JP5273524B2 - 研磨装置および研磨方法 - Google Patents
研磨装置および研磨方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5273524B2 JP5273524B2 JP2008116912A JP2008116912A JP5273524B2 JP 5273524 B2 JP5273524 B2 JP 5273524B2 JP 2008116912 A JP2008116912 A JP 2008116912A JP 2008116912 A JP2008116912 A JP 2008116912A JP 5273524 B2 JP5273524 B2 JP 5273524B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- surface potential
- abrasive grains
- slurry
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 433
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims abstract description 151
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 88
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 69
- GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N hydron Chemical compound [H+] GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 28
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 claims description 133
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 5
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 claims 2
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 claims 2
- 239000002893 slag Substances 0.000 claims 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 abstract 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 25
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 11
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 7
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 239000002585 base Substances 0.000 description 5
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 5
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 5
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 5
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 4
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N ammonia Natural products N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 3
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonia chloride Chemical compound [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M Potassium chloride Chemical compound [Cl-].[K+] WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 2
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PAWQVTBBRAZDMG-UHFFFAOYSA-N 2-(3-bromo-2-fluorophenyl)acetic acid Chemical compound OC(=O)CC1=CC=CC(Br)=C1F PAWQVTBBRAZDMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- AVXURJPOCDRRFD-UHFFFAOYSA-N Hydroxylamine Chemical compound ON AVXURJPOCDRRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical group OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 150000008044 alkali metal hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 125000005210 alkyl ammonium group Chemical group 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 235000019270 ammonium chloride Nutrition 0.000 description 1
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000003945 anionic surfactant Substances 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N carbonic acid Chemical compound OC(O)=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000003093 cationic surfactant Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 description 1
- 150000002513 isocyanates Chemical class 0.000 description 1
- 150000002596 lactones Chemical class 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 239000001103 potassium chloride Substances 0.000 description 1
- 235000011164 potassium chloride Nutrition 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Description
スラリー定着板回転数:10rpm
揺動開始位置 :研磨パッド/スラリー定着板の中心間距離7.5mm
揺動幅 :5mm
揺動速度 :1mm/sec
