JP2002270549A - 研磨スラリー - Google Patents
研磨スラリーInfo
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- JP2002270549A JP2002270549A JP2001068734A JP2001068734A JP2002270549A JP 2002270549 A JP2002270549 A JP 2002270549A JP 2001068734 A JP2001068734 A JP 2001068734A JP 2001068734 A JP2001068734 A JP 2001068734A JP 2002270549 A JP2002270549 A JP 2002270549A
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- polishing slurry
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- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 研磨装置の研磨布への供給量を少なくしても
研磨後、短時間で安定した研磨速度で研磨を実施するこ
とが可能な研磨スラリーを提供する。 【解決手段】 研磨砥粒を含む研磨スラリーであって、
研磨布上で剪断応力が加えられた時の剪断速度１００／
ｓｅｃにおいて粘度が２ｍＰａ・ｓｅｃ以上で、この剪
断速度から剪断速度５００／ｓｅｃに変化させた時の元
の粘度に対する粘度の減少量１０％以であることを特徴
とする。
研磨後、短時間で安定した研磨速度で研磨を実施するこ
とが可能な研磨スラリーを提供する。 【解決手段】 研磨砥粒を含む研磨スラリーであって、
研磨布上で剪断応力が加えられた時の剪断速度１００／
ｓｅｃにおいて粘度が２ｍＰａ・ｓｅｃ以上で、この剪
断速度から剪断速度５００／ｓｅｃに変化させた時の元
の粘度に対する粘度の減少量１０％以であることを特徴
とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、研磨スラリーに関
する。
する。
【０００２】
【従来の技術】研磨スラリーは、半導体ウェハ表面の研
磨、半導体ウェハ表面にＡｌ，Ｃｕなどの埋め込み配線
を形成するための配線材料層の研磨、または光ディスク
の研磨等に使用されている。この研磨スラリーとして
は、従来、コロイダルシリカ、ヒュームドシリカ、アル
ミナ、酸化マンガン等の無機酸化物粒子からなる研磨砥
粒を水に分散させた組成を有する。
磨、半導体ウェハ表面にＡｌ，Ｃｕなどの埋め込み配線
を形成するための配線材料層の研磨、または光ディスク
の研磨等に使用されている。この研磨スラリーとして
は、従来、コロイダルシリカ、ヒュームドシリカ、アル
ミナ、酸化マンガン等の無機酸化物粒子からなる研磨砥
粒を水に分散させた組成を有する。
【０００３】ところで、例えば半導体ウェハの研磨にお
いては硬質発泡ポリウレタンのような表面に微細な凹凸
を有する研磨布が被覆された回転テーブルと、前記研磨
布に研磨砥粒等を含む研磨スラリーを供給する供給管
と、前記ターンテーブルの上方に上下動自在でかつ回転
自在に配置されたホルダとを備えた構造を有する研磨装
置を用いて行われている。すなわち、前記半導体ウェハ
を前記ホルダに保持して前記研磨布上に押圧し、これら
ホルダおよび研磨布を同一方向に回転させながら、前記
研磨スラリーを前記研磨布上に供給して前記半導体ウェ
