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen
- C08G18/08—Processes
- C08G18/16—Catalysts
- C08G18/18—Catalysts containing secondary or tertiary amines or salts thereof
- C08G18/1875—Catalysts containing secondary or tertiary amines or salts thereof containing ammonium salts or mixtures of secondary of tertiary amines and acids
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G18/00—Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates
- C08G18/06—Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen
- C08G18/28—Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen characterised by the compounds used containing active hydrogen
- C08G18/30—Low-molecular-weight compounds
- C08G18/32—Polyhydroxy compounds; Polyamines; Hydroxyamines
- C08G18/3225—Polyamines
- C08G18/3237—Polyamines aromatic
- C08G18/3243—Polyamines aromatic containing two or more aromatic rings
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G18/00—Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates
- C08G18/06—Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen
- C08G18/28—Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen characterised by the compounds used containing active hydrogen
- C08G18/30—Low-molecular-weight compounds
- C08G18/32—Polyhydroxy compounds; Polyamines; Hydroxyamines
- C08G18/3271—Hydroxyamines
- C08G18/3275—Hydroxyamines containing two hydroxy groups
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G18/00—Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates
- C08G18/06—Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen
- C08G18/28—Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen characterised by the compounds used containing active hydrogen
- C08G18/30—Low-molecular-weight compounds
- C08G18/32—Polyhydroxy compounds; Polyamines; Hydroxyamines
- C08G18/3271—Hydroxyamines
- C08G18/3278—Hydroxyamines containing at least three hydroxy groups
- C08G18/3281—Hydroxyamines containing at least three hydroxy groups containing three hydroxy groups
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G18/00—Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates
- C08G18/06—Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen
- C08G18/28—Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen characterised by the compounds used containing active hydrogen
- C08G18/30—Low-molecular-weight compounds
- C08G18/38—Low-molecular-weight compounds having heteroatoms other than oxygen
- C08G18/3802—Low-molecular-weight compounds having heteroatoms other than oxygen having halogens
- C08G18/3814—Polyamines
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G18/00—Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates
- C08G18/06—Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen
- C08G18/28—Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen characterised by the compounds used containing active hydrogen
- C08G18/40—High-molecular-weight compounds
- C08G18/48—Polyethers
- C08G18/4825—Polyethers containing two hydroxy groups
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G18/00—Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates
- C08G18/06—Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen
- C08G18/28—Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen characterised by the compounds used containing active hydrogen
- C08G18/40—High-molecular-weight compounds
- C08G18/48—Polyethers
- C08G18/4833—Polyethers containing oxyethylene units
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G18/00—Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates
- C08G18/06—Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen
- C08G18/28—Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen characterised by the compounds used containing active hydrogen
- C08G18/40—High-molecular-weight compounds
- C08G18/48—Polyethers
- C08G18/4854—Polyethers containing oxyalkylene groups having four carbon atoms in the alkylene group
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G18/00—Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates
- C08G18/06—Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen
- C08G18/28—Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen characterised by the compounds used containing active hydrogen
- C08G18/65—Low-molecular-weight compounds having active hydrogen with high-molecular-weight compounds having active hydrogen
- C08G18/66—Compounds of groups C08G18/42, C08G18/48, or C08G18/52
- C08G18/6666—Compounds of group C08G18/48 or C08G18/52
- C08G18/667—Compounds of group C08G18/48 or C08G18/52 with compounds of group C08G18/32 or polyamines of C08G18/38
- C08G18/6681—Compounds of group C08G18/48 or C08G18/52 with compounds of group C08G18/32 or polyamines of C08G18/38 with compounds of group C08G18/32 or C08G18/3271 and/or polyamines of C08G18/38
- C08G18/6685—Compounds of group C08G18/48 or C08G18/52 with compounds of group C08G18/32 or polyamines of C08G18/38 with compounds of group C08G18/32 or C08G18/3271 and/or polyamines of C08G18/38 with compounds of group C08G18/3225 or polyamines of C08G18/38
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G18/00—Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates
- C08G18/06—Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen
- C08G18/70—Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen characterised by the isocyanates or isothiocyanates used
- C08G18/72—Polyisocyanates or polyisothiocyanates
- C08G18/74—Polyisocyanates or polyisothiocyanates cyclic
- C08G18/75—Polyisocyanates or polyisothiocyanates cyclic cycloaliphatic
- C08G18/758—Polyisocyanates or polyisothiocyanates cyclic cycloaliphatic containing two or more cycloaliphatic rings
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G18/00—Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates
- C08G18/06—Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen
- C08G18/70—Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen characterised by the isocyanates or isothiocyanates used
- C08G18/72—Polyisocyanates or polyisothiocyanates
- C08G18/74—Polyisocyanates or polyisothiocyanates cyclic
- C08G18/76—Polyisocyanates or polyisothiocyanates cyclic aromatic
- C08G18/7657—Polyisocyanates or polyisothiocyanates cyclic aromatic containing two or more aromatic rings
- C08G18/7664—Polyisocyanates or polyisothiocyanates cyclic aromatic containing two or more aromatic rings containing alkylene polyphenyl groups
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Polyurethanes Or Polyureas (AREA)
Abstract
Tampon de polissage mécano-chimique et procédé de polissage La présente invention concerne un tampon de polissage mécano-chimique présentant une couche de polissage qui possède un potentiel zêta positif consistant sur la surface entière. Il est également décrit un procédé de polissage mécano-chimique utilisant le tampon de polissage en association avec une suspension positivement chargée.
Description
Description
Titre de l'invention : Tampon de polissage mécano-chimique et procédé de polissage
Domaine de l’invention [0001] La présente invention concerne en général le domaine du polissage mécano-chimique (CMP) de dispositifs semiconducteurs perfectionnés. La présente invention concerne plus particulièrement un tampon de polissage CMP chimiquement modifié, et un procédé de polissage mécano-chimique de dispositifs semiconducteurs perfectionnés.
Etat de la technique [0002] Dans la fabrication de circuits intégrés et d'autres dispositifs électroniques, de multiples couches de matériaux conducteurs, semiconducteurs et diélectriques sont déposées sur ou retirées d'une surface d'une galette de semiconducteur. De minces couches de matériaux conducteurs, semiconducteurs, et diélectriques peuvent être déposées par de nombreuses techniques de dépôt. Les techniques de dépôt classiques dans un traitement moderne comprennent le dépôt physique en phase vapeur (PVD), également connu comme pulvérisation cathodique, le dépôt chimique en phase vapeur (CVD), le dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD), et le placage électrochimique (ECP).
[0003] Lorsque des couches de matériaux sont successivement déposées et retirées, la surface supérieure de la galette devient non plane. Comme le traitement du semiconducteur subséquent (par exemple métallisation) exige que la galette présente une surface plane, la galette doit être planarisée. La planarisation est utile pour éliminer une topographie de surface et des défauts de surface non souhaités, tels que des surfaces rugueuses, des matériaux agglomérés, une détérioration du réseau cristallin, des égratignures, et des couches ou matériaux pollués.
[0004] La planarisation mécano-chimique, ou polissage mécano-chimique (CMP), est une technique classique utilisée pour planariser des substrats, tels que des galettes de semiconducteurs. Dans un CMP classique, une galette est fixée sur un assemblage de support et positionnée en contact avec un tampon de polissage dans un appareil CMP. L'assemblage de support fournit une pression réglable à la galette, la pressant contre le tampon de polissage. Le tampon est déplacé (par exemple, mis en rotation) par rapport à la galette par une force de commande externe. Simultanément avec ceci, une composition chimique (suspension) ou autre solution de polissage est fournie entre la galette et le tampon de polissage. La surface de galette est ainsi polie et rendue plane par l'action chimique et mécanique de la surface du tampon et de la suspension.
[0005] En plus de la force de contact entre un tampon et des particules en suspension, les forces de surface agissent également entre la galette et les particules en suspension, et impactent la vitesse de retrait de matériau CMP.
[0006] La publication de la demande de brevet US N° 2017/0120416 décrit des articles de polissage présentant différentes régions de potentiel zêta sur toute la surface des articles de polissage. Lorsqu'une suspension active contient un abrasif présentant un potentiel zêta positif (par exemple, alumine), la surface de polissage peut être conçue pour présenter un potentiel zêta plus négatif par rapport aux autres régions de la surface de l'article de polissage pour attirer l'abrasif à l'interface entre l'article de polissage et l'interface liquide.
[0007] Le brevet US 9 484 212 décrit un procédé pour améliorer la sélectivité de retrait entre un matériau d'oxyde de silicium et un nitrure de silicium pour une couche de polissage dans un tampon de polissage CMP. Ceci est réalisé par certaines combinaisons des matières premières utilisées dans la composition de couche de polissage et en utilisant un abrasif de silice qui présente une charge de surface positive mesurée à un pH de polissage de 1 à 6.
[0008] WO2018021428 décrit des tampons de polissage présentant des potentiels zêta positifs. Les tampons de polissage sont constitués d'un polyuréthane d'amine tertiaire.
