JP2020075355A - ケミカルメカニカルポリッシングパッド及び研磨方法 - Google Patents

ケミカルメカニカルポリッシングパッド及び研磨方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2020075355A
JP2020075355A JP2019198322A JP2019198322A JP2020075355A JP 2020075355 A JP2020075355 A JP 2020075355A JP 2019198322 A JP2019198322 A JP 2019198322A JP 2019198322 A JP2019198322 A JP 2019198322A JP 2020075355 A JP2020075355 A JP 2020075355A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
polishing
polishing pad
chemical mechanical
mechanical polishing
curing agent
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2019198322A
Other languages
English (en)
Other versions
JP7311396B2 (ja
Inventor
マシュー・アール・ガディンスキ
R Gadinski Matthew
モハマッド・ティー・イスラム
T Islam Mohammad
イ・グォ
Gwo Yi
ジョージ・シー・ジェイコブ
C Jacob George
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rohm and Haas Electronic Materials CMP Holdings Inc
Original Assignee
Rohm and Haas Electronic Materials CMP Holdings Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rohm and Haas Electronic Materials CMP Holdings Inc filed Critical Rohm and Haas Electronic Materials CMP Holdings Inc
Publication of JP2020075355A publication Critical patent/JP2020075355A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7311396B2 publication Critical patent/JP7311396B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/046Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces using electric current
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/042Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
    • B24B37/044Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor characterised by the composition of the lapping agent
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11Lapping tools
    • B24B37/20Lapping pads for working plane surfaces
    • B24B37/24Lapping pads for working plane surfaces characterised by the composition or properties of the pad materials
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11Lapping tools
    • B24B37/20Lapping pads for working plane surfaces
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11Lapping tools
    • B24B37/20Lapping pads for working plane surfaces
    • B24B37/205Lapping pads for working plane surfaces provided with a window for inspecting the surface of the work being lapped
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11Lapping tools
    • B24B37/20Lapping pads for working plane surfaces
    • B24B37/24Lapping pads for working plane surfaces characterised by the composition or properties of the pad materials
    • B24B37/245Pads with fixed abrasives
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B57/00Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents
    • B24B57/02Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents for feeding of fluid, sprayed, pulverised, or liquefied grinding, polishing or lapping agents
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G18/00Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates
    • C08G18/06Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen
    • C08G18/08Processes
    • C08G18/10Prepolymer processes involving reaction of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen in a first reaction step
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G18/00Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates
    • C08G18/06Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen
    • C08G18/08Processes
    • C08G18/16Catalysts
    • C08G18/18Catalysts containing secondary or tertiary amines or salts thereof
    • C08G18/1875Catalysts containing secondary or tertiary amines or salts thereof containing ammonium salts or mixtures of secondary of tertiary amines and acids
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G18/00Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates
    • C08G18/06Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen
    • C08G18/28Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen characterised by the compounds used containing active hydrogen
    • C08G18/30Low-molecular-weight compounds
    • C08G18/32Polyhydroxy compounds; Polyamines; Hydroxyamines
    • C08G18/3225Polyamines
    • C08G18/3237Polyamines aromatic
    • C08G18/3243Polyamines aromatic containing two or more aromatic rings
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G18/00Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates
    • C08G18/06Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen
    • C08G18/28Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen characterised by the compounds used containing active hydrogen
    • C08G18/30Low-molecular-weight compounds
    • C08G18/32Polyhydroxy compounds; Polyamines; Hydroxyamines
    • C08G18/3271Hydroxyamines
    • C08G18/3275Hydroxyamines containing two hydroxy groups
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G18/00Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates
    • C08G18/06Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen
    • C08G18/28Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen characterised by the compounds used containing active hydrogen
    • C08G18/30Low-molecular-weight compounds
    • C08G18/32Polyhydroxy compounds; Polyamines; Hydroxyamines
    • C08G18/3271Hydroxyamines
    • C08G18/3278Hydroxyamines containing at least three hydroxy groups
    • C08G18/3281Hydroxyamines containing at least three hydroxy groups containing three hydroxy groups
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G18/00Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates
    • C08G18/06Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen
    • C08G18/28Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen characterised by the compounds used containing active hydrogen
    • C08G18/30Low-molecular-weight compounds
    • C08G18/38Low-molecular-weight compounds having heteroatoms other than oxygen
    • C08G18/3802Low-molecular-weight compounds having heteroatoms other than oxygen having halogens
    • C08G18/3814Polyamines
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G18/00Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates
    • C08G18/06Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen
    • C08G18/28Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen characterised by the compounds used containing active hydrogen
    • C08G18/40High-molecular-weight compounds
    • C08G18/48Polyethers
    • C08G18/4825Polyethers containing two hydroxy groups
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G18/00Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates
    • C08G18/06Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen
    • C08G18/28Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen characterised by the compounds used containing active hydrogen
    • C08G18/40High-molecular-weight compounds
    • C08G18/48Polyethers
    • C08G18/4833Polyethers containing oxyethylene units
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G18/00Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates
    • C08G18/06Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen
    • C08G18/28Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen characterised by the compounds used containing active hydrogen
    • C08G18/40High-molecular-weight compounds
    • C08G18/48Polyethers
    • C08G18/4854Polyethers containing oxyalkylene groups having four carbon atoms in the alkylene group
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G18/00Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates
    • C08G18/06Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen
    • C08G18/28Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen characterised by the compounds used containing active hydrogen
    • C08G18/65Low-molecular-weight compounds having active hydrogen with high-molecular-weight compounds having active hydrogen
    • C08G18/66Compounds of groups C08G18/42, C08G18/48, or C08G18/52
    • C08G18/6666Compounds of group C08G18/48 or C08G18/52
    • C08G18/667Compounds of group C08G18/48 or C08G18/52 with compounds of group C08G18/32 or polyamines of C08G18/38
    • C08G18/6681Compounds of group C08G18/48 or C08G18/52 with compounds of group C08G18/32 or polyamines of C08G18/38 with compounds of group C08G18/32 or C08G18/3271 and/or polyamines of C08G18/38
    • C08G18/6685Compounds of group C08G18/48 or C08G18/52 with compounds of group C08G18/32 or polyamines of C08G18/38 with compounds of group C08G18/32 or C08G18/3271 and/or polyamines of C08G18/38 with compounds of group C08G18/3225 or polyamines of C08G18/38
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G18/00Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates
    • C08G18/06Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen
    • C08G18/70Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen characterised by the isocyanates or isothiocyanates used
    • C08G18/72Polyisocyanates or polyisothiocyanates
    • C08G18/74Polyisocyanates or polyisothiocyanates cyclic
    • C08G18/75Polyisocyanates or polyisothiocyanates cyclic cycloaliphatic
    • C08G18/758Polyisocyanates or polyisothiocyanates cyclic cycloaliphatic containing two or more cycloaliphatic rings
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G18/00Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates
    • C08G18/06Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen
    • C08G18/70Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen characterised by the isocyanates or isothiocyanates used
    • C08G18/72Polyisocyanates or polyisothiocyanates
    • C08G18/74Polyisocyanates or polyisothiocyanates cyclic
    • C08G18/76Polyisocyanates or polyisothiocyanates cyclic aromatic
    • C08G18/7657Polyisocyanates or polyisothiocyanates cyclic aromatic containing two or more aromatic rings
    • C08G18/7664Polyisocyanates or polyisothiocyanates cyclic aromatic containing two or more aromatic rings containing alkylene polyphenyl groups
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30625With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Polyurethanes Or Polyureas (AREA)

