FR3053482A1 - Produit fritte et dispositif electroluminescent - Google Patents
Produit fritte et dispositif electroluminescent Download PDFInfo
- Publication number
- FR3053482A1 FR3053482A1 FR1755956A FR1755956A FR3053482A1 FR 3053482 A1 FR3053482 A1 FR 3053482A1 FR 1755956 A FR1755956 A FR 1755956A FR 1755956 A FR1755956 A FR 1755956A FR 3053482 A1 FR3053482 A1 FR 3053482A1
- Authority
- FR
- France
- Prior art keywords
- wavelength conversion
- light
- zone
- holding
- area
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 217
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 43
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 28
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims description 54
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 25
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 42
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 10
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 8
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 8
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 7
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 7
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 6
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N titanium dioxide Inorganic materials O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000012788 optical film Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
- H01L33/644—Heat extraction or cooling elements in intimate contact or integrated with parts of the device other than the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L31/02322—Optical elements or arrangements associated with the device comprising luminescent members, e.g. fluorescent sheets upon the device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/024—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12041—LED
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Frying-Pans Or Fryers (AREA)
Abstract
Un produit fritté comprend une zone de conversion de longueur d'onde (14a) contenant une matière à base de phosphore qui réalise une conversion de longueur d'onde de lumière primaire et émet de la lumière secondaire, et une zone de maintien (14b) prévue pour être en contact avec la zone de conversion de longueur d'onde (14a). La zone de conversion de longueur d'onde (14a) et la zone de maintien (14b) sont intégrées.
Description
® RÉPUBLIQUE FRANÇAISE
INSTITUT NATIONAL DE LA PROPRIÉTÉ INDUSTRIELLE © N° de publication : 3 053 482 (à n’utiliser que pour les commandes de reproduction)
©) N° d’enregistrement national : 17 55956
COURBEVOIE © IntCI8
G 02 F1/25 (2017.01), F21 S 8/10
DEMANDE DE BREVET D'INVENTION A1
| ©) Date de dépôt : 28.06.17. | © Demandeur(s) : KOITO MANUFACTURING CO., LTD. |
| ©Priorité: 04.07.16 JP 2016132803. | — JP. |
| @ Inventeur(s) : NOMU RA AKIHI RO, SON E | |
| HIDEMICHI, MAENO YUZO et ONODA YUKIHIRO. | |
| (43) Date de mise à la disposition du public de la | |
| demande : 05.01.18 Bulletin 18/01. | |
| ©) Liste des documents cités dans le rapport de | |
| recherche préliminaire : Ce dernier n'a pas été | |
| établi à la date de publication de la demande. | |
| (© Références à d’autres documents nationaux | ® Titulaire(s) : KOITO MANUFACTURING CO., LTD.. |
| apparentés : | |
| ©) Demande(s) d’extension : | © Mandataire(s) : CABINET BEAU DE LOMENIE. |
104) PRODUIT FRITTE ET DISPOSITIF ELECTROLUMINESCENT.
(5/) Un produit fritté comprend une zone de conversion de longueur d'onde (14a) contenant une matière à base de phosphore qui réalise une conversion de longueur d'onde de lumière primaire et émet de la lumière secondaire, et une zone de maintien (14b) prévue pour être en contact avec la zone de conversion de longueur d'onde (14a). La zone de conversion de longueur d'onde (14a) et la zone de maintien (14b) sont intégrées.
FR 3 053 482 - A1
i [0001] L'invention se rapporte à un produit fritté et un dispositif d'émission de lumière, et plus spécialement à un produit fritté et à un dispositif d'émission de lumière, qui réalisent une conversion de longueur d'onde de lumière primaire provenant d'une source de lumière et émettent de la lumière secondaire.
[0002] Un dispositif d'émission de lumière est utilisé, dans lequel une diode électroluminescente ou un laser à semi-conducteur est utilisé comme source de lumière et un élément de conversion de longueur d'onde contenant une matière à base de phosphore réalise une conversion de longueur d'onde, en obtenant ainsi de la lumière blanche. Dans un tel dispositif d'émission de lumière, de la lumière primaire telle que de la lumière bleue et de la lumière ultraviolette est émise en partir de la source de lumière et irradie l'élément de conversion de longueur d'onde, et le phosphore contenu dans l'élément de conversion de longueur d'onde est excité par la lumière primaire et émet de la lumière secondaire telle que de la lumière jaune. Ensuite, des couleurs de la lumière primaire et de la lumière secondaire sont mélangées et de la lumière blanche est émise à l'extérieur.
[0003] Dans la publication de demande de brevet japonais n° 2012-221633 (JP 2012-221633 A) est proposé un appareil d'éclairage de véhicule, dans lequel un laser à semi-conducteur est utilisé comme source de lumière. Quand un laser à semi-conducteur est utilisé comme source de lumière, il apparaît comme caractéristique que de la lumière primaire avec une sortie importante et une faible largeur de longueur d'onde est obtenue, mais une directivité est très forte et la lumière irradie une petite zone. Par conséquent, comparé à un cas où une diode électroluminescente est utilisée comme source de lumière, la lumière primaire avec une sortie importante irradie une zone extrêmement petite d'un élément de conversion de longueur d'onde, et de la lumière blanche est émise. Ainsi, un dispositif d'émission de lumière ayant une directivité élevée est obtenu.
[0004] Par ailleurs, dans l'élément de conversion de longueur d'onde du dispositif d'émission de lumière, de la chaleur est générée simultanément avec la conversion de longueur d'onde de la lumière primaire. En particulier, dans le cas où un laser à semi-conducteur est utilisé comme source de lumière, la lumière primaire irradie intensivement une petite zone, une température de l'élément de conversion de longueur d'onde augmente facilement. Puisque le phosphore contenu dans l'élément de conversion de longueur d'onde a une caractéristique telle que sa température est associée à un rendement de conversion de longueur d'onde, quand un changement de température est trop important, il n'est pas possible de réaliser une conversion appropriée de longueur d'onde, posant ainsi comme problème qu'une lumière blanche suffisante n'est pas obtenue.
une vue schématique
Dans le dispositif le laser à semi[0005] La figure 12A est montrant un exemple d'un procédé de fixation d'un élément de conversion de longueur d'onde dans un dispositif d'émission de lumière dans lequel un laser à semiconducteur sert de source de lumière.
d'émission de lumière, dans lequel conducteur est utilisé comme source de lumière, un élément de conversion de longueur d'onde solide 2 contenant une matière à base de phosphore est disposé sur une surface d'une partie d'extraction de lumière 1 qui est fabriquée en saphir ou équivalent qui transmet de la lumière primaire, et l'élément de conversion de longueur d'onde 2 est fixé sur la partie d'extraction de lumière 1 par un adhésif 3. Le laser à semi-conducteur servant de source de lumière est prévu dans une position à l'écart de l'élément de conversion de longueur d'onde 2, et n'est pas représenté.
[0006] La figure 12B est une vue schématique montrant un autre exemple d'un procédé de fixation d'un élément de conversion de longueur d'onde dans un dispositif d'émission de lumière dans lequel un laser à semiconducteur sert de source de lumière. Dans cet exemple, une ouverture est formée au préalable dans une partie d'extraction de lumière 1 du dispositif d'émission de lumière, et un élément de conversion de longueur d'onde 2 est inséré dans l'ouverture. Un adhésif 3 est injecté entre une surface latérale de l'élément de conversion de longueur d'onde 2 et une surface intérieure de l'ouverture de la partie d'extraction de lumière 1, et l'élément de conversion de longueur d'onde 2 est fixé sur la partie d'extraction de lumière 1. Dans cet exemple, la partie d'extraction de lumière 1 n'a pas besoin d'être une matière qui transmet de la lumière primaire, et une matière en céramique ou équivalent peut être utilisée.
[0007] Dans les dispositifs d'émission de lumière représentés dans la figure 12A et la figure 12B, puisque l'élément de conversion de longueur d'onde 2 est fixé par l'adhésif 3, de la chaleur générée dans l'élément de conversion de longueur d'onde 2 est transférée à la partie d'extraction de lumière 1 par l'intermédiaire de l'adhésif 3 et dissipée. En général, la partie d'extraction de lumière 1 est fabriquée dans du saphir ou de la céramique, et l'adhésif 3 est fabriqué à partir du verre, de la résine de silicone ou équivalent, et ces matières ont une conductivité thermique relativement faible. Par conséquent, il est difficile de dissiper favorablement de la chaleur générée dans l'élément de conversion de longueur d'onde 2.