[0009] Il existe un besoin pour un tampon de polissage mécano-chimique amélioré présentant des performance et productivité de planarisation CMP supérieures. La présente invention satisfait ce besoin en fournissant un tampon de polissage CMP chimiquement modifié présentant un potentiel zêta positif consistant sur la surface entière, et un procédé couplant le tampon amélioré avec une suspension positivement chargée pour améliorer la performance de polissage.
RESUME DE LA DESCRIPTION [0010] Un mode de réalisation fournit un tampon de polissage mécano-chimique (CMP) présentant un potentiel zêta positif pour polir un substrat choisi parmi au moins un d'une mémoire, un disque en silicium, du verre, et un substrat de semiconducteur, le tampon de polissage comprenant une couche de polissage ayant une composition et une surface de polissage, dans lequel la composition est un produit de réaction d'ingrédients, comprenant :
[0011] (a) un isocyanate polyfonctionnel ayant une moyenne d'au moins deux groupes isocyanate (NCO) n'ayant pas réagi par molécule ;
[0012] (b) un premier durcisseur consistant en un ammonium quaternaire substitué par au moins un hydroxyle ;
[0013] (c) un second durcisseur, dans lequel ledit second durcisseur est exempt d'ammonium quaternaire ; et [0014] (d) éventuellement, plusieurs microéléments ;
[0015] dans lequel ledit premier durcisseur est présent en une quantité supérieure ou égale à
50% en mole rapportée à la quantité molaire totale du premier durcisseur et du second durcisseur, et dans lequel le rapport stœchiométrique des groupes hydrogène réactif combinés dans les durcisseurs de (b) et (c) par rapport aux au moins deux groupes isocyanate (NCO) n'ayant pas réagi dans l'isocyanate polyfonctionnel de (a) est de 0,8 à 1,1 ; et [0016] dans lequel ledit potentiel zêta positif est consistant sur la surface du tampon de polissage entier, et est indépendant du pH sur un intervalle de pH de 2 à 12 en utilisant de l'acide nitrique ou de l'hydroxyde de potassium pour ajuster le pH d'eau désionisée.
[0017] Un autre mode de réalisation consiste en ce que le premier durcisseur contient au moins deux groupes hydroxyle par molécule.
[0018] Un autre mode de réalisation consiste en ce que le premier durcisseur contient au moins trois groupes hydroxyle par molécule.
[0019] Un autre mode de réalisation consiste en ce que le second durcisseur comprend une amine.
[0020] Un autre mode de réalisation consiste en ce que le second durcisseur contient moins de 0,1% en masse d'amine tertiaire.
[0021] Un autre mode de réalisation consiste en ce que l'amine est une amine aromatique.
[0022] Un autre mode de réalisation consiste en ce que l'amine aromatique est la
4,4'-méthylènebis (2-chloroaniline) (MB OCA).
[0023] Un autre mode de réalisation consiste en ce que l'ammonium quaternaire est le méthylsulfate de tris(2-hydroxyéthyl)méthylammonium.
[0024] Un autre mode de réalisation consiste en ce que l'ammonium quaternaire est le chlorure de (2,3-dihydroxypropyl)triméthylammonium.
[0025] Un autre mode de réalisation consiste en ce que le potentiel zêta se trouve dans l'intervalle de +90 à +160 mV.
[0026] Un autre mode de réalisation consiste en un procédé de polissage mécano-chimique d'un substrat, comprenant :
- la fourniture du substrat ;
- la fourniture d'une suspension de polissage comprenant de l'eau et un abrasif de silice ;
la fourniture d'un tampon de polissage mécano-chimique présentant un potentiel zêta positif, le tampon de polissage comprenant une couche de polissage ayant une composition, et une surface de polissage, dans lequel la composition est un produit de réaction d'ingrédients, comprenant :
(a) un isocyanate polyfonctionnel ayant une moyenne d'au moins deux groupes isocyanate (NCO) n'ayant pas réagi par molécule ;
(b) un premier durcisseur consistant en ammonium quaternaire substitué par au moins un hydroxyle ;
(c) un second durcisseur, dans lequel ledit second durcisseur est exempt d'ammonium quaternaire ; et, (d) éventuellement, plusieurs microéléments ;
dans lequel ledit premier durcisseur est présent en une quantité supérieure ou égale à 50% en mole rapportée à la quantité molaire totale du premier durcisseur et du second durcisseur, et dans lequel le rapport stœchiométrique des groupes hydrogène réactif combinés dans les durcisseurs de (b) et (c) par rapport aux au moins deux groupes isocyanate (NCO) n'ayant pas réagi dans l'isocyanate polyfonctionnel de (a) est de 0,8 à 1,1 ; et [0027] dans lequel ledit potentiel zêta positif est consistant sur la surface du tampon de polissage entier et est indépendant du pH sur un intervalle de pH de 2 à 12 en utilisant de l'acide nitrique ou de l’hydroxyde de potassium pour ajuster le pH d'eau désionisée ;
- la création d'un mouvement dynamique entre la surface de polissage et le substrat pour polir une surface du substrat ; et
- la distribution de la suspension de polissage sur le tampon de polissage mécanochimique à ou à proximité de l'interface entre la surface de polissage et le substrat.
[0028] Un autre mode de réalisation consiste en ce que l'abrasif de silice présente une charge de surface positive mesurée à un pH de polissage de 1 à 6.
[0029] Un mode de réalisation encore différent consiste en ce que la suspension de polissage présente un pH de 3-5.
[0030] Ceux-ci et d’autres aspects et avantages des présents modes de réalisation seront plus facilement compris par l'homme de l'art à partir d'une lecture de la description détaillée suivante. Certains aspects des modes de réalisation décrits qui sont décrits ci-dessus et ci-dessous comme modes de réalisation séparés, à des fins de clarté, peuvent également être combinés entre eux sous un seul mode de réalisation. Au contraire, différents aspects des modes de réalisation décrits qui sont décrits dans le contexte d'un seul mode de réalisation peuvent également être présents séparément ou dans une souscombinaison quelconque.
Description des modes de réalisation [0031] Sauf indication contraire, tous les termes techniques et scientifiques utilisés ici présentent des significations classiquement comprises par l'homme de l'art dans le domaine auquel la description s'adresse.
[0032] Sauf indication contraire, tous les pourcentages, parties, rapports, etc., sont en masse.
[0033] Lorsqu'une quantité, une concentration, ou une autre valeur ou paramètre est donnée comme soit un intervalle, un intervalle préféré soit une liste de valeurs préférées supérieures et valeurs préférées inférieures, ceci doit être compris comme décrivant spécifiquement tous les intervalles formés à partir de toute paire de limite d'intervalle su périeure ou valeur préférée quelconque et de toute limite d’intervalle inférieure ou valeur préférée quelconque, que les intervalles soient séparément décrits ou non. Lorsqu’un intervalle de valeurs numériques est cité, sauf indication contraire, l'intervalle est destiné à inclure les points limites de celui-ci, et tous les nombres entiers et fractions dans l'intervalle.
[0034] Sauf indication contraire, les conditions de température et pression sont la température ambiante et la pression atmosphérique. Tous les intervalles cités sont inclusifs et combinables.
[0035] Sauf indication contraire, tout terme contenant des parenthèses fait référence, de manière alternative, au terme global comme si aucune parenthèse n'était présente et au terme sans celles-ci, et aux combinaisons de chaque alternative. Le terme (poly)isocyanate fait ainsi référence à isocyanate, polyisocyanate, ou mélanges de ceux-ci.
[0036] Comme utilisé ici, le terme ASTM fait référence aux publications de ASTM International, West Conshohocken, PA.
[0037] Comme utilisé ici, sauf indication contraire, le terme masse moléculaire ou masse moléculaire moyenne indique une masse de formule pour un matériau donné comme cité par son fabricant. Une masse moléculaire moyenne fait référence à la masse moléculaire citée pour une distribution de molécules dans un matériau donné, par exemple une distribution polymère.
[0038] Comme utilisé ici, le terme stœchiométrie d'un mélange réactionnel fait référence au rapport d'équivalents molaires de groupes NCO au nombre d'équivalents molaires de groupes OH dans un mélange réactionnel donné.
[0039] Comme utilisé ici, le terme polyisocyanate indique tout groupe isocyanate contenant une molécule présentant trois groupes isocyanate ou plus, incluant des groupes isocyanate séquencés.
[0040] Comme utilisé ici, le terme polyuréthanes fait référence à des produits de polymérisation d'isocyanates difonctionnels ou polyfonctionnels, par exemple polyéther urées, polyisocyanurates, polyuréthanes, polyurées, polyuréthane urées, copolymères de ceux-ci et mélanges de ceux-ci.
[0041] Comme utilisé ici, le terme mélange réactionnel inclut des additifs non-réactifs, tels que des microéléments et des additifs pour abaisser la dureté à l'état humide (Shore D ou Shore A selon ASTM D2240-15 (2015)) d'un produit de réaction de polyuréthane dans le tampon de polissage.