Abstract

【課題】正のゼータ電位を有する研磨層を有するケミカルメカニカルポリッシングパッド、及び研磨パッドを正に帯電したスラリーと一緒に使用するケミカルメカニカルポリッシング方法を提供する。【解決手段】研磨パッドは組成物を有する研磨層及び研磨表面を含み、組成物は、以下の成分である。(a)1分子当たり平均少なくとも2個の未反応イソシアナート(NCO)基を有する多官能性イソシアナート、(b)ヒドロキシル置換された第4級アンモニウムからなる第1硬化剤、(c)第2硬化剤であって、第4級アンモニウムを含まない第2硬化剤、及び(d)任意選択的に、複数の微量要素正のゼータ電位は、研磨パッド全体の表面にわたって一定であり、硝酸又は水酸化カリウムを使用して脱イオン水のpHを調整することにより2〜12のpH範囲にわたってpHに依存しない、研磨パッド。【選択図】なし

Description

本発明は、一般に先進の半導体デバイスのケミカルメカニカルポリッシング(CMP)の分野に関する。より具体的には、本発明は、化学修飾されたCMPパッド、及び先進の半導体デバイスのケミカルメカニカルポリッシング方法を対象とする。
集積回路その他の電子デバイスの製造において、導電性材料、半導体材料及び絶縁材料の複数の層が半導体ウェーハの表面上に堆積されたり、そこから除去されたりする。導電性材料、半導体材料、及び絶縁材料の薄層は、多くの堆積手法によって堆積することができる。最新の加工における一般的な堆積手法は、スパッタリングとしても知られる物理気相成長法(PVD)、化学気相成長法(CVD)、プラズマ化学気相成長法(PECVD)、及び電気化学的めっき法(ECP)を含む。
材料の層が順次堆積され除去されるにつれ、ウェーハの最上面は平坦でなくなる。後続の半導体加工(例えば、メタライゼーション)はウェーハが平らな表面を有することを要求するため、ウェーハを平坦化する必要がある。平坦化は、望ましくない表面トポグラフィー及び表面欠陥(例えば、粗面、凝集物質、結晶格子損傷、スクラッチ、及び汚染層又は物質など)を除くのに有用である。
ケミカルメカニカルプラナリゼーション、すなわちケミカルメカニカルポリッシング(CMP)は、半導体ウェーハのような基板を平坦化するために使用される一般的な手法である。従来のCMPにおいては、ウェーハはキャリアアセンブリに取り付けられ、CMP装置内に研磨パッドと接触して配置される。キャリアアセンブリは、ウェーハに調節可能な圧力を提供し、ウェーハを研磨パッドに押し付ける。パッドを、外部駆動力によってウェーハに対して動かす(例えば、回転)。それと同時に、化学組成物(「スラリー」)その他の研磨溶液がウェーハと研磨パッドとの間に提供される。このように、パッド表面及びスラリーの化学的及び機械的作用によって、ウェーハ表面が研磨されて、平坦化される。
パッドとスラリー粒子との間の接触力に加えて、表面力もウェーハとスラリー粒子の間に作用し、CMP材料除去速度に影響を与える。
米国特許出願公開第2017/0120416号は、研磨物品の表面全体にわたってゼータ電位の変動領域を有する研磨物品を開示している。活性スラリーが正のゼータ電位を有する砥粒(例えば、アルミナ)を含む場合、研磨表面は、研磨物品の表面の他の領域と比較してより負のゼータ電位を有し、研磨物品と液体界面との界面に砥粒を引き付けるように設計することができる。
米国特許第9,484,212号は、CMPパッドの研磨層用の酸化ケイ素材料と窒化ケイ素との間の除去速度選択比を改善する方法を開示している。これは、1〜6の研磨pHで測定された正の表面電荷を持つシリカ砥粒の使用と共に、研磨層組成物に使用される原料の特定の組合せによって達成される。
WO2018021428は、正のゼータ電位を有する研磨パッドを開示している。その研磨パッドは、第3級アミンポリウレタンで作られている。
より高いCMP平坦化性能及び生産性を有する改善されたケミカルメカニカルポリッシングパッドに対するニーズが存在している。本発明は、表面全体にわたって一定の正のゼータ電位を有する化学修飾されたCMPパッド、及びこの改善されたパッドを正に帯電したスラリーと対にして、研磨性能を改善する方法を提供することによって、このニーズを満たすものである。
一実施態様は、メモリ、シリコンディスク、ガラス、及び半導体基板の少なくとも1つから選択される基板を研磨するための正のゼータ電位を有するケミカルメカニカルポリッシング(CMP)研磨パッドであって、この研磨パッドは組成物を有する研磨層及び研磨表面を含み、そしてこの組成物は、(a)〜(d):
(a)1分子当たり平均少なくとも2個の未反応イソシアナート(NCO)基を有する多官能性イソシアナート;
(b)ヒドロキシル置換された第4級アンモニウムからなる第1硬化剤;
(c)第2硬化剤であって、第4級アンモニウムを含まない第2硬化剤;及び
(d)任意選択的に、複数の微量要素
を含む成分の反応生成物であり、そして前記第1硬化剤は、第1硬化剤と第2硬化剤との総モル量に基づいて50モル%以上で存在し、そして(b)及び(c)の硬化剤中の合わせた反応性水素基対(a)の多官能性イソシアナート中の少なくとも2個の未反応イソシアナート(NCO)基の化学量論比は、0.8〜1.1であり、そして前記正のゼータ電位は、研磨パッド全体の表面にわたって一定であり、硝酸又は水酸化カリウムを使用して脱イオン水のpHを調整することにより2〜12のpH範囲にわたってpHに依存しない、研磨パッドを提供する。
別の実施態様は、第4級アンモニウムが、1分子当たり少なくとも2個のヒドロキシル基を含有することを提供する。
別の実施態様は、第4級アンモニウムが、1分子当たり少なくとも3個のヒドロキシル基を含有することを提供する。
別の実施態様は、第2硬化剤がアミンを含むことを提供する。
別の実施態様は、第2硬化剤が0.1重量%未満の第3級アミンを含有することを提供する。
別の実施態様は、アミンが芳香族アミンであることを提供する。
別の実施態様は、芳香族アミンが4,4’−メチレンビス(2−クロロアニリン)(MBOCA)であることを提供する。
別の実施態様は、第4級アンモニウムがメチル硫酸トリス(2−ヒドロキシエチル)メチルアンモニウムであることを提供する。
別の実施態様は、第4級アンモニウムが塩化(2,3−ジヒドロキシプロピル)トリメチルアンモニウムであることを提供する。
別の実施態様は、ゼータ電位が+90から+160mVの範囲にあることを提供する。
別の実施態様は、基板をケミカルメカニカルポリッシングする方法であって、
基板を用意すること;
水及びシリカ砥粒を含む研磨スラリーを用意すること;
正のゼータ電位を有するケミカルメカニカルポリッシングパッドであって、この研磨パッドは組成物を有する研磨層及び研磨表面を含み、そしてこの組成物は、(a)〜(d):
(a)1分子当たり平均少なくとも2個の未反応イソシアナート(NCO)基を有する多官能性イソシアナート;
(b)ヒドロキシル置換された第4級アンモニウムからなる第1硬化剤;
(c)第2硬化剤であって、第4級アンモニウムを含まない第2硬化剤;及び
(d)任意選択的に、複数の微量要素
を含む成分の反応生成物であり、そして前記第1硬化剤は、第1硬化剤と第2硬化剤との総モル量に基づいて50モル%以上で存在し、そして(b)及び(c)の硬化剤中の合わせた反応性水素基対(a)の多官能性イソシアナート中の少なくとも2個の未反応イソシアナート(NCO)基の化学量論比は、0.8〜1.1であり、そして前記正のゼータ電位は、研磨パッド全体の表面にわたって一定であり、硝酸又は水酸化カリウムを使用して脱イオン水のpHを調整することにより2〜12のpH範囲にわたってpHに依存しない、研磨パッドを用意すること;
研磨表面と基板の間に動的運動を作り出し、基板の表面を研磨すること;そして
研磨表面と基板の間の界面又はその近傍において、ケミカルメカニカルポリッシングパッドに研磨スラリーを施用すること
を含む方法を提供する。
別の実施態様は、シリカ砥粒が、1〜6の研磨pHで測定された正の表面電荷を有することを提供する。
更に別の実施態様は、研磨スラリーが3〜5のpHを有することを提供する。
本実施態様のこれらと他の特徴及び利点は、以下の詳細な説明を読むことにより当業者には更に容易に理解されるであろう。わかりやすいように別々の実施態様として上記及び下記に開示された実施態様の若干の特徴はまた、単一の実施態様に組合せて提供されてもよい。逆に、単一の実施態様に即して説明されている開示された実施態様のさまざまな特徴はまた、別個に又は任意のサブコンビネーションとして提供されてもよい。
[発明の詳細な説明]