[0008] Par conséquent, l'invention prévoit un produit fritté et un dispositif d'émission de lumière qui sont capables de dissiper efficacement de la chaleur générée avec une conversion de longueur d'onde.
[0009] Un produit fritté selon le premier aspect de l'invention comprend une zone de conversion de longueur d'onde contenant une matière à base de phosphore configurée pour réaliser une conversion de longueur d'onde de lumière primaire et émet de la lumière secondaire, et une zone de maintien prévue pour être en contact avec la zone de conversion de longueur d'onde. La zone de conversion de longueur d'onde et la zone de maintien sont intégrées. Le produit fritté selon le présent exposé est produit que l'on désigne communément par le terme, en langue anglaise, « compact » et qui peut également être traduit en français par le terme « compact ». On entend par « la zone de conversion de longueur d'onde et la zone de maintien sont intégrées » que la zone de conversion de longueur d'onde et la zone de maintien sont en contact l'une avec l'autre et sont formées d'un seul tenant.
[0010] Dans l'aspect ci-dessus, puisque la zone de conversion de longueur d'onde et la zone de maintien sont intégrées, la zone de maintien est capable de maintenir la zone de conversion de longueur d'onde sans utiliser un adhésif, et de la chaleur générée avec la conversion de longueur d'onde est dissipée efficacement.
[0011] Dans l'aspect précédent, la zone de maintien peut avoir une conductivité thermique plus élevée que celle de la zone de conversion de longueur d'onde.
[0012] De plus, dans l'aspect précédent, la zone de maintien peut avoir une structure dans laquelle une deuxième matière en céramique de petite dispersée à l'intérieur d'une première taille est matière en céramique, et la première matière en céramique et la deuxième matière en céramique sont entrelacées de manière tridimensionnelle.
[0013] Par ailleurs, dans l'aspect précédent, la première matière en céramique peut avoir une conductivité thermique plus élevée que celle de la zone de conversion de longueur d'onde.
[0014] En outre toujours, dans l'aspect précédent, une différence d'indice de réfraction entre la première matière en céramique et la deuxième matière en céramique peut être de 0,2 ou plus.
[0015] Un dispositif d'émission de lumière selon le deuxième aspect de l'invention comprend le produit fritté et un élément d'émission de lumière configuré pour émettre la lumière primaire.
[0016] Selon l'invention, il est possible de prévoir le produit fritté et le dispositif d'émission de lumière, qui sont capables de dissiper efficacement de la chaleur générée avec une conversion de longueur d'onde.
[0017] Les caractéristiques, les avantages, et l'importance technique et industrielle des formes de réalisation d'exemple de l'invention vont être décrits cidessous en se référant aux dessins annexés, dans lesquels des références identiques désignent des éléments identiques, et dans lesquels :
La figure 1 est une vue en coupe schématique d'un dispositif d'émission de lumière 10 dans une forme de réalisation ;
La figure 2A est une vue en coupe schématique d'une structure d'un élément de conversion de longueur d'onde 14 dans la première forme de réalisation, et la figure 2B est une vue en coupe schématique agrandie des structures d'une zone de conversion de longueur d'onde 14a et d'une zone de maintien 14b ;
La figure 3A est une vue de processus d'un procédé de fabrication pour l'élément de conversion de longueur d'onde 14, la figure 3B est une vue de processus du procédé de fabrication pour l'élément de conversion de longueur d'onde 14, la figure 3C est une vue de processus du procédé de fabrication pour l'élément de conversion de longueur d'onde 14, et la figure 3D est une vue de processus du procédé de fabrication pour l'élément de conversion de longueur d'onde 14 ;
La figure 4 est une vue conceptuelle de la manière selon laquelle de la chaleur est transférée dans le dispositif d'émission de lumière 10 dans la première forme de réalisation ;
La figure 5A est une vue en coupe schématique d'une structure d'un élément de conversion de longueur d'onde 14 dans une modification de la première forme de réalisation, et la figure 5B est une vue en coupe schématique d'une zone de conversion de longueur d'onde 14a
| qui est agrandie de telle sorte | que | des | détails sont |
| représentés ; | |||
| La figure 6 est une vue | en | coupe | schématique |
| d'une unité d'appareil d'éclairage | 20 | dans | la deuxième |
forme de réalisation ;
La figure 7 est une vue en coupe schématique d'un dispositif d'émission de lumière 40 dans la troisième forme de réalisation ;
La figure 8 est une vue en coupe schématique d'un dispositif d'émission de lumière 50 dans la quatrième forme de réalisation ;
La figure 9 est une vue en coupe schématique d'un dispositif d'émission de lumière 60 dans la cinquième forme de réalisation ;
La figure 10A est une vue en coupe schématique d'un exemple de configuration d'un élément de conversion de longueur d'onde 14 dans la sixième forme de réalisation, et la figure 10B est une vue en coupe schématique d'un exemple de configuration de l'élément de conversion de longueur d'onde 14 dans la sixième forme de réalisation ;
La figure 11 est une vue en coupe schématique d'un dispositif d'émission de lumière 70 dans la septième forme de réalisation ; et
La figure 12A est une vue schématique d'un exemple d'un procédé de fixation d'un élément de conversion de longueur d'onde dans un dispositif d'émission de lumière selon l'art antérieur dans lequel un laser à semiconducteur sert de source de lumière, et la figure 12B est une vue schématique d'un exemple d'un procédé de fixation d'un élément de conversion de longueur d'onde dans un dispositif d'émission de lumière selon l'art antérieur dans lequel un laser à semi-conducteur sert de source de lumière.
[0018] La première forme de réalisation de l'invention est expliquée en détail ci-dessous en se référant aux dessins. Les mêmes références sont utilisées pour les mêmes composants, éléments et traitement ou des composants, éléments, traitement équivalents représentés dans chacun des dessins, et une explication répétée est omise lorsque cela s'avère approprié. La figure 1 est une vue en coupe schématique d'un dispositif d'émission de lumière 10 dans la forme de réalisation.
[0019] Le dispositif d'émission de lumière 10 est pourvu d'une tige 11, d'un laser à semi-conducteur 12, d'une partie de boîtier 13, et d'un élément de conversion de longueur d'onde 14. Dans le dispositif d'émission de lumière 10, le laser à semi-conducteur 12 émet de la lumière primaire L1 qui irradie l'élément de conversion de longueur d'onde 14, et la couleur de la lumière primaire L1 est mélangée à de la lumière secondaire obtenue à partir de la conversion de longueur d'onde réalisée par l'élément de conversion de longueur d'onde 14, en permettant ainsi à de la lumière blanche L2 d'être émise à l'extérieur. La figure 1 montre le dispositif d'émission de lumière 10 d'un boîtier de type dit « CAN », mais sans y être limité, et différents types de boîtiers pour un laser à semiconducteur peuvent être utilisés.
[0020] La tige 11 est un élément sur lequel le laser à semi-conducteur 12 est monté et la partie de boîtier 13 est fixe, et est pourvue d'une broche, d'un radiateur et ainsi de suite (non représentés) de telle sorte que de l'énergie électrique est délivrée de l'extérieur au laser à semi-conducteur 12 et de la chaleur générée dans le laser à semi-conducteur 12 est transférée à l'extérieur. Bien qu'une matière pour la tige 11 ne soit pas particulièrement limitée, du métal avec une bonne dissipation thermique, tel que du cuivre, est préféré.
[0021] Le laser à semi-conducteur 12 est un élément de semi-conducteur où de l'énergie électrique est délivrée et un faisceau laser est amené à osciller. Bien qu'une matière pour le laser à semi-conducteur 12 ne soit pas particulièrement limitée, un semi-conducteur à base de nitrure est utilisé quand de la lumière bleue ou de la lumière ultraviolette est irradiée comme lumière primaire L1. Des structures de dispositif du laser à semi-conducteur 12, telles qu'une structure de résonateur, une structure d'électrode, et une structure de confinement de courant, ne sont pas particulièrement limitées non plus, et des structures qui sont appropriées pour obtenir une intensité d'émission de lumière et une longueur d'onde de vibration exigées peuvent être utilisées. Dans la forme de réalisation, le laser à semi-conducteur 12 est représenté comme un élément qui émet la lumière primaire L1.