[0042] Comme utilisé ici, le terme galette de semiconducteur est destiné à englober un substrat semiconducteur, tel qu'un semiconducteur sans motif ou présentant un motif, un dispositif semiconducteur, différents assemblages pour différents niveaux d'interconnexion, incluant une galette à puce unique ou une galette à puces multiples, un substrat pour une diode émettant de la lumière (LED), ou d'autres assemblages exigeant des connexions de brasage.
[0043] Comme utilisé ici, le terme substrat semiconducteur est défini pour indiquer toute construction comprenant un matériau semiconducteur. Un substrat semiconducteur inclut des dispositifs semiconducteurs et tout substrat présentant une ou plusieurs couches ou structures semiconductrices qui incluent des portions actives ou fonctionnelles de dispositifs semiconducteurs.
[0044] Comme utilisé ici, le terme dispositif semiconducteur fait référence à un substrat semiconducteur sur lequel au moins un dispositif microélectronique a été ou est fabriqué.
[0045] Comme utilisé ici, les termes dureté Shore D et dureté Shore A sont les valeurs de dureté d'un matériau donné comme mesurées après une période de temps donné selon ASTM D2240-15 (2015), Standard Test Method for Rubber Property Durometer Hardness (Méthode de test standard pour propriété de caoutchouc-dureté de duromètre). On a mesuré la dureté sur un dispositif de test de dureté Rex Hybrid (Rex Gauge Company, Inc., Buffalo Grove, IL), équipé, respectivement, d'une sonde D ou A. On a empilé quatre échantillons et on les a mélangés pour chaque mesure de dureté ; et on a conditionné chaque spécimen testé en le plaçant dans une humidité relative de 50 pourcent pendant cinq jours à 23°C avant le test et en utilisant la méthodologie indiquée dans ASTM D2240-15 (2015) pour améliorer la répétabilité des tests de dureté.
[0046] Comme utilisé ici, le terme DS ou densité spécifique fait référence au rapport masse/volume d'une découpe rectangulaire d'un tampon ou d'une couche de polissage selon la présente invention.
[0047] Comme utilisé ici, le terme MBOCA indique la 4,4'-méthylènebis(2-chloroaniline), une aniline disponible dans le commerce.
[0048] Comme utilisé ici, le terme MCDEA indique le bis(4-amino-2-chloro-3,5-diéthylphényl)méthane, une aniline disponible dans le commerce.
[0049] Comme utilisé ici, le terme MTEOA MeOSO3 indique le méthylsulfate de tris(2-hydroxyéthyl)méthylammonium, ou Basionic FS-01 ou Efka® 106783, un ammonium quaternaire disponible dans le commerce chez BASF.
[0050] Sauf indication contraire, les produits chimiques ci-dessus ont été obtenus chez Aldrich (Milwaukee, WI) ou d'autres fournisseurs similaires de produits chimiques de laboratoire.
[0051] De plus, les références au singulier peuvent également inclure le pluriel (par exemple un peut faire référence à un, ou un ou plusieurs) à moins que le contexte ne cite spécifiquement autre chose.
[0052] Il a été trouvé de manière surprenante que la combinaison d'au moins 50% en mole (rapporté à la quantité molaire totale de durcisseurs) d'un ammonium quaternaire substitué par au moins un hydroxyle en tant que durcisseur pour réagir avec un isocyanate polyfonctionnel présentant au moins deux groupes (NCO) isocyanate n'ayant pas réagi par molécule résulte en une couche de polissage de polyuréthane présentant un potentiel zêta positif sur la surface entière, et que le potentiel zêta positif sur la surface de la couche de polissage n'est pas affecté par le pH. Comme les substrats de semiconducteurs continuent à évoluer avec une complexité croissante, il existe un besoin pour des tampons de polissage CMP avec de meilleurs aspects qui permettent un meilleur taux de retrait. Le tampon CMP fourni par la présente invention offre un autre outil ayant une meilleure vitesse de retrait pour permettre la fabrication de substrats bien plus complexes. Les substrats appropriés pour la présente invention comprennent une mémoire, un disque en silicium, du verre, une galette semiconductrice, et un substrat semiconducteur mais ne sont pas limités à ceux-ci.
[0053] La composition de couche de polissage de la couche de polissage dans le tampon de polissage mécano-chimique fourni dans la présente invention est un produit de réaction de polyuréthane d'ingrédients, comprenant : (a) un isocyanate polyfonctionnel ayant une moyenne d'au moins deux groupes isocyanate (NCO) n'ayant pas réagi par molécule ; (b) un premier durcisseur consistant en un ammonium quaternaire substitué par au moins un hydroxyle ; (c) un second durcisseur, dans lequel ledit second durcisseur est exempt d'ammonium quaternaire ; et (d) éventuellement, plusieurs microéléments ; dans lequel ledit premier durcisseur est présent en une quantité supérieure ou égale à 50% en mole (encore mieux supérieure à 55% en mole ; bien mieux encore de 60% en mole à 75% en mole) rapportée à la quantité molaire totale du premier durcisseur et du second durcisseur, et dans lequel le rapport stoechiométrique des groupes hydrogène réactif combinés dans les durcisseurs de (b) et (c) par rapport aux au moins deux groupes isocyanate (NCO) n'ayant pas réagi dans l'isocyanate polyfonctionnel de (a) est de 0,8 à 1,1 ; et dans lequel ledit potentiel zêta positif est consistant sur la surface du tampon de polissage entier, et est indépendant du pH sur un intervalle de pH de 2 à 12 (de préférence, 3 à 8 ; de préférence encore 4 à 6) en utilisant de l'acide nitrique ou de l'hydroxyde de potassium pour ajuster le pH d'eau désionisée.
[0054] L'isocyanate polyfonctionnel présentant une moyenne d'au moins deux groupes isocyanate (NCO) n'ayant pas réagi par molécule est de préférence un produit de réaction d'ingrédients, incluant : (i) un isocyanate polyfonctionnel aliphatique ; et, (ii) un polyol de prépolymère. L'isocyanate polyfonctionnel ayant une moyenne d'au moins deux groupes isocyanate (NCO) n'ayant pas réagi par molécule est encore mieux un produit de réaction d'ingrédients, incluant : (i) un isocyanate polyfonctionnel ali phatique, dans lequel l'isocyanate polyfonctionnel aliphatique est choisi dans le groupe consistant en diisocyanate d'isophorone (IPDI) ; hexaméthylène-l,6-diisocyanate (HDI) ; 4,4-méthylènebis(cyclohexyl isocyanate) (Hi2-MDI) ; diisocyanate de
1.4- cyclohexane ; diisocyanate de 1,3-cyclohexane ; diisocyanate de 1,2-cyclohexane ; diisocyanate de 2,2,4-triméthylhexaméthylène ; diisocyanate de
2.4.4- triméthylhexaméthylène ; l,4-bis(isocyanatométhyl)cyclohexane ;
l,3-bis(isocyanatométhyl)cyclohexane et des mélanges de ceux-ci ; et, (ii) un polyol de prépolymère, dans lequel le polyol de prépolymère est choisi dans le groupe consistant en diols, polyols, polyol diols, copolymères de ceux-ci, et mélanges de ceux-ci. L'isocyanate polyfonctionnel ayant une moyenne d’au moins deux groupes isocyanate (NCO) n'ayant pas réagi par molécule est de préférence encore un produit de réaction d'ingrédients incluant : (i) un isocyanate polyfonctionnel aliphatique, dans lequel l'isocyanate polyfonctionnel aliphatique est le 4,4-méthylènebis(cyclohexylisocyanate) (Hi2-MDI) ; et, (ii) un polyol de prépolymère, dans lequel le polyol de prépolymère est choisi dans le groupe consistant en diols, polyols, polyol diols, copolymères de ceuxci, et mélanges de ceux-ci.
[0055] Le polyol de prépolymère est de préférence choisi dans le groupe consistant en polyéther polyols (par exemple, poly(oxytétraméthylène)glycol, poly(oxypropylène)glycol, poly(oxyéthylène)glycol) ; polycarbonate polyols ; polyester polyols ; polycaprolactone polyols ; mélanges de ceux-ci ; et, mélanges de ceux-ci avec un ou plusieurs polyols de faible masse moléculaire choisis dans le groupe consistant en éthylène glycol ; 1,2-propylène glycol ; 1,3-propylène glycol ;
1.2- butanediol ; 1,3-butanediol ; 2-méthyl-l,3-propanediol ; 1,4-butanediol ; néopentyl glycol ; 1,5-pentanediol ; 3-méthyl-l,5-pentanediol ; 1,6-hexanediol ; diéthylène glycol ; dipropylène glycol ; et, tripropylène glycol. Le polyol de prépolymère est encore mieux choisi dans le groupe consistant en au moins un de polytétraméthylène éther glycol (PTMEG) ; polypropylène éther glycols (PPG), et polyéthylène éther glycols (PEG) ; éventuellement, mélangé avec au moins un polyol de faible masse moléculaire choisi dans le groupe consistant en éthylène glycol ; 1,2-propylène glycol ;
1.3- propylène glycol ; 1,2-butanediol ; 1,3-butanediol ; 2-méthyl-l,3-propanediol ;
1.4- butanediol ; néopentyl glycol ; 1,5-pentanediol ; 3-méthyl-l,5-pentanediol ; 1,6-hexanediol ; diéthylène glycol ; dipropylène glycol ; et, tripropylène glycol.