特に明記又は定義されない限り、本明細書に使用される全ての技術用語及び科学用語は、本開示が関係する技術分野の当業者によって一般に理解されている意味を有する。
特に断らない限り、全ての百分率、部、比率などは重量基準である。
量、濃度、その他の値又はパラメーターが、範囲、好ましい範囲、又は好ましい上限値と好ましい下限値のリストのいずれかとして与えられる場合、範囲が別々に開示されているか否かにかかわりなく、任意の範囲上限又は好ましい値と、任意の範囲下限又は好ましい値との任意の対から形成されるあらゆる範囲を特定的に開示しているものとして理解されるべきである。本明細書に数値の範囲が記載される場合、特に断わらない限り、その範囲は、その端点、並びに範囲内の全ての整数及び分数を含むことが意図されている。
特に断わらない限り、温度及び圧力の条件は周囲温度及び標準圧力である。記載される範囲は全て閾値を包含し、かつ組合せ可能である。
特に断わらない限り、括弧を含む用語は、括弧が存在しないとした場合の用語全体、及び括弧内の内容を含まない用語、並びに各選択肢の組合せのいずれかをいう。よって、「(ポリ)イソシアナート」という用語は、イソシアナート、ポリイソシアナート、又はこれらの混合物をいう。
本明細書に使用されるとき、「ASTM」という用語は、ASTM International,West Conshohocken,PAの刊行物のことをいう。
本明細書に使用されるとき、特に断らない限り、「分子量」又は「平均分子量」という用語は、その製造業者によって報告されたとおりの所与の物質の式量を意味する。平均分子量とは、所与の物質における分子の分布(例えば、ポリマー分布)について報告された分子量のことをいう。
本明細書に使用されるとき、反応混合物の「化学量論」という用語は、所与の反応混合物におけるNCO基のモル当量対OH基のモル当量数の比をいう。
本明細書に使用されるとき、「ポリイソシアナート」という用語は、ブロックされたイソシアナート基を含む、3個以上のイソシアナート基を有する任意のイソシアナート基含有分子を意味する。
本明細書に使用されるとき、「ポリウレタン」という用語は、二官能性又は多官能性イソシアナートからの重合生成物、例えば、ポリエーテル尿素、ポリイソシアヌラート、ポリウレタン、ポリ尿素、ポリウレタン尿素、これらのコポリマー及びこれらの混合物をいう。
本明細書に使用されるとき、「反応混合物」という用語は、研磨パッドにおける微量要素のような任意の非反応性添加剤、及びポリウレタン反応生成物の湿潤硬度(ASTM D2240−15(2015)によるショアD又はショアA)を低下させるための任意の添加剤を含む。
本明細書に使用されるとき、「半導体ウェーハ」という用語は、パターンのない半導体又はパターンを有する半導体のような半導体基板、半導体デバイス、種々のレベルの相互接続のための種々のパッケージ(シングルチップウェーハ又はマルチチップウェーハ、発光ダイオード(LED)用の基板、又ははんだ接続を必要とする他のアセンブリを含む)を包含することが意図されている。
本明細書に使用されるとき、「半導体基板」という用語は、半導体材料を含む任意の構造物を意味すると定義される。半導体基板は、半導体デバイス、及び半導体デバイスのアクティブ部又は操作可能部を含む1つ以上の半導体層又は構造を有する任意の基板を含む。
本明細書に使用されるとき、「半導体デバイス」という用語は、そこに少なくとも1つのマイクロ電子デバイスが製造されたか、又は製造されつつある半導体基板をいう。
本明細書に使用されるとき、「ショアD硬度」及び「ショアA硬度」という用語は、ASTM D2240−15(2015),“Standard Test Method for Rubber Property−Durometer Hardness”により、所与の時間後に測定された所与の材料の硬度値である。硬度は、それぞれD又はAプローブを備えたRex Hybrid硬度テスター(Rex Gauge Company、Inc.,Buffalo Grove,IL)で測定された。硬度測定ごとに4つの試料を積み重ねてシャッフルし;かつ、試験される各試験片を、試験前に23℃で相対湿度50%に5日間置き、ASTM D2240−15(2015)に概説された方法を使用してコンディショニングして、硬度試験の再現性を改善した。
本明細書に使用されるとき、「SG」又は「比重」という用語は、本発明による研磨パッド又は層から切り出された矩形の重量/体積比をいう。
本明細書に使用されるとき、「MBOCA」という用語は、市販のアニリンである、4,4’−メチレンビス(2−クロロアニリン)を意味する。
本明細書に使用されるとき、「MCDEA」という用語は、市販のアニリンである、ビス(4−アミノ−2−クロロ−3,5−ジエチルフェニル)メタンを意味する。
本明細書に使用されるとき、「MTEOA MeOSO3」という用語は、メチル硫酸トリス(2−ヒドロキシエチル)メチルアンモニウム、即ちBASFから市販されている第4級アンモニウムである、Basionic FS−01若しくはEfka(登録商標)IO6783を意味する。
特に断らない限り、上記の化学物質は、Aldrich(Milwaukee,WI)又は他の同様の実験用化学物質の供給業者から入手された。
更に、文脈上特に否定されない限り、単数形での参照には複数形も含まれ得る(例えば、「a」及び「an」は1又は1以上を指示し得る)。
驚くべきことに、硬化剤として少なくとも50モル%(硬化剤の総モル量に基づいて)のヒドロキシル置換された第4級アンモニウムをブレンドして、1分子あたり少なくとも2個の未反応イソシアナート(NCO)基を有する多官能性イソシアナートと反応させると、表面全体にわたって正のゼータ電位を有するポリウレタン研磨層が得られること、及び研磨層の表面の正のゼータ電位がpHの影響を受けないことが見出された。半導体基板は複雑さを増して進化し続けているため、除去速度を向上させ得る更に優れた特徴を持つCMPパッドに対するニーズが持続する。本発明により提供されるCMPパッドは、除去速度の向上を達成するための新たなツールを提供し、これまで以上に複雑な基板の製造を可能にする。本発明に適した基板には、メモリ、シリコンディスク、ガラス、半導体ウェーハ、及び半導体基板が含まれるが、これらに限定されない。
本発明において提供されるケミカルメカニカルポリッシングパッドの研磨層の研磨層組成物は、(a)1分子当たり平均少なくとも2個の未反応イソシアナート(NCO)基を有する多官能性イソシアナート;(b)ヒドロキシル置換された第4級アンモニウムからなる第1硬化剤;(c)第2硬化剤であって、第4級アンモニウムを含まない第2硬化剤;及び(d)任意選択的に、複数の微量要素を含む成分のポリウレタン反応生成物であって、そして前記第1硬化剤は、第1硬化剤と第2硬化剤との総モル量に基づいて50モル%以上(更に好ましくは、55モル%超;最も好ましくは、60モル%〜75モル%の範囲)で存在し、そして(b)及び(c)の硬化剤中の合わせた反応性水素基対(a)の多官能性イソシアナート中の少なくとも2個の未反応イソシアナート(NCO)基の化学量論比は、0.8〜1.1であり、そして前記正のゼータ電位は、研磨パッド全体の表面にわたって一定であり、硝酸又は水酸化カリウムを使用して脱イオン水のpHを調整することにより2〜12(更に好ましくは、3〜8、最も好ましくは、4〜6)のpH範囲にわたってpHに依存しない、反応生成物である。
好ましくは、1分子当たり平均少なくとも2個の未反応イソシアナート(NCO)基を有する多官能性イソシアナートは、(i)脂肪族多官能性イソシアナート;及び(ii)プレポリマーポリオールを含む成分の反応生成物である。更に好ましくは、1分子当たり平均少なくとも2個の未反応イソシアナート(NCO)基を有する多官能性イソシアナートは、(i)脂肪族多官能性イソシアナートであって、イソホロンジイソシアナート(IPDI);ヘキサメチレン−1,6−ジイソシアナート(HDI);4,4−メチレンビス(シクロヘキシルイソシアナート)(H12MDI);1,4−シクロヘキサンジイソシアナート;1,3−シクロヘキサンジイソシアナート;1,2−シクロヘキサンジイソシアナート;2,2,4−トリメチルヘキサメチレンジイソシアナート;2,4,4−トリメチルヘキサメチレンジイソシアナート;1,4−ビス(イソシアナトメチル)シクロヘキサン;1,3−ビス(イソシアナトメチル)シクロヘキサン及びこれらの混合物からなる群より選択される、脂肪族多官能性イソシアナート;並びに(ii)プレポリマーポリオールであって、ジオール、ポリオール、ポリオールジオール、これらのコポリマー、及びこれらの混合物からなる群より選択される、プレポリマーポリオールを含む成分の反応生成物である。更により好ましくは、1分子あたり平均少なくとも2個の未反応イソシアナート(NCO)基を有する多官能性イソシアナートは、(i)脂肪族多官能性イソシアナートであって、4,4−メチレンビス(シクロヘキシルイソシアナート)(H12−MDI)である、脂肪族多官能性イソシアナート;及び(ii)プレポリマーポリオールであって、ジオール、ポリオール、ポリオールジオール、これらのコポリマー、及びこれらの混合物からなる群より選択される、プレポリマーポリオールを含む成分の反応生成物である