ハの研磨を実施している。
いては硬質発泡ポリウレタンのような表面に微細な凹凸
を有する研磨布が被覆された回転テーブルと、前記研磨
布に研磨砥粒等を含む研磨スラリーを供給する供給管
と、前記ターンテーブルの上方に上下動自在でかつ回転
自在に配置されたホルダとを備えた構造を有する研磨装
置を用いて行われている。すなわち、前記半導体ウェハ
を前記ホルダに保持して前記研磨布上に押圧し、これら
ホルダおよび研磨布を同一方向に回転させながら、前記
研磨スラリーを前記研磨布上に供給して前記半導体ウェ
ハの研磨を実施している。
【０００４】このような研磨操作において、アルミナの
ような研磨砥粒を水に分散させた従来の研磨スラリーを
研磨布上に供給した場合、前記研磨スラリーは前記研磨
布上での保持性（滞留性）が劣る。このため、前記ホル
ダに保持された半導体ウェハを研磨布に押圧してそれら
を同一方向に回転させて研磨する際、研磨布に供給する
研磨スラリーの量も比較的多くする必要がある。その結
果、研磨スラリーの供給量の増大により研磨コストが高
くなる問題があった。
ような研磨砥粒を水に分散させた従来の研磨スラリーを
研磨布上に供給した場合、前記研磨スラリーは前記研磨
布上での保持性（滞留性）が劣る。このため、前記ホル
ダに保持された半導体ウェハを研磨布に押圧してそれら
を同一方向に回転させて研磨する際、研磨布に供給する
研磨スラリーの量も比較的多くする必要がある。その結
果、研磨スラリーの供給量の増大により研磨コストが高
くなる問題があった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、研磨装置の
研磨布への供給量を少なくしても研磨後、短時間で安定
した研磨速度で研磨を実施することが可能な研磨スラリ
ーを提供するものである。
研磨布への供給量を少なくしても研磨後、短時間で安定
した研磨速度で研磨を実施することが可能な研磨スラリ
ーを提供するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明に係る研磨スラリ
ーは、研磨砥粒を含む研磨スラリーであって、研磨布上
で剪断応力が加えられた時の剪断速度１００／ｓｅｃに
おいて粘度が２ｍＰａ・ｓｅｃ以上で、この剪断速度か
ら剪断速度５００／ｓｅｃに変化させた時の元の粘度に
対する粘度の減少量が１０％以上であることを特徴とす
るものである。
ーは、研磨砥粒を含む研磨スラリーであって、研磨布上
で剪断応力が加えられた時の剪断速度１００／ｓｅｃに
おいて粘度が２ｍＰａ・ｓｅｃ以上で、この剪断速度か
ら剪断速度５００／ｓｅｃに変化させた時の元の粘度に
対する粘度の減少量が１０％以上であることを特徴とす
るものである。
【０００７】本発明に係る別の研磨スラリーは、銅と反
応して水に難溶性でかつ銅より機械的に脆弱な銅錯体を
形成する水溶性の有機酸、酸化剤、研磨砥粒および水を
含む研磨スラリーであって、研磨布上で剪断応力が加え
られた時の剪断速度１００／ｓｅｃにおいて粘度が２ｍ
Ｐａ・ｓｅｃ以上で、この剪断速度から剪断速度５００
／ｓｅｃに変化させた時の元の粘度に対する粘度の減少
量が１０％以上であることを特徴とするものである。
応して水に難溶性でかつ銅より機械的に脆弱な銅錯体を
形成する水溶性の有機酸、酸化剤、研磨砥粒および水を
含む研磨スラリーであって、研磨布上で剪断応力が加え
られた時の剪断速度１００／ｓｅｃにおいて粘度が２ｍ
Ｐａ・ｓｅｃ以上で、この剪断速度から剪断速度５００
／ｓｅｃに変化させた時の元の粘度に対する粘度の減少