[0056] L'isocyanate polyfonctionnel ayant une moyenne d'au moins deux groupes isocyanate (NCO) n'ayant pas réagi par molécule est de préférence un prépolymère d'uréthane à terminaison isocyanate ayant de 5,5 à 11,5% en masse (de préférence, de 6 à 11% en masse ; de préférence de 7 à 10,5% en masse ; de préférence de 7,25 à 10,5% en masse) de groupes isocyanate (NCO) n'ayant pas réagi.
[0057] Le premier durcisseur, le durcisseur d'ammonium quaternaire, contient de préférence deux groupes hydroxyle par molécule. Le durcisseur d'ammonium quaternaire contient de préférence encore trois groupes hydroxyle par molécule. Le durcisseur d'ammonium quaternaire contient de préférence un halogénure, sulfate ou nitrate en tant que contre ion. Le durcisseur d'ammonium quaternaire présente de préférence une masse moléculaire dans l'intervalle de 100-500 g/mol. Des exemples de durcisseurs d'ammonium quaternaire disponibles dans le commerce comprennent Basionic FS-01, ou le méthylsulfate de tris(2-hydroxyéthyl)méthylammonium, chez BASF, le chlorure de (2,3-dihydroxypropyl)triméthylammonium, et le chlorure de dodécylbis(2-hydroxyéthyl)méthylammonium.
[0058] Le second durcisseur est de préférence une amine. Le second durcisseur contient de préférence encore mieux moins de 0,1% en masse d'amine tertiaire. Le second durcisseur est encore mieux une amine aromatique. Le second durcisseur présente de préférence une masse moléculaire dans l'intervalle de 100-500 g/mol. Des exemples de durcisseurs d'amines aromatiques disponibles dans le commerce comprennent MBOCA, et MCDEA.
[0059] Le second durcisseur inclut également des durcisseurs de polyols amorcés par une amine aliphatique, par exemple, Voranol 800, un durcisseur de polyéther polyol amorcé par une amine aliphatique.
[0060] Le premier durcisseur est de préférence présent dans une quantité supérieure ou égale à 50% en mole (encore mieux supérieur à 55% en mole ; bien mieux encore de 60% en mole à 75% en mole) rapportée à la quantité molaire totale du premier durcisseur et du second durcisseur, et dans lequel le rapport stœchiométrique des groupes hydrogène réactif combinés dans les durcisseurs par rapport à au moins deux groupes isocyanate (NCO) n'ayant pas réagi dans l'isocyanate polyfonctionnel de (a) est de 0,8 à 1,1. La présence du premier durcisseur dans les quantités décrites ci-dessus permet la formation d'une couche de polissage qui présente un potentiel zêta positif consistant sur la surface entière. A l'extérieur de l'intervalle décrit, des quantités insuffisantes du premier durcisseur occasionnent le fait que le potentiel zêta varie d'endroit à endroit dans la couche de polissage alors que des quantités excessives du premier durcisseur occasionnent une séparation de phase de matière dans la couche de polissage.
[0061] Les plusieurs microéléments sont de préférence choisis parmi des bulles de gaz piégé, des matériaux polymères à noyaux creux, des matériaux solubles dans l'eau et un matériau de phase insoluble (par exemple huile minérale). Les plusieurs microéléments sont encore mieux choisis parmi des bulles de gaz piégé et des matériaux polymères à noyaux creux. Les plusieurs microéléments présentent de préférence un diamètre moyen en masse inférieur à 150 pm (encore mieux inférieur à 50 pm ; bien mieux encore de 10 à 50 pm). Les plusieurs microéléments comprennent de préférence des microballons polymères avec des parois soit en polyacrylonitrile, soit en un co polymère de polyacrylonitrile (par exemple, Expancel® chez Akzo Nobel). Les plusieurs microéléments sont de préférence incorporés dans la composition de couche de polissage à une porosité de 0 à 35% en volume (encore mieux une porosité de 10 à 25% en volume). Les plusieurs microéléments sont de préférence distribués d'un bout à l'autre de la composition de couche de polissage.
[0062] Le procédé de polissage mécano-chimique d'un substrat de la présente invention comprend : la fourniture du substrat ; la fourniture d'une suspension de polissage comprenant de l'eau et un abrasif de silice ; la fourniture d'un tampon de polissage mécano-chimique ayant un potentiel zêta positif, le tampon de polissage comprenant une couche de polissage ayant une composition, et une surface de polissage, dans lequel la composition est un produit de réaction d'ingrédients, comprenant : (a) un isocyanate polyfonctionnel ayant une moyenne d'au moins deux groupes isocyanate (NCO) n'ayant pas réagi par molécule ; (b) un premier durcisseur consistant en un ammonium quaternaire substitué par au moins un hydroxyle ; (c) un second durcisseur, dans lequel ledit second durcisseur est exempt d'ammonium quaternaire ; et, (d) éventuellement, plusieurs microéléments ; dans lequel ledit premier durcisseur est présent en une quantité supérieure ou égale à 50% en volume rapportée à la quantité molaire totale du premier durcisseur et du second durcisseur, et dans lequel le rapport stoechiométrique des groupes hydrogène réactif combinés dans les durcisseurs de (b) et (c) par rapport aux au moins deux groupes isocyanate (NCO) n'ayant pas réagi dans l'isocyanate polyfonctionnel de (a) est de 0,8 à 1,1 ; et dans lequel le potentiel zêta positif est consistant sur la surface du tampon de polissage entier et est indépendant du pH sur un intervalle de pH de 2 à 12 en utilisant de l'acide nitrique ou de l’hydroxyde de potassium pour ajuster le pH d'eau désionisée ; la création d'un mouvement dynamique entre la surface de polissage et le substrat pour polir une surface du substrat ; et la distribution de la suspension de polissage sur le tampon de polissage mécanochimique à ou à proximité de l'interface entre la surface de polissage et le substrat.
[0063] De préférence, dans le procédé de polissage mécano-chimique d'un substrat de la présente invention, le substrat fourni comprend un oxyde de silicium. Encore mieux, dans le procédé de polissage mécano-chimique d'un substrat de la présente invention, le substrat fourni est un substrat semiconducteur comprenant un oxyde de silicium. De préférence encore, dans le procédé de polissage mécano-chimique d'un substrat de la présente invention, le substrat fourni est un substrat semiconducteur comprenant un oxyde de silicium et un nitrure de silicium. De préférence encore, dans le procédé de polissage mécano-chimique d'un substrat de la présente invention, le substrat fourni est un substrat semiconducteur comprenant au moins un élément oxyde de silicium et au moins un élément nitrure de silicium ; dans lequel le au moins un élément oxyde de silicium et le au moins un élément nitrure de silicium sont exposés à la surface de polissage et à la suspension de polissage pendant le polissage mécano-chimique ; et, dans lequel au moins une certaine quantité du au moins un élément oxyde de silicium et du au moins un élément nitrure de silicium est retirée de la surface.
[0064] De préférence, dans le procédé de polissage mécano-chimique d'un substrat de la présente invention, la suspension de polissage fournie comprend : de l'eau et un abrasif de silice ; dans lequel l'abrasif de silice présente une charge de surface positive mesurée à un pH de polissage de 1 à 6 (de préférence, de 2 à 5 ; encore mieux, de 2,5 à ; bien mieux encore, de 2,75 à 4,75). Encore mieux, dans le procédé de polissage mécano-chimique d'un substrat de la présente invention, la suspension de polissage fournie, comprend : de l'eau ; et, de 0,1 à 6% en masse d'abrasif de silice ; et dans lequel l'abrasif de silice présente une charge de surface positive mesurée à un pH de polissage de 1 à 6 (de préférence, de 2 à 5 ; encore mieux, de 2,5 à 5 ; bien mieux encore, de 2,75 à 4,75). Bien mieux encore, dans le procédé de polissage mécanochimique d'un substrat de la présente invention, la suspension de polissage fournie, comprend : de l'eau ; et, de 0,5 à 5% en masse d'un abrasif de silice ; dans lequel l'abrasif de silice présente une charge de surface positive mesurée à un pH de polissage de 1 à 6 (de préférence, de 2 à 5 ; encore mieux, de 2,5 à 5 ; bien mieux encore, de 2,75 à 4,75). De préférence encore, dans le procédé de polissage mécano-chimique d'un substrat de la présente invention, la suspension de polissage fournie, comprend : de l'eau ; et, de 0,75 à 2% en masse d'un abrasif de silice ; dans lequel l'abrasif de silice présente une charge de surface positive mesurée à un pH de polissage de 1 à 6 (de préférence, de 2 à 5 ; encore mieux, de 2,5 à 5 ; bien mieux encore, de 2,75 à 4,75).