Cependant, l'élément n'est pas limité au laser à semiconducteur tant qu'il s'agit d'un élément d'émission de lumière qui émet la lumière primaire L1 dont la longueur d'onde est convertie par l'élément de conversion de longueur d'onde 14, et peut être une diode électroluminescente, une électroluminescence organique, et ainsi de suite.
[0022] La partie de boîtier 13 est un élément disposé de façon à recouvrir le laser à semi-conducteur 12 sur le dessus de la tige 11, et est pourvue d'une paroi latérale cylindrique s'élevant depuis la tige 11, et d'une surface supérieure. Il y a une ouverture au centre de la surface supérieure de la partie de boîtier 13, et l'élément de conversion de longueur d'onde 14 est fixé sur l'ouverture. Bien qu'une matière pour la partie de boîtier ne soit pas limitée, une matière métallique avec une excellente conductivité thermique est préférée afin de transférer favorablement à la tige llde la chaleur générée dans l'élément de conversion de longueur d'onde 14.
[0023] L'élément de conversion de longueur d'onde est un produit fritté dans lequel une zone de conversion de longueur d'onde 14a et une zone de maintien 14b sont en contact l'une avec l'autre et sont formées d'un seul tenant. L'élément de conversion de longueur d'onde 14 est fixé sur l'ouverture de la partie de boîtier 13 et fonctionne comme une partie qui extrait de la lumière du dispositif d'émission de lumière 10.
[0024] La figure 2A est une vue en coupe schématique d'une structure de l'élément de conversion de longueur d'onde 14 dans la première forme de réalisation, et la figure 2B est une vue en coupe schématique agrandie de structures de la zone de conversion de longueur d'onde 14a et de la zone de maintien 14b. Comme cela est représenté dans la figure 2A et la figure 2B, l'élément de ίο conversion de longueur d'onde 14 dans la forme de réalisation est pourvu de la zone de conversion de longueur d'onde 14a et de la zone de maintien 14b.
[0025] La zone de conversion de longueur d'onde 14a est une partie contenant une matière à base de phosphore, qui est excitée par la lumière primaire L1 irradiée par le laser à semi-conducteur 12 et émet la lumière secondaire. Ensuite, les couleurs de la lumière primaire L1 et de la lumière secondaire sont mélangées, permettant ainsi à la lumière blanche L2 d'être émise à l'extérieur. Ici, un exemple est représenté dans lequel les couleurs de la lumière primaire L1 et de la lumière secondaire sont mélangées de telle sorte que la lumière blanche L2 est émise. Cependant, une pluralité de matières à base de phosphore peut être prévue de telle sorte que la lumière secondaire dans une pluralité de couleurs est émises, et la lumière blanche L2 peut être émise comme résultat du mélange des couleurs de la lumière secondaire. Un exemple est représenté dans lequel la lumière L2 devant être émise est de la lumière blanche, mais la lumière L2 peut être une autre lumière monochrome, ou peut avoir une couleur autre que la couleur blanche, qui est obtenue par le mélange d'une pluralité de couleurs.
[0026] Une taille de la zone de conversion de longueur d'onde 14a doit seulement être plus grande qu'une zone irradiée avec la lumière primaire L1 provenant du laser à semi-conducteur 12, et permettre une conversion appropriée de longueur d'onde de la lumière primaire L1 pour obtenir la lumière secondaire. Par exemple, la zone de conversion de longueur d'onde 14a a une épaisseur d'environ plusieurs centaines de pm, et un diamètre d'environ 0,1 à plusieurs mm. La matière à base de phosphore contenue dans la zone de conversion de longueur d'onde 14a est un phosphore en céramique du fait qu'il est fritté simultanément avec la zone de maintien 14b comme cela sera décrit plus tard. Comme matière spécifique, le phosphore en céramique obtenu en frittant un corps en céramique fabriqué à partir d'une poudre de Y3AI5O12, ou YAG (grenat d'aluminium et d'yttrium) est le plus préféré. En utilisant un produit fritté YAG comme zone de conversion de longueur d'onde 14a, une longueur d'onde de la lumière primaire Ll, qui est la lumière bleue, est convertie, en émettant ainsi la lumière secondaire, qui est de la lumière jaune, et le mélange de couleur de la lumière primaire et de la lumière secondaire produit la lumière blanche.
[0027] La zone de maintien 14b est une partie qui est formée d'un seul tenant et frittée simultanément avec la zone de conversion de longueur d'onde 14a, et retient la zone de conversion de longueur d'onde 14a. Une matière pour la zone de maintien 14b n'est pas particulièrement limitée. Cependant, afin de transférer favorablement de la chaleur générée dans la zone de conversion de longueur d'onde 14a, il est préférable que la zone de maintien 14b ait une conductivité thermique plus élevée que la zone de conversion de longueur d'onde 14a, et que la conductivité thermique de la zone de maintien 14b soit de 20 W/mK ou plus.
[0028] De même, comme cela est représenté dans la figure 2B, la zone de maintien 14b a une structure dans laquelle une deuxième matière en céramique 15b et une troisième matière en céramique 15c sont entrelacées de manière tridimensionnelle à l'intérieur d'une première matière en céramique 15a. La conductivité thermique de la zone de maintien 14b signifie une conductivité thermique de la céramique entière ayant la structure dans laquelle ces matières sont entrelacées de manière tridimensionnelle.
[0029] La première matière en céramique 15a est une phase qui est en contact avec la zone de conversion de longueur d'onde 14a et formée de manière continue dans toute la zone de maintien 14b, et des phases de la deuxième matière en céramique 15b et de la troisième matière en céramique 15c sont entrelacées de manière tridimensionnelle à l'intérieur de la première matière en céramique 15a. Bien qu'une matière pour la première matière en céramique 15a ne soit pas particulièrement limitée, il est préférable que la première matière en céramique 15a soit fabriquée à partir d'une matière ayant une conductivité thermique plus élevée que celles de la deuxième matière en céramique 15b et de la troisième matière en céramique 15c. En fabriquant la première matière en céramique 15a en utilisant une matière ayant une conductivité thermique plus élevée que celles du reste des matières en céramique, de la chaleur générée dans le phosphore 14c à l'intérieur de la zone de conversion de longueur d'onde 14a est facilement transférée à travers la première matière en céramique 15a et dissipée à l'extérieur comme cela est représentée par des flèches noires dans la figure 2B.
[0030] En outre, il est préférable qu'une matière pour la deuxième matière en céramique 15b ou la troisième matière en céramique 15c ait une différence d'indice de réfraction de 0,2 ou plus par rapport à la première matière en céramique 15a. Quand la pluralité de matières en céramique présente de grandes différences d'indice de réfraction l'une par rapport à l'autre, comme cela est représenté par les flèches blanches dans la figure 2B, de la lumière qui avance depuis la zone de conversion de longueur d'onde 14a vers la zone de maintien 14b est réfléchie par des interfaces parmi la première matière en céramique 15a jusqu'à la troisième matière en céramique 15c qui sont entrelacées de manière tridimensionnelle. Ceci rend la zone de maintien 14b une zone blanche dans son ensemble, en permettant à la zone de maintien 14b de servir également de partie réfléchissant la lumière qui est capable d'empêcher une fuite de lumière dans une direction latérale. De même, de la lumière est amenée à revenir vers la zone de conversion de longueur d'onde 14a et extraite à l'extérieur de la zone de conversion de longueur d'onde 14a.
[0031] La zone de maintien 14b décrite ici est fabriquée à partir de trois types de matières, qui sont la première matière en céramique 15a jusqu'à la troisième matière en céramique 15c. Cependant, le nombre de types des matières n'est pas limité tant que la zone de maintien 14b a une structure dans laquelle une pluralité de matières en céramique est entrelacée de manière tridimensionnelle.
[0032] Quand une combinaison appropriée de matières telles que la première matière en céramique 15a à la troisième matière en céramique 15c est choisie et un taux de composition et une température de synthèse sont établis de manière appropriée pour le frittage, la zone de maintien mentionnée ci-dessus 14b a la structure où chacune des matières ne devient pas un composé et chaque phase est entrelacée de manière tridimensionnelle. Le tableau 1 montre des combinaisons de conductivité thermique et l'indice de réfraction de matières en céramique spécifiques, ainsi que des exemples de température de synthèse et de taux de composition. Comme cela est représenté dans le tableau 1, quand AI2O3 est choisie comme première matière en céramique 15a, YSZ (ZrO2 stabilisée par Y2O3) et TiO2 (type rutile) peuvent être utilisés comme deuxième matière en céramique 15b et troisième matière en céramique 15c. En outre, quand MgO est choisie comme première matière en céramique 15a, YSZ peut être utilisé comme deuxième matière en céramique 15b.
[0033] [Tableau 1]
| n° | Première céramique | Deuxième céramique | Différence d’indice de réfraction entre première et deuxième céramique | Température de synthèse [°C] | Taux de composition [% en mole] | ||||
| Matière | Conductivité thermique [W/m-k] | Indice de réfraction | Matière | Conductivité thermique [W/m-k] | Indice de réfraction | ||||
| 1 | AI2O3 | Environ 30 | 1,76 | YSZ'1 | Environ 3 | 2,1 | 0,34 | 800 à 1800 | AI2O3 est 8,5 à 88 |
| 2 | AI2O3 | î | î | TiO2 (Rutile) | Environ 8 | 2,7 | 0,96 | 800 à 1200 | AI2O3 est 7,5 à 87 |
| 3 | MgO | Environ 60 | 1,7 | YSZ | Environ 3 | 2,1 | 0,4 | 800 à 2100 | MgO est 22,4 à 94,6 |
*1 : ZrO2 stabilisée par Y2O3 [0034] Un procédé de fabrication pour l'élément de conversion de longueur d'onde 14 est ensuite expliquée en utilisant les figures 3A à 3D. tout d'abord, comme cela est représenté dans la figure 3A, une feuille crue 14a' , dans laquelle des matières premières pour la zone de conversion de longueur d'onde 14a sont mélangées, et une feuille crue 14b', dans laquelle des matières premières pour la zone de maintien 14b sont mélangées, sont préparées. Ensuite, une feuille crue stratifiée est faite, dans laquelle la feuille crue 14a' est enserrée par les feuilles crues 14b' . Par exemple, la feuille crue 14a' contenant du phosphore YAG est utilisée, et une matière composite contenant la pluralité de matières en céramique représentées dans le tableau 1 est utilisée comme feuille crue 14b' .
[0035] Ensuite, comme cela est représenté dans la figure 3B, les feuilles crues stratifiées obtenues sont pressées en utilisant un dispositif de pression isostatique à chaud (WIP) , et la feuille crue 14a' et les feuilles crues 14b' sont amenées à adhérer l'une à l'autre.
[0036] Ensuite, comme cela est représenté dans la figure 3C, les feuilles crues stratifiées adhérées sont frittées simultanément, et un produit fritté est obtenu, qui a une structure de couche où la zone de conversion de longueur d'onde 14a est enserrée par les zones de maintien 14b. Quand YAG est utilisé comme matière à base de phosphore contenue dans la zone de conversion de longueur d'onde 14a, la combinaison n° 1 ou n° 3 dans le tableau 1 est choisie comme matières pour la zone de maintien 14b, et la température de frittage est établie à 1500 à 1600°C.
[0037] Enfin, le produit fritté ayant la structure de couche obtenue est divisé par découpe, etc., en obtenant ainsi l'élément de conversion de longueur d'onde 14 qui est un produit fritté dans lequel les zones de maintien 14b sont en contact avec les deux côtés de la zone de conversion de longueur d'onde 14a et frittées d'un seul tenant.
[0038] La figure 4 est une vue conceptuelle de la manière selon laquelle de la chaleur est transférée dans le dispositif d'émission de lumière 10 de la forme de réalisation. L'élément de conversion de longueur d'onde 14 du dispositif d'émission de lumière 10 est irradié par la lumière primaire L1 émise par le laser à semi-conducteur
12. Une flèche noire dans la figure 4 montre schématiquement un passage de chaleur depuis la zone de conversion de longueur d'onde 14a. Comme cela a été exposé précédemment, puisque la zone de maintien 14b a une conductivité thermique plus élevée que celle de la zone de conversion de longueur d'onde 14a, de la chaleur est transférée favorablement à la partie de boîtier 13 à travers les zones de maintien 14b qui sont en contact avec les surfaces latérales de la zone de conversion de longueur d'onde 14a, respectivement, et frittées simultanément, et de la chaleur est alors dissipée. De plus, comme cela a été décrit ci-dessus, puisqu'une pluralité de matières en céramique ayant les différences d'indice de réfraction de 0,2 ou plus l'une par rapport à l'autre est entrelacée de manière tridimensionnelle dans la zone de maintien 14b, de la lumière avançant depuis la zone de conversion de longueur d'onde 14a vers la zone de maintien 14b est réfléchie sans être transmise à travers la zone de maintien 14b, et sortie de la zone de conversion de longueur d'onde 14a comme cela est représenté par les flèches L2 dans le dessin.
[0039] Comme cela a été mentionné ci-dessus, dans cette forme de réalisation, l'élément de conversion de longueur d'onde 14 a la zone de conversion de longueur d'onde 14a, qui contient la matière à base de phosphore qui réalise une conversion de longueur d'onde de la lumière primaire et émet la lumière secondaire, et la zone de maintien 14b, qui est prévue pour être en contact avec la zone de conversion de longueur d'onde 14a. De même,
| 1'élément | de conversion de | longueur | d'onde 14 est | le | |
| produit | fritté dans lequel | la | zone | de conversion | de |
| longueur | d'onde 14a et la | zone | de | maintien 14b | sont |
| frittées | simultanément et d' | un seul | tenant. Ainsi, | le |
produit fritté dans cette forme de réalisation est capable de dissiper efficacement de la chaleur générée avec la conversion de longueur d'onde.
[0040] Une modification de la première forme de réalisation est ensuite expliquée en se référant à la figure 5A et la figure 5B. La figure 5A est une vue en coupe schématique d'une structure d'un élément de conversion de longueur d'onde 14 dans la modification de la première forme de réalisation, et la figure 5B est une vue en coupe schématique d'une zone de conversion de longueur d'onde 14a qui est agrandie de telle sorte que des détails sont représentés. Dans cette modification, la zone de conversion de longueur d'onde 14a de l'élément de conversion de longueur d'onde 14 a une structure de couche ayant des couches de conversion de longueur d'onde 14d et des couches de transport de chaleur 14e.
[0041] La couche de conversion de longueur d'onde 14d est une couche contenant une matière à base de phosphore qui est excitée par de la lumière primaire L1 émise par un laser à semi-conducteur 12, et émet de la lumière secondaire. Des matières spécifiques pour la couche de conversion de longueur d'onde 14d sont similaires à celles exposées dans la première forme de réalisation précédente.
[0042] La couche de transport de chaleur 14e est une couche fabriquée à partir d'une matière transparente qui transmet la lumière primaire L1 et la lumière secondaire. La couche de transport de chaleur transparente 14e signifie que la couche de transport de chaleur 14e a une capacité de transmission de lumière totale élevée. Une capacité de transmission linéaire peut être faible, et il est préférable que la capacité de transmission de lumière totale soit de 80% ou plus, par exemple. Il est également préférable qu'une matière utilisée pour la couche de transport de chaleur 14e ait une conductivité thermique plus élevée que celle de la couche de conversion de longueur d'onde 14d.
[0043] Comme cela est représenté dans la figure 5A et la figure 5B, la zone de conversion de longueur d'onde 14a a une structure dans laquelle la couche de conversion de longueur d'onde 14d et la couche de transport de chaleur 14e sont stratifiées de manière alternée. Pour cette raison, de la chaleur générée dans les couches de conversion de longueur d'onde 14d est transférée favorablement vers la zone de maintien 14b à travers les couches de transport de chaleur 14e, et de la chaleur générée avec une conversion de longueur d'onde est dissipée efficacement. De plus, puisque la couche de transport de chaleur 14e a une capacité de transmission de lumière totale élevée et est transparente, la couche de transport de chaleur 14e ne bloque pas la lumière primaire L1 provenant du laser à semi-conducteur 12 et la lumière secondaire obtenue après conversion de longueur d'onde dans la couche de conversion de longueur d'onde 14d, en obtenant ainsi à la fois une émission de la lumière primaire L1 et une extraction de la lumière secondaire et une dissipation thermique.
| [0044] Dans la figure | 5A | et | la figure 5B, | un | |
| exemple est représenté dans | lequel | trois | couches | de | |
| conversion de longueur d'onde | 14d | et | trois | couches | de |
transport de chaleur 14e sont stratifiées de manière alternée. Cependant, le nombre de couches n'est pas limité, et le nombre peut être plus grand ou d'une de chaque. Des épaisseurs de la couche de conversion de longueur d'onde 14d et de la couche de transport de chaleur 14e peuvent être similaires ou différentes, et un rapport des épaisseurs peut être établi comme cela s'avère appropriée en fonction d'un équilibre entre une conversion de longueur d'onde dans la couche de conversion de longueur d'onde 14d et un transport de chaleur dans la couche de transport de chaleur 14e.
[0045] La couche de conversion de longueur d'onde 14d et la couche de transport de chaleur 14e peuvent être stratifiées de manière alternée en utilisant un adhésif tel que la résine de silicone, ou bien des feuilles crues peuvent être collées ensemble et frittées d'un seul tenant. En utilisant la pression isostatique à chaud et la technologie de frittage décrites dans la première forme de réalisation, la zone de maintien 14b, la couche de conversion de longueur d'onde 14d, et la couche de transport de chaleur 14e sont frittées simultanément. Ensuite, une réflexion au niveau d'une interface entre les couches est réduite, et un rendement d'extraction de la lumière primaire L1 et de la lumière secondaire est amélioré. Ainsi, il est préférable qu'un frittage intégral soit utilisé pour former l'élément de conversion de longueur d'onde 14. Comme exemples de matières spécifiques pour la couche de conversion de longueur d'onde 14d et la couche de transport de chaleur 14e, qui sont frittées d'un seul tenant, quand YAG est utilisé pour la couche de conversion de longueur d'onde 14d, de l'alumine peut être combinée comme couche de transport de chaleur 14e.
[0046] Dans la modification de la forme de réalisation, la zone de conversion de longueur d'onde 14a a la structure stratifiée des couches de conversion de longueur d'onde 14d et des couches de transport de chaleur 14e, et les couches de transport de chaleur 14e sont capables de transporter favorablement de la chaleur générée dans les couches de conversion de longueur d'onde 14d du fait d'une conversion de longueur d'onde dans la zone de maintien 14b. Il en résulte qu'une dissipation thermique est améliorée, ce qui rend possible le fait d'empêcher une détérioration du rendement de conversion de longueur d'onde provoquée par une augmentation excessive de la température dans la conversion de longueur d'onde pose 14d.
[0047] La deuxième forme de l'invention est expliquée ensuite en se référant figure 6. Une explication des parties première forme de réalisation est omise une vue en coupe schématique d'une d'éclairage 20 dans la deuxième forme de réalisation. Cette forme de réalisation est une unité d'appareil d'éclairage
| réalisation | de | |
| ; référant | à | la |
| identiques | à | la |
| La figure | 6 | est |
unité d'appareil pour un véhicule, qui est configurée en utilisant le dispositif d'émission de lumière 10 décrit dans la première forme de réalisation comme source de lumière.
[0048] L'unité d'appareil d'éclairage 20 représentée dans la figure 6 est configurée de façon à former une configuration de distribution de lumière pour feu de route. L'unité d'appareil d'éclairage 20 est pourvue du dispositif d'émission de lumière 10, d'un capot 21, d'un corps de feu 22, d'une lentille de projection 23, d'un réflecteur 24 ayant une surface réfléchissante elliptique qui réfléchit de la lumière émise vers la lentille de projection 23, d'une ailette de dissipation thermique 25 qui dissipe de la chaleur générée dans le dispositif d'émission de lumière 10 vers l'extérieur à travers une partie de base 26, de la partie de base 26 sur laquelle le dispositif d'émission de lumière 10 est monté, d'un dispositif d'actionnement de pivotement 27, d'une vis 29, d'un dispositif d'actionnement de mise à niveau 30, et d'une vis 31.
[0049] La partie de base 26 est supportée par le dispositif d'actionnement de pivotement 27 de façon à pouvoir pivoter dans une direction horizontale. Une partie supérieure de la partie de base 26 est reliée au corps de feu 22 par l'intermédiaire de la vis 31 et ainsi de suite. Le dispositif d'actionnement de pivotement 27 est relié au dispositif d'actionnement de mise à niveau 30. Le dispositif d'actionnement de mise à niveau 30 déplace un élément de raccordement 28 en faisant tourner la vis 29, et est capable de changer l'inclinaison de la partie de base 26 dans une direction haut-bas. Ainsi, le dispositif d'actionnement de mise à niveau 30 est utilisé pour changer un axe optique de l'unité d'appareil d'éclairage 20 et une configuration de distribution de lumière formée par l'unité d'appareil d'éclairage 20 dans la direction haut-bas.
[0050] Comme cela est représenté dans la figure 1, la longueur d'onde de la lumière primaire L1 émise par le laser à semi-conducteur 12 est convertie par l'élément de conversion de longueur d'onde 14 en lumière secondaire, et la lumière blanche L2 composée par mélange de couleur de la lumière primaire L1 et de la lumière secondaire est émise par le dispositif d'émission de lumière 10. Comme cela est représenté dans la figure 6, la lumière blanche émise vers le haut par le dispositif d'émission de lumière 10 est réfléchie vers l'avant par le réflecteur 24, transmise à travers la lentille de projection 23 et le capot 21, et projetée à l'avant du véhicule.
[0051] Dans l'unité d'appareil d'éclairage 20 dans cette forme de réalisation, comme cela est représenté dans la figure 4 et la figure 6, de la chaleur générée dans la zone de conversion de longueur d'onde 14a passe à travers la partie de boîtier 13 et la tige 11 à travers la zone de maintien 14b, est transférée jusqu'à l'ailette de dissipation thermique 25 depuis la partie de base 26, et ensuite dissipée. Par conséquent, dans l'unité d'appareil d'éclairage 20 dans la forme de réalisation, il est également possible de réaliser une irradiation de lumière blanche stable tout en dissipant de manière favorable de la chaleur générée dans la zone de conversion de longueur d'onde 14a.
[0052] La troisième forme de réalisation de l'invention est ensuite expliquée en se référant à la figure 7. Une explication des parties identiques à la première forme de réalisation est omise. La figure 7 est une vue en coupe schématique d'un dispositif d'émission de lumière 40 dans la troisième forme de réalisation. Le dispositif d'émission de lumière 40 est pourvu d'une tige 41, d'un laser à semi-conducteur 42, et d'un élément de conversion de longueur d'onde 44. Dans le dispositif d'émission de lumière 40, de la lumière primaire L1 est émise par le laser à semi-conducteur 42 et irradie l'élément de conversion de longueur d'onde 44. Ensuite, une couleur de la lumière primaire L1 est mélangée à celle d'une lumière secondaire, qui est obtenue après conversion de longueur d'onde dans l'élément de conversion de longueur d'onde 44. Le dispositif d'émission de lumière 40 émet ainsi de la lumière blanche à l'extérieur.
[0053] Dans cette forme de réalisation, l'élément de conversion de longueur d'onde 44 est un produit fritté dans lequel une zone de conversion de longueur d'onde 44a et une zone de maintien 44b sont en contact l'une avec l'autre et sont formées d'un seul tenant. Dans l'élément de conversion de longueur d'onde 44 dans cette forme de réalisation, la zone de maintien 44b est en contact avec des surfaces latérales et une surface inférieure de la zone de conversion de longueur d'onde 44a, en formant une forme dans laquelle la zone de conversion de longueur d'onde 44a est noyée dans la zone de maintien 44b. De plus, la zone de maintien 44b a une structure dans laquelle une pluralité de matières en céramique est entrelacée de manière tridimensionnelle. En amenant la différence d'indice de réfraction entre les matières en céramique à 0,2 ou plus, la zone de maintien 14b devient une zone blanche dans son ensemble, et fonctionne également comme partie réfléchissant la lumière.
[0054] Le laser à semi-conducteur 42 est prévu sur un côté de surface exposée de la zone de conversion de longueur d'onde 44a, et émet la lumière primaire L1 vers la zone de conversion de longueur d'onde 44a. La lumière primaire L1 incident sur la zone de conversion de longueur d'onde 44a est extraite à l'extérieur de la surface exposée une fois que la longueur d'onde est convertie par une matière à base de phosphore. Comme cela est représenté par une flèche blanche dans la figure 7, de la lumière avançant depuis la zone de conversion de longueur d'onde 44a jusqu'à la zone de maintien 44b est réfléchie par la zone de maintien 44b qui sert de partie réfléchissant la lumière, amenée à revenir vers la zone de conversion de longueur d'onde 44a, et extraite à l'extérieur.
[0055] Comme cela est représenté par une flèche noire dans la figure 7, puisque la zone de maintien 44b a une conductivité thermique plus élevée que celle de la zone de conversion de longueur d'onde 44a, de la chaleur est favorablement transférée et dissipée à travers la zone de maintien 44b et la tige 41. La zone de maintien 44b est obtenue en étant en contact avec les surfaces latérales et la surface inférieure de la zone de conversion de longueur d'onde 44a et simultanément frittée.
[0056] La quatrième forme de réalisation de l'invention est ensuite expliquée en se référant à la figure 8. Une explication des parties identiques à la première forme de réalisation est omise. La figure 8 est une vue en coupe schématique d'un dispositif d'émission de lumière 50 dans la quatrième forme de réalisation. Le dispositif d'émission de lumière 50 est pourvu d'une tige 51, de lasers à semi-conducteur 52, et d'un élément de conversion de longueur d'onde 54. Dans le dispositif d'émission de lumière 50, de la lumière primaire L1 provenant des lasers à semi-conducteur 52 irradie l'élément de conversion de longueur d'onde 54, et la couleur de la lumière primaire L1 est mélangée à celle d'une lumière secondaire, qui est obtenue après conversion de longueur d'onde au niveau de l'élément de conversion de longueur d'onde 54. Le dispositif d'émission de lumière 50 émet ainsi de la lumière blanche L2 à l'extérieur.
[0057] Dans cette forme de réalisation, l'élément de conversion de longueur d'onde 54 est également un produit fritté dans lequel une zone de conversion de longueur d'onde 54a et une zone de maintien 54b sont en contact l'une avec l'autre et sont formées d'un seul tenant. Dans l'élément de conversion de longueur d'onde 54 dans cette forme de réalisation, la zone de maintien 54b est en contact avec des surfaces latérales de la zone de conversion de longueur d'onde 54a. De plus, la zone de maintien 54b a une structure dans laquelle une pluralité de matières en céramique est entrelacée de manière tridimensionnelle. En amenant la différence d'indice de réfraction parmi les matières en céramique à 0,2 ou plus, la zone de maintien 54b devient une zone blanche dans son ensemble, et fonctionne également comme partie réfléchissant la lumière.
[0058] Dans cette forme de réalisation, les lasers à semi-conducteur 52 sont montés sur la tige 51, l'élément de conversion de longueur d'onde 54 est disposé sur le dessus des lasers à semi-conducteur 52, et la zone de conversion de longueur d'onde 54a recouvre des positions d'émission de lumière des lasers à semi-conducteur 52. Une longueur d'onde de la lumière primaire L1 incidente sur la zone de conversion de longueur d'onde 54a est convertie par la matière à base de phosphore, et la lumière est extraite à l'extérieur d'une surface exposée. Comme cela est représenté par une flèche blanche dans la figure 8, de la lumière qui se dirige depuis la zone de conversion de longueur d'onde 54a vers la zone de maintien 54b est réfléchie par la zone de maintien 54b qui sert de partie réfléchissant la lumière, amenée à revenir vers la zone de conversion de longueur d'onde
1'extérieur.
54a, et extraite [0059] Comme cela est représenté par les flèches noires dans la figure 8, puisque la zone de maintien 54b a une conductivité thermique plus élevée que celle de la zone
| de | conversion | de longueur | d'onde | 54a, de | la | chaleur | est |
| favorablement | transférée à | travers | la zone | de | maintien | 54b | |
| et | dissipée. | La zone de maintien | 54b est | en | contact | avec |
conversion d'émission les surfaces latérales de la zone de conversion de longueur d'onde 54a et frittée d'un seul tenant.
[0060] La cinquième forme de réalisation de l'invention est ensuite expliquée en se référant à la figure 9. Une explication des parties identiques à la première forme de réalisation est omise. La figure 9 est une vue en coupe schématique d'un dispositif d'émission de lumière 60 dans la cinquième forme de réalisation. Le dispositif d'émission de lumière 60 est pourvu d'une tige 61, d'un laser à semi-conducteur 62, et d'un élément de de longueur d'onde 64. Dans le dispositif de lumière 60, de la lumière primaire L1 provenant du laser à semi-conducteur 62 irradie l'élément de conversion de longueur d'onde 64, et la couleur de la lumière primaire L1 est mélangée à celle d'une lumière secondaire émise après conversion de longueur d'onde au niveau de l'élément de conversion de longueur d'onde 64. Le dispositif d'émission de lumière 60 émet ainsi de la lumière blanche L2 à l'extérieur.
[0061] Dans cette forme de réalisation, l'élément de conversion de longueur d'onde 64 est également un produit fritté dans lequel une zone de conversion de longueur d'onde 64a et une zone de maintien 64b sont en contact l'une avec l'autre et sont formées d'un seul tenant. Dans l'élément de conversion de longueur d'onde 64 dans cette forme de réalisation, la zone de maintien 64b est en contact avec une surface inférieure de la zone de conversion de longueur d'onde 64a, et la zone de conversion de longueur d'onde 64a est montée sur un surface supérieure de la zone de maintien 64b. De plus, la zone de maintien 64b a une structure dans laquelle une pluralité de matières en céramique sont entrelacées de manière tridimensionnelle. En amenant la différence d'indice de réfraction parmi les matières en céramique à 0,2 ou plus, la zone de maintien 64b devient une zone blanche dans son ensemble, et sert également de partie réfléchissant la lumière.
[0062] Le laser à semi-conducteur 62 est disposé sur un côté de surface exposée de la zone de conversion de longueur d'onde 64a, et émet la lumière primaire L1 vers la zone de conversion de longueur d'onde 64a. La lumière primaire L1 incidente sur la zone de conversion de longueur d'onde 64a est extraite à l'extérieur de la surface exposée après être passée par une conversion de longueur d'onde réalisée par une matière à base de phosphore. Comme cela est représenté par une flèche blanche dans la figure 9, de la lumière dirigée depuis la zone de conversion de longueur d'onde 64a vers la zone de maintien 64b est réfléchie par la zone de maintien 64b qui sert de partie réfléchissant la lumière, amenée à revenir vers la zone de conversion de longueur d'onde 64a, et extraite à l'extérieur.
[0063] Comme cela est représenté par les flèches noires dans la figure 9, puisque la zone de maintien 64b a une conductivité thermique plus élevée que celle de la zone de conversion de longueur d'onde 64a, de la chaleur est favorablement transférée et dissipée à travers la zone de maintien 64b et la tige 61. La zone de maintien 64b est en contact avec la surface inférieure de la zone de conversion de longueur d'onde 64a et frittée simultanément.
[0064] La sixième forme de réalisation de l'invention est expliquée ensuite en se référant à la figure 10A et la figure 10B. Une explication des parties identiques à la première forme de réalisation est omise. La figure 10A et la figure 10B sont des vues en coupe schématiques d'exemples de configuration d'un élément de conversion de longueur d'onde dans la sixième forme de réalisation. L'élément de conversion de longueur d'onde, qui est un produit fritté selon l'invention, doit seulement avoir une zone de conversion de longueur d'onde 14a et une zone de maintien 14b qui sont en contact l'une avec l'autre et frittées d'un seul tenant. Les formes de la zone de conversion de longueur d'onde 14a et de la zone de maintien 14b ne sont pas limitées à celles décrites dans les première à cinquième formes de réalisation.
[0065] Par exemple, comme cela est représenté dans la figure 10A, la zone de conversion de longueur d'onde 14a ayant une forme globalement cylindrique peut être prévue près du centre de la zone de maintien en forme de plaque plate 14b et, comme cela est représenté dans la figure 10B, une zone de conversion de longueur d'onde en forme de cône tronqué 14a peut être prévue.
[0066] Dans cette forme de réalisation, l'élément de conversion de longueur d'onde 14 a la zone de conversion de longueur d'onde 14a, qui contient une matière à base de phosphore qui réalise une conversion de longueur d'onde de lumière primaire et émet de la lumière secondaire, et la zone de maintien 14b qui est prévue pour être en contact avec la zone de conversion de longueur d'onde 14a, et l'élément de conversion de longueur d'onde 14 est également un produit fritté dans lequel la zone de conversion de longueur d'onde 14a et la zone de maintien 14b sont frittées simultanément et d'un seul tenant, et est capable de dissiper efficacement de la chaleur générée avec la conversion de longueur d'onde.
[0067] La septième forme de réalisation de l'invention est ensuite expliquée en se référant à la figure 11. Une explication des parties identiques à la première forme de réalisation est omise. La figure 11 est une vue en coupe schématique d'un dispositif d'émission de lumière 70 dans la septième forme de réalisation.
[0068] Le dispositif d'émission de lumière 70 est pourvu d'un laser à semi-conducteur 72, d'un élément de conversion de longueur d'onde 74, et d'un élément de support 76. Dans le dispositif d'émission de lumière 70, de la lumière primaire Ll provenant du laser à semi-conducteur 72 irradie l'élément de conversion de longueur d'onde 74, et la couleur de la lumière primaire Ll est mélangée à celle d'une lumière secondaire émise après conversion de longueur d'onde au niveau de l'élément de conversion de longueur d'onde 74. Ainsi, le dispositif d'émission de lumière 70 émet de la lumière blanche L2 à l'extérieur.
[0069] Comme cela est représenté dans la figure 11, l'élément de conversion de longueur d'onde 74 dans cette forme de réalisation est un produit fritté dans lequel une zone de conversion de longueur d'onde 74a a une forme de cône globalement tronqué, et une surface latérale de la zone de conversion de longueur d'onde 74a est en contact avec une zone de maintien 74b et formée d'un seul tenant. En outre, une surface inférieure de la zone de conversion de longueur d'onde 74a, qui a le diamètre plus grand, est une surface incidente pour la lumière primaire Ll, et la zone de conversion de longueur d'onde 74a est maintenue de façon à être effilée le long d'une direction d'avance de la lumière primaire Ll. Puisque le côté de la zone de conversion de longueur d'onde 74a avec le diamètre plus faible sert de surface d'émission de lumière, il est possible de réduire une zone d'émission de lumière blanche. Dans la forme représentée ici, le diamètre de la zone de conversion de longueur d'onde 74a est réduit progressivement. Le diamètre peut cependant changer par paliers.
[0070] L'élément de support 76 est un élément en forme de plaque dans lequel une ouverture est formée, et prévu sur le côté de surface de lumière incidente de l'élément de conversion de longueur d'onde 74 de telle sorte que la zone de conversion de longueur d'onde 74a soit exposée sur l'ouverture. L'ouverture de l'élément de support 76 est formée de telle sorte que son rayon est plus petit que celui de la surface de lumière incidente de la zone de conversion de longueur d'onde 74a de At, et est prévue de façon à devenir concentrique avec la zone de conversion de longueur d'onde 74a. Une matière pour l'élément de support 76 n'est pas limitée tant que l'élément de support 76 a de la rigidité pour être capable de retenir l'élément de conversion de longueur d'onde 74. Cependant, l'utilisation d'une matière en céramique et d'un métal ayant une conductivité thermique élevée est préférée afin d'améliorer la dissipation de chaleur.
[0071] Des caractéristiques optiques souhaitées peuvent être ajoutées à l'ouverture de l'élément de support 76 en formant un film optique (non représenté). Par exemple, quand un film de réflexion qui laisse passer la lumière primaire et réfléchit la lumière secondaire est formé, il est possible d'empêcher la lumière secondaire d'être extraite par le côté de surface incidente de la zone de conversion de longueur d'onde 74a. Ainsi, il devient possible d'extraire efficacement de la lumière blanche par le côté de surface d'émission et de limiter une diminution de flux lumineux et de luminosité.
[0072] Dans cette forme de réalisation, une concentration d'une matière à base de phosphore contenue dans la zone de conversion de longueur d'onde 74a est faible, et l'épaisseur de la zone de conversion de longueur d'onde 74a est augmentée comparée à celle dans l'art antérieur. Par exemple, dans l'art antérieur, une concentration en phosphore est dans une plage de 0,05 à 0,5 % atmosphérique et l'épaisseur est d'environ 0,1 à 0,3 mm. Cependant, dans cette forme de réalisation, la concentration en phosphore est dans une plage de 0,0005 à 0,05 % atmosphérique et l'épaisseur est d'environ 1 à 5 mm.
[0073] Puisque la concentration du phosphore contenu dans la zone de conversion de longueur d'onde 74a est faible, des positions où de la chaleur est générée du fait d'une conversion de longueur d'onde de la lumière primaire en lumière secondaire sont dispersées. Puisque l'épaisseur de la zone de conversion de longueur d'onde 74a est grande, une zone en contact avec la zone de maintien 74b devient grande. Du fait de la dispersion des positions de génération de chaleur et d'une augmentation de la surface de contact, l'efficacité de dissipation thermique de la zone de conversion de longueur d'onde 74a est améliorée. De plus, en augmentant le diamètre du côté de surface de lumière incidente de la zone de conversion de longueur d'onde 74a, il est possible d'améliorer simultanément une conversion de longueur d'onde et une dissipation de chaleur sur le côté de surface incidente où une intensité de lumière de la lumière primaire est forte. Dans ce cas, la lumière primaire avance dans la zone de conversion de longueur d'onde 74a et une conversion de longueur d'onde de la lumière primaire est réalisée dans le phosphore. Par conséquent, même si le diamètre sur le côté de surface d'émission est réduit, une conversion de longueur d'onde de la lumière primaire est réalisée efficacement. De même, en réduisant le diamètre de la surface d'émission, la luminosité est améliorée.
[0074] Dans cette forme de réalisation, le côté de la zone de conversion de longueur d'onde 74a avec le diamètre plus grand sert de surface incidente, mais le côté avec le diamètre plus faible peut être la surface incidente. Dans ce cas, le diamètre augmente le long d'une direction d'avance de la lumière primaire, et, sur la surface latérale de la zone de conversion de longueur d'onde 74a en contact avec la zone de maintien 74b, de la lumière est réfléchie vers la surface d'émission ayant le diamètre plus grand, et de la lumière blanche est extraite efficacement.
[0075] Dans cette forme de réalisation, l'élément de conversion de longueur d'onde 74 a également la zone de conversion de longueur d'onde 74a, qui contient la matière à base de phosphore qui réalise la conversion de longueur d'onde de la lumière primaire et émet la lumière secondaire, et la zone de maintien 74b, qui est prévue pour être en contact avec la zone de conversion de longueur d'onde 74a, et est un produit fritté dans lequel la zone de conversion de longueur d'onde 74a et la zone de maintien 74b sont frittées simultanément et d'un seul tenant. Ainsi, l'élément de conversion de longueur d'onde 74 est capable de dissiper efficacement de la chaleur générée avec la conversion de longueur d'onde.
[0076] Une modification de la septième forme de réalisation est ensuite expliquée. Comme élément de conversion de longueur d'onde 74, au lieu d'un produit fritté dans lequel une zone de conversion de longueur d'onde 74a et une zone de maintien 74b sont en contact l'une avec l'autre et sont formées d'un seul tenant, on peut utiliser une structure dans laquelle la zone de conversion de longueur d'onde 74a et la zone de maintien 74b sont frittées séparément et ensuite combinées l'une avec l'autre, et l'élément de support 76 empêche la zone de conversion de longueur d'onde 74a de tomber.
[0077] Dans la modification de la forme de réalisation, puisque la zone de conversion de longueur d'onde 74a et la zone de maintien 74b sont formées comme des corps séparés et combinés ensemble, une liberté dans les formes de la zone de conversion de longueur d'onde 74a et de la zone de maintien 74b est améliorée. Puisqu'un élément de support 76, qui a une ouverture plus petite que la zone de conversion de longueur d'onde 74a, est prévu sur le côté de la zone de conversion de longueur d'onde 74a avec le diamètre plus grand, il est possible d'empêcher la zone de conversion de longueur d'onde 74a de tomber de la zone de maintien 74b.
[0078] L'invention n'est pas limitée aux formes de réalisation précédentes, et différentes modifications peuvent être apportées. La portée technique de l'invention comprend également des formes de réalisation qui sont obtenues en combinant de manière appropriée des moyens techniques exposés dans les formes de réalisation respectives.
Claims (5)
- REVENDICATIONS1. Produit fritté caractérisé en ce qu'il comporte :une zone de conversion de longueur d'onde (14a,44a, 54a, 64a, 74a) contenant une matière à base de phosphore configurée pour réaliser une conversion de longueur d'onde de lumière primaire et émet de la lumière secondaire ; et une zone de maintien (14b, 44b, 54b, 64b, 74b) prévue pour être en contact avec la zone de conversion de longueur d'onde (14a, 44a, 54a, 64a, 74a), dans lequel
la zone de conversion de longueur d'onde (14a, 44a, 54a, 64a, 74a) et la zone de maintien (14b, 44b , 54b, 64b, 74b) sont intégrées. 2 . Produit fritté selon la revendication 1, dans lequel la zone de maintien (14b, 44b, 54b, 64b, 74b) a une conductivité thermique plus élevée que celle de la zone de conversion de longueur d'onde (14a, 44a, 54a, 64a, 74a). - 3. Produit fritté selon la revendication 1 ou 2, dans lequel la zone de maintien (14b, 44b, 54b, 64b, 74b) a une structure dans laquelle une deuxième matière en céramique de petite taille (15b) est dispersée à l'intérieur d'une première matière en céramique (15a) et la première matière en céramique (15a) et la deuxième matière en céramique (15b) sont entrelacées d'une manière tridimensionnelle.
- 4. Produit fritté selon la revendication 3, dans lequel la première matière en céramique (15a) a une conductivité thermique plus élevée que celle de la zone de
- 5 conversion de longueur d'onde (14a, 44a, 54a, 64a, 74a).5. Produit fritté selon la revendication 3 ou 4, dans lequel une différence d'indice de réfraction entre la 10 première matière en céramique (15a) et la deuxième matière en céramique (15b) est de 0,2 ou plus.
- 6. Dispositif d'émission de lumière caractérisé en ce qu'il comporte :15 le produit fritté selon l'une quelconque des revendications 1 à 5 ; et un élément d'émission de lumière configuré pour émettre la lumière primaire.1/11
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2016132803A JP6862110B2 (ja) | 2016-07-04 | 2016-07-04 | 焼結体および発光装置 |
| JP2016132803 | 2016-07-04 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FR3053482A1 true FR3053482A1 (fr) | 2018-01-05 |
| FR3053482B1 FR3053482B1 (fr) | 2021-05-21 |
Family
ID=60662731
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FR1755956A Expired - Fee Related FR3053482B1 (fr) | 2016-07-04 | 2017-06-28 | Produit fritte et dispositif electroluminescent |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US10403771B2 (fr) |
| JP (1) | JP6862110B2 (fr) |
| CN (1) | CN107579144B (fr) |
| DE (1) | DE102017211169A1 (fr) |
| FR (1) | FR3053482B1 (fr) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2017163598A1 (fr) * | 2016-03-24 | 2017-09-28 | ソニー株式会社 | Dispositif électroluminescent, appareil d'affichage et appareil d'éclairage |
| EP3734778B1 (fr) * | 2017-12-26 | 2024-02-14 | Nichia Corporation | Élément optique, dispositif optique, et procédé de fabrication d'élément optique |
| WO2019141374A1 (fr) * | 2018-01-19 | 2019-07-25 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Procédé de production d'une pluralité d'éléments de conversion, élément de conversion et composant optoélectronique |
| JPWO2020250757A1 (fr) * | 2019-06-14 | 2020-12-17 | ||
| JP7356311B2 (ja) * | 2019-09-27 | 2023-10-04 | 豊田合成株式会社 | 発光装置、波長変換ユニット、及びヘッドライト又は表示装置 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6155699A (en) * | 1999-03-15 | 2000-12-05 | Agilent Technologies, Inc. | Efficient phosphor-conversion led structure |
| CN101167194B (zh) | 2005-04-27 | 2011-07-06 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 用于发光半导体设备的冷却设备和制造这种冷却设备的方法 |
| JP5311281B2 (ja) * | 2008-02-18 | 2013-10-09 | 日本電気硝子株式会社 | 波長変換部材およびその製造方法 |
| JP5697363B2 (ja) * | 2010-05-20 | 2015-04-08 | Ｎｇｋエレクトロデバイス株式会社 | セラミック焼結体およびその製造方法および光反射体および発光素子収納用パッケージ |
| JP5854367B2 (ja) * | 2011-06-21 | 2016-02-09 | 日本電気硝子株式会社 | 蛍光体複合部材の製造方法 |
| JP2012023288A (ja) * | 2010-07-16 | 2012-02-02 | Nitto Denko Corp | 発光装置用部品、発光装置およびその製造方法 |
| JP2012221633A (ja) | 2011-04-05 | 2012-11-12 | Sharp Corp | 照明装置及び前照灯 |
| JP2012226227A (ja) * | 2011-04-22 | 2012-11-15 | Sanyo Electric Co Ltd | 反射材及びそれを用いた発光装置用パッケージ |
| JP2013033916A (ja) * | 2011-06-28 | 2013-02-14 | Sharp Corp | 発光装置及びその製造方法 |
| US8931922B2 (en) * | 2012-03-22 | 2015-01-13 | Osram Sylvania Inc. | Ceramic wavelength-conversion plates and light sources including the same |
| JP5970661B2 (ja) | 2013-06-21 | 2016-08-17 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 波長変換部材、光源、及び自動車用ヘッドランプ |
| JP2015120621A (ja) * | 2013-12-24 | 2015-07-02 | 旭硝子株式会社 | ガラスセラミックス組成物、発光素子用基板、および発光装置 |
| CN104091875A (zh) * | 2014-07-04 | 2014-10-08 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 一种led封装结构 |
-
2016
- 2016-07-04 JP JP2016132803A patent/JP6862110B2/ja active Active
-
2017
- 2017-06-28 FR FR1755956A patent/FR3053482B1/fr not_active Expired - Fee Related
- 2017-06-29 US US15/637,098 patent/US10403771B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2017-06-30 DE DE102017211169.0A patent/DE102017211169A1/de not_active Withdrawn
- 2017-06-30 CN CN201710520580.0A patent/CN107579144B/zh active Active
-
2019
- 2019-07-19 US US16/516,875 patent/US10541339B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP6862110B2 (ja) | 2021-04-21 |
| DE102017211169A1 (de) | 2018-01-04 |
| JP2018002912A (ja) | 2018-01-11 |
| US10541339B2 (en) | 2020-01-21 |
| US10403771B2 (en) | 2019-09-03 |
| FR3053482B1 (fr) | 2021-05-21 |
| US20190341507A1 (en) | 2019-11-07 |
| CN107579144A (zh) | 2018-01-12 |
| CN107579144B (zh) | 2021-03-19 |
| US20180006167A1 (en) | 2018-01-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| FR3053482A1 (fr) | Produit fritte et dispositif electroluminescent | |
| CN105423238B (zh) | 波长变换部件、发光装置、投影机、以及波长变换部件的制造方法 | |
| US9541243B2 (en) | Light conversion assembly, a lamp and a luminaire | |
| JP5166871B2 (ja) | 発光ダイオード装置 | |
| KR101540828B1 (ko) | 광전 모듈 및 광전 모듈을 포함한 프로젝션 장치 | |
| WO2017056470A1 (fr) | Élément de conversion de longueur d'onde et dispositif électroluminescent | |
| JP2012109400A (ja) | 発光素子、発光装置および発光素子の製造方法 | |
| JP2011009305A (ja) | 発光モジュール | |
| JP6604598B2 (ja) | 波長変換装置及び照明装置 | |
| US11287107B2 (en) | Optical wavelength conversion device | |
| FR3051887B1 (fr) | Dispositif electroluminescent | |
| CN111149024B (zh) | 波长转换部件以及光源模块 | |
| JP2010505245A (ja) | Ｌｅｄ半導体ボディおよびｌｅｄ半導体ボディの使用法 | |
| JP2018049130A (ja) | 蛍光体含有部材及び蛍光体含有部材を備える発光装置 | |
| JP5162955B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
| JP2019012160A (ja) | 発光体及び発光装置 | |
| US10593843B2 (en) | Method of manufacturing optical component | |
| KR20120120187A (ko) | 새로운 광학 코팅을 채용한 ｌｅｄ 디바이스 아키텍처 및 제조방법 | |
| JP2016177922A (ja) | 蛍光光源装置 | |
| US20200035869A1 (en) | Dielectric mirror for broadband ir leds | |
| WO2020028341A1 (fr) | Dispositif électroluminescent infrarouge | |
| Wu et al. | Exploring light extraction efficiency of InGaN LED by creating structured voids in substrate with a femtosecond laser | |
| JP6993563B2 (ja) | 光学部品の製造方法 | |
| US20210202912A1 (en) | Wavelength conversion element | |
| JP6525782B2 (ja) | 発光装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PLFP | Fee payment |
Year of fee payment: 2 |
|
| PLFP | Fee payment |
Year of fee payment: 4 |
|
| PLSC | Publication of the preliminary search report |
Effective date: 20200925 |
|
| ST | Notification of lapse |
Effective date: 20220205 |