荷重 :2.0psi
研磨スラリー :研磨スラリーA、又はB、又はC
研磨スラリー流量 :200ml/min
定着処理時間 :60min
シリコンウェハ回転数 :101rpm
揺動開始位置 :研磨パッド/スラリー定着板の中心間距離0mm
揺動幅 :25mm
揺動速度 :10mm/sec
荷重 :3.0psi
研磨スラリー :研磨スラリーA
研磨スラリー流量 :200ml/min
研磨時間 :60sec
1 研磨装置 10 保持機構
21 研磨ヘッド 23 研磨パッド(研磨部材)
40 スラリー供給装置(研磨液供給装置)
45 液体供給装置(液体供給部もしくは界面活性剤供給部)
49 研磨砥粒 50 制御装置
Claims (14)
- 基板を保持する保持機構と、前記基板を研磨可能な研磨部材とを備え、前記研磨部材の表面を前記保持機構に保持された前記基板の表面に当接させながら相対移動させて前記基板の表面を研磨するように構成された研磨装置において、
前記研磨部材の表面に前記研磨を行うための砥粒を含んだ研磨液を供給する研磨液供給装置を備え、
前記研磨液供給装置は、
前記研磨を行う前に、前記研磨部材の表面電位および前記砥粒の表面電位を互いに正負が異なる表面電位にする成分を有した付着用の研磨液を供給して、前記研磨部材の表面電位および前記砥粒の表面電位を互いに正負が異なる表面電位にすることで、前記砥粒を前記研磨部材の表面に付着させ、
前記研磨を行うときに、前記砥粒を含んだ研磨液を前記研磨部材と前記基板との当接部分に供給し、
前記研磨を行った後に、前記研磨部材の表面電位および前記砥粒の表面電位を互いに正負が同じ表面電位にする成分を有した離脱用の研磨液を供給して、前記研磨部材の表面電位および前記砥粒の表面電位を互いに正負が同じ表面電位にすることで、前記砥粒を前記研磨部材の表面から離脱させるように構成されたことを特徴とする研磨装置。 - 前記研磨液供給装置は、前記研磨を行う前に、電気絶縁性を備えた材料を用いて形成されたスラリー定着板を、前記基板に代えて前記保持機構により保持し、前記スラリー定着板を前記研磨部材に当接させた状態で両者を相対移動させながら前記研磨部材との当接部分に前記付着用の研磨液を供給して、前記砥粒を前記研磨部材の表面に付着させるように構成されたことを特徴とする請求項1に記載の研磨装置。
- 前記研磨液供給装置は、前記研磨を行った後に、電気絶縁性を備えた材料を用いて形成されたスラリー定着板を、前記基板に代えて前記保持機構により保持し、前記スラリー定着板を前記研磨部材に当接させた状態で両者を相対移動させながら前記研磨部材との当接部分に前記離脱用の研磨液を供給して、前記砥粒を前記研磨部材の表面から離脱させるように構成されたことを特徴とする請求項1または2に記載の研磨装置。
- 前記研磨液供給装置は、前記研磨部材の表面電位および前記砥粒の表面電位を互いに正負が異なる表面電位にする水素イオン濃度とする付着用の液体を添加する液体供給部を有し、前記研磨を行う前に、前記液体供給部により前記砥粒を含んだ研磨液に前記付着用の液体を添加して、前記付着用の研磨液を生成するように構成されたことを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の研磨装置。
- 前記研磨液供給装置は、前記研磨部材の表面電位および前記砥粒の表面電位を互いに正負が異なる表面電位にする界面活性剤濃度とする付着用の界面活性剤を添加する界面活性剤供給部を有し、前記研磨を行う前に、前記界面活性剤供給部により前記砥粒を含んだ研磨液に前記付着用の界面活性剤を添加して、前記付着用の研磨液を生成するように構成されたことを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の研磨装置。
- 前記研磨液供給装置は、前記研磨部材の表面電位および前記砥粒の表面電位を互いに正負が同じ表面電位にする水素イオン濃度とする離脱用の液体を添加する液体供給部を有し、前記研磨を行った後に、前記液体供給部により前記砥粒を含んだ研磨液に前記離脱用の液体を添加して、前記離脱用の研磨液を生成するように構成されたことを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の研磨装置。
- 前記研磨液供給装置は、前記研磨部材の表面電位および前記砥粒の表面電位を互いに正負が同じ表面電位にする界面活性剤濃度とする離脱用の界面活性剤を添加する界面活性剤供給部を有し、前記研磨を行った後に、前記界面活性剤供給部により前記砥粒を含んだ研磨液に前記離脱用の界面活性剤を添加して、前記離脱用の研磨液を生成するように構成されたことを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の研磨装置。
- 基板を保持する保持機構と、前記基板を研磨可能な研磨部材とを備えた研磨装置を用いて、前記研磨部材の表面を前記保持機構に保持された前記基板の表面に当接させながら相対移動させるとともに、前記研磨部材と前記基板との当接部分に砥粒を含んだ研磨液を供給して前記基板の表面を研磨する研磨方法であって、
前記研磨を行う前に、前記研磨部材の表面電位および前記砥粒の表面電位を互いに正負が異なる表面電位にする成分を有した付着用の研磨液を供給して、前記研磨部材の表面電位および前記砥粒の表面電位を互いに正負が異なる表面電位にすることで、前記砥粒を前記研磨部材の表面に付着させる砥粒付着工程と、
前記砥粒付着工程において前記砥粒が付着された前記研磨部材を前記基板に当接させて相対移動させるとともに、前記研磨部材と前記基板との当接部分に前記砥粒を含んだ研磨液を供給して前記研磨を行う研磨工程と、
前記研磨工程の後に、前記研磨部材の表面電位および前記砥粒の表面電位を互いに正負が同じ表面電位にする成分を有した離脱用の研磨液を供給して、前記研磨部材の表面電位および前記砥粒の表面電位を互いに正負が同じ表面電位にすることで、前記砥粒を前記研磨部材の表面から離脱させる砥粒離脱工程とを有することを特徴とする研磨方法。 - 前記砥粒付着工程において、電気絶縁性を備えた材料を用いて形成されたスラリー定着板を、前記基板に代えて前記保持機構により保持し、前記スラリー定着板を前記研磨部材に当接させた状態で両者を相対移動させながら前記研磨部材との当接部分に前記付着用の研磨液を供給して、前記砥粒を前記研磨部材の表面に付着させることを特徴とする請求項8に記載の研磨方法。
- 前記砥粒離脱工程において、電気絶縁性を備えた材料を用いて形成されたスラリー定着板を、前記基板に代えて前記保持機構により保持し、前記スラリー定着板を前記研磨部材に当接させた状態で両者を相対移動させながら前記研磨部材との当接部分に前記離脱用の研磨液を供給して、前記砥粒を前記研磨部材の表面から離脱させることを特徴とする請求項8または9に記載の研磨方法。
- 前記砥粒付着工程において、前記砥粒を含んだ研磨液に対して、前記研磨部材の表面電位および前記砥粒の表面電位を互いに正負が異なる表面電位にする水素イオン濃度とする付着用の液体を添加して、前記付着用の研磨液を生成することを特徴とする請求項8〜10のいずれか一項に記載の研磨方法。
- 前記砥粒付着工程において、前記砥粒を含んだ研磨液に対して、前記研磨部材の表面電位および前記砥粒の表面電位を互いに正負が異なる表面電位にする界面活性剤濃度とする付着用の界面活性剤を添加して、前記付着用の研磨液を生成することを特徴とする請求項8〜10のいずれか一項に記載の研磨方法。
- 前記砥粒離脱工程において、前記砥粒を含んだ研磨液に対して、前記研磨部材の表面電位および前記砥粒の表面電位を互いに正負が同じ表面電位にする水素イオン濃度とする離脱用の液体を添加して、前記離脱用の研磨液を生成することを特徴とする請求項8〜12のいずれか一項に記載の研磨方法。