量が１０％以上であることを特徴とするものである。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る研磨スラリー
を詳細に説明する。
を詳細に説明する。
【０００９】この研磨スラリーは、研磨砥粒を含む組成
を有する。この研磨スラリーは、研磨砥粒を含む研磨ス
ラリーであって、研磨布上で剪断応力が加えられた時の
剪断速度１００／ｓｅｃにおいて粘度が２ｍＰａ・ｓｅ
ｃ以上で、この剪断速度から剪断速度５００／ｓｅｃに
変化させた時の元の粘度に対する粘度の減少量が１０％
以上である。
を有する。この研磨スラリーは、研磨砥粒を含む研磨ス
ラリーであって、研磨布上で剪断応力が加えられた時の
剪断速度１００／ｓｅｃにおいて粘度が２ｍＰａ・ｓｅ
ｃ以上で、この剪断速度から剪断速度５００／ｓｅｃに
変化させた時の元の粘度に対する粘度の減少量が１０％
以上である。
【００１０】前記研磨砥粒としては、例えばアルミナ粒
子、コロイダルシリカのようなシリカ粒子、またはこれ
らの混合粒子等を挙げることができる。
子、コロイダルシリカのようなシリカ粒子、またはこれ
らの混合粒子等を挙げることができる。
【００１１】剪断速度１００／ｓｅｃにおいて粘度を２
ｍＰａ・ｓｅｃ未満にすると、得られた研磨スラリーの
研磨布上での保持性（滞留性）が低下する虞がある。よ
り好ましい剪断速度１００／ｓｅｃにおいての粘度は、
２．５〜５０ｍＰａ・ｓｅｃである。
ｍＰａ・ｓｅｃ未満にすると、得られた研磨スラリーの
研磨布上での保持性（滞留性）が低下する虞がある。よ
り好ましい剪断速度１００／ｓｅｃにおいての粘度は、
２．５〜５０ｍＰａ・ｓｅｃである。
【００１２】前記剪断速度１００／ｓｅｃから剪断速度
５００／ｓｅｃに変化させた時の元の粘度に対する粘度
の減少量が前記範囲を逸脱すると、安定した研磨性能を
発揮することが困難になる。より好ましい前記剪断速度
１００／ｓｅｃから剪断速度５００／ｓｅｃに変化させ
た時の元の粘度に対する粘度の減少量は、２０％以上で
ある。
５００／ｓｅｃに変化させた時の元の粘度に対する粘度
の減少量が前記範囲を逸脱すると、安定した研磨性能を
発揮することが困難になる。より好ましい前記剪断速度
１００／ｓｅｃから剪断速度５００／ｓｅｃに変化させ
た時の元の粘度に対する粘度の減少量は、２０％以上で
ある。
【００１３】本発明に係る研磨スラリーは、前記研磨砥
粒に吸着される界面活性剤および分散剤の少なくとも１
つをさらに含有することを許容する。
粒に吸着される界面活性剤および分散剤の少なくとも１
つをさらに含有することを許容する。
【００１４】前記界面活性剤は、陰イオン性界面活性剤
が好ましい。この陰イオン性界面活性剤としては、例え
ばドデシル硫酸アンモニウム、ドデシル硫酸ナトリウ
ム、ラピゾール等を挙げることができる。前記陰イオン
性界面活性剤は、前記研磨砥粒に対して０．５〜８０重
量％配合することが好ましい。
が好ましい。この陰イオン性界面活性剤としては、例え
ばドデシル硫酸アンモニウム、ドデシル硫酸ナトリウ
ム、ラピゾール等を挙げることができる。前記陰イオン
性界面活性剤は、前記研磨砥粒に対して０．５〜８０重
量％配合することが好ましい。
【００１５】前記分散剤としては、例えばポリビニルピ
ロリドン、ポリアクリル酸誘導体、セルロース誘導体等
を挙げることができる。この分散剤は、前記研磨砥粒に
対して２〜５０重量％配合することが好ましい。
ロリドン、ポリアクリル酸誘導体、セルロース誘導体等
を挙げることができる。この分散剤は、前記研磨砥粒に
対して２〜５０重量％配合することが好ましい。
【００１６】本発明に係る研磨スラリーは、研磨対象を