好ましくは、プレポリマーポリオールは、ポリエーテルポリオール(例えば、ポリ(オキシテトラメチレン)グリコール、ポリ(オキシプロピレン)グリコール、ポリ(オキシエチレン)グリコール);ポリカーボネートポリオール;ポリエステルポリオール;ポリカプロラクトンポリオール;これらの混合物;並びに、これらと、エチレングリコール;1,2−プロピレングリコール;1,3−プロピレングリコール;1,2−ブタンジオール;1,3−ブタンジオール;2−メチル−1,3−プロパンジオール;1,4−ブタンジオール;ネオペンチルグリコール;1,5−ペンタンジオール;3−メチル−1,5−ペンタンジオール;1,6−ヘキサンジオール;ジエチレングリコール;ジプロピレングリコール;及び、トリプロピレングリコールからなる群より選択される1種以上の低分子量ポリオールとの混合物からなる群より選択される。更に好ましくは、プレポリマーポリオールは、ポリテトラメチレンエーテルグリコール(PTMEG);ポリプロピレンエーテルグリコール(PPG)、及びポリエチレンエーテルグリコール(PEG)の少なくとも1種からなる群より選択され;任意選択的に、エチレングリコール;1,2−プロピレングリコール;1,3−プロピレングリコール;1,2−ブタンジオール;1,3−ブタンジオール;2−メチル−1,3−プロパンジオール;1,4−ブタンジオール;ネオペンチルグリコール;1,5−ペンタンジオール;3−メチル−1,5−ペンタンジオール;1,6−ヘキサンジオール;ジエチレングリコール;ジプロピレングリコール;及び、トリプロピレングリコールからなる群より選択される少なくとも1種の低分子量ポリオールと混合される。
好ましくは、1分子当たり平均少なくとも2個の未反応イソシアナート(NCO)基を有する多官能性イソシアナートは、5.5〜11.5重量%(好ましくは、6〜11重量%;更に好ましくは、7〜10.5重量%;最も好ましくは、7.25〜10.5重量%)の未反応イソシアナート(NCO)基を有するイソシアナート末端ウレタンプレポリマーである。
好ましくは、第1硬化剤である第4級アンモニウム硬化剤は、1分子当たり2個のヒドロキシル基を含む。更に好ましくは、第4級アンモニウム硬化剤は、1分子当たり3個のヒドロキシル基を含む。好ましくは、第4級アンモニウム硬化剤は、対イオンとしてハロゲン化物、硫酸塩又は硝酸塩を含む。好ましくは、第4級アンモニウム硬化剤は、100〜500g/モルの範囲の分子量を有する。市販の第4級アンモニウム硬化剤の例には、BASF製のBasionic FS−01、即ちメチル硫酸トリス(2−ヒドロキシエチル)メチルアンモニウム、塩化(2,3−ジヒドロキシプロピル)トリメチルアンモニウム、及び塩化ドデシルビス(2−ヒドロキシエチル)メチルアンモニウムが含まれる。
好ましくは、第2硬化剤はアミンである。更に好ましくは、第2硬化剤は、0.1重量%未満の第3級アミンを含有する。最も好ましくは、第2硬化剤は芳香族アミンである。好ましくは、第2硬化剤は、100〜500g/モルの範囲の分子量を有する。市販の芳香族アミン硬化剤の例には、MBOCA、及びMCDEAが含まれる。
第2硬化剤はまた、脂肪族アミン開始ポリオール硬化剤、例えば、脂肪族アミン開始ポリエーテルポリオール硬化剤であるVoranol 800を含む。
好ましくは、第1硬化剤は、第1硬化剤と第2硬化剤との総モル量に基づいて50モル%以上(更に好ましくは55モル%超;最も好ましくは60モル%〜75モル%の範囲)で存在し、そして硬化剤中の合わせた反応性水素基対(a)の多官能性イソシアナート中の少なくとも2個の未反応イソシアナート(NCO)基の化学量論比は、0.8〜1.1である。上に開示された量の第1硬化剤が存在することにより、表面全体にわたって一定の正のゼータ電位を有する研磨層の形成が可能になる。開示された範囲外では、不十分な量の第1硬化剤がゼータ電位を研磨層の場所によって変動させてしまい、一方、過剰量の第1硬化剤は研磨層に材料の相分離を引き起こす。
好ましくは、複数の微量要素は、封入気泡、中空コアポリマー材料、水溶性材料及び不溶性相材料(例えば、鉱油)から選択される。更に好ましくは、複数の微量要素は、封入気泡及び中空コアポリマー材料から選択される。好ましくは、複数の微量要素は、150μm未満(更に好ましくは、50μm未満;最も好ましくは10〜50μm)の重量平均径を有する。好ましくは、複数の微量要素は、ポリアクリロニトリル又はポリアクリロニトリルコポリマー(例えば、Akzo Nobel製のExpancel(商標))のいずれかのシェル壁を有するポリマーマイクロバルーンを含む。好ましくは、複数の微量要素は、0〜35体積%の多孔度(更に好ましくは10〜25体積%の多孔度)で研磨層組成物に配合される。好ましくは、複数の微量要素は、研磨層組成物の全体にわたって分布する。
本発明の基板をケミカルメカニカルポリッシングする方法は、基板を用意すること;水及びシリカ砥粒を含む研磨スラリーを用意すること;正のゼータ電位を有するケミカルメカニカルポリッシングパッドであって、この研磨パッドは組成物を有する研磨層及び研磨表面を含み、そしてこの組成物は、(a)1分子当たり平均少なくとも2個の未反応イソシアナート(NCO)基を有する多官能性イソシアナート;(b)ヒドロキシル置換された第4級アンモニウムからなる第1硬化剤;(c)第2硬化剤であって、第4級アンモニウムを含まない第2硬化剤;及び(d)任意選択的に、複数の微量要素を含む成分の反応生成物であり、そして前記第1硬化剤は、第1硬化剤と第2硬化剤との総モル量に基づいて50モル%以上で存在し、そして(b)及び(c)の硬化剤中の合わせた反応性水素基対(a)の多官能性イソシアナート中の少なくとも2個の未反応イソシアナート(NCO)基の化学量論比は、0.8〜1.1であり、そして正のゼータ電位は、研磨パッド全体の表面にわたって一定であり、硝酸又は水酸化カリウムを使用して脱イオン水のpHを調整することにより2〜12のpH範囲にわたってpHに依存しない、研磨パッドを用意すること;研磨表面と基板の間に動的運動を作り出し、基板の表面を研磨すること;そして研磨表面と基板の間の界面又はその近傍において、ケミカルメカニカルポリッシングパッドに研磨スラリーを施用することを含む。
好ましくは、本発明の基板をケミカルメカニカルポリッシングする方法において、用意される基板は酸化ケイ素を含む。更に好ましくは、本発明の基板をケミカルメカニカルポリッシングする方法において、用意される基板は、酸化ケイ素を含む半導体基板である。更により好ましくは、本発明の基板をケミカルメカニカルポリッシングする方法において、用意される基板は、酸化ケイ素及び窒化ケイ素を含む半導体基板である。最も好ましくは、本発明の基板をケミカルメカニカルポリッシングする方法において、用意される基板は、少なくとも1種の酸化ケイ素フィーチャーと少なくとも1種の窒化ケイ素フィーチャーとを含む半導体基板であり;ここで、少なくとも1種の酸化ケイ素フィーチャー及び少なくとも1種の窒化ケイ素フィーチャーが、ケミカルメカニカルポリッシング中に研磨表面及び研磨スラリーに曝され;そして、少なくとも1種の酸化ケイ素フィーチャー及び少なくとも1種の窒化ケイ素フィーチャーの少なくともある程度が基板から除去される。
好ましくは、本発明の基板をケミカルメカニカルポリッシングする方法において、用意される研磨スラリーは、水及びシリカ砥粒を含み、シリカ砥粒は1〜6(好ましくは2〜5;更に好ましくは2.5〜5;最も好ましくは2.75〜4.75)の研磨pHで測定された正の表面電荷を有する。更に好ましくは、本発明の基板をケミカルメカニカルポリッシングする方法において、用意される研磨スラリーは、水;及び、0.1〜6重量%のシリカ砥粒を含み、シリカ砥粒は1〜6(好ましくは2〜5;更に好ましくは2.5〜5;最も好ましくは2.75〜4.75)の研磨pHで測定された正の表面電荷を有する。更により好ましくは、本発明の基板をケミカルメカニカルポリッシングする方法において、用意される研磨スラリーは、水;及び、0.5〜5重量%のシリカ砥粒を含み、シリカ砥粒は1〜6(好ましくは2〜5;更に好ましくは2.5〜5;最も好ましくは2.75〜4.75)の研磨pHで測定された正の表面電荷を有する。最も好ましくは、本発明の基板をケミカルメカニカルポリッシングする方法において、用意される研磨スラリーは、水;及び、0.75〜2重量%のシリカ砥粒を含み、シリカ砥粒は1〜6(好ましくは2〜5;更に好ましくは2.5〜5;最も好ましくは2.75〜4.75)の研磨pHで測定された正の表面電荷を有する。
好ましくは、本発明の基板をケミカルメカニカルポリッシングする方法において、用意される研磨スラリーに含まれる水には、脱イオン化及び蒸留の少なくとも一方を行い、偶発的不純物を制限する。
好ましくは、本発明の基板をケミカルメカニカルポリッシングする方法において、用意される研磨スラリーに含まれるシリカ砥粒は、コロイダルシリカ砥粒であって、コロイダルシリカ砥粒は1〜6(好ましくは2〜5;更に好ましくは2.5〜5;最も好ましくは2.75〜4.75)の研磨pHで測定された正の表面電荷を有する。更に好ましくは、本発明の基板をケミカルメカニカルポリッシングする方法において、用意される研磨スラリーに含まれるシリカ砥粒は、動的光散乱法により測定されるとき≦100nmの平均粒径を有するコロイダルシリカ砥粒であって、コロイダルシリカ砥粒は1〜6(好ましくは2〜5;更に好ましくは2.5〜5;最も好ましくは2.75〜4.75)の研磨pHで測定された正の表面電荷を有する。最も好ましくは、本発明の基板をケミカルメカニカルポリッシングする方法において、用意される研磨スラリーに含まれるシリカ砥粒は、動的光散乱法により測定されるとき5〜100nm(更に好ましくは10〜60nm;最も好ましくは20〜60nm)の平均粒径を有するコロイダルシリカ砥粒であって、コロイダルシリカ砥粒は1〜6(好ましくは2〜5;更に好ましくは2.5〜5;最も好ましくは2.75〜4.75)の研磨pHで測定された正の表面電荷を有する。
好ましくは、本発明の基板をケミカルメカニカルポリッシングする方法において、用意される研磨スラリーは、1〜6の研磨pHを有する。更に好ましくは、本発明の基板をケミカルメカニカルポリッシングする方法において、用意される研磨スラリーは、2〜5の研磨pHを有する。更により好ましくは、本発明の基板をケミカルメカニカルポリッシングする方法において、用意される研磨スラリーは、2.5〜5の研磨pHを有する。最も好ましくは、本発明の基板をケミカルメカニカルポリッシングする方法において、用意される研磨スラリーは、2.75〜4.75の研磨pHを有する。
好ましくは、本発明の基板をケミカルメカニカルポリッシングする方法において、用意される研磨スラリーは、分散剤、界面活性剤、緩衝剤、消泡剤及び殺生物剤からなる群より選択される追加の添加剤を更に含む。
好ましくは、研磨表面は、研磨表面にマクロテクスチャーを付与することにより基板の研磨用に適合されている。更に好ましくは、研磨表面は、研磨表面にマクロテクスチャーであって、穿孔及び溝の少なくとも一方から選択されるマクロテクスチャーを付与することにより基板の研磨用に適合されている。穿孔は、研磨表面から研磨層の厚さの途中まで伸びていてもよく、貫通していてもよい。好ましくは、溝は、研磨中にケミカルメカニカルポリッシングパッドが回転すると、少なくとも1つの溝が研磨されている基板の表面上を掃引するように、研磨表面に配置される。好ましくは、研磨表面は、湾曲溝、直線溝及びこれらの組合せからなる群より選択される少なくとも1つの溝を含むマクロテクスチャーを有する。
好ましくは、研磨表面は、研磨表面にマクロテクスチャーを付与することにより基板の研磨用に適合されており、マクロテクスチャーは研磨層に形成された溝パターンを研磨表面に含む。好ましくは、溝パターンは複数の溝を含む。更に好ましくは、溝パターンは、溝デザインから選択される。好ましくは、溝デザインは、同心円溝(円形でもらせん形でもよい)、湾曲溝、斜交平行溝(例えば、パッド表面にわたってX−Y格子として配置される)、他の規則的デザイン(例えば、六角形、三角形)、タイヤ溝型パターン、不規則なデザイン(例えば、フラクタルパターン)、及びこれらの組合せからなる群より選択される。更に好ましくは、溝デザインは、ランダム溝、同心円溝、らせん溝、斜交平行溝、X−Y格子溝、六角溝、三角溝、フラクタル溝及びこれらの組合せからなる群より選択される。最も好ましくは、研磨表面には、らせん溝パターンが形成されている。溝の輪郭は、好ましくは、まっすぐな側壁を有する矩形から選択されるか、又は溝の断面が、「V」字形、「U」字形、鋸歯、及びこれらの組合せであってもよい。
好ましくは、本発明の方法において用意されるケミカルメカニカルポリッシングパッドは、20〜150ミル(更に好ましくは30〜125ミル;最も好ましくは40〜120ミル)の平均厚さの研磨層を有する。
本発明の方法において用意されるケミカルメカニカルポリッシングパッドは、多孔性及び非多孔性(即ち、無充填)の両方の形状で提供され得る研磨層を有する。好ましくは、本発明の方法において用意されるケミカルメカニカルポリッシングパッドは、ASTM D1622により測定されるとき≧0.6g/cmの密度を持つ研磨層を有する。更に好ましくは、本発明の方法において用意されるケミカルメカニカルポリッシングパッドは、ASTM D1622により測定されるとき0.7〜1.1(更に好ましくは0.75〜1.0;最も好ましくは0.75〜0.95)g/cmの密度を持つ研磨層を有する。
好ましくは、本発明の方法において用意されるケミカルメカニカルポリッシングパッドは、ASTM D2240により測定されるとき10〜60のショアD硬度を持つ研磨層を有する。更に好ましくは、本発明の方法において用意されるケミカルメカニカルポリッシングパッドは、ASTM D2240により測定されるとき15〜50(最も好ましくは20〜40)のショアD硬度を持つ研磨層を有する。
好ましくは、本発明の方法において用意されるケミカルメカニカルポリッシングパッドは、ASTM D412により測定されるとき100〜500%(更に好ましくは200〜450%;最も好ましくは300〜400%)の破断伸びを持つ研磨層を有する。
好ましくは、本発明の方法において用意されるケミカルメカニカルポリッシングパッドは、ASTM D1708−10により測定されるとき10〜50MPa(更に好ましくは15〜40MPa;最も好ましくは20〜30MPa)の靱性を持つ研磨層を有する。
好ましくは、本発明の方法において用意されるケミカルメカニカルポリッシングパッドは、ASTM D1708−10により測定されるとき5〜35MPa(更に好ましくは7.5〜20MPa;最も好ましくは10〜15MPa)の引張強度を持つ研磨層を有する。
好ましくは、本発明の方法において用意されるケミカルメカニカルポリッシングパッドは、研磨機のプラテンと面接触するように適合されている。更に好ましくは、本発明の方法において用意されるケミカルメカニカルポリッシングパッドは、研磨機のプラテンに固定されるように適合されている。最も好ましくは、本本発明の方法において用意されるケミカルメカニカルポリッシングパッドは、感圧接着剤及び真空の少なくとも一方を使用してプラテンに固定されるように設計されている。好ましくは、本発明の方法において用意されるケミカルメカニカルポリッシングパッドは、プラテン接着剤を更に含み、プラテン接着剤はケミカルメカニカルポリッシングパッドの研磨表面とは反対側に配置されている。
好ましくは、本発明の方法において用意されるケミカルメカニカルポリッシングパッドは、研磨層と面接触する少なくとも1つの追加層を更に含む。好ましくは、本発明の方法において用意されるケミカルメカニカルポリッシングパッドは、研磨層に接着された圧縮可能なベース層を更に含む。圧縮可能なベース層は、研磨されている基板の表面に対する研磨層の適合性を改善することが好ましい。好ましくは、圧縮可能なベース層は、圧縮可能なベース層と研磨層との間に挿入されたスタック接着剤を介して研磨層に接着される。好ましくは、スタック接着剤は、感圧接着剤、ホットメルト接着剤、コンタクト接着剤、及びこれらの組合せからなる群より選択される。更に好ましくは、スタック接着剤は、感圧接着剤及びホットメルト接着剤からなる群より選択される。最も好ましくは、スタック接着剤は反応性ホットメルト接着剤である。
基板研磨作業における重要な一工程は、プロセスの終点を決定することである。終点検出のための一般的な原位置法は、選択した光の波長に対して透過性の窓を研磨パッドに設けることを含む。研磨中、光ビームは窓を介してウェーハ表面に向けられ、そこでビームが反射して、窓を通過して検出器(例えば、分光光度計)に戻る。戻り信号に基づいて基板表面の特性(例えば、基板表面上の膜の厚さ)を求め、終点検出が可能である。このような光に基づく終点方法を容易にするために、本発明の方法において用意されるケミカルメカニカルポリッシングパッドは、任意選択的に終点検出窓を更に含む。好ましくは、終点検出窓は、研磨層に組み込まれた一体窓;及び用意されたケミカルメカニカルポリッシングパッドに組み込まれたプラグインプレース終点検出窓ブロックから選択される。
好ましくは、本発明の基板をケミカルメカニカルポリッシングする方法は、回転プラテン、回転ヘッド、及び回転コンディショナーを有する研磨機を用意することを更に含み、研磨層は回転プラテンに取り付けられており;基板は回転ヘッドに固定されており;回転プラテンは、毎分93回転のプラテン速度で回転し;回転ヘッドは、毎分87回転のヘッド速度で回転し;基板は、3psiのダウンフォースで研磨層の研磨表面に押し付けられ;研磨スラリーは、200mL/分の流量で研磨表面に供給される。
好ましくは、本発明の基板をケミカルメカニカルポリッシングする方法は、回転プラテン、回転ヘッド、及び回転コンディショナーを有する研磨機を用意することを更に含み、研磨層は回転プラテンに取り付けられており;基板は回転ヘッドに固定されており;回転プラテンは、毎分93回転のプラテン速度で回転し;回転ヘッドは、毎分87回転のヘッド速度で回転し;基板は、3psiのダウンフォースで研磨層の研磨表面に押し付けられ;研磨スラリーは、200mL/分の流量で研磨表面に供給され;回転コンディショナーはダイヤモンド研磨ディスクであり;研磨表面は、回転コンディショナーを使用して研磨され;回転コンディショナーは、研磨表面に垂直な7ポンドのコンディショナーフォースで研磨表面に押し付けられる。
以下の例は本発明を説明するものであるが、本発明をそれらに限定するものではない。
以下の表1に示される反応混合物配合物の反応生成物を含む小板は、以下の表1に示される反応混合物を、1cm開口部及び空洞を備えた幅4 7/8インチ(12.4cm)×長さ7 1/2インチ(19.1cm)の成形型としてのポリテトラフルオロエチレン(PTFE)でコーティングされた角枠に注型することにより、機械的試験用の小板を形成した。例1及び対照では、ポリイソシアナートプレポリマーとして、Lanxess製のPTMEGベースのプレポリマーであるLF750Dを使用した。例2では、ポリイソシアナートプレポリマーとして、LF750Dと、DOW製の変性メチレンジフェニルジイソシアナート(MDI)プレポリマーであるIsonate(商標)181との混合物を使用した。反応混合物を、硬化前にPTFEコーティングされたブレードを入れた角枠に注ぎ入れ、それにより、それぞれ0.065インチ(0.17cm)から0.090インチ(0.23cm)の厚さの2つの小板を作った。研磨パッド又は研磨層の作成において使用するために、以下の表1に示される反応混合物の反応生成物を含む研磨層を、少なくとも25インチ(63.5cm)×25インチ(63.5cm)×1/4インチ(0.635cm)の寸法を有するPTFEコーティングされた平らな正方形のアルミニウム板上にドローダウンし、続いてドローダウンバーを用いて水平にし、次に硬化してパンチで切り取って、直径50.8cm(20インチ)及び平らな底を有するパッドを作成し、次に後述のとおり表面仕上げ及び溝切りを行った。
二成分プロセスを使用して、各反応混合物を形成した。指示されたポリイソシアナートプレポリマー又はポリイソシアナートの混合物、及び任意選択的な微量要素は、1つの成分である。この成分を65℃に加熱し、適切な流動性を確保した。合わせた硬化剤(例えば、MTEOA MeOSO3及びMBOCA)は別の成分である。3つの試料は全て、表1に示されるとおり、合わせた硬化剤とNCOの間で同じモル化学量論を含んでいた。この二成分を、高剪断混合ヘッドを使用して混合した。混合ヘッドから出した後、反応混合物を2〜5分間かけて成形型中に又はプレート上に施用し、15分間ゲル化させてから、成形型又はプレートを硬化オーブンに入れた。次に指示された材料を、以下のサイクルを使用して硬化オーブンで硬化した:周囲温度から104℃の設定点まで30分間徐々に上昇させ、次に104℃で15.5時間保持し、そして次に104℃から21℃に徐々に下降させた。
例1及び2に指示された反応混合物から成形された材料小板を分析して、それらのゼータ電位を求めた。
硬化したポリウレタンシートを成形型から取り出し、次に溝の深さが0.76mmの1010溝パターンを有する約2.0mm(80ミル)厚さの研磨層へと表面仕上げ及び溝切りを行った(旋盤を用いて切削)。次に得られた各研磨溝付き研磨層を、感圧接着剤CR−II(商標)プラテン接着剤を使用してSP2150(商標)サブパッド(0.762mm、ポリウレタン(PU)フォーム、Dow Chemical Company)上に積み重ねて、研磨パッドを形成した。こうして調製されたパッドを、研磨試験に使用した。
表1にはまた、各試料のマトリックスポリマー弾性率特性、エクスパンセル及び多孔性のないバルクポリマーの弾性率も示す。3つの試料は全て、同等の弾性率を有するため、同様の機械的特性を有することが示された。硬化剤又は硬化剤の混合物中のイオン含有量を増加させると、得られるポリマーの弾性率を低下させる効果がある。例2では、硬化剤中のイオン含有量の増加による弾性率の低下を相殺するために、追加のポリイソシアナートプレポリマーとしてIsonate(商標)181を含める必要があった。
Figure 2020075355
ゼータ電位
パッドを直径1インチのディスクに切り取り、両面テープでテフロン(登録商標)試料ホルダーに取り付けた。試料を4000RPMで回転するシャフトに固定し、作用電極から1mmの距離で0.1mM KCl溶液に浸した。溶液をペルチェ素子により25℃に保持した。
溶液の導電率、pH、及び温度を個別に測定し、ソフトウェアに手作業で追加し、その中で次に下記式を使用して試料のゼータ電位を計算する:
Figure 2020075355
pH5.5での例1及び2のゼータ電位値を、単一小板の2つのランダムな位置から表2に示す。硬化剤中に50モル%未満のMTEOA MeOSO3を含有する例1、及びそのゼータ電位値は、50モル%超のMTEOA MeOSO3を有する例2のものより有意に大きく変動する。安定した研磨性能を得るには、ゼータ電位がパッド表面全体にわたって一定である必要がある。
Figure 2020075355
pH3、5.5、及び10での対照及び例2のゼータ電位値は表3を示す。例2のゼータ電位は、測定された全てのpHで正であり、変動はわずかである。対照のゼータ電位は、pH3でのみ正であることが判り、pH範囲全体では有意に変動する。よって例2は、パッド全体にわたって安定であり、かつpHの関数ではない、安定な正電荷を有する。
Figure 2020075355
研磨
研磨試験は、2重量%砥粒に希釈した正に帯電した酸性スラリーであるOptiplane 2300(商標)(OP2300、Dow Chemical Company製)、及び1:3のスラリー:脱イオン水の希釈の負に帯電したアルカリ性スラリーであるSemi−Sperse(商標)25(SS25、Cabot Microelectronics製)を使用して、Applied Materials Mirra(商標)研磨機で実施された。TEOSブランケットウェーハを使用して、除去速度(RR)を求めた。特に断らない限り(プラテンrpm(PS)/キャリアrpm(CS)として)、全ての研磨実験に使用される研磨条件には、プラテン速度93rpm;キャリア速度87rpmが;研磨媒体流量150mL/分と共に;及び指示されたダウンフォース(DF)と共に含まれる。ケミカルメカニカルポリッシングパッドは、それぞれ3.2kg(7ポンド)のダウンフォースを30秒間使用してコンディショナーで慣らし運転された。研磨パッドは、3.2kg(7ポンド)のダウンフォースで動作する、100%原位置コンディショニングに設定された、Saesol(商標)8031C(AK45)ダイヤモンドコンディショニングディスクを使用して更にコンディショニングされた。除去速度(RR)は、3mmの端を除いて49点のらせん状走査を利用するFX200計測ツール(KLA−Tencor,Milpitas,CA)を用いて、研磨の前後に膜厚を測定することによって求めた。
研磨層は、両面感圧接着剤フィルムを使用して、指示された研磨機の研磨プラテン上に取り付けた。
表4は、3及び5psiのダウンフォースでの対照及び例2の除去速度を示す。表4に示されるとおり、例2は、試験した両方のダウンフォースで対照よりも優れている。
Figure 2020075355

Claims (10)

  1. メモリ、シリコンディスク、ガラス、及び半導体基板の少なくとも1つから選択される基板を研磨するための正のゼータ電位を有するケミカルメカニカルポリッシング(CMP)研磨パッドであって、この研磨パッドは組成物を有する研磨層及び研磨表面を含み、そしてこの組成物は、(a)〜(d):
    (a)1分子当たり平均少なくとも2個の未反応イソシアナート(NCO)基を有する多官能性イソシアナート;
    (b)ヒドロキシル置換された第4級アンモニウムからなる第1硬化剤;
    (c)第2硬化剤であって、第4級アンモニウムを含まない第2硬化剤;及び
    (d)任意選択的に、複数の微量要素
    を含む成分の反応生成物であり、そして前記第1硬化剤は、第1硬化剤と第2硬化剤との総モル量に基づいて50モル%以上で存在し、そして(b)及び(c)の硬化剤中の合わせた反応性水素基対(a)の多官能性イソシアナート中の少なくとも2個の未反応イソシアナート(NCO)基の化学量論比は、0.8〜1.1であり、そして前記正のゼータ電位は、研磨パッド全体の表面にわたって一定であり、硝酸又は水酸化カリウムを使用して脱イオン水のpHを調整することにより2〜12のpH範囲にわたってpHに依存しない、研磨パッド。
  2. 第1硬化剤が、1分子当たり少なくとも2個のヒドロキシル基を含む、請求項1記載のケミカルメカニカルポリッシングパッド。
  3. 第1硬化剤が、1分子当たり少なくとも3個のヒドロキシル基を含む、請求項2記載のケミカルメカニカルポリッシングパッド。
  4. 第2硬化剤が、アミンを含む、請求項1記載のケミカルメカニカルポリッシングパッド。
  5. 第2硬化剤が、0.1重量%未満の第3級アミンを含む、請求項4記載のケミカルメカニカルポリッシングパッド。
  6. アミンが、芳香族アミンである、請求項4記載のケミカルメカニカルポリッシングパッド。
  7. 芳香族アミンが、4,4’−メチレンビス(2−クロロアニリン)(MBOCA)である、請求項6記載のケミカルメカニカルポリッシングパッド。
  8. 第4級アンモニウムが、メチル硫酸トリス(2−ヒドロキシエチル)メチルアンモニウムである、請求項1記載のケミカルメカニカルポリッシングパッド。
  9. 第4級アンモニウムが、塩化(2,3−ジヒドロキシプロピル)トリメチルアンモニウムである、請求項1記載のケミカルメカニカルポリッシングパッド。
  10. ゼータ電位が、+90から+160mVの範囲にある、請求項1記載のケミカルメカニカルポリッシングパッド。
JP2019198322A 2018-11-06 2019-10-31 ケミカルメカニカルポリッシングパッド及び研磨方法 Active JP7311396B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US16/182,133 US10464188B1 (en) 2018-11-06 2018-11-06 Chemical mechanical polishing pad and polishing method
US16/182,133 2018-11-06