[0065] De préférence, dans le procédé de polissage mécano-chimique d'un substrat de la présente invention, l'eau contenue dans la suspension de polissage fournie est de préférence une d'eau désionisée et distillée pour limiter les impuretés incidentes.
[0066] De préférence, dans le procédé de polissage mécano-chimique d'un substrat de la présente invention, l'abrasif de silice contenu dans la suspension de polissage fournie est un abrasif de silice colloïdale ; dans lequel l'abrasif de silice colloïdale présente une charge de surface positive mesurée à un pH de polissage de 1 à 6 (de préférence, 2 à 5 ; encore mieux, 2,5 à 5 ; bien mieux encore, 2,75 à 4,75). De préférence encore, dans le procédé de polissage mécano-chimique d'un substrat de la présente invention, l'abrasif de silice contenu dans la suspension de polissage fournie est un abrasif de silice colloïdale présentant une taille moyenne de particule de < 100 nm comme mesurée par des techniques de diffusion dynamique de la lumière; dans lequel l'abrasif de silice colloïdale présente une charge de surface positive mesurée à un pH de polissage de 1 à (de préférence, 2 à 5 ; encore mieux, 2,5 à 5 ; bien mieux encore, 2,75 à 4,75). De préférence encore, dans le procédé de polissage mécano-chimique d'un substrat de la présente invention, l'abrasif de silice contenu dans la suspension de polissage fournie est un abrasif de silice colloïdale présentant une taille moyenne de particule de 5 à 100 nm (encore mieux, 10 à 60 nm ; bien mieux encore, 20 à 60 nm) comme mesurée par des techniques de dispersion de lumière dynamique ; dans lequel l'abrasif de silice colloïdale présente une charge de surface positive mesurée à un pH de polissage de 1 à 6 (de préférence, 2 à 5 ; encore mieux, 2,5 à 5 ; bien mieux encore, 2,75 à 4,75).
[0067] De préférence, dans le procédé de polissage mécano-chimique d'un substrat de la présente invention, la suspension de polissage fournie présente un pH de polissage de 1 à 6. De préférence encore, dans le procédé de polissage mécano-chimique d'un substrat de la présente invention, la suspension de polissage fournie présente un pH de polissage de 2 à 5. De préférence encore, dans le procédé de polissage mécanochimique d'un substrat de la présente invention, la suspension de polissage fournie présente un pH de polissage de 2,5 à 5. De préférence encore, dans le procédé de polissage mécano-chimique d'un substrat de la présente invention, la suspension de polissage fournie présente un pH de polissage de 2,75 à 4,75.
[0068] De préférence, dans le procédé de polissage mécano-chimique d'un substrat de la présente invention, la suspension de polissage fournie comprend de plus un additif supplémentaire choisi dans le groupe consistant en dispersants, tensioactifs, tampons, agents anti-mousse et biocides.
[0069] La surface de polissage est de préférence adaptée pour polir le substrat en dotant la surface de polissage d’une macrotexture. La surface de polissage est encore mieux adaptée pour polir le substrat en communiquant à la surface de polissage une macrotexture, dans laquelle la macrotexture est choisie parmi au moins une de perforations et rainures. Des perforations peuvent s'étendre à partir d'une partie ou de la totalité de la surface de polissage à travers une épaisseur de la couche de polissage. Des rainures sont de préférence disposées sur la surface de polissage de sorte que lors de la rotation du tampon de polissage mécano-chimique pendant le polissage, au moins une rainure balaye la surface du substrat qui est polie. La surface de polissage présente de préférence une macrotexture incluant au moins une rainure choisie dans le groupe consistant en rainures courbées, rainures linéaires et combinaisons de celles-ci.
[0070] La surface de polissage est de préférence adaptée pour polir le substrat en dotant la surface de polissage d’une macrotexture, dans laquelle la macrotexture comprend un motif de rainures formé dans la couche de polissage à la surface de polissage. Le motif de rainures comprend de préférence plusieurs rainures. Le motif de rainures est de préférence encore choisi parmi une conception de rainures. La conception de rainures est de préférence choisie dans le groupe consistant en rainures concentriques (qui peuvent être circulaires ou spirales), rainures courbées, rainures hachurées (par exemple disposées comme une grille X-Y sur la surface de tampon), autres conceptions régulières (par exemple, hexagones, triangles), motifs de type bande de roulement de pneu, conceptions irrégulières (par exemple motifs de fractales), et combinaisons de ceux-ci. La conception de ramures est encore mieux choisie dans le groupe consistant en ramures aléatoires, rainures concentriques, ramures spirales, ramures hachurées, ramures de grille X-Y, ramures hexagonales, ramures triangulaires, ramures de fractales, et combinaisons de celles-ci. La surface de polissage présente encore mieux un motif de ramures spirales formé dans celle-ci. Le profil de rainure est de préférence choisi à partir de parois rectangulaires avec côtés droits ou la section transversale de rainure peut être en forme de V, forme de U, dents de scie, et combinaisons de celles-ci.
[0071] Le tampon de polissage mécano-chimique fourni par le procédé de la présente invention présente de préférence une couche de polissage avec une épaisseur moyenne de 20 (0,508 mm) à 150 mils (3,81mm) (encore mieux de 30 (0,762 mm) à 125 mils (3,175 mm) ; bien mieux encore de 40 (1,016 mm) à 120 mils (3,048 mm)).
[0072] Le tampon de polissage mécano-chimique fourni par le procédé de la présente invention présente une couche de polissage qui peut être fournie dans les deux configurations poreuses et non poreuses (c'est-à-dire non remplies). Le tampon de polissage mécano-chimique fourni dans le procédé de la présente invention présente de préférence une couche de polissage avec une densité de > 0,6 g/cm3 comme mesurée selon ASTM DI622. Encore mieux, le tampon de polissage mécano-chimique fourni par le procédé de la présente invention, il présente une couche de polissage avec une densité de 0,7 à 1,1 g/cm3 (encore mieux, 0,75 à 1,0 ; bien mieux encore, 0,75 à 0,95) comme mesurée selon ASTM DI622.
[0073] Le tampon de polissage mécano-chimique fourni par le procédé de la présente invention présente de préférence une couche de polissage avec une dureté Shore D de 10 à 60 comme mesurée selon ASTM D2240. Le tampon de polissage mécanochimique fourni par le procédé de la présente invention présente encore mieux une couche de polissage avec une dureté Shore D de 15 à 50 (encore mieux de 20 à 40) comme mesurée selon ASTM D2240.
[0074] Le tampon de polissage mécano-chimique fourni par le procédé de la présente invention présente de préférence une couche de polissage avec un allongement à la rupture de 100 à 500% (encore mieux, 200 à 450% ; bien mieux encore, 300 à 400%) comme mesuré selon ASTM D412.
[0075] Le tampon de polissage mécano-chimique fourni par le procédé de la présente invention présente de préférence une couche de polissage avec une résistance de 10 à 50 MPa (De préférence encore, de 15 à 40 MPa ; De préférence encore, de 20 à 30 MPa) comme mesurée selon ASTM D1708-10.
[0076] Le tampon de polissage mécano-chimique fourni par le procédé de la présente invention présente de préférence une couche de polissage avec une résistance à la traction de 5 à 35 MPa (encore mieux, 7,5 à 20 MPa ; bien mieux encore, de 10 à 15 MPa) comme mesurée selon ASTM D1708-10.
[0077] Le tampon de polissage mécano-chimique fourni par le procédé de la présente invention est de préférence adapté pour être mis en interface avec une platine d'une machine de polissage. Le tampon de polissage mécano-chimique fourni par le procédé de la présente invention est encore mieux adapté pour être fixé à la platine d'une machine de polissage. Le tampon de polissage mécano-chimique fourni par le procédé de la présente invention est bien mieux encore conçu pour être fixé à la platine en utilisant au moins un d'un adhésif sensible à la pression et du vide. Le tampon de polissage mécano-chimique fourni par le procédé de la présente invention comprend de plus de préférence un adhésif de platine, dans lequel l'adhésif de platine est disposé sur un côté du tampon de polissage mécano-chimique opposé à la surface de polissage.
[0078] Le tampon de polissage mécano-chimique fourni par le procédé de la présente invention comprend de plus de préférence au moins une couche supplémentaire mise en interface avec la couche de polissage. Le tampon de polissage mécano-chimique fourni par le procédé de la présente invention comprend de plus de préférence une couche de base compressible collée à la couche de polissage. La couche de base compressible améliore de préférence la conformité de la couche de polissage à la surface du substrat qui est polie. La couche de base compressible est de préférence collée à la couche de polissage via un adhésif à empilement intercalé entre la couche de base compressible et la couche de polissage. L'adhésif à empilement est de préférence choisi dans le groupe consistant en un adhésif sensible à la pression, un adhésif thermofusible, un adhésif de contact et des combinaisons de ceux-ci. L'adhésif à empilement est de préférence encore choisi dans le groupe consistant en un adhésif sensible à la pression et un adhésif thermofusible. L'adhésif à empilement est de préférence encore un adhésif thermofusible réactif.
[0079] Une étape importante dans des opérations de polissage de substrat est la détermination d'un point limite au procédé. Une méthode in situ classique pour la détection du point limite implique la fourniture d'un tampon de polissage avec une fenêtre, laquelle est transparente pour choisir des longueurs d'onde de lumière. Pendant le polissage, un faisceau de lumière est dirigé à travers la fenêtre vers la surface de galette, où il est réfléchi et revient à travers la fenêtre vers un détecteur (par exemple un spectrophotomètre). Sur la base du signal de retour, les propriétés de la surface de substrat (par exemple, l'épaisseur de films sur son dessus) peuvent être déterminées pour la détection du point limite. Afin de faciliter de telles méthodes de points limites sur la base de la lumière, le tampon de polissage mécano-chimique fourni par le procédé de la présente invention comprend de plus éventuellement une fenêtre de détection de point limite. La fenêtre de détection de point limite est de préférence choisie parmi une fenêtre intégrale incorporée dans la couche de polissage ; et, un bloc de fenêtre de détection de point limite à bouchon en place incorporé dans le tampon de polissage mécano-chimique fourni.
[0080] Le procédé de polissage mécano-chimique d'un substrat de la présente invention, comprend de plus de préférence : la fourniture d'une machine de polissage présentant une platine rotative, une tête rotative et un conditionneur rotatif ; dans lequel la couche de polissage est fixée à la platine rotative ; dans lequel le substrat est fixé à la tête rotative ; dans lequel la platine rotative tourne à une vitesse de platine de 93 tours par minute ; dans lequel la tête rotative tourne à une vitesse de tête de 87 tours par minute ; dans lequel le substrat est pressé contre la surface de polissage de la couche de polissage avec une force descendante de 3 psi (20,684 KPa); dans lequel la suspension de polissage est fournie à la surface de polissage à un débit de 200 mL/min.
[0081] Le procédé de polissage mécano-chimique d'un substrat de la présente invention comprend de plus de préférence : la fourniture d'une machine de polissage présentant une platine rotative, une tête rotative et un conditionneur rotatif ; dans lequel la couche de polissage est fixée à la platine rotative ; dans lequel le substrat est fixé à la tête rotative ; dans lequel la platine rotative tourne à une vitesse de platine de 93 tours par minute ; dans lequel la tête rotative tourne à une vitesse de tête de 87 tours par minute ; dans lequel le substrat est pressé contre la surface de polissage de la couche de polissage avec une force descendante de 3 psi (20,684 KPa); dans lequel la suspension de polissage est fournie à la surface de polissage à un débit de 200 mL/min ; dans lequel le conditionneur rotatif est un disque abrasif de diamant ; dans lequel la surface de polissage est abrasée en utilisant le conditionneur rotatif ; dans lequel le conditionneur rotatif est pressé contre la surface de polissage avec une force de conditionneur de 7 livres (3,2 Kg) perpendiculaire à la surface de polissage.
[0082] Les exemples suivants illustrent la présente invention sans cependant la limiter à ceux-ci.
Exemples [0083] On a formé des plaques comprenant le produit de réaction des formulations de mélanges réactionnels comme données dans le tableau 1 ci-dessous, en coulant les mélanges réactionnels indiqués comme donnés dans le tableau 1, ci-dessous, dans un récipient rectangulaire revêtu de polytétrafluoroéthylène (PTLE) comme un moule de largeur 4 7/8 (12,4 cm) x longueur 7 1/2 (19,1 cm) avec une ouverture et cavité de 1 cm pour former des plaques pour test mécanique. L'Exemple 1 et le témoin ont utilisé LE750D, un prépolymère à base de PTMEG chez Lanxess, en tant que prépolymère de polyisocyanate. L'Exemple 2 a utilisé un mélange de LE750D et Isonate™ 181, un prépolymère de diisocyanate de méthylènediphényle modifié (MDI) chez DOW, comme le prépolymère de polyisocyanate. On a versé les mélanges réactionnels dans le moule de récipient avec une lame revêtue de PTFE introduite avant le durcissement, produisant par-là 2 plaques chacune d'une épaisseur de 0,065 (0,17 cm) à 0,090 (0,23 cm). Des couches de polissage comprenant le produit de réaction des mélanges réactionnels mentionné dans le tableau 1 ci-dessous ont été étirées sur une plaque d'aluminium carrée plane revêtue de PTFE ayant les dimensions d'au moins 25 (63,5 cm) x 25 (63,5 cm) x 1/4 (0,635 cm), puis ont été nivelées avec une barre d'étirage, puis durcies et poinçonnées pour fabriquer des tampons qui présentent un diamètre de 50,8 cm (20) et un fond plat, lesquels ont ensuite été surfacés et rainurés comme étudié, ci-dessous, pour une utilisation dans la fabrication de tampons de polissage ou couches de polissage.
[0084] On a utilisé un procédé bi-constituant pour former chaque mélange réactionnel. Le prépolymère de polyisocyanate indiqué ou un mélange de polyisocyanates, et les microéléments éventuels sont un constituant. On a chauffé ce constituant à 65 °C pour assurer une fluidité adéquate. Le durcisseur combiné (par exemple, MTEOA MeOSO3 et MBOCA) est un autre constituant. Les trois échantillons contenaient la même stœchiométrie molaire entre le durcisseur combiné et NCO comme indiqué dans le tableau
1. On a mélangé les deux constituants ensemble en utilisant une tête de mélange à cisaillement élevé. Après la sortie de la tête de mélange, on a distribué le mélange réactionnel sur une durée de 2 à 5 minutes dans le moule ou sur la plaque, et on l'a laissé gélifier pendant 15 minutes avant de placer le moule ou la plaque dans un four de durcissement. On a ensuite durci le matériau indiqué dans le four de durcissement en utilisant le cycle suivant : une rampe de 30 minutes à partir de la température ambiante jusqu'à un point de réglage de 104°C, puis le maintien pendant 15,5 heures à 104°C, et puis une rampe de 2 heures de 104°C à 21 °C.
[0085] On a analysé les plaques de matières moulées à partir des mélanges réactionnels indiqués dans les Exemples 1 et 2 pour déterminer leur potentiel zêta.
[0086] On a retiré les feuilles de polyuréthane durcies du moule, et on les a surfacées et rainurées (découpées en utilisant un tour) pour former une couche de polissage d'épaisseur d'approximativement 2,0 mm (80 mils) ayant un motif de rainures 1010, avec une profondeur de rainure de 0,76 mm. On a ensuite empilé chaque couche de polissage rainurée résultante sur un sous-tampon SP2150™ (0,762 mm, mousse de polyuréthane (PU), Dow Chemical Company) en utilisant un adhésif de platine CR-Π™ sensible à la pression pour former un tampon de polissage. On a utilisé les tampons ainsi préparés pour les études de polissage.
[0087] La propriété de module de polymère de matrice, le module du polymère en masse sans Expancel et la porosité de chaque échantillon sont également représentés dans le tableau 1. Les trois échantillons présentent un module comparable et présentent par conséquent des propriétés mécaniques similaires. L'augmentation de la teneur ionique dans un durcisseur, ou un mélange de durcisseurs, a pour effet de réduire le module du polymère résultant. Pour l’Exemple 2, l'inclusion d'Isonate™ 181 en tant que un prépolymère de polyisocyanate supplémentaire était nécessaire pour pour compenser la réduction du module provenant d’une teneur ionique plus élevée dans le durcisseur.
[0088] [Tableauxl]
| Echantill on | Prépolymèr e | % en mole MTEOA MeOSO3 dans le durcisseu r | % en mole MBOCA dans le durcisseu r | Durcisseur s/ NCO (% en mole) | DS de couche de polissage avec microélémen ts (g/mL) | Module du polymèr e de matrice (psi) |
| Exemple 1 | LL750D | 25 | 75 | 105 | 0,95 | 51519 (3,55.108 Pa) |
| Exemple 2 | LL750D/Ison ate 181 (90/10% en masse) | 60 | 40 | 105 | 0,95 | 57508 (3,96.108 Pa) |
| Témoin | LL750D | 0 | 100 | 105 | 0,95 | 50410 (3,47.108 Pa) |
[0089] Potentiel zêta [0090] On a découpé des tampons en des disques de diamètre 1 pouce (2,54 cm) et on les a fixés sur un support d'échantillon en Téflon avec une bande adhésive double face. On a fixé les échantillons à un arbre tournant à 4 000 tours par minute et on les a immergés dans une solution de KC1 0,1 mM à une distance de 1 mm de l'électrode de travail. On a maintenu la solution à 25°C par un dispositif Peltier.
[0091] On a mesuré la conductivité, le pH, et la température de la solution indépendamment et on les a ajoutés manuellement dans le programme où le potentiel zêta de l'échantillon est ensuite calculé en utilisant l'équation suivante :
[0092] [0093] [0094] [0095] [0096] [0097] [0098]
Les valeurs de potentiel zêta des Exemples 1 et 2 mesurées à 2 endroits arbitraires d'une seule plaque à un pH de 5,5 sont représentées dans le Tableau 2 à 2 endroits arbitraires d'une seule plaque. L'Exemple 1 contenant moins de 50% en mole de MTEOA MeOSO3 dans le durcisseur, et ses valeurs de potentiel zêta varient considérablement plus que celles qui présentaient plus de 50% en mole de MTEOA MeOSO3. Afin de présenter une performance de polissage stable, le potentiel zêta doit être consistant sur la surface de tampon.
[Tableaux2]
| Echantillon | Mesure 1 (mV) | Mesure 2 (mV) |
| Exemple 1 | 70 | 23 |
| Exemple 2 | 112 | 108 |
Les valeurs de potentiel zêta du témoin et de l'Exemple 2 à pH de 3 ; 5,5 ; et 10 sont représentées dans le tableau 3. Le potentiel zêta de l'Exemple 2 est positif à chaque pH mesuré et varie au minimum. Le potentiel zêta du témoin est trouvé comme étant positif uniquement à un pH de 3, et varie considérablement dans l'intervalle de pH. L'Exemple 2 présente ainsi une charge positive stable qui est stable à travers le tampon et n'est pas une fonction du pH.
[Tableaux3]
| Echantillon | Potentiel zêta à pH 3 | Potentiel zêta à pH 5,5 | Potentiel zêta à pH 10 |
| Témoin | 15 | -30 | -100 |
| Exemple 2 | 105 | 112 | 109 |
Polissage
On a réalisé des études de polissage sur un dispositif de polissage Applied Materials Mirra™ utilisant Optiplane 2300™ (OP2300, chez Dow Chemical Company), une suspension acide positivement chargée diluée à 2% en masse d'abrasif, et Semi-Sperse ™ 25 (SS25, chez Cabot Microelectronics), une suspension alcaline négativement chargée à une dilution de 1:3 de suspension : eau DI. On a utilisé une galette vierge de TEOS pour déterminer le taux de retrait (TR). Sauf indication contraire (comme tr/min de platine (PS)/tr/min de support (CS)), les conditions de polissage utilisées dans toutes les expériences de polissage incluaient une vitesse de platine de 93 tr/min ; une vitesse de support de 87 tr/min ; avec un débit de milieu de polissage de 150 mL/min et avec la force descendante indiquée (DF). Les tampons de polissage mécano-chimique ont été chacun brisés avec le conditionneur utilisant une force descendante de 3,2 kg (7 livres) pendant 30 secondes. Les tampons de polissage ont de plus été conditionnés en utilisant un disque de conditionnement en diamant Saesol™ 803 IC (AK45) fonctionnant à une vitesse descendante de 3,2 kg (7 livres) et réglé pour un conditionnement à 100% in situ. Les vitesses de retrait (TR) ont été déterminées en mesurant l'épaisseur de film avant et après le polissage en utilisant un outil de métrologie FX200 (KLA-Tencor, Milpitas, CA) en utilisant un balayage spiral à 49 points avec une exclusion de bord de 3 mm.
[0099] Les couches de polissage ont été fixées sur la platine de polissage du dispositif de polissage indiqué en utilisant un film adhésif sensible à la pression double face.
[0100] Le tableau 4 présente les vitesses de retrait du témoin et de l'Exemple 2 à une force descendante de 3 psi (20,684 KPa) et 5 psi (34,473 KPa). Comme le montre le tableau 4, l'Exemple 2 est supérieur au témoin pour les deux forces descendantes testées.
[0101] [Tableaux4]
| Echantillo n | Suspensio n | TR à force descendante de 3 psi (Â/min) | TR à force descendante 5 psi (Â/min) |
| Témoin | OP2300 | 2450 | 3490 |
| Exemple 2 | OP2300 | 3509 | 5451 |
| Témoin | SS25 | 1878 | 2937 |
| Exemple 2 | SS25 | 1931 | 3223 |
| Revendications | |
| [Revendication 1] | Tampon de polissage mécano-chimique (CMP) présentant un potentiel zêta positif pour polir un substrat choisi parmi au moins un d'une mémoire, un disque de silicium, du verre, et un substrat de semiconducteur, le tampon de polissage comprenant une couche polissage ayant une composition et une surface de polissage, où la composition est un produit de réaction d'ingrédients, comprenant : (a) un isocyanate polyfonctionnel ayant une moyenne d'au moins deux groupes isocyanate (NCO) n'ayant pas réagi par molécule ; (b) un premier durcisseur consistant en un ammonium quaternaire substitué par au moins un hydroxyle ; (c) un second durcisseur, dans lequel ledit second durcisseur est exempt d'ammonium quaternaire ; et (d) éventuellement, une pluralité de microéléments ; caractérisé en ce que ledit premier durcisseur est présent en une quantité supérieure ou égale à 50% en mole rapportée à la quantité molaire totale du premier durcisseur et du second durcisseur, et le rapport stœchiométrique des groupes hydrogène réactif combinés dans les durcisseurs de (b) et (c) par rapport aux au moins deux groupes isocyanate (NCO) n'ayant pas réagi dans l'isocyanate polyfonctionnel de (a) est de 0,8 à 1,1 ; et ledit potentiel zêta positif est consistant sur la surface du tampon de polissage entier, et est indépendant du pH sur un intervalle de pH de 2 à 12 en utilisant de l'acide nitrique ou de l'hydroxyde de potassium pour ajuster le pH d'eau désionisée. |
| [Revendication 2] | Tampon de polissage mécano-chimique selon la revendication 1, caractérisé en ce que le premier durcisseur contient au moins deux groupes hydroxyle par molécule. |
| [Revendication 3] | Tampon de polissage mécano-chimique selon la revendication 2, caractérisé en ce que le premier durcisseur contient au moins trois groupes hydroxyle par molécule. |
| [Revendication 4] | Tampon de polissage mécano-chimique selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que le second durcisseur comprend une amine. |
| [Revendication 5] | Tampon de polissage mécano-chimique selon la revendication 4, caractérisé en ce que le second durcisseur contient moins de 0,1% en masse d'amine tertiaire. |
Claims (1)
-
Revendications [Revendication 1] Tampon de polissage mécano-chimique (CMP) présentant un potentiel zêta positif pour polir un substrat choisi parmi au moins un d'une mémoire, un disque de silicium, du verre, et un substrat de semiconducteur, le tampon de polissage comprenant une couche polissage ayant une composition et une surface de polissage, où la composition est un produit de réaction d'ingrédients, comprenant : (a) un isocyanate polyfonctionnel ayant une moyenne d'au moins deux groupes isocyanate (NCO) n'ayant pas réagi par molécule ; (b) un premier durcisseur consistant en un ammonium quaternaire substitué par au moins un hydroxyle ; (c) un second durcisseur, dans lequel ledit second durcisseur est exempt d'ammonium quaternaire ; et (d) éventuellement, une pluralité de microéléments ; caractérisé en ce que ledit premier durcisseur est présent en une quantité supérieure ou égale à 50% en mole rapportée à la quantité molaire totale du premier durcisseur et du second durcisseur, et le rapport stœchiométrique des groupes hydrogène réactif combinés dans les durcisseurs de (b) et (c) par rapport aux au moins deux groupes isocyanate (NCO) n'ayant pas réagi dans l'isocyanate polyfonctionnel de (a) est de 0,8 à 1,1 ; et ledit potentiel zêta positif est consistant sur la surface du tampon de polissage entier, et est indépendant du pH sur un intervalle de pH de 2 à 12 en utilisant de l'acide nitrique ou de l'hydroxyde de potassium pour ajuster le pH d'eau désionisée. [Revendication 2] Tampon de polissage mécano-chimique selon la revendication 1, caractérisé en ce que le premier durcisseur contient au moins deux groupes hydroxyle par molécule. [Revendication 3] Tampon de polissage mécano-chimique selon la revendication 2, caractérisé en ce que le premier durcisseur contient au moins trois groupes hydroxyle par molécule. [Revendication 4] Tampon de polissage mécano-chimique selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que le second durcisseur comprend une amine. [Revendication 5] Tampon de polissage mécano-chimique selon la revendication 4, caractérisé en ce que le second durcisseur contient moins de 0,1% en masse d'amine tertiaire. [Revendication 6] Tampon de polissage mécano-chimique selon la revendication 4, caractérisé en ce que l'amine est une amine aromatique. [Revendication 7] Tampon de polissage mécano-chimique selon la revendication 6, caractérisé en ce que l'amine aromatique est la 4,4'-méthylènebis(2-chloroaniline) (MBOCA). [Revendication 8] Tampon de polissage mécano-chimique selon l’une quelconque des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que l'ammonium quaternaire est le méthylsulfate de tris(2-hydroxyéthyl)méthylammonium. [Revendication 9] Tampon de polissage mécano-chimique selon l’une quelconque des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que l'ammonium quaternaire est le chlorure de (2,3-dihydroxypropyl)triméthylammonium. [Revendication 10] Tampon de polissage mécano-chimique selon l’une quelconque des revendications 1 à 9, caractérisé en ce que le potentiel zêta se trouve dans l'intervalle de +90 à +160 mV.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US16/182,133 US10464188B1 (en) | 2018-11-06 | 2018-11-06 | Chemical mechanical polishing pad and polishing method |
| US16/182,133 | 2018-11-06 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FR3088021A1 true FR3088021A1 (fr) | 2020-05-08 |
| FR3088021B1 FR3088021B1 (fr) | 2021-06-25 |
Family
ID=68391851
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FR1912370A Active FR3088021B1 (fr) | 2018-11-06 | 2019-11-05 | Tampon de polissage mécano-chimique et procédé de polissage |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10464188B1 (fr) |
| JP (1) | JP7311396B2 (fr) |
| KR (1) | KR102696646B1 (fr) |
| CN (1) | CN111203798B (fr) |
| DE (1) | DE102019007227A1 (fr) |
| FR (1) | FR3088021B1 (fr) |
| TW (1) | TWI842767B (fr) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20220059401A1 (en) * | 2020-08-24 | 2022-02-24 | Skc Solmics Co., Ltd. | Polishing pad and method for preparing semiconductor device using the same |
| KR102410612B1 (ko) * | 2020-08-24 | 2022-06-20 | 에스케이씨솔믹스 주식회사 | 연마패드 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9484212B1 (en) | 2015-10-30 | 2016-11-01 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing method |
| US20170120416A1 (en) | 2015-10-30 | 2017-05-04 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method of forming a polishing article that has a desired zeta potential |
| WO2018021428A1 (fr) | 2016-07-29 | 2018-02-01 | 株式会社クラレ | Tampon de polissage et procédé de polissage l'utilisant |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3391743B2 (ja) * | 1999-08-10 | 2003-03-31 | 明成化学工業株式会社 | 新規なジオールスルホン酸第４級アンモニウム塩 |
| US6638143B2 (en) | 1999-12-22 | 2003-10-28 | Applied Materials, Inc. | Ion exchange materials for chemical mechanical polishing |
| EP1295682B1 (fr) | 2000-05-31 | 2007-10-24 | JSR Corporation | Materiau abrasif |
| JP4636787B2 (ja) * | 2003-10-22 | 2011-02-23 | 株式会社ディスコ | 固定砥粒研磨パッド，研磨装置 |
| US20070037491A1 (en) | 2005-08-12 | 2007-02-15 | Yuzhuo Li | Chemically modified chemical mechanical polishing pad, process of making a modified chemical mechanical polishing pad and method of chemical mechanical polishing |
| US20090042166A1 (en) * | 2005-12-29 | 2009-02-12 | Craig Bradley D | Abrasive tool including agglomerate particles and an elastomer, and related methods |
| JP5273524B2 (ja) | 2008-04-28 | 2013-08-28 | 株式会社ニコン | 研磨装置および研磨方法 |
| JP2012528487A (ja) * | 2009-05-27 | 2012-11-12 | ロジャーズ コーポレーション | 研磨パッド、それを用いた組成物および、その製造と使用方法 |
| US9211628B2 (en) * | 2011-01-26 | 2015-12-15 | Nexplanar Corporation | Polishing pad with concentric or approximately concentric polygon groove pattern |
| US9127187B1 (en) * | 2014-03-24 | 2015-09-08 | Cabot Microelectronics Corporation | Mixed abrasive tungsten CMP composition |
| US9259821B2 (en) * | 2014-06-25 | 2016-02-16 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing layer formulation with conditioning tolerance |
| JP6491245B2 (ja) * | 2014-06-25 | 2019-03-27 | キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション | コロイダルシリカ化学機械研磨組成物 |
| US20150375361A1 (en) * | 2014-06-25 | 2015-12-31 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing method |
| CN105171593B (zh) * | 2015-08-11 | 2017-12-26 | 湖北鼎龙控股股份有限公司 | 耐候性化学机械抛光垫 |
| CN106928859A (zh) * | 2015-12-31 | 2017-07-07 | 安集微电子科技(上海)有限公司 | 一种化学机械抛光液及其应用 |
| JP6639939B2 (ja) | 2016-02-12 | 2020-02-05 | ニッタ・ハース株式会社 | 研磨パッド、および、研磨パッドの製造方法 |
| US10086494B2 (en) * | 2016-09-13 | 2018-10-02 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | High planarization efficiency chemical mechanical polishing pads and methods of making |
| EP3571009A4 (fr) * | 2017-01-20 | 2021-01-20 | Applied Materials, Inc. | Article de polissage en plastique mince pour applications cmp |
| US20180281149A1 (en) * | 2017-03-31 | 2018-10-04 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing pad |
-
2018
- 2018-11-06 US US16/182,133 patent/US10464188B1/en active Active
-
2019
- 2019-10-17 DE DE102019007227.8A patent/DE102019007227A1/de active Pending
- 2019-10-31 JP JP2019198322A patent/JP7311396B2/ja active Active
- 2019-11-04 CN CN201911064228.6A patent/CN111203798B/zh active Active
- 2019-11-04 TW TW108139868A patent/TWI842767B/zh active
- 2019-11-04 KR KR1020190139456A patent/KR102696646B1/ko active IP Right Grant
- 2019-11-05 FR FR1912370A patent/FR3088021B1/fr active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9484212B1 (en) | 2015-10-30 | 2016-11-01 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing method |
| US20170120416A1 (en) | 2015-10-30 | 2017-05-04 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method of forming a polishing article that has a desired zeta potential |
| WO2018021428A1 (fr) | 2016-07-29 | 2018-02-01 | 株式会社クラレ | Tampon de polissage et procédé de polissage l'utilisant |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI842767B (zh) | 2024-05-21 |
| FR3088021B1 (fr) | 2021-06-25 |
| DE102019007227A1 (de) | 2020-05-07 |
| KR20200052228A (ko) | 2020-05-14 |
| JP2020075355A (ja) | 2020-05-21 |
| CN111203798A (zh) | 2020-05-29 |
| CN111203798B (zh) | 2021-12-07 |
| US10464188B1 (en) | 2019-11-05 |
| KR102696646B1 (ko) | 2024-08-21 |
| TW202017696A (zh) | 2020-05-16 |
| JP7311396B2 (ja) | 2023-07-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| FR3088020A1 (fr) | Procédé de polissage mécano-chimique d’un substrat | |
| FR3019076B1 (fr) | Feutre de polissage mecano-chimique avec couche de polissage et fenetre | |
| US7731568B2 (en) | Polishing pad and semiconductor device manufacturing method | |
| FR3020296A1 (fr) | Feutre de polissage mecano-chimique | |
| FR2980798A1 (fr) | Tampon de polissage mecanochimique, son procede de production et procede de polissage l'utilisant | |
| FR3020298A1 (fr) | Feutre de polissage mecano-chimique avec fenetre de detection de point limite transparente | |
| FR2901499A1 (fr) | Feutre de polissage mecano-chimique | |
| FR3022814A1 (fr) | Formulation de couche de polissage mecano-chimique avec tolerance de traitement | |
| FR3022815A1 (fr) | Procede de polissage mecano-chimique | |
| JP6849389B2 (ja) | ケミカルメカニカルポリッシング方法 | |
| TW201641546A (zh) | 研磨墊及其製造方法 | |
| FR3019077A1 (fr) | Feutre de polissage mecano-chimique avec fenetre souple et apte au traitement | |
| FR3066940A1 (fr) | Feutres de polissage mecano-chimique pour vitesse de retrait et planarisation ameliorees | |
| KR102590761B1 (ko) | 화학적 기계적 연마 패드 | |
| FR3088021A1 (fr) | Tampon de polissage mécano-chimique et procédé de polissage | |
| KR20200141397A (ko) | 저-파편 플루오로중합체 복합재 cmp 폴리싱 패드 | |
| FR3019075A1 (fr) | Feutre de polissage mecano-chimique avec fenetre de detection de point limite | |
| FR3065385A1 (fr) | Fenetres de detection optique de point limite de polyurethane aliphatique et tampons de polissage cmp les contenant | |
| JP2021005702A (ja) | 陽イオン性フルオロポリマー複合研磨パッド | |
| JP2021008025A (ja) | 薄膜フルオロポリマー複合ｃｍｐ研磨パッド |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PLSC | Publication of the preliminary search report |
Effective date: 20201009 |
|
| PLFP | Fee payment |
Year of fee payment: 2 |
|
| PLFP | Fee payment |
Year of fee payment: 3 |
|
| PLFP | Fee payment |
Year of fee payment: 4 |
|
| PLFP | Fee payment |
Year of fee payment: 5 |