銅または銅合金とする場合、さらに銅と反応して水に実
質的に不溶性で、かつ銅よりも機械的に脆弱な銅錯体を
生成する水溶性の有機酸および酸化剤を含有することを
許容する。
銅または銅合金とする場合、さらに銅と反応して水に実
質的に不溶性で、かつ銅よりも機械的に脆弱な銅錯体を
生成する水溶性の有機酸および酸化剤を含有することを
許容する。
【００１７】前記有機酸としては、銅もしくは銅合金に
前記研磨スラリーを接触させた際に前記酸化剤により生
成された銅の水和物と反応して水に溶解されないもの
の、Ｃｕに比べて脆弱である銅錯体を生成する作用を有
する。かかる有機酸としては、例えば２−キノリンカル
ボン酸（キナルジン酸）、２−ピリジンカルボン酸、
２，６−ピリジンカルボン酸、キノン等を挙げることが
できる。この有機酸は、前記研磨用スラリー中に０．１
重量％以上含有されることが好ましい。
前記研磨スラリーを接触させた際に前記酸化剤により生
成された銅の水和物と反応して水に溶解されないもの
の、Ｃｕに比べて脆弱である銅錯体を生成する作用を有
する。かかる有機酸としては、例えば２−キノリンカル
ボン酸（キナルジン酸）、２−ピリジンカルボン酸、
２，６−ピリジンカルボン酸、キノン等を挙げることが
できる。この有機酸は、前記研磨用スラリー中に０．１
重量％以上含有されることが好ましい。
【００１８】前記酸化剤は、銅もしくは銅合金に前記研
磨スラリーを接触させた際に銅の水和物を生成する作用
を有する。かかる酸化剤としては、例えば過酸化水素
（Ｈ2Ｏ2 ）、次亜塩素酸ソーダ（ＮａＣｌＯ）のよう
な酸化剤を用いることができる。この酸化剤は、前記研
磨組成物中に前記有機酸に対して重量割合で１０倍以
上、より好ましくは３０倍以上、さらに好ましくは５０
倍以上含有することが望ましい。
磨スラリーを接触させた際に銅の水和物を生成する作用
を有する。かかる酸化剤としては、例えば過酸化水素
（Ｈ2Ｏ2 ）、次亜塩素酸ソーダ（ＮａＣｌＯ）のよう
な酸化剤を用いることができる。この酸化剤は、前記研
磨組成物中に前記有機酸に対して重量割合で１０倍以
上、より好ましくは３０倍以上、さらに好ましくは５０
倍以上含有することが望ましい。
【００１９】前記研磨スラリーによる研磨は、例えば次
に説明する図１の研磨装置を用いてなされる。すなわ
ち、図１のターンテーブル１上には例えば発泡樹脂から
作られた研磨パッド２が被覆されている。研磨砥粒を含
む研磨スラリーを供給するための供給管３は、前記研磨
パッド２の上方に配置されている。上面に支持軸４を有
する基板ホルダ５は、研磨パッド２の上方に上下動自在
でかつ回転自在に配置されている。
に説明する図１の研磨装置を用いてなされる。すなわ
ち、図１のターンテーブル１上には例えば発泡樹脂から
作られた研磨パッド２が被覆されている。研磨砥粒を含
む研磨スラリーを供給するための供給管３は、前記研磨
パッド２の上方に配置されている。上面に支持軸４を有
する基板ホルダ５は、研磨パッド２の上方に上下動自在
でかつ回転自在に配置されている。
【００２０】このような図１に示す研磨装置による研磨
は、ホルダ５により基板６をその研磨面が研磨パッド２
に対向するように保持する。つづいて、供給管３から研
磨砥粒を含む研磨スラリー７を供給しながら、支持軸４
により前記基板６を前記研磨パッド２に向けて所望の荷
重を加え、さらに前記ホルダ５およびターンテーブル１
を同方向に回転させる。このとき、前記基板６の研磨面
は主に前記研磨パッド２との間に供給された研磨スラリ
ー中の研磨砥粒により研磨される。
は、ホルダ５により基板６をその研磨面が研磨パッド２
に対向するように保持する。つづいて、供給管３から研
磨砥粒を含む研磨スラリー７を供給しながら、支持軸４
により前記基板６を前記研磨パッド２に向けて所望の荷
重を加え、さらに前記ホルダ５およびターンテーブル１
を同方向に回転させる。このとき、前記基板６の研磨面
は主に前記研磨パッド２との間に供給された研磨スラリ
ー中の研磨砥粒により研磨される。
【００２１】以上説明したように本発明に係る研磨スラ
リーは、研磨砥粒を含む研磨スラリーであって、研磨布
上で剪断応力が加えられた時の剪断速度１００／ｓｅｃ
において粘度が２ｍＰａ・ｓｅｃ以上で、この剪断速度
から剪断速度５００／ｓｅｃに変化させた時の元の粘度
に対する粘度の減少量が１０％以上である構成を有す
る。
リーは、研磨砥粒を含む研磨スラリーであって、研磨布
上で剪断応力が加えられた時の剪断速度１００／ｓｅｃ
において粘度が２ｍＰａ・ｓｅｃ以上で、この剪断速度
から剪断速度５００／ｓｅｃに変化させた時の元の粘度
に対する粘度の減少量が１０％以上である構成を有す
る。
【００２２】このような研磨スラリーは、研磨布上での
保持性（滞留性）に優れ、かつ良好な研磨特性を示す。
したがって、研磨布への研磨スラリー量を少なくしても
研磨処理から安定した研磨性能を発揮することができ
る。
保持性（滞留性）に優れ、かつ良好な研磨特性を示す。
したがって、研磨布への研磨スラリー量を少なくしても
研磨処理から安定した研磨性能を発揮することができ
る。
【００２３】
【実施例】以下、好ましい実施例を詳細に説明する。
【００２４】（実施例１〜３）キナルジン酸０．５７重
量％、過酸化水素水３．７８重量％、平均粒径０．５μ
ｍのアルミナ粒子１．０９重量％、消泡剤０．０８６重
量％、セルロース０．００５８重量％、ドデシル硫酸ア
ンモニウム０．６重量％およびコロイダルシリカ０．５
重量％、１．０重量％、２重量％、残部水からなる３種
の研磨スラリーを調製した。
量％、過酸化水素水３．７８重量％、平均粒径０．５μ
ｍのアルミナ粒子１．０９重量％、消泡剤０．０８６重
量％、セルロース０．００５８重量％、ドデシル硫酸ア
ンモニウム０．６重量％およびコロイダルシリカ０．５
重量％、１．０重量％、２重量％、残部水からなる３種
の研磨スラリーを調製した。
【００２５】コロイダルシリカ０．５重量％、１．０重
量％、２重量％を含有する研磨スラリーは、それぞれ研
磨布上で剪断応力が加えられた時の剪断速度１００／ｓ
ｅｃにおいて粘度が５．４ｍＰａ・ｓｅｃ、４．９ｍＰ
ａ・ｓｅｃおよび２．９ｍＰａ・ｓｅｃで、この剪断速
度から剪断速度５００／ｓｅｃに変化させた時の元の粘
度に対する粘度の減少量がそれぞれ２．６ｍＰａ・ｓｅ
ｃ、２．３ｍＰａ・ｓｅｃおよび０．７ｍＰａ・ｓｅｃ
であった。
量％、２重量％を含有する研磨スラリーは、それぞれ研
磨布上で剪断応力が加えられた時の剪断速度１００／ｓ
ｅｃにおいて粘度が５．４ｍＰａ・ｓｅｃ、４．９ｍＰ
ａ・ｓｅｃおよび２．９ｍＰａ・ｓｅｃで、この剪断速
度から剪断速度５００／ｓｅｃに変化させた時の元の粘
度に対する粘度の減少量がそれぞれ２．６ｍＰａ・ｓｅ
ｃ、２．３ｍＰａ・ｓｅｃおよび０．７ｍＰａ・ｓｅｃ
であった。
【００２６】（比較例１）キナルジン酸０．５７重量
％、過酸化水素水３．７８重量％、平均粒径０．５μｍ
のアルミナ粒子１．０９重量％、消泡剤０．０８６重量
％、セルロース０．００５８重量％、およびドデシル硫
酸アンモニウム０．６重量％、残部水からなる研磨スラ
リーを調製した。この研磨スラリーは、研磨布上で剪断
応力が加えられた時の剪断速度１００／ｓｅｃにおいて
粘度が１．０８ｍＰａ・ｓｅｃで、この剪断速度から剪
断速度５００／ｓｅｃに変化させた時の元の粘度に対す
る粘度の減少量がゼロであった。
％、過酸化水素水３．７８重量％、平均粒径０．５μｍ
のアルミナ粒子１．０９重量％、消泡剤０．０８６重量
％、セルロース０．００５８重量％、およびドデシル硫
酸アンモニウム０．６重量％、残部水からなる研磨スラ
リーを調製した。この研磨スラリーは、研磨布上で剪断
応力が加えられた時の剪断速度１００／ｓｅｃにおいて
粘度が１．０８ｍＰａ・ｓｅｃで、この剪断速度から剪
断速度５００／ｓｅｃに変化させた時の元の粘度に対す
る粘度の減少量がゼロであった。
【００２７】得られた実施例１〜３および比較例１の研
磨スラリーを用いて図１に示す研磨装置による基板上の
銅被膜を研磨した。すなわち、ホルダ５により表面に銅
被膜が被覆された基板６をその銅被膜が研磨パッド（ロ
ーデル社製商品名；ＩＣ１０００）２に対向するように
保持した。つづいて、供給管３から実施例１〜３および
比較例１の研磨スラリーを１００〜３００ｍＬ／分の流
量で供給しながら、支持軸４により前記基板６を前記研
磨パッド２に向けて１５０〜３００ｇｆ／ｃｍ 2の荷重
を加え、さらに前記ホルダ５およびターンテーブル１を
同方向にそれぞれ６０ｒｐｍおよび６３ｒｐｍの速度で
回転させて前記基板６の銅薄膜を主に前記研磨パッド２
との間に供給された研磨スラリー中の研磨砥粒により研
磨した。
磨スラリーを用いて図１に示す研磨装置による基板上の
銅被膜を研磨した。すなわち、ホルダ５により表面に銅
被膜が被覆された基板６をその銅被膜が研磨パッド（ロ
ーデル社製商品名；ＩＣ１０００）２に対向するように
保持した。つづいて、供給管３から実施例１〜３および
比較例１の研磨スラリーを１００〜３００ｍＬ／分の流
量で供給しながら、支持軸４により前記基板６を前記研
磨パッド２に向けて１５０〜３００ｇｆ／ｃｍ 2の荷重
を加え、さらに前記ホルダ５およびターンテーブル１を
同方向にそれぞれ６０ｒｐｍおよび６３ｒｐｍの速度で
回転させて前記基板６の銅薄膜を主に前記研磨パッド２
との間に供給された研磨スラリー中の研磨砥粒により研
磨した。
【００２８】その結果、実施例１〜３の研磨スラリーは
２００ｍＬ／分の供給流量で、銅被膜を７４０ｎｍ／分
の速度で安定的に研磨できた。これに対し、比較例１の
研磨スラリーは３００ｍＬ／分の供給流量で、研磨速度
が４６４ｎｍ／分となり、銅被膜を十分な速度で安定的
に研磨することが困難であった。
２００ｍＬ／分の供給流量で、銅被膜を７４０ｎｍ／分
の速度で安定的に研磨できた。これに対し、比較例１の
研磨スラリーは３００ｍＬ／分の供給流量で、研磨速度
が４６４ｎｍ／分となり、銅被膜を十分な速度で安定的
に研磨することが困難であった。
【００２９】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、研
磨装置の研磨布への供給量を少なくしても研磨後、短時
間で安定した研磨速度で研磨を実施することが可能で、
半導体ウェハ表面の研磨、半導体ウェハ表面にＡｌ，Ｃ
ｕなどの埋め込み配線を形成するための配線材料層の研
磨、または光ディスクの研磨等に有用な研磨スラリーを
提供することができる。
磨装置の研磨布への供給量を少なくしても研磨後、短時
間で安定した研磨速度で研磨を実施することが可能で、
半導体ウェハ表面の研磨、半導体ウェハ表面にＡｌ，Ｃ
ｕなどの埋め込み配線を形成するための配線材料層の研
磨、または光ディスクの研磨等に有用な研磨スラリーを
提供することができる。
【図１】本発明の研磨スラリーによる研磨において使用
される研磨装置を示す概略図。
される研磨装置を示す概略図。
１…ターンテーブル、 ２…研磨パッド、 ３…供給管、 ５…ホルダ、 ６…基板。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 猪野 隆生 神奈川県横浜市磯子区新磯子町33番地 株 式会社東芝生産技術センター内 (72)発明者 齋藤 晶子 神奈川県横浜市磯子区新磯子町33番地 株 式会社東芝生産技術センター内 (72)発明者 向井 喜一郎 神奈川県横浜市磯子区新磯子町33番地 株 式会社東芝生産技術センター内 (72)発明者 桜井 直明 神奈川県横浜市栄区笠間二丁目５番１号 芝浦メカトロニクス株式会社横浜事業所内 (72)発明者 小林 信雄 神奈川県横浜市栄区笠間二丁目５番１号 芝浦メカトロニクス株式会社横浜事業所内 (72)発明者 林 俊秀 神奈川県横浜市栄区笠間二丁目５番１号 芝浦メカトロニクス株式会社横浜事業所内 (72)発明者 山内 克彦 神奈川県横浜市栄区笠間二丁目５番１号 芝浦メカトロニクス株式会社横浜事業所内 Ｆターム(参考） 3C058 CB03 CB05 CB10 DA02 DA17
Claims (6)
- 【請求項１】 研磨砥粒を含む研磨スラリーであって、
研磨布上で剪断応力が加えられた時の剪断速度１００／
ｓｅｃにおいて粘度が２ｍＰａ・ｓｅｃ以上で、この剪
断速度から剪断速度５００／ｓｅｃに変化させた時の元
の粘度に対する粘度の減少量が１０％以上であることを
特徴とする研磨スラリー。 - 【請求項２】 銅と反応して水に難溶性でかつ銅より機
械的に脆弱な銅錯体を形成する水溶性の有機酸、酸化
剤、研磨砥粒および水を含む研磨スラリーであって、研
磨布上で剪断応力が加えられた時の剪断速度１００／ｓ
ｅｃにおいて粘度が２ｍＰａ・ｓｅｃ以上で、この剪断
速度から剪断速度５００／ｓｅｃに変化させた時の元の
粘度に対する粘度の減少量が１０％以上であることを特
徴とする研磨スラリー。 - 【請求項３】 前記研磨砥粒は、アルミナまたはシリカ
から作られることを特徴とする請求項１または２記載の
研磨スラリー。 - 【請求項４】 さらに前記研磨砥粒に吸着される界面活
性剤および分散剤の少なくとも１つを含むことを特徴と
する請求項１または２記載の研磨スラリー。 - 【請求項５】 前記有機酸は、２−キノリンカルボン
酸、２−ビリジンカルボン酸、２，６−ピリジンカルボ
ン酸、キノンから選ばれる少なくとも１種であることを
特徴とする請求項２記載の研磨スラリー。 - 【請求項６】 前記分散剤は、ポリビニルピロリドン、
ポリアクリル酸誘導体、セルロース誘導体から選ばれる
少なくとも１種であることを特徴とする請求項４記載の
研磨スラリー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001068734A JP2002270549A (ja) | 2001-03-12 | 2001-03-12 | 研磨スラリー |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001068734A JP2002270549A (ja) | 2001-03-12 | 2001-03-12 | 研磨スラリー |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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