- 前記砥粒離脱工程において、前記砥粒を含んだ研磨液に対して、前記研磨部材の表面電位および前記砥粒の表面電位を互いに正負が同じ表面電位にする界面活性剤濃度とする離脱用の界面活性剤を添加して、前記離脱用の研磨液を生成することを特徴とする請求項8〜12のいずれか一項に記載の研磨方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008116912A JP5273524B2 (ja) | 2008-04-28 | 2008-04-28 | 研磨装置および研磨方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008116912A JP5273524B2 (ja) | 2008-04-28 | 2008-04-28 | 研磨装置および研磨方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009262303A JP2009262303A (ja) | 2009-11-12 |
JP5273524B2 true JP5273524B2 (ja) | 2013-08-28 |
Family
ID=41388794
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008116912A Active JP5273524B2 (ja) | 2008-04-28 | 2008-04-28 | 研磨装置および研磨方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5273524B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10569384B1 (en) | 2018-11-06 | 2020-02-25 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing pad and polishing method |
US10464188B1 (en) | 2018-11-06 | 2019-11-05 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing pad and polishing method |
JP6780800B1 (ja) * | 2020-04-09 | 2020-11-04 | 信越半導体株式会社 | ウェーハの研磨方法及び研磨装置 |
KR102237346B1 (ko) * | 2020-08-24 | 2021-04-07 | 에스케이씨솔믹스 주식회사 | 연마패드 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09186116A (ja) * | 1995-12-27 | 1997-07-15 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 |
JP2000150436A (ja) * | 1998-11-13 | 2000-05-30 | Mimasu Semiconductor Industry Co Ltd | 半導体ウェーハの洗浄装置及び洗浄方法 |
JP2004066399A (ja) * | 2002-08-07 | 2004-03-04 | Olympus Corp | 研削方法及び研削装置 |
JP2004241584A (ja) * | 2003-02-05 | 2004-08-26 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2007258510A (ja) * | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
2008
- 2008-04-28 JP JP2008116912A patent/JP5273524B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009262303A (ja) | 2009-11-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
WO2011136387A1 (ja) | サファイア研磨用スラリー、及びサファイアの研磨方法 | |
CN107987732B (zh) | 一种用于蓝宝石平面抛光的抛光液及其制备方法 | |
JP5273524B2 (ja) | 研磨装置および研磨方法 | |
JP2006231436A (ja) | 研磨用スラリーおよび研磨方法 | |
TWI573660B (zh) | 基板拋光模組以及基板拋光的方法 | |
US7097677B2 (en) | Polishing slurry | |
CN114231182A (zh) | 一种易解理氧化镓晶片化学机械抛光工艺、抛光液及其制备方法 | |
US6270396B1 (en) | Conditioning apparatus and conditioning method | |
JP2022542219A (ja) | ワークピースの研磨中のウェーハスリップ検出の現場調整方法及び装置 | |
TWI237853B (en) | Methods for planarization of group VIII metal-containing surfaces using a fixed abrasive article | |
TW201542790A (zh) | GaN單結晶材料之硏磨加工方法 | |
KR20000053300A (ko) | 반도체장치의 연마방법 | |
JP2012248594A (ja) | 研磨剤 | |
JP2006315110A (ja) | 研磨剤、その製造方法及び研磨方法 | |
TWI705491B (zh) | 用於研磨基材的研磨系統以及操作研磨系統的方法 | |
US20180236633A1 (en) | Slurry and Slurry Delivery Technique for Chemical Mechanical Polishing of Copper | |
JP2010017808A (ja) | 研磨装置および研磨方法 | |
WO2009110180A1 (ja) | テンプレートの製造方法およびこのテンプレートを用いた研磨方法 | |
JPH1126404A (ja) | 研磨装置 | |
JP2013094924A (ja) | 貫通電極付きセラミック基板の研削方法 | |
JP2002270549A (ja) | 研磨スラリー | |
JP2009248234A (ja) | 保持装置および研磨装置 | |
JP4167441B2 (ja) | 研磨剤及びキャリア粒子 | |
JP5433954B2 (ja) | 研磨装置 | |
JP2013255994A (ja) | 研磨装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110401 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111025 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121228 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130201 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130326 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130419 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130502 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 5273524 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |