FR3051887B1 - Dispositif electroluminescent - Google Patents

Dispositif electroluminescent Download PDF

Info

Publication number
FR3051887B1
FR3051887B1 FR1754795A FR1754795A FR3051887B1 FR 3051887 B1 FR3051887 B1 FR 3051887B1 FR 1754795 A FR1754795 A FR 1754795A FR 1754795 A FR1754795 A FR 1754795A FR 3051887 B1 FR3051887 B1 FR 3051887B1
Authority
FR
France
Prior art keywords
fluorescent
light
electroluminescent device
semiconductor laser
hole
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
FR1754795A
Other languages
English (en)
Other versions
FR3051887A1 (fr
Inventor
Toshiaki Yamashita
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nichia Corp
Original Assignee
Nichia Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nichia Corp filed Critical Nichia Corp
Publication of FR3051887A1 publication Critical patent/FR3051887A1/fr
Application granted granted Critical
Publication of FR3051887B1 publication Critical patent/FR3051887B1/fr
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/005—Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
    • H01S5/0087—Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping for illuminating phosphorescent or fluorescent materials, e.g. using optical arrangements specifically adapted for guiding or shaping laser beams illuminating these materials
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F21K9/60—Optical arrangements integrated in the light source, e.g. for improving the colour rendering index or the light extraction
    • F21K9/64—Optical arrangements integrated in the light source, e.g. for improving the colour rendering index or the light extraction using wavelength conversion means distinct or spaced from the light-generating element, e.g. a remote phosphor layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/644—Heat extraction or cooling elements in intimate contact or integrated with parts of the device other than the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0225—Out-coupling of light
    • H01S5/02257—Out-coupling of light using windows, e.g. specially adapted for back-reflecting light to a detector inside the housing
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21S—NON-PORTABLE LIGHTING DEVICES; SYSTEMS THEREOF; VEHICLE LIGHTING DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR VEHICLE EXTERIORS
    • F21S41/00—Illuminating devices specially adapted for vehicle exteriors, e.g. headlamps
    • F21S41/10—Illuminating devices specially adapted for vehicle exteriors, e.g. headlamps characterised by the light source
    • F21S41/14—Illuminating devices specially adapted for vehicle exteriors, e.g. headlamps characterised by the light source characterised by the type of light source
    • F21S41/16—Laser light sources
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/40—Materials therefor
    • H01L33/405—Reflective materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/02208—Mountings; Housings characterised by the shape of the housings
    • H01S5/02212—Can-type, e.g. TO-CAN housings with emission along or parallel to symmetry axis
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/024—Arrangements for thermal management
    • H01S5/02438—Characterized by cooling of elements other than the laser chip, e.g. an optical element being part of an external cavity or a collimating lens
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/024—Arrangements for thermal management
    • H01S5/02469—Passive cooling, e.g. where heat is removed by the housing as a whole or by a heat pipe without any active cooling element like a TEC

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

Un dispositif électroluminescent comprend : un élément de laser à semi-conducteurs (10); un élément de support (40) situé au-dessus de l'élément de laser (10) comportant un trou traversant qui permet à la lumière émise à partir de l'élément de laser (10) de passer; un élément fluorescent (50) situé dans le trou contenant un matériau fluorescent qui peut être excité par la lumière émise par l'élément de laser (10) de manière à émettre une lumière ayant une longueur d'onde différente de celle émise par l'élément de laser (10); et un élément de dissipation de chaleur (60) transmettant la lumière comprenant : une partie de base, et une partie saillante faisant saillie de la partie de base dans le trou. Une surface supérieure de la partie saillante est liée à une surface inférieure de l'élément fluorescent (50). Une surface supérieure de la partie de base est liée à une surface inférieure de l'élément de support (40).

Description

DISPOSITIF ELECTROLUMINESCENT
REFERENCE CROISEE A UNE APPLICATION CONNEXE
La présente demande comporte une revendication de priorité fondée sur la demande de brevet japonais n° 2016-109252, déposée le 31 mai 2016.
CONTEXTE
La présente description concerne un dispositif électroluminescent.
Un dispositif électroluminescent à semi-conducteurs configuré pour extraire la lumière émise à partir d’un élément électroluminescent à semi-conducteurs à travers une fenêtre d’extraction de lumière sur laquelle un film transmettant la lumière est attaché a été décrit (voir la publication de demande de brevet japonais non examinée n°H11-087778). Le film transmettant la lumière est revêtu d’une substance fluorescente. En variante, les substances fluorescentes sont dispersées dans le film transmettant la lumière (voir le paragraphe 0255 dans la publication de demande de brevet japonais non examinée n° H11-087778).
RESUME
Pendant le fonctionnement d’un dispositif électroluminescent à semi-conducteurs, une substance fluorescente est irradiée avec la lumière provenant de l’élément électroluminescent à semi-conducteurs, ce qui permet à la substance fluorescente de générer de la chaleur. Les dispositifs électroluminescents à semi-conducteurs classiques peuvent ne pas avoir une structure prenant en considération cette génération de chaleur, et, par conséquent, ces dispositifs électroluminescents à semi-conducteurs peuvent ne pas obtenir un rendement plus élevé.
Le sujet de l’invention est un dispositif électroluminescent comprenant : - un élément de laser à semi-conducteurs ; - un élément de support situé au-dessus de l’élément de laser à semi-conducteurs, l’élément de support comportant un trou traversant qui permet à la lumière émise à partir de l’élément de laser à semi-conducteurs de passer à travers celui-ci ; - un élément fluorescent situé dans le trou traversant, l’élément fluorescent contenant un matériau fluorescent qui peut être excité par la lumière émise à partir de l’élément de laser à semi-conducteurs de manière à émettre une lumière ayant une longueur d’onde différente d’une longueur d’onde de la lumière émise à partir de l’élément de laser à semi-conducteurs ; et - un élément de dissipation de chaleur transmettant la lumière comprenant une partie de base et une partie saillante faisant saillie de la partie de base dans le trou traversant ; dans lequel le trou traversant est conique de manière à s’élargir dans une direction vers le haut, dans lequel une surface supérieure de la partie saillante de l’élément de dissipation de chaleur est liée à une surface inférieure de l’élément fluorescent et dans lequel une surface supérieure de la partie de base de l’élément de dissipation de chaleur est liée à une surface inférieure de l’élément de support.
Le dispositif électroluminescent selon l’invention peut comprendre une ou plusieurs des caractéristiques suivantes : - il comprend en outre une partie à faible indice de réfraction ayant un indice de réfraction inférieur à un indice de réfraction de l’élément fluorescent, la partie à faible indice de réfraction étant présente dans le trou traversant d’un côté latéral de l’élément fluorescent ; - la partie à faible indice de réfraction est un espace rempli d’air ; - l’élément fluorescent comprend un premier élément fluorescent lié à la surface supérieure de la partie saillante et un deuxième élément fluorescent ayant une surface latérale supportée par une paroi intérieure du trou traversant et une surface inférieure comprenant une partie liée au premier élément fluorescent et dans lequel la partie à faible indice de réfraction est présente d’un côté latéral du premier élément fluorescent ; - l’élément de laser à semi-conducteurs est conçu pour émettre une lumière bleue, le premier élément fluorescent contient un matériau fluorescent conçu pour émettre une lumière jaune et le deuxième élément fluorescent contient un matériau fluorescent conçu pour émettre une lumière rouge ; - le premier élément fluorescent comprend une céramique contenant un matériau fluorescent ; - le deuxième élément fluorescent comprend un verre contenant un matériau fluorescent ; - il comprend en outre un élément d’enceinte entourant l’élément de laser à semi-conducteurs et comportant une ouverture qui permet à la lumière émise à partir de l’élément de laser à semi-conducteurs de passer à travers celui-ci dans lequel la surface inférieure de l’élément de support est liée à une surface supérieure de l’élément d’enceinte par l’intermédiaire de l’élément de dissipation de chaleur ; - la surface supérieure de la partie de base de l’élément de dissipation de chaleur comprend une pluralité de parties saillantes au niveau d’une région où la surface supérieure de la partie de base de l’élément de dissipation de chaleur est liée à la surface inférieure de l’élément de support ; - une surface supérieure de l’élément fluorescent et une surface supérieure de l’élément de support sont dans un plan commun.
Dans un mode de réalisation, un dispositif électroluminescent comprend un élément de laser à semi-conducteurs, un élément de support situé au-dessus de l’élément de laser à semi-conducteurs, l’élément de support comportant un trou traversant qui permet à la lumière émise à partir de l’élément de laser à semi-conducteurs de passer à travers celui-ci, un élément fluorescent situé dans le trou traversant, l'élément fluorescent contenant un matériau fluorescent qui peut être excité par la lumière émise à partir de l’élément de laser à semi-conducteurs de manière à émettre une lumière ayant une longueur d’onde différente d’une longueur d’onde de la lumière émise à partir de l’élément de laser à semi-conducteurs, et un élément de dissipation de chaleur qui transmet la lumière comprenant une partie de base et une partie saillante qui fait saillie de la partie de base dans le trou traversant, le trou traversant est conique d’une manière telle qu’il s’élargit dans une direction vers le haut, une surface supérieure de la partie saillante de l’élément de dissipation de chaleur liée à une surface inférieure de l’élément fluorescent, et une surface supérieure de la partie de base de l’élément de dissipation de chaleur liée à une surface inférieure de l’élément de support.
Avec la configuration ci-dessus, la dissipation de chaleur à partir d’un élément fluorescent et le rendement d’extraction de lumière d’un dispositif électroluminescent peuvent tous deux être améliorés, de sorte qu’un rendement élevé du dispositif électroluminescent peut effectivement être obtenue.
BREVE DESCRIPTION DES DESSINS
La figure 1A est une vue schématique en coupe d’un dispositif électroluminescent selon un premier mode de réalisation.
La figure 1B est une vue schématique agrandie d’un élément de support, d’un élément fluorescent et d’un élément de dissipation de chaleur de la figure 1 A.
La figure 2A est une vue schématique en coupe d’un dispositif électroluminescent selon un deuxième mode de réalisation.
La figure 2B est une vue schématique agrandie d’un élément de support, de l’élément fluorescent et d’un élément de dissipation de chaleur de la figure 2A.
La figure 3A est une vue schématique en coupe d’un dispositif électroluminescent selon un troisième mode de réalisation.
La figure 3B est une vue schématique agrandie de l’élément de support, d’un élément fluorescent et de l’élément de dissipation de chaleur de la figure 3A.
DESCRIPTION DETAILLEE
Dispositif électroluminescent 1 selon un premier mode de réalisation
La figure 1A est une vue schématique en coupe d’un dispositif électroluminescent 1 selon un premier mode de réalisation. La figure 1B est une vue schématique agrandie d’un élément de support 40, d’un élément fluorescent 50 et d’un élément de dissipation de chaleur 60 de la figure 1A. Comme montré sur la figure 1A et la figure 1B, le dispositif électroluminescent 1 comprend un élément de laser à semi-conducteurs 10, l’élément de support 40, l’élément fluorescent 50 et l’élément de dissipation de chaleur transmettant la lumière 60. L’élément de support 40 est disposé au-dessus de l’élément de laser à semi-conducteurs 10 et définit un trou traversant Y qui permet à la lumière émise à partir de l’élément de laser à semi-conducteurs 10 de passer à travers celui-ci. L’élément fluorescent 50 est disposé dans le trou traversant Y et contient un matériau fluorescent qui est excité par la lumière provenant de l’élément de laser à semi-conducteurs 10 et émet une lumière ayant une longueur d’onde différente de la longueur d’onde de la lumière provenant de l’élément de laser à semi-conducteurs 10 lors de l’excitation. L’élément de dissipation de chaleur 60 comprend une partie de base 62 et une partie saillante 64 qui fait saillie de la partie de base 62 dans le trou traversant Y. Le trou traversant Y s’élargit vers le haut. La surface supérieure de la partie saillante 64 de l’élément de dissipation de chaleur 60 est liée à la surface inférieure de l’élément fluorescent 50. La surface supérieure de la partie de base 62 de l’élément de dissipation de chaleur 60 est liée à une surface inférieure de l’élément de support 40.
Avec le présent mode de réalisation, la dissipation de chaleur à partir de l’élément fluorescent 50 et le rendement d’extraction de lumière du dispositif électroluminescent 1 peuvent tous deux être améliorés de sorte qu’un rendement élevé du dispositif électroluminescent 1 peut effectivement être obtenue. C’est-à-dire que l’amélioration de la dissipation de chaleur à partir de l’élément fluorescent 50 permet l’irradiation de l’élément fluorescent 50 avec une lumière plus intense, de sorte que la sortie du dispositif électroluminescent 1 peut être améliorée. En outre, l’amélioration du rendement d’extraction de lumière du dispositif électroluminescent 1 permet d’augmenter la quantité de lumière extraite du dispositif électroluminescent 1, de sorte que la sortie du dispositif électroluminescent 1 peut être améliorée. Par conséquent, un rendement plus élevé du dispositif électroluminescent 1 peut effectivement être obtenue en améliorant à la fois la dissipation de chaleur à partir de l’élément fluorescent 50 et le rendement d’extraction de lumière du dispositif électroluminescent 1. Des détails supplémentaires seront décrits ci-dessous.
Elément de laser à semi-conducteurs 10
Pour l’élément de laser à semi-conducteurs 10, par exemple, un élément de laser à semi-conducteurs ayant une longueur d’onde d’émission laser crête dans une plage de 420 nm à 470 nm peut être utilisé. L’amélioration de la dissipation de chaleur à partir de l’élément fluorescent 50 comme dans le présent mode de réalisation permet au dispositif électroluminescent 1 de fonctionner avec des propriétés optiques stables même dans le cas où l’élément fluorescent 50 est irradié avec une lumière laser de forte puissance ayant un puissance, par exemple, de 2,0 W ou plus, de préférence dans une plage de 2,0 Wà5,0W. L’élément de laser à semi-conducteurs 10 est disposé latéralement par rapport à un dissipateur de chaleur 20. Pour le dissipateur de chaleur 20, un matériau avec une bonne conductivité thermique, tel que le cuivre, l’aluminium et le laiton, est de préférence utilisé de sorte que la dissipation de chaleur à partir de l’élément fluorescent 50 peut être davantage améliorée. Le dissipateur de chaleur 20 est fixé à une tige en forme de plaque 21. L’élément de laser à semi-conducteurs 10 est connecté électriquement à des bornes conductrices 22 par l’intermédiaire d’éléments électriquement conducteurs tels que des fils.
Elément d’enceinte 30
Un élément d’enceinte 30 entoure l’élément de laser à semi-conducteurs 10 et définit une ouverture X à travers laquelle la lumière émise à partir de l’élément de laser à semi-conducteurs 10 peut passer. La surface inférieure de l’élément de dissipation de chaleur 60 est en contact avec la surface supérieure de l’élément d’enceinte 30, et la surface inférieure de l’élément de support 40 est liée à la surface supérieure de l’élément d’enceinte 30 par l’intermédiaire de l’élément de dissipation de chaleur 60. Un trajet de dissipation de chaleur qui permet que la chaleur provenant de l’élément de support 40 soit transférée à l’élément de dissipation de chaleur 60 et en outre à l’élément d’enceinte 30 est prévu, de sorte que la dissipation de chaleur à partir de l’élément fluorescent 50 est davantage améliorée. Un matériau tel que l’acier inoxydable et le Kovar® (alliage ferreux de nickel et de cobalt) peut être utilisé pour l’élément d’enceinte 30.
Elément de support 40 L’élément de support 40 est disposé au-dessus de l’élément de laser à semi-conducteurs 10. Pour l’élément de support 40, par exemple, une céramique avec une réflectance élevée, ou un élément métallique comportant un film réfléchissant sur la paroi intérieur du trou traversant Y peut être utilisé. L’utilisation d’un tel matériau en tant qu’élément de support 40 permet de faciliter la réflexion de la lumière provenant de l’élément fluorescent 50 sur la paroi intérieure du trou traversant Y, de sorte que le rendement d’extraction de lumière du dispositif électroluminescent 1 peut être amélioré. L’élément de support 40 définit le trou traversant Y à travers lequel la lumière provenant de l’élément de laser à semi-conducteurs 10 peut passer. Le trou traversant Y a une forme dans laquelle une largeur augmente vers le haut. Avec une telle forme, par exemple, une partie de la lumière qui a été réfléchie dans l’élément fluorescent 50 peut être facilement réfléchie vers le haut par la paroi intérieure du trou traversant Y, de sorte que le rendement d’extraction de lumière du dispositif électroluminescent 1 peut être davantage amélioré.
Elément fluorescent 50 L’élément fluorescent 50 est disposé dans le trou traversant Y. Ainsi, la paroi intérieure du trou traversant Y est située d’un côté latéral de l’élément fluorescent 50. Avec la paroi intérieure du trou traversant Y située d’un côté latéral de l’élément fluorescent 50, la lumière provenant de l’élément fluorescent 50 peut être réfléchie sur la paroi intérieure du trou traversant Y, ce qui améliore le rendement d’extraction de lumière du dispositif électroluminescent 1. L’élément fluorescent 50 contient le matériau fluorescent à exciter par la lumière émise à partir de l’élément de laser à semi-conducteurs 10 et pour émettre une lumière ayant une longueur d’onde différente de la longueur d’onde de la lumière émise à partir de l’élément de laser à semi-conducteurs 10. Plus spécifiquement, par exemple, un élément contenant le matériau fluorescent dans un élément de base tel qu’un corps fritté constitué d’un matériau à base de céramique et d’une résine transmettant la lumière peut être utilisé pour l’élément fluorescent 50. En particulier, l’utilisation d’un corps fritté en céramique en tant qu’élément de base permet de réduire la déformation de l’élément fluorescent 50 due à la chaleur générée par le matériau fluorescent, de sorte que les propriétés optiques du dispositif électroluminescent 1 peuvent être stabilisées. Par conséquent, l’élément fluorescent 50 peut être irradié avec une lumière encore plus intense, ce qui permet d’obtenir effectivement un rendement plus élevé du dispositif électroluminescent 1. Des exemples du matériau à base de céramique comprennent l’oxyde d’aluminium (AI2O3), l’oxyde de zirconium (ZrO2) et l’oxyde de titane (TiO2).
Des exemples du matériau fluorescent comprennent des matériaux fluorescents au grenat d’yttrium et d’aluminium (matériaux fluorescents YAG), des matériaux fluorescents au grenat de lutétium et d’aluminium (matériaux fluorescents LAG), des matériaux fluorescents au grenat de terbium et d’aluminium (matériaux fluorescents TAG), et des matériaux fluorescents au SiAION. Ces matériaux peuvent être utilisés seuls ou en combinaison. L’élément fluorescent 50 peut contenir un élément de diffusion de lumière tel que l’oxyde de silicium (SiO2), l’oxyde d’aluminium (AI2O3), l'oxyde de zirconium (ZrO2), ou l’oxyde de titane (TiO2). Avec l’élément fluorescent 50 contenant l’élément de diffusion de lumière, la lumière émise à partir de l’élément de laser à semi-conducteurs 10 peut être diffusée dans l’élément fluorescent 50, de sorte que la non uniformité de la couleur de la lumière extraite du dispositif électroluminescent 1 peut être réduite. L’élément de diffusion de lumière a, par exemple, une forme granuleuse.
Elément de dissipation de chaleur 60 L’élément de dissipation de chaleur 60 comprend la partie de base 62 et la partie saillante 64 qui fait saillie de la partie de base 62 dans le trou traversant Y et transmet la lumière provenant de l’élément de laser à semi-conducteurs 10. Le saphir et la magnésie, qui ont une propriété de transmission de la lumière, peuvent être utilisés pour l’élément de dissipation de chaleur 60. Le saphir, qui a une performance de dissipation de chaleur relativement élevée, est utilisé de préférence. L’élément de dissipation de chaleur 60 peut avoir une épaisseur dans une plage d’environ 200 pm à 1000 pm. Avec l’épaisseur de l’élément de dissipation de chaleur 60 de 200 pm ou plus, la performance de dissipation de chaleur de l’élément de dissipation de chaleur 60 peut être améliorée, de sorte que la dissipation de chaleur à partir de l’élément fluorescent 50 peut être davantage améliorée. Avec l’épaisseur de l’élément de dissipation de chaleur 60 de 1000 pm ou moins, la propagation latérale de la lumière à travers l’élément de dissipation de chaleur 60 peut être réduite, de sorte que le rendement d’extraction de lumière du dispositif électroluminescent 1 peut être davantage amélioré.
La surface supérieure de la partie saillante 64 est liée à la surface inférieure de l’élément fluorescent 50. La partie de base 62 est liée à la surface inférieure de l’élément de support 40. Ici, la surface de liaison entre la surface supérieure de la partie saillante 64 et la surface inférieure de l’élément fluorescent 50 est appelée première surface de liaison A, et la surface de liaison entre la partie de base 62 et la surface inférieure de l’élément de support 40 est appelée deuxième surface de liaison B. Comme décrit ci-dessus, avec un trajet de dissipation de chaleur (trajet de dissipation de chaleur à travers la première surface de liaison A) à travers lequel la chaleur provenant de l’élément fluorescent 50 est directement transférée à l’élément de dissipation de chaleur 60 et un trajet de dissipation de chaleur (trajet de dissipation de chaleur à travers la deuxième surface de liaison B) à travers lequel la chaleur provenant de l’élément fluorescent 50 est indirectement transférée à l’élément de dissipation de chaleur 60 par l’intermédiaire de l’élément de support 40, la dissipation de chaleur à partir de l’élément fluorescent 50 peut être améliorée. La surface inférieure de l’élément fluorescent 50 génère particulièrement facilement de la chaleur du fait qu’elle est irradiée avec la lumière émise à partir de l’élément de laser à semi-conducteurs 10, et ainsi la prévision du trajet de dissipation de chaleur à travers la première surface de liaison A permet effectivement d’améliorer la dissipation de chaleur à partir de l’élément fluorescent 50.
Dans le présent mode de réalisation, l’élément de dissipation de chaleur 60 comprend la partie saillante 64, et la surface supérieure de la partie saillante 64 est liée à la surface inférieure de l’élément fluorescent 50. Avec cet agencement, la lumière se propageant vers le bas à partir de l’élément fluorescent 50 est plus facilement réfléchie par la paroi intérieure du trou traversant Y que dans le cas où l’élément de dissipation de chaleur 60 est plat, et une partie de la lumière réfléchie sur la paroi intérieure du trou traversant Y est plus susceptible de se propager vers le haut. Dans le présent mode de réalisation, le rendement d’extraction de lumière du dispositif électroluminescent 1 peut être augmenté de cette manière.
Un film multicouche diélectrique qui réfléchit la lumière dans une plage de longueur d’onde spécifique peut être disposé sur la surface inférieure de l’élément de dissipation de chaleur 60 pour améliorer le rendement d’extraction de lumière du dispositif électroluminescent 1. Par exemple, un film qui sert à transmettre la lumière dans une plage de longueur d’onde de la lumière émise à partir de l’élément de laser à semi-conducteurs 10 et à réfléchir la lumière dans une plage de longueur d’onde de la lumière émise à partir de l’élément fluorescent 50 peut être utilisé pour le film multicouche diélectrique. Avec un tel film multicouche diélectrique sur la surface inférieure de l’élément de dissipation de chaleur 60, la lumière se propageant vers la surface inférieure de l’élément de dissipation de chaleur 60 peut être réfléchie vers le haut dans le trou traversant Y. Par conséquent, le rendement d’extraction de lumière du dispositif électroluminescent 1 peut être davantage amélioré.
Dispositif électroluminescent 2 selon un deuxième mode de réalisation
La figure 2A est une vue schématique en coupe d’un dispositif électroluminescent 2 selon un deuxième mode de réalisation.
La figure 2B est une vue schématique agrandie d’un élément de support 40, de l’élément fluorescent 50 et d’un élément de dissipation de chaleur 60 de la figure 2A. Comme montré sur la figure 2A et la figure 2B, le dispositif électroluminescent 2 diffère du dispositif électroluminescent 1 selon le premier mode de réalisation en ce que la deuxième surface de liaison B du dispositif électroluminescent 2 présente une irrégularité en vue en coupe, tandis que la deuxième surface de liaison B du dispositif électroluminescent 1 selon le premier mode de réalisation a une géométrie sensiblement linéaire en vue en coupe. Dans le deuxième mode de réalisation, la zone de liaison (c’est-à-dire, la zone de la deuxième surface de liaison B) entre la partie de base 62 et la surface inférieure de l’élément de support 40 peut être agrandie comparé au cas où la deuxième surface de liaison B a une géométrie linéaire en vue en coupe. Par conséquent, la chaleur peut être libérée plus efficacement à travers le trajet de dissipation de chaleur (trajet de dissipation de chaleur à travers la deuxième surface de liaison B) à travers lequel la chaleur provenant de l’élément fluorescent 50 est transférée indirectement à l’élément de dissipation de chaleur 60 par l’intermédiaire de l’élément de support 40, de sorte que la dissipation de chaleur à partir de l’élément fluorescent 50 peut être davantage améliorée.
Dispositif électroluminescent 3 selon un troisième mode de réalisation
La figure 3A est une vue schématique en coupe d’un dispositif électroluminescent 3 selon un troisième mode de réalisation.
La figure 3B est une vue schématique agrandie de l’élément de support 40, d’un élément fluorescent 50 et de l’élément de dissipation de chaleur 60 de la figure 3A. Comme montré sur la figure 3A et la figure 3B, le dispositif électroluminescent 3 diffère du dispositif électroluminescent 1 selon le premier mode de réalisation en ce que l’élément fluorescent 50 comprend un premier élément fluorescent 52 lié à la surface supérieure de la partie saillante 64, et un deuxième élément fluorescent 54 comportant une surface latérale supportée par la paroi intérieure du trou traversant Y et comportant une surface inférieure qui comprend une partie liée au premier élément fluorescent 52. Par ailleurs, le dispositif électroluminescent 3 diffère du dispositif électroluminescent 1 en ce qu’une partie à faible indice de réfraction 70 ayant un indice de réfraction inférieur à l’indice de réfraction du premier élément fluorescent 52 est présente d’un côté latéral du premier élément fluorescent 52, dans le trou traversant Y. La partie à faible indice de réfraction 70 a un indice de réfraction inférieur à l’indice de réfraction du premier élément fluorescent 52, de préférence inférieur à la fois à l’indice de réfraction de l’élément de support 40 et à l’indice de réfraction du premier élément fluorescent 52. L’indice de réfraction du premier élément fluorescent 52 ici est l’indice de réfraction d’un élément principalement exposé sur la surface de l’élément fluorescent 52. La partie à faible indice de réfraction 70 est de préférence, par exemple, de l’air.
Avec la partie à faible indice de réfraction 70 ayant un indice de réfraction inférieur à l’indice de réfraction du premier élément fluorescent 52 d’un côté latéral du premier élément fluorescent 52, la réflexion totale sur l’interface entre le premier élément fluorescent 52 et la partie à faible indice de réfraction 70 peut être facilitée. Par conséquent, la lumière se propageant de l’intérieur du premier élément fluorescent 52 vers la paroi intérieure du trou traversant Y peut être réduite, de sorte que le rendement d’extraction de lumière du dispositif électroluminescent 1 peut être davantage amélioré. Dans le cas où un matériau à base de céramique ou similaire est utilisé pour l’élément de support 40, la partie à faible indice de réfraction 70 a de préférence un indice de réfraction même inférieur à l’indice de réfraction de l’élément de support 40. Avec cet agencement, la paroi intérieure du trou traversant Y permet que la lumière se propageant à partir de la partie à faible indice de réfraction 70 soit réfléchie vers l’élément de support 40. Par conséquent, la lumière qui entre dans l’élément de support 40 peut être réduite, de sorte qu’une fuite de la lumière hors du dispositif électroluminescent 1 peut être davantage réduite.
Le présent mode de réalisation peut de préférence s’appliquer au cas où l’élément de support 40 est constitué d’un élément ayant une réflectance relativement faible, tel qu’un matériau à base de céramique, et peut également s’appliquer de préférence au cas où l’élément de support 40 est constitué d’un élément ayant une réflectance relativement grande, tel qu’un matériau métallique. C’est-à-dire qu’un matériau métallique a une réflectance supérieure à la réflectance d’une céramique, mais une surface du matériau métallique absorbe facilement la lumière dans le cas où l’élément fluorescent 50 est en contact avec le matériau métallique, à la différence du cas où l’élément fluorescent 50 est espacé du matériau métallique. Cependant, même dans ce cas, avec la partie à faible indice de réfraction 70 ayant un indice de réfaction inférieur à l’indice de réfraction de l’élément de support 40, une diminution du rendement d’extraction de lumière du dispositif électroluminescent 1 peut être évitée.
Dans le présent mode de réalisation, la partie à faible indice de réfraction 70 est présente d’un côté latéral du premier élément fluorescent 52, la surface latérale du deuxième élément fluorescent 54 est liée à la paroi intérieure du trou traversant Y, et une partie de la surface inférieure du deuxième élément fluorescent 54 est liée à la surface supérieure du premier élément fluorescent. Avec cet agencement, le premier élément fluorescent 52 peut être fixé entre la surface inférieure du deuxième élément fluorescent 54 et la surface supérieure de l’élément de dissipation de chaleur 60. Par conséquent, même dans le cas où le premier élément fluorescent 52 a un point de fusion élevé et est ainsi difficile à lier par fusion à la paroi intérieure du trou traversant Y, la fixation du deuxième élément fluorescent 54 à la paroi intérieure du trou traversant Y par liaison par fusion permet que le premier élément fluorescent 52 soit disposé dans le trou traversant Y.
Une céramique contenant un matériau fluorescent est de préférence utilisée pour le premier élément fluorescent 52, et un verre contenant un matériau fluorescent est de préférence utilisé pour le deuxième élément fluorescent 54. Avec cette constitution, le premier élément fluorescent 52 et le deuxième élément fluorescent 54 peuvent être fixés en disposant le deuxième élément fluorescent 54 au-dessus du premier élément fluorescent 52 et en liant par fusion le deuxième élément fluorescent 54 à la surface supérieure du premier élément fluorescent 52 et à la paroi intérieure du trou traversant Y. En outre, l’utilisation d’une céramique contenant un matériau fluorescent, qui a une bonne résistance à la chaleur, pour le premier élément fluorescent 52, qui est irradié initialement avec la lumière provenant de l’élément de laser à semi-conducteurs 10, permet que le deuxième élément fluorescent 54 contienne un matériau fluorescent ayant, par exemple, une faible résistance à la chaleur. Dans la liaison par fusion, le premier élément fluorescent 52 et le deuxième élément fluorescent 54 sont chauffés à une température à laquelle le deuxième élément fluorescent 54 contenant un verre est fondu à un degré qui permet une liaison par fusion et le premier élément fluorescent 52 contenant une céramique n’est pas fondu à un degré qui permet une liaison par fusion. Le chauffage est effectué, par exemple, à environ 850 °C. L’exécution du chauffage à cette température permet que le premier élément fluorescent 52 et le deuxième élément fluorescent 54 soient fixés dans le trou traversant Y tout en réduisant l’endommagement des matériaux fluorescents dû à la chaleur.
Le premier élément fluorescent 52 peut contenir un matériau fluorescent qui émet une lumière ayant une longueur d’onde différente de celle de la lumière émise à partir d’un matériau fluorescent du deuxième élément fluorescent 54. Avec cet agencement, la couleur de la lumière extraite du dispositif électroluminescent 3 peut être ajustée. Par exemple, en utilisant un élément de laser à semi-conducteurs pour émettre une lumière bleue pour l’élément de laser à semi-conducteurs 10, un élément fluorescent contenant un matériau fluorescent qui émet une lumière jaune pour le premier élément fluorescent 52 et un élément fluorescent contenant un matériau fluorescent qui émet une lumière rouge pour le deuxième élément fluorescent 54, une lumière blanche peut être extraite du dispositif électroluminescent 3.
Les premier à troisième modes de réalisation ont été décrits ci-dessus, mais la présente invention n’est pas limitée aux modes de réalisation décrits.

Claims (9)

  1. REVENDICATIONS
    1. Dispositif électroluminescent comprenant : un élément de laser à semi-conducteurs (10) ; un élément de support (40) situé au-dessus de l’élément de laser à semi-conducteurs (10), l’élément de support (40) comportant un trou traversant (Y) qui permet à la lumière émise à partir de l’élément de laser à semi-conducteurs (10) de passer à travers celui-ci ; un élément fluorescent (50) situé dans le trou traversant (Y), l’élément fluorescent (50) contenant un matériau fluorescent qui peut être excité par la lumière émise à partir de l’élément de laser à semi-conducteurs de manière à émettre une lumière ayant une longueur d’onde différente d’une longueur d’onde de la lumière émise à partir de l’élément de laser à semi-conducteurs (10) ; et un élément de dissipation de chaleur (60) transmettant la lumière comprenant : une partie de base (62), et une partie saillante (64) faisant saillie de la partie de base (62) dans le trou traversant ; dans lequel le trou traversant (Y) est conique de manière à s’élargir dans une direction vers le haut, dans lequel une surface supérieure de la partie saillante de l’élément de dissipation de chaleur est liée à une surface inférieure de l’élément fluorescent, et dans lequel une surface supérieure de la partie de base de l’élément de dissipation de chaleur est liée à une surface inférieure de l’élément de support, le dispositif électroluminescent comprenant en outre une partie à faible indice de réfraction (70) ayant un indice de réfraction inférieur à un indice de réfraction de l’élément fluorescent (50), la partie à faible indice de réfraction étant présente dans le trou traversant (Y) d’un côté latéral de l’élément fluorescent (50).
  2. 2. Dispositif électroluminescent selon la revendication 1, dans lequel la partie à faible indice de réfraction (70) est un espace rempli d’air.
  3. 3. Dispositif électroluminescent selon la revendication 1 ou 2, dans lequel l’élément fluorescent (50) comprend : un premier élément fluorescent (52) lié à la surface supérieure de la partie saillante (64) ; et un deuxième élément fluorescent (54) ayant : une surface latérale supportée par une paroi intérieure du trou traversant (Y), et une surface inférieure comprenant une partie liée au premier élément fluorescent (52), et dans lequel la partie à faible indice de réfraction (70) est présente d’un côté latéral du premier élément fluorescent (52).
  4. 4. Dispositif électroluminescent selon la revendication 3, dans lequel : l’élément de laser à semi-conducteurs (10) est conçu pour émettre une lumière bleue, le premier élément fluorescent (52) contient un matériau fluorescent conçu pour émettre une lumière jaune, et le deuxième élément fluorescent (54) contient un matériau fluorescent conçu pour émettre une lumière rouge.
  5. 5. Dispositif électroluminescent selon l’une quelconque des revendications 3 et 4, dans lequel le premier élément fluorescent (52) comprend une céramique contenant un matériau fluorescent.
  6. 6. Dispositif électroluminescent selon l’une quelconque des revendications 3 à 5, dans lequel le deuxième élément fluorescent (54) comprend un verre contenant un matériau fluorescent.
  7. 7. Dispositif électroluminescent selon l’une quelconque des revendications 1 à 6, comprenant en outre : un élément d’enceinte (30) entourant l’élément de laser à semi-conducteurs (10) et comportant une ouverture qui permet à la lumière émise à partir de l’élément de laser à semi-conducteurs (10) de passer à travers celui-ci, dans lequel la surface inférieure de l’élément de support (40) est liée à une surface supérieure de l’élément d’enceinte (30) par l’intermédiaire de l’élément de dissipation de chaleur (60).
  8. 8. Dispositif électroluminescent selon l’une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel la surface supérieure de la partie de base (62) de l’élément de dissipation de chaleur (60) comprend une pluralité de parties saillantes au niveau d’une région où la surface supérieure de la partie de base (62) de l’élément de dissipation de chaleur (60) est liée à la surface inférieure de l’élément de support (40).
  9. 9. Dispositif électroluminescent selon l’une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel une surface supérieure de l’élément fluorescent (50) et une surface supérieure de l’élément de support sont dans un plan commun.
FR1754795A 2016-05-31 2017-05-31 Dispositif electroluminescent Active FR3051887B1 (fr)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016109252A JP6493308B2 (ja) 2016-05-31 2016-05-31 発光装置
JP2016109252 2016-05-31

Publications (2)

Publication Number Publication Date
FR3051887A1 FR3051887A1 (fr) 2017-12-01
FR3051887B1 true FR3051887B1 (fr) 2019-10-18

Family

ID=60269218

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FR1754795A Active FR3051887B1 (fr) 2016-05-31 2017-05-31 Dispositif electroluminescent

Country Status (4)

Country Link
US (3) US10211381B2 (fr)
JP (1) JP6493308B2 (fr)
DE (1) DE102017111783A1 (fr)
FR (1) FR3051887B1 (fr)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019131439A1 (fr) * 2017-12-26 2019-07-04 日亜化学工業株式会社 Élément optique, dispositif optique, et procédé de fabrication d'élément optique
EP3756250B1 (fr) * 2018-02-20 2022-01-12 Lumileds LLC Dispositif de conversion de lumière avec convertisseur de lumière confiné
JP6879290B2 (ja) * 2018-12-26 2021-06-02 日亜化学工業株式会社 発光装置
DE102020106594A1 (de) * 2019-03-12 2020-09-17 Nichia Corporation Verfahren zur herstellung eines optischen elements, optisches element, und lichtemittierende vorrichtung
JP7111989B2 (ja) 2019-04-22 2022-08-03 日亜化学工業株式会社 波長変換部品、波長変換部品の製造方法、及び、発光装置
JP7356311B2 (ja) 2019-09-27 2023-10-04 豊田合成株式会社 発光装置、波長変換ユニット、及びヘッドライト又は表示装置
CN113725716A (zh) * 2021-08-26 2021-11-30 新沂市锡沂高新材料产业技术研究院有限公司 一种高饱和功率密度的绿光光源

Family Cites Families (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1187778A (ja) 1997-09-02 1999-03-30 Toshiba Corp 半導体発光素子、半導体発光装置およびその製造方法
EP1995834B1 (fr) 2006-03-10 2017-08-30 Nichia Corporation Dispositif electroluminescent
JP2008021973A (ja) * 2006-06-13 2008-01-31 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
JP5228412B2 (ja) * 2006-11-21 2013-07-03 日亜化学工業株式会社 半導体発光装置
JP4930162B2 (ja) * 2007-04-05 2012-05-16 日亜化学工業株式会社 半導体発光装置
JP4983613B2 (ja) * 2007-08-18 2012-07-25 日亜化学工業株式会社 半導体発光装置
JP5071037B2 (ja) * 2007-10-22 2012-11-14 日亜化学工業株式会社 半導体レーザ装置
JP4613947B2 (ja) 2007-12-07 2011-01-19 ソニー株式会社 照明装置、色変換素子及び表示装置
JP5223447B2 (ja) * 2008-05-12 2013-06-26 日亜化学工業株式会社 半導体発光装置
WO2009145141A1 (fr) * 2008-05-26 2009-12-03 シャープ株式会社 Dispositif électroluminescent
WO2010049875A1 (fr) * 2008-10-30 2010-05-06 Koninklijke Philips Electronics N.V. Dispositif d’éclairage laser
JP5287275B2 (ja) * 2009-01-15 2013-09-11 日亜化学工業株式会社 発光装置
KR20120008060A (ko) * 2009-04-21 2012-01-25 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 인광체를 갖는 조명 장치
JP2011014587A (ja) * 2009-06-30 2011-01-20 Nichia Corp 発光装置
JP2011049338A (ja) 2009-08-27 2011-03-10 Sanyo Electric Co Ltd 発光装置および光装置
US20120012865A1 (en) * 2010-07-19 2012-01-19 Jianhua Li Led array package with a high thermally conductive plate
JP2012169049A (ja) * 2011-02-10 2012-09-06 Ushio Inc 光源装置
US8931922B2 (en) * 2012-03-22 2015-01-13 Osram Sylvania Inc. Ceramic wavelength-conversion plates and light sources including the same
JP6061130B2 (ja) * 2012-09-27 2017-01-18 スタンレー電気株式会社 発光装置
JP2014086566A (ja) * 2012-10-24 2014-05-12 Stanley Electric Co Ltd 光波長変換装置
US9516770B2 (en) 2012-11-29 2016-12-06 Kyocera Corporation Electronic component housing container and electronic device
JP6056117B2 (ja) * 2012-12-06 2017-01-11 スタンレー電気株式会社 発光装置及び車両用灯具
JP2014135374A (ja) * 2013-01-10 2014-07-24 Panasonic Corp 伝熱基板
JP6103998B2 (ja) * 2013-03-15 2017-03-29 スタンレー電気株式会社 発光装置
JP2014187224A (ja) * 2013-03-25 2014-10-02 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光装置
WO2014203484A1 (fr) * 2013-06-21 2014-12-24 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 Élément de conversion de longueur d'onde, source de lumière et phare de véhicule
JP6331353B2 (ja) * 2013-07-03 2018-05-30 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6529713B2 (ja) * 2013-09-17 2019-06-12 日亜化学工業株式会社 発光装置
US10374137B2 (en) * 2014-03-11 2019-08-06 Osram Gmbh Light converter assemblies with enhanced heat dissipation
JP6540050B2 (ja) * 2014-04-09 2019-07-10 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6225812B2 (ja) * 2014-04-18 2017-11-08 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2016027613A (ja) * 2014-05-21 2016-02-18 日本電気硝子株式会社 波長変換部材及びそれを用いた発光装置
JP2016009761A (ja) * 2014-06-24 2016-01-18 株式会社小糸製作所 発光モジュール
JP6342279B2 (ja) * 2014-09-24 2018-06-13 シャープ株式会社 発光装置
JP6742684B2 (ja) 2014-09-30 2020-08-19 日亜化学工業株式会社 光部品及びその製造方法ならびに発光装置及びその製造方法
JP6511766B2 (ja) * 2014-10-15 2019-05-15 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2016109252A (ja) 2014-12-09 2016-06-20 コベルコクレーン株式会社 配管の吸振機構
JP6380096B2 (ja) * 2014-12-26 2018-08-29 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6296024B2 (ja) * 2015-08-28 2018-03-20 日亜化学工業株式会社 半導体レーザ装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20170345984A1 (en) 2017-11-30
DE102017111783A1 (de) 2017-11-30
US10497844B2 (en) 2019-12-03
US20200066951A1 (en) 2020-02-27
FR3051887A1 (fr) 2017-12-01
US11128099B2 (en) 2021-09-21
JP2017216362A (ja) 2017-12-07
US20190148609A1 (en) 2019-05-16
JP6493308B2 (ja) 2019-04-03
US10211381B2 (en) 2019-02-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FR3051887B1 (fr) Dispositif electroluminescent
US20220216668A1 (en) Light emitting device
USRE46004E1 (en) Light-emitting chip device with high thermal conductivity
EP1926154B1 (fr) Dispositif électroluminescent semi-conducteur
KR100752586B1 (ko) 발광장치 및 조명장치
US20150292687A1 (en) Light emitting device
FR3022689A1 (fr) Module emetteur de lumiere
US7858999B2 (en) Light-emitting chip device with high thermal conductivity
US10381523B2 (en) Package for ultraviolet emitting devices
JP2011014587A (ja) 発光装置
JP4718405B2 (ja) 照明装置
JP2006278567A (ja) Ｌｅｄユニット
JP7057486B2 (ja) 光源装置
FR3053482A1 (fr) Produit fritte et dispositif electroluminescent
JP5748007B2 (ja) 発光装置
JP7148291B2 (ja) 光波長変換装置
JP6879290B2 (ja) 発光装置
FR2606211A1 (fr) Boitier de composant electroluminescent avec circuit radiateur integre assurant la protection contre les surintensites
JP5425024B2 (ja) 車両用前照灯
TWI739506B (zh) 焊接用波長轉換構件、波長轉換裝置及光源裝置
JP2016058551A (ja) 半導体発光装置
FR3004238A1 (fr) Dispositif emetteur de lumiere comprenant un dissipateur thermique d'un composant emissif deporte en arriere d'un reflecteur
JP7277844B2 (ja) 発光装置
JP7506341B2 (ja) 発光装置
JP7307616B2 (ja) 波長変換部材

Legal Events

Date Code Title Description
PLFP Fee payment

Year of fee payment: 2

PLFP Fee payment

Year of fee payment: 3

PLFP Fee payment

Year of fee payment: 4

PLFP Fee payment

Year of fee payment: 5

PLFP Fee payment

Year of fee payment: 6

PLFP Fee payment

Year of fee payment: 7

PLFP Fee payment

Year of fee payment: 8