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2020075355A true JP2020075355A (ja) 2020-05-21
JP7311396B2 JP7311396B2 (ja) 2023-07-19

Family

ID=68391851

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019198322A Active JP7311396B2 (ja) 2018-11-06 2019-10-31 ケミカルメカニカルポリッシングパッド及び研磨方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10464188B1 (ja)
JP (1) JP7311396B2 (ja)
KR (1) KR20200052228A (ja)
CN (1) CN111203798B (ja)
DE (1) DE102019007227A1 (ja)
FR (1) FR3088021B1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114083432A (zh) * 2020-08-24 2022-02-25 Skc索密思株式会社 抛光垫和使用抛光垫制备半导体器件的方法
KR20220025592A (ko) * 2020-08-24 2022-03-03 에스케이씨솔믹스 주식회사 연마패드 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001048858A (ja) * 1999-08-10 2001-02-20 Meisei Kagaku Kogyo Kk 新規なジオールスルホン酸第4級アンモニウム塩及び、この化合物をジオール成分として含むポリウレタン樹脂
JP2005129644A (ja) * 2003-10-22 2005-05-19 Disco Abrasive Syst Ltd 固定砥粒研磨パッド,研磨装置
JP2012528487A (ja) * 2009-05-27 2012-11-12 ロジャーズ コーポレーション 研磨パッド、それを用いた組成物および、その製造と使用方法
JP2017139443A (ja) * 2015-10-30 2017-08-10 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ シーエムピー ホウルディングス インコーポレイテッド ケミカルメカニカルポリッシング方法
WO2017138564A1 (ja) * 2016-02-12 2017-08-17 ニッタ・ハース株式会社 高分子体、研磨パッド、および、高分子体の製造方法
JP2018043342A (ja) * 2016-09-13 2018-03-22 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ シーエムピー ホウルディングス インコーポレイテッド 高平坦化効率化学機械研磨パッド及び製造方法
JP2018171702A (ja) * 2017-03-31 2018-11-08 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ シーエムピー ホウルディングス インコーポレイテッド ケミカルメカニカル研磨パッド

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6638143B2 (en) 1999-12-22 2003-10-28 Applied Materials, Inc. Ion exchange materials for chemical mechanical polishing
US7001252B2 (en) 2000-05-31 2006-02-21 Jsr Corporation Abrasive material
US20070037491A1 (en) 2005-08-12 2007-02-15 Yuzhuo Li Chemically modified chemical mechanical polishing pad, process of making a modified chemical mechanical polishing pad and method of chemical mechanical polishing
WO2007079168A1 (en) * 2005-12-29 2007-07-12 3M Innovative Properties Company Abrasive tool including agglomerate particles and an elastomer, and related methods
JP5273524B2 (ja) 2008-04-28 2013-08-28 株式会社ニコン 研磨装置および研磨方法
US9211628B2 (en) * 2011-01-26 2015-12-15 Nexplanar Corporation Polishing pad with concentric or approximately concentric polygon groove pattern
US9127187B1 (en) * 2014-03-24 2015-09-08 Cabot Microelectronics Corporation Mixed abrasive tungsten CMP composition
CN105171593B (zh) * 2015-08-11 2017-12-26 湖北鼎龙控股股份有限公司 耐候性化学机械抛光垫
KR20230169424A (ko) 2015-10-30 2023-12-15 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 원하는 제타 전위를 가진 연마 제품을 형성하는 장치 및 방법
CN106928859A (zh) * 2015-12-31 2017-07-07 安集微电子科技(上海)有限公司 一种化学机械抛光液及其应用
US11154960B2 (en) * 2016-07-29 2021-10-26 Kuraray Co., Ltd. Polishing pad and polishing method using same
EP3571009A4 (en) * 2017-01-20 2021-01-20 Applied Materials, Inc. THIN PLASTIC POLISHING ARTICLE FOR CMP APPLICATIONS

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001048858A (ja) * 1999-08-10 2001-02-20 Meisei Kagaku Kogyo Kk 新規なジオールスルホン酸第4級アンモニウム塩及び、この化合物をジオール成分として含むポリウレタン樹脂
JP2005129644A (ja) * 2003-10-22 2005-05-19 Disco Abrasive Syst Ltd 固定砥粒研磨パッド,研磨装置
JP2012528487A (ja) * 2009-05-27 2012-11-12 ロジャーズ コーポレーション 研磨パッド、それを用いた組成物および、その製造と使用方法
JP2017139443A (ja) * 2015-10-30 2017-08-10 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ シーエムピー ホウルディングス インコーポレイテッド ケミカルメカニカルポリッシング方法
WO2017138564A1 (ja) * 2016-02-12 2017-08-17 ニッタ・ハース株式会社 高分子体、研磨パッド、および、高分子体の製造方法
JP2018043342A (ja) * 2016-09-13 2018-03-22 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ シーエムピー ホウルディングス インコーポレイテッド 高平坦化効率化学機械研磨パッド及び製造方法
JP2018171702A (ja) * 2017-03-31 2018-11-08 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ シーエムピー ホウルディングス インコーポレイテッド ケミカルメカニカル研磨パッド

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114083432A (zh) * 2020-08-24 2022-02-25 Skc索密思株式会社 抛光垫和使用抛光垫制备半导体器件的方法
KR20220025592A (ko) * 2020-08-24 2022-03-03 에스케이씨솔믹스 주식회사 연마패드 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법
JP2022036931A (ja) * 2020-08-24 2022-03-08 エスケーシー ソルミックス カンパニー,リミテッド 研磨パッドおよびこれを用いた半導体素子の製造方法
KR102410612B1 (ko) 2020-08-24 2022-06-20 에스케이씨솔믹스 주식회사 연마패드 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법
JP7239653B2 (ja) 2020-08-24 2023-03-14 エスケーシー ソルミックス カンパニー,リミテッド 研磨パッドおよびこれを用いた半導体素子の製造方法
TWI824280B (zh) * 2020-08-24 2023-12-01 南韓商Sk恩普士股份有限公司 研磨墊及使用該研磨墊之用於製備半導體裝置的方法

Also Published As

Publication number Publication date
DE102019007227A1 (de) 2020-05-07
KR20200052228A (ko) 2020-05-14
TW202017696A (zh) 2020-05-16
US10464188B1 (en) 2019-11-05
JP7311396B2 (ja) 2023-07-19
CN111203798B (zh) 2021-12-07
CN111203798A (zh) 2020-05-29
FR3088021A1 (fr) 2020-05-08
FR3088021B1 (fr) 2021-06-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7311397B2 (ja) ケミカルメカニカルポリッシングパッド及び研磨方法
KR102458170B1 (ko) 화학 기계적 연마 패드
KR101526010B1 (ko) 화학 기계적 연마 패드
JP6849389B2 (ja) ケミカルメカニカルポリッシング方法
TWI791157B (zh) 採用聚胺及環己烷二甲醇固化劑之研磨墊
JP7260698B2 (ja) ケミカルメカニカル研磨パッド
KR101092944B1 (ko) 연마 패드
KR20150112853A (ko) 윈도우를 갖는 연질의 컨디셔닝가능한 화학 기계적 연마 패드
JP7311396B2 (ja) ケミカルメカニカルポリッシングパッド及び研磨方法
JP2021008026A (ja) 低デブリフッ素ポリマー複合cmp研磨パッド
TWI842767B (zh) 用於拋光襯底的具有正ζ電勢之化學機械拋光墊
JP2021008025A (ja) 薄膜フルオロポリマー複合cmp研磨パッド
KR20190065160A (ko) 아민 개시형 폴리올 함유 경화제로부터의 높은 제거 속도의 화학적 기계적 연마 패드

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20221017

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20230613

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20230706

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7311396

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150